Κεφάλαιο 2 Transistors

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Κεφάλαιο 2 Transistors"

Transcript

1 Κεφάλαιο 2 Transistors 1. Εισαγωγή - Γενικά 2. Διπολικά Transistors (ipolar Juncon Transistors - JT) a. Χαρακτηριστικά Λειτουργίας Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού b. Πόλωση Transistor c. Το JT Ως Ενισχυτής d. Το JT Ως Διακόπτης e. Βιομηχανικές Εφαρμογές Διπολικών Transistor f. Το Φωτοτρανζίστορ 3. Transistors Επιδράσεως Πεδίου (Field ffect Transistors - FT) a. Transistor Επιδράσεως Πεδίου Ενώσεως (Juncon Filed ffect Transistors - JFT) 4. Διπολικά transistor Μονωμένης Θύρας (Insulated Gate ipolar Transistor - IGT)

2 ontrol Systems Laboratory Εισαγωγή - Γενικά Τα transistors είναι ημιαγωγά συσκευάσματα ευρείας χρήσης. ασικό χαρακτηριστικό: οι ικανότητες ενίσχυσης (amplificaon) και ελεγχόμενης διακοπής (switching). Τα transistors είναι συσκευές 3 ακροδεκτών και το μέγεθός τους είναι ανάλογο της ισχύος που διαχειρίζονται. Τα transistors ισχύος (power transistors ) χειρίζονται πολλή μεγάλη ισχύ και τοποθετούνται πάνω σε ψήκτρες. Οι πιό χρήσιμοι τύποι transistor σε βιομηχανικές εφαρμογές είναι τα Διπολικά transistors (ipolar JuncFon Transistors - JT) και τα transistors Επιδράσεως Πεδίου (Field ffect Transistors - FT). τα Διπολικά transistor Μονωμένης Θύρας (Insulated Gate ipolar Transistor - IGT) Ο κάθε τύπος έχει τα δικά του πλεονεκτήματα και μειονεκτήματα. Τα JT είναι τα πιο συχνά χρησιμοποιούμενα στα αναλογικά κυκλώματα ενώ τα FT στα ψηφιακά. Τα IGT είναι ένας σχετικά νέος τύπος transistor που συνδυάζει πολλά από τα πλεονεκτήματα των δύο άλλων τύπων. 2

3 ontrol Systems Laboratory Διπολικά Transistors (ipolar Junction Transistors - JT) Τα JT είναι ημιαγωγά συσκευάσματα με δύο ενώσεις np. Η εναλλαγή ημιαγωγών υλικών μπορεί να είναι είτε τύπου npn είτε τύπου pnp. Τα χρησιμοποιούμενα υλικά είναι πυρίτιο και γερμάνιο. Το μεσαίο υπόστρωμα ημιαγωγού υλικού είναι πολύ λεπτό και λέγεται βάση (ase - ) ενώ τα ακραία ονομάζονται εκπομπός (mi{er - ) και συλλέκτης (ollector - ). Όταν η βάση είναι τύπου p (transistor npn) τότε οπές ρέουν από την βάση προς τον εκπομπό. Όταν η βάση είναι τύπου n (transistor pnp) τότε οπές ρέουν από τον εκπομπό προς την βάση. Στο σχηματικό σύμβολο ενός transistor φαίνονται οι ακροδέκτες () που αντιστοιχούν σε κάθε τύπο υποστρώματος καθώς επίσης και, μέσω του βέλους, η ροή οπών. Όταν η κατεύθυνση του βέλους είναι από την βάση προς τον εκπομπό δείχνει ότι είναι transistor τύπου - npn. Στην περίπτωση transistor τύπου pnp το βέλος έχει αντίθετη φορά. n p n 3 I I p n p Το γεγονός ότι η βάση είναι πολύ λεπτή της επιτρέπει να λειτουργεί σαν "είσοδος ελέγχου". Έτσι τα σήματα που εφαρμόζονται στην βάση χρησιμοποιούνται για να παράγουν και ελέγξουν την ροή ρεύματος μεταξύ των δύο άλλων ακροδεκτών. I I I I

4 Διατάξεις Transistor ontrol Systems Laboratory Οι πιθανές συνδέσεις ενός transistor σχετίζονται με τον ακροδέκτη από την οποία εισέρχεται το σήμα εισόδου και τον ακροδέκτη που λαμβάνεται το σήμα εξόδου ή, ισοδύναμα, το ποιος ακροδέκτης του transistor είναι κοινός τόσο για το σήμα εισόδου όσο και για το σήμα εξόδου. Αυτός είναι σημαντικός παράγων για την ανάλυση και λειτουργία του κυκλώματος. Ανάλογα, λοιπόν, με το ποιος είναι ο κοινός ακροδέκτης έχουμε τα εξής είδη διατάξεων: V i V 0 V i V 0 V i V 0 (α) κοινού εκποµπού (β) κοινού συλλέκτη (γ) κοινής βάσης 4

5 ontrol Systems Laboratory Σύνδεση κοινού εκποµπού (ommon mitter - ) Θεωρούμε την συνδεσμολογία κοινού εκπομπού όπου ο εκπομπός είναι κοινός τόσο για το σήμα εισόδου όσο και για το σήμα εξόδου. Σε αυτή την διάταξη απαιτείται ορθή πόλωση της ένωσης εκπομπού - βάσης () και ταυτόχρονα ανάστροφη πόλωση της ένωσης συλλέκτη - βάσης () ενώ το σήμα εισόδου εισέρχεται από την βάση και το σήμα εξόδου λαμβάνεται από τον συλλέκτη. Αυτές οι πολώσεις και τα αντίστοιχα ρεύματα φαίνονται στα σχήματα. Σύμφωνα με το νόμο Kirchoff I = I + I Κατά την ορθή πόλωση transistor τύπου npn το μεγαλύτερο ποσοστό (~ 99 %) του ρεύματος I προέρχεται από τον συλλέκτη (ρεύμα I ) ενώ το μικρότερο (~ 1 %) προέρχεται από την βάση ( ). I I n p n I I I n p n I I 5

6 ontrol Systems Laboratory Σύνδεση κοινού εκποµπού συνεχ. Ισχύουν οι σχέσεις I V = V + V V = V I V = V V V I V I V V V I I = V V = V V 6

7 ontrol Systems Laboratory Καµπύλη Βάσης I Η καμπύλη μεταξύ ρεύματος βάσης και τάσης βάσης εκπομπού είναι παρόμοια με αυτή της διόδου, πράγμα αναμενόμενο λόγω της σύνδεσης pn. Αν και αυτή η καμπύλη εξαρτάται από την τάση συλλέκτη εκπομπού, αυτή η εξάρτηση είναι αμελητέα (φαινόμενο arly). Λόγω της ορθής πόλωσης της ένωσης είναι προφανές ότι V (για transistor πυριτίου). = 0. 7 V Με ικανοποιητικότατη ακρίβεια στην ανάλυση κυκλωμάτων, μπορεί η παραπάνω καμπύλη μεταξύ ρεύματος βάσης και τάσης βάσης εκπομπού να προσεγγισθεί από αυτή της διόδου πηγής. Η περιοχή V < 0.7V όπου I 0 λέγεται περιοχή αποκοπής. V I αποκοπή { I V I 0.7 V h ie = V V dv di V V 7

8 Καµπύλες Συλλέκτη I ontrol Systems Laboratory I I Η σχέση μεταξύ και δίδεται στο σχήμα για μία δεδομένη τιμή της V (οι καμπύλες μεταβάλλονται παραμετρικά ως προς το V ) όπου το κέρδος ρεύματος είναι β dc = Ic I = hf 20K 200 και είναι προσεγγιστικά σταθερό για ένα σημαντικό τμήμα του di εύρους μεταβολής του I αν και προφανώς δεν είναι (δηλαδή, hfe! di μεταβάλλεται ελαφρά) γιατί hf hfe. Η σχέση μεταξύ ρευμάτων συλλέκτη και εκπομπού είναι! αdc = hf = Ic I = βdc ( 1+ βdc ) 0.95K 0.99 < 1 Η σχέση μεταξύ I και V δίδεται από μία οικογένεια καμπυλών με παράμετρο το I Η περιοχή I = 0είναι η περιοχή αποκοπής και αντιστοιχεί σε I << (τάξη na). β I I = h I = const. dc F Σε κάθε καμπύλη που αντιστοιχεί σε κάποιο, κατά το αρχικό τμήμα ανύψωσης η δίοδος του συλλέκτη δεν είναι ανάστροφα πολωμένη και ονομάζεται περιοχή κόρου. Οι περιοχές κόρου και αποκοπής χρησιμοποιούνται σε ψηφιακά κυκλώματα. Η περιοχή κατάρρευσης είναι η περιοχή I Ενεργός Περιοχή τελικής ανύψωσης όπου ουσιαστικά το JT καταστρέφεται. Η σπουδαιότερη περιοχή είναι η ενεργός περιοχή, δηλαδή αυτή μεταξύ κόρου και κατάρρευσης γιατί που ουσιαστικά αντιπροσωπεύει την κανονική λειτουργία. Εκεί οι καμπύλες είναι σχεδόν ευθείες και Περιοχή Περιοχή Κόρου παρουσιάζουν μικρή κλίση. αποκοπής 8 I I I = 0 + = β ac I V Περιοχή Κατάρρευση

9 Καμπύλες Transistor I I I I V V αποκοπή h ie = dv di V I V V h fe di! di = β ac { 0.7 V β! I I = h dc F I V I (max) I I + P D(max) =V!I υπερβολή Ενεργός Περιοχή P D(max) I = const. V Περιοχή Κόρου Περιοχή αποκοπής I = 0 Περιοχή Κατάρρευσης V (max) 9 Σελ.28

10 V Άσκηση: Ανάλυση Κυκλώματος Transistor I 22 kω 5 V I V I V V β D =100 1 kω V 22 V I (max) I Περιοχή Κόρου I I = const. + Περιοχή αποκοπής Ενεργός Περιοχή I = 0 P D(max) V Περιοχή Κατάρρευσης Nα ευρεθούν τα I, I, I, V, V και V. 10 V (max) Για προδιαγραφές: β D =100, P D(max) =800 mw, V (max) =15 V και I (max) =100 ma να ευρεθεί η μέγιστη τιμή που μπορούμε να ρυθμίσουμε την V για να μην υπερβούμε τις προδιαγραφές (δηλ. για να παραμείνουμε στην ενεργό περιοχή). Ποιά προδιαγραφή θα υπερβούμε πρώτη? Λύση: έχουμε V V 5V 0.7 V I = = = 195 µ A I = β DI = ( 100)( 195 µ A) = 19.5 ma 22 kω Επομένως I < I( max). Επίσης I = I + I = 19.5 ma+ 195 µ A= ma Η πτώση τάσης στην είναι: V = I = 19.5 ma 1 kω = 19.5V ( )( )

11 V Άσκηση: Ανάλυση Κυκλώματος Transistor I 22 kω 5 V I V I V V β D =100 1 kω V I (max) I Περιοχή Κόρου I I = const. + Περιοχή αποκοπής Ενεργός Περιοχή I = 0 P D(max) V Περιοχή Κατάρρευσης V (max) Επειδή: V = V V = V 19.5 (I =const. è οριζόντια κίνηση του Q) V Άρα, V = 22V V = 22V 19.5V = 2.5V και Επειδή V = V V = 2.5V 0.7 V = 1.8V V = V V = V 19.5V V = V V 22 V V ( ) = V ( ) V = 15V V = 34.5V max max Αναφορικά με το «Ποιά προδιαγραφή θα υπερβούμε πρώτη»: Παρατηρείστε ότι P D = V I = ( V V ) I V = P P D +V I = D 19.5 ma +19.5V V ( max ) = P D( max) 800 mw +19.5V = +19.5V! V 19.5 ma 19.5 ma Άρα πρώτη θα υπερβούμε την V (max) όταν η V γίνει 34.5 V. 11

12 Μοντέλα Προσέγγισης Transistor ontrol Systems Laboratory + V Ιδανική Δίοδος β dc I V + - (α) - α' προσέγγιση: Ιδανικό Transistor Η δίοδος που παριστά την ένωση pn βάσης- εκπομπού λαμβάνεται ως ιδανική και το ρεύμα συλλέκτη δίδεται από την σχέση I = β I dc I αποκοπή { 0.7 V h ie I dv = di I (β) Περιοχή Κόρου V Περιοχή αποκοπής V I Ενεργός Περιοχή + I I = const. I = 0 (γ) V Περιοχή Κατάρρευσης V 12

13 ontrol Systems Laboratory Μοντέλα Προσέγγισης Transistor συνεχ. + + V Δίοδος Πηγή β dc I V β' προσέγγιση: Είναι η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη προσέγγιση. Η δίοδος που παριστά την ένωση pn βάσης- εκπομπού λαμβάνεται ως δίοδος πηγή και κατά συνέπεια V ( V ) = β I = const =0.7 για πυριτιο I dc - 13 I (β) 0.7V (α) V I (γ) - V

14 ontrol Systems Laboratory Μοντέλα Προσέγγισης Transistor συνεχ. γ' προσέγγιση: Χρησιμοποιείται όταν είναι απαραίτητη σημαντική ακρίβεια. Η δίοδος που παριστά την ένωση pn βάσης- εκπομπού λαμβάνεται ως δίοδος πηγή με αντίσταση σώματος r emit και κατά συνέπεια η τάση V δεν είναι σταθερή V = V + I r V =0.7 V για πυριτιο b b emit Η δίοδος που παριστά την ένωση pn βάσης- συλλέκτη έχει μία αντίσταση σώματος r coll που επηρεάζει μόνο την περιοχή κόρου και όχι την ενεργό περιοχή, δηλαδή για κάποιο ρεύμα βάσης I επειδή ο κόρος ισχύει όσο I < β I sat τότε στην περιοχή του κόρου ισχύει V = I r ( ) sat sat coll + V - dc Δίοδος Πηγή µε εσωτερική αντίσταση 14 I (β) 0.7V (α) V I β I r coll dc V (γ) + - V

15 ontrol Systems Laboratory Χαρακτηριστικά Transistor Ορισμένα από τα πιο σημαντικά στοιχεία που δίδονται από τον κατασκευαστή είναι : οι ανάστροφες τάσεις κατάρρευσης V max : συλλέκτη βάσης, V 0max : συλλέκτη εκπομπού με ανοικτή βάση και : εκπομπού βάσης V max το μέγιστο D ρεύμα συλλέκτη ( ) και η μέγιστη ισχύς της διάταξης ( PD = V I), που μπορεί να δίδεται για διάφορες θερμοκρασίες περιβάλλοντος. Πρέπει να τονισθεί ότι το κέρδος ρεύματος β dc = hfεξαρτάται τόσο από το ρεύμα συλλέκτη όσο και από την θερμοκρασία περιβάλλοντος. Ακόμα και για συγκεκριμένες τιμές ρεύματος συλλέκτη και θερμοκρασίας περιβάλλοντος, για δύο transistor του ιδίου τύπου το κέρδος μπορεί να διαφέρει σημαντικά και τυχαία με κάποιες μέγιστες και ελάχιστες τιμές που δίδονται από τον κατασκευαστή. I h fe di! di β! I I = h F I I max V max V 0max V max I max P Dmax [ma] = 60 V = 40V = 6 V = 200 ma = 250 mw (25 o ) I h F min h Fmax

16 ontrol Systems Laboratory Σηµείο Λειτουργίας Transistor Το σημείο λειτουργίας ορίζεται από το ζεύγος Η εύρεσή του μπορεί να γίνει τόσο μέσω των I V V προσεγγιστικών μοντέλων όσο και από τις ακριβείς χαρακτηριστικές καμπύλες του transistor V Λογιστικός τρόπος Εύρεσης ΣΛ : Θα θεωρήσουμε V μόνο τα μοντέλα τύπου α' και β I α' προσέγγιση : Επειδή το transistor θεωρείται ιδανικό, V 0, οπότε I = V = 30µ A αν για το δεδομένο transistor επιλέξουμε από τα στοιχεία κατασκευαστή β dc = τότε I = β I = µ Α= 3mA I V V = 15 V, = 500 kω, = 3 kω, V = 15V οπότε V = V I = 15V 3mA 3kΩ= 6V β' προσέγγιση : Λόγω μοντέλου β προσέγγισης, V 0.7V, οπότε και επειδή, όπως προηγουμένως, για το δεδομένο transistor επιλέγουμε β = 100, τότε οπότε dc dc (, V ) Q I I = β I = µ Α= 2.86mA dc V = V I = 15V 2.86mA 3kΩ= 6.42V 100, V V = I = = 28.6 µ A 16

17 Σηµείο Λειτουργίας Transistor Πρέπει να τονισθεί ότι κατά τον λογιστικό τρόπο υπολογισμού πρέπει να πιστοποιηθεί, μέσω των στοιχείων κατασκευαστή, ότι το κέρδος ρεύματος που επιλέχθηκε είναι το σωστό για το ρεύμα συλλέκτη που βρέθηκε. Λογιστικός Τρόπος - α προσέγγιση: I =6 ma I [ma] h F min h Fmax Λογιστικός Τρόπος - β προσέγγιση: I =6.42 ma Παρεμβολή & Επανάληψη 17

18 ontrol Systems Laboratory Σηµείο Λειτουργίας Transistor συνεχ. Εύρεση ΣΛ Μέσω Χαρακτηριστικών : Γίνεται χρήση των χαρακτη- ριστικών που δίδονται για το εν λόγω transistor, από τον κατα- σκευαστή. Επί της χαρακτηριστικής ( I, V) χαράσσουμε την γραμμή φορτίου, το ευθύγραμμο τμήμα δηλαδή που εκφράζει V V 15V V την σχέση I = = και από την τομή ευρίσκεται η 500kΩ τιμή του I που διαρρέει την είσοδο του κυκλώματος. Παρατηρούμε ότι το I δεν εξαρτάται από τις παραμέτρους της πλευράς συλλέκτη παρά μόνο από αυτές τις πλευράς βάσης. Χαράσσουμε την γραμμή φορτίου το ευθύγραμμο τμήμα δηλαδή που εκφράζει την σχέση I, V όπως εκφράζεται από την I I V V V I ( ) V V I Q I = II* = I V I * 0.7V V V 15V V = = 3kΩ V V V I I = = 0 Περιοχή V Περιοχή Κόρου Κατάρρευση 18 V

19 Η Σηµασία του Σηµείου Λειτουργίας Q ontrol Systems Laboratory Ο δείκτης Q δείχνει ότι αναφέρονται στο ΣΛ Η ημιτονοειδής τάση V in που υπερτίθεται στην V, έχει αποτέλεσμα την ημιτονοειδή μεταβολή του I. Δεδομένου ότι η γραμμή φορτίου στη πλευρά συλλέκτη παραμένη σταθερή αυτό οδηγεί σε «ημιτονοειδή μετακίνηση» του Q μεταξύ των σημείων Α & Β. Αυτό ουσιαστικά οδηγεί σε ημιτονοειδή μεταβολή των I και V 19

20 Η Σηµασία του Σηµείου Λειτουργίας ontrol Systems Laboratory Απαιτείται προσοχή στη τοποθέτηση του Q για να αποφευχθεί λειτουργία εκτός ενεργού (γραμμικής) περιοχής με συνέπεια παραμορφώσεις σήματος. Το Q πρέπει να τοποθετείται κατάλληλα με βάση το εύρος της ημιτονοειδούς τάσης V in που υπερτίθεται στην V και του συντελεστή ενίσχυσης β D Πως όμως είναι δυνατή η ακριβής γνώση του συντελεστή ενίσχυσης? Είναι δυνατό να υπάρξει μικρή εξάρτηση του Q από το β D? 20

21 Πόλωση Transistor V ontrol Systems Laboratory Πολύ σημαντική η «τοποθέτηση» του Σ.Λ. με μεγάλη ακρίβεια. I 1 Kατά την σχεδίαση δεν είναι δυνατή η εκ των προτέρων γνώση I I του β dc = hf επειδή (1) εξαρτάται από την θερμοκρασία και (2) τα φύλλα κατασκευαστή δίνουν απλά μέγιστες και ελάχιστες 2 τιμές. Εξ' άλλου, οι τάσεις που χρησιμοποιούνται για την πόλωση των transistor είναι D με μικρό ποσοστό διαταραχής. I V =+ 10V 1 10 Για να αποφεύγεται το φαινόμενο να έχουμε μη σαφώς 2 = 2.2kΩ 3.6 καθορισμένο σημείο λειτουργίας χρησιμοποιούμε μεθοδολογίες βdc πόλωσης. Η πιο κλασσική είναι η πόλωση με διαιρέτη τάσης. = 1kΩ Υπόθεση 1: I << I 2 V = V = 1.8V = kω = kω [ 36,300] Με βάση αυτή εφαρμόζουμε διαιρέτη τάσης 1+ 2 Υπόθεση 2: το transistor ευρίσκεται σε κανονική λειτουργία (δηλ. εκτός περιοχής ανακοπής) δηλ. V 0.7 V Οπότε V = V V = 1.8V 0.7V = 1.1V και το ρεύμα εκπομπού ευρίσκεται προφανώς (χωρίς την χρήση του I = V = 1.1V 1kΩ= 1.1mA ( ) Επειδή έχουμε I I και κατά συνέπεια 21 β = h α dc = I c I = β dc 1+ β dc V = V I V I = 10V 1.1mA 3.6kΩ= 6.04V dc F )

22 Πόλωση Transistor V ontrol Systems Laboratory Η προηγούμενη ανάλυση έγινε χωρίς ουσιαστική χρήση των χαρακτηριστικών κατασκευαστή του transistor (Αυτό επισημαίνει την σταθερότητα του σημείου λειτουργίας, πράγμα απαραίτητο για οσο το δυνατόν πιο γραμμικά κυκλώματα transistors), και με τις δύο βασικές υποθέσεις 1 & 2 των οποίων η ισχύς πρέπει να ελεγχθεί. Προφανώς σε αυτό το στάδιο θα γίνει χρήση των προδιαγραφών I κατασκευαστή των χαρακτηριστικών του transistor V =+ 10V 1 10 Έλεγχος Υπόθεσης 1: Από αυτές, έχουμε βdc [ 36,300]. Οπότε 2 = 2.2kΩ 3.6 β = I I I < I β I β = 1.1mA 36 = 30.5µ Α β dc dc dc min min 22 1 I 2 ( ) ( ) I I = kω = kω = 1kΩ dc [ 36,300] Το ρεύμα δια του διαιρέτη είναι I V 1+ 2 = 10V 10kΩ+ 2.2kΩ = 0.82mA και επειδή I < 0.05 I I << Ισχύει η Υπόθεση 1 Έλεγχος Υπόθεσης 2: Αν το transistor ευρίσκεται στην αποκοπή, τότε I 0 και επειδή η βάση είναι ορθά πολωμένη 0 V < 0.7V 0.7V < V 0 επομένως V = V V V 0.7 < V V 1.1V < V 1.8V. Επειδή ( ) V = V = 1.8V αν είμαστε στην περιοχή αποκοπής τότε Ic 0. Αυτό θα σήμαινε I = I + I 0. Κατά συνέπεια V = I 0 που αντίκειται στην και κατά συνέπεια το transistor δεν ευρίσκεται στην αποκοπή. Ισχύει η Υπόθεση 2

23 Άσκηση:Πόλωση Transistor ontrol Systems Laboratory Να ευρεθούν τα σημεία λειτουργίας των transistor πυριτίου στην διπλανή διάταξη. Λειτουργικά, τι είναι και τι κάνει αυτή η διάταξη? Είναι ενισχυτής 2 (εν σειρά) βαθμίδων όπου και οι 2 βαθμίδες έχουν πόλωση με διαιρέτη τάσης. Άρα εφαρμόζουμε διαιρέτη τάσης Το transistor πυριτίου ευρίσκεται σε κανονική 2 =3 kω λειτουργία (δηλ. εκτός περιοχής ανακοπής) δηλ. V 0.7 V 1 1 Οπότε V = V και 1 V 1 = 3V 0.7V = 2.3V I 1 1 = V 1 1 = 2.3V 1kΩ= 2.3mA 1 Επομένως: V = V 1 I 1 V 1 I 1 = 10V 2.4mA 3kΩ= 3.1V 1 Το V είναι η τάση πόλωσης για τη 2 η βαθμίδα, δηλαδή V 1 2 = V 1 = 3.1V Οπότε V = V και 2 V = V V = V I 2 = V = V kω= ma 2 Επομένως V = V I V I = 10V 1.2mA 4kΩ= 5.2V Αρα και τα σημεία λειτουργίας είναι: 2 V = V 3 1 = V =7 kω V 1 1 = V 1 V 1 = = 0.8V V 2 2 = V 2 V 2 = = 2.8V V in ( ) = 3.1V,2.3mA ( ) = 5.2V,1.2mA Q 1 = V 1 1, I 1 Q 2 = V 2 2, I 2 ( ) ( ) V =10 V 1 =3 kω 1 =1 kω 2 =4 kω V out 2 =2 kω

24 Άσκηση για το σπίτι... Στο διπλανό κύκλωμα πόλωσης με διαιρέτη τάσης αφού ληφθεί υπόψη ότι τα στοιχεία: V, 1, 2,, είναι γνωστά και ότι το τρανζίστορ είναι πυριτίου και να ευρεθούν: Η τάση βάσης, η τάση & το ρεύμα εκπομπού, το ρεύμα και η τάση συλλέκτη V Θέλοντας να μελετήσουμε τη «ευαισθησία» του παραπάνω κυκλώματος ως προς τη μεταβολή των παραμέτρων να ευρεθεί η παράγωγος,, dv dµ όπου µ =. Πως επηρεάζεται η τάση συλλέκτη V από το µ? 1 I 2 I V I I 5/12/14 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος 24

25 ontrol Systems Laboratory Το Διπολικό Transistor ως Ενισχυτής Τα transistors χρησιμοποιούνται σε κυκλώματα ενίσχυσης τάσης, ρεύματος και ισχύος. Το κέρδος ή συντελεστής ενίσχυσης είναι ο λόγος ενός μεγέθους που αναφέρεται στην έξοδο προς το αντίστοιχο σήμα εισόδου. Επομένως A = I I A = V V A = P P = A A i out in υ out in p out in υ i Ένας ενισχυτής A αυξάνει το σήμα ασθενών A σημάτων. ( ) V Τροφοδοτείται με υπέρθεση D τάσης που χρησιμοποιείται για κατάλληλη πόλωση και ενός μικρού A σήματος εισόδου ( υ g ) και παρέχει στην έξοδο ένα A σήμα εξόδου ( υ l ) που είναι ενισχυμένη μορφή του αντίστοιχου A σήματος εισόδου. Οι G, L είναι οι αντιστάσεις της γεννήτριας σήματος και του φορτίου εξόδου, αντίστοιχα. Το A σήμα εισόδου εφαρμόζεται μέσω του πυκνωτή G για να αποκόψει την δίοδο του D σήματος που χρησιμοποιείται για την πόλωση του transistor, έτσι ώστε η G να μην επιδράσει στο ρεύμα πρόσω πόλωσης. Όμως επιτρέπει την διέλευση του A σήματος δια μέσου του. Για τους ίδιους λόγους, το Α σήμα εξόδου οδηγείται μέσω του πυκνωτή L στο φορτίο εξόδου L. Οι πυκνωτές G και L λέγονται πυκνωτές σύζευξης. Αντίθετα, ο πυκνωτής παράκαμψης χρησιμοποιείται για την γείωση του A τμήματος του σήματος εκπομπού, ενώ δεν επιτρέπει την διέλευση του D τμήματος. υ g G G 1 2 V L υ l L 25

26 Το Διπολικό Transistor ως Ενισχυτής ontrol Systems Laboratory ( ) V Στον ενισχυτή, η υπέρθεση D τάσης που χρησιμοποιείται για κατάλληλη πόλωση και ενός μικρού A σήματος εισόδου ( υ g ) παράγει στην έξοδο ένα A σήμα εξόδου ( υ l ) που είναι ενισχυμένη μορφή του αντίστοιχου A σήματος εισόδου. Το A σήμα περνάει στην βάση δημιουργώντας A ρεύμα βάσης που ενισχύεται μέσω του κέρδους ρεύματος δημιουργώντας ένας μεγάλο A ρεύμα συλλέκτη που ρέοντας μέσω της αντίστασης συλλέκτη δημιουργεί μεγάλη A τάση συλλέκτη. Προφανώς το προς ενίσχυση A σήμα πρέπει να είναι μικρού εύρους έτσι ώστε να μην οδηγεί το (στιγμιαίο) Σ.Λ. έξω από την ενεργή περιοχή του transistor, πράγμα που θα οδηγούσε σε παραμορφωμένο σήμα εξόδου. Q ( υ g = 0) Το σημείο λειτουργίας 0 όταν δεν εφαρμόζεται σήμα εισόδου θα πρέπει να επιλέγεται στο "κέντρο" της ενεργού περιοχής έτσι ώστε να η ενίσχυση να έχει όσο το δυνατόν πιο γραμμική συμπεριφορά. υ l υ g 26

27 ontrol Systems Laboratory Το JT ως Ενισχυτής Η "γραμμικότητα" στην περιοχή του και η μικρή "ταλάντωση" γύρω από αυτό δίνει την 1 = 10kΩ δυνατότητα της ανάλυσης, βάσει της αρχής 1 της υπέρθεσης, με 3 βήματα: G = 600Ω ανάλυση D (οι A πηγές είναι μηδενικές και G G οι πυκνωτές "ανοικτοκυκλωμένοι"), ανάλυση A (οι D πηγές είναι μηδενικές και οι πυκνωτές βραχυκυκλωμένοι) και υ g πρόσθεση των αποτελεσμάτων των δύο 2 προηγουμένων βημάτων. υ g = 1mV 2 = 2.2kΩ Q 0 V V =+ 10V = 3.6kΩ βdc = 1kΩ L [ 36,300] L υ l = 10kΩ L Είναι προφανές ότι οι G, Lδίδονται από την εφαρμογή, ενώ οι 1, 2,, υπολογίζονται για την κατάλληλη τοποθέτηση του Q 0. Η ανάλυση θα δείξει ποίες συνθήκες πρέπει να ικανοποιούν οι G, L,. ανάλυση D: Προφανώς ισχύει V και οι πυκνωτές είναι 1 G = 0 ανοικτοκυκλωμένοι γιατί ουσιαστικά δεν άγουν D ρεύμα. Κατά I συνέπεια το κύκλωμα παίρνει την μορφή του διπλανού σχήματος και λόγω του ότι τα δεδομένα είναι ίδια με αυτά του παραδείγματος στην «πόλωση», ισχύει η εκεί ανάλυση. Δηλαδή 2 V = 1.8V,V = 1.1V, I = 1.1mA,V = 6.04V,V = 4.94V I V I I 27

28 Το JT ως Ενισχυτής συνεχ. ontrol Systems Laboratory ανάλυση A: Iσχύει V = 0 και οι πυκνωτές είναι βραχυκυκλωμένοι γιατί ουσιαστικά άγουν "ελεύθερα" (επιλέγονται να έχουν πολύ μικρή εμπέδιση) το Α ρεύμα. Κατά συνέπεια το κύκλωμα παίρνει την μορφή το οποίο τελικά απλοποιείται σε G I L G L υ g 1 2 υ g 1 2 Αυτό με την σειρά του, βάσει του ισοδύναμου Τ- μοντέλου του transistor, δίδει το κύκλωμα όπου και r e ( ) dv I = I S e V V T 1 β ac I είναι η A αντίσταση εκπομπού για την οποία ισχύει di 25mV I h ie = r h e = fe Δ dv di 25mV είναι το "A κέρδος ρεύματος" που ορίσθηκε ως β = h = ac fe G di di G στην σελ. 9 και για το οποίο προφανώς βac = h fe βdc = hf. υ l Οι υβριδικές παράμετροι υ hie, hfe, ευρίσκονται στα φυλλάδια κατασκευαστών, όπως g άλλωστε και η. Έστω ότι στο εδώ παράδειγμα β = h = 160 υ h F 1 2 Αν b είναι η (προφανώς μικρή) A τάση της βάσης, τότε για το A ρεύμα εκπομπού ισχύει υ = i r b e e V I = 25mV 1.1mA! Ω 28 ac L fe L ie ac

29 ontrol Systems Laboratory Το JT ως Ενισχυτής συνεχ. Από το ισοδύναμο, τύπου- Π, μοντέλο και δεδομένου ότι ie ic και έχουμε την εμπέδηση εισόδου της βάσης υ b = i e r e β ac = hfe = di di ic ib ( ) ( ) β ac z b in!υ b i b = r e i e i b r e i c i b r e = h ie = Ω = Ω και την εμπέδηση εισόδου του ενισχυτή b z = z = h = in 1 2 in 1 2 ie = 10 kω 2.2 kω kω= kω οπότε διαδοχικά παίρνουμε i g = G υ g + z in υb = ig zin = υg G zin + z in i b υ b = b ic βac ib zin = υ c = ic ( L) 29

30 ontrol Systems Laboratory Το JT ως Ενισχυτής συνεχ. Από τις προηγούμενες σχέσεις και τους ορισμούς τών συντελεστών ενίσχυσης: μπορούμε να βρούμε: A = i i i out in A = υ τον συντελεστή ενίσχυσης τάσης, δεδομένου ότι zin υb = υg G + z in υ ( L) ( ) out z kω kω in υb = ie r e A υ = = = = υg r e G + zin υout = ic ( L ) h Δ ie dv 25 mv = r = όπου υπενθυμίζουμε ότι: τον συντελεστή ενίσχυσης ρεύματος υ out υ A = P P = A A p out in υ i g G G υ g V 1 2 e fe h di I L υ l L A i = i c i b! β ac και την εμπέδηση εξόδου, που δίνεται προσεγγιστικά από την: z = = 3.6 Ω 10 kω= 2.65 kω out L k 30

31 ontrol Systems Laboratory Τύποι Ενισχυτών: Κοινού Εκποµπού () Αναλύθηκε εκτενώς προηγουμένως επειδή είναι ο πιο συχνά χρησιμοποιούμενος τύπος σε JT ενισχυτές. Όπως αναλύθηκε προηγουμένως, τα κέρδη ρεύματος όσο και τάσης είναι πολύ μεγάλα. V V in I t V in I L t V I V I I V >1 V I + V 5/12/14 31 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος I =0 V

32 ontrol Systems Laboratory Είσοδος στη Βάση. Έξοδος στο Συλλέκτη. Αντιστροφή φάσης μεταξύ εισόδου & εξόδου. Όλοι οι πυκνωτές πρέπει να έχουν χαμηλή εμπέδηση στη συχνότητα λειτουργίας. Οι 1, 3 είναι πυκνωτές σύζευξης (coupling) για τα σήματα είσόδου και εξόδου. Ο 2 είναι πυκνωτής παράκαμψης (bypass) του εκπομπού ο οποίς έτσι δρά σαν γείωση των A σημάτων. Τύποι Ενισχυτών: Κοινού Εκποµπού () Τύποι Ανάλυσης D Τύποι Ανάλυσης A V V = V V I β 2 D = V 1+ 2 βd V = V = V I 25 mv r e = I ( ) z! υ i = β r + b in in b ac e 1 z! υ i = z b in in in 1 2 in z = A out L υ! υ out e 1 b in Aυ! υout υin Aυ Aυ υin G + zin A! i i i c b ac zout υb = r + υ = = = β i z A! i i = A = A b in i c in i b i iin zin A! P P = A A p out in υ i z = /12/14 32 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος

33 ontrol Systems Laboratory Τύποι Ενισχυτών: Κοινού Συλλέκτη () Oνομάζεται και ακολουθητής εκπομπού (emi{er follower) επειδή ο εκπομπός ακολουθεί την βάση. Η αντίσταση εισόδου είναι πολύ υψηλή επειδή το σήμα εισόδου ασκείται σε μία αντίστροφα πολωμένη ένωση συλλέκτη- βάσης. Η αντίσταση εξόδου είναι χαμηλή. Αυτό το κύκλωμα μπορεί να απομονώσει την έξοδο από την είσοδο, δρά λοιπόν σαν μία σύσκευή που τα χαρακτηριστικά της εξόδου δεν επιδρούν στην είσοδο. Αυτά τα κυκλώματα λεγονται απομονωτές (buffers). I V in I I L V 33

34 ontrol Systems Laboratory Είσοδος στη Βάση. Έξοδος στον Εκπομπό. Ίδια φάση εισόδου- εξόδου. Μεγάλη εμπέδιση εισόδου, μικρή εξόδου. Μέγιστο κέρδος τάσης=1 Ο συλλέκτης είναι γειωμένος στα A σήματα. Όλοι οι πυκνωτές πρέπει να έχουν χαμηλή εμπέδηση στη συχνότητα λειτουργίας. Τύποι Ενισχυτών: Κοινού Συλλέκτη () Τύποι Ανάλυσης D Τύποι Ανάλυσης A V V = V V I V β 2 D = 1+ 2 βd V = = V V r = e 25 mv I ( ) z! υ i = β r + b in in b ac e 1 z! υ i = z b in in in 1 2 in z = A out L υ zout! υout υin = " 1 r + z in Ai ie iin = Aυ zout e out z! " z z in out A! P P = A A " A p out in υ i i 5/12/14 34 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος

35 Τύποι Ενισχυτών: Κοινής Βάσης (Β) Το ρεύμα I είναι το ρεύμα εισόδου ενώ το I είναι το ρεύμα εξόδου. Προφανώς I < I και επομένως α dc < 1. Μπορούμε να παρατηρήσουμε τις χαρακτηριστικές εκπομπού και συλλέκτη του transistor. Το transistor σε διάταξη μπορεί να αποδώσει κέρδος τάσης. I Αυτό είναι δυνατό γιατί, όπως γίνεται κατανοητό από τις χαρακτηριστικές, για τις αντιστάσεις εισόδου re και εξόδου V >1 V ισχύει Δ V Δ V re = << = I I ontrol Systems Laboratory V =0 και I I οπότε έχουμε κατά πολύ μεγαλύτερες τάση & ισχύ εξόδου απ ότι εισόδου. V V in I V I I L t V in t I + V V 35 I =0 V

36 ontrol Systems Laboratory Είσοδος στον Εκπομπό. Έξοδος στον Συλλέκτη. Ίδια φάση εισόδου- εξόδου. Μικρή εμπέδιση εισόδου, μεγάλη εξόδου. Μέγιστο κέρδος ρεύματος=1 Η Βάση είναι γειωμένη στα A σήματα. Τύποι Ενισχυτών: Κοινής Βάσης (Β) Τύποι Ανάλυσης D Τύποι Ανάλυσης A V V = V V I β 2 D = 1+ 2 βd V = V = V I V r = e 25 mv I e z! υ i = r in in in e z = r A out e L υ! υ υ = out in e zin A! i i = i i " 1 i c in c e p out in υ i A! P P = A A " A L υ 5/12/14 36 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος

37 Τύποι Ενισχυτών συνεχ. ontrol Systems Laboratory Τα χαρακτηριστικά αυτών των ενισχυτών μπορούν να πινακοποιηθούν ως εξής: Τύπος Ενισχυτή Χαρακτηριστικό A υ A A i p Z in Z out Μεγάλο Μικρό 1 Μεγάλο Μεγάλο Μεγάλο Μικρό 1 A υ A Πολύ Μεγάλο= Μεγάλο Μεγάλο i Μικρό Μεγάλο Πολύ Μικρό Μεγάλο Πολύ Μικρό Μεγάλο A i A υ ίναι δυνατόν να επιτευχθούν συνδυασμένα ποιοτικά χαρακτηριστικά με την εν σειρά τοποθέτηση ενισχυτών A υi., i = 1,2,!. Σε αυτή την περίπτωση η συνολική ενίσχυση είναι A υ = A υ1 A υ2! 37

38 ontrol Systems Laboratory Το JT ως Διακόπτης Όταν το transistor χρησιμοποιείται σαν διακόπτης ευρίσκεται είτε στην κατάσταση αποκοπής είτε σε αυτή του κορεσμού. Η βασική αρχή αυτής της χρήσης έγκειται στην διακριτή μεταβολή της κατάστασής τους (δηλ. της τάσης, του ρεύματος ή και των δύο). Αυτή η βασική έννοια της αλλαγής κατάστασης αν συσχετισθεί με την μαθηματική λογική τότε κάνει προφανές το τεράστιο εύρος χρήσης αυτού του διακόπτη. Αυτή η αρχή χρησιμοποιείται στους μεταλλάκτες D σε A, σε οδηγούς μεταβλητής συχνότητας, σε σωληνοειδείς επενεργητές, σε ρελέ και σε ψηφιακά λογικά κυκλώματα. Η ισχύς λειτουργίας εκτείνεται από λίγα mw, στα λογικά κυκλώματα, σε kw στα συστήματα ελέγχου κινητήρων. 38

39 ontrol Systems Laboratory Το JT ως Διακόπτης Η οδήγηση των transistor στην αποκοπή ή κορεσμό γίνεται μέσω του V. V = 0 Όταν τοτε I το transistor είναι στην = 0 αποκοπή, δηλ. ο «διακόπτης» είναι ανοικτός και V V ( ) cutoff Στο κορεσμό, αν θεωρήσουμε V I sat ( ) 0 sat οπότε ( )!V Οπότε το ελάχιστο ρεύμα I που απαιτείται για κορεσμό V είναι I και ισχύει ( ) = I min ( sat) β V = I D I ( min ) = I ( sat) = β D άρα V V + V β /12/14 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος 39 D V β D

40 ontrol Systems Laboratory Βιοµηχανικές Εφαρµογές των JT Οι ενισχυτές Darlington αποτελούνται από 2 «εν σειρά» ενισχυτικές βαθμίδες. V Θυμίζουμε ότι για τη διάταξη ενίσχυσης ισχύουν in Είσοδος στη Βάση. Έξοδος στον Εκπομπό. Ίδια φάση εισόδου- εξόδου. Μεγάλη εμπέδιση εισόδου, μικρή εξόδου. Μέγιστο κέρδος τάσης=1 Ο συλλέκτης είναι γειωμένος στα A σήματα. Όλοι οι πυκνωτές πρέπει να έχουν χαμηλή εμπέδηση στη συχνότητα λειτουργίας. Επομένως οι Darlington: έχουν υψηλές αντιστάσεις εισόδου, εξόδου και κέρδος ρεύματος, απαιτούν χαμηλά σήματα εισόδου (λόγω της υψηλής αντίστασης εισόδου), και το κέρδος ρεύματός τους είναι το γινόμενο των δύο ενισχυτικών βαθμίδων Χρησιμοποιούνται ευρέως στις βιομηχανικές εφαρμογές λόγω του μεγάλου κέρδους ρεύματος που έχουν. Το σχήμα δείχνει έναν Darlington με πόλωση μέσω διαιρέτη τάσης. Το σήμα εισόδου ισούται με την πτώση τάσεως στις δύο ενώσεις ΒΕ των transistors συν την πτώση στο φορτίο. Επομένως, η τάση εξόδου αυτού του ενισχυτή είναι μικρότερη από αυτήν της εισόδου. Όταν το σήμα εισόδου γίνεται θετικό η βάση του 1ου transistor γίνεται θετική και ο εκπομπός του ακολουθεί την βάση, οπότε είναι θετικές και η βάση και ο εκπομπός του 2ου transistor. Επομένως η τάση εξόδου βρίσκεται σε φάση με αυτήν της εισόδου. 40 V in t 1 2 V out V t V ou

41 ontrol Systems Laboratory Βιοµηχανικές Εφαρµογές των JT συνεχ. Οι Darlington χρησιμοποιούνται για σερβοκινητήρες και ρυθμιστές τάσης. Επίσης, σε κυκλώματα αισθητήρων τους χρησιμοποιούν γιά ενίσχυση εξαιρετικά ασθενών σημάτων. Το σχήμα δείχνει την χρήση σε έλεγχο κινητήρα D. Η μεταβλητή αντίσταση ελέγχει την μικρή τιμή του ρεύματος εισόδου που μετά τα δύο ενισχυτικά στάδια μεγαλώνει και αποδίδεται στον κινητήρα. 1 V Κινητήρας D 41

42 ontrol Systems Laboratory Βιοµηχανικές Εφαρµογές των JT συνεχ. Ο μεταλλάκτης (inverter) μετατρέπει D ισχύ σε A ισχύ. Δηλαδή είναι το αντίστροφο του ανορθωτή. Το σχήμα δείχνει έναν μεταλλάκτη τροφοδοτούμενο από μία πηγή V (D) που αποδίδει 120 V, 60 Hz (A). Η βασική ιδέα βρίσκεται στην διάταξη των transistors που είναι τοποθετημένα έτσι ώστε να σχηματίζουν ένα ταλαντωτή (oscillator). O μετασχηματιστής όταν φθάνει σε κορεσμό αποκόπτει το transistor που τον φορτίζει και ενεργοποιεί έτσι το άλλο transistor παρέχοντας έτσι ένα τετραγωνικής μορφή σήμα στο φίλτρο που το λειαίνει δίδοντάς του μορφή τραπεζοειδούς κύματος. 1 =100 Ω 2N3614 UT FT V L 1 =10 µη 1 =3 µf 2 =0.25 µf Outlet 120 V A 60 Hz 2N V 2A 2 =100 Ω 3 = 4 =15 Ω 42

43 ontrol Systems Laboratory Βιοµηχανικές Εφαρµογές των JT συνεχ. Ο μετατροπέας (converter) είναι μία συσκευή που μετατρέπει ένα επίπεδο τάσης D σε άλλο. Δηλαδή είναι σαν ένας μετασχηματιστής - D. Αν ένα transistor εναλάσσεται ταχέως μεταξύ των καταστάσεων ON - OFF τότε είναι δυνατός ο έλεγχος της τάσης που παρέχεται σε ένα φορτίο. Αυτή η μορφή ελέγχου της τάσεως ονομάζεται διαμορφωση εύρους παλμού (pulse width modula`on - PWM) και είναι πολύ χρήσιμη σε βιομηχανικά κυκλώματα ελέγχου κινητήρων, πηγών Τάση Εισόδου (D) µε διαταραχές τροφοδοσίας και συσκευών που λειτουργούν με μπαταρίες (όπως π.χ. ορισμένα περονοφόρα οχήματα) και χρειάζεται οικονομία ισχύος. Στο σχήμα φαίνεται ένα τέτοιο κύκλωμα που παρέχει ένα ορθογώνιο παλμό χωρίς να απαιτείτα ένα αντίστοιχο σήμα εισόδου. Αυτό το κύκλωμα ονομάζεται ασταθής πολυδονητής (astable mul`vibrator). Μηχανική Σύζευξη Οι μεταλλάκτες και οι μετατροπείς χρησιμοποιούνται σε πολλά βιομηχανικά κυκλώματα όπως σε έλεγχο κινητήρων A, D ψαλιδιστές (choppers) κλπ. Πλέον δεν κατασκευάζονται τόσο από transistors όσο από thyristors (ειδικές ημιαγωγές συσκευές που μπορούν να χειρίζονται μεγάλες ποσότητες ρεύματος). Το πιο απλό είδος ρυθμιστή τάσεως είναι αυτό τύπου ακολουθητή εκπομπού (emifer- follower) που φαίνεται στο σχήμα. V 4 V out L

44 ontrol Systems Laboratory Βιοµηχανικές Εφαρµογές των JT συνεχ. Μία από τις πιο συνήθεις βιομηχανικές εφαρμογές του transistor - διακόπτη είναι σε κυκλώματα ελέγχου σερβο- κινητήρων (servomotors) και βηματικών κινητήρων (stepper motors). Το σχήμα δείχνει μια απλή μορφή ενός τέτοιου κυκλώματος που είναι γνωστή σαν οδηγός ενισχυτής. Η αντίσταση s χρησιμοποιείται για περιορισμό του ρεύματος ενώ η δίοδος χρησιμοποιείται για την απόδοση της ενέργειας του περιτυλίγματος όταν το transistor είναι σε αποκοπή. Δίοδοι χρησιμοποιούνται σε τέτοιες διατάξεις με επαγωγικές συσκευές (ρελέ, κινητήρες κ.λ.π.) και ονομάζονται δίοδοι εκτόνωσης (freewheeling diodes). Όταν το transistor αποκοπεί, η τάση στη περιέλιξη είναι αντίστροφη σε σχέση με την εφαρμοζόμενη τάση και πολώνει ορθά την δίοδο επιτρέποντας την αποφόρτιση του πηνίου μέσω της διόδου, που είναι ορθά πολωμένη μέχρι τελικής αποφορτίσεώς της. V in Β +V S Περιέληξη Κινητήρα 44

45 ontrol Systems Laboratory Βιοµηχανικές Εφαρµογές των JT συνεχ. Τα transistor- διακόπτες μαζί με ενισχυτές χρησιμοποιούνται σε βιομηχανικά κυκλώματα σε εφαρμογές ελέγχου, μετρήσεων και παρακολούθησης (monitoring). Η μέτρηση αντίστασης συχνά έχει χρησιμοποιηθεί σε κυκλώματα ελέγχου. Στο σχήμα βλέπουμε ένα βιομηχανικό κύκλωμα που συνδυάζει έναν Darlington ( Q και έναν διακόπτη για την 1, Q 2) ( Q 3 ) ενεργοποίηση ενός συναγερμού όταν το υγρό φτάσει σε κάποιο επίπεδο οπότε άγεται ικανοποιητικό ρεύμα στα ηλεκτρόδια. ( Q, Q ) Τα είναι χαμηλής στάθμης - υψηλού κέρδους ενώ το είναι υψηλού ρεύματος. 1 2 Όταν υπάρχει αγώγιμο υγρό μεταξύ των ηλεκτροδίων διέρχεται ρεύμα που διαιρείται και ένα τμήμα του διαρρέει την βάση και το υπόλοιπο πηγαίνει προς το ποτενσιόμετρο που χρησιμοποιείται για ρύθμιση. Όταν η στάθμη είναι χαμηλή, η αντίσταση μεταξύ των ηλεκτροδίων είναι υψηλή και το ρεύμα προς το τόσο χαμηλό που, παρόλη την ενίσχυση στον Darlington, δεν μπορεί να μεταβάλει την κατάσταση αποκοπής του. Επομένως δεν υπάρχει ρεύμα προς elay τον συλλέκτη του ( Q 3 ) και κατά συνέπεια το πηνίο είναι αποκομμένο. Όταν η στάθμη υγρού ανέβει τότε Q 1 μειώνεται η αντίσταση μεταξύ των ηλεκτροδίων και Q 2 κατά συνέπεια αυξάνεται το ρεύμα που αποδίδει ο Darlington. Όταν αυτό είναι ικανοποιητικό για να Q 3 1 διεγείρει το ( Q 3 ), θα αποδώσει ισχυρό ρεύμα στο ρελέ το οποίο θα ενεργοποιήσει τον συναγερμό. 45 ( ) Q 3 V out

46 ontrol Systems Laboratory Το Φωτοτρανζίστορ Φακός Είναι ένα διπολικό transistor με φωτοευαίσθητη ένωση που όταν εκτίθεται σε φως μέσω φακού που είναι στη συσκευασία του transistor άγει ρεύμα ανάλογο της φωτεινής ισχύος. Έχει δηλαδή παρόμοια λειτουργία με αυτή ενός κλασσικού JT με ορθά πολωμένη την. Η σχέση μεταξύ του ρεύματος συλλέκτη και του ρεύματος βάσης (που δημιουργείται από το φώς) είναι: I =β D I λ Από τις χαρακτηριστικές I V (διπλ. Σχήμα) με παράμετρο τη φωτεινή ένταση Η φαίνεται ότι όταν δεν υπάρχει φως υπάρχει κάποιο μικρό ρεύμα διαρροής που διαρρέει την Τα φωτοτραζίστορ είναι πιο ευαίσθητα σε συγκεκριμένα μήκη κύματος όπως φαίνεται στο σχήμα Η διάταξη «φωτο- Darlington» (διπλ.σχήμα) χρησιμοποιείται για την επίτευξη (σε σχέση με το απλό φωτο- transistor) υψηλότερων: ρεύματος συλλέκτη και φωτοευασθησίας I 1 ένεκα του υψηλότερου κέρδους ρεύματος. I 2 =I 1 β D1!I 1 V H V I 2 β D2!I 2 46

47 ontrol Systems Laboratory Transistors Επιδράσεως Πεδίου - FT Στο JT η ροή ρεύματος προς και από την βάση ελέγχει την ροή ρεύματος μεταξύ εκπομπού και συλλέκτη. Επομένως χρειάζεται σημαντική ισχύς γιά να οδηγηθεί. Τα FT σχεδιάσθηκαν γι αυτό ακριβώς το λόγο, γιά να μειώ- σουν την ισχύ οδήγησης, αλλά και γιά να αυξήσουν την ταχύ- τητα αλλαγής κατάστασης (switching) σε σχέση με το JT. Εχουν 3 ακροδέκτες που ονομάζονται υποδοχή (drain), πηγή (source) και πύλη (gate). Συνήθως η πύλη χρησιμοποιείται ως είσοδος, και το συντριπτικά μέγιστο ποσοστό ρεύμα- τος διαρρέει το δίαυλο, δηλ. μεταξύ πηγής και υποδοχής. Γιά να λειτουργήσουν χρειάζονται εξωτερική τάση πόλωσης που όταν αυξηθεί, τα περισσότερα FT, τελικά αποκόπτονται μιάς και η εσωτερική αντίσταση αυξάνει. Οι διαφορές μεταξύ FT και JT είναι ü Στο FT το ρεύμα εξόδου ελέγχεται με ένα ηλεκτρικό πεδίο που δημιουργείται από την τάση πόλωσης, ενώ το JT είναι ελεγχόμενο από ρεύμα. Το JT διεγείρεται με αύξηση του ρεύματος εισόδου ενώ τα περισσότερα FT αποκόπτονται με αύξηση της τάσης πολώσεως. ü Η αντίσταση εισόδου του FT είναι τεράστια (~ΜΩ) ενώ του JT μικρή. Τα FT παρέχουν καλλίτερη απομόνωση μεταξύ εισόδου και εξόδου, γι αυτό τα FT είναι κατάλληλα γιά ενισχυτές. ü Τα FT έχουν μικρότερο εσωτερικό θόρυβο και καλλίτερη συμπεριφορά σε υψηλότερες θερμοκρασίες. ü Τα FT είναι μονοπολικές συσκευές μιάς και το ρεύμα διαρρέει μόνο έναν τύπο ημιαγωγού υλικού, ενώ τα JT είναι διπολικές. ü Τα FT έχουν μειονέκτημα το σχετικά μικρό γινόμενο «κέρδος! εύρος ζώνης» σε σχέση με τα JT. 47

48 ontrol Systems Laboratory Transistors Επιδράσεως Πεδίου Ενώσεως - JFT Υπάρχουν δύο ειδών FT. Τα Επιδράσεως Πεδίου Ενώσεως (Juncon Filed ffect Transistors - JFT) και τα Οξειδίου Μετάλλου Ημιαγωγού (Metal Oxide Semiconductor FT - MOSFT). Θα ασχοληθούμε μόνο με τα JFT. Ανάλογα με το ημιαγωγό υλικό του διαύλου τα JFT μπορεί να είναι τύπου n ή p. Το άλλο υλικό αποτελεί την πύλη. Drain (Υποδοχή) Gate (Πύλη) Source (Πηγή) Drain (Υποδοχή) Gate (Πύλη) Source (Πηγή) Το ισχυρό ηλεκτροστατικό πεδίο που αναπτύσσεται στο μέσο του διαύλου από την τάση της πύλης αυξάνει την περιοχή ανάμιξης (depleon layer) και αυξάνει την αντίσταση του διαύλου, δρώντας σαν βαλβίδα. 48

49 ontrol Systems Laboratory JFT συνεχ. Στην περίπτωση της συνδεσμολογίας του σχήματος έχουμε την περίπτωση ενός αυτοπολωμένου n- JFT ( V GS = 0). Αρχικά, όσο αυξάνει η τάση V αυξάνει και το ρεύμα I DS D αλλά επειδή αυξάνει και η περιοχή ανάμειξης για μία χαρακτηριστική τιμή VDS = Vp φτάνει σε ένα επίπεδο κορεσμού ID = IDSS, μέχρι βεβαίως να φτάσει η τάση σε κάποια μέγιστη τιμή VDS = Vbr. Το επίπεδο τμήμα της καμπύλης λέγεται περιοχή φραγής. Εδώ έγκειται και η σημαντική διαφορά μεταξύ JFT και MOSFT Τα JFT λειτουργούν πριν την τάση φραγής, ενώ τα MOSFT στην περιοχή φραγής. V p «χαρακτηριστική υποδοχής» G D S 5/12/14 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος V br 49

50 ontrol Systems Laboratory JFT Στο σχήμα, βλέπουμε το κύκλωμα ενός n- JFT και τις αντίστοιχες καμπύλες γιά διάφορες τιμές της τάσεως πολώσεως V GS. Το ρεύμα φραγής I για V 0 εξαρτάται από το DS GS I 2 DSS και δίδεται από την σχέση V GS IDS = IDSS 1 V GS ( off ) Ας σημειωθεί ότι: V GS(off) : Η τιμή της V GS(off) για την οποία Ι DS =0. V P : Η τιμή της V DS για την οποία Ι DS è Ι DSS. V GS(off) = -V P συνεχ. Οικογένεια «χαρακτηριστικών υποδοχής» Ουσιαστικά δηλαδή, η τάση V GS ελέγχει το I D στη περιοχή φραγής (δηλ. καθορίζει το I DS οπότε είναι σημαντικό να δούμε και γραφικά τη παραπάνω σχέση τους μέσω της «χαρακτηριστικής μεταφοράς». Προφανώς, γιά: n- JFT : V GS(off) <0 p- JFT : V GS(off) >0 G D S 50

51 ontrol Systems Laboratory Στο σχήμα, βλέπουμε το συνδιασμό της χαρακτηριστικής μεταφοράς και της οικογένειας χαρακτηριστικών υποδοχής. Τόσο αυτό το σχήμα όσο και η αντιστοιχούσα σχέση: I DS V = IDSS V 1 GS GS ( off ) δείχνουν ότι το ρεύμα I DS μπορεί να ευρεθεί για κάθε τάση τάση V GS εφόσον οι παράμετροι I DSS και V GS(off) είναι γνωστές. Αυτές δίνονται συνήθως απο τα φύλλα κατασκευαστή του JFT. Στο σχήμα παρατίθεται το κύκλωμα ενός ανιχνευτή στατικού φορτίου οιοδήποτε φορτισμένου αντικείμενου (π.χ. πλαστική βούρτσα) αποστάσεων μέχρι 30cm. Όταν το φορτισμένο αντικείμενο πλησιάσει την κεραία, το αρνητικό φορτίο της πύλης μειώνει το ρεύμα και την λάμψη της LD. 2 JFT συνεχ. 51

52 Άσκηση JFT ontrol Systems Laboratory Αν για το συγκεκριμένο transistor JFT ισχύει V GS(off) = -4 V και I DSS = 12 ma, να ευρεθούν: Λύση: Η ελάχιστη τιμή της V DD που απαιτείται για να μπεί το JFT στην περιοχή σταθερού ρεύματος Αν η V DD πάρει τη τιμή V DD = 15 V ποιό είναι τότε το ρεύμα I D? Αν γίνει V GS = -3 V να ευρεθεί το ρεύμα I D. Δεδομένου ότι V GS(off) = -4 V συνεπάγεται ότι V P = 4 V οπότε η ελάχιστη τιμή για είσοδο στη περιοχή σταθερού ρεύματος είναι V DS = V P = 4 V. Μας εδόθη ότι I DSS = 12 ma, άρα η περιοχή σταθερού ρεύματος είναι I DS = 12 ma για V GS = 0 V, όπως εδώ. Προφανώς V DD = V DS + I DS D = 10.7 V και λαμβάνουμε την αντιστοιχούσα γραμμή φορτίου. Με άκρα (V DD / D, V DD )=(10.7 V / 560 Ω, 10.7 V). Επειδή παραμένει V GS = 0 V, παρότι η γραμμή φορτίου τώρα γίνεται (V DD / D, V DD )=(15 V / 560 Ω, 15 V), κινούμαστε στην ίδια χαρακτηριστική, οπότε παραμένει I DS = I DSS = 12 ma. 2 Προφανώς 2 V 3 I = I 1 = 12 1 = 0.75 ma συνεχ. GS DS DSS V GS ( off ) 4 +4 V 52 G D S

53 Διπολικά Transistor µονωµένης Θύρας - IGT ontrol Systems Laboratory Τα IGT είναι ένας τύπος υβριδικού transistor που δανείζεται χαρακτηριστικά από τα JT : μικρή τάση μετάβασης στη κατάσταση ΟΝ, δυνατότητα χειρισμού ρεύματος μεγαλύτερη ακόμη και από τους Darlington και τα MOSFT : έλέγχος με τάση, πύλη μεγάλης φαινόμενης αντίστασης που απαιτεί μικρό ποσό ενέργειας για μετάβαση στην κατάσταση ΟΝ. Οι ακοδέκτες του είναι: Πύλη (G), Συλλέκτης () και Εκπομπός (Ε) και τα σύμβολά που το παριστούν φαίνονται στο διπλανό σχήμα. Τα IGT έχουν χρόνο μετάβασης κατάστασης ~1μs και τάση V και ρεύμα I που ξεπερνά τα 1200 V και 300 A. Τα IGT χρησιμοποιούνται γιατί έχουν χαμηλό χρόνο αλλαγής κατάστασης και δυνατότητα χειρισμού μεγάλου ρεύματος. 53

54 ontrol Systems Laboratory Διπολικά Transistor µονωµένης Θύρας - IGT Τα IGT χρησιμοποιούνται όλο και πιο πολύ σε αναστροφείς και κόφτες κινητήρων, επαγωγικές θερμάστρες, ενεργά φίλτρα, πηγές αδιάλειπτου λειτουργίας (uninterrupble power supplies - UPS) και συστήματα συγκολλήσεων υψηλής συχνότητας. Στο σχήμα φαίνεται ένα σύστημα συγκόλλησης που χρησιμοποιεί πηγή ισχύος υψηλής συχνότητας ( khz). Το ρεύμα διέρχεται από την επιφάνεια του προς συγκόλληση μετάλλου. Η μεγάλη συχνότητα του επιτρέπει διείσδυση πολλών χιλιοστών της ίντσας και σε πολύ υψηλή ταχύτητα (π.χ. έως 500 /min σε λεπτούς μεταλλικούς σωλήνες). Στην πηγή ισχύος ο Μ/Σ υψηλής ισχύος παρέχει μόνωση. Η επαγωγή και ο πυκνωτής στην έξοδο, περιορίζουν τις διαταραχές ρεύματος. 54

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα 1. Να αναφέρετε τρεις τεχνολογικούς τομείς στους οποίους χρησιμοποιούνται οι τελεστικοί ενισχυτές. Τρεις τεχνολογικοί τομείς που οι τελεστικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ:

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Ι η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΣΤΟΙΧΕΙΩΔΕΣ ΤΗΛΕΦΩΝΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ Εισαγωγή. Η διεξαγωγή της παρούσας εργαστηριακής άσκησης προϋποθέτει την μελέτη τουλάχιστον των πρώτων παραγράφων του

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού 5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 5. ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ 220 V, 50 Hz. 0 V Μετασχηµατιστής Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση 0 V 0 V Ανορθωτής Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού Φίλτρο

Διαβάστε περισσότερα

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Καβάλας. Τμήμα Ηλεκτρολογίας. Θέμα: Μελέτη συχνοτικής απόκρισης ηλεκτρονικών κυκλωμάτων.

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Καβάλας. Τμήμα Ηλεκτρολογίας. Θέμα: Μελέτη συχνοτικής απόκρισης ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Καβάλας Τμήμα Ηλεκτρολογίας ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Θέμα: Μελέτη συχνοτικής απόκρισης ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Μαστοράκης Ιωάννης Τσιμπίσης Σωτήρης Υπεύθυνος : Μαγκαφάς Λυκούργος

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ηµιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MO Ενισχυτέςενόςσταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ

ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ 4.1 ΑΣΚΗΣΗ 4 ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ A. ΣΥΝΘΕΣΗ ΚΑΘΕΤΩΝ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΩΝ ΚΑΙ ΕΥΡΕΣΗ ΤΗΣ ΔΙΑΦΟΡΑΣ ΦΑΣΕΩΣ ΤΟΥΣ Η σύνθεση δύο καθέτων ταλαντώσεων, x x0 t, y y0 ( t ) του ίδιου πλάτους της ίδιας συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής εφευρέθηκε κατά τη διάρκεια του δεύτερου παγκοσµίου πολέµου και. χρησιµοποιήθηκε αρχικά στα συστήµατα σκόπευσης των αντιαεροπορικών πυροβόλων για

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ (Τ.Ε. ή OpAmps) ιαφορικοί Ενισχυτές: ενισχυτές που έχουν δυο εισόδους και µια έξοδο. Τελεστικοί Ενισχυτές (Τ.Ε.): διαφορικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθμό το γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Τομέας Ηλεκτρικών Βιομηχανικών Διατάξεων και Συστημάτων Αποφάσεων ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι Σημειώσεις Εργαστηριακών

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Ζήτηµα 1ο Στις ερωτήσεις Α.1. και Α.2. να γράψετε στο τετράδιό σας το γράµµα της σωστής απάντησης. Α.1. Για να πραγµατοποιηθεί η σύνδεση

Διαβάστε περισσότερα

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων.

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Κεφάλαιο 3 Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Υπάρχουν διάφοροι τύποι μετατροπέων για τη μέτρηση θερμοκρασίας. Οι βασικότεροι από αυτούς είναι τα θερμόμετρα διαστολής, τα θερμοζεύγη, οι μετατροπείς

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 Ζήτηµα 1ο Στις ερωτήσεις Α.1. και Α.2. να γράψετε στο τετράδιό σας το γράµµα της σωστής απάντησης. Α.1. Για να πραγµατοποιηθεί η σύνδεση σε αστέρα τριφασικού

Διαβάστε περισσότερα

Ειδικά θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ειδικά θέματα Ηλεκτρονικών 1 Ειδικά θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1...2 ΕΙΔΙΚΕΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ...2 Γενικά...2 1.1 Θεώρημα Μίλερ (Mller theorem)...10 1.2 Μπούτστραπινγκ (Boottrappng)...11 1.2.1 Αύξηση της σύνθετης

Διαβάστε περισσότερα

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 Ερώτηση 1 (2 µον.) Το σχ. (α) δείχνει το κύκλωµα ενός περιοριστή. Από τη χαρακτηριστική καµπύλη τάσης εισόδου-εξόδου V out =

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικός ρυθμιστής ταχύτητας

Ηλεκτρονικός ρυθμιστής ταχύτητας ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΣΕΡΡΩΝ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ Ηλεκτρονικός ρυθμιστής ταχύτητας ΕΙΣΗΓΗΤΗΣ Πασχαλέρης Βασίλειος ΦΟΙΤΗΤΕΣ Γεωργίου Θεόδωρος Κατσιρντή Άννα ΣΕΡΡΕΣ 2008

Διαβάστε περισσότερα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα

Διαβάστε περισσότερα

Προειδοποίηση: Προειδοποιητικό σήμα κίνδυνος ηλεκτροπληξίας.

Προειδοποίηση: Προειδοποιητικό σήμα κίνδυνος ηλεκτροπληξίας. ΟΔΗΓΙΕΣ ΧΡΗΣΗΣ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ UT 20B ΠΡΟΣΟΧΗ Να χρησιμοποιείτε το πολύμετρο μόνο με τους τρόπους που περιγράφονται στις οδηγίες χρήσης που ακολουθούν. Σε κάθε άλλη περίπτωση οι προδιαγραφές της συσκευής αναιρούνται.

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

Σχήμα 1 Απόκλιση στον πυκνωτή (σωλήνας Braun)

Σχήμα 1 Απόκλιση στον πυκνωτή (σωλήνας Braun) Άσκηση Η3 Επαλληλία κινήσεων (Μετρήσεις με παλμογράφο) Εκτροπή δέσμης ηλεκτρονίων Όταν μια δέσμη ηλεκτρονίων εισέρχεται με σταθερή ταχύτητα U0=U,0 (παράλληλα στον άξονα z) μέσα σε έναν πυκνωτή, του οποίου

Διαβάστε περισσότερα

Τίτλος Άσκησης : ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΩΝ ΜΕ ΤΗ ΓΕΦΥΡΑ WHEATSTONE

Τίτλος Άσκησης : ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΩΝ ΜΕ ΤΗ ΓΕΦΥΡΑ WHEATSTONE ΤΕΙ ΧΑΛΚΙΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Α/Α ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ : ΑΣΚΗΣΗ 3 η Τίτλος Άσκησης : ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΩΝ ΜΕ ΤΗ ΓΕΦΥΡΑ WHEATSTONE Σκοπός Η κατανόηση της λειτουργίας και

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των

Διαβάστε περισσότερα

Q=Ne. Συνοπτική Θεωρία Φυσικής Γ Γυμνασίου. Q ολ(πριν) = Q ολ(μετά) Η αποτελεσματική μάθηση δεν θέλει κόπο αλλά τρόπο, δηλαδή ma8eno.

Q=Ne. Συνοπτική Θεωρία Φυσικής Γ Γυμνασίου. Q ολ(πριν) = Q ολ(μετά) Η αποτελεσματική μάθηση δεν θέλει κόπο αλλά τρόπο, δηλαδή ma8eno. Web page: www.ma8eno.gr e-mail: vrentzou@ma8eno.gr Η αποτελεσματική μάθηση δεν θέλει κόπο αλλά τρόπο, δηλαδή ma8eno.gr Συνοπτική Θεωρία Φυσικής Γ Γυμνασίου Κβάντωση ηλεκτρικού φορτίου ( q ) Q=Ne Ολικό

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ Αντιστάτες συνδεδεμένοι σε σειρά Όταν ν αντιστάτες ενός κυκλώματος διαρρέονται από το ίδιο ρεύμα τότε λέμε ότι οι αντιστάτες αυτοί είναι συνδεδεμένοι σε σειρά.

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο Βασίλης Γαργανουράκης Φυσική ήγ Γυμνασίου Εισαγωγή Στο προηγούμενο κεφάλαιο μελετήσαμε τις αλληλεπιδράσεις των στατικών (ακίνητων) ηλεκτρικών φορτίων. Σε αυτό το κεφάλαιο

Διαβάστε περισσότερα

ΟΚΙΜΑΣΤΙΚΟ MS 48 NS Σύντοµες οδηγίες χρήσης

ΟΚΙΜΑΣΤΙΚΟ MS 48 NS Σύντοµες οδηγίες χρήσης ΟΚΙΜΑΣΤΙΚΟ MS 48 NS Σύντοµες οδηγίες χρήσης Προσοχή: i) Απαγορεύεται η χρήση του δοκιµαστικού από παιδιά. ii) H χρήση του συγκεκριµένου δοκιµαστικού εργαλείου απαιτεί να τηρούνται όλοι οι κανόνες προστασίας

Διαβάστε περισσότερα

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12 Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη

Διαβάστε περισσότερα

Δυναμική Μηχανών I. Μοντελοποίηση Ηλεκτρικών και Υδραυλικών Συστημάτων

Δυναμική Μηχανών I. Μοντελοποίηση Ηλεκτρικών και Υδραυλικών Συστημάτων Δυναμική Μηχανών I Μοντελοποίηση Ηλεκτρικών και Υδραυλικών Συστημάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2014 Τμήμα Μηχανολόγων Μηχ., ΕΜΠ Δημήτριος Τζεράνης, Ph.D. Περιεχόμενα Μοντελοποίηση Ηλεκτρικών Συστημάτων Μεταβλητές

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΘΥΡΙΣΤΟΡ (SCR, TRIAC, DIAC, UJT, PUT)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΘΥΡΙΣΤΟΡ (SCR, TRIAC, DIAC, UJT, PUT) ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΘΥΡΙΣΤΟΡ (SCR, TRIAC, DIAC, UJT, PUT) 1 2 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ... 4 ΕΛΕΓΧΟΜΕΝΟΙ ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να 9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).

Διαβάστε περισσότερα

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ Εισαγωγή Στο κεφάλαιο αυτό θα µιλήσουµε για ενισχυτές µιας βαθµίδας µε διπολικά τρανζίστρ. Σε επόµενα κεφάλαια θα µιλήσουµε για ενισχυτές µε FET, όπως και για ενισχυτές µε

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α )

Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α ) Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α ) Του Νίκου Παναγιωτίδη (SV6 DBK) φυσικού και ραδιοερασιτέχνη. Ο σκοπός του άρθρου αυτού είναι να κατευθύνει τον αναγνώστη ραδιοερασιτέχνη να κατασκευάσει το

Διαβάστε περισσότερα

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ / Γ ΕΠΑΛ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 14/04/2013. ΘΕΜΑ 1 ο

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ / Γ ΕΠΑΛ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 14/04/2013. ΘΕΜΑ 1 ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΕΚΠ. ΕΤΟΥΣ 01-013 ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ / Γ ΕΠΑΛ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 14/04/013 ΘΕΜΑ 1 ο 1) Να χαρακτηρίσετε τις προτάσεις που ακολουθούν, γράφοντας δίπλα στο γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο. α. τα μήκη κύματος από 100m έως 50m ονομάζονται κύματα νύχτας και τα μήκη κύματος από 50m έως 10m ονομάζονται κύματα ημέρας.

ΘΕΜΑ 1 ο. α. τα μήκη κύματος από 100m έως 50m ονομάζονται κύματα νύχτας και τα μήκη κύματος από 50m έως 10m ονομάζονται κύματα ημέρας. ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΤΑΞΗ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Α ) & ΜΑΘΗΜΑΤΩΝ ΕΙΔΙΚΟΤΗΤΑΣ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Β ) ΘΕΜΑ 1 ο ΤΕΤΑΡΤΗ 16/04/014 - ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ: ΕΞΙ (6) ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ 1) Να χαρακτηρίσετε

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2014

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2014 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (ΙΙ) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΜΑΘΗΜΑ : Εφαρμοσμένη Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Ενότητα 2.5 Κεφάλαιο 2 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ ΣΤΟΧΟΙ Μετά την ολοκλήρωση της ενότητας αυτής θα μπορείτε: Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Να αναγνωρίζετε βασικά ηλεκτρονικά

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Σκοπός Στο τρίτο κεφάλαιο θα εισαχθεί η έννοια της ηλεκτρικής ενέργειας. 3ο κεφάλαιο ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ 1 2 3.1 Θερμικά αποτελέσματα του ηλεκτρικού ρεύματος Λέξεις κλειδιά:

Διαβάστε περισσότερα

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Άσκηση 1 Μία TTL πύλη εγγυάται να τραβάει 10 ma χωρίς να ξεπεράσει το δυναμικό εξόδου VOL(max) = 0.4 Volt και να μπορεί να δώσει 5 ma χωρίς να πέσει το δυναμικό εξόδου

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΛΥΣΕΙΣ

ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΛΥΣΕΙΣ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Μάθημα: ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ Ημερομηνία και ώρα εξέτασης: Τετάρτη, 3 Μαΐου 01 07:30 10:30 ΜΕΡΟΣ Α ΘΕΜΑ 1 (α) ΛΥΣΕΙΣ Το ύψος της κάθε βρύσης ώστε να χρησιμοποιείται από το μέσο

Διαβάστε περισσότερα

και έντασης ρεύματος I 0 που περιστρέφονται με γωνιακή ταχύτητα ω. Το κύκλωμα περιλαμβάνει: α. μόνο ωμική αντίσταση β. μόνο ιδανικό πηνίο

και έντασης ρεύματος I 0 που περιστρέφονται με γωνιακή ταχύτητα ω. Το κύκλωμα περιλαμβάνει: α. μόνο ωμική αντίσταση β. μόνο ιδανικό πηνίο ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 2012 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΥΝΟΛΟ

Διαβάστε περισσότερα

1.1 Θεωρητική εισαγωγή

1.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ NOT, AND, NAND Σκοπός: Να εξοικειωθούν οι φοιτητές µε τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα της σειράς 7400 για τη σχεδίαση και υλοποίηση απλών λογικών συναρτήσεων.

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΡΛΙ ΑΣ ΗΜΗΤΡΙΟΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΜΕΘΟ ΟΙ 9 Πορλιδάς ηµήτριος www.porlidas.gr dporli@physics.auth.gr Τελεστικοί Ενισχυτές Κυκλώµατα Πειραµατικές Μετρήσεις και

Διαβάστε περισσότερα

1 Τράπεζα θεμάτων 2014-15 ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΠΟΥΚΑΜΙΣΑΣ

1 Τράπεζα θεμάτων 2014-15 ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΠΟΥΚΑΜΙΣΑΣ 1 2 ΘΕΜΑ B Ένταση του ηλεκτρικού ρεύματος 1. ΘΕΜΑ Β 2-15438 B.1 Ένας αγωγός διαρρέεται από ηλεκτρικό ρεύμα έντασης i = 5 A. Το ηλεκτρικό φορτίο q που περνά από μια διατομή του αγωγού σε χρόνο t = 10 s

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΙΣ Θερμική ενέργεια Q και Ισχύς Ρ Όταν μια αντίσταση R διαρρέεται από ρεύμα Ι για χρόνο t, τότε παράγεται θερμική ενέργεια Q. Για το συνεχές ρεύμα η ισχύς

Διαβάστε περισσότερα

Επιλογή Κινητήρων. σωμάτων και νερού IPXY. Κατηγοριοποίηση: Ηλεκτρικές Μηχανές Βιομηχανικοί Αυτοματισμοί. μέχρι μια οριακή θερμοκρασία B, F, H, C

Επιλογή Κινητήρων. σωμάτων και νερού IPXY. Κατηγοριοποίηση: Ηλεκτρικές Μηχανές Βιομηχανικοί Αυτοματισμοί. μέχρι μια οριακή θερμοκρασία B, F, H, C Επιλογή Κινητήρων Οι κινητήρες κατασκευάζονται με μονώσεις που μπορούν να αντέξουν μόνο μέχρι μια οριακή θερμοκρασία Τα συστήματα μόνωσης έχουν κατηγοριοποιηθεί σε διάφορες κλάσεις: Y, A, E, B, F, H, C

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) 1. ιαµόρφωση Πλάτους. Στην άσκηση αυτή θα ασχοληθούµε µε τη ιαµόρφωση Πλάτους (Amplitude Modulation) χρησιµοποιώντας τον ολοκληρωµένο διαµορφωτή

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 25 Ηλεκτρικό Ρεύµα και Αντίσταση. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 25 Ηλεκτρικό Ρεύµα και Αντίσταση. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 25 Ηλεκτρικό Ρεύµα και Αντίσταση Μπαταρία Ρεύµα Νόµος του Ohm Αντίσταση και Αντιστάσεις Resistivity Ηλεκτρική Ισχύς Ισχύς Οικιακών Συσκευών/Κυκλωµάτων Εναλλασσόµενη Τάση Υπεραγωγιµότητα Περιεχόµενα

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2008 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (ΙΙ) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΜΑΘΗΜΑ: Εφαρμοσμένη Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

Γενικά για µικροκύµατα. ηµιουργία ηλεκτροµαγνητικών κυµάτων.

Γενικά για µικροκύµατα. ηµιουργία ηλεκτροµαγνητικών κυµάτων. ρ. Χ. Βοζίκης Εργαστήριο Φυσικής ΙΙ 5 1. Άσκηση 1 Γενικά για µικροκύµατα. ηµιουργία ηλεκτροµαγνητικών κυµάτων. 1.1 Εισαγωγή Τα µικροκύµατα είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία όπως το ορατό φώς, οι ακτίνες

Διαβάστε περισσότερα

ΟΚΙΜΑΣΤΙΚΟ MS 18. Σύντοµες οδηγίες χρήσης MS 18 1

ΟΚΙΜΑΣΤΙΚΟ MS 18. Σύντοµες οδηγίες χρήσης MS 18 1 ΟΚΙΜΑΣΤΙΚΟ MS 18 Σύντοµες οδηγίες χρήσης Προσοχή: i) Απαγορεύεται η χρήση του δοκιµαστικού από παιδιά. ii) H χρήση του συγκεκριµένου δοκιµαστικού εργαλείου απαιτεί να τηρούνται όλοι οι κανόνες προστασίας

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2015

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2015 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2015 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (ΙΙ) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΜΑΘΗΜΑ : Εφαρμοσμένη Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Ανάλυσης Συστημάτων Ηλεκτρικής Ενέργειας

Εργαστήριο Ανάλυσης Συστημάτων Ηλεκτρικής Ενέργειας Εργαστήριο Ανάλυσης Συστημάτων Ηλεκτρικής Ενέργειας Ενότητα: Άσκηση 6: Αντιστάθμιση γραμμών μεταφοράς με σύγχρονους αντισταθμιστές Νικόλαος Βοβός, Γαβριήλ Γιαννακόπουλος, Παναγής Βοβός Τμήμα Ηλεκτρολόγων

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική Γενικής Παιδείας Β Λυκείου. Τράπεζα θεμάτων

Φυσική Γενικής Παιδείας Β Λυκείου. Τράπεζα θεμάτων Φυσική Γενικής Παιδείας Β Λυκείου Τράπεζα θεμάτων Φώτης Μπαμπάτσικος www.askisopolis.gr Συνεχές Ηλεκτρικό ρεύμα Δ Θέμα Συνεχές ηλεκτρικό ρεύμα Θέμα Δ 4_15559 Δίνονται δύο αντιστάτες (1) και (2). Ο αντιστάτης

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΗΜΥ 444

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΗΜΥ 444 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΗΜΥ 444 ΕΛΕΓΧΟΣ ΚΙΝΗΤΗΡΩΝ DC ΚΑΙ AC ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΔΙΑΛΕΙΠΤΗΣ ΠΑΡΟΧΗΣ Δρ Ανδρέας Σταύρου ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ Τα Θέματα

Διαβάστε περισσότερα

5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι (ΑΝΤΙΣΤΑΤΕΣ )

5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι (ΑΝΤΙΣΤΑΤΕΣ ) 5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι (ΑΝΤΙΣΤΑΤΕΣ ) Μεταβλητοί αντιστάτες Η τιμή της αντίστασης των μεταβλητών αντιστατών σε αντίθεση με αυτή των σταθερών, δε διατηρείται σταθερή αλλά μεταβάλλεται, είτε μηχανικά

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1ο 1.1 Να γράψετε στο τετράδιό σας τα φυσικά µεγέθη από τη Στήλη Ι και, δίπλα σε καθένα, τη µονάδα της Στήλης ΙΙ που αντιστοιχεί σ' αυτό.

ΘΕΜΑ 1ο 1.1 Να γράψετε στο τετράδιό σας τα φυσικά µεγέθη από τη Στήλη Ι και, δίπλα σε καθένα, τη µονάδα της Στήλης ΙΙ που αντιστοιχεί σ' αυτό. ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΝΙΑΙΟΥ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 5 ΙΟΥΝΙΟΥ 2002 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ: ΦΥΣΙΚΗ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ: ΕΠΤΑ (7) ΘΕΜΑ 1ο 1.1 Να γράψετε στο τετράδιό σας τα

Διαβάστε περισσότερα

3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 1 Λέξεις κλειδιά: Ηλεκτρολυτικά διαλύματα, ηλεκτρόλυση,

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γʹ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 7 ΜΑÏΟΥ 009 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ:

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC 6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2007 Μάθημα : Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Τεχνολογία ΙΙ Τεχνικών Σχολών, Θεωρητικής Κατεύθυνσης

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΛΑΜΠΑΣ ΜΕ ΜΙΚΡΟΕΛΕΓΚΤΗ AVR AT90S2313

ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΛΑΜΠΑΣ ΜΕ ΜΙΚΡΟΕΛΕΓΚΤΗ AVR AT90S2313 ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΛΑΜΠΑΣ ΜΕ ΜΙΚΡΟΕΛΕΓΚΤΗ AVR AT90S2313 Η ιδέα για την κατασκευή αυτή μου ήρθε καθώς σκεφτόμουν κάποιο τρόπο εξοικονόμησης ενέργειας για τα φώτα της σκάλας του σπιτιού μου. Το σπίτι είναι διόροφο

Διαβάστε περισσότερα

Μελέτη Μετασχηματιστή

Μελέτη Μετασχηματιστή Μελέτη Μετασχηματιστή 1. Θεωρητικό μέρος Κάθε φορτίο που κινείται και κατά συνέπεια κάθε αγωγός που διαρρέεται από ρεύμα δημιουργεί γύρω του ένα μαγνητικό πεδίο. Το μαγνητικό πεδίο B με την σειρά του ασκεί

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική Γ Γυμνασίου - Κεφάλαιο 3: Ηλεκτρική Ενέργεια. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: Ηλεκτρική Ενέργεια

Φυσική Γ Γυμνασίου - Κεφάλαιο 3: Ηλεκτρική Ενέργεια. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: Ηλεκτρική Ενέργεια ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: Ηλεκτρική Ενέργεια (παράγραφοι ά φ 3.1 31& 3.6) 36) Φυσική Γ Γυμνασίου Εισαγωγή Τα σπουδαιότερα χαρακτηριστικά της ηλεκτρικής ενέργειας είναι η εύκολη μεταφορά της σε μεγάλες αποστάσεις και

Διαβάστε περισσότερα

Τ.Ε.Ι Λαμίας Τμήμα Ηλεκτρονικής

Τ.Ε.Ι Λαμίας Τμήμα Ηλεκτρονικής Τ.Ε.Ι Λαμίας Τμήμα Ηλεκτρονικής 2 η ΕΡΓΑΣΙΑ ΟΠΤΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Μπαρμπάκος Δημήτριος Τζούτζης Έλτον-Αντώνιος Διδάσκων: Δρ. Βασίλης Κώτσος Λαμία 2013 Περιεχόμενα 1. Οπτική πηγή 1.1 Χαρακτηριστικές καμπύλες

Διαβάστε περισσότερα

- Η ισοδύναμη πηγή τάσης Thevenin (V ή VT) είναι ίση με τη τάση ανοικτού κυκλώματος VAB.

- Η ισοδύναμη πηγή τάσης Thevenin (V ή VT) είναι ίση με τη τάση ανοικτού κυκλώματος VAB. ΘΕΩΡΗΜΑ THEVENIN Κάθε γραμμικό ενεργό κύκλωμα με εξωτερικούς ακροδέκτες Α, Β μπορεί να αντικατασταθεί από μια πηγή τάση V (ή VT) σε σειρά με μια σύνθετη αντίσταση Z (ή ZT), όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα.

Διαβάστε περισσότερα

Φαινόμενα ανταλλαγής θερμότητας: Προσδιορισμός της σχέσης των μονάδων θερμότητας Joule και Cal

Φαινόμενα ανταλλαγής θερμότητας: Προσδιορισμός της σχέσης των μονάδων θερμότητας Joule και Cal Θ2 Φαινόμενα ανταλλαγής θερμότητας: Προσδιορισμός της σχέσης των μονάδων θερμότητας Joule και Cal 1. Σκοπός Η εργαστηριακή αυτή άσκηση αποσκοπεί, με αφορμή τον προσδιορισμό του παράγοντα μετατροπής της

Διαβάστε περισσότερα

Διαστασιολόγηση ουδετέρου αγωγού σε εγκαταστάσεις με αρμονικές

Διαστασιολόγηση ουδετέρου αγωγού σε εγκαταστάσεις με αρμονικές Διαστασιολόγηση ουδετέρου αγωγού σε εγκαταστάσεις με αρμονικές Όπως είναι γνωστό, η παρουσία μη γραμμικών φορτίων σε ένα ηλεκτρικό κύκλωμα δημιουργεί αρμονικές συνιστώσες ρεύματος στα καλώδια τροφοδοσίας.

Διαβάστε περισσότερα

Οδηγίες λειτουργίας Τροφοδοτικό µε εξόδους επαφής N00..A N05..A 80009130 / 00 02 / 2014

Οδηγίες λειτουργίας Τροφοδοτικό µε εξόδους επαφής N00..A N05..A 80009130 / 00 02 / 2014 Οδηγίες λειτουργίας Τροφοδοτικό µε εξόδους επαφής N00..A N05..A 80009130 / 00 0 / 014 Υποδείξεις για ασφαλή εφαρµογή σε χώρους, όπου υπάρχει κίνδυνος έκρηξης 1 Χρήση Οι συσκευές, που περιλαµβάνουν αυτοασφαλισµένα

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013-2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙ ΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ ΙΟΥΝΙΟΥ 2014. Κλάδος: Ηλεκτρολογίας Αρ.

ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013-2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙ ΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ ΙΟΥΝΙΟΥ 2014. Κλάδος: Ηλεκτρολογίας Αρ. ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013-2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙ ΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Πρακτική Τάξη: Β' Μάθημα: Εφαρμοσμένη Ηλεκτρολογία Κλάδος: Ηλεκτρολογίας Αρ. Μαθητών :

Διαβάστε περισσότερα

β) Τι θα συμβεί στην απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας του ενισχυτή στο σχ.1β αν υπάρξει διακοπή στο σημείο που δεικνύεται με το αστέρι;

β) Τι θα συμβεί στην απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας του ενισχυτή στο σχ.1β αν υπάρξει διακοπή στο σημείο που δεικνύεται με το αστέρι; ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ Τ.Ε.Ι. ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Ενισχυτικές Διατάξεις Εισηγητής: Γιώργος Χλούπης Ακαδημαϊκό Έτος 2013-14 Εξάμηνο Χειμερινό Σημειώσεις : ανοικτές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες Ημ. εξέτασης:

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Σκοπός Στο δεύτερο κεφάλαιο θα εισαχθεί η έννοια του ηλεκτρικού ρεύματος και της ηλεκτρικής τάσης,θα μελετηθεί ένα ηλεκτρικό κύκλωμα και θα εισαχθεί η έννοια της αντίστασης.

Διαβάστε περισσότερα

2012 : (307) : , 29 2012 : 11.00 13.30

2012  : (307) : , 29 2012 : 11.00 13.30 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2012 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (ΙΙ) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΠΡΑΚΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΜΑΘΗΜΑ : Εφαρµοσµένη Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

1-1 ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM. Σύμβολο αντιστάτη με αντίσταση R. Γραφική παράσταση της αντίστασης συναρτήσει της έντασης του ρεύματος σε γραμμικό αντιστάτη

1-1 ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM. Σύμβολο αντιστάτη με αντίσταση R. Γραφική παράσταση της αντίστασης συναρτήσει της έντασης του ρεύματος σε γραμμικό αντιστάτη - ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM Το 86 ο Γερμανός φυσικός Georg Ohm ανακάλυψε ότι η ένταση του ηλεκτρικού ρεύματος i που διαρρέει έναν αγωγό είναι ανάλογη της διαφοράς δυναμικού v που εφαρμόζεται στα άκρα του, δηλαδή ισχύει:

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΙΑ ΣΤΙΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΙΑ ΣΤΙΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΙΑ ΣΤΙΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΕΡΩΤΗΣΗ 1 Ένα σώμα εκτελεί κίνηση που οφείλεται στη σύνθεση δύο απλών αρμονικών ταλαντώσεων ίδιας διεύθυνσης, που γίνονται γύρω από το ίδιο σημείο, με το ίδιο πλάτος A και συχνότητες

Διαβάστε περισσότερα

UT-602, UT-603 UT-602, UT-603. www.tele.gr

UT-602, UT-603 UT-602, UT-603. www.tele.gr UT-602, UT-603 ΟΡΓΑΝΟ ΜΕΤΡΗΣΗΣ ΑΥΤΕΠΑΓΩΓΗΣ / ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑΣ ΠΡΟΣΟΧΗ Να χρησιµοποιείτε το όργανο µέτρησης µόνο µε τους τρόπους που περιγράφονται στις οδηγίες χρήσης που ακολουθούν. Σε κάθε άλλη περίπτωση

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ

ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ 1 Εργαστήριο Κινητών Ραδιοεπικοινωνιών, ΣΗΜΜΥ ΕΜΠ Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ 2 Εργαστήριο Κινητών Ραδιοεπικοινωνιών, ΣΗΜΜΥ ΕΜΠ

Διαβάστε περισσότερα

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά:

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά: Η στιγμιαία ηλεκτρική ισχύς σε οποιοδήποτε σημείο ενός κυκλώματος υπολογίζεται ως το γινόμενο της στιγμιαίας τάσης επί το στιγμιαίο ρεύμα: Σε ένα εναλλασσόμενο σύστημα τάσεων και ρευμάτων θα έχουμε όμως:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΤΑΞΗ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΤΑΞΗ ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ ΘΕΜΑ 1ο ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γʹ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΑΒΒΑΤΟ 9 ΙΟΥΝΙΟΥ 2001 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ): ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ

Διαβάστε περισσότερα