ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ"

Transcript

1 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1 µε ένα υψηλό δυναµικό, V H. Αντίστροφα, στην αρνητική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα υψηλό δυναµικό, V H, ενώ το λογικό 1 µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L. ΠΥΛΗ Η (O) A B Y ΠΥΛΗ Η (O) ΘΕΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V L V L V L V L V H V H V H V L V H V H V H V H ΠΥΛΗ Η (O) ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V H V H V H V H V L V L V L V H V L V L V L V L ΠΥΛΗ ΚΑΙ (AND) A B Y

2 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 2 ΠΥΛΗ ΚΑΙ (AND) ΘΕΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V L V L V L V L V H V L V H V L V L V H V H V H ΠΥΛΗ ΚΑΙ (AND) ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V H V H V H V H V L V H V L V H V H V L V L V L ΠΥΛΗ ΑΠΟΚΛΕΙΣΤΙΚΟΥ Η (ΧO) A B Y ΠΥΛΗ ΑΠΟΚΛΕΙΣΤΙΚΟΥ Η (ΧO) ΘΕΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V L V L V L V L V H V H V H V L V H V H V H V L ΠΥΛΗ ΑΠΟΚΛΕΙΣΤΙΚΟΥ Η (ΧO) ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V H V H V H V H V L V L V L V H V L V L V L V H ΠΥΛΗ OXI (NOT) A Y

3 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 3 ΠΥΛΗ OXI (NOT) ΘΕΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A V L V H Y V H V L ΠΥΛΗ OXI (NOT) ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A V H V L Y V L V H ΠΥΛΗ Η (O) ΤΡΙΩΝ ΕΙΣΟ ΩΝ A B C Y ΠΥΛΗ OXI Η (NO) ΤΡΙΩΝ ΕΙΣΟ ΩΝ A B C Y

4 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 4 ΠΥΛΗ KAI (AND) ΤΡΙΩΝ ΕΙΣΟ ΩΝ A B C Y ΠΥΛΗ OXI KAI (NAND) ΤΡΙΩΝ ΕΙΣΟ ΩΝ A B C Y Β. Απλές συνδεσµολογίες λογικών πυλών, συνδεσµολογία DL (Diode- Logic configuration). Σχήµα 1. Πύλη O αρνητικής λογικής.

5 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 5 Η λογική πύλη O, για να έχει έξοδο σε κατάσταση "1" αρκεί τουλάχιστον µια από τις εισόδους της να είναι σε κατάσταση "1". Αντίθετα, η έξοδος θα βρίσκεται σε κατάσταση "0" µόνο όταν όλες οι είσοδοι είναι σε κατάσταση "0". Στην αρνητικής λογικής πύλη του σχήµατος 1 όταν µια από τις εισόδους είναι σε κατάσταση λογικού "1" (χαµηλό δυναµικό V L ) η αντίστοιχη δίοδος θα βρίσκεται σε κατάσταση ορθής πόλωσης, κατά συνέπεια θα άγει και το δυναµικό Υ της εξόδου θα βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "1"). Το δυναµικό αυτό αν (για παράδειγµα) η είσοδος Α βρεθεί σε κατάσταση λογικού "1" θα είναι: V ( VA + VK) υ Υ = V Ion= V + r + (1) i όπου η δίοδος προσεγγίστηκε από την τάση κατωφλίου V K (0.2V για το γερµάνιο και 0.6V για το πυρίτιο) σε σειρά µε την αντίσταση, r f, που εµφανίζει η δίοδος κατά την ορθή πόλωση. Και επειδή ισχύει i + rf, το χαµηλό δυναµικό στην έξοδο θα είναι: υ Υ V + V = V('1') + V = V + V (2) A K K L K f Αν αντίθετα όλες οι είσοδοι βρίσκονται σε κατάσταση λογικού "0" (υψηλό δυναµικό V Η ) τότε λόγω του ότι V =V H, όλες οι δίοδοι θα βρίσκονται σε αποκοπή µε αποτέλεσµα να είναι Υ= V =V H, δηλαδή λογικό "0".

6 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 6 Σχήµα 2. Πύλη O θετικής λογικής. Στο σχήµα 2 παρουσιάζεται η λογική πύλη O για θετική λογική. Παρατηρούµε ότι έχει αλλάξει η φορά σύνδεσης των διόδων ενώ το δυναµικό V εξακολουθεί να ισούται µε το δυναµικό που αντιστοιχεί στο λογικό "0" µόνο που στη θετική λογική το δυναµικό αυτό είναι το χαµηλό, V L. Έτσι όταν έστω και µια από τις εισόδους είναι σε κατάσταση V H, λογικό "1", η αντίστοιχη δίοδος πολώνεται ορθά και το δυναµικό της εξόδου, Υ, βρίσκεται σε υψηλή στάθµη (λογικό "1"). Το δυναµικό είναι υψηλό και περίπου ίσο µε το V H µειωµένο κατά την πτώση τάσης πάνω στη δίοδο και κατά την πτώση τάσης πάνω στην αντίσταση i η οποία είναι πολύ µικρή. Όταν όλες οι είσοδοι είναι σε κατάσταση low, λογικό "0", τότε έρχονται σε κατάσταση αποκοπής όλες οι δίοδοι µε αποτέλεσµα το δυναµικό της εξόδου Y να ισούται µε το δυναµικό V, το οποίο βρίσκεται σε κατάσταση low, λογικό "0".

