Μάθηµα Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες

Μάθηµα Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες Ενότητα 3η Τεχνολογία Τηλεπικοινωνιών Μάθηµα 4ο ΕΘΝΙΚΟ & ΚΑΠΟ ΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ Τοµέας Επικοινωνιών και Επεξεργασίας Σήµατος 1 Τµήµα Πληροφορικής & Τηλεπικοινωνιών

Περιεχόµενα Σύντοµη ανασκόπηση Ολοκληρωµένα ηλεκτρονικά κυκλώµατα Μικροκυµατικές διατάξεις Οπτικές ιατάξεις οπτικοηλεκτρονική 2

Ηλεκτρονική και Τηλεπικοινωνίες Η εξέλιξη των επικοινωνιών υπήρξε Θεαµατική σε όλη τη διάρκεια του 20ού αιώνα, ιδιαίτερα από το Β' Παγκόσµιο Πόλεµο και µετά Επιτεύγµατα της περιόδου αυτής είναι το ραντάρ, τα µικροκυµατικά συστήµατα, το τρανζίστορ και τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα, οι ηλεκτρονικοί υπολογιστές, οι τηλεπικοινωνιακοί δορυφόροι και τα laser Μέχρι το 1950 ορίζαµε την Ηλεκτρονική ως τη σπουδή των φαινοµένων της αγωγιµότητας στο κενό, στα αέρια, ή στουςηµιαγωγούς, καθώς και τη χρήση των διατάξεων που βασίζονται στα φαινόµενα αυτά ΣΗΜΕΡΑ: Η Ηλεκτρονική περιγράφεται ως το σύνολο των τεχνικών που χρησιµοποιούν τις µεταβολές φυσικών µεγεθών (ηλεκτροµαγνητικών πεδίων, πληθυσµών φωτονίων και ηλεκτρικών φορέων) για να συλλάβουν, να διαβιβάσουν και να εκµεταλλευτούν µια πληροφορία. Η πληροφορία και η ανταλλαγή αυτής (δηλ. η επικοινωνία), γίνεται επικρατούσα µορφήστόχος της νέας Ηλεκτρονικής. Όλες αυτές οι εξελίξεις βασίζονται στην ανάπτυξη της τεχνολογίας των: Ολοκληρωµένων ηµιαγωγικών κυκλωµάτων Μικροκυµατικών διατάξεων Οπτικοηλεκτρονικών διατάξεων 3

Ολοκληρωµένα κυκλώµατα Εξέλιξη Ι 1906: Τρίοδος ηλεκτρονική λυχνία κενού Ενισχυτικές ιδιότητες ασύρµατη τηλεγραφία µε MORS, ραδιοτηλεφωνία, ραδιοφωνία, τηλεόραση και ραντάρ µειονεκτήµατα: ανάγκη προθέρµανσης πριν από την έναρξη λειτουργίας, κατανάλωση µεγάλων ποσών ηλεκτρικής ενέργειας, µεγάλο µέγεθος και υψηλό κόστος. 4

Ολοκληρωµένα κυκλώµατα Εξέλιξη ΙΙ 1948:κρυσταλλοτρίοδος (τρανζίστορ) Ίδιες λειτουργίες µε τις λυχνίες αλλά χωρίς τα µειονεκτήµατά τους. Αποτελούνται από ηµιαγωγό (Si,Ge) που είναι κατά περιοχές αρνητικά ή Θετικά φορτισµένος (µε τη βοήθεια προσµείξεων πλούσιων αντίστοιχα σε ηλεκτρόνια ή οπές), Πλεονεκτήµατα: χαµηλή κατανάλωση ηλεκτρικής ενέργειας, µικρό µέγεθος και χαµηλό κόστος κατασκευής, υψηλή αξιοπιστία και έλλειψη προβληµάτων υπερθέρµανσης κατάλληλη για παλµική λειτουργία, ( ψηφιακή µετάδοση πληροφορίας) Οι κρυσταλλοτρίοδοι σταδιακά αντικατέστησαν τις λυχνίες κενού στις περισσότερες εφαρµογές και αποτέλεσαν το έναυσµαγιατηνανάπτυξη ολότελα νέων ηλεκτρονικών συστηµάτων 5

