Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI"

Transcript

1 Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1

2 Δομή Παρουσίασης MOSFET τρανζίστορ Περιοχές λειτουργίας Ενισχυτές με MOSFET Διπολικό τρανζίστορ Περιοχές λειτουργίας Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ 2

3 Filed Effect Transistor (1/2) Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistor Η τάση ανάμεσα σε δύο ακροδέκτες του FET ελέγχει το πεδίο που δημιουργείται (field) και το ρεύμα που ρέει στον τρίτο ακροδέκτη του Μπορεί να χρησιμοποιηθεί τόσο ως ενισχυτής όσο και ως διακόπτης Το ρεύμα του συνιστάται μόνο από ένα τύπο φορέων (μονοπολικό τρανζίστορ) 3

4 Filed Effect Transistor (1/2) Ένας συγκεκριμένος τύπος FET, το Metal-Oxide Semiconductor FET, MOSFET) βρίσκει πρακτική εφαρμογή το τέλος της δεκαετίας του 70 Τα MOSEF μπορούν να γίνουν ιδιαίτερα μικρά Η διαδικασία για την κατασκευή τους είναι απλή Ψηφιακά κυκλώματα και λειτουργίες μπορούν να υλοποιούνται μόνο με χρήση MOSFET (χωρίς επιπλέον στοιχεία όπως αντιστάσεις διόδους κ.λπ.) Έτσι τα περισσότερα VLSI κυκλώματα υλοποιούνται με χρήση MOS(FET) τρανζίστορ Τελευταία η χρήση του επεκτείνεται και στην περιοχή των αναλογικών κυκλωμάτων 4

5 Φυσική δομή του FET Φυσική δομή του MOSFET πύκνωσης: (a) προοπτική, (b) τομή. Τυπικές τιμές: L = 0.1 έως 3 mm, W = 0.2 έως 100 mm και το πάχος οξειδίου της τάξης των 0.1 μm. 5

6 Δημιουργία καναλιού αγωγής ρεύματος Για τη συγκέντρωση επαρκούς ποσότητας ηλεκτρονίων πρέπει v GS > V t Εφαρμογή θετικής τάσης σε ένα NMOS πύκνωσης. Ένα n κανάλι σχηματίζεται στην επιφάνεια του υποβάθρου που βρίσκεται κάτω από την πύλη 6

7 Εφαρμογή υ DS μικρής τιμής NMOS τρανζίστορ με v GS > V t και μικρή v DS. Το στοιχείο συμπεριφέρεται ως αντίσταση της οποίας η τιμή καθορίζεται από την v GS. Συγκεκριμένα η αγωγιμότητα του καναλιού και κατά συνέπεια το i D είναι ανάλογα της v GS V t. 7

8 Χαρακτηριστικές i D - υ DS (Σχ. 4.3) Οι χαρακτηριστικές i D v DS του MOSFET του σχήματος 4.3 για μικρές τιμές v DS. Το στοιχείο λειτουργεί ως γραμμική αντίσταση με τιμή ελεγχόμενη από την v GS. 8

9 Λειτουργία με υ DS μεγάλης τιμής Λειτουργία του NMOS πύκνωσης καθώς αυξάνει η v DS. Το κανάλι δεν έχει ομοιόμορφο βάθος και η αντίστασή του αυξάνει καθώς κινούμαστε προς την υποδοχή. ( Η v GS διατηρείται σταθερή σε τιμή > V t ). 9

10 Χαρακτηριστική i D - υ DS Το ρεύμα υποδοχής i D συναρτήσει της τάσης υποδοχής-πηγής v DS για NMOS πύκνωσης με v GS > V t. 10

11 Τεχνολογία CMOS Τομή ενός CMOS ολοκληρωμένου κυκλώματος. Παρατηρήστε ότι το NMOS περικλείεται από μια περιοχή τύπου p γνωστή ως πηγάδι p (p well). Σε άλλη τεχνολογία CMOS θα μπορούσε το PMOS να περικλείεται σε ένα πηγάδι τύπου n. 11

12 Κυκλωματικά σύμβολα (a) Κυκλωματικό σύμβολο ενός NMOS πύκνωσης. (b) Τροποποιημένο σύμβολο με το βέλος στον ακροδέκτη της πηγής ώστε να διακρίνεται από την υποδοχή (αλλιώς η πύλη σχεδιάζεται πιο κοντά στην πηγή) και να καθορίζεται η πολικότητα (πχ κανάλι τύπου n). (c) Απλοποιημένο κυκλωματικό σύμβολο που χρησιμοποιείται όταν η πηγή είναι συνδεδεμένη με το σώμα (υπόβαθρο) ή όταν η επίδραση του σώματος δεν είναι σημαντική. Το MOS είναι συμμετρικό στοιχείο και τα S, D καθορίζονται από το εφαρμοζόμενο δυναμικό. Για το NMOS V D > V S ενώ για το PMOS V S > V D. 12

13 Χαρακτηριστικές i D - υ DS (a) Ένα NMOS πύκνωσης στο οποίο εφαρμόζονται v GS και v DS και σημειώνονται οι φορές των ρευμάτων στην κανονική λειτουργία. (b) Οι χαρακτηριστικές i D v DS του στοιχείου. 13

14 Τρίοδος ή γραμμική περιοχή Για τη λειτουργία στη γραμμική περιοχή πρέπει να σχηματιστεί κανάλι: και η τάση υ DS να παραμείνει αρκετά μικρή έτσι ώστε το κανάλι να παραμένει συνεχές. Αυτό επιτυγχάνεται όταν: V GS t DS GS V τότε, και αν η υ DS είναι αρκετά μικρή θα ισχύει: i D K[2( με K GS V ) t ( 1/ 2) C ( W / L) n DS OX 2 DS ] ή t και i D r DS 2K( V ) DS GS / i D t DS [2K( GS V t )] 1 14

15 Περιοχή κορεσμού Για τη λειτουργία στην περιοχή κορεσμού πρέπει να σχηματιστεί κανάλι: και η τάση υ DS να αυξηθεί ώστε να προκύψει στραγγαλισμός. Αυτό επιτυγχάνεται όταν: τότε: i D V GS t DS K GS V ( V GS t Στην περιοχή κορεσμού το ρεύμα είναι ανεξάρτητο της υ DS οπότε το MOS συμπεριφέρεται σαν μια ιδανική πηγή ρεύματος 15 t 2 )

16 Χαρακτηριστική i D - υ GS Η χαρακτηριστική i D v GS για έναν NMOS πύκνωσης που λειτουργεί στον κόρο 16

17 Ισοδύναμο κύκλωμα ισχυρού σήματος k ' n C n OX Ισοδύναμο κύκλωμα ισχυρού σήματος για ένα NMOS που λειτουργεί στην περιοχή κορεσμού 17

18 Επίπεδα τάσεων στους ακροδέκτες ενός NMOS Τα σχετικά επίπεδα των τάσεων στους ακροδέκτες ενός NMOS πύκνωσης για τη λειτουργία στην περιοχή τριόδου και στην περιοχή κορεσμού 18

19 Επίδραση της υ DS στο i D στην περιοχή κορεσμού Καθώς η υ DS αυξάνει πέρα από την υ DSsat το σημείο στραγγαλισμού μετακινείται λίγο από την υποδοχή προς την πηγή (διαμόρφωση καναλιού) i D 2 K( V ) (1 ) Τυπικές τιμές λ είναι από έως 0.03V -1 GS t DS Η επίδραση της υ DS στο i D στην περιοχή κορεσμού. Η παράμετρος V A του MOSFET είναι μεταξύ 30 και 200V 19

20 Φαινόμενο διαμόρφωσης καναλιού και r o r o [ ( GS V t ) 2 ] 1 Η αντίσταση εξόδου r o είναι αντιστρόφως ανάλογη του dc ρεύματος Ι D Σχήμα 5.15 Ισοδύναμο κύκλωμα ισχυρού σήματος του NMOS πύκνωσης στον κορεσμό. Η αντίσταση r o μοντελοποιεί τη γραμμική εξάρτηση του i D από τη υ DS. 20

21 MOSFET τύπου p (a) Κυκλωματικό σύμβολο του PMOS πύκνωσης, (b) Τροποποιημένο σύμβολο με το βέλος στην πηγή, (c) Απλοποιημένο σύμβολο για την περίπτωση ου το υπόβαθρο είναι συνδεδεμένο στην πηγή, (d) Οι τάσεις και τα ρεύματα του PMOS. Παρατηρήστε ότι η υ DS και η υ GS είναι αρνητικές και το ρεύμα i D εξέρχεται από την υποδοχή 21

22 Τρίοδος ή γραμμική περιοχή Για τη λειτουργία στη γραμμική περιοχή πρέπει να σχηματιστεί κανάλι (V t <0): V GS t και για την τάση υ DS να ισχύει : τότε, DS GS V t i D 2 K[2( V ) ] με K ( 1/ 2) C ( W / L) GS t DS DS n OX και υ GS, V t και υ DS αρνητικά 22

23 Περιοχή κορεσμού Για τη λειτουργία στην περιοχή κορεσμού πρέπει να σχηματιστεί κανάλι (V t <0): και αν: V GS t τότε, DS GS V t i D K ( V GS t 2 ) ή i D K( GS V t ) 2 (1 DS ) με υ GS, V t, υ DS και λ αρνητικά 23

24 Επίπεδα τάσεων στους ακροδέκτες ενός PMOS Τα σχετικά επίπεδα των τάσεων στους ακροδέκτες ενός PMOS πύκνωσης για τη λειτουργία στην περιοχή τριόδου και στην περιοχή κορεσμού 24

25 O ρόλος του σώματος Σε πολλές εφαρμογές ο ακροδέκτης Β συνδέεται στην πηγή με αποτέλεσμα τη δημιουργία μιας ένωσης pn ανάμεσα στο σώμα και το κανάλι η οποία έχει μια σταθερή ανάστροφη πόλωση. Τότε το σώμα δεν παίζει κανένα ρόλο στη λειτουργία του κυκλώματος. Στα ολοκληρωμένα κυκλώματα που το υπόβαθρο είναι κοινό το σώμα των NMOS συνδέεται στην πιο αρνητική τροφοδοσία ενώ το σώμα των PMOS συνδέεται στην πιο θετική τροφοδοσία. 25

26 O ρόλος του σώματος Η ανάστροφη τάση πόλωσης που προκύπτει ανάμεσα στην πηγή και το σώμα V SB (για το NMOS) επιδρά στην λειτουργία του κυκλώματος. Η ανάστροφη τάση πόλωσης οδηγεί σε αύξηση της περιοχή απογύμνωσης που έχει ως αποτέλεσμα τη μείωση του βάθους του καναλιού. Για να επανέλθει το βάθος στην προηγούμενη τιμή πρέπει να αυξηθεί η V GS. 26

27 Φαινόμενο σώματος Η επίδραση της V SB στη μορφή του καναλιού μπορεί να αναπαρασταθεί με μια αλλαγή στη τάση κατωφλίου V t. Άρα θα μεταβληθεί και το ρεύμα i D παρόλο που η τάση υ GS μπορεί να έχει κρατηθεί σταθερή Έτσι η τάση σώματος ελέγχει το i D και συνεπώς το σώμα δρα ως μια άλλη πύλη στο MOSFET. Το φαινόμενο μπορεί να προκαλέσει σημαντική υποβάθμιση της λειτουργίας του MOSFET 27

28 Θερμοκρασιακά φαινόμενα Η τάση κατωφλίου V t και το Κ είναι ευαίσθητες σε μεταβολές της θερμοκρασίας Το μέτρο της V t μειώνεται κατά περίπου 2 mv για αύξηση της θερμοκρασίας κατά 1 ο C. Η μείωση αυτή οδηγεί σε αύξηση του ρεύματος υποδοχής καθώς η θερμοκρασία αυξάνει Το Κ μειώνεται με την αύξηση της θερμοκρασίας με τέτοιο ρυθμό που καθίσταται το επικρατέστερο φαινόμενο. Τελικά η αύξηση της θερμοκρασίας οδηγεί σε μείωση του ρεύματος υποδοχής 28

29 Διάσπαση και προστασία εισόδου Διάσπαση χιονοστιβάδας (50-100V) Διάσπαση Punch-through (20V, μικρό μήκος καναλιού) Διάσπαση οξειδίου της πύλης (50V) Το MOSFET έχει πολύ υψηλή αντίσταση εισόδου και συνεπώς μικρή ποσότητα στατικού ηλεκτρισμού στον πυκνωτή της πύλης μπορεί να προσκαλέσει αρκετά μεγάλη τάση Χρησιμοποιούνται κυκλώματα προστασίας με διόδους πολωμένες ανάστροφα προς τις γραμμές τροφοδοσίας 29

30 Ενισχυτής μικρού σήματος Υποθετικό κύκλωμα για τη μελέτη της λειτουργίας του MOSFET ως ενισχυτή μικρού σήματος 30

31 Γραφική ανάλυση (1/2) Το αποτέλεσμα όταν το σημείο λειτουργίας συγκρατιέται μέσα στην περιοχή κορεσμού 31

32 Γραφική ανάλυση (2/2) Το αποτέλεσμα όταν το σημείο λειτουργίας μεταφέρεται προς την τρίοδο 32

33 Αλγεβρική ανάλυση Γνωρίζουμε ότι στην περιοχή κορεσμού: I D K ( V V GS t 2 ) οπότε: V D V DD R Η συνολική τάση πύλης-πηγής θα είναι: οπότε: i D K V D I D 2 2 ( GS Vt ) 2K( VGS Vt ) gs Kgs V GS GS gs αν gs 2( V V ) GS t (συνθήκη ασθενούς σήματος) τότε: i D K( V GS V t ) 2 2K( V GS V t ) gs Προσοχή: κεφαλαία μικρά σύμβολα & δείκτες 33

34 Αλγεβρική ανάλυση αφού: μπορώ να γράψω: με: i d i D K( V GS 2K( V V GS V t t ) ) 2 gs 2K( V i D I GS D V i d t ) gs οπότε: g m ( i / ) 2K( V V ) d gs GS t ή g C )( W / L)( V V ) m ( n OX GS t ή g 2 C W / m n OX L I D σύγκριση με BJTs Προσοχή: κεφαλαία μικρά σύμβολα & δείκτες 34

35 Η διαγωγιμότητα g m Λειτουργία ασθενούς σήματος του ενισχυτή με MOSFET πύκνωσης

36 36 Κέρδος τάσης D D DD D I R V V υπό συνθήκες ασθενούς ρεύματος: ) ( d D D DD D i I R V d D D D i R V ή άρα: gs D m D d d R g R i Οι συνολικές στιγμιαίες τάσεις v GS και v D για το κύκλωμα τον ενισχυτή μικρού σήματος

37 Μοντέλα ασθενούς σήματος Μοντέλα ασθενούς σήματος για τα MOSFET: (a) αγνοώντας την επίδραση της v DS στο i D (διαμόρφωση καναλιού) και (b) συμπεριλαμβάνοντας μέσω r o την επίδραση της v DS στο i D Η πεπερασμένη αντίσταση r o δίνεται από την: 2 r V /[ K( V ) V / o A GS t A I D και τότε το κέρδος τάσης είναι: g R // r ) m ( D o 37

38 Ισοδύναμο μοντέλο Τ (1/2) Η ανάπτυξη του Τ ισοδύναμου κυκλώματος των FET. Για λόγους απλούστευσης η r o έχει προστεθεί ανάμεσα στο D και στο S μόνο στο τελικό στάδιο (d) 38

39 Ισοδύναμο μοντέλο Τ (2/2) Άλλες αναπαραστάσεις του μοντέλου T 39

40 Πόλωση των FET σε σταθερή V GS Ο ποιο απλός τρόπος πόλωσης είναι να θέσουμε την τάση πύλης-πηγής σε μια σταθερή τιμή για να επιτύχουμε το επιθυμητό ρεύμα I D. Όμως: I D ( 1/ 2) C ( W / L)( V V n OX GS t 2 ) Υψηλή εξάρτηση του ρεύματος πόλωσης από τις παραμέτρους του στοιχείου αν δεν χρησιμοποιείται η R S. Τα στοιχεία 1 και 2 (device 1 & 2) είναι οι ακραίες περιπτώσεις μη ταιριάσματος για στοιχεία του ίδιου τύπου 40

41 Πόλωση των FET με σταθερή V G και αντίσταση στην πηγή Επιτυγχάνεται σταθερότητα στην πόλωση αν συμπεριληφθεί η R S :Τα στοιχεία 1 και 2 (device 1 & 2) είναι οι ακραίες περιπτώσεις μη ταιριάσματος για στοιχεία του ίδιου τύπου 41

42 Πόλωση των FET με ανάδραση από την υποδοχή στην πύλη Πόλωση του MOSFET με χρήση μεγάλης αντίστασης ανάδρασης R G. Εξασφαλίζεται σταθερότητα στο ρεύμα πόλωσης 42

43 Πόλωση με χρήση σταθερής πηγής ρεύματος Για το κύκλωμα που είναι γνωστό ως καθρέπτης ρεύματος ισχύει: I I REF ( W ( W / L) / L)

44 Η βασική δομή του ενισχυτή ενός σταδίου V OV : overdrive voltage 44

45 Ενισχυτής κοινής πηγής (a) O ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET (b) Ισοδύναμο κύκλωμα ασθενούς σήματος R R, R R // in G out D r o A o g m [ R // r ], A A [ R ( R R )] D o L L OUT 45

46 Ενισχυτής κοινής πύλης (1/2) (a) Ο ενισχυτής κοινής πύλης και (b) το μοντέλο ασθενούς σήματος 46

47 Ενισχυτής κοινής πύλης (2/2) Ο ενισχυτής κοινής πύλης έχει παρόμοιο κέρδος με αυτό του ενισχυτή κοινής πηγής (εκτός από την αναστροφή του σήματος) αλλά πολύ μικρότερη αντίσταση εισόδου. Ο ενισχυτής αυτός χρησιμοποιείται ως ενισχυτής με μοναδιαίο κέρδος ρεύματος και συχνά ονομάζεται ακόλουθος ρεύματος 47

48 Ενισχυτής κοινής υποδοχής (1/2) (a) Ενισχυτής κοινής υποδοχής ή ακόλουθος πηγής και (b) μοντέλο ασθενούς σήματος 48

49 Ενισχυτής κοινής υποδοχής (1/2) (c) Ανάλυση μικρού σήματος απ ευθείας στο κύκλωμα και (d) κύκλωμα για τον καθορισμό της αντίστασης εξόδου R out του ακόλουθου πηγής 49

50 Σύγκριση Η τοπολογία CS είναι η καλύτερη όταν επιθυμούμε μέγιστο κέρδος σε έναν ενισχυτή (περισσότερα από ένα στάδιο μπορούν να χρησιμοποιηθούν Η μικρή αντίσταση εισόδου της CG τοπολογίας τις καθιστούν χρήσιμες ως ενισχυτές τάσης που δεν απαιτούν μεγάλη αντίσταση εισόδου (πολύ καλά χαρακτηριστικά στις υψηλές συχνότητες) και ως ενισχυτές ρεύματος μοναδιαίου κέρδους 50

51 Σύγκριση O ακόλουθος πηγής χρησιμοποιείται ως απομονωτής τάσης για τη σύνδεση μιας πηγής υψηλής αντίστασης σε ένα φορτίο χαμηλής αντίστασης και ως στάδιο εξόδου σε ενισχυτές πολλών σταδίων 51

52 Διπολικό Τρανζίστορ (εισαγωγή) Τρανζίστορ: ημιαγωγό στοιχείο τριών ακροδεκτών Η τάση μεταξύ των δυο ακροδεκτών χρησιμοποιείται για τον έλεγχο του ρεύματος που ρέει από τον τρίτο ακροδέκτη Το ρεύμα μπορεί να πάρει τιμές από μηδέν έως κάποια μέγιστη τιμή οπότε το εξάρτημα μπορεί να χρησιμοποιηθεί και ως διακόπτης

53 Διπολικό Τρανζίστορ (εισαγωγή) Αποτελείται από δύο διόδους pn κατασκευασμένες με ειδικό τρόπο και συνδεδεμένες πλάτη με πλάτη Το ρεύμα που άγεται προέρχεται τόσο από ηλεκτρόνια όσο και από οπές

54 Διπολικό Τρανζίστορ (εισαγωγή) Δίνει μεγάλο gm για το ίδιο ρεύμα Δίνει ταυτόχρονα μεγάλη ταχύτητα και μεγάλο gm ( f g ) /( f g ) t m BIP t m MOS 16 ( VDD 2.5V,0.25m) ( f g ) /( f g ) t m BIP t m MOS 8 ( VDD 1.2V,90nm) 54

55 Διπολικό Τρανζίστορ (εισαγωγή) Χρησιμοποιείται ευρέως στη σχεδίαση κυκλωμάτων τόσο αναλογικών όσο και ψηφιακών Οι χαρακτηριστικές του είναι γνωστές και μπορεί κανείς να σχεδιάσει κυκλώματα των οποίων η συμπεριφορά θα είναι προβλέψιμη με μεγάλη ακρίβεια και αρκετά αναίσθητη σε μεταβολές των τιμών των παραμέτρων ου στοιχείου 55

56 Φυσική δομή και περιοχές λειτουργίας Αποτελείται από τρεις περιοχές, την περιοχή εκπομπού (emitter E) τύπου n, την περιοχή βάσης (base B) τύπου p και την περιοχή συλλέκτη (collector C) τύπου n. Ένας ακροδέκτης είναι συνδεδεμένος σε κάθε μια από τις τρεις περιοχές με αντίστοιχη ονομασία Απλοποιημένη μορφή του npn τρανζίστορ 56

57 Φυσική δομή και περιοχές λειτουργίας Αποτελείται από τρεις περιοχές, την περιοχή εκπομπού (emitter E) τύπου p, την περιοχή βάσης (base B) τύπου n και την περιοχή συλλέκτη (collector C) τύπου p Απλοποιημένη μορφή του pnp τρανζίστορ 57

58 Φυσική δομή και περιοχές λειτουργίας Απαρτίζεται από δύο ενώσεις pn, την ένωση εκπομπού βάσης (EBJ) και την ένωση συλλέκτηβάσης (CBJ). Ανάλογα με την κατάσταση πόλωσης, ορθή ή ανάστροφη, προκύπτουν διαφορετικές περιοχές λειτουργίας Περιοχή EBJ CBJ Αποκοπής Ανάστροφα Ανάστροφα Ενεργός Ορθά Ανάστροφα Κορεσμού Ορθά Ορθά 58

59 Λειτουργία του npn στην ενεργό περιοχή Ροή ρεύματος σε ένα npn τρανζίστορ πολωμένο στην ενεργό περιοχή 59

60 Λειτουργία του npn στην ενεργό To ρεύμα που ρέει μέσα στο ακροδέκτη του συλλέκτη I C δίνεται από την: Η σταθερά I S ονομάζεται ρεύμα κορεσμού, ενώ V T είναι η θερμική τάση Για το ρεύμα βάσης ισχύει: u BE / V T όπου β το κέρδος ρεύματος κοινού εκπομπού i C περιοχή I S e ib i C / Για το ρεύμα εκπομπού ισχύει: i E i c i B ή i C i E Όπου a /( 1) 60

61 Ισοδύναμα κυκλωματικά μοντέλα Ισοδύναμα κυκλώματα μεγάλου σήματος του npn τρανζίστορ που λειτουργεί στην ενεργό περιοχή 61

62 Η δομή των πραγματικών τρανζίστορ Εγκάρσια τομή ενός τρανζίστορ τύπου npn Η περιοχή του συλλέκτη περιβάλει αυτήν του εκπομπού Έτσι τα ηλεκτρόνια που εγχέονται στην βάση καταλήγουν στον συλλέκτη Οπότε το α παίρνει τιμές κοντά στη μονάδα και το β είναι πολύ μεγάλο 62

63 Λειτουργία του pnp στην ενεργό περιοχή Ροή ρεύματος σε ένα pnp τρανζίστορ που λειτουργεί στην ενεργό περιοχή 63

64 Ισοδύναμα κυκλωματικά μοντέλα Μοντέλο μεγάλου σήματος για το pnp τρανζίστορ που λειτουργεί στην ενεργό περιοχή 64

65 Κυκλωματικοί συμβολισμοί και συμβάσεις Κυκλωματικοί συμβολισμοί των διπολικών τρανζίστορ 65

66 Κυκλωματικοί συμβολισμοί και συμβάσεις Πολικότητες τάσης και ροή ρεύματος σε τρανζίστορ πολωμένα στην ενεργό περιοχή 66

67 Χαρακτηριστικές του τρανζίστορ Η i C υ CB χαρακτηριστική ενός npn τρανζίστορ 67

68 Χαρακτηριστικές του τρανζίστορ (a) Ιδεατό κύκλωμα για τη μέτρηση των i C υ CE χαρακτηριστικών του BJT. (b) Οι i C υ CE χαρακτηριστικές ενός τρανζίστορ στην πράξη 68

69 Το τρανζίστορ ως Ενισχυτής (a) Ιδεατό κύκλωμα που δείχνει τη λειτουργία του τρανζίστορ σαν ενισχυτή. (b) Το κύκλωμα του σχήματος (a) χωρίς την πηγή του σήματος υ be για τη ανάλυση dc (πόλωση). 69

70 Το τρανζίστορ ως Ενισχυτής Συνθήκες dc λειτουργίας I C I S e V BE / V T I B I C / I E IC / a V CE V CC I C R C Προσοχή στους συμβολισμούς (κεφαλαία-μικρά σύμβολα και δείκτες) 70

71 Το τρανζίστορ ως Ενισχυτής Ρεύμα συλλέκτη και διαγωγιμότητα υ BE =V BE +υ be i C = I S e υ BE/V T = I s e V BE/V T e υ be/v T I C (1+υ be /V T ) για υ be << V T = Ι C + (I C /V T )υ be = I C + g m υ be (ic= g m υ be ) Προσοχή στους συμβολισμούς (κεφαλαία-μικρά σύμβολα και δείκτες) 71

72 Το τρανζίστορ ως Ενισχυτής Γραμμική λειτουργία του τρανζίστορ σε συνθήκες ασθενούς σήματος: ένα μικρό σήμα υbe τριγωνικής κυματομορφής υπερτίθεται στην dc τάση VBE. Το σήμα αυτό προκαλεί ρεύμα συλλέκτη i c επίσης τριγωνικής κυματομορφής, το οποίο υπερτίθεται στο dc ρεύμα I C 72

73 Κυκλωματικά μοντέλα ασθενούς σήματος Το κύκλωμα του ενισχυτή χωρίς τις dc πηγές (V BE και V CC ). Έτσι παρουσιάζονται μόνο οι συνιστώσες του σήματος. Το κύκλωμα αυτό δεν είναι πραγματικό κύκλωμα ενισχυτή, απλώς παριστάνει την λειτουργία σήματος του τρανζίστορ. 73

74 Το μοντέλο υβριδικού π Δύο διαφορετικές εκδοχές του απλοποιημένου υβριδικού-π μοντέλου για τη λειτουργία ασθενούς σήματος του διπολικού τρανζίστορ. Το ισοδύναμο κύκλωμα στο (a) παριστάνει το τρανζίστορ σαν εξαρτημένη πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση (ενισχυτής διαγωγιμότητας), και στο (b) το τρανζίστορ παριστάνεται σαν εξαρτημένη πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από ρεύμα (ενισχυτής ρεύματος). 74

75 Το μοντέλο Τ Δύο διαφορετικές εκδοχές του μοντέλου Τ του BJT. Το ρεύμα στο (a) είναι πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση και αυτό στο (b) είναι πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από ρεύμα. Τα μοντέλα αυτά δείχνουν την αντίσταση εκπομπού r e σε αντίθεση με τα υβριδικά-π μοντέλα που δείχνουν την r π 75

76 Γραφική Ανάλυση Κύκλωμα του οποίου η λειτουργία αναλύεται γραφικά 76

77 Γραφική Ανάλυση Γραφική διερεύνηση του dc ρεύματος βάσης 77

78 Γραφική Ανάλυση Γραφική διερεύνηση του dc ρεύματος συλλέκτη I C και της τάσης V CE 78

79 Γραφική Ανάλυση Γραφική διερεύνηση των v be, i b, i c, και v ce όταν η συνιστώσα σήματος v i υπερτίθεται στην dc τάση V BB 79

80 Πόλωση του Διπολικού Τρανζίστορ Πόλωση των διπολικών τρανζίστορ με απλό τροφοδοτικό. (a) Κύκλωμα δημιουργίας V BE, (b) ο διαιρέτης τάσης έχει αντικατασταθεί από το ισοδύναμο Thevenin. Και στα δύο δημιουργούνται μεγάλες μεταβολές στο I C άρα και στην V CE γι αυτό δεν προτείνονται. 80

81 Πόλωση του Διπολικού Τρανζίστορ Πόλωση του BJT τρανζίστορ με χρήση δύο τροφοδοτικών. Η αντίσταση R B χρειάζεται μόνο αν το σήμα πρόκειται να συνδεθεί στην βάση. Αλλιώς η βάση μπορεί να συνδεθεί απ ευθείας στην γή 81

82 Πόλωση του Διπολικού Τρανζίστορ (a) Απλή εναλλακτική συνδεσμολογία κυκλώματος πόλωσης κατάλληλη για ενισχυτές κοινού εκπομπού με χρήση αντίστασης ανάδρασης R B. (b) Ανάλυση του κυκλώματος του σχήματος (a). 82

83 Πόλωση με χρήση πηγής ρεύματος (a) Ένα τρανζίστορ πολωμένο από σταθερή πηγή ρεύματος. (b) Κύκλωμα για την υλοποίηση της πηγής ρεύματος I. 83

84 Το τρανζίστορ ως διακόπτης - Περιοχή Κόρου Περιοχή Αποκοπής Απλό κύκλωμα που δείχνει τις διαφορετικές περιοχές λειτουργίας του διπολικού τρανζίστορ Περιοχή Αποκοπής Αν η υ Ι είναι μικρότερη από περίπου 0.5 V, από την ένωση εκπομπού βάσης θα περνά αμελητέο ρεύμα. Στην πράξη, η ένωση αυτή θα πρέπει να θεωρηθεί ανάστροφα πολωμένη και το τρανζίστορ θα βρίσκεται στην περιοχή αποκοπής. Ισχύει: i B = 0, i E = 0, i C = 0, υ C = V CC 84

85 Το τρανζίστορ ως διακόπτης - Περιοχή Κόρου Περιοχή Αποκοπής Περιοχή Κόρου Στον κόρο η τάση της βάσης είναι μεγαλύτερη από την τάση συλλέκτη κατά περίπου 0.4 V ή 0.5 V. Έτσι η τάση στο συλλέκτη είναι μεγαλύτερη από την τάση στον εκπομπό κατά 0.3 V ή 0.2 V. Η ποσότητα αυτή ονομάζεται V CEsat. Η τιμή του ρεύματος του συλλέκτη στον κόρο δίνεται από την: I Csat = (V CC V CEsat ) / R C Για να εξασφαλίσουμε ότι το τρανζίστορ θα βρεθεί στην περιοχή κόρου αρκεί να επιβάλουμε ρεύμα βάσης τουλάχιστον ίσο με: I Bsat = I Csat /β 85

86 Στόχος αυτής της διάλεξης ήταν η επανάληψη βασικών εννοιών που αφορούν στα τρανζίστορ, κύριων στοιχείων των Αναλογικών Κυκλωμάτων Ερωτήσεις / Απορίες? 86

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

«Αναθεώρηση των FET Transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

«Ενισχυτές με διπολικό transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4: Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2 Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Ιδανικός διακόπτης ΙΔΑΝΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΠΡΑΓΜΑΤΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reatve ommons. Για εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των

Διαβάστε περισσότερα

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed. Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Καθρέπτες ρεύματος, ενεργά φορτία και αναφορές τάσης ρεύματος» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των καθρεπτών ρεύματος και της χρήσης τους

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 Ενισχυτές ενός τρανζίστορ Ο στόχος αυτής της παρουσίασης είναι 1. Μελέτη των χαρακτηριστικών ενός ενισχυτή 2. Ανάλυση του ενισχυτή χρησιμοποιώντας ωμικά φορτία 2 Χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Δομή και λειτουργία του τρανζίστορ npn (και pnp). Ρεύμα Βάσης, Εκπομπού, Συλλέκτη. Περιοχές λειτουργίας του

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 Το διαφορικό ζεύγος Το κάτω τρανζίστορ (I bias ) καθορίζει το ρεύμα του κυκλώματος Τα δυο πάνω τρανζίστορ συναγωνίζονται γιατοποιοθαπάρειαυτότορεύμα 2 Ανάλυση

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενο ενότητας (1 από 2) Τύποι τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (JFET, MOSFET, MESFET). Ομοιότητες και διαφορές των FET με τα διπολικά

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή Α ΕΞΑΜΗΝΟ ΣΠΟΥΔΩΝ α/α Τίτλος Μαθήματος Ωρες Διδασκαλίας ΣΥΝΟΛΟ Θεωρία Ασκ. Πράξης Εργαστ. 1 Μαθηματικά Ι 4 3 1 0 2 Φυσική 6 3 1 2 3 Η//N Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Διαβάστε περισσότερα

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5 ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5 Cascode Κυκλώματα (1/2) Χρησιμοποιούμε ένα κοινήςπύλης/βάσης τρανζίστορ για να: Βελτιώσουμε την αντίσταση εξόδου ενός άλλου τρανζίστορ. V drain Μειώσουμε το φαινόμενο Gate-to-

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9: Ενισχυτές με ενεργό φορτίο Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Τα FET οδηγούνται με την τάση u GS ενώ τα BJT με το ρεύμα i B Μηχανισμός ενίσχυσης Για το FET η σχέση

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Μεθοδολογία D ανάλυσης των κυκλωμάτων με διπολικά τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3: Κυκλώματα αναφοράς Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής T.E.. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ιδάσκων και ώρες / αίθουσα διδασκαλίας ιδάσκων: Λάμπρος Μπισδούνης Γραφείο: Εργαστήριο Ηλεκτρονικών, ος όροφος Σ.Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων «Ηλεκτρικός Θόρυβος» Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Στατιστικά Χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2009 ΑΣΚΗΣΗ 1 Αναλύστε τι ισχύει για την πύλη DTL του Σχ.1, ανάλογα

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο 5 ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής 1/33 Αλκης Χατζόπουλος - Eργαστήριο Ηλεκτρονικής Τμ.Η.Μ.Μ.Υ. Α.Π.Θ. 5 ο εξάμηνο 1. Διαφορικός

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων CMOS Αναστροφέας Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLSI Systems ad Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. I V χαρακτηριστική

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου (FET) FET) Ι VLI Techology ad Comuter Architecture Lab Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn. Τρανζίστορ FT 3. Πόλωση των FT - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FT 5. Διπολικό τρανζίστορ (JT) 6. Πόλωση των JT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή αυτή άσκηση θα µελετηθεί το transistor επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistors). Πιο συγκεκριµένα µε την βοήθεια

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων S «Διαφορικά Ζεύγη» Φώτης Πλέσσας fplessas@f.uth.r Δομή Παρουσίασης Αναθεώρηση απλής διαφορικής λειτουργίας Περιγραφή και ανάλυση του διαφορικού ζεύγους Λόγος απόρριψης κοινού

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές Λειτουργίες των TR

Βασικές Λειτουργίες των TR Βασικές Λειτουργίες των TR Το TR για να λειτουργήσει απαιτεί να εφαρµοστούν σε αυτό τάσεις δυναµικά για να κινηθούν µέσα σε αυτά τα αντίστοιχα ρεύµατα. Τα δυναµικά που µπορούν να εφαρµοστούν σε αυτό είναι:

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών The MOS Transistor Polysilicon Aluminum 2 N-MOS Τρανζίστορ Διάταξη τριών

Διαβάστε περισσότερα

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6: Διπολικό τρανζίστορ (BJT) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής

Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής Ανάλυση Κυκλωμάτων Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Εισαγωγή Οι εξαρτημένες πηγές είναι πολύ ενδιαφέροντα ηλεκτρικά στοιχεία, αφού αποτελούν αναπόσπαστα στοιχεία

Διαβάστε περισσότερα

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί. Relay Module PanosRCng Στην πορεία προς ένα μέλλον αυτοματισμών, όπου θα μπορούμε να ελέγχουμε τα πάντα μέσω του φιλόξενου περιβάλλοντος του προσωπικού μας υπολογιστή, ή θα μπορούμε να αναθέτουμε σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

Το διπολικό τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ 2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα