Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Σχετικά έγγραφα
Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).


Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

του διπολικού τρανζίστορ

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

και συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Βασικές Λειτουργίες των TR

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Το διπολικό τρανζίστορ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Διαφορικοί Ενισχυτές

ΑΣΚΗΣΗ 7. Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Άσκηση 4. Δίοδος Zener

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

ÖÑÏÍÔÉÓÔÇÑÉÏ ÊÏÑÕÖÇ ÓÅÑÑÅÓ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 28 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100)

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 20/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ενισχυτικές διατάξεις 1. Εισαγωγή. Περιοριστικοί παράγοντες χρήσης ενός BJT σε ενισχυτές ισχύος

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ ΤΑΞΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2003

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΠΟΚΡΙΣΕΙΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ. 10 f Να προσδιορίσετε τις συχνότητες, για τις οποίες το µέτρο της ενίσχυσης είναι 10dB κάτω από την µέγιστη τιµή της.

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

Τελεστικοί Ενισχυτές

β) Τι θα συμβεί στην απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας του ενισχυτή στο σχ.1β αν υπάρξει διακοπή στο σημείο που δεικνύεται με το αστέρι;

Transcript:

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε να έχουµε σηµείο λειτουργίας Q(25V, 1.25A). Επίσης να χαράξετε την DC γραµµή φόρτου και να υπολογίσετε την τιµή του πυκνωτή παράκαµψης εκποµπού ώστε να έχω κατώτερη συχνότητα αποκοπής 200ΗΖ. Τέλος να υπολογίσετε τη µέγιστη ισχύς εξόδου, το συντελεστή αποδοτικότητας και την ισχύ που καταναλώνεται διαµέσου του φορτίου. ΛΥΣΗ Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω 25 οπότε το δυναµικό 60 25 25 Θεωρώντας έχω Αυτό µας δίνει: 1.25 20 20 8 8. είναι: 25 10 28 άρα µπορούµε να χαράξουµε την DC ευθεία φόρτου. DC ευθεία φόρτου για: 0 0 ρ.γ.χλουπησ 60 2,14 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [1]

Εφόσον γνωρίζω 35, υπολογίζω : Επίσης Όµως 0 (Γερµανίου) 50 1,43 Για να επιτυγχάνεται επαρκής παράκαµψη της από τον πρέπει 1 2 1 10 1000 Η AC γραµµή φορτίου έχει κλίση 1 αφού η παρακάµπτεται (bypassed) από τον. Έτσι τα όρια του σήµατος εισόδου περιορίζονται πλέον από την περιοχή κόρου και αποκοπής. Για να φτάσει ο ενισχυτής σε αποκοπή ( 0) βλέπω ότι έχω περιθώριο 35. Άρα έχω περιθώριο ±35 γύρω από Q. Με βάση τα ανωτέρω έχω: 42 10 32 16 2 0,4 1,6 0,8 H µέγιστη ισχύς εξόδου είναι: 2 2 16 2 0,8 2 6,4 H πηγή των 60V παρέχει όλο το DC ρεύµα: ( ) 35 1,25 1,285 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [2]

Συνεπώς η ισχύς DC είναι: 60 1.285 77 Με βάση τα ανωτέρω ο συντελεστής αποδοτικότητας είναι: 6,4 77 0,083 8,3% H ισχύς που καταναλώνεται διαµέσου του φορτίου: (1,25 ) 20 31,25 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [3]

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 2 Ο ενισχυτής audio που φαίνεται στο Fig.1 περιέχει τρανζίστορ Si, του οποίου οι χαρακτηριστικές παρουσιάζονται στο σχ.2. Ο κατασκευαστής ορίζει για το τρανζίστορ: IC(max) = 1Α, VCE(max) = 50V, PD(max) = 5W (για θερµοκρασία κελύφους 25oC) και βmin = 30. Να υπολογιστούν οι αντιστάσεις του κυκλώµατος και η απαιτούµενη τάση τροφοδοσάις ώστε να έχουµε τη µέγιστη ισχύς επί φορτίου RL=750Ω (υποθέστε ότι οι πυκνωτές είναι αρκετά µεγάλης χωρητικότητας). Στη συνέχεια, µετατρέψτε το κύκλωµα προκειµένου να εφαρµόσετε σύζευξη µε Μ/Τ για µέγιστη ισχύ επί φορτίου 5Ω και υπολογίστε ισχύ εξόδου και συντελεστή αποδοτικότητας ΛΥΣΗ Για να επιλέξω το σηµείο λειτουργίας βασίζοµαι στην δοσµένη υπερβολή µέγιστης κατανάλωσης. Η AC γραµµή φορτίου πρέπει να εφάπτεται στην ανωτέρω υπερβολή των 5W. Αυτό όµως οδηγεί σε ένα πλήθος εφαπτόµενων µε σχεδόν ίδια ισχύ εξόδου. Θεωρώντας ότι η περιοχή υψηλών τάσεων είναι πιο γραµµική από την περιοχή των υψηλών ρευµάτων, επιλέγουµε να χρησιµοποιήσουµε όλη την επιτρεπόµενη περιοχή τάσεων και το ρεύµα να περιοριστεί από την µέγιστη κατανάλωση. Έτσι για B*C A 25 και 0.2 θα έχω 8 5; Ενώ το φορτίο ac που αντιστοιχεί θα είναι : D 5 CEF GH ρ.γ.χλουπησ ABC *.AI 125 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [4]

1 1 1 150 Για τον σχεδιασµό του δικτυώµατος πόλωσης, θεωρώ 3, το οποίο µου δίνει για την ~ 3 0.2 15 Έτσι, η απαραίτητη τάση τροφοδοτικού θα είναι : 3 25 30 58 Για ελάττωση της µεταβολής του β, χρησιµοποιώ : 10 30 15 10 45 Για ρεύµα βάσης 4 ( στο Q ) και θεωρώντας για Si έχω ( ) 0.004 45 0.7 3.06 4 Λαµβάνω : 45 652 680 (τιµή εµπορίου) 48 47 (τιµή εµπορίου) β) Η ζητούµενη µετατροπή φαίνεται στο Fig.3. Ο Μ/Τ πρέπει να προσαρµόζει το φορτίο των 5Ω στην 125Ω ευθεία φορτίου. Άρα ο λόγος Ν : 125 5 5 Όµως, τώρα η απαραίτητη τάση τροφοδοσίας θα είναι : 25 3 28 Φυσικά οι και επαναϋπολογίζονται. ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [5]

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Για να προσδιορίσουµε την απόδοση του ενισχυτή, έχουµε : Η ac γραµµή φορτίου στο Fig.4 τέµνει την καµπύλη 7 7 8 στο X4MN 3 ενώ η 0 καµπύλη τέµνει στο X456 47. Άρα, η µέγιστη απαραµόρφωτη µεταβολή για την τάση, θα είναι : X456 X4MN 2 47 3 2 22 X*,456 Με το ίδιο σκεπτικό, υπολογίζουµε 7*,456 Άρα, η ζητούµενη ισχύς 85 θα είναι : 85 X*(Y4Z) 7*(Y4Z) X*(Y4Z) 7*(Y4Z) 2 2 22 2 22 0.18 0.18 2 1.98; Έτσι, ο συντελεστής αποδοτικότητας θα είναι? 85 8< 1.98; 0.39 39% 5; ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [6]

Άσκηση 3 Για το κύκλωµα του σχ.5, αν V1=20V, R1=R2=470Ω και Ra=Rb=30Ω, ποιες είναι οι DC τάσεις στα σηµεία B1, B2, B και Ε (σε σχέση µε τη γη)? να βρεθούν επίσης και οι DC τάσεις µεταξύ των σηµείων Β1-Ε και Β2-Ε. Επαναλάβετε και για το κύκλωµα του σχ.6 όπου V2=+10V & V3=-10V. (Θεωρήστε τρανζίστορ ταιριασµένα σε όλες τις περιπτώσεις) R1 T1 V1 B1 Ra C2 B E C1 SP1 + VG1 Rb T2 B2 R2 Σχ.5 R3 T3 V2 B1 R4 C4 B E SP2 + VG2 R5 T4 B2 R6 V3 Σχ.6 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [7]

ΛΥΣΗ Οι αντιστάσεις R1,R2, Ra & Rb είναι πρακτικά σε σειρά οπότε το ρεύµα διαµέσου των θα είναι 20 1 2 1 20 Συνεπώς η πτώση τάσης επάνω στη R1 (και οµοίως στην R2) θα είναι 470Ω 20mA 9.4V. Αντιστοίχως, η πτώση τάσης επάνω στις Ra & Rb θα είναι 30Ω 20mΑ 0.6V. Άρα στο σηµείο B1 έχω 20 9.6 10.4 στο σηµείο B έχω 10.4 0.4 10 Στο σηµείο Β2 έχω 10 0.4 9.6 Εφόσον τα τρανζίστορ είναι ταιριασµένα στο σηµείο Ε έχω Vcc/2 αρα V E =10V, απ όπου καταλήγω ότι V B1-E =0.6V και V B2-E =-0.6V Για το κύκλωµα του σχ.6, το ρεύµα και η πτώση τάσης επάνω στις αντιστάσεις παραµένει ίδια µε πρίν. Οι τάσεις στα σηµεία Ε, Β1, Β2 και Β είναι αριθµητικά ίδιες µε πριν συν τα -10V (από τη V3). Ετσι οι τιµές για το σχ.6 διαµορφώνονται ως εξής V B1 =0.6V V B =0V V B2 =-0.6V V E =0V απ όπου καταλήγω πάλι ότι V B1-E =0.6V και V B2-E =-0.6V (παραµένουν αµετάβλητες) ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [8]

Άσκηση 4 Αν το Q 1 έχει ( ) 100 και, 600, ποια είναι η µέγιστη ισχύς που µπορεί να µεταφερθεί στο φορτίο αν Q 2, Q 3 έχουν h 20 Q2 R3 Vcc D1 C3 R4 Rs Q1 Q3 RL + VG3 R2 R5 C5 Απάντηση Αν το µέγιστο ρεύµα ηρεµίας υπάρχει στο συλλέκτη του Q 1, θα είναι 100mA. Τότε η µέγιστη τάση, θα είναι:,,, 6 Άρα η ( ) δεν µπορεί να υπερβεί τα 6V αφού, ύ έ Επίσης το ρεύµα που παρέχει το Q 1 στις βάσεις των Q 2,Q 3, δεν µπορεί να υπερβαίνει τα, 100. Αυτό σηµαίνει ότι το µέγιστο ρεύµα εξόδου στο φορτίο θα είναι: ( ) h 20 100 2 H µέγιστη ισχύς εξόδου στο φορτίο, θα είναι: ( ) ( ) ( ) 2 ( ) 2 2 2 6 2 6 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [9]

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 5 Για τον ενισχυτή του σχήµατος, να βρεθεί το δυναµικό στο σηµείο Α, και η µέγιστη ισχύς εξόδου στο φορτίο Απάντηση 2,2$ Ισχύει I 2,2$! )! )! A! A I 0 (1) Αν Q2 και Q3 είναι ορθά πολωµένα, τότε: I 28 2,2 1,4 26,6 2,2 (2) H τάση στον εκποµπό του Q1 µπορεί να εκφραστεί ως εξής: ) I ) A ) A I 9,1 13! ) I 1$ 0.7 12 1p Το ρεύµα του εκποµπού του Q1 είναι: ) ) Επειδή θα έχω: ) 9,1 13 100 I ) ρ.γ.χλουπησ 9,1 1.300 I και θεωρώντας ότι τα A και Q είναι αµελητέα σε σχέση νε το ), ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [10]

και,. (3) Εξισώνοντας τις (2), (3) έχουµε: 26,6 2.2( 9,1) 1300 15,6 Ιδανικά για να λάβουµε στην έξοδο το µέγιστο απαραµόρφωτο σήµα, η τάση στο Α θα πρέπει να είναι 14 To ρεύµα πόλωσης Ι µπορεί να υπολογιστεί από την (3) µε χρήση 15,6 και θα είναι: 15,6 9.1 1300 5 Πριν υπολογίσουµε τη διαθέσιµη ισχύ εξόδου στο φορτίο, ας ανατρέξουµε στους παράγοντες που επηρεάζουν την ισχύ εξόδου: a) Τάση τροφοδοσίας b) Περιορισµοί ισχύος τρανζίστορ c) Συνθήκες πόλωσης d) Στάθµη σήµατος εισόδου Εδώ, επικεντρωνόµαστε στον c) παράγοντα. Έχουµε από πριν ότι 15.6. H τάση στα άκρα του Q 1 θα είναι: ( 100 ) 15.6 (0.7 0.7 5 10 100) 13.7 Άρα η µέγιστη απαραµόρφωτη διακύµανση στο Q 1 είναι 13,7V. Με ( ) 13.7V, η ισχύς εξόδου, θα είναι: ( ( )) ( 13,7 2 ) 11,7 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [11]

Άσκηση 6 Ένα στάδιο εξόδου τάξης ΑΒ, όµοιο µε το στάδιο εξόδου του παρακάτω κυκλώµατος αλλά που χρησιµοποιεί απλό τροφοδοτικό +10V και πολώνεται µε V 1 =6V, είναι χωρητικά συζευγµένο µε φορτίο 100Ω. Για τρανζίστορ µε V BE =0.7V για 1mA και τάση πόλωσης V BB =1,4V, ποιο είναι το ρεύµα ηρεµίας που προκύπτει; Για βηµατική µεταβολή στην έξοδο από 0 σε -1V, τι βηµατική τάση εισόδου απαιτείται; Υποθέτοντας µηδενικές τάσεις κορεσµού των τρανζίστορ, βρείτε τις µέγιστες θετικές και αρνητικές βηµατικές αποκρίσεις στην έξοδο. ΛΥΣΗ Έχω Ι Q =1mA Για έξοδο -1V θα έχω 10 Με χρήση της εξίσωσης: 0 10 1 0 θα έχω 0,1 10,1 H τάση αυξάνεται κατά ln 10,1 1 0.06 Οπότε η αύξηση στη βηµατική τάση εισόδου θα µας δώσει -1 + (0.06) = -1.06V H µέγιστη θετική βηµατική απόκριση είναι από +6V στα +10V άρα +4V ενώ η µέγιστη αρνητική βηµατική απόκριση είναι από +6 στα 0V, άρα +6V. ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [12]

Άσκηση 7 Ένα στάδιο εξόδου ΑΒ το οποίο χρησιµοποιεί κύκλωµα πόλωσης µε δυο διόδους, όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήµα, χρησιµοποιεί διόδους οι οποίες έχουν το ίδιο εµβαδό ένωσης µε τα τρανζίστορ εξόδου. Για V CC =10V, I bias =0.5mA, R L =100Ω, β Ν =50 και V CEsat =0V, ποιο είναι το ρεύµα ηρεµίας; Ποια είναι τα µέγιστα θετικά και αρνητικά επίπεδα σήµατος εξόδου; Ποια τιµή του β Ν απαιτείται αν το Ι bias δε µεταβάλλεται ώστε να επιτευχθεί µέγιστο θετικό επίπεδο σήµατος εξόδου ίσο µε το αντίστοιχο αρνητικό; Ποιά τιµή του I bias απαιτείται αν το β Ν παραµένει σταθερό στο 50; Για την παραπάνω τιµή πόσο γίνεται το Ι Q ; ΛΥΣΗ αγνοώντας ρεύµα βάσης Q N, αλλιώς 1 1 1 0.49 1 H µέγιστη θετική έξοδος λαµβάνεται όταν όλο το περάσει από τη βάση του Q N, µε αποτέλεσµα τάση εξόδου ( 1) 51 0.5 100 2.55 Η µέγιστη αρνητική έξοδος περιορίζεται µόνο από τον κόρο του Q Ρ δηλαδή είναι -10 + V CE,sat = -10V ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [13]

Άρα για να πετύχουµε τη µέγιστη θετική έξοδο πρέπει να πάρω +10V. Χωρίς να αλλάξω το I bias πρέπει το β Ν να γίνει ( 1) 10 ( 1) 199 Εναλλακτικά, αν το β Ν παραµένει αµετάβλητο και αλλάξω το I bias ( 1) 1.92 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [14]

Άσκηση 8 Ένα στάδιο εξόδου τάξης ΑΒ το οποίο χρησιµοποιεί κύκλωµα πόλωσης µε δύο διόδους, όπως φαίνεται στο σχήµα, χρησιµοποιεί διόδους οι οποίες έχουν το ίδιο εµβαδόν ένωσης µε τα τρανζίστορ εξόδου. Σε θερµοκρασία δωµατίου περίπου 20 ο C το ρεύµα ηρεµίας είναι 1mA και η V BE είναι 0.6V. Λόγω κατασκευαστικού σφάλµατος, δεν υπάρχει θερµική σύζευξη µεταξύ των τρανζίστορ εξόδου και των συνδεδεµένων ως διόδων τρανζίστορ πόλωσης. Μετά από κάποιο χρόνο λειτουργίας, τα στοιχεία εξόδου θερµαίνονται στους 70 ο C ενώ τα στοιχεία πόλωσης παραµένουν στους 20 ο C. Έτσι ενώ η V BE του κάθε στοιχείου παραµένει αµετάβλητη, το ρεύµα ηρεµίας στα στοιχεία εξόδου αυξάνεται. Για να βρείτε τη νέα τιµή του ρεύµατος θυµηθείτε την ύπαρξη δυο φαινοµένων: το Ι S αυξάνεται κατά περίπου 14% / o C και η V T =kt/q µεταβάλλεται εφόσον Τ=(273 ο +θερµοκρασία σε ο C). Μπορείτε να υποθέσετε ότι το β Ν παραµένει σχεδόν σταθερό. Η υπόθεση αυτή βασίζεται στο γεγονός ότι το β αυξάνεται µε τη θερµοκρασία αλλά µειώνεται µε το ρεύµα. Ποια είναι η νέα τιµή του I Q ; Τι επιπρόσθετη ισχύς καταναλώνεται αν τα τροφοδοτικά είναι ±20V; Αν η θερµοκρασία των τρανζίστορ εξόδου αυξηθεί κατά 10 ο C για κάθε W επιπρόσθετης κατανάλωσης ισχύος, ποια είναι η επιπλέον αύξηση της θερµοκρασίας και του ρεύµατος που προκύπτει; ΛΥΣΗ Στους 20 o C, ( ) 1.. ( ) 3.78 10 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [15]

Στους 70 o C, ( ) 3.78 10 (1.14 ) 2.64 10 Αυτό µας δίδει ότι η τάση V T στη θερµοκρασία αυτή θα έχει αυξηθεί σε 25 273 70 273 20 29.3 Οπότε στους 70 o C, το νέο ρεύµα ηρεµίας θα είναι ( ) 2.64 10.. 20.7 Επιπρόσθετο ρεύµα 20.7mA - 1mA = 19.7mA Επιπρόσθετη ισχύς 2 20 19.7 = 0.788W Επιπρόσθετη αύξηση θερµοκρασίας 10 0.788W 7.9 ο C Στους 70+7.9=77.9 ο C έχουµε για την V T 25 273 77.9 273 20 29.9 Οπότε στους 77.9 o C, το νέο ρεύµα ηρεµίας θα είναι (. ) 3.78 10 (1.14. ).. 37.6 Αυτό θα δηµιουργήσει επιπρόσθετο ρεύµα επιπρόσθετη αύξηση θερµοκρασίας κ.ο.κ Έχουµε ΙΑΡΚΗ ΑΥΞΗΣΗ (ΘΕΡΜΙΚΗ ΦΥΓΗ) ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [16]