Ολοκληρωµένα κυκλώµατα Εξέλιξη ΙΙΙ 1958:Πρώτο ολοκληρωµένο κύκλωµα (Integrated Circuit, IC) Texas Instruments Η.Π.Α. Ολοκληρωµένο κύκλωµα (chip) : σύστηµαπου περιλαµβάνει ενεργά στοιχεία (τρανζίστορ) και παθητικά στοιχεία (αντιστάσεις, πυκνωτές, διόδους), Οι διασυνδέσεις τους περιλαµβάνονται µέσα ή πάνω σε ένα τµήµα µονοκρυστάλλου (δηλ. ένα κοµµάτι ηµιαγωγού που έχει παντού την ίδια κρυσταλλική δοµή) πυριτίου το οποίο ονοµάζεται υπόστρωµα (substrate). Το υπόστρωµα έχει προέλθει από τεµαχισµόενός αρχικού µονοκρυστάλλου κυκλικής µορφής διαµέτρου µερικών εκατοστών και πάχους κλάσµατος τον χιλιοστού τον µέτρου που ονοµάζεται δισκίο (wafer).. 6

Χαρακτηρισµός Ics Ι IC: αποτέλεσµα της τεχνολογίας των ηλεκτρονικών για ελαχιστοποίηση του µεγέθους των ηλεκτρονικών συσκευών και χαρακτηρίζονται από: αριθµός των στοιχείων που περιέχουν ελάχιστη διάσταση των δοµών του κυκλώµατος {'70 : 7-10 µm, '80 : 2 µm, `90: 0,25 µm και σήµερα:0,18 µm} Mείωση της ελάχιστης διάστασης Αύξηση του αριθµού των κυκλωµάτων στο ίδιο chip µείωση τον κόστους (συνδυάζονται στο ίδιο IC περισσότερες λειτουργίες) και αύξηση της ισχύος επεξεργασίας 7

Χαρακτηρισµός ICs ΙΙ Σήµερα, τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα περιέχουν ένα τεράστιο αριθµό τρανζίστορ που υπερβαίνει τα δέκα εκατοµµύρια. Τα ICs µε τέτοια µεγάλη πυκνότητα ηµιαγωγικών στοιχείων (τρανζίστορ) ονοµάζονται κυκλώµατα VLSI (Very Large Scale Integration) και αποτελούν την τελευταία λέξη της τεχνολογίας 1965: Νόµος του MOORE ο αριθµός των τρανζίστορ σε ένα ολοκληρωµένο κύκλωµα - και εποµένως η ισχύς επεξεργασίας τον - Θα διπλασιάζεται κάθε χρόνο, χωρίς να υπάρχει ανάλογη αύξηση τον κόστους. Ο νόµος ισχύει µέχρι σήµερα µε µικρές τροποποιήσεις (ο διπλασιασµός επιτυγχάνεται τα τελευταία δεκαπέντε χρόνια ανά 18 µήνες) 8

Νόµος του Moore. Υπάρχει όριο; θεωρητικά Θερµοδυναµικά και κβαντικά όρια υποδεικνύουν ότι η ταχύτητα, που προκύπτει από τη συνεχή σµίκρυνση των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων, δε µπορεί να αυξηθεί πάνω από τρεις ή τέσσερις τάξεις µεγέθους σεσχέσηµε τησηµερινή Πρακτικό πρόβληµα της απαγωγής Θερµότητας (ελαχιστοποίηση κατανάλωσης τον κυκλώµατος) Όρια στο ελάχιστο επιτρεπτό µέγεθος των δοµών τον κυκλώµατος (δεν µπορεί να είναι µικρότερο από την απόσταση των ατόµων µέσα στον ηµιαγωγικό κρύσταλλο, κάτι που ησηµερινή τεχνολογία έχει καταφέρει στην κατακόρυφη διεύθυνση ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος) Το ελάχιστοµέγεθος στην οριζόντια διεύθυνση, ( τη διακριτική ικανότητα της φωτολιθογραφικής µεθόδου και το οποίο είυαι σήµερα στα 0,18 µm), µπορεί να µειωθεί ακόµα περισσότερο µε τη βοήθεια ακτίνων-χ ή δέσµης ηλεκτρονίων σε διαστάσεις κάτω από 0,1 µm. Είναι δύσκολο προς το παρόν να προβλεφθεί το τελικό όριο των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και αναµένεται σηµαντική πρόοδος στο άµµεσο µέλλον 9

Τεχνολογία ICs Η τεχνολογία που χαρακτηρίζει ένα ολοκληρωµένο κύκλωµα προκύπτει από την τεχνολογία που διέπει την κατασκευή του ενεργού στοιχείου του IC, του τρανζίστορ : BJT : Ενισχυτές κυκλώµατα ισχύος FET: switches σε ψηφιακά κυκλώµατα 10

Σχεδίαση Ολοκληρωµένων κυκλωµάτων ΗσχεδίασηενόςIC στοχεύει στην επιτυχή του υλοποίηση και ικανοποίηση σύνολου προδιαγραφών µε υψηλή απόδοση παραγωγής απλή διαδικασία και µε τον ελάχιστο χώρο ανάπτυξης του κυκλώµατος Η κατασκευή είναι η διαδικασία που µετατρέπει τη µάσκα σε πραγµατικό chip. Βέβαια, η διαδικασία αυτή περιλαµβάνει ένα µεγάλο αριθµό επιµέρους βηµάτων, που Θα µελετήσουµε στησυνέχεια. Καθώς το µέγεθος και η πολυπλοκότητα των συστηµάτων αυξάνεται, το κόστος κατασκευής ολοένα µειώνεται σε σχέση µε τοκόστοςσχεδίασης Κόστος συστήµατος 11

Κατασκευή Ics I Ανάπτυξη ηµιαγωγικών κρυστάλλων: Κατασκευή υποστρώµατος Οξείδωση: Αποµόνωση ηµιαγωγικών δισκίων (wafer) Εισαγωγή προσµίξεων ιάχυση Εµφύτευση ιόντων Εξωτερικές συνδέσεις Εναπόθεση φιλµ- εξάχνωση Χηµική εναπόθεση αερίων (CVD) 12

Mέθοδοι Επιταξίας-Κατασκευή Ics II Η επιταξία (Epitaxial Crystal Growth) είναι µια ειδική µορφή εναπόθεσης λεπτών φιλµ Οι προηγούµενες µέθοδοι δίνουν άµορφα ή πολυκρυσταλλικά φιλµ η επιταξία δίνει κρυσταλλικά στρώµατα που είναι προέκταση του κρυσταλλικού πλέγµατος του υποστρώµατος. Από την ιδιότητα αυτή προέρχεται και ο όρος "επιταξία", δηλαδή η "σε τάξη" προέκταση τον κρυσταλλικού υποστρώµατος. ΤΥΠΟΙ ΕΠΙΤΑΞΙΑΣ Επιταξία Υγρής Φάσης (Liquid Phase Epitaxy, LPE) Επιταξία αέριας φάσης (Vapor Phase Epitaxy, VPΕ) Επιταξία Μοριακής έσµης (Molecular Beam Epitaxy, ΜΒΕ) Χηµική Αέρια Εναπόθεση Μεταλλικών Οργανικών Ενώσεων (Metal Organίc Chemίcal Vapor Deposition, MOCVD) 13

Φωτολιθογραφία-Κατασκευή Ics IIΙ Ανάγκη επιλεκτικής διάχυσης Η επιλεκτική αφαίρεση τµηµάτων λεπτού φιλµ από την επιφάνεια του υποστρώµατος, η δηµιουργία µεταλλικών ή διηλεκτρικών ενώσεων γενικότερα ο έλεγχος και η απεικόνιση στην επιφάνεια του υποστρώµατος της µορφής που πρέπει να έχει το ολοκληρωµένο κύκλωµα Μέθοδος της φωτολιθογραφίας Ηεπιφάνειατουηµιαγωγού καλύπτεται µε µια ευαίσθητη στο υπεριώδες φως ρητίνη, η οποίαονοµάζεται photoresist Η µάσκα είναι µία προσεκτικά προετοιµασµένη πλάκα χαλαζία που περιέχει ένα αντίγραφο της µορφής που Θα αποτυπωθεί πάνω στο υπόστρωµα έκθεση της ρητίνης σε υπεριώδες φως µέσω της µάσκας Αποµάκρυνση των µη προστατευµένων από τη ρητίνη περιοχών (απόξεση) 14

