ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1



Σχετικά έγγραφα
ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 2 JUT ΚΑΙ PUT

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.


Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Βασικές Λειτουργίες των TR

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΡΙΘΜΩΝ ΚΑΙ ΚΩ ΙΚΕΣ 1

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

ΘΕΜΑΤΑ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ-ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ- ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ, ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Α2. Α2.1 Α2.2 Α2.1 Α2.2 Μονάδες 10 Α3.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Το διπολικό τρανζίστορ

Επαφή / ίοδος p- n. Σχήµα 1: Επαφή / ίοδος p-n

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

περιεχομενα Πρόλογος vii

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5

Πρόβλημα Υπολογίστε τα: VG, VGSQ, VDS, IDQ, IB, IE, IE, VC, VCE και VDS.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 5

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr)

- Transistor Transistor -

ÖÑÏÍÔÉÓÔÇÑÉÏ ÊÏÑÕÖÇ ÓÅÑÑÅÓ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 28 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

του διπολικού τρανζίστορ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Ενισχυτές με Ανασύζευξη-Ανάδραση

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

2. ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR BJT) και ΣΥΝΑΦΗ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1,2

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 3 Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

Β τάξη Ημερήσιου (1Θ+3Ε) και Εσπερινού (1Θ+3Ε) ΕΠΑ.Λ. (ΜΑΘΗΜΑ ΤΟΜΕΑ)

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

Transcript:

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn 12 1-5 Ολίσθηση και ιάχυση Φορέων 14 1-6 Ορθή και Ανάστροφη Πόλωση Ένωσης pn 15 1-7 ίοδος 17 Πολλαπλασιασµός Χιονοστιβάδας 21 ιάσπαση Zener 21 1-8 Στατική και υναµική Αντίσταση της ιόδου 23 1-9 Χωρητικότητες της ιόδου 24 Χωρητικότητα της Περιοχής Αραίωσης 25 Χωρητικότητα ιάχυσης 26 1-10 Ευθεία Φόρτου DC και Σηµείο Λειτουργίας της ιόδου 27 1-11 Συµπεριφορά της ιόδου σε Μικρές Μεταβολές του 33 Σήµατος Εισόδου 1-12 Ευθεία Φόρτου AC 35 1-13 ίοδος Zener 39 1-14 ίοδος Σήραγγας (Tunnel) 44 1-15 ίοδος Schottky 47 1-16 Φωτοεκποµπή 48 1-17 Κατασκευή Ενώσεων 49 Ένωση Σηµειακής Επαφής 49 Ένωση Κράµατος 50 Ένωση Ανάπτυξης 50 Ένωση ιάχυσης 50 Ένωση Επίταξης 51 ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ 51

vi ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ & ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ - ΤΟΜΟΣ Ι 2 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΩΝ ΙΟ ΩΝ 53 2-1 Ψαλιδιστές Τάσης 53 2-2 Γραφική Ανάλυση Ψαλιδιστών Τάσης 59 2-3 Αναρριχητές Τάσης 65 2-4 ηµιουργία Χαρακτηριστικών Μεταφοράς µε ιόδους 71 ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ `75 3 ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 85 3-1 Ρεύµατα στο ιπολικό Τρανζίστορ 87 Ανάστροφο Ρεύµα Κόρου 89 3-2 Περιοχές Λειτουργίας του ιπολικού Τρανζίστορ 89 3-3 Συνδεσµολογίες και ΕνισχυτικήΛειτουργία του 91 Τρανζίστορ 3-4 Συνδεσµολογία Κοινής Βάσης 93 3-5 Συνδεσµολογία Κοινού Εκποµπού 95 3-6 Συνδεσµολογία Κοινού Συλλέκτη 99 3-7 Τρανζίστορ Schottky 102 3-8 Κατασκευή του Τρανζίστορ 102 3-9 Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα 104 Προκατασκευαστική Φάση 105 Κατασκευαστική Φάση 106 Φωτοχάραξη 108 Εισαγωγή Προσµείξεων 108 Τελική Επεξεργασία 110 ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ 110 4 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕ ΙΟΥ (FET) 113 4-1 οµή και Λειτουργία του JFET 113 4-2 Χαρακτηριστικές του JFET 120 4-3 FET Μονωµένης Πύλης 123 MOSFET Αραίωσης 124 MOSFET Πύκνωσης 127

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ vii 4-4 Κάθετο FET (V-FET) 132 4-5 Συµπληρωµατικά MOS (CMOS) 133 ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ 134 5 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΟΛΩΣΗΣ ΤΩΝ ΙΠΟΛΙΚΩΝ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 135 5-1 Περιορισµοί στην Τοποθέτηση του Σηµείου Λειτουργίας 136 5-2 Ευθεία Φόρτου DC 138 5-3 Επίδραση του Πλάτους του Σήµατος Εισόδου στην 140 Επιλογή του Σηµείου Λειτουργίας 5-4 Κυκλώµατα Εισόδου-Εξόδου 143 5-5 Επίδραση της Θερµοκρασίας στην Τάση V BE και το 146 Ρεύµα I CO Μεταβολή του Ρεύµατος I CO µε τη Θερµοκρασία 146 Μεταβολή της Τάσης V BE µε τη Θερµοκρασία 147 5-6 Συντελεστές Σταθερότητας 148 5-7 Επιλογή του Σηµείου Λειτουργίας στο Μέσο της 149 Ενεργού Περιοχής: R DC R AC 5-8 Επιλογή του Σηµείου Λειτουργίας στο Μέσο της 154 Ενεργού Περιοχής: R E 0 5-9 Επιλογή του Σηµείου Λειτουργίας µε Αντίσταση R E και 158 Πυκνωτή ιαρροής 5-10 Πόλωση Ρεύµατος Βάσης 163 Ανάλυση του Κυκλώµατος Πόλωσης Ρεύµατος Βάης 163 Σχεδίαση της Πόλωσης Ρεύµατος Βάσης µε V CE SAT 0 167 και R DC =R AC Σχεδίαση της Πόλωσης Ρεύµατος Βάσης µε V CE SAT 0 170 και R DC R AC 5-11 Υπολογισµός του S V στο Κύκλωµα Πόλωσης Ρεύµατος 173 Βάσης 5-12 Υπολογισµός των S β, S I στο Κύκλωµα Πόλωσης 176 Ρεύµατος Βάσης 5-13 Πόλωση µε Αντίσταση στον Εκποµπό 181 Ανάλυση της Πόλωσης Εκποµπού 181 Υπολογισµός του ιαιρέτη Τάσης στην Πόλωση 184

viii ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ & ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ - ΤΟΜΟΣ Ι Εκποµπού 5-14 Υπολογισµός του Συντελεστή S V στη Πόλωση 190 Εκποµπού 5-15 Υπολογισµός των Συντελεστών S β, S I στο Κύκλωµα 190 Πόλωσης Εκποµπού 5-16 Πόλωση Ρεύµατος Συλλέκτη-Βάσης 192 Ανάλυση του Κυκλώµατος Πόλωσης Ρεύµατος 193 Συλλέκτη-Βάσης Σχεδίαση του Κυκλώµατος Πόλωσης Ρεύµατος 195 Συλλέκτη-Βάσης 5-17 Υπολογισµός του S V στην Πόλωση Ρεύµατος Συλλέκτη- 196 Βάσης 5-18 Υπολογισµός των Συντελεστών S β, S I στο Κύκλωµα 198 Πόλωσης Ρεύµατος Συλλέκτη-Βάσης 5-19 Αντιστάθµιση σε Μεταβολές της Τάσης V BE και του 200 Ρεύµατος I CO 5-20 Άλλα Κυκλώµατα Πόλωσης 203 ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ 206 6 ΠΟΛΩΣΗ ΤΩΝ FETS 213 6-1 Πόλωση του JFET µε Εξωτερική Τάση 214 6-2 Αυτοπόλωση του JFET 218 6-3 Πόλωση του JFET µε ιαιρέτη Τάσης 222 6-4 Πόλωση του MOSFET 225 ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ 229 7 ΙΣΟ ΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 233 7-1 Παράµετροι Τετραπόλου 234 Ζ-Παράµετροι 234 Υ-Παράµετροι 235 Η-Παράµετροι (υβριδικές παράµετροι) 235 7-2 Το Τρανζίστορ σαν ίθυρο 237

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ix 7-3 Μετατροπή Παραµέτρων 237 7-4 Υβριδικό Ισοδύναµο του ιπολικού Τρανζίστορ 240 7-5 Προσδιορισµός των Υβριδικών Παραµέτρων 242 7-6 Παράµετροι Συµπεριφοράς του Τετραπόλου 246 7-7 Συµπεριφορά του Τετραπόλου σε Συνάρτηση µε τις h 249 παραµέτρους Κέρδος Ρεύµατος 249 Αντίσταση Εισόδου 249 Κέρδος Τάσης 250 Αντίσταση Εξόδου 250 Κέρδος Ισχύος 251 7-8 Ισοδύναµο-Τ του ιπολικού Τρανζίστορ 255 7-9 Υβριδικό-π Ισοδύναµο του ιπολικού Τρανζίστορ 256 Παράµετροι του Ισοδύναµου 256 Υβριδικό-π Ισοδύναµο στις Χαµηλές Συχνότητες 258 7-10 Ισοδύναµο των Ebers-Moll 259 7-11 Υβριδικό-π Ισοδύναµο του FET 262 ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ 263 8 ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΒΑΘΜΙ ΕΣ ΜΕ ΙΠΟΛΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 267 8-1 Ιδανικός και Πρακτικός Ενισχυτής Τάσης 269 8-2 Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού µε R E =0 270 8-3 Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού µε R E 0 277 8-4 Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού µε R E 0 και Πυκνωτή 282 ιαρροής 8-5 Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού µε Πεπερασµένες 286 Χωρητικότητες 8-6 Ενισχυτής Κοινού Εκποµπού µε R E -DC R E-AC 288 8-7 Ενισχυτής Κοινής Βάσης 292 8-8 Ενισχυτής Κοινού Συλλέκτη 299 8-9 Ακόλουθος Εκποµπού µε Υψηλή Αντίσταση Εισόδου 305 8-10 Σύγκριση των Ενισχυτικών Βαθµίδων 307 ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ 308

x ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ & ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ - ΤΟΜΟΣ Ι 9 ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΒΑΘΜΙ ΕΣ ΜΕ FETs 315 9-1 Ενισχυτής Κοινής Πηγής 315 9-2 Ενισχυτής Κοινής Πύλης 321 9-3 Ενισχυτής Κοινής Εκροής 326 9-4 Ανάσκόπιση 330 ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ 330 ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ 335 ΕΥΡΕΤΗΡΙΟ ΟΡΩΝ 339