7 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 7 Σχήµα 3. Πύλη AND αρνητικής λογικής. H πύλη AND αρνητικής λογικής που παρουσιάζεται στο σχήµα 3 είναι ένα κύκλωµα πανοµοιότυπο µε αυτό της O θετικής λογικής του σχήµατος 2. Λειτουργώντας ως πύλη AND αναµένεται να έχει στην έξοδο λογικό "1" όταν όλες οι είσοδοι βρίσκονται ταυτόχρονα στην κατάσταση "1". Σε κάθε άλλη περίπτωση η έξοδος βρίσκεται σε κατάσταση "0". Πράγµατι, όταν όλες οι είσοδοι είναι "1" (χαµηλό δυναµικό, V L, στην αρνητική λογική) οι δίοδοι αποκόπτονται µε αποτέλεσµα στην έξοδο Υ το δυναµικό να είναι V =V L, (λογικό "1"). Αντίθετα, όταν µια είσοδος βρίσκεται σε κατάσταση λογικού "0", δηλαδή σε υψηλό δυναµικό V H, τότε η αντίστοιχη δίοδος πολώνεται ορθά, άγει και φέρνει το δυναµικό στην έξοδο σε υψηλή τιµή (λογικό "0") περίπου ίση µε V H -V K.

8 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 8 Σχήµα 4. Πύλη AND θετικής λογικής. Κατ αναλογία προς τα προηγούµενα, η πύλη AND θετικής λογικής του σχήµατος 4 είναι ένα κύκλωµα πανοµοιότυπο µε την πύλη O αρνητικής λογικής του σχήµατος 1. Όταν όλες οι είσοδοι είναι σε κατάσταση "1", δηλαδή σε υψηλό δυναµικό V H οι δίοδοι αποκόπτονται µε αποτέλεσµα το δυναµικό στην έξοδο Υ να είναι ίσο µε το V (=V H ) δηλαδή λογικό "1". Αντίθετα, όταν έστω και µια είσοδος είναι σε κατάσταση χαµηλού δυναµικού (λογικό "0" ), η αντίστοιχη δίοδος θα άγει µε αποτέλεσµα το δυναµικό στην έξοδο Υ να ισούται περίπου µε V H +V K. Γ. Πύλη NOT µε τρανζίστορ. Στο θετικής λογικής κύκλωµα αναστροφής του σχήµατος 5, ένα npn τρανζίστορ συνδέεται µε ένα διαιρέτη τάσης στο ένα άκρο του οποίου εφαρµόζεται το δυναµικό της εισόδου Α και στο άλλο ένα αρνητικό

9 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 9 δυναµικό V BB = 12V, ίσο σε απόλυτη τιµή µε το υψηλό δυναµικό V H που αντιστοιχεί στο λογικό "1". Σχήµα 5. Αναστροφέας σήµατος µε τρανζίστορ, πύλη NOT. Όταν η είσοδος Α βρεθεί σε κατάσταση λογικού "0" δηλαδή σε χαµηλό δυναµικό V L (=0Volt), η βάση του τρανζίστορ έρχεται σε αρνητικό δυναµικό. υ = B ( V ) 2 BB 1+ 2 (3) Κάτω από αυτές τις συνθήκες, το τρανζίστορ βρίσκεται σε αποκοπή µε αποτέλεσµα το δυναµικό της εξόδου Υ να ισούται µε V CC (λογικό "1") και να επιτελείται η αναστροφή. Όταν η είσοδος Α βρεθεί σε κατάσταση λογικού "1" δηλαδή σε υψηλό δυναµικό V Η (=12Volt), το κύκλωµα πόλωσης και η παράµετρος β του τρανζίστορ έχουν σχεδιαστεί και επιλεγεί κατάλληλα ώστε το τρανζίστορ να άγει σε κατάσταση κόρου. Στην περίπτωση αυτή το δυναµικό της εξόδου είναι υ Υ =υ CE(SAT) 0.2Volt (λογικό "0").

10 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 10 Το ρεύµα συλλέκτη σε µια τέτοια περίπτωση θα είναι: I C( SAT) V υ V = CC CE( SAT ) CC C 0.2 Τα ρεύµατα στις αντιστάσεις 1 και 2 θα είναι: I I 1 2 V υ V = A BE( SAT) H υ ( V ) V = BE( SAT ) BB BB 2 2 C (4) (5) (6) Η ελάχιστη τιµή της παραµέτρου β του τρανζίστορ που είναι ικανή να φέρει το τρανζίστορ στον κόρο κάτω από αυτές τις συνθήκες δίδεται από την ακόλουθη έκφραση: I = I I = B 1 2 I C( SAT) β Τυπικές τιµές αντιστάσεων και τάσεων πόλωσης για το συγκεκριµένο κύκλωµα είναι οι 1 =15K, 2 =100K, C =2.2K, -V BB =-12V, V CC =12V. (7). Πύλες σε συνδεσµολογίες DTL, TTL & TL. DTL Στο σχήµα 6 παρουσιάζεται µια πύλη NAND σε συνδεσµολογία DTL. Πρόκειται ουσιαστικά για το συνδυασµό της πύλης AND θετικής λογικής του σχήµατος 4 σε σειρά µε τον αντιστροφέα του σχήµατος 5. Η χωρητικότητα που τοποθετείται παράλληλα στην αντίσταση 1, αποσκοπεί στη βελτίωση της απόκρισης του κυκλώµατος στις µεταβατικές καταστάσεις.

11 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 11 Σχήµα 6. Πύλη NAND σε συνδεσµολογία DTL. Πόλωση του τρανζίστορ αναστροφής µε χρήση διαιρέτη τάσης. Σχήµα 7. Πύλη NAND σε συνδεσµολογία DTL

12 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 12 Παραλλαγή του κυκλώµατος του σχήµατος 6, συνηθισµένη στα ολοκληρωµένα κυκλώµατα, είναι αυτή του σχήµατος 7 όπου ο διαιρέτης τάσης λείπει και τη θέση του έχουν πάρει οι δύο δίοδοι D1 και D2. Η αντίσταση 2 παραµένει στο κύκλωµα και βραχυκυκλώνεται µε τον εκποµπό. Ενδεικτικές τιµές αντιστάσεων και τροφοδοσίας για το εν λόγω κύκλωµα είναι οι: D =5K, C =2.2K, 2 =5K και V CC =V H =5V. Με δεδοµένο ότι πρόκειται για µια NAND πύλη (δηλαδή άρνηση της πύλης AND), θα πρέπει όταν έστω µια από τις εισόδους είναι σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0") η έξοδος Υ να βρίσκεται σε υψηλό δυναµικό (λογικό "1"). Αντίθετα, όταν όλες οι είσοδοι είναι σε υψηλό δυναµικό (λογικό "1") η έξοδος Υ θα βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0"). Πράγµατι, όταν έστω και µια είσοδος βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0") η αντίστοιχη δίοδος που συνδέεται σε αυτήν την είσοδο θα άγει επειδή θα βρίσκεται σε ορθή πόλωση (έχει χαµηλό δυναµικό V L αριστερά της και υψηλό δυναµικό δεξιά της). Όταν η δίοδος άγει το δυναµικό δεξιά της, στο σηµείο Σ, γίνεται χαµηλό (V L +V D ). Όπου V D η πτώση τάσης στα άκρα της διόδου. Λόγω του χαµηλού αυτού δυναµικού, οι δύο δίοδοι D1 και D2 βρίσκονται σε αποκοπή µε αποτέλεσµα για το τρανζίστορ Q να είναι Ι Β =0 και να βρίσκεται έτσι αυτό σε κατάσταση αποκοπής οδηγώντας την έξοδο Υ σε υψηλό δυναµικό V Y =V CC =V H, (λογικό "1"). Όταν τώρα όλες οι είσοδοι βρίσκονται σε υψηλό δυναµικό (λογικό "1") οι τρεις δίοδοι αποκόπτονται και το δυναµικό στο σηµείο Σ έχει την τάση να ανέβει προς την τιµή V CC. Η αυξητική όµως αυτή τάση του δυναµικού στο σηµείο Σ θα φέρει κάποια στιγµή τις διόδους D1 και D2 σε ορθή πόλωση µε αποτέλεσµα αυτές να αρχίσουν να άγουν και να τροφοδοτούν µε ρεύµα βάσης, Ι Β, το τρανζίστορ. Το κύκλωµα είναι έτσι σχεδιασµένο ώστε το ρεύµα βάσης να είναι τόσο υψηλό ώστε να οδηγεί το τρανζίστορ

13 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 13 Q στον κόρο µε αποτέλεσµα το δυναµικό στην έξοδο Υ να γίνεται χαµηλό, ίσο µε υ CE(SAT), αντιστοιχώντας στην αναµενόµενη κατάσταση του λογικού "0". Προσδιορισµός των χαρακτηριστικών του κυκλώµατος για λειτουργία του τρανζίστορ στον κόρο. Σύµφωνα µε τα προηγούµενα, το επιθυµητό στη λειτουργία του κυκλώµατος του σχήµατος 7 είναι : όταν όλες οι είσοδοι βρίσκονται σε κατάσταση υψηλού δυναµικού (λογικού "1") οι δίοδοι D1 και D2 να άγουν και να οδηγούν το τρανζίστορ στον κόρο (στο λογικό "0"). Υπό αυτές τις συνθήκες το δυναµικό στο σηµείο Σ θα είναι: V = V + D1 V + D2 V = Σ BE( SAT) = 2.2Volt (8) όπου V ( ) = 0.8Volt (9) BE SAT η διαφορά δυναµικού µεταξύ βάσης και εκποµπού του τρανζίστορ Q όταν αυτό λειτουργεί στον κόρο. Για το ρεύµα Ι 1 θα ισχύει: I 1 V V V CC Σ = = D CC για το ρεύµα Ι 2 θα ισχύει: I 2 V BE ( SAT ) = D (10) (11) το ρεύµα βάσης του τρανζίστορ ισούται µε τη διαφορά των δύο ρευµάτων: VCC IB = I1 I2 = D 2 (12)

14 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 14 Το ρεύµα στο συλλέκτη ισούται µε: I C VCC VCE ( SAT ) VCC 0.2 = = C C (13) Συνδυάζοντας τις σχέσεις 12 και 13 µπορεί να βρεθεί η ελάχιστη τιµή της παραµέτρου β του τρανζίστορ ώστε αυτό να λειτουργεί στον κόρο: β min IC VCC 0.2 VCC = = IB C D 2 (14) Αιτιολόγηση της χρήσης των δύο διόδων D1 και D2 αντί µιας. Μια δίοδος εκ των D1 και D2 θα αρκούσε για να φέρει το τρανζίστορ Q σε αποκοπή όταν τουλάχιστον µια από τις εισόδους βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό. Πράγµατι όταν κάτι τέτοιο συµβαίνει το δυναµικό στο σηµείο Σ είναι: υ Σ = V + V = = 0.9Volt (15) L D και η τάση µεταξύ βάσης και εκποµπού του τρανζίστορ (όταν µόνο µια από τις διόδους D1 και D2 παρεµβάλλεται µεταξύ των σηµείων Σ και Β) θα είναι : V = V V = = 0.3Volt (16) BE Σ Κ όπου V K (=0.6Volt) το δυναµικό κατωφλίου της διόδου (Παρατήρηση: η πτώση τάσης των 0.7Volt χρησιµοποιείται µόνο όταν µια δίοδος άγει). Για να άγει το τρανζίστορ απαιτείται ένα κατώφλι V K (=V BE ) = 0.5 Volt και κατά συνέπεια τα 0.3Volt δεν είναι αρκετά µε αποτέλεσµα το τρανζίστορ να βρίσκεται σε αποκοπή χρησιµοποιώντας µία µόνο δίοδο από τις D1 και D2. Επειδή όµως η διαφορά αυτή των 0.2 Volt από το κατώφλι των 0.5 Volt δεν είναι πολύ µεγάλη και θα µπορούσε να

15 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 15 αντισταθµιστεί από την ύπαρξη αιχµών θορύβου χρησιµοποιείται και η δεύτερη δίοδος έτσι ώστε να είναι: V = V V V = = 0.3Volt (17) BE Σ Κ Κ (α) (β) Σχήµα 8. α) Πύλη NAND σε συνδεσµολογία DTL µε χρήση τρανζίστορ αντί της διόδου D1 του σχήµατος 7 για την οδήγηση περισσότερων πυλών στην έξοδό του. β) δράση του συλλέκτη ως απαγωγού του ρεύµατος των πυλών που συνδέονται στην έξοδο.

