Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1"

Transcript

1 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ Ισοδύναμα κυκλώματα στις υψηλές συχνότητες Συμπεριφορά των διπολικών τρανζίστορ (BJT) στις υψηλές συχνότητες Μεταβολή των παραμέτρων του τρανζίστορ BJT στις Υ.Σ Iσοδύναμα κυκλώματα των τρανζίστορ BJT στις Υ.Σ H συμπεριφορά των τρανζίστορ FET στις υψηλές συχνότητες Ισοδύναμο κύκλωμα των τρανζίστορ FET στις Υ.Σ Ανώτερη συχνότητα αποκοπής ενός ενισχυτή Φαινόμενο Μίλερ (Miller effect) Απλός ενισχυτής σε υψηλές συχνότητες Ενισχυτής κοινού εκπομπού στις υψηλές συχνότητες Ενισχυτής κοινής βάσης στις υψηλές συχνότητες Ενισχυτής κοινού συλλέκτη (ακόλουθος εκπομπού) στις υψηλές συχνότητες Ενισχυτής κοινής πηγής (JFET ή MOSFET) στις υψηλές συχνότητες Πολυβάθμιος ενισχυτής στις υψηλές συχνότητες Τελεστικός ενισχυτής στις υψηλές συχνότητες Μέθοδοι αντιστάθμισης στους τελεστικούς ενισχυτές Μονολιθικοί ενισχυτές υψηλών συχνοτήτων Ενισχυτής κασκόντ (cascode) Ενισχυτής ευρείας ζώνης Υ.Σ (video) Υπολογιστικές ασκήσεις... 44

2 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 2 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ 2.1 Ισοδύναμα κυκλώματα στις υψηλές συχνότητες Συμπεριφορά των διπολικών τρανζίστορ (BJT) στις υψηλές συχνότητες T ο τρανζίστορ BJT, ως γνωστό, αποτελείται από δυο επαφές ΡΝ, την επαφή συλλέκτη-βάσης και την επαφή βάσης-εκπομπού. Εφόσον αποτελείται από επαφές ΡΝ έχουμε και χωρητικότητες λόγω επαφών. Στην επαφή που πολώνεται ανάστροφα έχουμε μεταβολή της χωρητικότητας, που είναι αντιστρόφως ανάλογη με την εφαρμοζόμενη ανάστροφη τάση σε αυτή. Συνεπώς, όσο αυξάνεται το πλάτος του φράγματος στην περιοχή απογύμνωσης, μικραίνει η χωρητικότητα επαφής. Επίσης, οι χωρητικότητες μεταξύ των ηλεκτροδίων του τρανζίστορ δεν επηρεάζουν τη λειτουργία του στις χαμηλές συχνότητες. Αντίθετα, στις υψηλές συχνότητες επηρεάζουν σε μεγάλο βαθμό τη λειτουργία του. Στο σχήμα 2.1.1(α) φαίνονται οι χωρητικότητες των επαφών μεταξύ των ακροδεκτών του τρανζίστορ BJT. Αυτές οι χωρητικότητες είναι εσωτερικά στο τρανζίστορ και δεν έχουν καμιά σχέση με τις εξωτερικές χωρητικότητες των καλωδιώσεων. Αυτές μεταβάλλονται με τις εφαρμοζόμενες πολώσεις στους ακροδέκτες του τρανζίστορ. Η χωρητικότητα συλλέκτη-βάσης (C cb ) μειώνεται, όταν αυξάνεται η ανάστροφη τάση στο συλλέκτη. Στο σχ (β) φαίνεται η μείωση της χωρητικότητας C cb σε ένα τυπικό τρανζίστορ, όταν αυξάνεται η ανάστροφη τάση στο κύκλωμα του συλλέκτη. Οι μετρήσεις πάρθηκαν με σταθερό ρεύμα εκπομπού (Ι Ε =1mA). Η μείωσή της οφείλεται στην αύξηση του πλάτους του φράγματος στην περιοχή απογύμνωσης της επαφής μεταξύ συλλέκτη-βάσης. Η αύξηση του πλάτους του φράγματος μοιάζει με την αύξηση της απόστασης μεταξύ των πλακών ενός πυκνωτή.

3 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 3 Σχήμα Οι εσωτερικές χωρητικότητες επαφών ενός BJT Όπως είναι γνωστό από την ηλεκτροτεχνία, η χωρητικότητα ενός πυκνωτή είναι ανάλογη της επιφάνειας των πλακών και αντιστρόφως ανάλογη της απόστασής τους. Στην επαφή ΡΝ, ως απόσταση των πλακών, θεωρείται το πλάτος του φράγματος της περιοχής απογύμνωσης. Όταν το ρεύμα εκπομπού Ι Ε αυξάνεται, αυξάνεται επίσης και το ρεύμα συλλέκτη Ι C. Η αύξηση του ρεύματος συλλέκτη, μειώνει το πλάτος του φράγματος, με αποτέλεσμα την αύξηση της χωρητικότητας C cb. Στο σχ (γ) φαίνεται η μεταβολή της χωρητικότητας C cb σε συνάρτηση με το ρεύμα εκπομπού Ι Ε. Οι μετρήσεις πάρθηκαν με σταθερή τάση συλλέκτη (V CB =6V). Σε εφαρμογές ενισχυτών πολύ υψηλών συχνοτήτων η χωρητικότητα C cb δημιουργεί εσωτερική αρνητική ανατροφοδότηση, από την οποία, εκτός του περιορισμού της λειτουργίας τους σε χαμηλότερες συχνότητες, κινδυνεύουν και από ταλαντώσεις. Τα τρανζίστορ που προορίζονται για πολύ υψηλές συχνότητες έχουν χαμηλότερες τιμές της χωρητικότητας C cb. Αυτή κυμαίνεται από 2pF για τα τρανζίστορ πολύ υψηλών συχνοτήτων έως 50pF για τα τρανζίστορ χαμηλών συχνοτήτων. Η χωρητικότητα συλλέκτη-εκπομπού (C ce ) οφείλεται στην επαφή ΡΝ και συνήθως είναι 5 έως 10 φορές μεγαλύτερη από τη χωρητικότητα C cb. Αυτή μεταβάλλεται όπως η χωρητικότητα C cb. Επειδή η χωρητικότητα συλλέκτη - εκπομπού έχει μεγαλύτερη τιμή από τη χωρητικότητα συλλέκτη-βάσης έχει καλύτερη απόκριση στις υψηλές συχνότητες. Η χωρητικότητα μεταξύ βάσηςεκπομπού, επειδή πολώνεται ορθά έχει μικρό πλάτος φράγματος και συνεπώς, έχει πολύ μεγάλη τιμή. Επειδή όμως, έχει παράλληλά της την αντίσταση r b, που είναι πολύ μικρή, δε δημιουργεί σοβαρό πρόβλημα.

4 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 4 Η χωρητικότητα C cb, αν και στις υψηλές συχνότητες (Υ.Σ) παρουσιάζει προβλήματα, προσφέρει τις υπηρεσίες της στους διαμορφωτές συχνότητας μια και έχει τα χαρακτηριστικά της διόδου βάρικαπ. Άλλοι παράγοντες που επηρεάζουν τη λειτουργία των ενισχυτών Υ.Σ (RF), είναι οι παρασιτικές χωρητικότητες μεταξύ των ηλεκτροδίων του τρανζίστορ και των καλωδιώσεων του τυπωμένου κυκλώματος. Για μια καλή κατασκευή στις Υ.Σ γενικά, προσέχουμε τα ακόλουθα : 1. Το υλικό κατασκευής των τυπωμένων κυκλωμάτων (Teflon-Fiberglass για μικροκύματα ή microstrips και FR-4 για κατασκευές χαμηλού κόστους). 2. Την ποιότητα των τυπωμένων κυκλωμάτων κατά τη σχεδίασή τους. 3. Τον τρόπο σύνδεσης των γειώσεων (ground plane). 4. Την ποιότητα και την τοποθέτηση των εξαρτημάτων. 5. Τη σωστή συγκόλληση των εξαρτημάτων (η κακή συγκόλληση δημιουργεί παρασιτική χωρητικότητα, που δεν έχει προβλέψει ο σχεδιαστής του κυκλώματος, με απρόβλεπτες συνέπειες). Κατά το σχεδιασμό των κυκλωμάτων Υ.Σ λαμβάνουμε υπόψη όλες τις παρασιτικές χωρητικότητες, λόγω καλωδιώσεων, στην είσοδο και στην έξοδο του ενισχυτή και τις συμβολίζουμε με C W (Wired capacitance) Μεταβολή των παραμέτρων του τρανζίστορ BJT στις Υ.Σ Η συμπεριφορά ενός τρανζίστορ BJT στις υψηλές συχνότητες εξαρτάται επίσης, από το πως συμπεριφέρονται κάποιες παράμετροί του σε αυτές. Σε κάθε συνδεσμολογία χρησιμοποιούνται διαφορετικές παράμετροι, των οποίων οι τιμές δίνονται από τον κατασκευαστή στα φύλλα πληροφοριών (data sheets). Σε αρκετές περιπτώσεις, ο κατασκευαστής του τρανζίστορ αναφέρει τις τιμές μιας ή δυο παραμέτρων, ενώ κατά το σχεδιασμό διατάξεων, πιθανώς, να χρειάζονται περισσότερες. Προκειμένου λοιπόν, να χρησιμοποιηθεί το κατάλληλο τρανζίστορ σε ένα κύκλωμα, πρέπει να γνωρίζει ο σχεδιαστής πως μεταβάλλονται οι παράμετροί του σε συνάρτηση με τη συχνότητα. Επίσης, πρέπει να γνωρίζει ποιες σχέσεις ισχύουν μεταξύ των παραμέτρων της ίδιας ή διαφορετικής συνδεσμολογίας. Οι βασικότερες παράμετροι που χρησιμοποιούνται στις υψηλές συχνότητες είναι καταχωρημένες στον πιν

5 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 5 Πίνακας Οι βασικότερες παράμετροι του τρανζίστορ στις Υ.Σ. α ή h fb α o ή h fbo f α ή f ab β ή h fe Απολαβή ρεύματος σε συνδεσμολογία κοινής βάσης Η τιμή του α (h fb ) στις μεσαίες συχνότητες (1ΚHz). Συχνότητα αποκοπής σε συνδεσμολογία κοινής βάσης, στην οποία η παράμετρος α o (h fbo ) μειώνεται κατά 3dB. Απολαβή ρεύματος σε συνδεσμολογία κοινού εκπομπού. f β ή f ae f T G e ή G pe f max Συχνότητα αποκοπής του τρανζίστορ σε συνδεσμολογία κοινού εκπομπού, στην οποία το β ο (h feo ) μειώνεται κατά 3 db. Συχνότητα, στην οποία η απολαβή ρεύματος σε συνδεσμολογία κοινού εκπομπού, παίρνει την τιμή της μονάδας (h fe =1 ή O db). Απολαβή ισχύος σε συνδεσμολογία κοινού εκπομπού. Συχνότητα, στην οποία το τρανζίστορ ταλαντώνεται. Η τιμή του G e σε αυτή τη συχνότητα παίρνει την τιμή της μονάδας G e =1 (0 db). β ο ή h feo Η τιμή του β (h fe ) στις μεσαίες συχνότητες (1ΚHz). K Θ Συντελεστής ολίσθησης φάσης του τρανζίστορ (ολίσθηση φάσης ρεύματος βάσης). Στο σχ φαίνονται οι μεταβολές των παραμέτρων α (h fb ) και β (h fe ) σε συνάρτηση με τη συχνότητα. Στο σχ (α) η παράμετρος α (h fb ) διατηρείται σταθερή και ίση με την α o ( h fbo ) μέχρι μια συγκεκριμένη συχνότητα. Η συχνότητα αυτή, είναι η συχνότητα αποκοπής f α του τρανζίστορ σε συνδεσμολογία κοινής βάσης. Στη συχνότητα αυτή η παράμετρος α μειώνεται στα 0,707 της μέγιστης τιμής α o (μείωση κατά 3 db). Για συχνότητες μεγαλύτερες της f α η παράμετρος α μειώνεται κατά 20 db ανά δεκάδα (20 db /decade) ή 6 db ανά οκτάβα (6 db/octave). Δηλαδή, για κάθε δεκαπλασιασμό της συχνότητας πάνω από την f α έχουμε υποδεκαπλασιασμό της τιμής της παραμέτρου α. Παράδειγμα, για τη συχνότητα 10 f α η τιμή της παραμέτρου α είναι κατά 23 db (3+20) μικρότερη από την α o. Η οκτάβα δηλώνει διπλασιασμό της συχνότητας.

6 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 6 Παράδειγμα, για τη συχνότητα 2 f α η τιμή της παραμέτρου α είναι κατά 9 db (3+6) μικρότερη από την α o. Στο σχ.2.1.2(β) η παράμετρος β (h fe ) διατηρείται σταθερή και ίση με την β o (h feo ) μέχρι μια συγκεκριμένη συχνότητα. Η συχνότητα αυτή είναι η συχνότητα αποκοπής f β του τρανζίστορ σε συνδεσμολογία κοινού εκπομπού. Στη συχνότητα αυτή, η παράμετρος β μειώνεται στα 0,707 της μέγιστης τιμής β o (μείωση κατά 3 db). Για συχνότητες μεγαλύτερες της f α η παράμετρος β, όπως και η α, μειώνεται κατά 20 db ανά δεκάδα (20 db /decade) ή 6 db ανά οκτάβα (6 db /octave). Η συχνότητα αποκοπής f α του τρανζίστορ είναι μεγαλύτερη από τη συχνότητα αποκοπής f β. H f α, προσεγγιστικά είναι κατά 1,2 φορές μεγαλύτερη από την f T. Επομένως, ένα τρανζίστορ σε συνδεσμολογία κοινής βάσης έχει πολύ μεγαλύτερη συχνότητα αποκοπής από τη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού (περίπου β ο φορές μεγαλύτερη). Σχήμα Μεταβολή των παραμέτρων α και β σε συνάρτηση με τη συχνότητα Αν λάβουμε υπόψη μας, ότι το φαινόμενο Μίλερ (βλέπε ενότητα 2.2) επιδρά πολύ περισσότερο στη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού παρά στη συνδεσμολογία κοινής βάσης, τότε η ιδιότητα αυτή επιτρέπει στη συνδεσμολογία κοινής βάσης να εργάζεται σε μεγαλύτερες συχνότητες από τη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού. H παράμετρος f T είναι η συχνότητα, στην οποία η παράμετρος β παίρνει την τιμή της μονάδας. Αυτή υπολογίζεται από τη σχέση (2.1.1). f T = β f (2.1.1) 0 β Επειδή, η παράμετρος f β είναι το εύρος ζώνης συχνοτήτων του τρανζίστορ και το β o είναι η απολαβή ρεύματος, η παράμετρος f T αναφέρεται και ως

7 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 7 γινόμενο απολαβής επί εύρος ζώνης (gain bandwidth product). H ίδια σχέση ισχύει και για οποιαδήποτε άλλη συχνότητα μεγαλύτερη από την f β. Για παράδειγμα, αν ένα τρανζίστορ στη συχνότητα 10ΜΗz έχει β=20, τότε η παράμετρος f T είναι 20x10 ΜΗz =200 ΜΗz. Επίσης, μπορούμε να χρησιμοποιήσουμε το νομόγραμμα του σχ Με αυτό μπορούμε να επιλύσουμε πιο σύνθετα προβλήματα με σχετική ευκολία. Τα τρανζίστορ που χρησιμοποιούνται στα κυκλώματα υψηλών συχνοτήτων έχουν f T, που κυμαίνεται από 500 ΜΗz έως 40 GΗz, ενώ τα τρανζίστορ γενικής χρήσης έχουν f T, που κυμαίνεται από 50 ΜΗz έως 500 ΜΗz. Παράδειγμα Η απολαβή ρεύματος ενός τρανζίστορ σε συνδεσμολογία κοινού εκπομπού είναι 18 db στη συχνότητα 25 ΜΗz. Nα υπολογιστεί με τη χρήση του νομογράμματος του σχ η απολαβή ρεύματος στη συχνότητα των 100 ΜΗz. Λύση Σημειώνουμε στην κλίμακα της παραμέτρου β τον αριθμό 18 db και στην κλίμακα της συχνότητας f την τιμή 25 ΜΗz. Με αυτά τα δυο σημεία χαράζουμε ευθεία γραμμή μέχρι να τμήσει την κλίμακα της παραμέτρου f Τ. Η τιμή που αναγράφεται σε εκείνο το σημείο, είναι η απολαβή ρεύματος επί το εύρος ζώνης(f Τ ). Επομένως, αν χαράξουμε ευθεία από αυτό το σημείο, η οποία να τέμνει τη συχνότητα f στην τιμή 100ΜΗz, θα μας δώσει την αντίστοιχη τιμή του β που είναι 6 db. Μια άλλη ακόμη ευκολία που μας προσφέρει το νομόγραμμα, είναι η μετατροπή από db σε σχετικό πλάτος και αντίστροφα. Στην τιμή των 18 db αντιστοιχεί σχετικό πλάτος 8 και στην τιμή των 6 db αντιστοιχεί σχετικό πλάτος 2. Μια επαλήθευση των τιμών είναι να έχουν το ίδιο γινόμενο, δηλαδή 8x25=2x100=200.

8 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 8 Σχήμα Νομόγραμμα μεταξύ β και f T Η παράμετρος f Τ δεν είναι σταθερή για κάποιο συγκεκριμένο τρανζίστορ, αλλά μεταβάλλεται ανάλογα με την τιμή του ρεύματος συλλέκτη. Το σχ δείχνει τη μεταβολή της παραμέτρου f Τ σε συνάρτηση με το ρεύμα συλλέκτη Ι c. Oι μετρήσεις έχουν παρθεί για ένα τυπικό τρανζίστορ με σταθερή τάση V CE και σε κανονική θερμοκρασία περιβάλλοντος (25 ο C).

9 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 9 Σχήμα Μεταβολή της παραμέτρου f Τ σε συνάρτηση του Ι C Όπως ήδη σχολιάσαμε, ο κάθε κατασκευαστής τρανζίστορ δεν δίνει πάντα όλες τις παραμέτρους. Μπορούμε όμως, να χρησιμοποιήσουμε τις ακόλουθες σχέσεις μετατροπής μεταξύ των α ο και β ο, καθώς επίσης, μεταξύ των f α και f β. Μετατροπή παραμέτρων β 0 a0 = 1 a 0 (2.1.2) a 0 β 0 = 1 + β 0 (2.1.3) f = Kϑ ( 1 a ) f β 0 a (2.1.4) f a = f β Kϑ ( 1 a ) 0 (2.1.5) Οι τιμές του συντελεστή ολίσθησης φάσης Κθ, κυμαίνονται μεταξύ 0,5 και 1. Στα περισσότερα τρανζίστορ κυμαίνονται από 0,8 έως 1. Στην περίπτωση που δεν ορίζεται ακριβώς η τιμή του Κθ, είναι προτιμότερο να λαμβάνεται ίση με 0,8. Με τη βοήθεια των σχέσεων (2.1.2) έως (2.1.5) μπορούμε να υπολογίσουμε οποιαδήποτε παράμετρο. Δεν πρέπει όμως να παραμελούμε το γεγονός, ότι οι τιμές των παραμέτρων εξαρτώνται από το ρεύμα που διαρρέει το τρανζίστορ και

10 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 10 από την τάση λειτουργίας του. Για το λόγο αυτό, τα αποτελέσματα των υπολογισμών θα αναφέρονται σε συγκεκριμένη τάση και ρεύμα, που αναφέρει ο κατασκευαστής για κάθε παράμετρο στα φύλλα πληροφοριών. Στο σχ δίνεται ένα διάγραμμα αντιστοιχίας μεταξύ του β ο και του α ο. Αν θέλουμε να βρούμε με γραφικό τρόπο την αντιστοιχία μεταξύ του β ο και του α ο, όταν δίνεται π.χ. β ο =100, ακολουθούμε την εξής διαδικασία: Από την τιμή β ο =100 ακολουθούμε την κάθετη γραμμή που ξεκινά από αυτή μέχρι να συναντήσουμε την καμπύλη. Από το σημείο τομής της ευθείας γραμμής και της καμπύλης, χαράσσουμε οριζόντια ευθεία γραμμή μέχρι να τμήσει τον άξονα του α ο. Η τιμή που αντιστοιχεί στο α ο είναι 0,99. Αν χρησιμοποιήσουμε τη σχέση (2.1.3) προκύπτει η ίδια τιμή. = β β = = 099, a α ο β ο Σχήμα Αντιστοιχία μεταξύ β ο και α ο Αν όμως, η τιμή του β ο είναι 150, τότε με τη γραφική μέθοδο είναι δύσκολο να προσδιορίσουμε επακριβώς την αντίστοιχη τιμή του α ο. Η μέγιστη συχνότητα ταλάντωσης f max δεν καταχωρείται στα φύλλα πληροφοριών των κατασκευαστών και καλούμαστε εμείς να την υπολογίσουμε. H μέγιστη συχνότητα ταλάντωσης υπολογίζεται, αν μετρήσουμε την απολαβή ισχύος, σε μια συχνότητα μεγαλύτερη από τη συχνότητα αποκοπής f β του

11 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 11 τρανζίστορ. Στο φύλλο πληροφοριών του σχ.2.1.7, στο τμήμα των χαρακτηριστικών για τις υψηλές συχνότητες (High frequency characteristics), διαβάζουμε την τιμή της απολαβής ισχύος για συνδεσμολογία κοινού εκπομπού [ Power gain (common emitter)], η οποία είναι G e =17dB στη συχνότητα f = 5ΜΗz. Η σχέση που μας δίνει τη μέγιστη συχνότητα ταλάντωσης είναι: Μέγιστη συχνότητα ταλάντωσης f = max f G (2.1.6) e όπου, f η συχνότητα, στην οποία έγινε η μέτρηση της απολαβής ισχύος G e (στη συγκεκριμένη περίπτωση 5 ΜΗz). H G e πρέπει να δίνεται σε σχετικό πλάτος και όχι σε db. Για τη μετατροπή της απολαβής ισχύος G e σε σχετικό πλάτος χρησιμοποιούμε τη σχέση (2.1.7). Σχετικο πλατος=10 (απολαβη ισχυος σε db/10 ) (2.1.7) Το σχετικό πλάτος για απολαβή ισχύος των 17dB είναι 10 (17/10) = 50. Επομένως, η μέγιστη συχνότητα ταλάντωσης f max, χρησιμοποιώντας τη σχέση (2.1.6) είναι : f = f G = max e MHz Στο σχήμα φαίνεται ένα νομόγραμμα υπολογισμού της f max με γραφικό τρόπο. Αν χαράξουμε την ευθεία που ενώνει τα 17dB με τη συχνότητα f = 5MHz και την προεκτείνουμε, θα τμήσει την κλίμακα της f max στα 35MHz. Το νομόγραμμα διαθέτει επίσης, μετατροπή σχετικού πλάτους σε db και αντίστροφα.

