Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Σχετικά έγγραφα
Πόλωση των Τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Η δοµή του JFET n-διαύλου φαίνεται στο σχήµα 8.1. Σχ.8.1. οµή του JFET (α) και επικρατέστερο σύµβολο για n-διαύλου (β) και p-διαύλου (γ).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Πρόβλημα Υπολογίστε τα: VG, VGSQ, VDS, IDQ, IB, IE, IE, VC, VCE και VDS.

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ


του διπολικού τρανζίστορ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

Τρανζίστορ FET Επαφής

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

Το διπολικό τρανζίστορ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

D 2 D kω 100V 25V

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

Μεταβατική Ανάλυση - Φάσορες. Κατάστρωση διαφορικών εξισώσεων. Μεταβατική απόκριση. Γενικό μοντέλο. ,, ( ) είναι γνωστές ποσότητες (σταθερές)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 1: Εισαγωγή. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

Προενισχυτής μουσικού οργάνου

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Transcript:

Ενισχυτές με FET Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ενισχυτές με FET Τα FET οδηγούνται με την τάση u GS ενώ τα BJT με το ρεύμα i B Μηχανισμός ενίσχυσης Για το FET η σχέση i D =f(u GS ) είναι μη γραμμική σε αντίθεση με την i D =βi B που ισχύει για τα BJT Οι ενισχυτές με FET πρέπει να λειτουργούν με μικρά πλάτη για να μην υπάρχουν ισχυρές παραμορφώσεις Δεν υπάρχει ανάγκη για τοποθέτηση του Q στο μέσο της AC ευθείας φόρτου

Πόλωση των FET - Αυτοπόλωση Η τεχνική της αυτοπόλωσης μπορεί να εφαρμοστεί στα JFET και στα MOSFET διακένωσης επειδή σε αυτά η τάση πόλωσης GS έχει αντίθετο πρόσημο από την τάση τροφοδοσίας DD I I GS GS s D GS 0 D s s ID ID s ID DS DD 0 Ενισχυτής JFET διαύλου n με αυτοπόλωση I D 1 DD DS s s DC Ευθεία Φόρτου

Πόλωση των FET - Αυτοπόλωση s I DD DD Υπολογισμός στοιχείων ενισχυτή Επιλέγουμε τη τάση τροφοδοσίας Επιλέγουμε το σημείο πόλωσης Q Προσδιορίζουμε τα DS, I D, GS από το Q Από τις προηγούμενες σχέσεις υπολογίζουμε τις αντιστάσεις

Παράδειγμα Ζητείται να προσδιορισθούν τα στοιχεία του ενισχυτή Λύση Επιλέγουμε τη τάση τροφοδοσίας: DD =20 Επιλέγουμε I DD =7mA Επιλέγουμε το σημείο ηρεμίας Q. Έχουμε DS = 10, I D =3,4mA, GS =-2 s GS 2 0,59 I 3,4mA D DD 20 s 2,86 I 7mA DD 2,86 0,59 2, 27

Χρήση διαιρέτη τάσης για τη σταθεροποίηση του σημείου πόλωσης Η θερμοκρασία μεταβάλλει τα χαρακτηριστικά των FET και μετατοπίζει το σημείο λειτουργίας Υπάρχει και διασπορά χαρακτηριστικών από FET σε FET που αποτρέπουν τη σταθερή θέση του Q από κύκλωμα σε κύκλωμα Χρησιμοποιείται διαιρέτης τάσης για τη σταθεροποίηση του Q Στο Σχ. (β) ο διαρέτης τάσης έχει αντικατασταθεί κατά Thevenin g GG 1 2 1 2 2 1 2 DD

Χρήση διαιρέτη τάσης για τη σταθεροποίηση του σημείου πόλωσης Αν δεν υπάρχει διαιρέτης τάσης οι δυο ακραίες θέσεις του Q δίνουν μεγάλη απόκλιση Δi D Με διαιρέτη τάσης και s ως αντίσταση πηγής sid GG GS 0 I D 1 GG GS s s Η ευθεία αυτή τέμνει τις ακραίες χαρακτηριστικές στα σημεία Q 1, Q 2 παρέχοντας μικρότερη απόκλιση (Δi D ). Πρέπει s > s

Παράδειγμα Να υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων 1, 2, s και του ενισχυτή ώστε Δi D <0,7mA Λύση Επιλέγουμε το Q 1 στο μέσο, και το Q 2 ώστε να απέχει προς τα άνω 0,7mA Ενώνουμε τα σημεία Q 1, Q 2 με ευθεία που τέμνει τον άξονα τάσεων στο GG =8 Από την ευθεία φόρτου Επιλέγουμε τη τιμή της DD =25 s 8 3,64 2,2mA 1 DD GG 25 8 2,13 8 Επιλέγουμε σημείο πόλωσης στο μέσο των Q 1, Q 2 και έχουμε I D =2,8mA, GS =-2,5 I 2I 5,6mA DD 0,82 DD D s IDD 2 GG

Πόλωση των FET προσαύξησης Στα FET προσαύξησης η πύλη πολώνεται σε GS που έχει το ίδιο πρόσημο με το DD Εναλλακτικές πολώσεις

Παράδειγμα Για το προηγούμενο κύκλωμα (β) : DD = 10, K=2mA/ 2, T =2, λ=0,01. Ζητείται να υπολογισθεί η τιμή της ώστε I D =2mA και να βρεθούν οι τιμές των g m, r. Λύση ID GS T ή GS T K ID 2 GS T 2 3 K 2 I ή G D DD D G GS DD GS 10 3 3,5 I 2 ma 1 2 r 50K gm 2 KI D 2 22 ma / ma 4 ma / 1 0,01 2 ma D

Ενισχυτής JFET με κοινή πηγή AC ισοδύναμο Αντίσταση εισόδου // i 1 2 Απολαβή τάσης u r // g u o m i // r A g u m Αντίσταση εξόδου o o // L r r // o u A r g u m ui

Παράδειγμα Για τον προηγούμενο ενισχυτή έχουμε: 1 =2,2ΜΩ, 2 =10ΜΩ, =10ΚΩ, L =200ΚΩ, g m =2mA/ και r =100KΩ. Ζητείται να βρεθούν τα μ, i, A u και o Λύση ma rg m 2100 200 i 1/ / 2 2,2 / /10 1,80 / / 10 / /200 9,52 L A r / / g (100 / /9,52 ) 2 ma / 17,4 u m / / r 10 / /100 9,09K o

Παράδειγμα Για τον προηγούμενο ενισχυτή έχουμε: DD =20, =5KΩ, 1 =2MΩ, L, I DSS =10mA και p =-5. Επιλέγουμε I D =4mA και σαν τάση Thevenin GG =5. Ζητείται να βρεθούν οι τιμές των 2, s, η προσεγγιστική A u. Θεωρούμε r >>. Λύση 25 2 1 GG GG DD 2 0,67 1 2 DD GG 20 5 GS I 4 D p 1 5 1 5(1 0, 63) 1,84 I DSS 10 GG GS 5 ( 1,84) GG GS si D s 1,71 K I 4mA D A ma g 5 2,53 12,65 u m g mo 2IDSS 210 4 ma / 5 p GS 1,84 gm gmo 1 4 1 2,53 ma / p 5

Ενισχυτής με αντίσταση στον απαγωγό και στην πηγή AC ισοδύναμο i g u m gs u o r u s ugs ui us ui si Απολαβή τάσης s u i u s s s o u u u gs i o u ( / / ) i i o L 1 s 1 1 s uo gm( ui uo) uo ( uo) r r uo gm 1 gm Au, 1 r Au gms 1 Au u 1 i 1 ( g ) r 1 gms s m s r r

Ενισχυτής με αντίσταση στον απαγωγό και στην πηγή / / o o Αντίσταση εξόδου Το ρεύμα i παράγεται από μια πηγή τάσης u o που τοποθετείται στην έξοδο u gs i s 1 1 i g ( i ) u i r r m s o s uo o s r (1 gms ) r (1 gms ) i Αν θέσουμε =10ΚΩ, s =1ΚΩ, L =100KΩ, r =100ΚΩ, g m =5mA/ έχουμε: 10 / /100 9,09 A u 59,09 1 9,09 1 (5 ) 1 100 100 7,45 100(1 51) 600 o / / 10 / /600 9,84 o o

Ενισχυτής FET με κοινό απαγωγό Ακολουθητής τάσης Ανάλογος με τον ενισχυτή κοινού συλλέκτη AC ισοδύναμα Αντίσταση εισόδου i / / 1 2

Ενισχυτής FET με κοινό απαγωγό Ακολουθητής τάσης Απολαβή τάσης r / / / / u ( u u ) g s L o i o m uo gm Au, gm 1 Au 1 u 1 g i m Αντίσταση εξόδου Αν βραχυκυκλώσουμε την είσοδο u i =0 και θεωρήσουμε ότι στα άκρα εξόδου δρα μια πηγή τάσης u o που προκαλεί ρεύμα i o τότε το ρεύμα από την r είναι ( ui uo) gm io uogm io (1 r g ) u r i uo r ( io uogm) m o o uo r 1 o, r gm 1 o i 1 r g g o m m s / / o

Ενισχυτής FET με κοινό απαγωγό Ακολουθητής τάσης Ο ακολουθητής τάσης έχει απολαβή τάσης περίπου μονάδα, έχει μεγάλη αντίσταση εισόδου και σχετικά μικρή αντίσταση εξόδου Έστω ότι g m =4mA/, r =100KΩ, s =5KΩ, L, τότε προσεγγιστικά o 1 0,25 4 ma A u 1 54 20 1 1 54 21 0,95 Η αντίσταση εξόδου του ακολουθητή πηγής είναι γενικά πολύ μεγαλύτερη από την αντίσταση εξόδου του ακολουθητή εκπομπού

Παραμόρφωση στους ενισχυτές FET Για το FET έχουμε i D u GS 2 IDSS (1 ) cos gs sm p u t Θεωρώντας συνημιτονικό σήμα εισόδου και λαμβάνοντας υπόψη την DC πόλωση GS Το συνολικό ρεύμα του απαγωγού είναι Δεδομένου ότι u t GS cos GS sm 2 2 2 GS sm GS GS sm sm 2 id IDSS 1 cos t IDSS 1 2IDSS 1 cos t IDSS cos t p p p p p p cos t (1 cos 2 t) 2 2 1

Παραμόρφωση στους ενισχυτής FET 2 2 2 1 GS sm GS sm I DSS sm id I DSS 1 2IDSS 1 cost cos 2t p 2 p p p 2 p DC όρος Χρήσιμο σήμα Παραμόρφωση D Συντελεστής παραμόρφωσης 2 I DSS sm ά ύ ό 2 p D ά ή ύ GS sm 2IDSS 1 p p sm 4p GS Η παραμόρφωση είναι ανάλογη του πλάτους sm

Το FET σαν μεταβλητή ωμική αντίσταση Για μικρές τιμές του u DS ισχύει i 2 K( u ) u D GS T DS Αντίσταση καναλιού για μικρές u DS r uds 1 i 2 K( ) D GS T Ελεγχόμενη από την u GS

Ενισχυτής ελεγχόμενης απολαβής Κύκλωμα ενισχυτή που η ενίσχυσή του ελέγχεται αυτόματα και χρησιμοποιείται για να διατηρεί το πλάτος του σήματος εξόδου σταθερό παρά την μεταβολή του πλάτους του σήματος εισόδου Αρνητική ανάδραση Χρήση σε ραδιοφωνικούς δέκτες για την ανεξαρτητοποίηση της έντασης του ήχου από τις διακυμάνσεις του ραδιοφωνικού σήματος