2. ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR BJT) και ΣΥΝΑΦΗ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1,2

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "2. ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR BJT) και ΣΥΝΑΦΗ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1,2"

Transcript

1 . ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ (BIPOA JUNTION TANSISTO BJT) και ΣΥΝΑΦΗ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ,.. Γενικά... Συνδεσμολογίες και πόλωση του τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bpolar juncton transstor ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος με τρεις (3) εμπλουτισμένες περιοχές, την κεντρική περιοχή (βάση, base, Β) και δύο πλευρικές, τον εκπομπό (emtter, Ε) και το συλλέκτη (collector, ). Ένα διπολικό τρανζίστορ μπορεί να είναι τύπου «n-p-n» ή «p-n-p». Στο τρανζίστορ n-pn (που είναι και το ευρύτερα χρησιμοποιούμενο), η βάση (Β) είναι τύπου p ενώ ο εκπομπός (Ε) και ο συλέκτης () είναι τύπου n. Εκπομπός (Ε) I Βάση (Β) I B Συλλέκτης () I Από τις παραπάνω περιοχές: Η βάση Β είναι πολύ στενή και με χαμηλή νόθευση, προκειμένου τα ηλεκτρόνια που «εκπέμπονται» από τον εκπομπό Ε (ρεύμα I ) να περνούν από τη βάση, χωρίς να ανασυνδέονται με τις εκεί οπές, και να φθάνουν στο συλλέκτη (ρεύμα I ) σε ποσοστό τουλάχιστον 95%. Έτσι, στο τρανζίστορ, μπορεί να θεωρηθεί ότι το ρεύμα Ι Ε (που «δημιουργεί» ο εκπομπός) διαμοιράζεται στο ρεύμα Ι Β (που διαρρέει τη βάση) και στο ρεύμα Ι (που συλλέγεται από το συλλέκτη). Αν και σύμφωνα με την παραπάνω θεώρηση, I = I B + I, επειδή το Ι Β είναι πάντα πολύ μικρό (συνήθως Ι Β < 0,05.Ι Ε ), μπορεί να θεωρηθεί ότι I Ι. Ο εκπομπός Ε έχει την υψηλότερη νόθευση. Ο συλλέκτης έχει ενδιάμεση νόθευση και τις μεγαλύτερες, συγκριτικά, διαστάσεις, επειδή εκεί καταναλώνεται το μεγαλύτερο ποσοστό της ισχύος του τρανζίστορ. Η ανάλυση που ακολουθεί αναφέρεται στα τρανζίστορ n-p-n. Σε όλη την ανάλυση, οι παράμετροι D συμβολίζονται με ΚΕΦΑΛΑΙΑ γράμματα ενώ οι παράμετροι A με πεζά. Ο όρος «διπολικό» αναφέρεται στο γεγονός ότι, στη λειτουργία του τρανζίστορ, «συμμετέχουν» και οι δύο πολικότητες φορτίων, δηλαδή οι (θετικές) οπές και τα (αρνητικά) ηλεκτρόνια. Ας σημειωθεί ότι υπάρχουν μονοπολικά τρανζίστορ (π.χ. τα FTs) η λειτουργία των οποίων στηρίζεται σε έναν τύπο φορέα (συνήθως, τα ηλεκτρόνια). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).

2 Η ροή ηλεκτρονίων στο τρανζίστορ Το τρανζίστορ μπορεί να θεωρηθεί ότι αποτελείται από δύο () διόδους, τη δίοδο (επαφή) εκπομπού-βάσης (ή δίοδο εκπομπού) και τη δίοδο (επαφή) συλλέκτη-βάσης (ή δίοδο συλλέκτη). Ανεξάρτητα από τον τύπο του τρανζίστορ («n-p-n» ή «p-n-p»), εφαρμόζονται οι παρακάτω τρεις συνδεσμολογίες: Κοινού εκπομπού (): Κοινός πόλος ο Ε, πόλος εισόδου η Β, πόλος εξόδου o. Κοινού συλλέκτη (): Κοινός πόλος ο, πόλος εισόδου η Β, πόλος εξόδου o. Κοινής βάσης (B): Κοινός πόλος η Β, πόλος εισόδου ο Ε, πόλος εξόδου η. Για κάθε συνδεσμολογία (, ή B) προβλέπονται δύο () «οικογένειες» χαρακτηριστικών, μία για την είσοδο και μία για την έξοδο. Για παράδειγμα, στη συνδεσμολογία, οι χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου φαίνονται στο παρακάτω σχήμα 3 : 3 Γενικά, οι χαρακτηριστικές εισόδου/εξόδου περιέχουν ρεύματα εισόδου/εξόδου (κατακόρυφος άξονας) και τάσεις εισόδου/εξόδου (οριζόντιος άξονας) με τις τάσεις να έχουν, ως δυναμικο αναφοράς, το δυναμικό του κοινού πόλου. Έτσι, στη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού (Ε), οι χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου είναι, αντίστοιχα, οι καμπύλες I Β ( BΕ ) και I ( ), στη συνδεσμολογία κοινού συλλέκτη (), οι χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου είναι, αντίστοιχα, οι καμπύλες I Β ( B ) και I Ε ( Ε ) ενώ, στη συνδεσμολογία κοινής βασης (Β), οι χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου είναι οι καμπύλες I Ε ( ΕΒ ) και I ( B ). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).

3 I Β Ε Χαρακτηριστικές εισόδου () K ΒΕ I Χαρακτηριστικές εξόδου () Περιοχή κόρου Ενεργός περιοχή I B I B = 0 Περιοχή αποκοπής Με βάση τις χαρακτηριστικές εξόδου, μπορούν να οριστούν οι παρακάτω περιοχές λειτουργίας του τρανζίστορ: Η περιοχή αποκοπής: Στην περιοχή αυτή, I B = 0, άρα, πρακτικά, Ι 0 και το τρανζίστορ παύει να άγει (αποκόπτεται κατάσταση OFF). Η περιοχή κόρου: Στην περιοχή αυτή, 0 (πρακτικά, κάτω από ) το δε τρανζίστορ λειτουργεί με το μέγιστο εφικτό (βάσει των εξωτερικών κυκλωματικών στοιχείων) ρεύμα Ι. Η ενεργός περιοχή: Είναι η ενδιάμεση (μεταξύ αποκοπής και κόρου) περιοχή λειτουργίας. Σε αυτήν το ρεύμα I είναι, σχεδόν σταθερό. Η περιοχή κατάρρευσης (δεν απεικονίζεται στο σχήμα): Είναι η περιοχή δεξιά της ενεργού περιοχής, στην οποία το τρανζίστορ (λόγω υπερβολικής αύξησης της ) ουσιαστικά κατερρέει. Αν και οι παραπάνω περιοχές, για λόγους εποπτικότητας, καθρίζονται στις χαρακτηριστικές του τρανζίστορ κοινού εκπομπού (), μπορούν να καθοριστούν (αντίστοιχα) για οποιαδήποτε συνδεσμολογία (, ή B). Τέλος, επισημαίνεται ότι, ανεξαρτήτως συνδεσμολογίας, για την πόλωση των διόδων εκπομπού-βάσης (-B) και συλλέκτη-βάσης (-B), ισχύει ο παρακάτω πίνακας: Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).3

4 Ενεργός περιοχή Περιοχή αποκοπής Περιοχή κόρου Δίοδος εκπομπού-βάσης ορθή ανάστροφη ορθή Δίοδος συλλέκτη-βάσης ανάστροφη ανάστροφη ορθή Επισημαίνεται ότι η χρήση του τρανζίστορ ως ενισχυτικού στοιχείου προϋποθέτει τη λειτουργία του στην ενεργό περιοχή ενώ η χρήση του σε κυκλώματα μεταγωγής (ON- OFF) απαιτεί τη μετάπτωσή του από την περιοχή κόρου στην περιοχή αποκοπής (και αντίστροφα). Σε κάθε συνδεσμολογία, μπορεί να χρησιμοποιούνται διάφορες τεχνικές πόλωσης για το συνολικό κύκλωμα του τρανζίστορ 4. Οι τεχνικές αυτές χαρακτηρίζονται με βάση το ρεύμα που παραμένει σταθερό. Έτσι: Μια τεχνική πόλωσης που διατηρεί σταθερό το ρεύμα βάσης (I B ) χαρακτηρίζεται ως «πόλωση βάσης». Η συγκεκριμένη τεχνική πόλωσης δεν μπορεί να εγγυηθεί τη σταθερότητα του σημείου λειτουργίας και γι αυτό χρησιμοποπoιείται σε κυκλώματα μεταγωγής (ON-OFF) μεταξύ αποκοπής και κόρου (βλ. και ενότητα..). Μια τεχνική πόλωσης που διατηρεί σταθερό το ρεύμα εκπομπού (I ) χαρακτηρίζεται ως «πόλωση εκπομπού». Με τη συγκεκριμένη τεχνική, το σημείο λειτουργίας σταθεροποιείται και, για το λόγο αυτόν, η πόλωση εκπομπού χρησιμοποιείται σε ενισχυτικά κυκλώματα (στα οποία απαιτείται σταθεροποιημένο σημείο λειτουργίας βλ. και ενότητες..3 και..4). Οι παρακάτω εξισώσεις ισχύουν και για τους δύο τύπους τρανζίστορ (n-p-n και p-n-p) και για οποιαδήποτε συνδεσμολογία (, ή B) και πόλωση. I = I B + Ι Ι (αφού I, Ι >> I B ) β dc h F = α dc = I I = I I B β β dc dc (>>) ( ) Παραπομπές Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητες (και λυμένα παραδείγματα) Α.P. Malno, Βασική Ηλεκτρονική, ενότητες (και λυμένα παραδείγματα) 4 Η πόλωση του συνολικού κυκλώματος αναφέρεται στον τρόπο με τον οποίο η D τάση εφαρμόζεται στις επαφές του τρανζίστορ. Επισημαίνεται ότι η πόλωση κάθε επαφής εξασφαλίζεται είτε μέσω ξεχωριστής πηγής τροφοδοσίας (άμεση πόλωση) είτε μέσω διαιρέτη τάσης. Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).4

5 ... Ανάλυση κυκλωμάτων με τρανζίστορ Στα κυκλώματα με τρανζίστορ, εναλλασσόμενες (A) τάσεις υπερτίθενται σε συνεχείς (D) τάσεις. Από τις τάσεις αυτές, οι συνεχείς (D) δημιουργούνται από την πηγή (ή τις πηγές) τροφοδοσίας και καθορίζουν το σημείο λειτουργίας Q του τρανζίστορ ενώ οι εναλλασσόμενες (A) δημιουργούνται από το σήμα εισόδου. Η ανάλυση τέτοιων κυκλωμάτων διευκολύνεται πολύ με την εφαρμογή της αρχής της υπέρθεσης, σύμφωνα με την οποία, το εκάστοτε κύκλωμα μπορεί να θεωρηθεί ότι προκύπτει από την υπέρθεση («άθροιση») ενός κυκλώματος που περιέχει μόνο τις D πηγές (D ισοδύναμο κύκλωμα) και ενός κυκλώματος που περιέχει μόνο τις Α πηγές (Α ισοδύναμο κύκλωμα). Μοντέλα D και Α για το τρανζίστορ Το μοντέλο D για το τρανζίστορ (για τις συνδεσμολογίες κοινού εκπομπού και κοινού συλλέκτη) φαίνεται αμέσως παρακάτω 5 : B + B Αντίστοιχο D μoντέλο μπορεί να οριστεί και για τη συνδεσμολογία κοινής βάσης. Ι = β D.I B Για το A, μπορεί να χρησιμοποιηθεί ένα από τα δύο (ισοδύναμα) μοντέλα («Π» και «Τ») που ακολουθούν. Στα μοντέλα αυτά, r e είναι η A αντίσταση (σώματος) της διόδου ΒΕ (αντίσταση σώματος εκπομπού). Για την αντίσταση αυτή, ισχύει ότι r e = be e 5m (6) I 5 Συνήθως, στα ισοδύναμα D κυκλώματα, το τρανζίστορ απεικονίζεται αυτούσιο, επειδή η χρήση D μοντέλων δεν διευκολύνει ιδιαίτερα την επίλυση των D κυκλωμάτων. 6 O τύπος ισχύει για θερμοκρασία δωματίου. Σε άλλες θερμοκρασίες, ο αριθμητής του κλάσματος μπορεί να έχει διαφορετική τιμή. Το σύμβολο ( ) δηλώνει ότι η r e είναι εσωτερική παράμετρος του τρανζίστορ. Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).5

6 Τα παρακάτω μοντέλα Π και Τ ισχύουν για τις συνδεσμολογίες κοινού εκπομπού και κοινού συλλέκτη. B b Μοντέλο Π (συνδεσμολογία και ) Μοντέλο Τ (συνδεσμολογία και ) c = β ac. b be = b.(β ac.r e ) z n,base = be / b = β ac.r e β ac.r e c = β ac. b B e b be = e.r e = (β ac. b ).r e z n,base = be / b = β ac.r e r' e e Το παρακάτω μοντέλο Π ισχύει για τη συνδεσμολογία κοινής βάσης. Ε Μοντέλο Π (συνδεσμολογία B) e eb = e.r e z n,base = eb / e = r e r e c = β ac. b b Β Αν, π.χ., στο μοντέλο Π για τον κοινό εκπομπό (), συνδεθεί μια εξωτερική αντίσταση στο συλλέκτη, τότε Α,transstor = out n = ce = c be ere' re' Δηλαδή, το τρανζίστορ (αυτό καθεαυτό) μπορεί να δημιουργήσει κέρδος (Α,transstor ) μέσω της αντίστασης σώματος r e (που εφαρμόζεται στην είσοδο και είναι σχετικά μικρή) και της εξωτερικής αντίστασης (που εφαρμόζεται στην έξοδο και είναι σχετικά μεγάλη). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).6