16 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 16 και η διαφορά της V BE από το κατώφλι έναρξης λειτουργίας του τρανζίστορ από 0.2 να γίνεται 0.8 Volt. Πιο αυστηρές σχεδιάσεις κυκλωµάτων περιλαµβάνουν και τρίτη δίοδο για την προστασία από το θόρυβο. Στο σχήµα 8 παρουσιάζεται µια ακόµη τροποποίηση της DTL NAND µε στόχο τη λειτουργία του τρανζίστορ Q2 του τµήµατος του αντιστροφέα µε µεγαλύτερα ρεύµατα συλλέκτη (I C2 ). Τυπικές τιµές των στοιχείων του κυκλώµατος είναι οι : D1 =1.75K, D2 =2K, C2 =2.2K, 2 =5K, V CC =5V. Η αναγκαιότητα για µεγαλύτερα ρεύµατα συλλέκτη πηγάζει από την ανάγκη για σύνδεση της εξόδου της πύλης NAND µε περισσότερες πύλες. Στη συνδεσµολογία του σχήµατος 8β, φαίνεται ο ρόλος του συλλέκτη του τρανζίστορ Q2 µιας πύλης NAND ως απαγωγού (αποδέκτη) του ρεύµατος µιας άλλης πύλης NAND που συνδέεται µε µια είσοδό της στην έξοδο της πρώτης. Το ρεύµα συλλέκτη όπως αυτό εκφράζεται µε την εξίσωση 13 αναφέρεται στην περίπτωση που η έξοδος της πύλης NAND είναι ανοικτή (I C =I C(0) ). Όταν στην έξοδο Υ της NAND συνδεθεί η είσοδος µιας πύλης NAND τότε στη χειρότερη περίπτωση όπου όλες οι είσοδοι της δεύτερης NAND είναι σε υψηλό δυναµικό εκτός από την είσοδο που συνδέεται µε την πρώτη NAND η οποία βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό όταν το τρανζίστορ Q2 αυτής (της πρώτης NAND) είναι στον κόρο ένα ρεύµα Ι (µπλε γραµµή στο σχήµα 8β) προστίθεται στο ρεύµα του συλλέκτη του τρανζίστορ Q2 της πρώτης πύλης.. Στην περίπτωση που στην έξοδο Υ συνδέονται Ν πύλες, το ρεύµα που θα προστίθεται στο ρεύµα του συλλέκτη του τρανζίστορ Q2 της πρώτης πύλης θα είναι ΝΙ. Έτσι θα προκύπτει ένα ρεύµα συλλέκτη:

17 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 17 I = I + NI (18) C( N) C(0) Το πρόσθετο ρεύµα στο συλλέκτη είναι ΝΙ όπου: VCC VD VY VCC 0.7 VL VCC 0.9 I = = = (19) D1 D2 D1 D2 D1 D2 Με δεδοµένο τώρα ότι το ρεύµα βάσης του Q2 είναι πρακτικά ανεξάρτητο από το πλήθος Ν των πυλών που συνδέονται στην έξοδό του, το επιτρεπτό πλήθος πυλών Ν που µπορούν να συνδεθούν στην έξοδο της NAND µπορεί να προκύψει από την εξίσωση: I = I + NI = β I V C( N) C(0) B2 CC 0.2 V N = β I CC B2 C D1+ (20) D2 Για την αύξηση λοιπόν του ρεύµατος στο συλλέκτη του Q2 η δίοδος D1 αντικαθίσταται µε το τρανζίστορ Q1. Όταν όλες οι είσοδοι είναι σε υψηλό δυναµικό, το τρανζίστορ Q1 βρίσκεται στην ενεργό περιοχή λειτουργίας. Έτσι το δυναµικό στο σηµείο Σ θα είναι: V = V + BE1( ACT ) V + D2 V = Σ BE 2( SAT ) = 2.2Volt. (21) Τα ρεύµατα Ι 1 και Ι 2 θα είναι αντίστοιχα : I = I + β I, I2 = VBE 2( SAT ) / 2 0.8/ 2 (22) 1 C1 B1 και το ρεύµα βάσης του Q2: I = I I = I + β I 0.8/ (23) B2 1 2 C1 B1 2

18 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 18 Συνοψίζοντας, η χρησιµοποίηση του τρανζίστορ Q1 αντί της διόδου D1 καθιστά εφικτή την αύξηση του ρεύµατος βάσης του Q2 και τη σύνδεση περισσότερων βαθµίδων στην έξοδό του. HT-DTL NAND. Σχήµα 9. Πύλη NAND σε συνδεσµολογία HT-DTL (High Threshold DTL) µε χρήση διόδου Zener για µεγαλύτερη προστασία από το θόρυβο. Σε περιπτώσεις όπου τα επίπεδα του θορύβου είναι υψηλά, το κύκλωµα του σχήµατος 8 τροποποιείται µε χρήση υψηλότερης τροφοδοσίας και αντικατάσταση της διόδου D2 µε δίοδο Zener. Με τον τρόπο αυτό παρέχεται µεγαλύτερη προστασία από τον θόρυβο. Ενδεικτικές τιµές του κυκλώµατος είναι οι D1 =3K, D2 =12K, C2 =15K, V Z =6.9V, 2 =5K.

19 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 19 TTL NAND. Σχήµα 10. Πύλη TTL NAND θετικής λογικής µε τρεις εισόδους Το κύκλωµα TTL NAND του σχήµατος 10, επιτελεί την ίδια ακριβώς λειτουργία µε την DTL-NAND του σχήµατος 7. Ενδεικτικές τιµές των χρησιµοποιούµενων αντιστάσεων είναι οι: B1 =4K, C2 =1.4K, C3 =4K, 2 =1K. Η βασική διαφορά του από τη DTL-NAND του σχήµατος 7 είναι η αποκλειστική χρήση τρανζίστορ αντί διόδων (Transistor-Transistor Logic - TTL). Τη θέση της διόδου D2 (του σχήµατος 7) παίρνει η επαφή βάσηςεκποµπού του τρανζίστορ Q2. Τη θέση της διόδου D1 παίρνει η pn επαφή βάσης-συλλέκτη του τρανζίστορ Q1 σε ορθή πόλωση. Τέλος τη θέση των τριών διόδων των εισόδων A, B, C της πύλης παίρνουν οι τρεις pn επαφές βάσης -εκποµπού του τρανζίστορ Q1.

20 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 20 Περιγραφή της λειτουργίας της πύλης TTL NAND. Όταν έστω µια από τις εισόδους βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0") τότε το δυναµικό στο σηµείο Σ θα είναι: V = V + L V Σ BE = 0.9Volt (24) Το δυναµικό αυτό δεν είναι ικανό να εξασφαλίσει την ορθή πόλωση της επαφής βάσης-συλλέκτη του Q1 και τη λειτουργία των τρανζίστορ Q2 Q3 αφού κάτι τέτοιο θα απαιτούσε δυναµικό περίπου ίσο µε V Σ = =2.1Volt. Έτσι τα τρανζίστορ Q2 και Q3 θα βρίσκονται σε αποκοπή, µε αποτέλεσµα η έξοδος Υ της πύλης να είναι σε κατάσταση λογικού "1" (υψηλό δυναµικό V H =V CC =5Volt). Το τρανζίστορ Q1 ουσιαστικά συµπεριφέρεται σαν τρεις δίοδοι (τρεις επαφές βάσης-εκποµπού) αντίκρυ µε µια άλλη δίοδο (επαφή βάσηςσυλλέκτη) και όχι σαν τρανζίστορ. Όταν όλες οι είσοδοι βρεθούν σε υψηλό δυναµικό, οι τρεις επαφές βάσης-εκποµπού του τρανζίστορ Q1 πολώνονται ανάστροφα. Έτσι το V Σ τείνει προς την τιµή V CC οδηγώντας τα τρανζίστορ Q2 και Q3 στον κόρο. Κατά συνέπεια, V Y = V CE3(SAT) = 0.2V = V L (λογικό "0"). Το πλεονέκτηµα της συγκεκριµένης συνδεσµολογίας είναι η απόκρισή της κατά τις αλλαγές καταστάσεων. Σε αυτήν την περίπτωση το τρανζίστορ Q2 βρίσκεται στην ενεργό περιοχή λειτουργίας -δρώντας πραγµατικά σαν τρανζίστορ- και το µεγάλο ρεύµα του συλλέκτη του µπορεί να εκφορτίσει τα τρανζίστορ Q2 και Q3 και να αλλάξει µε ταχύ ρυθµό την κατάσταση του κυκλώµατος. Έστω για παράδειγµα ότι η έξοδος της πύλης βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό, τότε σύµφωνα µε την προηγούµενη παράγραφο τα τρανζίστορ Q2 και Q3 άγουν ευρισκόµενα στον κόρο και οι τρεις είσοδοι βρίσκονται σε υψηλό δυναµικό. Το δυναµικό του συλλέκτη του Q1 θα είναι :

21 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 21 VC1 = VBE 2( SAT ) + VBE3( SAT ) = 1.6Volt (25) Όταν κάποια στιγµή µία από τις τρεις εισόδους της πύλης µεταβεί από το λογικό "1" στο λογικό "0", δηλαδή σε V L 0.2Volt τότε σύµφωνα µε την εξίσωση 24 η βάση του τρανζίστορ Q1 θα φτάσει σε δυναµικό V Β1 = V Σ =0.9Volt οπότε θα είναι V BC1 =V B1 -V C1 = =-0.7. Κατά συνέπεια, η επαφή (p-τύπου)βάσης (n-τύπου)συλλέκτη θα είναι ανάστροφα πολωµένη. Αντίθετα, για την είσοδο που ήρθε σε χαµηλό δυναµικό η αντίστοιχη επαφή βάσης εκποµπού θα είναι ορθά πολωµένη µε αποτέλεσµα πραγµατικά το τρανζίστορ να λειτουργεί στην ενεργό περιοχή κατά τη διάρκεια της µετάβασης. TTL NAND µε έξοδο TOTEM. Σχήµα 11. Πύλη TTL NAND θετικής λογικής µε δύο εισόδους και βαθµίδα εξόδου σε συνδεσµολογία TOTEM.

22 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 22 Σε αυτό το κύκλωµα, το τρανζίστορ Q1 µε τους δύο εκποµπούς, την αντίσταση B1 και την τάση πόλωσης V CC δρα σαν πύλη AND. Το υπόλοιπο κύκλωµα παίζει το ρόλο του αντιστροφέα. Ενδεικτικές τιµές των στοιχείων του κυκλώµατος είναι οι: B1 =4K, C2 =1.6K, C3 =130Ω, 2 =1K. Τα τρανζίστορ Q3 και Q4 συνδέονται σε µια διάταξη Totem (σύνδεση ενός npn τρανζίστορ σε σειρά µε άλλο ένα npn τρανζίστορ) η οποία είναι πολύ συνηθισµένη σε διατάξεις TTL. Στη βαθµίδα Totem η πόλωση των τρανζίστορ Q3 και Q4 είναι τέτοια ώστε είτε να άγει το Q3 είτε το Q4. Όταν άγει το Q3 και αποκόπτεται το Q4 η έξοδος θα είναι σε κατάσταση υψηλής στάθµης. Αντίθετα όταν άγει (σε κατάσταση κόρου) το Q4 και αποκόπτεται το Q3 η έξοδος Υ βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό. Όταν µια από τις δύο εισόδους Α & Β βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό, V L, η αντίστοιχη επαφή βάσης εκποµπού του Q1 πολώνεται ορθά και το δυναµικό της βάσης του Q1 φτάνει στην τιµή V B1 =V L +0.7Volt. Κατά συνέπεια, η βάση του Q2 που είναι στο ίδιο δυναµικό µε το συλλέκτη του Q1 θα βρίσκεται σε ένα σχεδόν µηδενικό δυναµικό µε αποτέλεσµα το Q2 να αποκόπτεται, η βάση του Q3 να έρχεται σε υψηλό δυναµικό και το δυναµικό στην έξοδο Υ να είναι και αυτό σε υψηλή στάθµη (περίπου 1.5V κάτω από το δυναµικό της βάσης): V = V V V (26) Y B3 BE3 D1 Όταν και οι δύο είσοδοι βρίσκονται σε υψηλό δυναµικό (λογικό "1") τότε οι αντίστοιχες επαφές βάσης εκποµπού των δύο εκποµπών πολώνονται ανάστροφα και δεν άγουν ενώ η επαφή βάσης συλλέκτη πολώνεται ορθά και άγει σαν δίοδος κατά την ορθή φορά. Το τρανζίστορ Q2 έχει κάτω από αυτές τις συνθήκες ένα υψηλό δυναµικό στη βάση του µε αποτέλεσµα να αρχίσει να άγει οδηγώντας σε αγωγιµότητα το Q4 και το Q3 σε αποκοπή. Έτσι η έξοδος Υ βρίσκεται σε κατάσταση χαµηλού

23 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 23 δυναµικού (λογικό "0"). Η ύπαρξη της διόδου D1 διασφαλίζει την αποκοπή του Q3 όταν άγει το Q4 κρατώντας ανάστροφα πολωµένη την επαφή βάσης-εκποµπού του Q3. Πράγµατι όταν τα Q2 και Q4 άγουν θα είναι: V = V + V Volt (27) B3 BE4( SAT) CE2( SAT) 1 V = V + V Volt (28) E3 CE4( SAT) D1 0.9 και το τρανζίστορ Q3 θα βρίσκεται σε κατάσταση αποκοπής. TTL NO. Σχήµα 12. Πύλη TTL NO θετικής λογικής µε δύο εισόδους και βαθµίδα εξόδου σε συνδεσµολογία TOTEM.

24 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 24 Η πύλη TTL NO βασίζεται ουσιαστικά σε τροποποίηση της πύλης TTL NAND (προσθήκη των τρανζίστορ Q5 και Q6). Ενδεικτικές τιµές των στοιχείων του κυκλώµατος είναι οι: B1 =4Κ, B5 =4K, C2 =1.6K, C3 =130Ω, 2 =1K. Ο παράλληλος συνδυασµός των τρανζίστορ Q2 και Q6 ορίζει ουσιαστικά µια πύλη O. Το κύκλωµα που ακολουθεί µετά τον παράλληλο αυτό συνδυασµό δρα και εδώ ως αναστροφέας, για να προκύψει τελικά η πύλη NO. Όταν και οι δύο είσοδοι βρίσκονται σε χαµηλό δυναµικό, V L, οι βάσεις των τρανζίστορ Q1 και Q5 έρχονται και αυτές σε χαµηλό δυναµικό V L +0.7 Volt αποκόπτοντας ουσιαστικά τα τρανζίστορ Q2 καιq6. Υπό αυτές τις συνθήκες το τρανζίστορ Q3 θα άγει φέροντας σε υψηλό δυναµικό την έξοδο Υ. Όταν τώρα µια από τις δύο εισόδους (Α ή Β) αποκτήσει υψηλό δυναµικό θα οδηγήσει στην αποκοπή το αντίστοιχο τρανζίστορ (Q1 ή Q5) και αυτό µε τη σειρά του θα οδηγήσει το Q2 ή το Q6 αντίστοιχα σε λειτουργία. Όταν άγει είτε το Q2 είτε το Q6 οδηγεί σε λειτουργία και µάλιστα στον κόρο το τρανζίστορ Q4 µε αποτέλεσµα η έξοδος της πύλης να βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό.

25 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 25 TL NO Σχήµα 13. Πύλη NO σε συνδεσµολογία TL Ενδεικτικές τιµές των στοιχείων του κυκλώµατος είναι οι: C =600Ω, B =400Ω, V CC =3.6V. Όταν και οι τρεις είσοδοι της πύλης βρίσκονται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0"), τα τρία τρανζίστορ αποκόπτονται µε αποτέλεσµα η έξοδος Υ να βρίσκεται σε υψηλό δυναµικό V CC (λογικό "1"). Όταν έστω και µία είσοδος βρίσκεται σε υψηλό δυναµικό, το αντίστοιχο τρανζίστορ θα άγει σε κατάσταση κόρου και η έξοδος Υ θα βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό υ CE(SAT). Το πλεονέκτηµα της σχεδίασης TL (esistor Transistor Logic) είναι ο µικρός χώρος που καταλαµβάνει πάνω σε ένα wafer πυριτίου και κατά συνέπεια το χαµηλό κόστος.

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2009 ΑΣΚΗΣΗ 1 Αναλύστε τι ισχύει για την πύλη DTL του Σχ.1, ανάλογα

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3 Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ (TTL) και Schottky TTL Διάλεξη 3 Δομή της διάλεξης Το κύκλωμα της πύλης TTL Ανάλυση της πύλης TTL Χαρακτηριστικά της πύλης TTL ΗπύληNAND TTL και άλλα λογικά κυκλώματα TTL Βελτίωση

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2 Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs Διάλεξη 2 Δομή της διάλεξης Επανάληψη άλγεβρας Boole Λογική με διόδους Λογική Αντιστάσεων-Τρανζίστορ (Resistor-Transistor Logic ή RTL) Λογική Διόδων-Τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Τρία: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά

Κεφάλαιο Τρία: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Κεφάλαιο Τρία: 3.1 Τι είναι αναλογικό και τι ψηφιακό µέγεθος Αναλογικό ονοµάζεται το µέγεθος που µπορεί να πάρει οποιαδήποτε τιµή σε µια συγκεκριµένη περιοχή τιµών π.χ. η ταχύτητα ενός αυτοκινήτου. Ψηφιακό

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 3ο. Λιούπης Χαρακτηριστική καµπύλη µεταφοράς τάσης TTL V out (volts) εγγυηµένη περιοχή V OH V OH(min) V OL(max) 2.4 Ηκαµπύλη µεταφοράς εξαρτάται από τη θερµοκρασία περιβάλλοντος

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη

Διαβάστε περισσότερα

1.1 Θεωρητική εισαγωγή

1.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ NOT, AND, NAND Σκοπός: Να εξοικειωθούν οι φοιτητές µε τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα της σειράς 7400 για τη σχεδίαση και υλοποίηση απλών λογικών συναρτήσεων.

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ 2 Δίοδοι-Επαφή pn 1. Ποιες είναι οι 3 κατηγορίες υλικών στην ηλεκτρονική; a) Στερεά, υγρά αέρια. b) Αγωγοί, μονωτές, ημιαγωγοί. c) Γη, αέρας, φωτιά. d) Ημιαγωγοί, μονωτές,

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

1) Ταχύτητα. (Χρόνος καθυστερήσεως της διαδόσεως propagation delay Tpd ). Σχήμα 11.1β Σχήμα 11.1γ

1) Ταχύτητα. (Χρόνος καθυστερήσεως της διαδόσεως propagation delay Tpd ). Σχήμα 11.1β Σχήμα 11.1γ Κεφάλαιο 11 ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 11.1. Εισαγωγή Τα ψηφιακά κυκλώματα κατασκευάζονται κυρίως με χρήση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (που λέγονται για συντομία ICs INTEGRATED CIRCUITS). Κάθε IC είναι ένας μικρός

Διαβάστε περισσότερα

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Μεθοδολογία D ανάλυσης των κυκλωμάτων με διπολικά τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 5 ΧΡΟΝΙΑ ΕΜΠΕΙΡΙΑ ΣΤΗΝ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α. ια τις ημιτελείς προτάσεις Α. έως Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και, δίπλα σε κάθε αριθμό,

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 28 ΜΑΪΟΥ 2003 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) : ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ: ΕΞΙ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn. Τρανζίστορ FT 3. Πόλωση των FT - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FT 5. Διπολικό τρανζίστορ (JT) 6. Πόλωση των JT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με

Διαβάστε περισσότερα

Αναλογικά & Ψηφιακά Κυκλώματα ιαφάνειες Μαθήματος ρ. Μηχ. Μαραβελάκης Εμ.

Αναλογικά & Ψηφιακά Κυκλώματα ιαφάνειες Μαθήματος ρ. Μηχ. Μαραβελάκης Εμ. Αναλογικά & Ψηφιακά Κυκλώματα ιαφάνειες Μαθήματος ρ. Μηχ. Μαραβελάκης Εμ. 1 Οι λογικές πύλες (ή απλά πύλες) είναι οι θεμελιώδεις δομικές μονάδες των ψηφιακών κυκλωμάτων. Όπως φαίνεται και από την ονομασία

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 2 Το τρανζιστορ Ορισμός Το τρανζίστορ είναι μία διάταξη στερεάς κατάστασης φτιαγμένη από ημιαγώγιμο υλικό με ακροδέκτες σε τρία ή περισσότερα σημεία τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: Παράδειγµα 8 Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: 0,7 + 2200I 5V = 0 V D 4,3 I D = = 1, 95mA 2200 + 5 2200I D + Vout = 0 Vout=-0,7V Παράδειγµα 9 Το παρακάτω σχήµα παριστάνει κύκλωµα φόρτισης µιας

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ FET Επαφής

Τρανζίστορ FET Επαφής ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) FET) Ι Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 Τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Άσκηση 1 Μία TTL πύλη εγγυάται να τραβάει 10 ma χωρίς να ξεπεράσει το δυναμικό εξόδου VOL(max) = 0.4 Volt και να μπορεί να δώσει 5 ma χωρίς να πέσει το δυναμικό εξόδου

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ Rquird Txt: Microlctronic Dvics, Kith Lavr (5 th Chaptr) Τρανζίστορ Ανακαλύφθηκε το 1948 από τους William Shockly, John Bardn και Waltr Brattain στα εργαστήρια

Διαβάστε περισσότερα

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2010 ΑΣΚΗΣΗ 1 Ένας μικροεπεξεργαστής πρέπει να οδηγήσει ένα δίαυλο

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6: Διπολικό τρανζίστορ (BJT) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί. Relay Module PanosRCng Στην πορεία προς ένα μέλλον αυτοματισμών, όπου θα μπορούμε να ελέγχουμε τα πάντα μέσω του φιλόξενου περιβάλλοντος του προσωπικού μας υπολογιστή, ή θα μπορούμε να αναθέτουμε σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 41 ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ Η συνδεσµολογία κοινού συλλέκτη φαίνεται στο σχήµα 41 Αν σχηµατίσουµε το ac ισοδύναµο θα δούµε ότι ο συλλέκτης συνδέεται στη γη και αποτελεί κοινό

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 2: Δίοδος pn Δρ Δημήτριος Λαμπάκης 1 Δίοδος pn Είναι μια μη γραμμική συσκευή Η γραφική παράσταση του ρεύματος σε σχέση με την τάση δεν είναι ευθεία γραμμή Η εξωτερική τάση

Διαβάστε περισσότερα

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../. A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :

Διαβάστε περισσότερα

.Λιούπης. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Ακεραιότητα Ψηφιακού Σήµατος 1

.Λιούπης. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Ακεραιότητα Ψηφιακού Σήµατος 1 Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Ακεραιότητα Ψηφιακού Σήµατος.Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Ακεραιότητα Ψηφιακού Σήµατος 1 Ακεραιότητα Ψηφιακού Σήµατος Θόρυβος και ηλεκτροµαγνητικές παρεµβολές Μοντέρνα ψηφιακά κυκλώµατα

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode)

Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Εισαγωγή Στην προηγούµενη εργαστηριακή άσκηση µελετήσαµε την δίοδο ανόρθωσης ένα στοιχείο που σχεδιάστηκε για να λειτουργεί ως µονόδροµος αγωγός.

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 1 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ

ΑΣΚΗΣΗ 1 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ 1.1 ΣΚΟΠΟΣ Η εξοικείωση με τη λειτουργία των Λογικών Πυλών και των Πινάκων Αληθείας. 1.2 ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ Οι λογικές πύλες είναι ηλεκτρονικά κυκλώματα που δέχονται στην είσοδο ή στις

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 4 ίοδος Zener

Άσκηση 4 ίοδος Zener Άσκηση 4 ίοδος Zener Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή άσκηση 2 µελετήθηκε η δίοδος ανόρθωσης η οποία είδαµε ότι λειτουργεί µονάχα εάν πολωθεί ορθά. Το ίδιο ισχύει και στην περίπτωση της φωτοεκπέµπουσας

Διαβάστε περισσότερα

Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές. Ηλεκτρονικά

Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές. Ηλεκτρονικά Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές Ηλεκτρονικά ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 2012 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ

Διαβάστε περισσότερα

.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης

.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ & ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 1 Βασικές Έννοιες Ψηφιακών Κυκλωµάτων.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης Πίνακας Περιεχοµένων. 1.1 Ψηφιακά ηλεκτρονικά κυκλώµατα....2

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5 Επαναληπτικά Θέµατα ΟΕΦΕ 007 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις Α. έως και Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθµό

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 6ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 6ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 6ο. Λιούπης Κίνδυνοι για ένα ολοκληρωµένο CMOS Ηλεκτροστατική εκκένωση (electrostatic discharge ESD) ανταλλαγή στατικών φορτίων και δηµιουργία σπινθήρα, όταν πλησιάσουν δύο σώµατα

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και

Διαβάστε περισσότερα

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας Ο BJT Αναστροφέας Ο πιο απλός αναστροφέας που μπορούμε να υλοποιήσουμε φαίνεται στο διπλανό σχήμα και αποτελείται από ένα τρανζίστορ και δύο αντιστάσεις. Μελετώντας το κύκλωμα θα διαπιστώσουμε ότι οι επιδόσεις

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία Τ.Ε.Ι. ΑΘΗΝΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΙΑΤΡΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Προαιρετική εργασία «Κατασκευή δυαδικού απαριθμητή με δεκαδική απεικόνιση δεκάδων και μονάδων» Συνυπεύθυνος

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ

Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Για να κατανοήσουµε τη λειτουργία και το ρόλο των διόδων µέσα σε ένα κύκλωµα, θα πρέπει πρώτα να µελετήσουµε τους ηµιαγωγούς, υλικά που περιέχουν

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 8. Θυρίστορ. Στόχος. Εισαγωγή. 1) Θυρίστορ. 2) Δίοδος Shockley ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ)

Άσκηση 8. Θυρίστορ. Στόχος. Εισαγωγή. 1) Θυρίστορ. 2) Δίοδος Shockley ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) ΤΕΙ ΔΥΤΙΗΣ ΕΛΛΔΣ ΤΜΗΜ ΗΛΕΤΡΟΛΟΓΩ ΜΗΧΙΩ Τ.Ε. ΗΛΕΤΡΟΙ Ι (ΕΡ) Άσκηση 8 Θυρίστορ Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία του θυρίστορ SCR. Μελετώνται οι ιδιότητες του SCR

Διαβάστε περισσότερα

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 1 2 3 4 5 6 7 Παραπάνω βλέπουμε ακολουθιακό κύκλωμα σχεδιασμένο με μανταλωτές διαφορετικής φάσης. Παρατηρούμε ότι συνδυαστική λογική μπορεί να προστεθεί μεταξύ και των

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /6/6 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: =, = 6 kω, = kω και = = Ε = = kω, ενώ για το τρανζίστορ δίνονται: = 78, β

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος Ηλεκτρονικά Ισχύος Πρόκειται για στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά με συγκεκριμένες μη γραμμικές ηλεκτρικές ιδιότητες (ημιαγωγά στοιχεία) Τα κυριότερα από τα στοιχεία αυτά είναι: Η δίοδος Το thyristor

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4 Λογικά Κυκλώματα NMOS Διάλεξη 4 Δομή της διάλεξης Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο Η Στατική Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Κορεσμένο Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Γραμμικό Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Περιληπτικές σημειώσεις ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

- Transistor Transistor -

- Transistor Transistor - ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΚΥΚΛΩΜΑΟΣ Βασικές αρχές ηλεκτροτεχνίας Αντίσταση πυκνωτή - πηνίου Συντονισµένο κύκλωµα Ηλεκτρονική δοµή της ύλης Ηλεκτρονικές ιδιότητες της ύλης Ηλεκτρονικές λυχνίες

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 04 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 04 Παρασκευή, 6 Ιουνίου 04 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Α. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α. και Α.

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 3: Συνδυασμός αντιστάσεων και πηγών Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΑΡΧΗ ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΚΑΙ Δ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 6 ΙΟΥΝΙΟΥ 4 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (3 ο σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (3 ο σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (3 ο σειρά διαφανειών) Οι βαθμίδες εξόδου διαμορφώνουν τις στάθμες τάσης που εμφανίζονται στους ακροδέκτες ενός ολοκληρωμένου κυκλώματος.

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου ontrol Systems Laboratory Δίοδοι Zener συνεχ. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου I V Z υ διατηρείται σταθερή για μία ευρεία περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ηµιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

ΟΜΑ Α Α. δ. R = 0. Μονάδες 5 ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΤΑΞΗ

ΟΜΑ Α Α. δ. R = 0. Μονάδες 5 ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΤΑΞΗ ΑΡΧΗ ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γʹ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΕΜΠΤΗ 9 ΙΟΥΝΙΟΥ 2005 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ:

Διαβάστε περισσότερα