Μικροκυµατικές διατάξεις Ι ιατάξεις που λειτουργούν στην περιοχή συχνοτήτων από 1 GHz έως 300 GHz (λ: 30 cm έως 1 mm) Η ιστορική εξέλιξη των µικροκυµατικών κυκλωµάτων µοιάζει µε αυτή των κλασικών ηλεκτρονικών. Υπήρξε µια συνεχής τάση για µετάβαση από τις ηλεκτρονικές µικροκυµατικές λυχνίες σε στοιχεία στερεάς κατάστασης και στην περαιτέρω ανάπτυξη ολοκληρωµένων κυκλωµάτων, διατάξεων και συστηµάτων 1960-1980: αναπτύχθηκαν τα µικροκυµατικά ολοκληρωµένα κυκλώµατα (Microwave Integrated Circuits, MIC} τα οποία συνδυάζουν ενεργές διατάξεις (λ.χ. FET} και παθητικά στοιχεία (γραµµές µεταφοράς, αντιστάσεις, πυκνωτές, πηνία) κατανεµηµένα ή συγκεντρωµένα πάνω σε ένα διηλεκτρικό υπόστρωµα (αλουµίνα, Α1 2 Ο 3 ) Η λογική τους εξέλιξη είναι τα µονολιθικά µικροκυµατικά ολοκληρωµένα κυκλώµατα (Monolithic Microwave Integrated Circuϊts, MMIC) όπου οι ενεργές διατάξεις και τα παθητικά στοιχεία διαµορφώνονται µέσα ή πάνω σε ένα ηµιαγωγικό υπόστρωµα, χρησιµοποιώντας τις διαδικασίες κατασκευής των ICs χαµηλότερων συχνοτήτων σε διηλεκτρικό υπόστρωµα (GaAs) 15

Μικροκυµατικές διατάξεις ΙI Μικροκυµατικές λυχνίες 2-6 GHz Λυχνίες klystron 12-23 GHz Λυχνίες TWT Λυχνίες Κλύστρον TWT Magnetron Κεραµικές τρίοδοι Εφαρµογές Πηγές ισχύος, Ενισχυτές Πηγές ισχύος Ταλαντωτές - Ποµποί 16

Μικροκυµατικές διατάξεις ΙIΙ ΜΙC: Οι βασικότερες λειτουργίες που παρέχουν τα µικροκυµατικά ολοκληρωµένα κυκλώµατα είναι ως ενισχυτές, ταλαντωτές, µείκτες, ολισθητές φάσης και µικροκυµατικοί διακόπτες. BW<3GHz ΜΜΙC: µεγαλύτερο εύρος ζώνης, ευελιξία κυκλωµατικής σχεδίασης συνδυασµός πολλών λειτουργιών πάνω στο ίδιο chip ("επίπεδη" τεχνολογία δηλ. η τεχνολογία ανάπτυξης κυκλωµάτων υπό µορφή παράλληλων ηµιαγωγικών επιπέδων) Οι εφαρµογές: ραντάρ, και αµυντικά συστήµατα. Οι δορυφορικοί ποµποί και δέκτες σε συχνότητες 12 ή 4 GHz, η δορυφορική τηλεόραση, το δορυφορικό τηλέφωνο και τα κινητά τηλέφωνα στα 900 και 1800 MHz. Επίσης, τα ναντιλιακά και στρατιωτικά ραντάρ στρεφόµενου λοβού και τα συστήµατα ηλεκτρονικού πολέµου Τα MMIC έχουν σήµερα δυνατότητες επεξεργασίας ηλεκτροµαγνητικών σηµάτων µεφέρουσεςσυχνότητες της τάξης των 100 GHz 17

Τεχνολογία οπτικών Επικοινωνιών Η επανάσταση στo χώρο των τηλεπικοινωνιών δόθηκε µε την ανακάλυψη του laser (1960) Χρησιµοποιεί «φως» (κοντά στο υπέρυθρο 1.3 µm 1.55 µm) για τη µεταφορά της πληροφορίας Μέσο µετάδοσης: οπτική ίνα 14 ΤΗz 15 ΤΗz 18

Οπτικές πηγές - Στοιχεία ηµιαγωγών Ενέργεια Ηµιαγωγοί: επαφές p-n (οµοιοεπαφές) Υλικά: P, Ga, As, In, Al, Si Κάθε ηµιαγωγός χαρακτηρίζεται από την ενέργεια χάσµατος Ε G Ενέργεια φωτονίων: Ε φ =hf (β) Ενέργεια (α) Φωτεινή ακτινοβολία Φωτεινή ακτινοβολία Οπτικές µεταπτώσεις στους ηµιαγωγούς α. Απορρόφηση β. Αυθόρµητη εκποµπή γ. Εξαναγκασµένη εκποµπή και δράση Laser Ετεροεπαφές: GaAs/GaAlAs και InGaAsP/InP 19 (γ)