12 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 12 Σχήμα Νομόγραμμα υπολογισμού μέγιστης συχνότητας ταλάντωσης f max

13 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 13 Σχήμα Φύλλο Πληροφοριών (data sheet) του τυπικού τρανζίστορ 2Ν Iσοδύναμα κυκλώματα των τρανζίστορ BJT στις Υ.Σ.

14 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 14 Για τα τρανζίστορ BJT έχουν αναπτυχθεί αρκετά μοντέλα ισοδυνάμων κυκλωμάτων για τις υψηλές συχνότητες. Στην παρούσα ενότητα, θα εξετάσουμε δυο απλά μοντέλα που χρησιμοποιούν οι σχεδιαστές. Στο σχ.2.1.8(α) φαίνεται το ισοδύναμο πρότυπο υβριδικού Π για τρανζίστορ κοινού εκπομπού (Κ.Ε) στις Υ.Σ. Σχήμα Ισοδύναμο πρότυπο υβριδικού Π για τρανζίστορ Κ.Ε στις Υ.Σ Η αντίσταση r bb είναι αρκετά μικρή και ασφαλώς μπορούμε να την αγνοήσουμε. Επίσης, η r b c και η r ce είναι αρκετά μεγάλες για να αλλάξουν τα αποτελέσματα. Λαμβάνοντας υπόψη μας αυτά, καταλήγουμε στο απλοποιημένο υβριδικό πρότυπο Π για συνδεσμολογία Κ.Ε στις Υ.Σ του σχ.2.1.8(β). Στον πίν φαίνονται οι αντιστοιχίες των παραμέτρων της συνδεσμολογίας Κ.Ε του τρανζίστορ στις Υ.Σ με τις h παραμέτρους. H τιμή 0,026 υπολογίστηκε για θερμοκρασία συνθηκών δωματίου (25 ο C). Aν θέλουμε να την υπολογίσουμε για άλλη θερμοκρασία, τότε χρησιμοποιούμε τη σχέση (2.1.8). όπου Τ, η θερμοκρασία σε βαθμούς Κέλβιν (Kelvin). T VT = (2.1.8)

15 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 15 Για να μετατρέψουμε τους βαθμούς Κελσίου σε βαθμούς Κέλβιν, προσθέτουμε στη θερμοκρασία των βαθμών Κελσίου τον αριθμό 273 (T = 273+ θ o C). Πίνακας παράμετροι συνδεσμολογίας Κ.Ε. g m r b e r bb r b c g ce I c h fe rbe ' 0, 026 g hie rb ' e h hoe [( 1 + hfe ) / rb ' c ] m re H χωρητικότητα C be υπολογίζεται προσεγγιστικά από τη σχέση (2.1.9). C be gm = (2.1.9) 2π f T Στο σχ φαίνεται το απλοποιημένο ισοδύναμο κύκλωμα ενός τρανζίστορ σε συνδεσμολογία Κ.Ε στις Υ.Σ, για r παραμέτρους. Σχήμα Απλοποιημένο r πρότυπο για συνδεσμολογία Κ.Ε στις Υ.Σ Η αντίσταση r b είναι ίση με β r e ή προσεγγιστικά από τη σχέση (2.1.10). h fe r e. Η χωρητικότητα C be υπολογίζεται C be 1 = 2π f T r e (2.1.10) Aν συγκρίνουμε τις σχέσεις (2.1.9) και (2.1.10) προκύπτει, ότι g m =1/r e.

16 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες H συμπεριφορά των τρανζίστορ FET στις υψηλές συχνότητες Όπως ένα τρανζίστορ BJT, έτσι και ένα τρανζίστορ FET (JFET ή MOSFET) έχει ενδοχωρητικότητες, που επηρεάζουν τη λειτουργία του στις υψηλές συχνότητες. Στο σχ φαίνονται οι ενδοχωρητικότητες μεταξύ των ηλεκτροδίων του FET. H χωρητικότητα C gd είναι η ενδοχωρητικότητα μεταξύ απαγωγού (drain) και πύλης (gate). H χωρητικότητα C gs είναι η ενδοχωρητικότητα μεταξύ πύλης και πηγής (source) και η C ds είναι η ενδοχωρητικότητα μεταξύ απαγωγού και πηγής. Σχήμα Ενδοχωρητικότητες στα τρανζίστορ FET Ισοδύναμο κύκλωμα των τρανζίστορ FET στις Υ.Σ Στο σχ φαίνεται το ισοδύναμο κύκλωμα ενός τρανζίστορ FET (JFET ή MOSFET) κοινής πηγής στις Υ.Σ. Η παράμετρος g m είναι η διαγωγιμότητα του FET. Tα MOSFET, λόγω της μονωμένης πύλης που διαθέτουν, έχουν μικρότερες χωρητικότητες και ασφαλώς μεγαλύτερες συχνότητες λειτουργίας.

17 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 17 Σχήμα Απλοποιημένο ισοδύναμο κύκλωμα σε συνδεσμολογία κοινής πηγής Ανώτερη συχνότητα αποκοπής ενός ενισχυτή H παρουσία χωρητικοτήτων στην είσοδο και στην έξοδο ενός ενισχυτή επηρεάζει το εύρος ζώνης συχνοτήτων του ενισχυτή. Οι ολικές χωρητικότητες εισόδου και εξόδου σε ένα ενισχυτή, είναι παράλληλα στη σύνθετη αντίσταση εισόδου και εξόδου, αντίστοιχα. Έτσι, σχηματίζουν φίλτρα αποκοπής υψηλών συχνοτήτων. Η ανώτερη συχνότητα αποκοπής (μέγιστη συχνότητα λειτουργίας) είναι εκείνη, στην οποία η απόλυτη απολαβή τάσης μειώνεται κατά 3dB (στα 0,707 της μέγιστης τιμής). Στο σχ φαίνεται το ισοδύναμο κύκλωμα ενός ενισχυτή στις Υ.Σ. Η σύνθετη αντίσταση εισόδου z i συμπεριλαμβάνει και την ισοδύναμη αντίσταση πόλωσης. Η ολική χωρητικότητα στην είσοδο του ενισχυτή συμβολίζεται με C A και η ολική χωρητικότητα στην έξοδο του ενισχυτή συμβολίζεται με C L. Εφόσον υπάρχουν δυο φίλτρα αποκοπής Υ.Σ (ένα στην είσοδο και ένα στην έξοδο), έχουμε δύο συχνότητες αποκοπής. Η συχνότητα αποκοπής στην είσοδο του ενισχυτή συμβολίζεται με f A και υπολογίζεται από τη σχέση (2.1.11). όπου, R i = ( r s z i ). f A 1 = = 2π R C 0, 159 R C i A i A (2.1.11) Η συχνότητα αποκοπής στην έξοδο του ενισχυτή συμβολίζεται με f Β υπολογίζεται από τη σχέση (2.1.12). και

18 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 18 f B 1 0, 159 = = 2π R C R C 0 L 0 L (2.1.12) όπου, R 0 = (z ο R L ). Σχήμα Ισοδύναμο κύκλωμα ενός ενισχυτή στις Υ.Σ Η ανώτερη συχνότητα αποκοπής f 2 είναι ο συνδυασμός αυτών των δύο συχνοτήτων, αλλά και της συχνότητας αποκοπής του τρανζίστορ (BJT ή FET). Αν η μια από την άλλη απέχουν αρκετά, τότε η ανώτερη συχνότητα αποκοπής είναι η μικρότερη από αυτές. Αν όμως, είναι κοντά η μία στην άλλη, τότε η ανώτερη συχνότητα αποκοπής είναι μικρότερη και από τη μικρότερη των τριών. Σε αυτή την περίπτωση, η ανώτερη συχνότητα αποκοπής δίνεται προσεγγιστικά από τη σχέση (2.1.13).

19 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 19 f 2 = 09, [ f A] [ fb] [ f β ] ( ) Στη συχνότητα αποκοπής του τρανζίστορ έχει τοποθετηθεί η συχνότητα αποκοπής f β για ενισχυτή Κ.Ε. Αν είναι ενισχυτής σε συνδεσμολογία κοινής βάσης, τοποθετούμε την f α. Προσέξτε τους δείκτες στις δυο τελευταίες συχνότητες, ο ένας είναι Β κεφαλαίο και ο άλλος β μικρό (συμβολίζουν διαφορετικές συχνότητες). Από τις σχέσεις (2.1.11) και (2.1.12) καταλήγουμε στο συμπέρασμα, ότι η ανώτερη συχνότητα αποκοπής είναι αντιστρόφως ανάλογη του γινομένου R C (σταθερά χρόνου). Όσο πιο μικρές είναι οι σύνθετες αντιστάσεις εισόδου και εξόδου του ενισχυτή και όσο πιο μικρές είναι οι ολικές χωρητικότητες στην είσοδο και στην έξοδο του ενισχυτή, τόσο μεγαλύτερη γίνεται η ανώτερη συχνότητα αποκοπής. Με λίγα λόγια, οι σταθερές χρόνου των φίλτρων αποκοπής υψηλών συχνοτήτων εισόδου και εξόδου καθορίζουν την ανώτερη συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή. Η απόλυτη απολαβή τάσης των συχνοτήτων που βρίσκονται πάνω από την ανώτερη συχνότητα αποκοπής f 2 υπολογίζεται από τη σχέση ( ). A = A m f + 1 f 2 2 (2.1.14) όπου, Α m η απόλυτη απολαβή τάσης στις μεσαίες συχνότητες. Η σχέση (2.1.14) δηλώνει, ότι όσο αυξάνει η συχνότητα μικραίνει η απολαβή τάσης του ενισχυτή. Η εξασθένηση του σήματος για συχνότητες μεγαλύτερες από την ανώτερη συχνότητα αποκοπής είναι 20dB ανά δεκάδα (6dB ανά οκτάβα). Για κάθε άλλη συχνότητα αποκοπής που συναντάμε πέρα την ανώτερη συχνότητα αποκοπής έχουμε μια πρόσθετη εξασθένηση κατά 20 db ανά δεκάδα. Μετά τη δεύτερη έχουμε εξασθένηση κατά 40 db ανά δεκάδα, μετά την τρίτη έχουμε εξασθένηση κα τά 60 db ανά δεκάδα, κ.λ. Παράδειγμα Ο ενισχυτής του σχ έχει απολαβή τάσης στις μεσαίες συχνότητες Α m =100. Tα δεδομένα του κυκλώματος είναι : r s =800Ω, C A =800pF, z i =4KΩ, zo =500Ω, C L =50pF, R L =20KΩ, και f β =100ΜΗz. Nα βρεθούν :

20 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 20 (α) Η κατά προσέγγιση ανώτερη συχν ότητα αποκοπής του ενισχυτή. (β) Η κατά προσέγγιση απολαβή τάσης στη συχνότητα f =1MHz. Λύση (α) ανώτερη συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή. rs z i Ri = ( rs zi ) = rs + zi = 08, 4 ΚΩ = 066, 08, + 4 Από τη σχέση (2.1.11) έχουμε: ΚΩ f A 1 = = 2π R C i A π ( 0, )( ) Hz η 300 KHz zo RL 05, 20 R0 = ( zo RL) = = ΚΩ = 049, zo + RL 05, + 20 ΚΩ Από τη σχέση (2.1.12) έχουμε: f B 1 = = 2π R C 0 L π ( 0, )(50 10 ) 6 65, 10 Hz η 65, MHz Η f 2 = f A = 300KHz είναι η μικρότερη συχνότητα από τις τρεις. Συνεπώς, αυτή είναι η ανώτερη συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή. (β) απολαβή τάσης στη συχνότητα f =1MHz. Υποθέτοντας, ότι οι άλλες δύο συχνότητες δεν επηρεάζουν την απολαβή τάσης της συχνότητας f=1mhz, τότε από τη σχέση (2.1.14) έχουμε : A = A m f 1+ f 2 = = 28, 7 Η απολαβή τάσης σε db είναι: AdB ( ) = 20λογ A = 20λογ ( 28, 7) = 20 1, 458 = 29, 16 db 10 10

21 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών Φαινόμενο Μίλερ (Miller effect) Στο πρώτο κεφάλαιο εξετάσαμε το θεώρημα Μίλερ γενικά και ασχοληθήκαμε με αυτό μόνο στην περίπτωση, στην οποία το σύστημα ανατροφοδότησης είχε καθαρά ωμικό χαρακτήρα. Σε αυτή την ενότητα θα εξετάσουμε την περίπτωση, όπου το σύστημα ανατροφοδότησης έχει χωρητικό χαρακτήρα. Στα ισοδύναμα κυκλώματα της προηγούμενης ενότητας, στο σύστημα ανατροφοδότησης, υπάρχει η χωρητική αντίσταση της ενδοχωρητικότητας C cb (βλέπε σχήματα 2.1.8, 2.1.9) και της C gd (βλέπε σχ ). Στο σχ.2.2.1(α) παρουσιάζεται το ισοδύναμο ενός ενισχυτή στις υψηλές συχνότητες, στο οποίο φαίνεται η χωρητικότητα ανατροφοδότησης C c. Αυτή, σύμφωνα με το θεώρημα Μίλερ, πρέπει να αναλυθεί σε μια χωρητική αντίσταση στην είσοδο και σε μια στην έξοδο του ισοδύναμου κυκλώματος, όπως φαίνεται στο σχήμα 2.2.1(β). Αν εφαρμόσουμε τη σχέση (1.1.15), προκύπτει η ανακλώμενη χωρητικότητα στην είσοδο του κυκλώματος, που δίνεται από τη σχέση (2.2.1). C = C ( 1 A ) (2.2.1) M c v Η χωρητικότητα C M ονομάζεται χωρητικότητα Μίλερ. Η σχέση (2.2.1) δηλώνει, ότι η χωρητικότητα Μίλερ στην είσοδο του ενισχυτή πολλαπλασιάζεται με την ποσότητα (1- Α v ). Δηλαδή, η χωρητικότητα Μίλερ είναι ανάλογη της απολαβής τάσης του ενισχυτή. Όσο μεγαλύτερη είναι η απολαβή τάσης του ενισχυτή, τόσο μεγαλύτερη είναι η χωρητικότητα Μίλερ. Αυτή η χωρητικότητα, αν προστεθεί με την άλλη ισοδύναμη χωρητικότητα στην είσοδο του ενισχυτή αυξάνεται υπερβολικά η ολική χωρητικότητα εισόδου του ενισχυτή. Η υπερβολική αύξηση της ολικής χωρητικότητας στην είσοδο του ενισχυτή, λόγω της χωρητικότητας Μίλερ, ονομάζεται φαινόμενο Μίλερ. Από τη σχέση (2.1.11) προκύπ τει ότι, αν αυξηθεί η ολική χωρητικότητ α εισόδου C A, θα μειωθεί η ανώτερη συχνότητα αποκοπής f A. Επομένως, το αποτέλεσμα του φαινομένου Μίλερ είναι η υπερβολική μείωση της ανώτερης συχνότητας αποκοπής του ενισχυτή (βλέπε παράδειγμα 2.2.1). Η χωρητικότητα ανατροφοδότησης C c, σύμφωνα με το θεώρημα Μίλερ, εκτός από την είσοδο επιδρά και στην έξοδο του ενισχυτή. Η χωρητικότητα που ανακλάται στην έξοδο του ενισχυτή είναι ίση με C c (C cb ή C gd ). Αποτέλεσμα αυτού, είναι να μειωθεί και η ανώτερη συχνότητα αποκοπής, που οφείλεται στο φίλτρο αποκοπής υψηλών συχνοτήτων στην έξοδο του ενισχυτή.

22 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 22 Σχήμα Η επίδραση της χωρητικότητας Μίλερ Η ολική χωρητικότητα στην είσοδο του ενισχυτή είναι : C A = C i + C M (2.2.2) Η ολική χωρητικότητα στην έξοδο είναι : C L =C 0 + C c (2.2.3) Παράδειγμα Ο ενισχυτής του σχ έχει απολαβή τάσης στις μεσαίες συχνότητες A v = Να βρεθεί η ανώτερη συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή: (α) Αν δε λάβουμε υπόψη μας το φαινόμενο Μίλερ και (β) Αν λάβουμε υπόψη μας το φαινόμενο Μίλερ. Δίνονται : r s =100Ω, C i =40pF, C 0 =15pF, C C =10pF, z ι = 2KΩ, z o =10KΩ, R L = 1KΩ.

23 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 23 Λύση (α) αν δε λάβουμε υπόψη μας το φαινόμενο Μίλερ. rs zi Ri = rs zi = rs + zi = ( ) = 95Ω zo RL 1 10 R0 = z0 RL = = ' ( ) = 0, 9KΩ η 900Ω zo + RL Η ολική χωρητικότητα εισόδου είναι: C A = C i = 40 pf Η συχνότητα αποκοπής στο κύκλωμα εισόδου είναι : f A 1 = = 2π R C i A π ( 95)( ) 6 = 41, 9 10 Hz η 41, 9 MHz Η ολική χωρητικότητα εξόδου είναι: C L = C 0 = 15 pf Η συχνότητα αποκοπής στο κύκλωμα εξόδου είναι : f B 1 = = 2π R C 0 L π ( 09, 10 )( ) 6 = 118, 10 Hz η 118, MHz Η ανώτερη συχνότητα αποκοπής είναι 11,8ΜΗz. (β) αν λάβουμε υπόψη μας το φαινόμενο Μίλερ. Η χωρητικότητα Μίλερ στην είσοδο του κυκλώματος είναι : C = C ( 1 A ) = 10pF[ 1 ( 100)] = 10pF 101 = 1010 pf M c v Η ολική χωρητικότητα στην είσοδο είναι : C A = C i +C M = =1050pF

24 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 24 Η συχνότητα αποκοπής στο κύκλωμα εισόδου είναι : f A 1 = = 2π R C i A π ( 95)( ) 6 = 159, 10 Hz η 159, MHz Η ολική χωρητικότητα στην έξοδο είναι: C L = C 0 + C c = = 25pF Η συχνότητα αποκοπής στο κύκλωμα εξόδου είναι : f B 1 = = 2π R C 0 L π ( 09, 10 )( ) 6 = 7 10 Hz η 7MHz H ανώτερη συχνότητα αποκοπής, λόγω φαινομένου Μίλερ, είναι f 2 = 1,59ΜΗz. Αυτή είναι αρκετά μικρότερη από εκείνη που υπολογίσαμε, χωρίς να λάβουμε υπόψη μας το φαινόμενο Μίλερ. Το παράδειγμα αυτό απέδειξε κατά πόσο το φαινόμενο Μίλερ επηρεάζει (μειώνει) την ανώτερη συχνότητα αποκοπής ενός ενισχυτή. 2.3 Απλός ενισχυτής σε υψηλές συχνότητες Ενισχυτής κοινού εκπομπού στις υψηλές συχνότητες Ο ενισχυτής αυτός, εφόσον αντιστρέφει το σήμα στην έξοδό του, ο πυκνωτής ανατροφοδότησης C C, που στη συγκεκριμένη περίπτωση είναι ο C cb, δημιουργεί το φαινόμενο Μίλερ. Η ολική χωρητικότητα εισόδου δίνεται από τη σχέση (2.3.1). C A = C be + C cb (1- Av) (2.3.1) ενώ η ολική χωρητικότητα στην έξοδο του ενισχυτή δίνεται από τη σχέση (2.3.2). C L = C ce + C cb (2.3.2) Στις χωρητικότητες αυτές, προστίθενται και οι παρασιτικές χωρητικότητες των καλωδιώσεων του τυπωμένου κυκλώματος. Οι σχέσεις υπολογισμού της ανώτερης συχνότητας αποκοπής είναι οι ( ) και ( ).

25 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 25 Ο ενισχυτής κοινού εκπομπού έχει πολύ μικρή ανώτερη συχνότητα αποκοπής, έναντι των άλλων ενισχυτών (κοινής βάσης και ακόλουθο εκπομπού) για τους εξής λόγους : η συχνότητα αποκοπής του τρανζίστορ σε συνδεσμολογία κοινού εκπομπού είναι αρκετά μικρότερη από την αντίστοιχη της συνδεσμολογίας κοινής βάσης (β ο φορές περίπου). Η αντίσταση εισόδου του ενισχυτή κοινού εκπομπού είναι β ο φορές μεγαλύτερη από την αντίστοιχη του ενισχυτή κοινής βάσης. Λόγω του φαινομένου Μίλερ, που επηρεάζει αρκετά αυτή τη συνδεσμολογία, αυξάνεται αρκετά η συνολική χωρητικότητα εισόδου με αποτέλεσμα τη μεγάλη μείωση της ανώτερης συχνότητας αποκοπής. Όπως ήδη αναφέραμε, οι δυο σταθερές χρόνου εισόδου και εξόδου του ενισχυτή καθορίζουν την ανώτερη συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή. Επίσης, πρέπει οι δυο αυτές σταθερές χρόνου να είναι όσο το δυνατό μικρότερες. Για να αυξήσουμε την ανώτερη συχνότητα αποκοπής, προτείνονται τα εξής : 1. Να επιλέξουμε ένα τρανζίστορ, το οποίο χαρακτηρίζεται ραδιοσυχνότητας (RF) ή διακοπτικό (switching). 2. Να απομονώσουμε το φορτίο εξόδου από τον ενισχυτή, απομονώνοντας ταυτόχρονα και τη χωρητικότητα της επόμενης βαθμίδας ή άλλων χωρητικών φορτίων. 3. Να μειώσουμε την αντίσταση φορτίου του ενισχυτή. 4. Να μειώσουμε τη σύνθετη αντίσταση εισόδου του ενισχυτή. Όπως είναι γνωστό, η απολαβή τάσης του ενισχυτή κοινού εκπομπού με rl ανατροφοδότηση σειράς(χωρίς τον πυκνωτή C e ) είναι: Av =. Επίσης, re γνωρίζουμε, ότι re = 0, 026. Συνδυάζοντας αυτές τις δύο σχέσεις προκύπτει η I C σχέση (2.3.3). A v rl rl = = 0, 026 0, 026 I C I C (2.3.3) Από τη σχέση (2.3.3) καταλήγουμε στο συμπέρασμα, ότι μπορούμε να κρατήσουμε σταθερή την απολαβή τάσης, μειώνοντας από τη μια το φορτίο r L και αυξάνοντας από την άλλη το ρεύμα συλλέκτη I c. Για το λόγο αυτό, το κύριο χαρακτηριστικό των τρανζίστορ ενίσχυσης υψηλών συχνοτήτων είναι τα μεγάλα

26 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 26 ρεύματα συλλέκτη που τα διαρρέουν. Τα πηνία που χρησιμοποιούν ως φορτία συλλέκτη, από τη μια μεριά επιτρέπουν υψηλά ρεύματα, λόγω της μικρής αντίστασης απωλειών σειράς και από την άλλη παρέχουν υψηλή σύνθετη αντίσταση φορτίου στις υψηλές συχνότητες (Ζ L = 2 π f L). Επίσης, η τιμή της αυτεπαγωγής του πηνίου επιλέγεται έτσι, ώστε να δημιουργεί μια αντιστάθμιση του φαινομένου Μίλερ, συντονίζοντας με την ολική χωρητικότητα εξόδου του ενισχυτή σε μια συχνότητα μεγαλύτερη από την αρχική. Στο σχήμα 2.3.1(α) φαίνεται ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού για υψηλές συχνότητες, ο οποίος χρησιμοποιεί ως φορτίο ένα πηνίο τσόκ (Radio Frequency Choke, RFC). Ένας άλλος τρόπος για να αυξήσουμε την ανώτερη συχνότητα αποκοπής φαίνεται στο σχ.2.3.1(β) και χρησιμοποιείται συνήθως, όταν στην έξοδο συνδέονται μεγάλα χωρητικά φορτία. Το πηνίο L 2 και ο πυκνωτής C L σχηματίζουν κύκλωμα συντονισμού σειράς σε μια συχνότητα συντονισμού κοντά στη συχνότητα αποκοπής εξόδου. Στις συχνότητες που είναι κοντά σε αυτή τη συχνότητα αποκοπής, το ρεύμα αυξάνεται (ιδιότητα συντονισμού σειράς), συνεπώς, αυξάνεται και η τάση στην έξοδο. Αυτή η αύξηση της τάσης στις συχνότητες κοντά στη συχνότητα αποκοπής δημιουργεί μια αντιστάθμιση στις απώλειες του φίλτρου εξόδου. Η αντίσταση R 3 επιτρέπει στις υψηλές συχνότητες να βρίσκουν ευκολότερη δίοδο μέσα από αυτή. Ο πυκνωτής απόζευξης C 3 γειώνει τις υψηλές συχνότητες και ο πυκνωτής απόζευξης C 4 τις χαμηλές συχνότητες (θόρυβο τροφοδοτικού κ.α). Το μειονέκτημα της διάταξης του σχ.2.3.1(α) είναι η πολύ χαμηλή απολαβή τάσης στις χαμηλές συχνότητες. Ένας τρόπος βελτίωσης στις χαμηλότερες συχνότητες είναι η τοποθέτηση μιας ωμικής αντίστασης σε σειρά με το πηνίο στο συλλέκτη. Στη συνέχεια θα εξετάσουμε δυο άλλες μεθόδους βελτίωσης των χαρακτηριστικών του ενισχυτή κοινού εκπομπού στις υψηλές συχνότητες.

27 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 27 Σχήμα Μέθοδοι αντιστάθμισης φαινομένου Μίλερ Η διάταξη του σχ.2.3.2(α) αποτελείται από έναν ακόλουθο εκπομπού(q 1 ) και από ένα ενισχυτή κοινού εκπομπού (Q 2 ). Στο σχ.2.3.2(β) φαίνεται το ισοδύναμο κύκλωμα στο εναλλασσόμενο σήμα εισόδου. Η αντίσταση r b συμβολίζει τη σύνθετη αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ Q 2. H διάταξη αυτή χρησιμοποιείται κυρίως, όταν η ανώτερη συχνότητα αποκοπής εξαρτάται από το κύκλωμα εισόδου του ενισχυτή κοινού εκπομπού. Η χαμηλή σύνθετη αντίσταση εξόδου του ακόλουθου εκπομπού (Q 1 ) ρίχνει τη σύνθετη αντίσταση εισόδου του ενισχυτή κοινού εκπομπού (Q 2 ), ανεβάζοντας έτσι την ανώτερη συχνότητα αποκοπής. Επίσης, η διάταξη έχει υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου, που οφείλεται στον ακόλουθο εκπομπού. Σχήμα Βελτίωση στο κύκλωμα εισόδου Η διάταξη του σχ χρησιμοποιείται, όταν το κύκλωμα εξόδου ευθύνεται για την ανώτερη συχνότητα αποκοπής, λόγω μεγάλου χωρητικού φορτίου. Ο ακόλουθος εκπομπού (Q 2 ) παρεμβάλλεται ανάμεσα στην έξοδο του ενισχυτή κοινού εκπομπού (Q 1 ) και του χωρητικού φορτίου C L, που κύρια ευθύνεται για την ανώτερη συχνότητα αποκοπής. Έτσι, το χωρητικό φορτίο έχει πλέον μικρότερη σταθερά χρόνου, λόγω της χαμηλής αντίστασης εξόδου του ακόλουθου εκπομπού και συνεπώς μεγαλύτερη συχνότητα λειτουργίας. Η διάταξη αυτή δεν επιτρέπεται για πολύ υψηλές συχνότητες, επειδή ταλαντώνεται, με δυσάρεστα αποτελέσματα.

28 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 28 Σχήμα Βελτίωση στο κύκλωμα εξόδου Ενισχυτής κοινής βάσης στις υψηλές συχνότητες Είναι ο πιο κατάλληλος ενισχυτής για υψηλές συχνότητες, όταν απαιτείται χαμηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου (π.χ προσαρμογή με κεραία εισόδου). Επειδή τα σήματα εισόδου και εξόδου είναι συμφασικά, δεν έχουμε ανατροφοδότηση από την έξοδο προς την είσοδο. Συνεπώς, δεν παρουσιάζεται το φαινόμενο Μίλερ. Επίσης, το κύκλωμα εισόδου έχει και χαμηλή σύνθετη αντίσταση και χαμηλή χωρητικότητα (C be ), γεγονός το οποίο ανεβάζει την ανώτερη συχνότητα αποκοπής σε αρκετά υψηλές τιμές. Επίσης ακόμη, στη μεγάλη αύξηση της συχνότητας αποκοπής συμβάλλει και η συχνότητα αποκοπής του τρανζίστορ σε συνδεσμολογία κοινής βάσης, η οποία είναι περίπου κατά β ο φορές μεγαλύτερη από τη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού. Από πλευράς απολαβής τάσης οι δυο συνδεσμολογίες είναι ισότιμες. Από πλευράς θορύβου, ο ενισχυτής κοινής βάσης υπερτερεί, λόγω της χαμηλής σύνθετης αντίστασης εισόδου. Στο σχ φαίνεται ένας ενισχυτής κοινής βάσης. Ως φορτίο συλλέκτη χρησιμοποιεί ένα πηνίο τσόκ, για την αύξηση της ανώτερης συχνότητας αποκοπής στην έξοδο.

29 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 29 Σχήμα Ενισχυτής κοινής βάσης στις Υ.Σ Μια άλλη διάταξη, που χρησιμοποιεί το συνδυασμό ενισχυτή κοινής βάσης με ακόλουθο εκπομπού φαίνεται στο σχ.2.3.5(α). Στο σχ.2.3.5(β) φαίνεται το ισοδύναμο κύκλωμα στο εναλλασσόμενο σήμα εισόδου. Η αντίσταση r e συμβολίζει τη σύνθετη αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ Q 2. Οι αντιστάσεις R 3 και R 4 δε φαίνονται στο ισοδύναμο κύκλωμα, επειδή βραχυκυκλώνονται από τους πυκνωτές C B και C 3. Το πλεονέκτημα αυτής της διάταξης, έναντι του απλού ενισχυτή κοινής βάσης είναι, ότι η σταθερά χρόνου στην είσοδο του ενισχυτή κοινής βάσης (Q 2 ) μειώνεται περισσότερο από την επίδραση της χαμηλής σύνθετης αντίστασης εξόδου του ακόλουθου εκπομπού (Q 1 ). Επομένως, αυξάνεται περισσότερο η ανώτερη συχνότητα αποκοπής. Επίσης, η σύνθετη αντίσταση εισόδου της διάταξης είναι πολύ μεγαλύτερη από του ενισχυτή κοινής βάσης, λόγω της υψηλής σύνθετης αντίστασης εισόδου του ακόλουθου εκπομπού.

30 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 30 Σχήμα Βελτίωση των χαρακτηριστικών του ενισχυτή κοινής βάσης στις Υ.Σ Ενισχυτής κοινού συλλέκτη (ακόλουθος εκπομπού) στις υψηλές συχνότητες Ο ακόλουθος εκπομπού συνήθως, χρησιμοποιείται ως ενδιάμεση βαθμίδα οδήγησης σε ενισχυτές με υψηλή σύνθετη αντίσταση εξόδου, οι οποίοι συνδέονται με μεγάλα χωρητικά φορτία. Έτσι, από τη μια μεριά προσαρμόζεται με τη σύνθετη αντίσταση εξόδου της προηγούμενης βαθμίδας και από την άλλη απομονώνει το χωρητικό φορτίο από αυτή. Το χωρητικό φορτίο με τη χαμηλή πλέον σύνθετη αντίσταση εξόδου του ακόλουθου εκπομπού, δημιουργούν πολύ μικρότερη σταθερά χρόνου, με αποτέλεσμα την αύξηση της ανώτερης συχνότητας αποκοπής. Επομένως, το κύκλωμα εξόδου του καθορίζει την ανώτερη συχνότητα αποκοπής του ενισχυτή. Στις περισσότερες διατάξεις γενικά, χρησιμοποιείται για να μειώνει τη σταθερά χρόνου των φίλτρων αποκοπής υψηλών συχνοτήτων εισόδου και εξόδου. Στο σχ φαίνεται ο ακόλουθος εκπομπού με το χωρητικό φορτίο στην έξοδο.

31 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 31 Σχήμα Ακόλουθος εκπομπού στις υψηλές συχνότητες Ενισχυτής κοινής πηγής (FET ή MOSFET) στις υψηλές συχνότητες Ο ενισχυτής κοινής πηγής έχει τα ίδια χαρακτηριστικά με τον ενισχυτή κοινού εκπομπού. Ο πυκνωτής ανατροφοδότησης C c, στη συγκεκριμένη περίπτωση, είναι η ενδοχωρητικότητα C gd. Η ολική χωρητικότητα στην είσοδο του ενισχυτή δίνεται από τη σχέση ( ). C A = C gs + C gd ( 1-A v ) (2.3.4) ενώ η ολική χωρητικότητα στην έξοδο του ενισχυτή δίνεται από τη σχέση (2.3.5). C L = C ds + C gd (2.3.5) Στις χωρητικότητες αυτές, προστίθενται και οι παρασιτικές χωρητικότητες των καλωδιώσεων. Η χωρητικότητα Μίλερ C M παίρνει μικρότερες τιμές από εκείνες των BJT, επειδή η απολαβή Α ν στα FET είναι αρκετά μικρή. Ωστόσο, λόγω της υψηλής σύνθετης αντίστασης εισόδου που έχουν, εργάζονται σε χαμηλότερες συχνότητες από τα BJT. Οι τρόποι αντιστάθμισης στις υψηλές συχνότητες είναι ίδιες με των τρανζίστορ BJT. Tα πλεονεκτήματα των τρανζίστορ FET γενικά, έναντι των BJT, είναι, ότι εισάγουν λιγότερο θόρυβο και ότι έχουν μεγαλύτερη σταθερότητα στις μεταβολές της θερμοκρασίας. Τα μειονεκτήματά τους είναι η χαμηλή τους απολαβή και οι χαμηλότερες συχνότητες λειτουργίας. Τα MOSFET και τα MOSFET διπλής πύλης μπορούν να λειτουργήσουν σε μεγαλύτερες συχνότητες. Τα MOSFET, λόγω της

32 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 32 κατασκευής, σχηματίζουν μικρότερες χωρητικότητες C gs και C gd έναντι των JFET, με αποτέλεσμα να λειτουργούν σε πολύ υψηλότερες συχνότητες. Όμως, στα MOSFET διπλής πύλης (dual-gate MOSFET) οι συχνότητες αποκοπής ανεβαίνουν σε πολύ υψηλές συχνότητες. Στο σχ φαίνεται ο συμβολισμός του MOSFET διπλής πύλης Ν καναλιού (ΝΜΟS). Σ αυτά τα MOSFET υπάρχει μια δεύτερη μονωμένη πύλη μετάλλου (G2), που τοποθετείται μεταξύ της πύλης G1 και του απαγωγού D. Το αποτέλεσμα είναι η απομόνωση της πύλης G1 από τον απαγωγό. Αυτά προσπαθούν να μιμηθούν το τέταρτο ηλεκτρόδιο των παλιών λυχνιών, που μίκραινε τη χωρητικότητα ανατροφοδότησης C C. Έτσι, η χωρητικότητα C gd, που κύρια ευθύνεται για τη μέγιστη συχνότητα λειτουργίας, μπορεί να πάρει τιμές μικρότερες από 0,01pF. Σχήμα MOSFET διπλής πύλης Ν καναλιού (ΝΜΟS) Οι αντίστοιχες χωρητικότητες στα BJT και στα JFET, κυμαίνονται από 3pF έως 10pF. Oι χαμηλές αυτές χωρητικότητες επιτρέπουν τη σταθεροποίηση της απολαβής σε ενισχυτές, που λειτουργούν σε πολύ υψηλές συχνότητες (ραδιοσυχνότητες, RF). To αποτέλεσμα είναι η αύξηση της μέγιστης συχνότητας λειτουργίας σε μερικές εκατοντάδες ΜΗz (περιοχές VHF/UHF). Πρόσφατα, κατασκευάστηκαν MOSFET διπλής πύλης με υλικό κατασκευής το αρσενικούχο γάλλιο (GaAs), τα οποία μπορούν να λειτουργήσουν σε συχνότητες της τάξης των GHz. To βασικό μειονέκτημα των κυκλωμάτων που χρησιμοποιούν MOSFET διπλής πύλης, έναντι εκείνων που χρησιμοποιούν BJT ή JFET είναι, ότι εισάγουν περισσότερο θόρυβο, λόγω της πολύ μεγάλης σύνθετης αντίστασης εισόδου που έχουν. Στους ενισχυτές Y.Σ (RF), η τάση που εφαρμόζεται στην πύλη G1 είναι της τάξης των -2 έως -3 βολτ, ενώ στην πύλη G2 οδηγείται ένα μικρό θετικό δυναμικό, που κυμαίνεται από 0 ως 3 βολτ. Επειδή, τα MOSFET Ν καναλιού (ΝΜΟS) είναι ταχύτερα από τα MOSFET P καναλιού (PΜΟS), συνήθως, αυτά χρησιμοποιούνται στις υψηλές συχνότητες.

33 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών Πολυβάθμιος ενισχυτής στις υψηλές συχνότητες Οι πολυβάθμιοι ενισχυτές υψηλών συχνοτήτων συνήθως αποτελούνται από δυο ή περισσότερες βαθμίδες όμοιων απλών ενισχυτών (π.χ όμοιοι ενισχυτές κοινού εκπομπού). Η απολαβή τάσης σε αυτή την περίπτωση, είναι το γινόμενο των επί μέρους απολαβών τάσης ή το άθροισμά τους, αν είναι εκφρασμένες σε db. Αφού έχουμε ίδιους ενισχυτές, θα έχουμε ασφαλώς και ίδιες ανώτερες συχνότητες αποκοπής. Αν έχουμε ν βαθμίδες, που η καθεμιά έχει ανώτερη συχνότητα αποκοπής f 2, τότε η τελική ανώτερη συχνότητα αποκοπής δίνεται από τη σχέση (2.4.1). f v = f 2 1 (2.4.1) Στον πίνακα έχουν καταχωρηθεί οι τελικές ανώτερες συχνότητες αποκοπής για πολυβάθμιους ενισχυτές μέχρι πέντε βαθμίδες, οι οποίες αποτελούνται από όμοιους απλούς ενισχυτές. Από τις καταχωρίσεις του πίνακα καταλήγουμε στο συμπέρασμα, ότι η ανώτερη συχνότητα αποκοπής μειώνεται, καθώς αυξάνει ο αριθμός των βαθμίδων του πολυβάθμιου ενισχυτή. Πίνακας Αριθμός βαθμίδων Ανώτερη συχνότητα αποκοπής f 2 f 2 0,64 f 2 0,51 f 2 0,43 f 2 0,39 f Τελεστικός ενισχυτής στις υψηλές συχνότητες Μέθοδοι αντιστάθμισης στους τελεστικούς ενισχυτές

34 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 34 Το μεγαλύτερο πρόβλημα για ένα τελεστικό ενισχυτή, ο οποίος εργάζεται στις υψηλές συχνότητες, είναι η βελτίωση της απόκρισης συχνότητας. Η σχέση απόκρισης συχνότητας και απολαβής ανοιχτού βρόχου είναι χαρακτηριστικά ενός ολοκληρωμένου κυκλώματος τελεστικού ενισχυτή. Μπορούμε όμως, να κάνουμε κάποιες διορθωτικές βελτιώσεις με εξωτερικά κυκλώματα ή με ανατροφοδότηση. Το σχ.2.5.1(α) δείχνει την απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας ανοιχτού βρόχου ενός ιδανικού τελεστικού ενισχυτή. Η απολαβή τάσης είναι σταθερή και ίση με 100 db μέχρι τη συχνότητα 20 Ηz περίπου. Από τη συχνότητα αυτή και πέρα, η απολαβή μειώνεται κατά 20 db ανά δεκάδα. Με κατάλληλα εξωτερικά κυκλώματα μπορούμε να ρυθμίσουμε την απολαβή και την απόκριση συχνότητας κλειστού βρόχου. Όσο μικραίνει η απολαβή, αυξάνει το εύρος ζώνης συχνοτήτων, επειδή το γινόμενο απολαβής επί εύρος ζώνης είναι σταθερό. Στο σχ.2.5.1(β) φαίνεται η απόκριση συχνότητας ενός πρακτικού τελεστικού ενισχυτή στις υψηλές συχνότητες. Σε αυτό, η απολαβή τάσης είναι σταθερή και ίση με 60 db μέχρι τη συχνότητα 200 ΚHz (σημείο πτώσης ή θλάσης). Από τη συχνότητα 200 ΚHz μέχρι τη συχνότητα 2 ΜΗz, η απολαβή τάσης μειώνεται κατά 20 db ανά δεκάδα. Από τη συχνότητα 2 ΜΗz μέχρι τη συχνότητα 20 ΜΗz, η απολαβή τάσης μειώνεται κατά 40 db ανά δεκάδα. Τέλος, από τη συχνότητα 20 ΜΗz και πάνω η απολαβή τάσης μειώνεται κατά 60 db ανά δεκάδα. Σχήμα Απόκριση συχνότητας ιδανικού και πρακτικού τελεστικού ενισχυτή Στις υψηλές συχνότητες, η μείωση της απολαβής δεν αποτελεί πρόβλημα από μόνη της, εκτός, αν το κύκλωμα πρέπει να λειτουργεί σε συχνότητες πολύ κοντά στη μέγιστη συχνότητα. Εκτός από την επίδραση στο πλάτος των συχνοτήτων, έχουμε και διαφορετικές ολισθήσεις φάσης μεταξύ των σημάτων εισόδου και

