Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

Σχετικά έγγραφα
Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.


Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Πόλωση των Τρανζίστορ

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

του διπολικού τρανζίστορ

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Υπολογίστε την τάση τροφοδοσίας και τις αντιστάσεις στο παραπάνω κύκλωμα έτσι ώστε να λειτουργεί στο σημείο που δείχνει η ευθεία φόρτου.

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Το διπολικό τρανζίστορ

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2009 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

D 2 D kω 100V 25V

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 27 ΜΑΪΟΥ 2009 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

Ανάδραση. Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Διαφορικοί Ενισχυτές

Ενισχυτικές διατάξεις 1. Εισαγωγή. Περιοριστικοί παράγοντες χρήσης ενός BJT σε ενισχυτές ισχύος

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D

ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΤΟΥ TRANSISTOR ΠΕΙΡΑΜΑ 3

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

ÖÑÏÍÔÉÓÔÇÑÉÏ ÊÏÑÕÖÇ ÓÅÑÑÅÓ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 28 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 2 JUT ΚΑΙ PUT

/personalpages/papageorgas/ download/3/

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

και συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΘΕΜΑΤΑ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ-ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ- ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ, ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΓΡΑΜΜΙΚΟΙ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΤΕΣ. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5

Βασικές Λειτουργίες των TR

Transcript:

Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Το σημείο ηρεμίας επιλέγεται σε μία τιμή πάνω από την αποκοπή (διαφέρει ανάλογα με το τρανζίστορ). Άρα χρειάζεται και επιπλέον ρυθμιστική αντίσταση Το στάδιο εξόδου καταναλώνει ισχύ εν ηρεμία Αυτή η κατανάλωση αυξάνει τη θερμοκρασία των τρανζίστορ. Όταν αυξηθεί η θερμοκρασία, η V BE ελαττώνεται με ρυθμό ~ 2mV/ o C όταν το I C παραμένει σταθερό. Εναλλακτικά, αν η V BE παραμένει σταθερή, και αυξάνεται η θερμοκρασία, θα αυξηθεί και το I C. Αυτό οδηγεί σε αύξηση κατανάλωσης ισχύος που με τη σειρά της αυξάνει το I C θερμική φυγή

Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διόδων Η τάση V BB δημιουργείται με τη διέλευση ρεύματος I BIAS διαμέσου των ορθά πολωμένων διόδων. Το ρεύμα ηρεμίας Ι Q =n*i BIAS όπου n: λόγος μεταξύ εμβαδού ένωσης εκπομπού τρανζίστορ εξόδου προς το εμβαδό ένωσης διόδων πόλωσης. Αρα ρεύμα κορεσμού Ι S τρανζίστορ εξόδου είναι n φορές το ρεύμα κορεσμού διόδων. Εύκολη υλοποίηση σε IC. Οι δίοδοι λειτουργούν αντισταθμιστικά ως προς θερμοκρασιακές μεταβολές. Προστασία από θερμική φυγή σε συνθήκες ηρεμίας Αν οι δίοδοι έχουν παραπλήσια θερμική συμπεριφορά με τα τρανζίστορ εξόδου, η θερμοκρασίας τους θα αυξηθεί κατά το ίδιο ποσό όπως και των τρανζίστορ. Έτσι η V BB θα μειωθεί με τον ίδιο ρυθμό όπως και η V BEN +V EBP, με αποτέλεσμα το I CQ να παραμείνει σταθερό Προσαρμογή διόδων με απευθείας επαφή στη διακριτή σχεδίαση Όταν το στάδιο εξόδου παρέχει ρεύμα στο φορτίο ΙQ του ΝΡN αυξάνεται από ΙQ/βΝ (σχετικά μικρή τιμή) σε περίπου il/βν. Από πού θα προέλθει το ζητούμενο ρεύμα βάσης? Από την πηγή ρεύματος I BIAS. Αρα το I BIAS πρέπει να είναι μεγαλύτερο από την μέγιστη προβλεπόμενη τιμή του ρεύματος βάσης του ΝΡΝ. Όμως, σε κάθε περίπτωση όταν ζητείται ρεύμα από το φορτίο θα μειώνεται το ρεύμα διαμέσου των διόδων θα μειώνεται και η VBB. Στην πράξη θα βλέπετε >2 διόδους

Ενισχυτικές Διατάξεις 3 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διόδων I I I I in 1 B1 B2 If V out =0 & β 1 =β 2 >>1 => I B1 =I B2 I in

Ενισχυτικές Διατάξεις 4 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διόδων V D1 V BE V out V in If I 1 =I 2 & I B1 I B2 I in =0 when V out =0

Ενισχυτικές Διατάξεις 5 Πόλωση τάξης ΑΒ προσθήκη CE Ένα στάδιο CE (Q 4 ) προστίθεται προκειμένου να παρέχει την απαιτούμενη απολαβή τάσης στο στάδιο εξόδου Q 1 and Q 2.

Ενισχυτικές Διατάξεις 6 Παράδειγμα 2

Ενισχυτικές Διατάξεις 7 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση πολλαπλασιαστή V BE

Ενισχυτικές Διατάξεις 8 Παράδειγμα 3

Ενισχυτικές Διατάξεις 9 I I I I s 1 C5 B1 Κύκλωμα πόλωσης push-pull V BB 1 R R 1 2 V BE5 Προφανώς ισχύει V V 2I R V V BB BE1 BE3 o E EB4 EB2 Q3, Q4 σε ψυκτρα

Ενισχυτικές Διατάξεις 10 Κυκλωματικές βελτιώσεις τάξης ΑΒ Προστασία βραχυκυκλώματος εξόδου Βραχυκύκλωμα θα υπάρξει μεγάλο ρεύμα διαμέσου του Q1. Υπό συνήθεις συνθήκες λειτουργίας το Q5 είναι σε αποκοπή διότι η τάση που αναπτύσσεται στα άκρα της RE1 είναι μικρότερη από 0.7V. Αν το ΙΕ1 υπερβεί μία τιμή ίση με ΙΕ1=0.7V/RE1 τότε Μεγάλο ρεύμα μεγάλη πτώση τάσης στην RE1 Q5 άγει Ο συλλέκτης του Q5 θα τραβήξει το μεγαλύτερο μέρος του I BIAS άρα θα «κλέψει» το πλεονάζον ρεύμα βάσης του Q1. Άρα το Q1 θα σταματήσει να τροφοδοτεί με ρεύμα το βραχυκυκλωμένο φορτίο. Μειονέκτημα: Η RE2 είναι σε σειρά με την έξοδο αυξάνεται η Ro του CC πτώση τάσης ~ 0.6V αναμένεται μείωση της μέγιστης τάσης εξόδου κατά αυτή την τιμή

Ενισχυτικές Διατάξεις 11 Κυκλωματικές βελτιώσεις τάξης ΑΒ (συν.) Θερμική προστασία Κύκλωμα που ενεργοποιείται και αποκόπτει το τρανζίστορ εξόδου. Είναι έτσι συνδεδεμένο ώστε όταν γίνει η θερμοκρασιακή υπέρβαση, να άγει ένα τρανζίστορ και να απορροφά ρεύμα πόλωσης (στην ουσία να διακόπτει τη λειτουργία του. Λειτουργία: Q2 εκτός λειτουργίας σε Κ.Σ. Αν αυξηθεί η θερμοκρασία, τότε λόγω θετικού συντελεστή θερμοκρασίας της zener και αρνητικού συντελεστή θερμοκρασίας της VBE αυξάνεται η VE του Q1 αυξάνεται η τάση VB2 το Q2 άγει και απορροφά το πλεονάζον ρεύμα