Χαρακτηριστικά LED και LD Υλικό Χρώµα Μήκος Κύµατος [nm] GaP Gallium phosphide GaAsP Gallium arsenic phosphide AlGaAs Gallium aluminum arsenide green 560 Yellow-red 570-700 near-infrared (µη ορατό) 800-900 GaAs Gallium arsenide InGaAsP Indium gallium arsenic phosphide near-infrared (µη ορατό) near-infrared (µη ορατό) 930 1300-1500 20

Ηµιαγωγικές Οπτικές πηγές (Ι) LED (αυθόρµητη εκποµπή) Φασµατικό εύρος Οπτική Ίνα Εκπεµπόµενο φως Ρητίνη epoxy επιµετάλλωση Στρώµα τύπου n Τύπου p ενεργό στρώµα Τύπου p στρώµα εστίασης επιµετάλλωση Μήκος κύµατος [µm] φασµατικ όεύρος [nm] Υλικό ηµιαγωγού Oπτική ισχύς που εισάγεται σε ίνα βαθµιαίου δ.δ. [µw] Απόσταση Μετάδοσης [Km] Ρυθµοί διαµόρφωσης [MB/s] LED οε 0.88 0.95 50 GaAs 2 0.01-0.1 5-10 LED εε 0.80 0.885 45 AlGaAs/ GaAs 30-100 1-5 30-100 LED εε 1.3 1.5 100 InGaAsP/Inp 50-100 1-5 50-200 21

Ηµιαγωγικές Οπτικές πηγές (ΙΙ) ίοδοι Laser (LD): εξαναγκασµένη εκποµπή DFB Laser Φασµατικό εύρος 22

Ηµιαγωγικές Οπτικές πηγές (ΙΙI) Μήκος κύµατος [µm] φασµατικό εύρος [nm] Υλικό ηµιαγωγού Oπτική ισχύς που εισάγεται (ίνα βαθµιαίου δ.δ.) -[µw] Απόσταση Μετάδοσης [Km] Ρυθµοί διαµόρφωσης [MB/s] LD FP 0.80-0.885 1.3 3-20 AlGaAs/ GaAs 1-5 5-20 565 LD DFB και DBR 1.3,1.5 0.8 10-3 InGaAsP/Inp 1 3 0.5-1.5 (µονότροπη ίνα) 70 1200 Laser Εµπορίου 23

Φωτοφωρατές (Ι) Μετατρέπουν το προσπίπτον από την οπτική ίνα φωτεινό σήµα σε ηλεκτρικό (Φαινόµενο απορρόφησης) Φωτοφωρατές PIN Φωτοφωρατές APD Οι χαρακτηριστικές παράµετροι ενός φωτοφωρατή είναι: Ηκβαντικήαπόδοση(quantum efficiency) n Η αποκρισιµότητα i R που ορίζεται ph από τη σχέση: R =µ [W/A] P ph 24

Φωτοφωρατές (ΙΙ) Συγκεντρωτικά στοιχεία φωτοδιόδων του εµπορίου Υλικό ηµιαγωγού Τύπος φωτοδιόδου Χρόνος µετάβασης [ns] µήκος κύµατος [µm] Αποκρισιµότητα R [Α/W] Ρεύµα σκότους [na] Συντελεστής ενίσχυσης µ Si PIN 0.5 0.3-1.1 0.5 1 1 Ge PIN 0.1 0.5-1.8 0.7 200 1 InGaAs PIN 0.3 1.0-1.7 0.6 10 1 Si APD 0.5 0.4-1.0 77 15 150 Ge APD 0.1 1.0-1.6 30 700 50 25

Οπτικοί ενισχυτές Στα πρώτα οπτικά συστήµατα η ενίσχυση του οπτικού σήµατος γίνεται µε ΟΕ-ΕΟ µετατροπή: εξαιρετικά πολύπλοκες ακριβές διατάξεις, που µπορούσαν να λειτουργήσουν µόνο για αναλογικά ή µόνο για ψηφιακά συστήµατα, για ένα µήκος κύµατος και ένα ρυθµό (bitrate), µε αναπόφευκτο το θόρυβο της ηλεκτρονικής ενίσχυσης - και περιοριστικές για το σύστηµα στην περίπτωση αναβαθµίσεων, και υψηλό κόστος συντήρησης. Οι αδυναµίες αυτές ξεπερνιούνται µε τη διατήρηση του σήµατος σε οπτική µορφή σε όλο το µήκος της διαδροµής και εποµένως µε την απευθείας ενίσχυση του από καθαρά οπτικούς ενισχυτές, αποφεύγοντας τις πολύπλοκες οπτικοηλεκτρικές και ηλεκτροοπτικές µετατροπές. Οι οπτικοί ενισχυτές ενισχύουν οποιοδήποτε σήµα ανεξαρτήτως σχήµατος διαµόρφωσης, µήκους κύµατος και ρυθµού µετάδοσης 26

