Dr. N. Φράγκης Αναπληρωτής Καθηγητής Τοµέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Τµήµα Φυσικής Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ) 54006 Θεσσαλονίκη Προσωπικά στοιχεία: Έτος γεννήσεως 1956. Έγγαµος και πατέρας τριών παιδιών. Σπουδές: 1978 Πτυχίο Φυσικής, ΑΠΘ 1981 Μεταπτυχιακό δίπλωµα Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ 1985 ιδακτορικό δίπλωµα, Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ Ερευνητική και Ακαδηµαϊκή Εµπειρία 1981-86: Επιστηµονικός Συνεργάτης, Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ 1986-92: Λέκτορας, Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ 2/1992 : Επίκουρος καθηγητής, Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ 8/1999: Αναπληρωτής καθηγητή, Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ 10/83-8/84, 7/88-12/88, 8/94-8/96: Ερευνητική εργασία στο εργαστήριο ηλεκτρονικής µικροσκοπίας (EMAT), Πανεπιστήµιο Αµβέρσας (RUCA), Βέλγιο. (Τα τελευταία δύο χρόνια µε HCM υποτροφία από την Ε.Ε.) ιδακτική ραστηριότητα ιδασκαλία των εξής µαθηµάτων: 1) Τµήµα Φυσικής ΑΠΘ: Εργαστήριο Οπτικής (περισσότερα από 12 έτη), Γενική Φυσική ΙΙ (8 έτη), Γενικό Εργαστήριο (2 έτη), οµικές Ιδιότητες Υλικών (1 έτος). 2) Πρόγραµµα Μεταπτυχιακών Σπουδών Φυσικής Υλικών, Τµήµα Φυσικής ΑΠΘ: Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας (3 έτη). 3) Τµήµα ασολογίας ΑΠΘ: Φυσική (3 έτη). Ερευνητικές δραστηριότητες 1) Τεχνική: Ηλεκτρονική Μικροσκοπία υψηλής διακριτικής ικανότητας. Συµβατική Ηλεκτρονική Μικροσκοπία. Αντικείµενο: Μελέτη δοµών από διαµόρφωση. Μετατροπές φάσεως. Μελέτη επιταξιακά ανεπτυγµένων ηµιαγωγών. Πολυµερή. 2) Τεχνική: Μικροσκοπία Ατοµικών υνάµεων. Αντικείµενο: Μελέτη επιφανειών ηµαγωγικών και πολυµερικών υλικών. Ερευνητικά έργα Συµµετοχή σε δέκα ερευνητικά έργα χρηµατοδοτούµενα από την ΓΓΕΤ ή την ΕΕ (1991-1999). Επιστηµονικός υπεύθυνος για την Ελληνική πλευρά ερευνητικού προγράµµατος στα πλαίσια ιακρατικής Επιστηµονικής και Τεχνολογικής Συνεργασίας Ελλάδος-Γαλλίας (1999-2000).
Επιστηµονικός υπεύθυνος για την Ελληνική πλευρά ερευνητικού προγράµµατος στα πλαίσια ιακρατικής Επιστηµονικής και Τεχνολογικής Συνεργασίας Ελλάδος- Ρουµανίας (2001-2003). ηµοσιεύσεις Τριανταµία (31) εργασίες σε διεθνή περιοδικά µε κριτές. εκαέξι (16) εργασίες σε διεθνή συνέδρια µε κριτές. Οι εργασίες σε διεθνή περιοδικά µε κριτές είναι οι εξής: 1. Electron Microscopic Study of the Superstructure, the Domain Structure and the Transition State of CuIn 5 Te 8 N. Frangis, C. Manolikas and J. Spyridelis. Mat. Res. Bull., 17, 1089-1093 (1982). 2. A Study of Polytypism in AgIn 5 Se 8 by Combined Electron Microscopy Techniques N. Frangis, G. Van Tendeloo, C. Manolikas, J. Spyridelis, J. Van Landuyt and S. Amelinckx. J. of Sol. State Chem., 58, 301-311 (1985). 3. Order - Disorder in CuIn 5 Te 8 N. Frangis, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt and S. Amelinckx. J. of Sol. State Chem., 61, 369-378 (1986). 4. On the Structure of Layered β-cuin 5 Se 8 : Electron Diffraction and High Resolution Electron Microscopy Study N. Frangis, G. Van Tendeloo, C. Manolikas, J. Van Landuyt and S. Amelinckx. Phys. Stat. Sol. (a), 96, 53-65 (1986). 5. Composition Faults in Zn m In 2 S 3+m Crystals N. Frangis and C. Manolikas. Phys. Stat. Sol. (a), 107, 589-595 (1988). 6. Continuous Series of One-Dimensional Structures in the Compounds Bi 2+x Se 3, Bi 2+x Te 3, Sb 2+x Te 3, (Bi 2 Te 3 )ngete and (Sb 2 Te 3 )ngete N. Frangis, S. Kuypers, C. Manolikas, J. Van Landuyt and S. Amelinckx. Solid State Comun., 69, 817-819 (1989). 7. Continuous Series of One-Dimensional Structures in Compounds Based on M 2 X 3 (M = Sb, Bi ; X = Se, Te) N. Frangis, S. Kuypers, C. Manolikas, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt and S. Amelinckx. J. of Sol. State Chem. 84, 314-334 (1990). 8. Incommensurate Composition Modulations in Bi-Ge-Te crystals N. Frangis, C. Manolikas and S. Amelinckx. Phys. Stat. Sol. (a), 125, 97-106 (1991). 9. Vacancy - Ordered Superstructures in Cu 2 Se
Ν. Frangis, C. Manolikas and S. Amelinckx. Phys. Stat. Sol. (a), 126, 9-22 (1991). 10. Electrical and structural properties of Ga 0.51 In 0.49 P/GaAs heterojunctions grown by metalorganic vapor-phase epitaxy E.C. Paloura, A. Ginoudi, G. Kiriakidis, N. Frangis, F. Scholz, M. Moser, A. Christou. Appl. Phys. Lett., 60, (22) 2749-2751 (1992). 11. Structural and electrical properties of the Ga 0.68 In 0.32 P/GaAs heterojunction grown by MOMBE Ν. Frangis, A. Ginoudi and E. Paloura. Mat. Sci. Forum, 126-128, 579-582 (1993). 12. Performance of Ga x In 1-x P/GaAs heterojunctions grown by MOMBE and MOVPE A. Ginoudi, E.C. Paloura and N. Frangis. J. Appl. Phys., 75, 2980-2987, (1994) 13. Titanium Disilicides on Silicon by interdifussion of Titanium and Amorphous Silicon multilayers. Transmission Electron Microscopy, Spectroscopic Ellipsometry and Resistivity Measurements A.G. Nassiopoulos, D. Tambouris, N. Frangis, S. Logothetidis, S. Georga, Ch. Krontiras, N. Xanthopoulos,. Τhin Solid Films, 247, 44-50 (1994). 14. Electron microscopy characterization of TiN films on Si, grown by d.c. reactive magnetron sputtering B. Pecz, N.Frangis, S. Logothetidis, I. Alexandrou, P.B. Barna, J. Stoemenos. Thin Solid Films, 268, 57-63 (1995). 15. "Ion beam synthesis of β- SiC at 950 o C and structural characterisation" N. Frangis, A. Nejim, P.L.F. Hemment, J. Stoemenos, J. Van Landuyt Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 112, 325-329 (1996). 16. High crystalline quality erbium silicide films on (100) silicon, grown in high vacuum G. Kaltsas, A. Travlos, A.G. Nassiopoulos, N.Frangis, J. Van Landuyt. Appl. Surf. Sci. 102, 151-155 (1996). 17. Electron Microscopy Characterisation of erbium silicide - thin films grown on a Si (111) substrate N. Frangis, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt, P. Muret, T.T.A. Nguyen Appl. Surf. Sci. 102, 163-168 (1996). 18. Structural Characterisation of erbium silicide - thin films grown on a Si (111) substrate N. Frangis, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt, P. Muret, T.T.A. Nguyen J. Alloys and Comp. 234, 244-250 (1996).
19. Electron Microscopy and RBS characterization of 6H SiC samples implanted with He N. Frangis, J. Van Landuyt, M. G. Grimaldi, L. Calcagno. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B., 120/1-4, 186-189 (1996). 20. New erbium - silicide superstructures: A study by high resolution electron microscopy Ν. Frangis, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt, G. Kaltsas, A. Travlos, A.G. Nassiopoulos. Phys. Stat. Sol. (a) 158, 107-116 (1996). 21. Growth of erbium - silicide films on (100) Silicon as characterised by electron microscopy and diffraction N. Frangis, J. Van Landuyt, G. Kaltsas, A. Travlos, A.G. Nassiopoulos. J. of Cryst. Growth, 172, 175-182 (1997). 22. Microstructure of Mn-doped, spin-cast FeSi 2 T. Morimura, N. Frangis, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt, M. Hasaka, K. Hisatsune. J. of Electron Microscopy, 46(3), 221-225 (1997). 23. Amorphization and defect recombinationin in ion implanted silicon carbide M. G. Grimaldi, L. Calcagno, P. Musumeci, N. Frangis, J. Van Landuyt. J. Appl. Phys. 81(11), 7181-7185 (1997). 24. The formation of 3C-SiC in crystalline Si by carbon implantation at 950 o C and annealing- a structural study N. Frangis, J. Stoemenos, J. Van Landuyt, A. Nejim, P.L.F. Hemment, J. of Cryst. Growth, 181, 218-228 (1997). 25. Unpinning of the Fermi level at erbium silicide/silicon interfaces P. Muret, T.A. Nguyen Tan, N. Frangis, J. Van Landuyt. Phys. Rev. B, 56, 9286-9289 (1997). 26. LDPE/ Plasticized starch blends containing PE-g-MA copolymer as compatibilizer D. Bikiaris, J. Prinos, K. Koutsopoulos, N. Vouroutzis, E. Pavlidou, N. Frangis and C. Panayiotou. Polymer Degradation and Stability, 59, 287-291 (1998). 27. High resolution electron microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy studies of heteroepitaxial Si x Ge (1-x) alloys produced through laser induced processing N. Frangis, J. Van Landuyt, R. Larciprete, S. Martelli, E. Borsella, S. Chiussi, J.Castro, B. Leon Appl. Phys. Lett., 72, 2877-2879 (1998). 28. Structural and microstructural aspects of Si x (Ta,Nb)Te 2
N. Frangis, G. Van Tendeloo, C. Manolikas, S. Amelinckx. J. of Sol. State Chem., 139, 105-123 (1998). 29. Two dimensional modulated structures in NbGe x Te 2 crystals N. Frangis J. of Electron Microscopy, 47(6), 553-560 (1998). 30. On the existence of periodic interfaces in the layered compound TlBiS 2 E.K. Polychroniadis, N. Frangis, M. Ozer. Mat. Sci. Forum, 294-296, 191-194 (1999). 31. Reaction of Palladium thin films with a Si-rich 6H-SiC (0001)(3x3) surface J.Y. Veuillen, T.A. Nguyen Tan, I. Tsiaoussis, N. Frangis, M. Brunel and R. Gunella, Diamond and Related Materials, 8, 352-356 (1999).