Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)"

Transcript

1 Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή αυτή άσκηση θα µελετηθεί το transistor επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistors). Πιο συγκεκριµένα µε την βοήθεια του breadboard, απλών οργάνων µέτρησης αλλά και του προγράµµατος προσοµοίωσης ηλεκτρονικών κυκλωµάτων Electronic Workbench θα µελετηθούν οι διάφορες περιοχές λειτουργίας του JFET και θα χαραχθούν οι χαρακτηριστικές καµπύλες λειτουργίας του. Θεωρητικό µέρος Σήµερα υπάρχουν δυο είδη transistors: Τα διπολικά (βλέπε εργαστηριακή άσκηση 5) και τα transistors επίδρασης πεδίου γνωστά ως Field Effect Transistors (FET). Η κύρια διαφορά τους εντοπίζεται στον αριθµό των διαφορετικών φορέων ρεύµατος µέσα σε αυτά. Έτσι στα διπολικά transistor, όπως εξάλλου µαρτυρά και η ονοµασία τους, η λειτουργία οφείλεται σε 2 είδη φορτίων τα ηλεκτρόνια και τις οπές. Από την άλλη στα FET οι φορείς του ρεύµατος είναι µονάχα ηλεκτρόνια (FET n καναλιού) ή οπές (FET p καναλιού). Συµπέρασµα: Ένα FET είναι µια µονοπολική διάταξη έχει δηλαδή φορείς πλειονότητας και δεν έχει φορείς µειονότητας. Τα FET δεν έχουν να επιδείξουν τις αποδόσεις των διπολικών transistors ως προς την ικανότητα ενίσχυσης ενός σήµατος. Όπως επίσης τα FET δεν παρουσιάζουν την γραµµική συµπεριφορά των διπολικών transistor µε αποτέλεσµα να παρουσιάζεται υψηλή αρµονική παραµόρφωση στην έξοδο του ενισχυτή. Από την άλλη λόγω του ότι χρησιµοποιούν ένα µόνο φορέα ρεύµατος τα κάνει, ιδιαίτερα αυτά του n καναλιού, πολύ πιο γρήγορες διατάξεις συγκριτικά µε τα διπολικά transistor. Για αυτό το λόγο τα JFET προτιµώνται από τα διπολικά transistor σε εφαρµογές διακοπτών. Επίσης παρουσιάζουν και άλλα πλεονεκτήµατα σε σχέση µε τα διπολικά transistor όπως πυκνή και εύκολή δόµηση στα ολοκληρωµένα κυκλώµατα, πολύ µικρά ρεύµατα πόλωσης, µικρή ευαισθησία στον θόρυβο και επιπλέον λειτουργούν καλύτερα στις υψηλές συχνότητες. Τα FET χωρίζονται σε δυο κατηγορίες. Η 1 η κατηγορία είναι αυτή των JFET (Junction Field Effect Transistor) και η 2 η κατηγορία είναι αυτή των MOSFET (metal 102

2 oxide semiconductor Field Effect Transistor). Μια και τα MOSFETs καίγονται εύκολα, στο εργαστήριο αυτό θα ασχοληθούµε µε την µελέτη µονάχα των JFET. Τα transistor είναι ενισχυτές σήµατος: ένα µικρό σήµα εισόδου χρησιµοποιείται για να ελέγξει ένα µεγαλύτερο σήµα. Ένα τυπικό transistor χαρακτηρίζεται από τρείς ακροδέκτες. Στην περίπτωση των JFETs µια εφαρµοζόµενη τάση σε έναν από τους τρείς ακροδέκτες (ακροδέκτης πύλης (Gate)) ελέγχει το ρεύµα που διαπερνά ανάµεσα από τους άλλους 2 ακροδέκτες, αυτούς της πηγής (Source) και του απαγωγού (Drain). Συνήθως η τάση στον ακροδέκτη της πύλης λαµβάνεται µε σηµείο αναφοράς την τάση στον ακροδέκτη της πηγής. Το βασικό διάγραµµα ενός JFET άλλα και οι τάσεις και τα ρεύµατα που το διαρρέουν απεικονίζονται στο σχήµα 1. Σχήµα 1: Οι τρείς ακροδέκτες ενός JFET (n τύπου) και τα ρεύµατα (συµβατική φορά) που το διαρρέουν (http://socrates.berkeley.edu) Όπως είναι ήδη γνωστό τα ρεύµατα και οι τάσεις συµβολίζονται ως προς έναν από τους ακροδέκτες. Έτσι για παράδειγµα η τάση V DS συµβολίζει την τάση του απαγωγού ως προς την πηγή. Επίσης το I D συµβολίζει το ρεύµα που διαρρέει τον απαγωγό. Υπό κανονικές συνθήκες το ρεύµα που διαρρέει την πύλη δηλαδή το I G είναι σχεδόν µηδέν. Άρα ισχύει IS I D. Όπως και το διπολικό transistor έτσι και το JFET για να λειτουργήσει θα πρέπει οι ακροδέκτες του να πολωθούν µε συγκεκριµένο τρόπο. Ποιος είναι αυτός ο τρόπος εξαρτάται από την κατασκευαστική δοµή του JFET. Υπάρχουν δυο είδη JFET: α) του n καναλιού και β) του p καναλιού. Το είδος του καναλιού µας πληροφορεί και το είδος του 103