Ενισχυτές ηµιαγωγού (Semiconductor Optical Amplifiers SOA) Οι SOA µοιάζουν κατασκευαστικά µε τις διατάξεις Laser (εξαναγκασµένη εκποµπή χωρίς οπτική ανατροφοδότηση ) BW =35 240nm Mπορούν να ολοκληρωθούν µονολιθικά µε άλλα ηλεκτρονικά κυκλώµατα Εισάγουν θόρυβο στο οπτικό σήµα και έχουν σχετικά µεγάλο κόστος υσκολία σύνδεσης µε οπτική ίνα Μικρή απολαβή (~15 db) 27

Ενισχυτές Ίνας µε Πρόσµειξη Ερβίου (Εrbium Doped Fiber Amplifiers EDFA) EDFA: µικρού µήκους οπτική ίνα της οποίας ο πυρήνας εµπλουτίζεται µε έρβιο (Er ++ ), ένα οπτικά ενεργό χηµικό στοιχείο.τα ιόντα ερβίου διεγείρονται σε µία ανώτερη ενεργειακή στάθµη µε την απορρόφηση φωτός από µία πηγή LASER, συνήθως στα 1480 nm (Laser άντλησης). Τα διεγερµένα ιόντα ερβίου µεταπίπτουν στη βασική ενεργειακή στάθµη είτε µε αυθόρµητη είτε µε εξαναγκασµένη εκποµπή φωτονίων (εξαιτίας της αλληλεπίδρασης µε τα φωτόνια του προς ενίσχυση σήµατος) 28

Ενισχυτές Ίνας µε Πρόσµειξη Ερβίου (Εrbium Doped Fiber Amplifiers EDFA) ΒW: 35 nm Oι EDFAs επιβάλλουν τη λειτουργία των οπτικών ζεύξεων µόνο στο οπτικό παράθυρο των 1525-1565nm Απολαβή πάνω από 40 db και µέγιστη ισχύς εξόδου πάνω από 27 dbm Μεγάλος χρόνος ζωής των φωτονίων στη διεγερµένη κατάσταση (περίπου 10 msec) 29

Ο θόρυβος στους οπτικούς ενισχυτές Σε έναν οπτικό ενισχυτή, η κύρια πηγή θορύβου είναι η ενισχυµένη αυθόρµητη εκποµπή (amplified spontaneous emission ASE) Στηνπράξηηαπόστασηπουµπορεί να ταξιδέψει το σήµα µεταξύ των ενισχυτών µπορεί να είναι µέχρι τα 120 km. Για αποστάσεις µεγαλύτερες από 600 km έως 1000 km το σήµα πρέπει να αναγεννηθεί 30

Τοποθέτηση των οπτικών ενισχυτών α) Ενισχυτές γραµµής β) Προενισχυτές γ) Βoosters 31

Τα παθητικά στοιχεία των οπτικών συστηµάτων (I) Συγκολλήσεις (spices) - οπτικοί σύνδεσµοι: Οπτικοί συζεύκτες (Couplers): Οπτικοί αποµονωτές: 32

Τα παθητικά στοιχεία των οπτικών συστηµάτων (IΙ) Κυκλοφορητές: Οπτικά φίλτρα: διαχωρισµός (ή συνδυασµός) διαφορετικών µηκών κύµατος Συµβολόµετρο Fabry-Perot Fiber Bragg Grattings - FBG Thin film filters 33

Οπτικοηλεκτρονική Σήµερα, βρισκόµαστε στο ξεκίνηµα µιας νέας τεχνολογικής επανάστασης: της οπτικοηλεκτρονικής ολοκλήρωσης δηλαδή της ταυτόχρονης ανάπτυξης οπτικών, ηλεκτροοπτικών και ηλεκτρονικών διατάξεων στον ίδιο µονοκρύσταλλο. Νέες δυνατότητες και εφαρµογές Η οπτικοηλεκτρονική τεχνολογία είναι κεφαλαιώδους σηµασίας στη νέα κοινωνία της πληροφορίας Οπτικοηλεκτρο νικές διατάξεις Νέες Οπτικοηλεκτρο νικές διατάξεις Οπτικοηλεκτρο νικές διατάξεις 34