35 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 35 εξόδου για διαφορετικές συχνότητες. Στο σχήμα 2.5.1(β) φαίνεται η ολίσθηση φάσης σε συνάρτηση με τη συχνότητα. Αυτή η μεταβολή της φάσης ονομάζεται παραμόρφωση φάσης. Γενικά, τα φίλτρα δημιουργούν ολίσθηση φάσης. Η ολίσθηση φάσης δημιουργεί στις χαμηλές συχνότητες αρνητική ανατροφοδότηση, που αυξάνεται το ποσοστό της, όσο προχωράμε στις υψηλές συχνότητες. Όμως, από κάποια συχνότητα και πάνω, μετατρέπεται από αρνητική σε θετική ανατροφοδότηση, η οποία μπορεί να δημιουργήσει ταλαντώσεις. Στη συχνότητα μεταστροφής φάσης, μεταξύ των σημάτων εισόδου και εξόδου, δημιουργείται ολίσθηση φάσης κατά -180 ο. Αυτό είναι το επιτρεπτό όριο. Στο διάγραμμα ολίσθησης φάσης του σχ.2.5.1(β) η συχνότητα, στην οποία η ολίσθηση φάσης είναι -180 ο είναι 4 MHz. Η αντίστοιχη απολαβή τάσης ανοιχτού βρόχου του τελεστικού ενισχυτή σε αυτή τη συχνότητα είναι 20 db (δείτε στο διάγραμμα, που τέμνει η διακεκομμένη γραμμή την καμπύλη απολαβής ανοιχτού βρόχου). Aν επιλέξουμε απολαβή τάσης κλειστού βρόχου (με ανατροφοδότηση) ίση ή μικρότερη από την αντίστοιχη του ανοιχτού βρόχου, στην οποία συμβαίνει ολίσθηση φάσης κατά -180 ο, ο ενισχυτής θα ταλαντώνεται. Επομένως, η ελάχιστη απολαβή τάσης αντιστοιχεί στο όριο ολίσθησης φάσης των -180 ο. Στο συγκεκριμένο διάγραμμα, τα επιτρεπτά όρια απολαβής τάσης κλειστού βρόχου κυμαίνονται από 20 db έως 60 db χωρίς πρόβλημα ταλάντωσης. Τα προβλήματα που δημιουργούνται από τη μεγάλη ολίσθηση φάσης, μπορούν να λυθούν με τεχνικές διόρθωσης φάσης. Με αυτές μπορούμε να επέμβουμε εξωτερικά, για να περιορίσουμε την ολίσθηση φάσης. Υπάρχουν δυο βασικές μέθοδοι διόρθωσης της φάσης. Η απολαβή τάσης κλειστού βρόχου μπορεί να βελτιωθεί, χρησιμοποιώντας εξωτερικά δικτυώματα ανατροφοδότησης με πυκνωτές και αντιστάσεις. Αυτά τροποποιούν τη σύνθετη αντίσταση, η οποία μεταβάλλεται με τη συχνότητα, προμηθεύοντας τη διάταξη με μεταβλητό ποσοστό ανατροφοδότησης σε διαφορετικές συχνότητες. Επίσης, επιφέρουν μια ολίσθηση φάσης του σήματος ανατροφοδότησης. Έτσι, αντισταθμίζουμε την ανεπιθύμητη ολίσθηση φάσης ανοιχτού βρόχου. Η διόρθωση της ολίσθησης φάσης με μεθόδους κλειστού βρόχου, γενικά δε συνιστάται, επειδή δημιουργεί προβλήματα, τόσο στις χαμηλές όσο και στις υψηλές συχνότητες. Διόρθωση της σύνθετης αντίστασης εισόδου. Η σύνθετη αντίσταση εισόδου ανοιχτού βρόχου, μπορεί να τροποποιηθεί τοποθετώντας παράλληλα στις δύο εισόδους του τελεστικού ενισχυτή μια αντίσταση και έναν πυκνωτή σε σειρά, όπως δείχνει το σχ.2.5.2(α). Η σύνθετη

36 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 36 αντίσταση του δικτυώματος R 2 C μειώνεται, καθώς αυξάνεται η συχνότητα, σύμφωνα με τη σχέση Z = R , ( 2 ) f C 2 (2.5.1) Η μείωση αυτή μεταβάλλει την απολαβή ανοιχτού βρόχου. Αυτή η διάταξη δημιουργεί σημείο πτώσης της απολαβής σε χαμηλότερη συχνότητα και με μειωμένη απολαβή. Ωστόσο, όπως δείχνει το σχ.2.5.2(β), παράγει μια απόκριση παρόμοια με εκείνη του ιδανικού τελεστικού ενισχυτή του σχ.2.5.1(α). Σχήμα Διόρθωση της σύνθετης αντίστασης εισόδου Διόρθωση με προπορεία ή με καθυστέρηση φάσης. Τέτοια δικτυώματα φαίνονται στα σχήματα 2.5.3(α) και 2.5.4(α). Ο τελεστικός ενισχυτής του σχ.2.5.3(α) χρησιμοποιεί ένα δικτύωμα προπορείας φάσης. Η απολαβή ανοιχτού βρόχου μεταβάλλεται από ένα εξωτερικό πυκνωτή διόρθωσης, ο οποίος δημιουργεί μεταβλητό ποσοστό ανατροφοδότησης. Αυτός συνήθως συνδέεται μεταξύ των συλλεκτών των τρανζίστορ μιας από τις βαθμίδες υψηλής απολαβής του τελεστικού ενισχυτή, όπως δείχνει το σχ.2.5.3(α). Στο σχ.2.5.3(β) φαίνονται οι αποκρίσεις συχνότητας πριν και μετά τη διόρθωση. Μετά τη διόρθωση, η απόκριση συχνότητας πλησιάζει εκείνη του ιδανικού τελεστικού ενισχυτή του σχ.2.5.1(α).

37 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 37 Σχήμα Αντιστάθμιση με εξωτερικό πυκνωτή (δικτύωμα προπορείας φάσης) Το σχ.2.5.4(α) χρησιμοποιεί ένα δικτύωμα καθυστέρησης φάσης. Η απολαβή ανοιχτού βρόχου μεταβάλλεται από ένα δικτύωμα RC, που είναι συνδεμένο με το κύκλωμα εξόδου μιας βαθμίδας ενίσχυσης του τελεστικού ενισχυτή, όπως δείχνει το σχ.2.5.4(α). Στο σχ.2.5.4(β) φαίνονται οι αποκρίσεις συχνότητας πριν και μετά τη διόρθωση. Η συχνότητα του σημείου πτώσης υπολογίζεται από τη σχέση (2.5.2). f = 1 2π = 0, 159 R C R C C X C X (2.5.2) Μετά τη διόρθωση, η απόκριση συχνότητας πλησιάζει εκείνη του ιδανικού τελεστικού ενισχυτή του σχ.2.5.1(α). Σχήμα Αντιστάθμιση με δικτύωμα καθυστέρησης φάσης Μονολιθικοί ενισχυτές υψηλών συχνοτήτων Οι μονολιθικοί ενισχυτές Υ.Σ δίνουν την ευκολία στο σχεδιαστή για κυκλώματα χαμηλού κόστους και υψηλής απόδοσης. Αλλα πλεονεκτήματα αυτών των

38 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 38 ενισχυτών είναι η σημαντική μείωση των εξωτερικών εξαρτημάτων, καθώς επίσης, η έλλειψη κυκλώματος συντονισμού. Στο σχ.2.5.5(α) φαίνεται το ισοδύναμο κύκλωμα ενός μονολιθικού ενισχυτή και στο σχ.2.5.5(β) το κυκλωματικό του σύμβολο. Η διάταξη αποτελείται από δύο τρανζίστορ Υ.Σ (RF) σε συνδεσμολογία Nτάρλινγκτον, για να έχει μεγάλη αντίσταση εισόδου. Η αντίσταση R f, από τη μια πολώνει τη βάση του τρανζίστορ Q 1 σε συνεργασία με την R b, ενώ από την άλλη δημιουργεί ανατροφοδότηση του σήματος από την έξοδο στην είσοδο της διάταξης. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα, την αύξηση του εύρους ζώνης συχνοτήτων. Σχήμα Μονολιθικός ενισχυτής Στον πίνακα φαίνονται οι καταχωρίσεις κάποιων μονολιθικών ενισχυτών (της εταιρίας Hewlett Packard, HP). Πίνακας Μονολιθικοί ενισχυτές. Τάση τροφοδοσίας ( Vcc ) +9 Boλτ +12 Βολτ +15 Βολτ

39 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 39 I d R c P t R c P t R c P t Tύπος (ma) ( Ω ) (Watt) ( Ω ) (Watt) ( Ω ) (Watt) HPMA / / /2 ΗPMA / / /2 H τιμή της αντίστασης R C υπολογίζεται από τη σχέση ( 2.5.3). R C V = CC V I d d (2.5.3) Στον πίνακα έχουν καταχωρηθεί οι τιμές της αντίστασης R C, για τα αντίστοιχα ρεύματα I d και για διαφορετικές τάσεις τροφοδοσίας. Η τάση V d έχει επιλεγεί ίση με 5V. Στο σχ φαίνονται δυο βασικές συνδεσμολογίες των μονολιθικών ενισχυτών. Στον ενισχυτή του σχ (α) χρησιμοποιούμε τροφοδοσία θετικής πολικότητας, ενώ στον ενισχυτή του σχ (β) χρησιμοποιούμε τροφοδοσία αρνητικής πολικότητας. Σχήμα Βασικές συνδεσμολογίες των μονολιθικών ενισχυτών Οι μονολιθικοί ενισχυτές έχουν μεγάλο εύρος ζώνης συχνοτήτων, που φτάνει την τάξη των GΗz. Στο σχ φαίνονται οι αποκρίσεις συχνότητας των μονολιθικών ενισxυτών 2011 και 2111 της ΗΡ. Ο 2011 έχει εύρος ζώνης συχνοτήτων περίπου 1,5 GΗz και ο 2111 έχει εύρος ζώνης συχνοτήτων περίπου 1 GHz.

40 Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες 40 Σχήμα Απόκριση συχνότητας μονολιθικών ενισχυτών 2.6 Ενισχυτής κασκόντ (cascode) Μια άλλη μέθοδος, για να περιορίσουμε το φαινόμενο Μίλερ και την επίδραση των παρασιτικών χωρητικοτήτων στις υψηλές συχνότητες, είναι ο ενισχυτής κασκόντ. Ο ενισχυτής αυτός μπορεί να ενισχύσει πολύ υψηλές συχνότητες (VHF ή UHF) χωρίς προβλήματα ταλάντωσης και με χαμηλό κόστος. Ο ενισχυτής κασκόντ εισάγει χαμηλό θόρυβο και συνήθως, χρησιμοποιείται σε βαθμίδες ενίσχυσης υψηλών συχνοτήτων στην ΤV. Στο σχ (α) φαίνεται η βασική διάταξη ενός ενισχυτή κασκόντ. Αυτή η διάταξη είναι ένας συνδυασμός από ένα ενισχυτή κοινού εκπομπού (Q 1 ) σε σειρά με ένα ενισχυτή κοινής βάσης (Q 2 ). Σχήμα Ενισχυτής κασκόντ (cascode) Στο σχ.2.6.1(β) φαίνεται το ισοδύναμο κύκλωμα στο εναλλασσόμενο σήμα εισόδου. Η αντίσταση r e συμβολίζει τη σύνθετη αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ Q 2. Ο ενισχυτής κοινού εκπομπού έχει ως φορτίο τη σύνθετη αντίσταση εισόδου r e του ενισχυτή κοινής βάσης. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα, μοναδιαία απολαβή rl re τάσης ( A v = = = 1). Αφού η απολαβή τάσης είναι μοναδιαία, r r e e

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3...2 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ...2 3.1 Απόκριση συχνότητας ενισχυτών...2 3.1.1 Παραμόρφωση στους ενισχυτές...5 3.1.2 Πιστότητα των ενισχυτών...6 3.1.3

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,

Διαβάστε περισσότερα

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές ΑΝΑΔΡΑΣΗ Στοιχεία Ταλάντωσης Ενισχυτής OUT Ταλαντωτής είναι ένα κύκλωμα που παράγει ηλεκτρικό σήμα σταθερής συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017 ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Ειδικά θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ειδικά θέματα Ηλεκτρονικών 1 Ειδικά θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1...2 ΕΙΔΙΚΕΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ...2 Γενικά...2 1.1 Θεώρημα Μίλερ (Mller theorem)...10 1.2 Μπούτστραπινγκ (Boottrappng)...11 1.2.1 Αύξηση της σύνθετης

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ ΣΤΟΧΟΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ η κατανόηση της αρχής λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../. A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Το διπολικό τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ 2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF Κεφάλαιο 6. NA Σωτήριος Ματακιάς, -3, Σχεδίαση Τηλεπικοινωνιακών I Κυκλωμάτων, Κεφάλαιο 5 /3 Βασικές παράμετροι των NA: Receiver Front End Z =5Ω RF Filter - -8dB Z =5Ω

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015 ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /0/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, στον οποίο το τρανζίστορ πολώνεται στην ενεργό περιοχή λειτουργίας του με συμμετρικές

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 1, 0.7, 00 kω, 4 kω, h e. kω και β h 100. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων και ώστε το σημείο λειτουργίας Q (, ) του τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ /0/0 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0 Ω, Ε kω, Β 00 kω, 4 kω, L kω, e 5 kω και 00 (α) Να προσδιορίσετε την ενίσχυση τάσης (A

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 20.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 20.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ ΠΡΟΛΟΓΟΣ Το παρόν βιβλίο «Ηλεκτρονικά Κυκλώματα-Θεωρία και Ασκήσεις» αποτελεί μία διευθέτηση ύλης που προέρχεται από τον Α και Β τόμο του συγγράμματος «Γενική Ηλεκτρονική» Α και Β τόμων έκδοσης 2001 και

Διαβάστε περισσότερα

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΤΟΧΟΙ 4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός ενισχυτή δύο βαθμίδων με άμεση σύζευξη η εύρεση της περιοχής

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 6: Η A λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Το μοντέλο μικρού σήματος του τρανζίστορ. Οι παράμετροι μικρού

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013 ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /09/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες Στον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, το τρανζίστορ πολώνεται με συμμετρικές πηγές τάσης V και V των V Για το τρανζίστορ δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ: Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα προκατασκευασμένο κύκλωμα μικρών διαστάσεων που συμπεριφέρεται ως ενισχυτής τάσης, και έχει πολύ μεγάλο κέρδος, πολλές φορές της τάξης του 10 4 και 10 6. Ο τελεστικός

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 20.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 20.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Εισαγωγή Ιστορικά στοιχεία Οι πρώτοι τελεστικοί ενισχυτές χρησιμοποιήθηκαν κυρίως για την εκτέλεση μαθηματικών πράξεων, δηλαδή πρόσθεση, αφαίρεση, ολοκλήρωση και διαφόριση.

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Τα FET οδηγούνται με την τάση u GS ενώ τα BJT με το ρεύμα i B Μηχανισμός ενίσχυσης Για το FET η σχέση

Διαβάστε περισσότερα

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5: Πολυβάθμιοι ενισχυτές Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

β) Τι θα συμβεί στην απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας του ενισχυτή στο σχ.1β αν υπάρξει διακοπή στο σημείο που δεικνύεται με το αστέρι;

β) Τι θα συμβεί στην απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας του ενισχυτή στο σχ.1β αν υπάρξει διακοπή στο σημείο που δεικνύεται με το αστέρι; ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ Τ.Ε.Ι. ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Ενισχυτικές Διατάξεις Εισηγητής: Γιώργος Χλούπης Ακαδημαϊκό Έτος 2013-14 Εξάμηνο Χειμερινό Σημειώσεις : ανοικτές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες Ημ. εξέτασης:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ ΟΜΑ Α Α ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΕΜΠΤΗ 21 ΜΑΪΟΥ 2009 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ): ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ:

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 28/01/2015

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 28/01/2015 ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 8//5 ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες) Η έξοδος του αισθητήρα του παρακάτω σχήματος είναι γραμμικό σήμα τάσης, το οποίο εφαρμόζεται για χρονικό διάστημα

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα

Διαβάστε περισσότερα

Ανάδραση. Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη

Ανάδραση. Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη Ανάδραση Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη 3 Συστήματα Ελέγχου Σύστημα Ελέγχου Ανοικτού Βρόχου Α Σύστημα Ελέγχου Κλειστού Βρόχου με Ανάδραση Ε =β Α β Μάρτιος 2 Μάθημα 3, Ηλεκτρονική Γ' Έτος 2

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΣΥΝΤΟΝΙΖΟΜΕΝΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ...2

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΣΥΝΤΟΝΙΖΟΜΕΝΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ...2 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4... ΣΥΝΤΟΝΙΖΟΜΕΝΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ... Γενικά... 4.1 Συντονιζόμενοι ενισχυτές με μεμονωμένα στοιχεία...3 4.1.1 Το κύκλωμα του παράλληλου συντονισμού...3 4.1.

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /6/6 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: =, = 6 kω, = kω και = = Ε = = kω, ενώ για το τρανζίστορ δίνονται: = 78, β

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 5 ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 1 Ι. ΠΑΠΑΝΑΝΟΣ ΑΠΡΙΛΙΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

«Αναθεώρηση των FET Transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2

Διαβάστε περισσότερα

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση της επίδρασης

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ 1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής αποτελεί την βασική δομική μονάδα των περισσοτέρων αναλογικών κυκλωμάτων. Στην ενότητα αυτή θα μελετήσουμε τις ιδιότητες του τελεστικού ενισχυτή, μερικά βασικά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ηµιτελείς προτάσεις Α1.1 έως και Α1.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γʹ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΑΒΒΑΤΟ 31 ΜΑÏΟΥ 008 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ:

Διαβάστε περισσότερα

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά:

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά: Η στιγμιαία ηλεκτρική ισχύς σε οποιοδήποτε σημείο ενός κυκλώματος υπολογίζεται ως το γινόμενο της στιγμιαίας τάσης επί το στιγμιαίο ρεύμα: Σε ένα εναλλασσόμενο σύστημα τάσεων και ρευμάτων θα έχουμε όμως:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 01 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης 1 ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 01 Τετάρτη, 9 Μαίου 01 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Α1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1.

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΕΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΡΙΤΗ 4 ΙΟΥΛΙΟΥ 2006 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ

Διαβάστε περισσότερα

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής T.E.. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ιδάσκων και ώρες / αίθουσα διδασκαλίας ιδάσκων: Λάμπρος Μπισδούνης Γραφείο: Εργαστήριο Ηλεκτρονικών, ος όροφος Σ.Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5 Επαναληπτικά Θέµατα ΟΕΦΕ 007 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις Α. έως και Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθµό

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ο Τελεστικός Ενισχυτής (ΤΕ) αποτελεί ένα ιδιαίτερο είδος ενισχυτή, το οποίο έχει ευρύτατη αποδοχή ως δομικό στοιχείο των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Η μεγάλη του δημοτικότητα οφείλεται

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΙ ΤΕΧΝΟΛΟΙΚΗΣ ΚΤΕΥΥΝΣΗΣ ΕΜΤ ΟΜ. ια τις ημιτελείς προτάσεις. και. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθμό το γράμμα που αντιστοιχεί στο σωστό συμπλήρωμά της...

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθμό το γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 5 ΧΡΟΝΙΑ ΕΜΠΕΙΡΙΑ ΣΤΗΝ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α. ια τις ημιτελείς προτάσεις Α. έως Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και, δίπλα σε κάθε αριθμό,

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να 9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γʹ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 28 ΜΑÏΟΥ 2010 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων F Παθητικά δικτυώματα assive Networks Σωτήριος Ματακιάς, -3, Σχεδίαση Τηλεπικοινωνιακών V Κυκλωμάτων, Κεφάλαιο 5 /49 ee, κεφάλαιο 4 Προσαρμογή Φιλτράρισμα Αντιστάθμιση

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS) 6. ΓΕΝΙΚΗ ΘΕΩΡΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 6.. Ενισχυτές ανοικτού βροχου (χωρίς ανάδραση) Ανεξάρτητα από την τάξη (Α, Β, C), το είδος της σύζευξης (R-C, με μετασχηματιστή, άμεση κλπ.), υπάρχουν (με κριτήριο τη χρήση

Διαβάστε περισσότερα

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ ρ. Λάμρος Μισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε με

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS) 6. ΓΕΝΙΚΗ ΘΕΩΡΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 6.. Ενισχυτές ανοικτού βροχου (χωρίς ανάδραση) Ανεξάρτητα από την τάξη (Α, Β, C), το είδος της σύζευξης (R-C, με μετασχηματιστή, άμεση κλπ.), υπάρχουν (με κριτήριο τη χρήση

Διαβάστε περισσότερα

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ Σε ένα ηλεκτρικό κύκλωμα δημιουργούνται ανεπιθύμητα ηλεκτρικά σήματα, που οφείλεται σε διάφορους παράγοντες, καθώς επίσης και

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά

Διαβάστε περισσότερα

β) db έντασης = 20log οεισ δ) db έντασης = 10log οεισ

β) db έντασης = 20log οεισ δ) db έντασης = 10log οεισ ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ/ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΡΙΝΑ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 9//014 Απαντήσεις A ΟΜΑΔΑ Οδηγία: Να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθμό κάθε μιας από τις παρακάτω ερωτήσεις Α.1-Α.4 και δίπλα το γράμμα

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ ΟΜΑ Α Α ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 2005 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) : ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού

Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού Θεωρητική Ανάλυση: Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού 1. Κατασκευάστε έναν ενισχυτή κοινού εκπομπού, όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα με κέρδος τάσης -10, ο οποίος να τροφοδοτείται από τάση VCC=+12V και να εμφανίζει

Διαβάστε περισσότερα