ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Σχετικά έγγραφα
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 5

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 1

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1


ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

Σχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

Πόλωση των Τρανζίστορ

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Πρόβλημα Υπολογίστε τα: VG, VGSQ, VDS, IDQ, IB, IE, IE, VC, VCE και VDS.

Τρανζίστορ FET Επαφής

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

Εισαγωγή στη Σχεδίαση RF Κυκλωμάτων

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

ΙΚΑΝΟΤΗΤΕΣ: 1. Αναγνωρίζει απλούς κωδικοποιητές - αποκωδικοποιητές.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

του διπολικού τρανζίστορ

Ηλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 7

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

ΘΕΜΑ 1 ο : Α. Να σημειώσετε ποιες από τις ακόλουθες σχέσεις, που αναφέρονται

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ

ΑΣΠΑΙΤΕ / Τμήμα Εκπαιδευτικών Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Εκπαιδευτικών Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Transcript:

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ ρ 8. Ενισχυτές με ενεργό φορτίο 9. Κατασκευή ασ ολοκληρωμένων ο ω κυκλωμάτων ω 1/24 ΣΥΜΒΟΛΑ ΤΩΝ FET n channel JFET p channel n-mo πύκνωσης p-mo πύκνωσης 2

Ι = k[(v - V p )V - V 2 /2] Περιοχή πριν από τη φραγή Ι = Ι (1 - V / V p ) 2 Περιοχή μετά τη φραγή XAΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ XAΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΕΞΟΔΟΥ n-jfet ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ n-jfet 2 (Ι = V p k / 2) Vp ΤΑΣΗ ΦΡΑΓΗΣ Vp Επίδραση τάσης Early V A = 1 / λ : 3 V CC I EF 4

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΟΛΩΣΗΣ JFET V CC V V CC V V CC V 1 V I EF I O UT I EF I O UT 2 I EF I O UT 5 ΚΥΚΛΩΜΑ ΑΥΤΟΠΟΛΩΣΗΣ ME JFET V CC V V = i ( + ) + υ i = - υ / /( + )+V / /( + ) Ευθεία φόρτου C V = -I (I = 0) I EF I O UT Ι = Ι (1 - V / V p ) 2 = Ι (1 + I / V p ) 2 6

ΠΟΛΩΣΗ MOFET nmo ΠΟΛΩΣΗ MOFET 7 8

ΠΟΛΩΣΗ MOFET Πόλωση με σταθερή τάση V Πόλωση με αντίσταση πηγής 9 ΠΟΛΩΣΗ MOFET ΜΕ ΚΑΘΡΕΠΤΗ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 10

Καθρέπτης ρεύματος με τρανζίστορ n-mo (τρανζίστορ στον κόρο) Για το Q1 είναι: V = V > V V t Καθρέπτες ρεύματος για απορρόφηση (sink) και παροχή (source) ρεύματος 11 (τρανζίστορ στον κόρο) 12

Καθρέπτης ρεύματος Wilson (τρανζίστορ στον κόρο) 13 Τροποποιημένος καθρέπτης ρεύματος Wilson Εξισορρόπηση της διαφοράς V μεταξύ των Q1 και Q2 του απλού καθρέπτη Wilson 14

Κασκοδικός καθρέπτης ρεύματος (τρανζίστορ στον κόρο) Αντίσταση εξόδου αυξημένη κατά 10 έως 100 φορές σε σύγκριση με τον απλό καθρέπτη ρεύματος. Μειονέκτημα : μείωση του πλάτους διακύμανσης της εξόδου, διότι τα τρανζίστορ μπορεί να εισέλθουν στην γραμμική περιοχή λειτουργίας ( V o > 2 V ov + V tn ) Πηγή ρεύματος Widlar 15 (τρανζίστορ στον κόρο) Χρησιμοποιείται για μικρά ρεύματα. Υλοποιείται με μικρές τιμές αντιστάσεων,, κατάλληλες για ολοκληρωμένα κυκλώματα. 16

3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΚΑΙ ΕΞΙΣΩΣΕΙΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ J-FET n-jfet Ι =V 2 p k/2 ή p ή k= 2Ι / V p 2 Δίαυλος Ωμική περιοχή Περιοχή μετά τη φραγή p V V V < V 0 V 0 > V n V V V > V 0 V 0 < V = L /σα Ι = Ι (1 V /Vp)2 Ι = k[(v )V V 2 /2] g = (2Ι /V m p)(1 V /Vp) 17 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΚΑΙ ΕΞΙΣΩΣΕΙΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ MOFET ΠΥΚΝΩΣΗΣ n-μο Δίαυλος Ωμική περιοχή Περιοχή κορεσμού p V V V < V 0 V 0 > V n V V V > V 0 V 0 < V Ι =k n (W/L)[(V V t )V V 2 /2] Ι = (½)k n (W/L)(V V t )2 g m = k n (W/L)(V V t ) = 2Ι /V 18 ov

3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T YΒΡΙΔΙΚΟ - π ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΤΟΥ JFET 0.1 0.5 VpF CC C gd C gs g m υ r o C ds 1-3 pf I EF 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T 19 YΒΡΙΔΙΚΟ - π ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΤΟΥ MOFET 0.1-5 pf V CC C gd C gs g m υ r o C ds 2-2020 pf I EF 20

3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T YΒΡΙΔΙΚΟ - π ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΤΩΝ FET ΣΤΙΣ ΜΕΣΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ V CC g m υ r o I EF Μόνο όταν λαμβάνεται υπόψη το φαινόμενο διαμόρφωσης μήκους καναλιού 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T 21 ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΗΣΗ ΤΟΥ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟΥ ΣΩΜΑΤΟΣ ΤΩΝ MOFET V CC I EF Διαγωγιμότητα σώματος g mb 22

3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T V CC ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΜΟΝΤΕΛΟ Τ I EF 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T 23 V CC ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΜΟΝΤΕΛΟ Τ ΜΕ ANTIΣΤΑΣΗ r o I EF 24/24