3 φορέα που οφείλει την λειτουργία του το JFET. Η δοµή ενός JFET n καναλιού απεικονίζεται στο σχήµα 2. Στην περίπτωση αυτή o σωστός τρόπος πόλωσης είναι αυτός που απεικονίζεται στο σχήµα 2. Γενικότερα ισχύουν οι παρακάτω κανόνες : α) Η επαφή Πύλης Πηγής θα πρέπει να πολωθεί ανάστροφα και β) Ο ακροδέκτης του απαγωγού θα πρέπει να είναι σε υψηλότερο δυναµικό από αυτό της πηγής στην περίπτωση JFET n καναλιού. Στην περίπτωση του JFET p καναλιού όλα τα ρεύµατα και οι τάσεις είναι ανεστραµµένα ως προς αυτά στο JFET n καναλιού. Σχήµα 2: Κατασκευαστική δοµή ενός JFET και ο σωστός τρόπος πόλωσης των ακροδεκτών του (http://www.kennethkuhn.com/students/ee351/jfet_basics.pdf) 104

4 Η τάση V DD (βλέπε σχήµα 2) υποχρεώνει τα ελεύθερα ηλεκτρόνια του καναλιού (στην περίπτωση του n JFET) να κινούνται από την πηγή στον απαγωγό. Ο όρος επίδραση πεδίου στην ονοµασία των JFET σχετίζεται µε τα στρώµατα απογύµνωσης γύρω από κάθε περιοχή p. Τα στρώµατα απογύµνωσης υπάρχουν επειδή τα ελεύθερα ηλεκτρόνια του καναλιού διαχέονται προς τις περιοχές p. Η ανασύζευξη των ελεύθερων ηλεκτρονίων και των οπών δηµιουργεί τα στρώµατα απογύµνωσης, που παριστάνουν οι σκιασµένες περιοχές (βλέπε σχήµα 2). Όπως µπορεί να παρατηρηθεί από το σχήµα 2 οι ακροδέκτες της πύλης και της πηγής σχηµατίζουν µια επαφή pn δηλαδή µια δίοδο. Έτσι η αρχή λειτουργίας του JFET µπορεί να προσοµοιωθεί από τα µοντέλα του σχήµατος 3 και 4. Σχήµα 3: Μοντέλα λειτουργίας JFET:Το µοντέλο της διόδου (http://socrates.berkeley.edu) Σύµφωνα µε το απλό µοντέλο του σχήµατος 3 η αντίσταση εξαρτάται από την πόλωση της πύλης. Από την στιγµή που η δίοδος είναι ανάστροφα πολωµένη το ρεύµα της πύλης είναι µηδαµινό και έτσι IS I D. Λόγω του µηδενικού ρεύµατος πύλης το JFET θεωρείται ότι έχει άπειρη αντίσταση εισόδου (της τάξης των εκατοντάδων megohms). Η άπειρη αντίσταση εισόδου αποτελεί το µεγάλο πλεονέκτηµα των JFET έναντι των διπολικών transistor σε εφαρµογές οι οποίες απαιτούν υψηλή αντίσταση εισόδου. Στο µοντέλο λειτουργίας του σχήµατος 4 ο ροοστάτης του σχήµατος 3 αντικαθίσταται από µια πηγή ρεύµατος της οποίας το ρεύµα εξαρτάται από τις τάσεις V GS και V DS. 105

5 Σχήµα 4: Μοντέλο: Εξαρτώµενη πηγή ρεύµατος από τάση (http://socrates.berkeley.edu) Ισχύει ότι το ρεύµα του απαγωγού γίνεται µέγιστο ( 50 ma) όταν η διαφορά δυναµικού µεταξύ πύλης και πηγής είναι ίση µε µηδέν. Όσο πιο αρνητική είναι η τάση της πύλης V GS (θεωρώντας συνήθως ότι η πηγή είναι γειωµένη) το ρεύµα του απαγωγού µειώνεται όπως απεικονίζεται στην χαρακτηριστική µεταφοράς του σχήµατος 5, η οποία είναι γνωστή ως καµπύλη διαγωγιµότητας. Σχήµα 5: Χαρακτηριστική µεταφοράς JFET (http://socrates.berkeley.edu) 106

6 Από χαρακτηριστική µεταφοράς σχήµατος 5 παρατηρούµε ότι όταν η τάση V GS γίνει αρνητικότερη από µια χαρακτηριστική τιµή V P γνωστή ως τάση συµπίεσης ή τάση φραγής τότε το κανάλι µεταξύ απαγωγού και πηγής δεν διαρρέεται από ρεύµα µια και στην περίπτωση αυτή τα 2 στρώµατα απογύµνωσης σχεδόν εφάπτονται µεταξύ τους. Τυπική τιµή τάσης φραγής είναι τα 4 V. Καθώς τώρα η τάση V GS παίρνει τιµές ξεκινώντας από την V P προς την τιµή µηδέν, ρεύµα αρχίζει να διαρρέει το κανάλι µεταξύ πηγής και απαγωγού. Από την χαρακτηριστική εξόδου που απεικονίζεται στο σχήµα 6 συµπεραίνουµε ότι το ρεύµα απαγωγού εξαρτάται και από την τάση µεταξύ απαγωγού και πηγής. Σχήµα 6: Το ρεύµα απαγωγού εξαρτάται επίσης από την τάση µεταξύ απαγωγού και πηγής (http://socrates.berkeley.edu) Προκειµένου να κατανοήσουµε πλήρως τις καµπύλες λειτουργίας των σχηµάτων 5 και 6 θα πρέπει να µελετήσουµε τον µηχανισµό µε τον οποίο οι τάσεις V GS και V DS 107

7 ελέγχουν το ρεύµα του απαγωγού. Αυτό που ισχύει ότι εάν η πύλη βραχυκυκλωθεί µε την πηγή και καθώς η τάση απαγωγού αυξάνει οι περιοχές απογύµνωσης που σχηµατίζονται εκατέρωθεν του καναλιού αγωγιµότητας (βλέπε σχήµα 2) µεγαλώνουν και προκαλούν σταδιακό φράξιµο του. Το πλήρες φράξιµο του καναλιού από τις περιοχές απογύµνωσης γίνεται όταν η τάση V DS πάρει την τιµή V P, δηλαδή VDS( off ) = VP (τάση αποκοπής πύλης πηγής). Αυτό έχει σαν αποτέλεσµα το ρεύµα απαγωγού να λάβει µια σταθερή τιµή ίση µε το Ι DSAT (= Ι DSS στην περίπτωση που V GS = 0 Volts) (βλέπε σχήµα 6). Η ποσότητα Ι DSS είναι µια πολύ σηµαντική ποσότητα µια και µας πληροφορεί ποιο είναι το µέγιστο ρεύµα που µπορεί να µας παρέχει το JFET. Τώρα αν η τάση V GS αρχίζει ταυτόχρονα να γίνεται αρνητικότερη τότε θα συνεισφέρει και αυτή (µαζί µε την αύξηση της V DS ) στην διαπλάτυνση της περιοχής απογύµνωσης µε αποτέλεσµα το φράξιµο δηλαδή η σταθεροποίηση του ρεύµατος του καναλιού να γίνει πιο γρήγορα (βλέπε σχήµα 6). Η συµπεριφορά αυτή του JFET για την περίπτωση που η πύλη είναι γειωµένη µε την πηγή απεικονίζεται στο σχήµα 7. Σχήµα 7: Μεταβολές του εύρους του καναλιού αγωγιµότητας µε την αύξηση της τάσης στα άκρα του απαγωγού. Ο ακροδέκτης της πύλης είναι γειωµένος. Στην δεξιά στήλη απεικονίζεται η µεταβολή του ρεύµατος του απαγωγέα µε την αύξηση της τάσης του. Τέλος στο διάγραµµα (d) απεικονίζεται η επίδραση της τάσης πύλης στο ρεύµα απαγωγού. (Semiconductor Devices by S.M. Sze). 108

8 Η καµπύλη διαγωγιµότητας (σχήµα 5) περιγράφεται από την παρακάτω σχέση: I 2 V (1) GS D = IDSS 1 VGS ( off ) Λόγω της µορφής της σχέσεως (1) το JFET χαρακτηρίζεται ως διάταξη τετραγωνικού νόµου. Η λειτουργία ενός JFET µπορεί να χωρισθεί σε τρείς περιοχές λειτουργίας: (α) στην ωµική περιοχή ( V DS < V P ), (β) στην γραµµική περιοχή (ενεργός περιοχή) ( V P < V DS < V Dmax ) και τέλος (γ) στην περιοχή κατάρρευσης ( V DS > V DSmax ). Οι τρείς αυτές περιοχές λειτουργίας ορίζονται όπως θα δούµε παρακάτω από την τιµή της τάσης στα άκρα του απαγωγού σχετικά µε την τάση φραγµού V P και την τάση κατάρρευσης V DSmax. Σχήµα 8: Οι τρείς περιοχές λειτουργίας ενός JFET (Βασική Ηλεκτρονική, Malvino 4h έκδοση) Ωµική περιοχή: Η κατακόρυφή περιοχή λειτουργίας (βλέπε σχήµα 8) ονοµάζεται ωµική περιοχή λειτουργίας. Η τάση στα άκρα του καναλιού αγωγιµότητας είναι 109

9 µικρότερη από την τάση φραγής V P. Στη περιοχή αυτή το JFET συµπεριφέρεται ως ωµική αντίσταση µε τιµή περίπου ίση µε, τάσεων: ρεύµατος. R V P DS = (2). I DSS Ενεργός περιοχή: Αυτή η περιοχή λειτουργίας βρίσκεται µέσα στα εξής όρια VP VDS VDS(max). Στην περιοχή αυτή λειτουργίας το JFET ενεργεί ως πηγή Περιοχή κατάρρευσης: Όταν V DS > V DS(sat). Παρατηρούµε ότι οι τάσεις φραγής και αποκοπής πύλης πηγής λαµβάνουν την ίδια τιµή. Αυτό δεν µας εκπλήσσει µια και στο σηµείο αυτό τα στρώµατα απογύµνωσης εφάπτονται µεταξύ τους. Εποµένως: VGS ( off ) = V To JFET µπορεί να πολωθεί στην περιοχή λειτουργίας που επιλέγετε. Προκειµένου να πολωθεί στην ωµική περιοχή ή την ενεργό περιοχή µπορεί να χρησιµοποιηθεί η διάταξη πόλωσης της πύλης. Η πειραµατική αυτή διάταξη και οι καµπύλες λειτουργίας της απεικονίζονται στο σχήµα 9. Από το σχήµα 9(β) αυτό που παρατηρούµε είναι ότι οι παράµετροι του JFET µπορούν να µεταβάλλονται ανάµεσα στις ελάχιστες και µέγιστες τιµές τους και να µετατοπίζουν έτσι το σηµείο λειτουργίας Q. Μεγάλο µειονέκτηµα της διάταξης αυτής είναι το σηµείο λειτουργίας Q είναι πολύ ασταθές (µπορεί να βρίσκεται ανάµεσα σε Q 2 και το Q 1 ). P 110