7 Ανάλυση κυκλωμάτων που περιέχουν τρανζίστορ Η ανάλυση κυκλωμάτων που περιέχουν τρανζίστορ στηρίζεται στην αρχή της υπέρθεσης. Δεδομένου ότι στην είσοδο των κυκλωμάτων εμφανίζονται σήματα της μορφής n,total (t) = D + n (t) (όπου D η D συνιστώσα και n (t) η A συνιστώσα της τάσης), το εκάστοτε κύκλωμα μπορεί να θεωρηθεί ότι προκύπτει από την υπέρθεση («άθροιση») ενός κυκλώματος που περιέχει μόνο τις D πηγές (D ισοδύναμο κύκλωμα) και ενός κυκλώματος που περιέχει μόνο τις Α πηγές (Α ισοδύναμο κύκλωμα). Το D ισοδύναμο κύκλωμα προκύπτει ως εξής: Οι πυκνωτές θεωρούνται ανοικτο-κυκλώματα και αποκόπτουν τα αντίστοιχα τμήματα του κυκλώματος). Για το ίδιο το τρανζίστορ, μπορεί να χρησιμοποιηθεί το D ισοδύναμο, όμως στα περισσότερα κυκλώματα μπορεί, απλώς, να θεωρηθεί ότι υπάρχει μια πτώση τάσης 0,7 (0, για τρανζίστορ Ge) από τη βάση Β προς τον εκπομπό Ε ( B 0,7 η προσέγγιση). Επισημαίνεται ότι το D ισοδύναμο κύκλωμα φανερώνει και την τεχνική πόλωσης που χρησιμοποιείται για το (τα) τρανζίστορ (π.χ. πόλωσης βάσης ή εκπομπού). Το A ισοδύναμο κύκλωμα προκύπτει ως εξής: 7,8 Οι πυκνωτές (που χρησιμοποιούνται είτε ως πυκνωτές σύζευξης, για την αποκοπή D τάσεων, είτε ως πυκνωτές παράκαμψης, για την παράκαμψη συγκεκριμένων ωμικών αντιστάσεων θεωρούνται βραχυκυκλώματα 9. Οι πηγές τροφοδοσίας (D) γειώνονται (μηδενίζονται). Για το ίδιο το τρανζίστορ μπορούν να χρησιμοποιηθούν: Είτε το ισοδύναμο (πρότυπο) τύπου Π (που είναι και το ευρύτερα χρησιμοποιούμενο). 7 Η A ανάλυση του κεφαλαίου προϋποθέτει λειτουργία «μικρού σήματος» (το σήμα, δηλαδή η τάση Α, δεν πρέπει να υπερβαίνει το 0% της τάσης D). 8 Στην A ανάλυση, στους συμβολισμούς των διαφόρων μεγεθών (τάσεις, ρεύματα, αντιστάσεις) χρησιμοποιούνται πεζά (μικρά) γράμματα σε αντίθεση με τη D ανάλυση που χρησιμοποιούνται ΚΕΦΑΛΑΙΑ. Έτσι, π.χ. b δηλώνει την A συνιστώσα και Ι Β τη D συνιστώσα του ρεύματος βάσης. Για τη συνολική (D+A) τιμή της εκάστοτε παραμέτρου, χρησιμοποιούνται πεζά (μικρά) γράμματα και ο δείκτης total (π.χ. B,total = I B + b ). 9 Στην πράξη ο πυκνωτής μπορεί να θεωρηθεί βραχυκυκλωμένος όταν η αντίστασή του στο A είναι (για οποιαδήποτε συχνότητα λειτουργίας) πολύ μικρότερη των αντίστοιχων ωμικών αντιστάσεων. Με άλλα λόγια, πρέπει να ισχύει ότι Ζ < 0, όπου f mn η χαμηλότερη πf mn συχνότητα που μπορεί να περιέχει η πηγή A (η προϋπόθεση αυτή ικανοποιείται στα περισσότερα κυκλώματα). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).7

8 Είτε το ισοδύναμο (πρότυπο) τύπου Τ (χρησιμοποιείται κυρίως στην ανάλυση διαφορικών ενισχυτών). Σχόλια για τα κυκλωματικά μοντέλα του τρανζίστορ Η ανάπτυξη κυκλωματικών μοντέλων για το τρανζίστορ λαμβάνει υπόψη τη δομή του ενώ, όπου είναι δυνατόν, χρησιμοποιεί κατάλληλες προσεγγίσεις προκειμένου το εκάστοτε μοντέλο να είναι, κατά το δυνατόν, απλό. max Τα μοντέλα «Π» και «Τ» ισχύουν για μικρά σήματα εισόδου ( D n (t) < 0,) και για συχνότητες μέχρι την τάξη του ΜΗz. Σε υψηλότερες συχνότητες, οι εσωτερικές χωρητικότητες του τρανζίστορ δημιουργούν αγώγιμους δρόμους με αποτέλεσμα να μειώνεται η ακρίβεια των υπόψη μοντέλων. Σε ένα «επαυξημένο» μοντέλο «Π», μπορεί να συμπεριληφθεί η ωμική αντίσταση της βάσης r b σε σειρά με την β ac r e καθώς και η εσωτερική αντίσταση r c της πηγής ρεύματος c (παράλληλα με την πηγή). Δεδομένου ότι r b << β ac r e ενώ η r c είναι πολύ μεγάλη (> 00 kω), οι δύο αντιστάσεις συνήθως αμελούνται. Εκτός των παραπάνω μοντέλων, μπορεί να χρησιμοποιηθεί και το λεγόμενο «υβριδικό πρότυπο» του τρανζίστορ. Το πρότυπο αυτό στηρίζεται στη θεωρία των δίθυρων κυκλωμάτων και χρησιμοποιείται ευρέως λόγω της ευκολίας μέτρησης των υβριδικών παραμέτρων (h, h r, h f, h o ) ή/και υπολογισμού ους από τις χαρακτηριστικές του τρανζίστορ. Το υβριδικό μοντέλο για τη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού () φαίνεται αμέσως παρακάτω: B h b c = h f. b ~ h r. c /h o b = h e b + h re c c = h fe b + h oe c Στο παραπάνω μοντέλο, οι τιμές των υβριδικών παραμέτρων είναι τέτοιες ώστε να ισχύει ότι h re c << h e b και h oe c << h fe b, άρα τα στοιχεία h re c και /h o μπορούν, χάριν Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).8

9 απλοποίησης, να παραλειφθούν. Στην περίπτωση αυτή, το υβριδικό μοντέλο μεταπίπτει στο μοντέλο «Π» (με h fe c / b = β ac και h e b / b = β ac r e ) 0. Αντίστοιχα υβριδικά μοντέλα ισχύουν και για τις συνδεσμολογίες κοινού συλλέκτη () και κοινής βάσης (B). Τα μοντέλα «Π» και «Τ» καθώς και το υβριδικό μοντέλο παρουσιάζουν ικανοποιητική ακρίβεια στις χαμηλές συχνότητες (πρακτικά, για f < MHz) και για λειτουργία μικρού σήματος. Σε υψηλότερες συχνότητες, χρησιμοποιούνται πιο περίπλοκα μοντέλα με πρόσθετα στοιχεία (π.χ. ενδοχωρητικότητες) τα οποία, στις υψηλές συχνότητες, καθίστανται σημαντικά. Παραπομπές Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητες 6.7, (και λυμένα παραδείγματα) Α.P. Malno, Βασική Ηλεκτρονική, ενότητες (και λυμένα παραδείγματα) 0 Ο δείκτης e στις υβριδικές είναι δηλωτικός της συνδεσμολογίας κοινού εκπομπού (). Για τις συνδεσμολογίες αυτές χρησιμοποιούνται οι δείκτες c (συνδεσμολογία κοινού συλλέκτη, ) και b (συνδεσμολογία κοινής βάσης, Β). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).9

10 .. Συνδεσμολογία κοινού εκπομπού ()... Γενικά Στη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού (): Η βάση (Β) αποτελεί τον πόλο εισόδου. Ο συλλέκτης () αποτελεί τον πόλο εξόδου. Ο εκπομπός (Ε) γειώνεται (απευθείας ή μέσω αντίστασης). Η συνδεσμολογία εμφανίζεται, μεταξύ άλλων, στις παρακάτω μορφές (ανάλογα με τον τρόπο πόλωσης των επαφών). Συνδεσμολογία με (άμεση) πόλωση βάσης. H συγκεκριμένη μορφή προβλέπει σταθερό ρεύμα βάσης I B. Συνδεσμολογία με πόλωση εκπομπού. H συγκεκριμένη μορφή προβλέπει σταθερό ρεύμα εκπομπού I Ε και επιτυγχάνεται με την προσθήκη αντίστασης στον εκπομπό. Βελτιωμένη μορφή της συγκεκριμένης πόλωσης αποτελεί η συνδεσμολογία με πόλωση διαιρέτη τάσης (πιθανώς και με πρόσθετη αντίσταση εκπομπού r ). Όπως θα φανεί και παρακάτω: Η πόλωση βάσης χρησιμοποιείται, κυρίως, για λειτουργία ΟΝ-ΟFF (σε ψηφιακά κυκλώματα) και σχεδόν ποτέ σε ενισχυτικά κυκλώματα Η πόλωση εκπομπού χρησιμοποιείται, κυρίως, για ενίσχυση τάσης ή/και ρεύματος (σε αναλογικά κυκλώματα). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).0

11 ... Συνδεσμολογία κοινού εκπομπού () με πόλωση βάσης B BB Ανάλυση D Ευθεία φορτίου D Εξίσωση ευθείας φορτίου: = I. I = Κόρος (,sat 0): I,sat,sat Αποκοπή (Ι Β 0 Ι 0):,cut Δεδομένου ότι, όπως εξηγείται παρακάτω, η συγκεκριμένη τεχνική πόλωσης δεν χρησιμοποιείται σε ενισχυτικά κυκλώματα, απεικονίζεται μόνο το D τμήμα του κυκλώματος. Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).

12 Τα σημεία τομής (Q) της ευθείας φορτίου με τις χαρακτηριστικές του τρανζίστορ αποτελούν τα πιθανά σημεία λειτουργίας 3. I Περιοχή κόρου I,sat = ( -,sat ) / / Ενεργός περιοχή I B I B = 0 Περιοχή αποκοπής,cut Υπολογισμοί BB I Β B B BB 0, 7 B I = β dc I B I Ε = 0 = I = = P = I Ανάλυση A Η συγκεκριμένη συνδεσμολογία ( με πόλωση βάσης) λόγω της σχέσης I = β dc I B, δεν μπορεί να εγγυηθεί σταθερό σημείο λειτουργίας (ανεξάρτητο από τις μεταβολές του κέρδους β dc h F του τρανζίστορ) και, για το λόγο αυτόν, δεν χρησιμοποιείται σε κυκλώματα ενισχυτών (οπότε δεν έχει και ιδιαίτερο νόημα η εφαρμογή ανάλυσης A) 4. Η βασική χρήση του κυκλώματος με πόλωση βάσης είναι σε ψηφιακές διατάξεις όπου το κύκλωμα μετάγεται μεταξύ κόρου και αποκοπής (λειτουργία ΟΝ-ΟFF). Στη συνδεσμολογία με πόλωση βάσης, η μεταγωγική λειτουργία (κόρος αποκοπή) μπορεί να εξασφαλιστεί με την επιλογή κατάλληλων αντιστάσεων B και. Για παράδειγμα, όταν οι δύο τάσεις τροφοδοσίας είναι ίσες, ο κόρος εξασφαλίζεται αν B Το σημείο λειτουργίας (Q) αναφέρεται και ως «σημείο ηρεμίας» (ιδιαίτερα κατά τη λειτουργία στο A). 4 Για δεδομένο τύπο τρανζίστορ, το κέρδος ρεύματος β dc μπορεί να παρουσιάζει απόκλιση της τάξης του :6 (β dc 50 έως 300). 5 Η επιλογή αντιστάσεων έτσι ώστε B 0 χαρακτηρίζεται ως κατάσταση «σκληρού κόρου» ( hard saturaton ). Σε μια τέτοια κατάσταση, η σχετικά μικρή τιμή της B έχει ως Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).

13 Παραπομπές Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητες (και λυμένα παραδείγματα)..3. Συνδεσμολογία κοινού εκπομπού () με πόλωση εκπομπού 6 BB Ε Στα κυκλώματα με πόλωση εκπομπού, η προσθήκη της αντίστασης σταθεροποιεί το ρεύμα εκπομπού Ι Ε (πόλωση εκπομπού) και καθιστά το σημείο λειτουργίας του τρανζίστορ πρακτικά ανεξάρτητο από τις μεταβολές του κέρδους β dc h F του τρανζίστορ 7,8. Για το λόγο αυτόν, τα σχετικά κυκλώματα προσφέρονται για την υλοποίηση ενισχυτών. Ανάλυση D = ΒΒ B BB 0,7 BB 0,7 I Ε = I = I αποτέλεσμα τη δημιουργία σχετικά μεγάλου ρεύματος βάσης Ι Β που οδηγεί το τρανζίστορ στον κόρο. 6 Δεδομένου ότι, όπως εξηγείται παρακάτω, το συγκεκριμένο κύκλωμα (αν και κατάλληλο για χρήση σε ενισχυτικές διατάξεις), σπάνια χρησιμοποιείται στην παρούσα μορφή, απεικονίζεται μόνο το D τμήμα του κυκλώματος. 7 Το συγκεκριμένο κύκλωμα χαρακτηρίζεται και ως συνδεσμολογία κοινού εκπομπού () με ανάδραση από τον εκπομπό. Βασικό μειονέκτημα του κυκλώματος είναι ότι, επειδή η δεν μπορεί να είναι υπερβολικα μεγάλη, το ρεύμα I (άρα και το I ) φέρνουν το τρανζίστορ κοντά στην αποκοπή. 8 Δεδομένου ότι μια βασική αιτία για τις μεταβολές του κέρδους β (D ή Α) του τρανζίστορ είναι οι μεταβολές θερμοκρασίας, η σταθεροποίηση του κέρδους πολλές φορές αναφέρεται ως «θερμική σταθεροποίηση» του τρανζίστορ. Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).3

14 = = I Ι Ε I ( + Ε ) P = I Μια φυσική εξήγηση της σταθεροποίησης του σημείου λειτουργίας είναι η παρακάτω: Αύξηση του Ι Β προκαλεί αύξηση των Ι (=β.ι Β ) και του Ι Ε, άρα αύξηση της = I άρα αύξηση της B και συνεπώς μείωση του Ι Β = ( BB B )/ B. Δηλαδή, η ύπαρξη της παρέχει ένα μηχανισμό αρνητικής ανάδρασης ο οποίος, σε περίπτωση αύξησης του Ι Β, το επαναφέρει στην αρχική του τιμή. Ανάλυση Α Επειδή για λόγους οικονομίας αποφεύγεται η χρήση δύο () εξωτερικών πηγών τροφοδοσίας, το κύκλωμα αυτό σπάνια χρησιμοποιείται (ως έχει) σε διατάξεις ενισχυτών. Αντ αυτού, χρησιμοποιείται μια βελτιωμένη έκδοση συνδεσμολογίας με πόλωση εκπομπού που χρησιμοποιεί διαιρέτη τάσης για την τροφοδοσία της βάσης (βλέπε αμέσως επόμενες ενότητες). Παραπομπές Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητα 7. (και λυμένα παραδείγματα)..4. Συνδεσμολογία κοινού εκπομπού () με πόλωση διαιρέτη τάσης 9 G n (t) g (t) ~ out (t) 3 Η πόλωση με διαιρέτη τάσης χρησιμοποιεί μία μόνο εξωτερική πηγή τροφοδοσίας (την ) η οποία τροφοδοτεί απευθείας το συλλέκτη ενώ ταυτόχρονα εξασφαλίζει την τροφοδοσία της βάσης μέσω διαιρέτη τάσης. 9 Η συγκεκριμένη τεχνική πόλωσης μπορεί να εκληφθεί ως μια βελτίωση της (αρχικής) πόλωσης εκπομπού (υπό την έννοια ότι χρησιμοποιεί μία πηγή συνεχούς τάσης αντί για δύο). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).4

15 Ανάλυση D G g (t) ~ 3 Υπολογισμοί Με χρήση του θεωρήματος Theenn (και με την παραδοχές ότι B = 0 και Ι Β 0), προκύπτει ότι στη βάση (Β) εφαρμόζεται (ισοδύναμη) τάση τροφοδοσίας BB = B. ΒΒ = B TH = B B = B 0,7 I = // β dc I I = I = = I Ι Ε I ( + Ε ) Η παραπάνω εξίσωση I = // β dc για το ρεύμα εκπομπού αναδεικνύει τη σκοπιμότητα χρήσης της αντίστασης. Πράγματι, αν δεν υπήρχε η (και μάλιστα με // τιμή τέτοια, ώστε >> ), το I θα δίνονταν από εξίσωση της μορφής I = β dc Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).5

16 ( // ) β dc και η τιμή του θα εξαρτιόταν άμεσα από το κέρδος β dc h F (με αποτέλεσμα την αστάθεια του σημείου λειτουργίας). Ευθεία φορτίου D Εξίσωση ευθείας: = I.( + ) I = Κόρος (,sat 0): I,sat Αποκοπή (Ι 0):,cut,sat I I,sat = (,sat ) /( + ) /( + ) Περιοχή κόρου Ενεργός ή I B I B = 0 Περιοχή αποκοπής,cut Ανάλυση A 0, G n (t) b g (t) ~ // β ac.r e β ac. b // out (t) z n,stage Αντίσταση (A) διόδου Β-Ε: z n,base r e 5m I 0 Λόγω του ότι η G είναι συνήθως μικρή ( G << z n,stage ) πολλές φορές αμελείται, οπότε g (t) = n (t) το δε σύμβολο n (t) προσδιορίζει ευθύς εξαρχής την τάση της πηγής. Η αντίσταση // συμβολίζεται είτε με r («Βασική Ηλεκτρονική») είτε με r («Ηλεκτρονική»). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).6

17 Τάση εισόδου: n = g G z n,stage z n,stage = b.β ac r e Αντίσταση εισόδου από τη βάση: z n,base = n = βac.r e Αντίσταση εισόδου συνολική: z n,stage = ( // ) // z n,base = ( // ) // (β ac.r e ) b Τάση εξόδου: out = c.( // ) = β ac. b.( // ) Κέρδος τάσης: Α = Αντίσταση εξόδου: z out = out n // r e ' Μια φυσική εξήγηση του αρνητικού προσήμου του κέρδους (που δηλώνει αναστροφή φάσης μεταξύ των σημάτων εισόδου και εξόδου) είναι η εξής: Αύξηση του n προκαλεί αύξηση του b, άρα αύξηση του c =β. b και της πτώσης τάσης κατά μήκος της και συνεπώς μείωση της τάσης out = ce. Η εξάρτηση του κέρδους τάσης Α από την αντίσταση σώματος εκπομπού r e συνιστά μειονέκτημα, αφού οι διακυμάνσεις στην τιμή της εν λόγω αντίστασης προκαλούν διακυμάνσεις και στην τιμή του Α. Για το λόγο αυτόν, στον εκπομπό Ε, εκτός από την αντίσταση (που, στο A, βραχυκυκλώνεται από το πυκνωτή παράκαμψης) συνδέεται μια επιπλέον αντίσταση r (αντίσταση εξουδετέρωσης) η οποία δεν βραχυκυκλώνεται και παραμένει παρούσα τόσο στο D όσο και στο A (βλ. αμέσως παρακάτω). Τοποθέτηση του σημείου Q στο μέσο της γραμμής φορτίου D Για λειτουργία μικρού σήματος (χρήση ποσοστού <0% της γραμμής φορτίου), η τοποθέτηση του σημείου ηρεμίας Q στο μέσο της γραμμής φορτίου D, συνιστά μια καλή πρακτική για την αποφυγή της αποκοπής και του κόρου και τη διασφάλιση της γραμμικής λειτουργίας του ενισχυτικού κυκλώματος. Σημείο Q:,Q = = 0,5. και I,Q = I,sat ( I ) Επιλέγεται: Ε = 0,. (άρα c =,Q = 0,4. ) Συνεπώς: Ε = I c =,Q = 0,5. 0,. = 0,4. = 4 Το θέμα αναλύεται πληρέστερα στο κεφάλαιο 4. Επισημαίνεται ότι για λειτουργία ισχύος (χρήση του 00% της γραμμής φορτίου βλ. κεφάλαιο 4) επιδιώκεται η τοποθέτηση του σημείου ηρεμίας Q στο μέσο της γραμμής φορτίου A. Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).7

18 B = + 0,7 = I B I β D I, 0.I B =, Παραπομπές Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητες , (και λυμένα παραδείγματα) Α.P. Malno, Βασική Ηλεκτρονική, ενότητες (και λυμένα παραδείγματα)..5. Συνδεσμολογία κοινού εκπομπού () με διαιρέτη τάσης και αντίσταση εξουδετέρωσης r 3 G n (t) g (t) ~ r out (t) 3 Ανάλυση D Υπολογισμοί (παρόμοιοι με παραπάνω) ΒΒ TH = = B B B = B 0,7 3 Ο χαρακτηρισμός της r ως αντίστασης εξουδετέρωσης οφείλεται στο γεγονός ότι η r καθιστά το κέρδος A λιγότερο ευαίσθητο στις μεταβολές της αντίστασης σώματος εκπομπού r e (ουσιαστικά, «εξουδετερώνει» την επίδραση των διακυμάνσεων τη r e στην τιμή του κέρδους Α ). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).8

19 I = r // β dc I I = I = = I Ι Ε I ( + Ε ) Ευθεία φορτίου D Εξίσωση ευθείας: = I.( + +r ) I = Κόρος (,sat 0): I,sat Αποκοπή (Ι 0):,cut,sat r r Ανάλυση A G n (t) b β ac.r e c = β ac. b g (t) ~ // // out (t) z n,stage z n,base e r Αντίσταση (A) διόδου Β-Ε: 5m r e I Τάση εισόδου: z n = g z Αντίσταση εισόδου από τη βάση: z n,base = G n,stage n,stage.β.r n = b ac e b b = b.β ac r e e.r = β ac.(r e + r ) Αντίσταση εισόδου συνολική: z n,stage = ( // ) // z n,base = ( // ) // β ac.(r e + r ) Τάση εξόδου: out = c.( // ) = β ac. b.( // ) Κέρδος τάσης: Α = out n // r ' r e Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).9

20 Αντίσταση εξόδου: z out = // H σχέση Α = καταδεικνύει το γεγονός ότι η παρουσία της αντίστασης re ' r εξουδετέρωσης r μειώνει μεν την τιμή του κέρδους Α όμως την καθιστά λιγότερο ευαίσθητη στις μεταβολές της r e (ιδιαίτερα αν r >> r e ). Μια φυσική εξήγηση της σταθεροποίησης του κέρδους είναι η εξής: Σε περίπτωση αύξησης του ρεύματος εξόδου c, αυξάνει το e, άρα (λόγω της αντίστασης r ) αυξάνει και η A τάση του εκπομπού e. Όμως, δεδομένου ότι be = n e, αύξηση της e μειώνει την τάση be (= b β ac r e ), άρα το ρεύμα b, και, συνεπώς, το ρεύμα c (=β ac b ). Δηλαδή η παρουσία της r δημιουργεί ένα μηχανισμό ανάδρασης που «εξουδετερώνει» τυχόν αυξήσεις του ρεύματος εξόδου c (με αποτέλεσμα τη σταθεροποίηση του κέρδους A ). Παραπομπές Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητα 8. (και λυμένα παραδείγματα) Α.P. Malno, Βασική Ηλεκτρονική, ενότητα 6.4 (και λυμένα παραδείγματα)..6. Συνδεσμολογία κοινού εκπομπού () με διαιρέτη τάσης δύο ενισχυτικές βαθμίδες σε σειρά (με σύζευξη πυκνωτή) n (t) ~ out (t) Ε Ε Ανάλυση D Υπολογισμοί Δεδομένου ότι, στο D, ο πυκνωτής αποτελεί ανοικτoκύκλωμα, η κάθε βαθμίδα αναλύεται ξεχωριστά (κατά τα γνωστά) Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).0

21 ΒΒ TH = = B B B = B 0,7 I = // β I I dc = I = Ευθεία φορτίου D Εξίσωση ευθείας: = I.( + ) I = Κόρος (,sat 0): I,sat Αποκοπή (Ι 0):,cut,sat Ανάλυση A Στις σχέσεις που ακολουθούν, η χρήση των, και, στους δείκτες δηλώνει ότι η συγκεκριμένη παράμετρος αφορά την η ή τη η βαθμίδα. Προφανώς, n, n (η είσοδος της ης βαθμίδας είναι η είσοδος του συνολικού κυκλώματος) και out, out (η έξοδος της ης βαθμίδας είναι η έξοδος του συνολικού κυκλώματος). Υπόψη ότι οι δύο βαθμίδες είναι, συνήθως, όμοιες. Η η βαθμίδα αναλύεται κατά τα γνωστά: r e, 5m / I, z n,base, = β ac,.(r e, + r, ) z n,stage, = (, //, ) // z n,base, = (, //, ) // β ac,.(r e, + r, ) n, = b,.β ac,.(r e, + r, ) out, out = c,.(, //, ) = β ac,. b,.(, //, ) Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).

22 Α = out n, r ', e, // r,,, r //,, Κατά την ανάλυση της ης βαθμίδας θα πρέπει να ληφθεί υπόψη ότι στο φορτίο της βαθμίδας αυτής «συμμετέχει» και η η βαθμίδα. Συγκεκριμένα, το φορτίο r, της ης βαθμίδας είναι η, εν παραλλήλω με την αντίσταση εισόδου z n, της ης βαθμίδας. r, =, // z n,stage, =, // (, //, ) // β ac,.(r e, + r, ) Α = out n, r ' r e,, r, r r,, Το συνολικό κύκλωμα έχει κέρδος Α = Α.Α Παραπομπές Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητες 9.9. (και λυμένα παραδείγματα) Α.P. Malno, Βασική Ηλεκτρονική, ενότητα 6.5 (και λυμένα παραδείγματα)..7. Άλλα κυκλώματα κοινού εκπομπού () Αν και τα ενισχυτικά κυκλώματα κοινού εκπομπού, συνήθως, χρησιμοποιούν την πόλωση με διαιρέτη τάσης (βλ. παραπάνω ενότητες..4..6), υπάρχουν υλοποιήσεις που προβλέπουν εναλλακτικές τεχνικές πόλωσης, όπως πόλωση με ανάδραση από τον εκπομπό, πόλωση με ανάδραση από το συλλέκτη, πόλωση με ανάδραση και από τον εκπομπό και από το συλλέκτη ή ακόμη και χρήση πρόσθετης πηγής τροφοδοσίας στον εκπομπό (κύκλωμα με διπλή τροφοδοσία TSB) Γενικά σχόλια για τη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού () Στο ισοδύναμο κύκλωμα A, αμελούνται, σκόπιμα, δύο () αντιστάσεις, μία στο τμήμα εισόδου (αντίσταση βάσης r b σε σειρά με την β ac.r e ) και μία στο τμήμα εξόδου (η εσωτερική αντίσταση r c της πηγής, παράλληλη με, ). Η απλοποίηση αυτή του ισοδύναμου κυκλώματος είναι θεμιτή λόγω του ότι r Β << β ac.r e (οπότε r b + β ac.r e β ac.r e ) και r c >> // (οπότε r c //( // ) // ). 4 Υπενθυμίζεται ότι η πόλωση βάσης δεν χρησιμοποιείται σε ενισχυτικά κυκλώματα, λόγω της αστάθειας του σημείου ηρεμίας Q (βλ. ενότητα..). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).

23 Για μια ακριβέστερη ανάλυση των παραπάνω ενισχυτών θα μπορούσε να χρησιμοποιηθεί το υβριδικό μοντέλο του τρανζίστορ. Οι εκφράσεις για τα Α, A, z n, z out είναι περισσότερο πολύπλοκες, μεταπίπτουν όμως στις αντίστοιχες εκφράσεις που έχουν ήδη υπολογιστεί αν αγνοηθούν οι όροι με τις παραμέτρους h r και h o. Η αντίσταση r e υφίσταται σημαντικές διακυμάνσεις λόγω μεταβολών στο Ι Ε και τη θερμοκρασία (η σχέση r e 5m/I ισχύει για θερμοκρασία δωματίου). Οι μεταβολές στο Ι αντιμετωπίζονται με την προσθήκη αντίστασης (και μάλιστα με τιμή τέτοια // ώστε >> ), παρ όλα αυτά το κέρδος Α παραμένει εκτεθειμένο στις μεταβολές βdc της r // e αφού Α =. Για το λόγο αυτόν, προστίθεται η αντίσταση εξουδετέρωσης r ' e r (σε σειρά με την αλλά χωρίς να βραχυκυκλώνεται από πυκνωτή παράκαμψης) // επιειδή, λόγω της r, το κέρδος γίνεται Α = οπότε, δεδομένου ότι r >>r e, το r ' r κέρδος μειώνεται μεν, αλλά ανεξαρτητοποιείται από τις μεταβολές της r e. // // Στη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού (), Α = ή Α = και z out = re ' re ' r. Αυτό σημαίνει ότι μείωση της αντίστασης εξόδου z out συνοδεύεται από ταυτόχρονη μείωση του κέρδους Α. Για το λόγο αυτόν, ο ενισχυτής κοινού εκπομπού δεν είναι κατάλληλος για τροφοδότηση μικρών αντιστάσεων φορτίου. (Προκειμένου το φορτίο να τροφοδοτείται με το μεγαλύτερο μέρος της τάσης εξόδου out, θα πρέπει z out << ). e Παραπομπές Α.P. Malno, Βασική Ηλεκτρονική, ενότητα. Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).3

24 .3. Συνδεσμολογία κοινού συλλέκτη ().3.. Γενικά Στη συνδεσμολογία κοινού συλλέκτη (): Η βάση (Β) αποτελεί τον πόλο εισόδου. Ο εκπομπός (Ε) αποτελεί τον πόλο εξόδου. Ο συλλέκτης () γειώνεται. Όπως θα φανεί και παρακάτω, η συνδεσμολογία χρησιμοποιείται κυρίως για ενίσχυση ρεύματος (ή ενίσχυση ισχύος). Σημειωτέον ότι η συγκεκριμένη συνδεσμολογία δεν ενισχύει την τάση εισόδου (Α out / n ). G n (t) g (t) ~ out (t).3.. Ανάλυση ενισχυτή κοινού συλλέκτη () Ανάλυση D G g (t) ~ Υπολογισμοί Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).4

25 ΒΒ TH = = B B B = B 0,7 I = // β dc I I Ευθεία φορτίου D Εξίσωση ευθείας: = I.( + ) I = Κόρος (,sat 0): I,sat Αποκοπή (Ι 0):,cut,sat Ανάλυση A 5,6 G n (t) b g (t) ~ // β ac.r e c = β ac. b z n,stage z n,base // e out (t) Αντίσταση (A) διόδου Β-Ε: r e 5m I 5 Λόγω του ότι η G είναι συνήθως μικρή ( G << z n,stage ) πολλές φορές αμελείται, οπότε g (t) = n (t) το δε σύμβολο n (t) προσδιορίζει ευθύς εξαρχής την τάση της πηγής. 6 Η αντίσταση // συμβολίζεται είτε με r («Βασική Ηλεκτρονική») είτε με r e («Ηλεκτρονική»). Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).5

26 Τάση εισόδου: n = b.β ac r e + e.( Ε // ) b.β ac r e + b.β ac.( Ε // ) = e.(r e + Ε // ) (αφού b.β ac e ) n e (re ' // ) Αντίσταση εισόδου από τη βάση: z n,base = β ac.( Ε // + r e ) β ac.( Ε // ) b b Αντίσταση εισόδου συνολική: z n,stage = ( // ) // z n,base = ( // ) // β ac.( Ε // + r e ) Τάση εξόδου: out = e.( Ε // ) β ac. b.( Ε // ) Με βάση τα παραπάνω προκύπτουν: out // Ενίσχυση τάσης: Α = n // re ' e Ενίσχυση ρεύματος: A = β ac Ενίσχυση ισχύος: A p = p A p = p out n out n.(.z // n,base b p p out n ) b Αντίσταση εξόδου: z out = // [r e + out n.β ac out n e out n out n = A.A β ac.( // ) β ac.( // ) ( // r ') β ( // r ') G // β ac // e ] ac e β ac //. β ac // r ' e Τοποθέτηση του σημείου Q στο μέσο της γραμμής φορτίου D Για λειτουργία μικρού σήματος (χρήση ποσοστού <0% της γραμμής φορτίου), η τοποθέτηση του σημείου ηρεμίας Q στο μέσο της γραμμής φορτίου D, συνιστά μια καλή πρακτική για την αποφυγή της αποκοπής και του κόρου και τη διασφάλιση της γραμμικής λειτουργίας του ενισχυτικού κυκλώματος 7. Σημείο Q:,Q = I,sat = 0,5. και I,Q = I Ισχύει: Ε = 0,5. Συνεπώς: Ε = I B = + 0,7 = I B I β D, 7 Το θέμα αναλύεται πληρέστερα στο κεφάλαιο 4. Επισημαίνεται ότι για λειτουργία ισχύος (χρήση του 00% της γραμμής φορτίου βλ. κεφάλαιο 4) επιδιώκεται η τοποθέτηση του σημείου ηρεμίας Q στο μέσο της γραμμής φορτίου A. Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).6

27 Παραπομπές I, 0.I B = Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητες 9.3 (και λυμένα παραδείγματα) Α.P. Malno, Βασική Ηλεκτρονική, ενότητες (και λυμένα παραδείγματα).3.3. Ζεύγος Darlngton Ρεύμα εκπομπού: Ι Ε = B Αντίσταση φορτίου: r = Ε // B Αντίσταση εισόδου από τη βάση: z n,base, = β ac,.(r + r e ) β ac,.r Αντίσταση εισόδου από τη βάση: z n,base, = β ac,.(z n,base, + r e ) β ac,.z n,base, β ac,.β ac,.r Αντίσταση εισόδου συνολική: z n,stage = ( // ) // z n,base = ( // ) // β ac.(r + r e ) Ενίσχυση ρεύματος: Ενίσχυση ισχύος: A = Α.Α β ac,.β ac, A p = Α p.α p = A.β ac,.a β ac, β ac,.β ac, Παραπομπές Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητα 9.6 (και λυμένα παραδείγματα) Α.P. Malno, Βασική Ηλεκτρονική, ενότητα 7.7 (και λυμένα παραδείγματα).3.4. Γενικά σχόλια για τη συνδεσμολογία κοινού συλλέκτη () Στη συνδεσμολογία κοινού συλλέκτη (), A και z out = // [r e + Αυτό σημαίνει ότι είναι εφικτή η μείωση της αντίστασης εξόδου z out χωρίς να επηρεάζεται το κέρδος Α. Για το λόγο αυτόν, ο ενισχυτής είναι κατάλληλος για τροφοδότηση μικρών αντιστάσεων φορτίου. (Προκειμένου το φορτίο να τροφοδοτείται με το μεγαλύτερο μέρος της τάσης εξόδου out θα πρέπει z out << ). G // β ac // ]. Επειδή A, άρα η τάση εξόδου (δηλαδή η τάση στον εκπομπό) «ακολουθεί» την τάση εισόδου, το κύκλωμα κοινού συλλέκτη () χαρακτηρίζεται ως «ακόλουθος εκπομπού». Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).7

28 .4. Στοιχεία για το εργαστήριο Από τον κατασκευαστή, συνήθως παρέχονται τα εξής στοιχεία: Oι βασικοί περιορισμοί (maxmum ratngs) για τη λειτουργία του τρανζίστορ. Συνήθως δίνονται οι μέγιστες τάσεις μεταξύ επαφών με την τρίτη επαφή ανοικτή (π.χ. O, BO BO ), μέγιστες τιμές ισχύος 8 κλπ. Τα χαρακτηριστικά αποκοπής (OFF characterstcs) όπως οι τάσεις διάσπασης και τα ρεύματα αποκοπής των επαφών. Τα χαρακτηριστικά λειτουργίας (OΝ characterstcs) όπως οι ελάχιστες και μέγιστες τιμές του h F (λειτουργία σε D), οι τιμές του h fe (λειτουργία με μικρά σήματα A κλπ.). Τα χαρακτηριστικά μεταγωγής (swtchng characterstcs). Διάφορες γραφικές παραστάσεις. Πρόχειρος έλεγχος ενός τρανζίστορ μπορεί να γίνει: Με χρήση ωμομέτρου όταν το τρανζίστορ είναι εκτός κυκλώματος (μετρώνται οι αντιστάσεις μεταξύ των επαφών για ορθή και ανάστροφη πόλωση). Με χρήση βολτομέτρου όταν το τρανζίστορ είναι εντός κυκλώματος (μετρώνται αρχικά οι D και στη συνέχεια οι A τάσεις). Λεπτομερέστερος έλεγχος μπορεί να γίνει με χρήση ανιχνευτή καμπυλών (cure tracer) ή διάταξης δοκιμής (transstor tester). Αντιπροσωπευτικό τρανζίστορ: Ν3904 (npn) Παραπομπές Α.P. Malno, Ηλεκτρονική, ενότητες 6.8, 7.0, 8., 9.9. Α.P. Malno, Βασική Ηλεκτρονική, ενότητες 5.0, Τα συνήθη τρανζίστορ προορίζονται για μέγιστη καταναλισκόμενη ισχύ τα 0,5 W. Από την άλλη πλευρά τα τρανζίστορ ισχύος μπορούν να καταναλώσουν ισχείς μέχρι και W. Συνήθως τα τα τρανζίστορ αυτά συσκευάζονται σε μεταλλική θήκη που αφενός παρέχει την επαφή συλλέκτη και αφετέρου χρησιμεύει ως απαγωγός θερμότητας. Γερ. Κ. Παγιατάκης: Ηλεκτρονική (βασικά στοιχεία).8

ΑΣΠΑΙΤΕ / Τμήμα Εκπαιδευτικών Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Εκπαιδευτικών Ηλεκτρονικών Μηχανικών

ΑΣΠΑΙΤΕ / Τμήμα Εκπαιδευτικών Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Εκπαιδευτικών Ηλεκτρονικών Μηχανικών 4. ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ (ΜΕ ΔΙΠΟΛΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ) 4.. Βασικές έννοιες 4... Γραμμές φορτίου (D και A) Για κάθε ενισχυτή, ορίζονται δύο () γραμμές (ευθείες) φορτίου, η D και η A. Από αυτές, η D γραμμή προκύπτει

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS) 6. ΓΕΝΙΚΗ ΘΕΩΡΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 6.. Ενισχυτές ανοικτού βροχου (χωρίς ανάδραση) Ανεξάρτητα από την τάξη (Α, Β, C), το είδος της σύζευξης (R-C, με μετασχηματιστή, άμεση κλπ.), υπάρχουν (με κριτήριο τη χρήση

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS) 6. ΓΕΝΙΚΗ ΘΕΩΡΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 6.. Ενισχυτές ανοικτού βροχου (χωρίς ανάδραση) Ανεξάρτητα από την τάξη (Α, Β, C), το είδος της σύζευξης (R-C, με μετασχηματιστή, άμεση κλπ.), υπάρχουν (με κριτήριο τη χρήση

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE

Διαβάστε περισσότερα

4. ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ (ΜΕ ΔΙΠΟΛΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ) 1

4. ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ (ΜΕ ΔΙΠΟΛΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ) 1 4. ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ (ΜΕ ΔΙΠΟΛΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ) 4.. Βασικές έννοιες 4... Γραμμές φορτίου (D και A) Για κάθε ενισχυτή, ορίζονται δύο () γραμμές (ευθείες) φορτίου, η D και η A. Από αυτές, η D γραμμή προκύπτει

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn. Τρανζίστορ FT 3. Πόλωση των FT - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FT 5. Διπολικό τρανζίστορ (JT) 6. Πόλωση των JT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με

Διαβάστε περισσότερα

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Περιοχή φορτίων χώρου

Περιοχή φορτίων χώρου 1. ΔΙΟΔΟΙ (ΚΑΙ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ) 1.1. Γενικά Η δίοδος αποτελείται από έναν ημιαγωγό τύπου «p» (φορείς πλειονότητας: οπές) και έναν ημιαγωγό τύπου «n» (φορείς πλειονότητας: ηλεκτρόνια). Γύρω από την επαφή

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες 5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες 5. Περιοχή γραμμικής ενισχυτικής λειτουργίας του τρανζίστορ Στην προηγούμενη ενότητα μελετήσαμε την πόλωση του τρανζίστορ σε ένα σταθερό σημείο λειτουργίας,

Διαβάστε περισσότερα

Περιοχή φορτίων χώρου

Περιοχή φορτίων χώρου 1. ΔΙΟΔΟΙ 1.1. Γενικά Η δίοδος αποτελείται από έναν ημιαγωγό τύπου «p» (φορείς πλειονότητας: οπές) και έναν ημιαγωγό τύπου «n» (φορείς πλειονότητας: ηλεκτρόνια). Γύρω από την επαφή p-n, δημιουργείται μια

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

Περιοχή φορτίων χώρου

Περιοχή φορτίων χώρου 1. ΔΙΟΔΟΙ 1.1. Γενικά Η δίοδος αποτελείται από έναν ημιαγωγό τύπου «p» (φορείς πλειονότητας: οπές) και έναν ημιαγωγό τύπου «n» (φορείς πλειονότητας: ηλεκτρόνια). Γύρω από την επαφή p-n, δημιουργείται μια

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση BJT Η πόλωση τρανζίστορ όπως την έχετε γνωρίσει, υποφέρει από δύο βασικά μειονεκτήματα: Υπερβολική χρήση πηγών dc. Το γεγονός αυτό είναι ιδιαίτερα έντονο σε κυκλώματα πολυβάθμιων

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 6: Η A λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Το μοντέλο μικρού σήματος του τρανζίστορ. Οι παράμετροι μικρού

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Τάξη Α Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I οπου όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Ακόλουθος εκποµπού (CC) πολωµένος µε σταθερό ρεύµα Λόγω της χαµηλής αντίστασης εξόδου, ο ακόλουθος

Διαβάστε περισσότερα

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../. A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Το σημείο ηρεμίας επιλέγεται σε μία τιμή πάνω από την αποκοπή (διαφέρει ανάλογα με το τρανζίστορ). Άρα χρειάζεται και επιπλέον ρυθμιστική

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7: Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με

Διαβάστε περισσότερα

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ 1 4. Τρανζίστορ επαφής 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ Το τρανζίστορ είναι ένας ημιαγωγός με προσμίξεις, που περιέχεται μεταξύ δύο ημιαγωγών από το ίδιο υλικο, αλλά με αντίθετου τύπου προσμίξεις. Έχουμε

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές Λειτουργίες των TR

Βασικές Λειτουργίες των TR Βασικές Λειτουργίες των TR Το TR για να λειτουργήσει απαιτεί να εφαρµοστούν σε αυτό τάσεις δυναµικά για να κινηθούν µέσα σε αυτά τα αντίστοιχα ρεύµατα. Τα δυναµικά που µπορούν να εφαρµοστούν σε αυτό είναι:

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reatve ommons. Για εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές ΑΝΑΔΡΑΣΗ Στοιχεία Ταλάντωσης Ενισχυτής OUT Ταλαντωτής είναι ένα κύκλωμα που παράγει ηλεκτρικό σήμα σταθερής συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 2: Δίοδος pn Δρ Δημήτριος Λαμπάκης 1 Δίοδος pn Είναι μια μη γραμμική συσκευή Η γραφική παράσταση του ρεύματος σε σχέση με την τάση δεν είναι ευθεία γραμμή Η εξωτερική τάση

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

Για τη μοντελοποίηση των ταλαντωτών μπορεί να χρησιμοποιηθεί το παρακάτω δομικό διάγραμμα:

Για τη μοντελοποίηση των ταλαντωτών μπορεί να χρησιμοποιηθεί το παρακάτω δομικό διάγραμμα: 7. ΤAΛΑΝΤΩΤΕΣ 7.. Γενικά Οι ταλαντωτές είναι κυκλώματα που, στην έξοδό τους, εμφανίζουν κυματομορφές συγκεκριμένης συχνότητας f o. Οι ταλαντωτές περιλαμβάνουν έναν ενισχυτή και ένα κύκλωμα θετικής ανάδρασης

Διαβάστε περισσότερα

Το διπολικό τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ 2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών

Διαβάστε περισσότερα

Η μονάδα db χρησιμοποιείται για να εκφράσει λόγους (κλάσματα) ομοειδών μεγεθών, αντιστοιχεί δηλαδή σε καθαρούς αριθμούς.

Η μονάδα db χρησιμοποιείται για να εκφράσει λόγους (κλάσματα) ομοειδών μεγεθών, αντιστοιχεί δηλαδή σε καθαρούς αριθμούς. 0. ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ ΣΤΑΘΜΗΣ ΣΗΜΑΤΟΣ 0.. Γενικά Στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα, η μέτρηση στάθμης σήματος περιλαμβάνει, ουσιαστικά, τη μέτρηση της ισχύος ή της τάσης (ρεύματος) ενός σήματος σε διάφορα «κρίσιμα»

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β Οι ενισχυτές τάξης Α παρουσιάζουν χαµηλή απόδοση λόγω της µόνιµης κατανάλωσης V CE I C στο τρανζίστορ. Για να µειωθεί η κατανάλωση ισχύος σε ηρεµία (~

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Μεθοδολογία D ανάλυσης των κυκλωμάτων με διπολικά τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013 ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: Β 90 kω, C kω, Ε E kω, kω, V CC V, V B 0.70 V και Ι Β 0 μα. Επίσης, για τα δύο τρανζίστορ του ενισχυτή δίνονται: β h e h e 00 και h

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4 Εφόσον το τρανζίστορ ενός ενισχυτή κοινού εκπομπού πολωθεί με το σημείο Q να βρίσκεται κοντά στο μέσο της DC γραμμής φορτίου, μπορεί να συνδεθεί ένα μικρό ac σήμα στη βάση. Με αυτόν τον τρόπο, παράγεται

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ MM505 ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΗΧΑΝΕΣ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ Εργαστήριο ο - Θεωρητικό Μέρος Βασικές ηλεκτρικές μετρήσεις σε συνεχές και εναλλασσόμενο

Διαβάστε περισσότερα

6. Τελεστικοί ενισχυτές

6. Τελεστικοί ενισχυτές 6. Τελεστικοί ενισχυτές 6. Εισαγωγή Ο τελεστικός ενισχυτής (OP AMP) είναι ένας ενισχυτής με μεγάλη απολαβή στον οποίο προσαρτάται ανάδραση, ώστε να ελέγχεται η λειτουργία του. Χρησιμοποιείται για την πραγματοποίηση

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Βαθµίδες εξόδου Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Η τελική βαθµίδα εξόδου είναι αυτή που αποδίδει την ισχύ στο φορτίο

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ ΠΡΟΛΟΓΟΣ Το παρόν βιβλίο «Ηλεκτρονικά Κυκλώματα-Θεωρία και Ασκήσεις» αποτελεί μία διευθέτηση ύλης που προέρχεται από τον Α και Β τόμο του συγγράμματος «Γενική Ηλεκτρονική» Α και Β τόμων έκδοσης 2001 και

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 5 ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 1 Ι. ΠΑΠΑΝΑΝΟΣ ΑΠΡΙΛΙΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /6/6 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: =, = 6 kω, = kω και = = Ε = = kω, ενώ για το τρανζίστορ δίνονται: = 78, β

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4: Ενισχυτές ισχύος Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017 ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο 5 ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής 1/33 Αλκης Χατζόπουλος - Eργαστήριο Ηλεκτρονικής Τμ.Η.Μ.Μ.Υ. Α.Π.Θ. 5 ο εξάμηνο 1. Διαφορικός

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα