ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ"

Transcript

1 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1 µε ένα υψηλό δυναµικό, V H. Αντίστροφα, στην αρνητική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα υψηλό δυναµικό, V H, ενώ το λογικό 1 µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L. ΠΥΛΗ Η (O) A B Y ΠΥΛΗ Η (O) ΘΕΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V L V L V L V L V H V H V H V L V H V H V H V H ΠΥΛΗ Η (O) ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V H V H V H V H V L V L V L V H V L V L V L V L ΠΥΛΗ ΚΑΙ (AND) A B Y

2 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 2 ΠΥΛΗ ΚΑΙ (AND) ΘΕΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V L V L V L V L V H V L V H V L V L V H V H V H ΠΥΛΗ ΚΑΙ (AND) ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V H V H V H V H V L V H V L V H V H V L V L V L ΠΥΛΗ ΑΠΟΚΛΕΙΣΤΙΚΟΥ Η (ΧO) A B Y ΠΥΛΗ ΑΠΟΚΛΕΙΣΤΙΚΟΥ Η (ΧO) ΘΕΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V L V L V L V L V H V H V H V L V H V H V H V L ΠΥΛΗ ΑΠΟΚΛΕΙΣΤΙΚΟΥ Η (ΧO) ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A B Y V H V H V H V H V L V L V L V H V L V L V L V H ΠΥΛΗ OXI (NOT) A Y

3 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 3 ΠΥΛΗ OXI (NOT) ΘΕΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A V L V H Y V H V L ΠΥΛΗ OXI (NOT) ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΛΟΓΙΚΗ A V H V L Y V L V H ΠΥΛΗ Η (O) ΤΡΙΩΝ ΕΙΣΟ ΩΝ A B C Y ΠΥΛΗ OXI Η (NO) ΤΡΙΩΝ ΕΙΣΟ ΩΝ A B C Y

4 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 4 ΠΥΛΗ KAI (AND) ΤΡΙΩΝ ΕΙΣΟ ΩΝ A B C Y ΠΥΛΗ OXI KAI (NAND) ΤΡΙΩΝ ΕΙΣΟ ΩΝ A B C Y Β. Απλές συνδεσµολογίες λογικών πυλών, συνδεσµολογία DL (Diode- Logic configuration). Σχήµα 1. Πύλη O αρνητικής λογικής.

5 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 5 Η λογική πύλη O, για να έχει έξοδο σε κατάσταση "1" αρκεί τουλάχιστον µια από τις εισόδους της να είναι σε κατάσταση "1". Αντίθετα, η έξοδος θα βρίσκεται σε κατάσταση "0" µόνο όταν όλες οι είσοδοι είναι σε κατάσταση "0". Στην αρνητικής λογικής πύλη του σχήµατος 1 όταν µια από τις εισόδους είναι σε κατάσταση λογικού "1" (χαµηλό δυναµικό V L ) η αντίστοιχη δίοδος θα βρίσκεται σε κατάσταση ορθής πόλωσης, κατά συνέπεια θα άγει και το δυναµικό Υ της εξόδου θα βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "1"). Το δυναµικό αυτό αν (για παράδειγµα) η είσοδος Α βρεθεί σε κατάσταση λογικού "1" θα είναι: V ( VA + VK) υ Υ = V Ion= V + r + (1) i όπου η δίοδος προσεγγίστηκε από την τάση κατωφλίου V K (0.2V για το γερµάνιο και 0.6V για το πυρίτιο) σε σειρά µε την αντίσταση, r f, που εµφανίζει η δίοδος κατά την ορθή πόλωση. Και επειδή ισχύει i + rf, το χαµηλό δυναµικό στην έξοδο θα είναι: υ Υ V + V = V('1') + V = V + V (2) A K K L K f Αν αντίθετα όλες οι είσοδοι βρίσκονται σε κατάσταση λογικού "0" (υψηλό δυναµικό V Η ) τότε λόγω του ότι V =V H, όλες οι δίοδοι θα βρίσκονται σε αποκοπή µε αποτέλεσµα να είναι Υ= V =V H, δηλαδή λογικό "0".

6 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 6 Σχήµα 2. Πύλη O θετικής λογικής. Στο σχήµα 2 παρουσιάζεται η λογική πύλη O για θετική λογική. Παρατηρούµε ότι έχει αλλάξει η φορά σύνδεσης των διόδων ενώ το δυναµικό V εξακολουθεί να ισούται µε το δυναµικό που αντιστοιχεί στο λογικό "0" µόνο που στη θετική λογική το δυναµικό αυτό είναι το χαµηλό, V L. Έτσι όταν έστω και µια από τις εισόδους είναι σε κατάσταση V H, λογικό "1", η αντίστοιχη δίοδος πολώνεται ορθά και το δυναµικό της εξόδου, Υ, βρίσκεται σε υψηλή στάθµη (λογικό "1"). Το δυναµικό είναι υψηλό και περίπου ίσο µε το V H µειωµένο κατά την πτώση τάσης πάνω στη δίοδο και κατά την πτώση τάσης πάνω στην αντίσταση i η οποία είναι πολύ µικρή. Όταν όλες οι είσοδοι είναι σε κατάσταση low, λογικό "0", τότε έρχονται σε κατάσταση αποκοπής όλες οι δίοδοι µε αποτέλεσµα το δυναµικό της εξόδου Y να ισούται µε το δυναµικό V, το οποίο βρίσκεται σε κατάσταση low, λογικό "0".

7 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 7 Σχήµα 3. Πύλη AND αρνητικής λογικής. H πύλη AND αρνητικής λογικής που παρουσιάζεται στο σχήµα 3 είναι ένα κύκλωµα πανοµοιότυπο µε αυτό της O θετικής λογικής του σχήµατος 2. Λειτουργώντας ως πύλη AND αναµένεται να έχει στην έξοδο λογικό "1" όταν όλες οι είσοδοι βρίσκονται ταυτόχρονα στην κατάσταση "1". Σε κάθε άλλη περίπτωση η έξοδος βρίσκεται σε κατάσταση "0". Πράγµατι, όταν όλες οι είσοδοι είναι "1" (χαµηλό δυναµικό, V L, στην αρνητική λογική) οι δίοδοι αποκόπτονται µε αποτέλεσµα στην έξοδο Υ το δυναµικό να είναι V =V L, (λογικό "1"). Αντίθετα, όταν µια είσοδος βρίσκεται σε κατάσταση λογικού "0", δηλαδή σε υψηλό δυναµικό V H, τότε η αντίστοιχη δίοδος πολώνεται ορθά, άγει και φέρνει το δυναµικό στην έξοδο σε υψηλή τιµή (λογικό "0") περίπου ίση µε V H -V K.

8 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 8 Σχήµα 4. Πύλη AND θετικής λογικής. Κατ αναλογία προς τα προηγούµενα, η πύλη AND θετικής λογικής του σχήµατος 4 είναι ένα κύκλωµα πανοµοιότυπο µε την πύλη O αρνητικής λογικής του σχήµατος 1. Όταν όλες οι είσοδοι είναι σε κατάσταση "1", δηλαδή σε υψηλό δυναµικό V H οι δίοδοι αποκόπτονται µε αποτέλεσµα το δυναµικό στην έξοδο Υ να είναι ίσο µε το V (=V H ) δηλαδή λογικό "1". Αντίθετα, όταν έστω και µια είσοδος είναι σε κατάσταση χαµηλού δυναµικού (λογικό "0" ), η αντίστοιχη δίοδος θα άγει µε αποτέλεσµα το δυναµικό στην έξοδο Υ να ισούται περίπου µε V H +V K. Γ. Πύλη NOT µε τρανζίστορ. Στο θετικής λογικής κύκλωµα αναστροφής του σχήµατος 5, ένα npn τρανζίστορ συνδέεται µε ένα διαιρέτη τάσης στο ένα άκρο του οποίου εφαρµόζεται το δυναµικό της εισόδου Α και στο άλλο ένα αρνητικό

9 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 9 δυναµικό V BB = 12V, ίσο σε απόλυτη τιµή µε το υψηλό δυναµικό V H που αντιστοιχεί στο λογικό "1". Σχήµα 5. Αναστροφέας σήµατος µε τρανζίστορ, πύλη NOT. Όταν η είσοδος Α βρεθεί σε κατάσταση λογικού "0" δηλαδή σε χαµηλό δυναµικό V L (=0Volt), η βάση του τρανζίστορ έρχεται σε αρνητικό δυναµικό. υ = B ( V ) 2 BB 1+ 2 (3) Κάτω από αυτές τις συνθήκες, το τρανζίστορ βρίσκεται σε αποκοπή µε αποτέλεσµα το δυναµικό της εξόδου Υ να ισούται µε V CC (λογικό "1") και να επιτελείται η αναστροφή. Όταν η είσοδος Α βρεθεί σε κατάσταση λογικού "1" δηλαδή σε υψηλό δυναµικό V Η (=12Volt), το κύκλωµα πόλωσης και η παράµετρος β του τρανζίστορ έχουν σχεδιαστεί και επιλεγεί κατάλληλα ώστε το τρανζίστορ να άγει σε κατάσταση κόρου. Στην περίπτωση αυτή το δυναµικό της εξόδου είναι υ Υ =υ CE(SAT) 0.2Volt (λογικό "0").

10 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 10 Το ρεύµα συλλέκτη σε µια τέτοια περίπτωση θα είναι: I C( SAT) V υ V = CC CE( SAT ) CC C 0.2 Τα ρεύµατα στις αντιστάσεις 1 και 2 θα είναι: I I 1 2 V υ V = A BE( SAT) H υ ( V ) V = BE( SAT ) BB BB 2 2 C (4) (5) (6) Η ελάχιστη τιµή της παραµέτρου β του τρανζίστορ που είναι ικανή να φέρει το τρανζίστορ στον κόρο κάτω από αυτές τις συνθήκες δίδεται από την ακόλουθη έκφραση: I = I I = B 1 2 I C( SAT) β Τυπικές τιµές αντιστάσεων και τάσεων πόλωσης για το συγκεκριµένο κύκλωµα είναι οι 1 =15K, 2 =100K, C =2.2K, -V BB =-12V, V CC =12V. (7). Πύλες σε συνδεσµολογίες DTL, TTL & TL. DTL Στο σχήµα 6 παρουσιάζεται µια πύλη NAND σε συνδεσµολογία DTL. Πρόκειται ουσιαστικά για το συνδυασµό της πύλης AND θετικής λογικής του σχήµατος 4 σε σειρά µε τον αντιστροφέα του σχήµατος 5. Η χωρητικότητα που τοποθετείται παράλληλα στην αντίσταση 1, αποσκοπεί στη βελτίωση της απόκρισης του κυκλώµατος στις µεταβατικές καταστάσεις.

11 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 11 Σχήµα 6. Πύλη NAND σε συνδεσµολογία DTL. Πόλωση του τρανζίστορ αναστροφής µε χρήση διαιρέτη τάσης. Σχήµα 7. Πύλη NAND σε συνδεσµολογία DTL

12 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 12 Παραλλαγή του κυκλώµατος του σχήµατος 6, συνηθισµένη στα ολοκληρωµένα κυκλώµατα, είναι αυτή του σχήµατος 7 όπου ο διαιρέτης τάσης λείπει και τη θέση του έχουν πάρει οι δύο δίοδοι D1 και D2. Η αντίσταση 2 παραµένει στο κύκλωµα και βραχυκυκλώνεται µε τον εκποµπό. Ενδεικτικές τιµές αντιστάσεων και τροφοδοσίας για το εν λόγω κύκλωµα είναι οι: D =5K, C =2.2K, 2 =5K και V CC =V H =5V. Με δεδοµένο ότι πρόκειται για µια NAND πύλη (δηλαδή άρνηση της πύλης AND), θα πρέπει όταν έστω µια από τις εισόδους είναι σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0") η έξοδος Υ να βρίσκεται σε υψηλό δυναµικό (λογικό "1"). Αντίθετα, όταν όλες οι είσοδοι είναι σε υψηλό δυναµικό (λογικό "1") η έξοδος Υ θα βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0"). Πράγµατι, όταν έστω και µια είσοδος βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0") η αντίστοιχη δίοδος που συνδέεται σε αυτήν την είσοδο θα άγει επειδή θα βρίσκεται σε ορθή πόλωση (έχει χαµηλό δυναµικό V L αριστερά της και υψηλό δυναµικό δεξιά της). Όταν η δίοδος άγει το δυναµικό δεξιά της, στο σηµείο Σ, γίνεται χαµηλό (V L +V D ). Όπου V D η πτώση τάσης στα άκρα της διόδου. Λόγω του χαµηλού αυτού δυναµικού, οι δύο δίοδοι D1 και D2 βρίσκονται σε αποκοπή µε αποτέλεσµα για το τρανζίστορ Q να είναι Ι Β =0 και να βρίσκεται έτσι αυτό σε κατάσταση αποκοπής οδηγώντας την έξοδο Υ σε υψηλό δυναµικό V Y =V CC =V H, (λογικό "1"). Όταν τώρα όλες οι είσοδοι βρίσκονται σε υψηλό δυναµικό (λογικό "1") οι τρεις δίοδοι αποκόπτονται και το δυναµικό στο σηµείο Σ έχει την τάση να ανέβει προς την τιµή V CC. Η αυξητική όµως αυτή τάση του δυναµικού στο σηµείο Σ θα φέρει κάποια στιγµή τις διόδους D1 και D2 σε ορθή πόλωση µε αποτέλεσµα αυτές να αρχίσουν να άγουν και να τροφοδοτούν µε ρεύµα βάσης, Ι Β, το τρανζίστορ. Το κύκλωµα είναι έτσι σχεδιασµένο ώστε το ρεύµα βάσης να είναι τόσο υψηλό ώστε να οδηγεί το τρανζίστορ

13 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 13 Q στον κόρο µε αποτέλεσµα το δυναµικό στην έξοδο Υ να γίνεται χαµηλό, ίσο µε υ CE(SAT), αντιστοιχώντας στην αναµενόµενη κατάσταση του λογικού "0". Προσδιορισµός των χαρακτηριστικών του κυκλώµατος για λειτουργία του τρανζίστορ στον κόρο. Σύµφωνα µε τα προηγούµενα, το επιθυµητό στη λειτουργία του κυκλώµατος του σχήµατος 7 είναι : όταν όλες οι είσοδοι βρίσκονται σε κατάσταση υψηλού δυναµικού (λογικού "1") οι δίοδοι D1 και D2 να άγουν και να οδηγούν το τρανζίστορ στον κόρο (στο λογικό "0"). Υπό αυτές τις συνθήκες το δυναµικό στο σηµείο Σ θα είναι: V = V + D1 V + D2 V = Σ BE( SAT) = 2.2Volt (8) όπου V ( ) = 0.8Volt (9) BE SAT η διαφορά δυναµικού µεταξύ βάσης και εκποµπού του τρανζίστορ Q όταν αυτό λειτουργεί στον κόρο. Για το ρεύµα Ι 1 θα ισχύει: I 1 V V V CC Σ = = D CC για το ρεύµα Ι 2 θα ισχύει: I 2 V BE ( SAT ) = D (10) (11) το ρεύµα βάσης του τρανζίστορ ισούται µε τη διαφορά των δύο ρευµάτων: VCC IB = I1 I2 = D 2 (12)

14 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 14 Το ρεύµα στο συλλέκτη ισούται µε: I C VCC VCE ( SAT ) VCC 0.2 = = C C (13) Συνδυάζοντας τις σχέσεις 12 και 13 µπορεί να βρεθεί η ελάχιστη τιµή της παραµέτρου β του τρανζίστορ ώστε αυτό να λειτουργεί στον κόρο: β min IC VCC 0.2 VCC = = IB C D 2 (14) Αιτιολόγηση της χρήσης των δύο διόδων D1 και D2 αντί µιας. Μια δίοδος εκ των D1 και D2 θα αρκούσε για να φέρει το τρανζίστορ Q σε αποκοπή όταν τουλάχιστον µια από τις εισόδους βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό. Πράγµατι όταν κάτι τέτοιο συµβαίνει το δυναµικό στο σηµείο Σ είναι: υ Σ = V + V = = 0.9Volt (15) L D και η τάση µεταξύ βάσης και εκποµπού του τρανζίστορ (όταν µόνο µια από τις διόδους D1 και D2 παρεµβάλλεται µεταξύ των σηµείων Σ και Β) θα είναι : V = V V = = 0.3Volt (16) BE Σ Κ όπου V K (=0.6Volt) το δυναµικό κατωφλίου της διόδου (Παρατήρηση: η πτώση τάσης των 0.7Volt χρησιµοποιείται µόνο όταν µια δίοδος άγει). Για να άγει το τρανζίστορ απαιτείται ένα κατώφλι V K (=V BE ) = 0.5 Volt και κατά συνέπεια τα 0.3Volt δεν είναι αρκετά µε αποτέλεσµα το τρανζίστορ να βρίσκεται σε αποκοπή χρησιµοποιώντας µία µόνο δίοδο από τις D1 και D2. Επειδή όµως η διαφορά αυτή των 0.2 Volt από το κατώφλι των 0.5 Volt δεν είναι πολύ µεγάλη και θα µπορούσε να

15 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 15 αντισταθµιστεί από την ύπαρξη αιχµών θορύβου χρησιµοποιείται και η δεύτερη δίοδος έτσι ώστε να είναι: V = V V V = = 0.3Volt (17) BE Σ Κ Κ (α) (β) Σχήµα 8. α) Πύλη NAND σε συνδεσµολογία DTL µε χρήση τρανζίστορ αντί της διόδου D1 του σχήµατος 7 για την οδήγηση περισσότερων πυλών στην έξοδό του. β) δράση του συλλέκτη ως απαγωγού του ρεύµατος των πυλών που συνδέονται στην έξοδο.

16 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 16 και η διαφορά της V BE από το κατώφλι έναρξης λειτουργίας του τρανζίστορ από 0.2 να γίνεται 0.8 Volt. Πιο αυστηρές σχεδιάσεις κυκλωµάτων περιλαµβάνουν και τρίτη δίοδο για την προστασία από το θόρυβο. Στο σχήµα 8 παρουσιάζεται µια ακόµη τροποποίηση της DTL NAND µε στόχο τη λειτουργία του τρανζίστορ Q2 του τµήµατος του αντιστροφέα µε µεγαλύτερα ρεύµατα συλλέκτη (I C2 ). Τυπικές τιµές των στοιχείων του κυκλώµατος είναι οι : D1 =1.75K, D2 =2K, C2 =2.2K, 2 =5K, V CC =5V. Η αναγκαιότητα για µεγαλύτερα ρεύµατα συλλέκτη πηγάζει από την ανάγκη για σύνδεση της εξόδου της πύλης NAND µε περισσότερες πύλες. Στη συνδεσµολογία του σχήµατος 8β, φαίνεται ο ρόλος του συλλέκτη του τρανζίστορ Q2 µιας πύλης NAND ως απαγωγού (αποδέκτη) του ρεύµατος µιας άλλης πύλης NAND που συνδέεται µε µια είσοδό της στην έξοδο της πρώτης. Το ρεύµα συλλέκτη όπως αυτό εκφράζεται µε την εξίσωση 13 αναφέρεται στην περίπτωση που η έξοδος της πύλης NAND είναι ανοικτή (I C =I C(0) ). Όταν στην έξοδο Υ της NAND συνδεθεί η είσοδος µιας πύλης NAND τότε στη χειρότερη περίπτωση όπου όλες οι είσοδοι της δεύτερης NAND είναι σε υψηλό δυναµικό εκτός από την είσοδο που συνδέεται µε την πρώτη NAND η οποία βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό όταν το τρανζίστορ Q2 αυτής (της πρώτης NAND) είναι στον κόρο ένα ρεύµα Ι (µπλε γραµµή στο σχήµα 8β) προστίθεται στο ρεύµα του συλλέκτη του τρανζίστορ Q2 της πρώτης πύλης.. Στην περίπτωση που στην έξοδο Υ συνδέονται Ν πύλες, το ρεύµα που θα προστίθεται στο ρεύµα του συλλέκτη του τρανζίστορ Q2 της πρώτης πύλης θα είναι ΝΙ. Έτσι θα προκύπτει ένα ρεύµα συλλέκτη:

17 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 17 I = I + NI (18) C( N) C(0) Το πρόσθετο ρεύµα στο συλλέκτη είναι ΝΙ όπου: VCC VD VY VCC 0.7 VL VCC 0.9 I = = = (19) D1 D2 D1 D2 D1 D2 Με δεδοµένο τώρα ότι το ρεύµα βάσης του Q2 είναι πρακτικά ανεξάρτητο από το πλήθος Ν των πυλών που συνδέονται στην έξοδό του, το επιτρεπτό πλήθος πυλών Ν που µπορούν να συνδεθούν στην έξοδο της NAND µπορεί να προκύψει από την εξίσωση: I = I + NI = β I V C( N) C(0) B2 CC 0.2 V N = β I CC B2 C D1+ (20) D2 Για την αύξηση λοιπόν του ρεύµατος στο συλλέκτη του Q2 η δίοδος D1 αντικαθίσταται µε το τρανζίστορ Q1. Όταν όλες οι είσοδοι είναι σε υψηλό δυναµικό, το τρανζίστορ Q1 βρίσκεται στην ενεργό περιοχή λειτουργίας. Έτσι το δυναµικό στο σηµείο Σ θα είναι: V = V + BE1( ACT ) V + D2 V = Σ BE 2( SAT ) = 2.2Volt. (21) Τα ρεύµατα Ι 1 και Ι 2 θα είναι αντίστοιχα : I = I + β I, I2 = VBE 2( SAT ) / 2 0.8/ 2 (22) 1 C1 B1 και το ρεύµα βάσης του Q2: I = I I = I + β I 0.8/ (23) B2 1 2 C1 B1 2

18 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 18 Συνοψίζοντας, η χρησιµοποίηση του τρανζίστορ Q1 αντί της διόδου D1 καθιστά εφικτή την αύξηση του ρεύµατος βάσης του Q2 και τη σύνδεση περισσότερων βαθµίδων στην έξοδό του. HT-DTL NAND. Σχήµα 9. Πύλη NAND σε συνδεσµολογία HT-DTL (High Threshold DTL) µε χρήση διόδου Zener για µεγαλύτερη προστασία από το θόρυβο. Σε περιπτώσεις όπου τα επίπεδα του θορύβου είναι υψηλά, το κύκλωµα του σχήµατος 8 τροποποιείται µε χρήση υψηλότερης τροφοδοσίας και αντικατάσταση της διόδου D2 µε δίοδο Zener. Με τον τρόπο αυτό παρέχεται µεγαλύτερη προστασία από τον θόρυβο. Ενδεικτικές τιµές του κυκλώµατος είναι οι D1 =3K, D2 =12K, C2 =15K, V Z =6.9V, 2 =5K.

19 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 19 TTL NAND. Σχήµα 10. Πύλη TTL NAND θετικής λογικής µε τρεις εισόδους Το κύκλωµα TTL NAND του σχήµατος 10, επιτελεί την ίδια ακριβώς λειτουργία µε την DTL-NAND του σχήµατος 7. Ενδεικτικές τιµές των χρησιµοποιούµενων αντιστάσεων είναι οι: B1 =4K, C2 =1.4K, C3 =4K, 2 =1K. Η βασική διαφορά του από τη DTL-NAND του σχήµατος 7 είναι η αποκλειστική χρήση τρανζίστορ αντί διόδων (Transistor-Transistor Logic - TTL). Τη θέση της διόδου D2 (του σχήµατος 7) παίρνει η επαφή βάσηςεκποµπού του τρανζίστορ Q2. Τη θέση της διόδου D1 παίρνει η pn επαφή βάσης-συλλέκτη του τρανζίστορ Q1 σε ορθή πόλωση. Τέλος τη θέση των τριών διόδων των εισόδων A, B, C της πύλης παίρνουν οι τρεις pn επαφές βάσης -εκποµπού του τρανζίστορ Q1.

20 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 20 Περιγραφή της λειτουργίας της πύλης TTL NAND. Όταν έστω µια από τις εισόδους βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0") τότε το δυναµικό στο σηµείο Σ θα είναι: V = V + L V Σ BE = 0.9Volt (24) Το δυναµικό αυτό δεν είναι ικανό να εξασφαλίσει την ορθή πόλωση της επαφής βάσης-συλλέκτη του Q1 και τη λειτουργία των τρανζίστορ Q2 Q3 αφού κάτι τέτοιο θα απαιτούσε δυναµικό περίπου ίσο µε V Σ = =2.1Volt. Έτσι τα τρανζίστορ Q2 και Q3 θα βρίσκονται σε αποκοπή, µε αποτέλεσµα η έξοδος Υ της πύλης να είναι σε κατάσταση λογικού "1" (υψηλό δυναµικό V H =V CC =5Volt). Το τρανζίστορ Q1 ουσιαστικά συµπεριφέρεται σαν τρεις δίοδοι (τρεις επαφές βάσης-εκποµπού) αντίκρυ µε µια άλλη δίοδο (επαφή βάσηςσυλλέκτη) και όχι σαν τρανζίστορ. Όταν όλες οι είσοδοι βρεθούν σε υψηλό δυναµικό, οι τρεις επαφές βάσης-εκποµπού του τρανζίστορ Q1 πολώνονται ανάστροφα. Έτσι το V Σ τείνει προς την τιµή V CC οδηγώντας τα τρανζίστορ Q2 και Q3 στον κόρο. Κατά συνέπεια, V Y = V CE3(SAT) = 0.2V = V L (λογικό "0"). Το πλεονέκτηµα της συγκεκριµένης συνδεσµολογίας είναι η απόκρισή της κατά τις αλλαγές καταστάσεων. Σε αυτήν την περίπτωση το τρανζίστορ Q2 βρίσκεται στην ενεργό περιοχή λειτουργίας -δρώντας πραγµατικά σαν τρανζίστορ- και το µεγάλο ρεύµα του συλλέκτη του µπορεί να εκφορτίσει τα τρανζίστορ Q2 και Q3 και να αλλάξει µε ταχύ ρυθµό την κατάσταση του κυκλώµατος. Έστω για παράδειγµα ότι η έξοδος της πύλης βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό, τότε σύµφωνα µε την προηγούµενη παράγραφο τα τρανζίστορ Q2 και Q3 άγουν ευρισκόµενα στον κόρο και οι τρεις είσοδοι βρίσκονται σε υψηλό δυναµικό. Το δυναµικό του συλλέκτη του Q1 θα είναι :

21 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 21 VC1 = VBE 2( SAT ) + VBE3( SAT ) = 1.6Volt (25) Όταν κάποια στιγµή µία από τις τρεις εισόδους της πύλης µεταβεί από το λογικό "1" στο λογικό "0", δηλαδή σε V L 0.2Volt τότε σύµφωνα µε την εξίσωση 24 η βάση του τρανζίστορ Q1 θα φτάσει σε δυναµικό V Β1 = V Σ =0.9Volt οπότε θα είναι V BC1 =V B1 -V C1 = =-0.7. Κατά συνέπεια, η επαφή (p-τύπου)βάσης (n-τύπου)συλλέκτη θα είναι ανάστροφα πολωµένη. Αντίθετα, για την είσοδο που ήρθε σε χαµηλό δυναµικό η αντίστοιχη επαφή βάσης εκποµπού θα είναι ορθά πολωµένη µε αποτέλεσµα πραγµατικά το τρανζίστορ να λειτουργεί στην ενεργό περιοχή κατά τη διάρκεια της µετάβασης. TTL NAND µε έξοδο TOTEM. Σχήµα 11. Πύλη TTL NAND θετικής λογικής µε δύο εισόδους και βαθµίδα εξόδου σε συνδεσµολογία TOTEM.

22 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 22 Σε αυτό το κύκλωµα, το τρανζίστορ Q1 µε τους δύο εκποµπούς, την αντίσταση B1 και την τάση πόλωσης V CC δρα σαν πύλη AND. Το υπόλοιπο κύκλωµα παίζει το ρόλο του αντιστροφέα. Ενδεικτικές τιµές των στοιχείων του κυκλώµατος είναι οι: B1 =4K, C2 =1.6K, C3 =130Ω, 2 =1K. Τα τρανζίστορ Q3 και Q4 συνδέονται σε µια διάταξη Totem (σύνδεση ενός npn τρανζίστορ σε σειρά µε άλλο ένα npn τρανζίστορ) η οποία είναι πολύ συνηθισµένη σε διατάξεις TTL. Στη βαθµίδα Totem η πόλωση των τρανζίστορ Q3 και Q4 είναι τέτοια ώστε είτε να άγει το Q3 είτε το Q4. Όταν άγει το Q3 και αποκόπτεται το Q4 η έξοδος θα είναι σε κατάσταση υψηλής στάθµης. Αντίθετα όταν άγει (σε κατάσταση κόρου) το Q4 και αποκόπτεται το Q3 η έξοδος Υ βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό. Όταν µια από τις δύο εισόδους Α & Β βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό, V L, η αντίστοιχη επαφή βάσης εκποµπού του Q1 πολώνεται ορθά και το δυναµικό της βάσης του Q1 φτάνει στην τιµή V B1 =V L +0.7Volt. Κατά συνέπεια, η βάση του Q2 που είναι στο ίδιο δυναµικό µε το συλλέκτη του Q1 θα βρίσκεται σε ένα σχεδόν µηδενικό δυναµικό µε αποτέλεσµα το Q2 να αποκόπτεται, η βάση του Q3 να έρχεται σε υψηλό δυναµικό και το δυναµικό στην έξοδο Υ να είναι και αυτό σε υψηλή στάθµη (περίπου 1.5V κάτω από το δυναµικό της βάσης): V = V V V (26) Y B3 BE3 D1 Όταν και οι δύο είσοδοι βρίσκονται σε υψηλό δυναµικό (λογικό "1") τότε οι αντίστοιχες επαφές βάσης εκποµπού των δύο εκποµπών πολώνονται ανάστροφα και δεν άγουν ενώ η επαφή βάσης συλλέκτη πολώνεται ορθά και άγει σαν δίοδος κατά την ορθή φορά. Το τρανζίστορ Q2 έχει κάτω από αυτές τις συνθήκες ένα υψηλό δυναµικό στη βάση του µε αποτέλεσµα να αρχίσει να άγει οδηγώντας σε αγωγιµότητα το Q4 και το Q3 σε αποκοπή. Έτσι η έξοδος Υ βρίσκεται σε κατάσταση χαµηλού

23 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 23 δυναµικού (λογικό "0"). Η ύπαρξη της διόδου D1 διασφαλίζει την αποκοπή του Q3 όταν άγει το Q4 κρατώντας ανάστροφα πολωµένη την επαφή βάσης-εκποµπού του Q3. Πράγµατι όταν τα Q2 και Q4 άγουν θα είναι: V = V + V Volt (27) B3 BE4( SAT) CE2( SAT) 1 V = V + V Volt (28) E3 CE4( SAT) D1 0.9 και το τρανζίστορ Q3 θα βρίσκεται σε κατάσταση αποκοπής. TTL NO. Σχήµα 12. Πύλη TTL NO θετικής λογικής µε δύο εισόδους και βαθµίδα εξόδου σε συνδεσµολογία TOTEM.

24 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 24 Η πύλη TTL NO βασίζεται ουσιαστικά σε τροποποίηση της πύλης TTL NAND (προσθήκη των τρανζίστορ Q5 και Q6). Ενδεικτικές τιµές των στοιχείων του κυκλώµατος είναι οι: B1 =4Κ, B5 =4K, C2 =1.6K, C3 =130Ω, 2 =1K. Ο παράλληλος συνδυασµός των τρανζίστορ Q2 και Q6 ορίζει ουσιαστικά µια πύλη O. Το κύκλωµα που ακολουθεί µετά τον παράλληλο αυτό συνδυασµό δρα και εδώ ως αναστροφέας, για να προκύψει τελικά η πύλη NO. Όταν και οι δύο είσοδοι βρίσκονται σε χαµηλό δυναµικό, V L, οι βάσεις των τρανζίστορ Q1 και Q5 έρχονται και αυτές σε χαµηλό δυναµικό V L +0.7 Volt αποκόπτοντας ουσιαστικά τα τρανζίστορ Q2 καιq6. Υπό αυτές τις συνθήκες το τρανζίστορ Q3 θα άγει φέροντας σε υψηλό δυναµικό την έξοδο Υ. Όταν τώρα µια από τις δύο εισόδους (Α ή Β) αποκτήσει υψηλό δυναµικό θα οδηγήσει στην αποκοπή το αντίστοιχο τρανζίστορ (Q1 ή Q5) και αυτό µε τη σειρά του θα οδηγήσει το Q2 ή το Q6 αντίστοιχα σε λειτουργία. Όταν άγει είτε το Q2 είτε το Q6 οδηγεί σε λειτουργία και µάλιστα στον κόρο το τρανζίστορ Q4 µε αποτέλεσµα η έξοδος της πύλης να βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό.

25 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 25 TL NO Σχήµα 13. Πύλη NO σε συνδεσµολογία TL Ενδεικτικές τιµές των στοιχείων του κυκλώµατος είναι οι: C =600Ω, B =400Ω, V CC =3.6V. Όταν και οι τρεις είσοδοι της πύλης βρίσκονται σε χαµηλό δυναµικό (λογικό "0"), τα τρία τρανζίστορ αποκόπτονται µε αποτέλεσµα η έξοδος Υ να βρίσκεται σε υψηλό δυναµικό V CC (λογικό "1"). Όταν έστω και µία είσοδος βρίσκεται σε υψηλό δυναµικό, το αντίστοιχο τρανζίστορ θα άγει σε κατάσταση κόρου και η έξοδος Υ θα βρίσκεται σε χαµηλό δυναµικό υ CE(SAT). Το πλεονέκτηµα της σχεδίασης TL (esistor Transistor Logic) είναι ο µικρός χώρος που καταλαµβάνει πάνω σε ένα wafer πυριτίου και κατά συνέπεια το χαµηλό κόστος.

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

1.1 Θεωρητική εισαγωγή

1.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ NOT, AND, NAND Σκοπός: Να εξοικειωθούν οι φοιτητές µε τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα της σειράς 7400 για τη σχεδίαση και υλοποίηση απλών λογικών συναρτήσεων.

Διαβάστε περισσότερα

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης

.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ & ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 1 Βασικές Έννοιες Ψηφιακών Κυκλωµάτων.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης Πίνακας Περιεχοµένων. 1.1 Ψηφιακά ηλεκτρονικά κυκλώµατα....2

Διαβάστε περισσότερα

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Άσκηση 1 Μία TTL πύλη εγγυάται να τραβάει 10 ma χωρίς να ξεπεράσει το δυναμικό εξόδου VOL(max) = 0.4 Volt και να μπορεί να δώσει 5 ma χωρίς να πέσει το δυναμικό εξόδου

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ηµιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΡΛΙ ΑΣ ΗΜΗΤΡΙΟΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΜΕΘΟ ΟΙ 9 Πορλιδάς ηµήτριος www.porlidas.gr dporli@physics.auth.gr Τελεστικοί Ενισχυτές Κυκλώµατα Πειραµατικές Μετρήσεις και

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 Ερώτηση 1 (2 µον.) Το σχ. (α) δείχνει το κύκλωµα ενός περιοριστή. Από τη χαρακτηριστική καµπύλη τάσης εισόδου-εξόδου V out =

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ. ίοδος zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου Zener

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ. ίοδος zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου Zener 4. Ειδικές ίοδοι - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ ίοδος zener Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener Τάση Zener ( 100-400 V για µια απλή δίοδο) -V Άνοδος Ι -Ι Κάθοδος V Τάση zener V Z I Ζ 0,7V

Διαβάστε περισσότερα

5.1 Θεωρητική εισαγωγή

5.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΚΩ ΙΚΟΠΟΙΗΣΗ BCD Σκοπός: Η κατανόηση της µετατροπής ενός τύπου δυαδικής πληροφορίας σε άλλον (κωδικοποίηση/αποκωδικοποίηση) µε τη µελέτη της κωδικοποίησης BCD

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ

Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο: Β' Σκοπός της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ OR, NOR, XOR

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ OR, NOR, XOR ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ OR, NOR, XOR Σκοπός: Να επαληθευτούν πειραµατικά οι πίνακες αληθείας των λογικών πυλών OR, NOR, XOR. Να δειχτεί ότι η πύλη NOR είναι οικουµενική.

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ

Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο: Β'

Διαβάστε περισσότερα

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού 5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 5. ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ 220 V, 50 Hz. 0 V Μετασχηµατιστής Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση 0 V 0 V Ανορθωτής Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού Φίλτρο

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 Ζήτηµα 1ο Στις ερωτήσεις Α.1. και Α.2. να γράψετε στο τετράδιό σας το γράµµα της σωστής απάντησης. Α.1. Για να πραγµατοποιηθεί η σύνδεση σε αστέρα τριφασικού

Διαβάστε περισσότερα

7.1 Θεωρητική εισαγωγή

7.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 7 ΑΚΟΛΟΥΘΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΑΝ ΑΛΩΤΕΣ FLIP FLOP Σκοπός: Η κατανόηση της λειτουργίας των βασικών ακολουθιακών κυκλωµάτων. Θα µελετηθούν συγκεκριµένα: ο µανδαλωτής (latch)

Διαβάστε περισσότερα

6.1 Θεωρητική εισαγωγή

6.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 6 ΑΠΟΚΩ ΙΚΟΠΟΙΗΤΕΣ ΚΑΙ ΠΟΛΥΠΛΕΚΤΕΣ Σκοπός: Η κατανόηση της λειτουργίας των κυκλωµάτων ψηφιακής πολυπλεξίας και αποκωδικοποίησης και η εξοικείωση µε τους ολοκληρωµένους

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Ζήτηµα 1ο Στις ερωτήσεις Α.1. και Α.2. να γράψετε στο τετράδιό σας το γράµµα της σωστής απάντησης. Α.1. Για να πραγµατοποιηθεί η σύνδεση

Διαβάστε περισσότερα

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Καβάλας. Τμήμα Ηλεκτρολογίας. Θέμα: Μελέτη συχνοτικής απόκρισης ηλεκτρονικών κυκλωμάτων.

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Καβάλας. Τμήμα Ηλεκτρολογίας. Θέμα: Μελέτη συχνοτικής απόκρισης ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Καβάλας Τμήμα Ηλεκτρολογίας ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Θέμα: Μελέτη συχνοτικής απόκρισης ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Μαστοράκης Ιωάννης Τσιμπίσης Σωτήρης Υπεύθυνος : Μαγκαφάς Λυκούργος

Διαβάστε περισσότερα

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1 Η2 Μελέτη ηµιαγωγών 1. Σκοπός Στην περιοχή της επαφής δυο ηµιαγωγών τύπου p και n δηµιουργούνται ορισµένα φαινόµενα τα οποία είναι υπεύθυνα για τη συµπεριφορά της επαφής pn ή κρυσταλλοδιόδου, όπως ονοµάζεται,

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθμό το γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12 Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 1ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 1ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα ο. Λιούπης Ύλη του µαθήµατος () Ψηφιακά ολοκληρωµένα κυκλώµατα Πλεονεκτήµατα-µειονεκτήµατα Λογικές οικογένειες Χαρακτηριστικά Λογική άµεσα συζευγµένων transistor Λογική αντίστασης-transistor

Διαβάστε περισσότερα

β) Τι θα συμβεί στην απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας του ενισχυτή στο σχ.1β αν υπάρξει διακοπή στο σημείο που δεικνύεται με το αστέρι;

β) Τι θα συμβεί στην απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας του ενισχυτή στο σχ.1β αν υπάρξει διακοπή στο σημείο που δεικνύεται με το αστέρι; ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ Τ.Ε.Ι. ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Ενισχυτικές Διατάξεις Εισηγητής: Γιώργος Χλούπης Ακαδημαϊκό Έτος 2013-14 Εξάμηνο Χειμερινό Σημειώσεις : ανοικτές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες Ημ. εξέτασης:

Διαβάστε περισσότερα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 2 Δίοδοι-Επαφή pn Α. Στατική χαρακτηριστική της διόδου. Αν και η δίοδος είναι μία απλή διάταξη, αποτελεί τη βάση για έναν ολόκληρο κλάδο της Ηλεκτρονικής. Τα τρανζίστορς,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα 1. Να αναφέρετε τρεις τεχνολογικούς τομείς στους οποίους χρησιμοποιούνται οι τελεστικοί ενισχυτές. Τρεις τεχνολογικοί τομείς που οι τελεστικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ Εισαγωγή Στο κεφάλαιο αυτό θα µιλήσουµε για ενισχυτές µιας βαθµίδας µε διπολικά τρανζίστρ. Σε επόµενα κεφάλαια θα µιλήσουµε για ενισχυτές µε FET, όπως και για ενισχυτές µε

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γʹ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 7 ΜΑÏΟΥ 009 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ:

Διαβάστε περισσότερα

και έντασης ρεύματος I 0 που περιστρέφονται με γωνιακή ταχύτητα ω. Το κύκλωμα περιλαμβάνει: α. μόνο ωμική αντίσταση β. μόνο ιδανικό πηνίο

και έντασης ρεύματος I 0 που περιστρέφονται με γωνιακή ταχύτητα ω. Το κύκλωμα περιλαμβάνει: α. μόνο ωμική αντίσταση β. μόνο ιδανικό πηνίο ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 2012 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΥΝΟΛΟ

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ. e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1

2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ. e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 ΟΙ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ NOT, AND ΚΑΙ OR Οι βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole είναι οι πράξεις NOT, ANDκαι OR. Στα ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής εφευρέθηκε κατά τη διάρκεια του δεύτερου παγκοσµίου πολέµου και. χρησιµοποιήθηκε αρχικά στα συστήµατα σκόπευσης των αντιαεροπορικών πυροβόλων για

Διαβάστε περισσότερα

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕΛΕΤΗ KAI ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΑ DC - DC. RESEARCH AND MANUFACTURING of DC-DC CONVERTER

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕΛΕΤΗ KAI ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΑ DC - DC. RESEARCH AND MANUFACTURING of DC-DC CONVERTER ΑΝΩΤΑΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕΛΕΤΗ KAI ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΑ DC - DC RESEARCH AND MANUFACTURING of DC-DC CONVERTER

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικός ρυθμιστής ταχύτητας

Ηλεκτρονικός ρυθμιστής ταχύτητας ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΣΕΡΡΩΝ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ Ηλεκτρονικός ρυθμιστής ταχύτητας ΕΙΣΗΓΗΤΗΣ Πασχαλέρης Βασίλειος ΦΟΙΤΗΤΕΣ Γεωργίου Θεόδωρος Κατσιρντή Άννα ΣΕΡΡΕΣ 2008

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση κυκλωμάτων ακολουθιακής λογικής

Σχεδίαση κυκλωμάτων ακολουθιακής λογικής Σχεδίαση κυκλωμάτων ακολουθιακής λογικής Βασικές αρχές Σχεδίαση Latches και flip-flops Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 Ακολουθιακή

Διαβάστε περισσότερα

Πολύμετρο Βασικές Μετρήσεις

Πολύμετρο Βασικές Μετρήσεις Πολύμετρο Βασικές Μετρήσεις 1. Σκοπός Σκοπός της εισαγωγικής άσκησης είναι η εξοικείωση του σπουδαστή με τη χρήση του πολύμετρου για τη μέτρηση βασικών μεγεθών ηλεκτρικού κυκλώματος, όπως μέτρηση της έντασης

Διαβάστε περισσότερα

6. ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ

6. ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ 6. ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΥΟ ΕΙΣΟ ΩΝ ΟΙΚΟΥΜΕΝΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΠΟΛΛΑΠΛΩΝ ΕΠΙΠΕ ΩΝ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ-ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΟ ΤΗ ΛΟΓΙΚΗ ΣΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΣΤΑ ΛΟΓΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

ΑΠΟ ΤΗ ΛΟΓΙΚΗ ΣΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΣΤΑ ΛΟΓΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΑΠΟ ΤΗ ΛΟΓΙΚΗ ΣΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗΝ ΑΛΓΕΒΡΑ BOOLE ΣΤΑ ΛΟΓΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Θεματική Ενότητα: Πολλαπλές Ερμηνευτικές Προσεγγίσεις Βασίλειος Τσακανίκας Γεώργιος Τσαπακίδης vasilistsakanikas@yahoo.gr

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής.

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Α. ιεργασίες κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Η επίπεδη τεχνολογία κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων περιλαµβάνει

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ 1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Α. Α. Χατζόπουλος ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙAKEΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Διαβάστε περισσότερα

- Η ισοδύναμη πηγή τάσης Thevenin (V ή VT) είναι ίση με τη τάση ανοικτού κυκλώματος VAB.

- Η ισοδύναμη πηγή τάσης Thevenin (V ή VT) είναι ίση με τη τάση ανοικτού κυκλώματος VAB. ΘΕΩΡΗΜΑ THEVENIN Κάθε γραμμικό ενεργό κύκλωμα με εξωτερικούς ακροδέκτες Α, Β μπορεί να αντικατασταθεί από μια πηγή τάση V (ή VT) σε σειρά με μια σύνθετη αντίσταση Z (ή ZT), όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα.

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ Αντιστάτες συνδεδεμένοι σε σειρά Όταν ν αντιστάτες ενός κυκλώματος διαρρέονται από το ίδιο ρεύμα τότε λέμε ότι οι αντιστάτες αυτοί είναι συνδεδεμένοι σε σειρά.

Διαβάστε περισσότερα

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή 1. Ηλεκτρονικός Υπολογιστής Ο Ηλεκτρονικός Υπολογιστής είναι μια συσκευή, μεγάλη ή μικρή, που επεξεργάζεται δεδομένα και εκτελεί την εργασία του σύμφωνα με τα παρακάτω

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρικές Μηχανές Βιομηχανικοί Αυτοματισμοί. Ημιανορθωτής. Πλήρης ανορθωτής

Ηλεκτρικές Μηχανές Βιομηχανικοί Αυτοματισμοί. Ημιανορθωτής. Πλήρης ανορθωτής Ημιανορθωτής 1 Πλήρης ανορθωτής 2 1 Πλήρης τριφασικός ανορθωτής 3 Φίλτρα στη έξοδο του Ανορθωτή Η έξοδος των ανορθωτών μπορεί να εξομαλυνθεί ακόμα περισσότερο με τη χρήση φίλτρων διέλευσης χαμηλών συχνοτήτων

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α )

Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α ) Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α ) Του Νίκου Παναγιωτίδη (SV6 DBK) φυσικού και ραδιοερασιτέχνη. Ο σκοπός του άρθρου αυτού είναι να κατευθύνει τον αναγνώστη ραδιοερασιτέχνη να κατασκευάσει το

Διαβάστε περισσότερα

Οδηγίες λειτουργίας Τροφοδοτικό µε εξόδους επαφής N00..A N05..A 80009130 / 00 02 / 2014

Οδηγίες λειτουργίας Τροφοδοτικό µε εξόδους επαφής N00..A N05..A 80009130 / 00 02 / 2014 Οδηγίες λειτουργίας Τροφοδοτικό µε εξόδους επαφής N00..A N05..A 80009130 / 00 0 / 014 Υποδείξεις για ασφαλή εφαρµογή σε χώρους, όπου υπάρχει κίνδυνος έκρηξης 1 Χρήση Οι συσκευές, που περιλαµβάνουν αυτοασφαλισµένα

Διαβάστε περισσότερα

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: ΨΗΦΙΑΚΟ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟ

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: ΨΗΦΙΑΚΟ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟ Α.Τ.Ε.Ι. ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ(Σ.Τ.ΕΦ) ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: ΨΗΦΙΑΚΟ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ:ΜΠΙΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΗΣ ΦΟΙΤΗΤΗΣ: ΛΑΖΑΡΟΥ ΘΩΜΑΣ ΚΑΣ: 500063 ΘΕΣ/ΝΙΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 2 Transistors

Κεφάλαιο 2 Transistors Κεφάλαιο 2 Transistors 1. Εισαγωγή - Γενικά 2. Διπολικά Transistors (ipolar Juncon Transistors - JT) a. Χαρακτηριστικά Λειτουργίας Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού b. Πόλωση Transistor c. Το JT Ως Ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 26 Συνεχή Ρεύµατα. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 26 Συνεχή Ρεύµατα. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 26 Συνεχή Ρεύµατα Περιεχόµενα Κεφαλαίου 26 Ηλεκτρεγερτική Δύναµη (ΗΕΔ) Αντιστάσεις σε σειρά και Παράλληλες Νόµοι του Kirchhoff Σειριακά και Παράλληλα EMF-Φόρτιση Μπαταρίας Κυκλώµατα RC Μέτρηση

Διαβάστε περισσότερα

Παράρτημα. Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης

Παράρτημα. Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης Παράρτημα Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης Σκοπός του παραρτήματος είναι η εξοικείωση των φοιτητών με τη χρήση και τη

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ (Τ.Ε. ή OpAmps) ιαφορικοί Ενισχυτές: ενισχυτές που έχουν δυο εισόδους και µια έξοδο. Τελεστικοί Ενισχυτές (Τ.Ε.): διαφορικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Βασικές έννοιες και τεχνικές Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκριτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 Τι χρειαζόμαστε για να φτιάξουμε

Διαβάστε περισσότερα

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να 9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι

ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι Ι.Μ. ΚΟΝΤΟΛΕΩΝ S k k k S k k k 00 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι ΑΣΚΗΣΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΜΕ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΠΡΟΕΤΟΙΜΑΣΙΑ Ψηφιακά Κυκλώµατα, κεφ.,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ & Τ/Υ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΟΠΤΙΚΗΣ - ΟΠΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & LASER

ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ & Τ/Υ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΟΠΤΙΚΗΣ - ΟΠΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & LASER ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ & Τ/Υ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΟΠΤΙΚΗΣ - ΟΠΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & LASER ΑΣΚΗΣΗ ΝΟ6 ΜΕΛΕΤΗ ΦΩΤΟΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΦΑΙΝΟΜΕ- ΝΟΥ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΦΩΤΟΕΚΠΕΜΠΟΥΣΩΝ ΙΟ ΩΝ (LEDS) Γ. Μήτσου Α. Θεωρία 1. Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Ενότητα 2.5 Κεφάλαιο 2 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ ΣΤΟΧΟΙ Μετά την ολοκλήρωση της ενότητας αυτής θα μπορείτε: Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Να αναγνωρίζετε βασικά ηλεκτρονικά

Διαβάστε περισσότερα

Ειδικά θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ειδικά θέματα Ηλεκτρονικών 1 Ειδικά θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1...2 ΕΙΔΙΚΕΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ...2 Γενικά...2 1.1 Θεώρημα Μίλερ (Mller theorem)...10 1.2 Μπούτστραπινγκ (Boottrappng)...11 1.2.1 Αύξηση της σύνθετης

Διαβάστε περισσότερα

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Επαναληπτικά Θέµατα ΟΕΦΕ 00 Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις Α έως και Α4 να γράψετε στο φύλλο απαντήσεων σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥ ΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ

ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥ ΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Θεµατική Ενότητα ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥ ΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Ακαδηµαϊκό Έτος 2006 2007 Γραπτή Εργασία #2 Ηµεροµηνία Παράδοσης 28-0 - 2007 ΠΛΗ 2: Ψηφιακά Συστήµατα ΠΡΟΤΕΙΝΟΜΕΝΕΣ ΛΥΣΕΙΣ Άσκηση : [5 µονάδες] Έχετε στη

Διαβάστε περισσότερα

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση Δίοδοι Η ιδανική Δίοδος Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδο. Ανάστροφη πόλωση Εφαρμογή: Ο ιδανικός Ανορθωτής Κύκλωμα Ανορθωτή Κματομορφή μ Εισόδο Ορθή πόλωση Ανάστροφη πόλωση Ημιανόρθωση:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7. Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία

ΑΣΚΗΣΗ 7. Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία ΑΣΚΗΣΗ 7 Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία ΣΥΣΚΕΥΕΣ : Πηγή συνεχούς 0-50 Volts, πηγή 6V/2A, βολτόµετρο συνεχούς, αµπερόµετρο συνεχούς, βολτόµετρο, ροοστάτης. ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Όταν η θερµοκρασία ενός

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. Πρόλογος...9 ΚΕΦ. 1. ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ - ΚΩΔΙΚΕΣ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. Πρόλογος...9 ΚΕΦ. 1. ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ - ΚΩΔΙΚΕΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Πρόλογος...9 ΚΕΦ. 1. ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ - ΚΩΔΙΚΕΣ 1.1 Εισαγωγή...11 1.2 Τα κύρια αριθμητικά Συστήματα...12 1.3 Μετατροπή αριθμών μεταξύ των αριθμητικών συστημάτων...13 1.3.1 Μετατροπή ακέραιων

Διαβάστε περισσότερα

Αγιακάτσικας Παναγιώτης Επιμορφωτής Λαέρτη, pagiats@de.sch.gr. Ζαχαριαδάκη Μαρία Επιμορφώτρια Λαέρτη, mzachari@de.sch.gr

Αγιακάτσικας Παναγιώτης Επιμορφωτής Λαέρτη, pagiats@de.sch.gr. Ζαχαριαδάκη Μαρία Επιμορφώτρια Λαέρτη, mzachari@de.sch.gr 476 1 ο ΣΥΝΕΔΡΙΟ ΣΤΗ ΣΥΡΟ ΤΠΕ ΣΤΗΝ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗ EΞΟΜΟΙΩΣΗ ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ & ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕ ΑΞΙΟΠΟΙΗΣΗ ΤΟΥ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟΥ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ ΤΙΝΑ PRO ΣΤΑ ΤΕΕ. ΜΙΑ ΔΙΔΑΚΤΙΚΗ ΠΡΟΣΕΓΓΙΣΗ ΓΙΑ ΤΑ ΤΕΕ.

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεματικής Χαροκόπειο Πανεπιστήμιο Αθηνών. Διδάσκων: Θωμάς Καμαλάκης (thkam@hua.gr)

Ηλεκτρονική. Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεματικής Χαροκόπειο Πανεπιστήμιο Αθηνών. Διδάσκων: Θωμάς Καμαλάκης (thkam@hua.gr) Ηλεκτρονική Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεματικής Χαροκόπειο Πανεπιστήμιο Αθηνών Διδάσκων: Θωμάς Καμαλάκης (thkam@hua.gr) Σχετικά με το μάθημα... Στόχος είναι η εξοικείωση με βασικές έννοιες της ηλεκτρονικής:

Διαβάστε περισσότερα

Συντακτική Οµάδα: έσποινα Παναγιωτίδου

Συντακτική Οµάδα: έσποινα Παναγιωτίδου ιαθεµατική Εργασία µε Θέµα: Οι Φυσικές Επιστήµες στην Καθηµερινή µας Ζωή Η Ηλιακή Ενέργεια Τµήµα: β2 Γυµνασίου Υπεύθυνος Καθηγητής: Παζούλης Παναγιώτης Συντακτική Οµάδα: έσποινα Παναγιωτίδου ΗΛΙΑΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Και Εγέννετω Φως. Το Τρανζίστορ! ENIAC. Μικροηλεκτρονική 3. Το πρώτο τρανζίστορ! Τρανζίστορ στα 180nm 2000. Bell Labs 1947. Μικροηλεκτρονική 4

Και Εγέννετω Φως. Το Τρανζίστορ! ENIAC. Μικροηλεκτρονική 3. Το πρώτο τρανζίστορ! Τρανζίστορ στα 180nm 2000. Bell Labs 1947. Μικροηλεκτρονική 4 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Μικροηλεκτρονική Μικροηλεκτρονική Γ. Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Μικροηλεκτρονική 2 1 Και Εγέννετω Φως ENIAC Μικροηλεκτρονική 3 Το Τρανζίστορ! Το

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΣΕΡΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ Ι. ΚΑΛΟΜΟΙΡΟΣ, Ν. ΧΑΣΤΑΣ, Θ. ΜΑΝΤΖΟΥ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

8. Σύνθεση και ανάλυση δυνάμεων

8. Σύνθεση και ανάλυση δυνάμεων 8. Σύνθεση και ανάλυση δυνάμεων Βασική θεωρία Σύνθεση δυνάμεων Συνισταμένη Σύνθεση δυνάμεων είναι η διαδικασία με την οποία προσπαθούμε να προσδιορίσουμε τη δύναμη εκείνη που προκαλεί τα ίδια αποτελέσματα

Διαβάστε περισσότερα

Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση

Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση ονομάζονται εκείνα στα οποία επιβάλλεται τάση της μορφής: = ( ω ϕ ) vt V sin t όπου: V το πλάτος (στιγμιαία μέγιστη τιμή) της τάσης ω

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 Μάθημα : Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Τεχνολογία ΙΙ Τεχνικών Σχολών, Θεωρητικής Κατεύθυνσης

Διαβάστε περισσότερα

8.1 Θεωρητική εισαγωγή

8.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 8 ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΜΝΗΜΗΣ ΚΑΤΑΧΩΡΗΤΕΣ Σκοπός: Η µελέτη της λειτουργίας των καταχωρητών. Θα υλοποιηθεί ένας απλός στατικός καταχωρητής 4-bit µε Flip-Flop τύπου D και θα µελετηθεί

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΥ Α. ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΛΕΓΧΟΥ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ D.C. ΚΙΝΗΤΗΡΑ

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΥ Α. ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΛΕΓΧΟΥ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ D.C. ΚΙΝΗΤΗΡΑ ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. ΓΕΝΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΥ Α. ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΛΕΓΧΟΥ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ D.C. ΚΙΝΗΤΗΡΑ Σε ένα ανοιχτό σύστημα με συνάρτηση μεταφοράς G η έξοδος Υ και είσοδος Χ συνδέονται με τη σχέση: Y=G*Χ

Διαβάστε περισσότερα

2012 : (307) : , 29 2012 : 11.00 13.30

2012  : (307) : , 29 2012 : 11.00 13.30 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2012 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (ΙΙ) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΠΡΑΚΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΜΑΘΗΜΑ : Εφαρµοσµένη Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στους τελεστικούς ενισχυτές

Εισαγωγή στους τελεστικούς ενισχυτές ΗΥ121-Ηλεκτρονικά Κυκλώµατα Γιώργος ηµητρακόπουλος Εισαγωγή στους τελεστικούς ενισχυτές 1 Εισαγωγή Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένας ενισχυτής τάσης µε πολύ µεγάλο κέρδος. Το κέρδος µπορεί να παίρνει πολύ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΡΟ ΙΑΓΡΑΦΕΣ

ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΡΟ ΙΑΓΡΑΦΕΣ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΝΟΜΟΣ ΗΡΑΚΛΕΙΟΥ ΗΜΟΣ ΗΡΑΚΛΕΙΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΚΑΘΑΡΙΟΤΗΤΑΣ & ΑΝΑΚΥΚΛΩΣΗΣ ΤΜΗΜΑ : ΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ & ΣΥΝΤΗΡΗΣΗΣ ΟΧΗΜΑΤΩΝ Ηράκλειο 18 / 06 / 2015 Προµήθεια µπαταριών οχηµάτων και µηχανηµάτων του ήµου

Διαβάστε περισσότερα

Επιμορφωτικό Υποστηρικτικό Υλικό για την ενσωμάτωση των ΤΠΕ στη μαθησιακή διαδικασία. Θέμα Ηλεκτρολογία Μέση Τεχνική και Επαγγελματική Εκπαίδευση

Επιμορφωτικό Υποστηρικτικό Υλικό για την ενσωμάτωση των ΤΠΕ στη μαθησιακή διαδικασία. Θέμα Ηλεκτρολογία Μέση Τεχνική και Επαγγελματική Εκπαίδευση Επιμορφωτικό Υποστηρικτικό Υλικό για την ενσωμάτωση των ΤΠΕ στη μαθησιακή διαδικασία Θέμα Ηλεκτρολογία Μέση Τεχνική και Επαγγελματική Εκπαίδευση Εργαλείο FESTO INGENATIC Παιδαγωγικό Ινστιτούτο Κύπρου Τομέας

Διαβάστε περισσότερα

i C + i R i C + i R = 0 C du dt + u R = 0 du dt + u RC = 0 0 RC dt ln u = t du u = 1 RC dt i C = i R = u R = U 0 t > 0.

i C + i R i C + i R = 0 C du dt + u R = 0 du dt + u RC = 0 0 RC dt ln u = t du u = 1 RC dt i C = i R = u R = U 0 t > 0. Α. Δροσόπουλος 6 Ιανουαρίου 2010 Περιεχόμενα 1 Κυκλώματα πρώτης τάξης 2 1.1 Εκφόρτιση κυκλωμάτων RC πρώτης τάξης.................................. 2 1.2 Εκφόρτιση κυκλωμάτων RL πρώτης τάξης...................................

Διαβάστε περισσότερα

Φωτισµός βαγονιών ΕΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕ ΣΤΗ ΜΑΚΕΤΑ ΡΕΥΜΑ 220V. ΜΟΝΟ ΡΕΥΜΑ ΑΠΟ ΤΟΥΣ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ.

Φωτισµός βαγονιών ΕΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕ ΣΤΗ ΜΑΚΕΤΑ ΡΕΥΜΑ 220V. ΜΟΝΟ ΡΕΥΜΑ ΑΠΟ ΤΟΥΣ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ. Φωτισµός βαγονιών Για τον εσωτερικό φωτισµό των βαγονιών αλλά και γενικότερα της υπαίθρου χρησιµοποιούµε πλέον τις διόδους LED. Η Märklin παρέχει επίσης έτοιµα LED σε συστοιχία καθώς και άλλες εταιρείες

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΑ 3,4. Συστήµατα ενός Βαθµού ελευθερίας. k Για E 0, η (1) ισχύει για κάθε x. Άρα επιτρεπτή περιοχή είναι όλος ο άξονας

ΚΕΦΑΛΑΙΑ 3,4. Συστήµατα ενός Βαθµού ελευθερίας. k Για E 0, η (1) ισχύει για κάθε x. Άρα επιτρεπτή περιοχή είναι όλος ο άξονας ΚΕΦΑΛΑΙΑ,4. Συστήµατα ενός Βαθµού ελευθερίας. Να βρεθούν οι επιτρεπτές περιοχές της κίνησης στον άξονα ' O για την απωστική δύναµη F, > και για ενέργεια Ε. (α) Είναι V και οι επιτρεπτές περιοχές της κίνησης

Διαβάστε περισσότερα