Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει τιμή: 1μΑ 10μΑ 100μΑ 100mA 10mA -2- Η περιοχή λειτουργίας ενός npn transistor όταν: V BE =0,8V, V CE =0.25V και V CC = +9V είναι: Η περιοχή κόρου Η ενεργή περιοχή Η περιοχή αποκοπής -3- Στις χαρακτηριστικές συλλέκτη του transistor της συνδεσμολογίας κοινού εκπομπού έχει χαραχθεί η ευθεία φόρτου. Οι αντιστάσεις συλλέκτη R C και εκπομπού R E έχουν την ίδια τιμή. Αυτή η τιμή είναι ίση με: 333Ω 150Ω 75Ω 60Ω
Στο κύκλωμα του σχήματος ποια από τις ακόλουθες σχέσεις οδηγεί σε σωστό υπολογισμό της τάσης συλλέκτη εκπομπού V CΕ. -4- V CE R C V CC R E V CΕ = V CC I C R C V CΕ = V CC I E R E I C R C V CE = V CC V E Στο κύκλωμα του σχήματος ποια από τις ακόλουθες σχέσεις οδηγεί σε σωστό υπολογισμό της τάσης συλλέκτη βάσης V CΒ. -5- V VCB R CC B V CΒ = I Β R Β V CΒ = V CΕ V ΒΕ V CΒ = V CC I Β R Β -6- Στο κύκλωμα του σχήματος έχουμε V CC =+9V, R C =R E =1kΩ και Ι C =2mA. Ποια από τις ακόλουθες τιμές αντιστοιχεί στην τάση - συλλέκτη εκπομπού V CΕ. 9V 7V 6V 5V
-7- Στο κύκλωμα του σχήματος μετρήθηκε η τάση - συλλέκτη εκπομπού και βρέθηκε: +2.99V. Η περιοχή λειτουργίας του transistor είναι: Η ενεργή περιοχή Η περιοχή κόρου Η περιοχή αποκοπής Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor όταν Ι Ε =1.2mA και Ι B =24μΑ είναι: 20 51 50 49-8- Ποιο από τα 4 transistor λειτουργεί στην περιοχή κόρου. -9- Τ1 Τ2 Τ3 Τ4
-10- Δίδονται οι χαρακτηριστικές συλλέκτη του npn transistor που χρησιμοποιείται στη συνδεσμολογία του σχήματος. Στις χαρακτηριστικές συλλέκτη έχουν χαραχθεί 3 πιθανές ευθείες φόρτου. Η ευθεία φόρτου που αντιστοιχεί στη συγκεκριμένη συνδεσμολογία είναι αυτή με το χρώμα: κόκκινο μπλε πράσινο καμιά από τις ανωτέρω. -11- Οι τιμές των αντιστάσεων R B και R C στη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού του npn transistor έχουν τις κατάλληλες τιμές έτσι ώστε το transistor να λειτουργεί στην περιοχή κόρου. Ποια από τις ακόλουθες μεταβολές στις τιμές των αντιστάσεων είναι η κατάλληλη έτσι ώστε το transistor να οδηγηθεί στην ενεργή περιοχή. Μείωση της αντίστασης R B Αύξηση της αντίστασης R B Αύξηση της αντίστασης R C Καμιά από τις ανωτέρω ενέργειες.
-12- Στη συνδεσμολογία του npn transistor ρυθμίζουμε κατάλληλα την τάση V BB έτσι ώστε να επιτευχθεί ρεύμα βάσης 40μΑ. Μετρώντας το δυναμικό του συλλέκτη βρίσκουμε ότι έχει τιμή 0,3V. Αυξάνουμε την τάση V BB έτσι ώστε το ρεύμα βάσης να διπλασιαστεί. Ποια από τις ακόλουθες προτάσεις είναι σωστή. Το ρεύμα συλλέκτη σχεδόν θα διπλασιαστεί. Το δυναμικό συλλέκτη σχεδόν θα διπλασιαστεί. Το ρεύμα συλλέκτη σχεδόν θα υποδιπλασιαστεί. Το ρεύμα συλλέκτη θα αυξηθεί ελάχιστα. -13- Στο κύκλωμα του σχήματος η περιοχή λειτουργίας του transistor είναι: Η ενεργή περιοχή Η περιοχή κόρου Η περιοχή αποκοπής Η ενεργή περιοχή ή η περιοχή κόρου -14- Στο κύκλωμα του σχήματος μετρήθηκε το ρεύμα συλλέκτη και βρέθηκε: 2.94mA. Η περιοχή λειτουργίας του transistor είναι: Η ενεργή περιοχή Η περιοχή κόρου Η περιοχή αποκοπής
-15- Η τιμή V CC της διπλής τροφοδοσίας του κυκλώματος έχει τιμή: 12V 10V 9V 5V -16- Η είσοδος v i του κυκλώματος διεγείρεται από τετραγωνικούς παλμούς (βλέπε σχήμα). Όταν το ρεύμα βάσης του transistor αποκτά τιμή 60μΑ τότε το transistor οδηγείται στον κόρο, ενώ για ρεύμα βάσης 50μΑ το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή. Ποια από τις ακόλουθες κυματομορφές αντιστοιχεί στο σήμα εξόδου; A B C D
-17- Το κύκλωμα του σχήματος έχει σχεδιαστεί έτσι ώστε όταν η φωτοαντίσταση δέχεται χαμηλό φωτισμό η τάση συλλέκτηεκπομπού (V CE ) να έχει τιμή ίση με V CC /3. Τι είδους μεταβολή θα υποστεί η V CE, όταν αυξηθεί ο φωτισμός στην φωτοαντίσταση. Θα αυξηθεί Θα μειωθεί θα μείνει αμετάβλητη. -18- Στη συνδεσμολογία του npn transistor ρυθμίζουμε κατάλληλα την τάση V BB έτσι ώστε να επιτευχθεί ρεύμα βάσης 40μΑ. Μετρώντας το δυναμικό του συλλέκτη βρίσκουμε ότι έχει τιμή 0,3V. Αυξάνουμε την τάση V BB έτσι ώστε το ρεύμα βάσης να διπλασιαστεί. Ποια από τις ακόλουθες προτάσεις είναι σωστή. Το ρεύμα συλλέκτη σχεδόν θα διπλασιαστεί. Το δυναμικό συλλέκτη σχεδόν θα διπλασιαστεί. Το ρεύμα συλλέκτη σχεδόν θα υποδιπλασιαστεί. Το ρεύμα συλλέκτη θα αυξηθεί ελάχιστα. -19- Στο κύκλωμα του σχήματος, η τάση συλλέκτη - βάσης V CΒ έχει τιμή: 1V 2V 3V Από τα υπάρχοντα δεδομένα δεν μπορεί να προσδιοριστεί η τιμής της.
-20- Ο ιδανικός Τ.Ε έχει μηδενική αντίσταση εξόδου και άπειρη αντίσταση εισόδου. -21- Στο κύκλωμα του σχήματος η ενίσχυση τάσης δίνεται από τη σχέση. -22- Ο Τ.Ε σε συνδεσμολογία ενισχυτή οργάνων μέτρησης (instrumentation amplifier) ενισχύει τη διαφορά μεταξύ δυο σημάτων. -23- Στον ενισχυτή κοινού εκπομπού με πυκνωτή απόζευξης επιτυγχάνεται: Υψηλή Ενίσχυση τάσης Υψηλή ενίσχυση ρεύματος Η τάση εισόδου με την τάση εξόδου έχουν διαφορά φάσης 180 ο Όλα τα παραπάνω
-24- Ο ενισχυτής κοινού συλλέκτη μπορεί να επιτύχει μεγάλη ενίσχυση τάσης. -25- Στους ενισχυτές με FET δεν μπορούμε να μελετήσουμε την. Ενίσχυση τάσης Ενίσχυση ρεύματος Αντίσταση εισόδου Αντίσταση εξόδου -26- Το ρεύμα συλλέκτη I c = 1mA και η τιμή της αντίστασης R c = 4ΚΩ. Η ενίσχυση τάσης που επιτυγχάνεται είναι: Α = -16 Α = -160 Α = 40 Α = 8-27- Στο παραπάνω κύκλωμα αν προστεθεί στην έξοδο του ενισχυτή μια αντίσταση φορτίου τότε η ενίσχυση τάσης θα: Αυξηθεί Μειωθεί Παραμείνει σταθερή
-28- Ο ενισχυτής του παραπάνω κυκλώματος επιτυγχάνει ενίσχυση ρεύματος ίση με: 16-16 -100-160 -29- Για να λειτουργήσει ένα κύκλωμα ως ταλαντωτής αρκεί: -30- Οι ενισχυτές με BJT δεν έχουν πεπερασμένο εύρος ζώνης.
-31- Η συχνότατα αποκοπής υψηλών στους παραπάνω ενισχυτές εξαρτάται από τις χωρητικότητες των επαφών Βάσης Συλλέκτη και Βάσης - Εκπομπού. -32- Η συχνότατα αποκοπής χαμηλών εξαρτάται από τις τιμές των πυκνωτών σύζευξης και απόζευξης αποκλειστικά. -33- Στον ταλαντωτή του διπλά σχήματος για να ξεκινήσουν οι ταλαντώσεις η τιμή την αντίστασης R 2 πρέπει να είναι (Δίνεται R 1 = 1KΩ) R 2 = 1ΚΩ R 2 = 2ΚΩ R 2 = 100ΚΩ R 2 = 150ΚΩ -34- Η συχνότητα ταλάντωσης του κυκλώματος είναι περίπου: 26KHz 2.6KHz 15KHz 10ΚHz 1.5ΚΗz Δίνεται ότι