10 Σχήµα 9: (α) Κύκλωµα πόλωσης πύλης στην ενεργό περιοχή, (β) πόλωση στην ενεργό περιοχή, (γ) πόλωση στην ωµική περιοχή και (δ) ισοδύναµο κύκλωµα (Βασική Ηλεκτρονική Malvino 6 η έκδοση) Από 9(α) είναι φανερό ότι: VD = VDD IDRD (3). Επίσης από σχήµα 9(γ) και σχέση (3) µπορούµε να εξάγουµε ότι το πάνω άκρο της dc VDD γραµµής φορτίου τέµνει τον άξονα του ρεύµατος απαγωγής στο σηµείο I Dsat ( ) =. R Εποµένως η ωµική περιοχή λειτουργίας ορίζεται πλήρως από τις παρακάτω συνθήκες: D V I = & I << I (4) DD D( sat) D( sat) RD DSS 111

11 Προσοχή: Όπως τονίστηκε προηγουµένως λόγω της µεγάλης εξάπλωσης των τιµών των παραµέτρων ενός JFET, η διάταξη πόλωσης της πύλης αποφεύγεται λόγω της αστάθειας που παρουσιάζει. Η διάταξη του σχήµατος 10 είναι µια εναλλακτική διάταξη πόλωσης ενός JFET. Σχήµα 10: (α) Κύκλωµα αυτοπόλωσης και (β) η γραµµή λειτουργίας (Βασική Ηλεκτρονική Malvino 6 η έκδοση) Η παραπάνω διάταξη εκµεταλλεύεται την πτώση τάσης στα άκρα της αντίστασης R S προκειµένου να δηµιουργηθεί η απαιτούµενη ανάστροφη πόλωση µεταξύ πύλης πηγής. Η διάταξη αυτή επιτρέπει την σταθεροποίηση του ρεύµατος που διαρρέει τον απαγωγέα ως προς τις µεταβολές της θερµοκρασίας. Αν για παράδειγµα το ρεύµα του απαγωγέα αυξηθεί τότε µεγαλώνει η πτώση τάσης στα άκρα της R S και έτσι αυξάνει η ανάστροφη πόλωση ανάµεσα στην πύλη και την πηγή. Αυτή η αύξηση µε την σειρά της µειώνει το εύρος του καναλιού και έτσι µειώνει και πάλι το ρεύµα του απαγωγέα. Λόγω της αναστροφής πόλωσης της διόδου πύλης πηγής το ρεύµα που διαρρέει την πύλη είναι σχεδόν µηδέν και εποµένως η τάση της πύλης είναι µηδέν επίσης, V = 0V. Από κύκλωµα πόλωσης 10(α) και εφαρµόζοντας τον νόµο του Ohm έχουµε ότι: G I D I S V = I R = I R V = I R (5) S S S D S GS D S 112

12 Από την (5) είναι φανερό ότι όσο λιγότερο ανάστροφη είναι η διαφορά δυναµικού µεταξύ της πηγής και της πύλης τόσο µεγαλύτερο είναι το ρεύµα του απαγωγέα. Η γραφική παράσταση της (5) απεικονίζεται στο σχήµα 10(β) ως ευθεία γραµµή µε κλίση ίση µε την αντίσταση R s. Το σηµείο λειτουργίας Q του transistor βρίσκεται στο σηµείο τοµής της ευθείας µε την χαρακτηριστική διαγωγιµότητας. Οι συντεταγµένες του σηµείου λειτουργίας Q είναι (I DQ, V GSQ ) και υπολογίζονται µέσω της (5). Στο σχήµα 11 επιδεικνύεται η επίδραση της αντίστασης R S στον καθορισµό του σηµείου λειτουργίας. Έτσι αν η R S είναι πολύ µικρή το ρεύµα του απαγωγέα βρίσκεται κοντά στον κόρο (Ι DSS βλέπε σχήµα 8). Από την άλλη όταν η R S έχει µεγάλη τιµή τότε το ρεύµα του απαγωγέα είναι πολύ µικρό. Η ιδανική τιµή της R S είναι αυτή που το ρεύµα του απαγωγέα βρίσκεται µεταξύ του µηδέν και του ρεύµατος κόρου Ι DSS. Σχήµα 11: (α) Επίδραση της R S στον καθορισµό του σηµείου λειτουργίας και (β) ιδανική τιµή της R S (Βασική Ηλεκτρονική 4 η έκδοση, Malvino) Η εύρεση της ιδανικής τιµής αντίστασης πηγής µπορεί να βρεθεί είτε (α) µε χρήση του φυλλαδίου προδιαγραφών του JFET (βλέπε παράδειγµα φυλλαδίου προδιαγραφών στο τέλος της εργαστηριακής αυτής άσκησης) είτε (β) χρησιµοποιώντας τις τιµές της τάσης αποκλεισµού πύλης πηγής V GS off και του ρεύµατος κόρου I DSS. Έτσι αν για παράδειγµα η τάση αποκλεισµού πύλης πηγής είναι V GS-off και το ρεύµα κόρου είναι Ι DSS τότε η ιδανική αντίσταση πηγής είναι 113

13 R S = V I GS off DSS (6) Προκειµένου να πολώσουµε ένα JFET στην ενεργό περιοχή χρησιµοποιούµε διατάξεις πόλωσης παρόµοιες µε αυτές που χρησιµοποιήθηκαν στα διπολικά transistor. Μια από τις καλύτερες διατάξεις πόλωσης είναι αυτή του διαιρέτη τάσης (βλέπε σχήµα 12). Σχήµα 12: Πόλωση στην ενεργό περιοχή µε διάταξη διαιρέτη τάσης (Βασική Ηλεκτρονική Malvino 6 η έκδοση) Είναι φανερό ότι ισχύει: 114

14 V = V V S G GS (7) Από την (7) µια και η τάση V GS είναι αρνητική αυτό σηµαίνει ότι η τάση της πηγής είναι πάντα πιο µεγάλη από την τάση της πύλης. Από κύκλωµα σχήµατος 12(α) και νόµο του Ohm έχουµε: I D V V V >> V G GS V = R G GS G S R S (8) Όπου η τάση V G υπολογίζετε από τον διαιρέτη τάσης του κυκλώµατος πόλωσης και είναι ίση µε: V G = R R 2 V DD + R (9) 1 2 Η γραφική παράσταση της (8) µας δίνει επίσης την γραµµή λειτουργίας του JFET ( βλέπε σχήµα 13). Από την (8) καταλαβαίνει κανείς το ρεύµα του απαγωγού είναι σταθερό για κάθε JFET. Αυτό συµβαίνει γιατί η V G καθορίζεται από τις αντιστάσεις του διαιρέτη τάσης (βλέπε εξίσωση (9)), την εφαρµοζόµενη τάση και από την ακρίβεια της τιµής της αντίστασης της πηγής. Στο σχήµα 12(γ) απεικονίζεται που θα πρέπει να βρίσκεται το σηµείο λειτουργίας στην περίπτωση της λειτουργίας στην ενεργό περιοχή (η V DS θα πρέπει να είναι µεγαλύτερη από το γινόµενο I D R D (ωµική περιοχή) και µικρότερο της τάσης αποκοπής V DD ). 115

15 Σχήµα 13: Γραµµή λειτουργίας JFET (http://socrates.berkeley.edu) Ο τρόπος πόλωσης µε διαιρέτη τάσης εξασφαλίζει ένα σταθερό σηµείο λειτουργίας αρκεί να διασφαλιστεί ότι VG >> VGS. Η τελευταία σχέση διασφαλίζει ότι το ρεύµα απαγωγού είναι ανεξάρτητο από τις µεταβολές της τάσης µεταξύ πύλης πηγής. Πολλές φορές όµως αυτό δεν είναι κατορθωτό ιδιαίτερα στην περίπτωση της χρήσης κοινών τροφοδοτικών και όπου η τάση πύλης πηγής έχει τιµή ίση µε µερικά volts. υο διατάξεις που εξασφαλίζουν την πλήρη ανεξαρτησία του ρεύµατος απαγωγού από την τάση V GS απεικονίζονται στο παρακάτω σχήµα: Σχήµα 14: Πόλωση µε πηγή ρεύµατος 116

16 Από ανάλυση του κυκλώµατος στο σχήµα 14 και τις βασικές ιδιότητες των transistor και των JFET έχουµε ότι: I D V = B V R E BE V = V I R D DD D D (10) Το πόσο καλά η τάση πύλης πηγής ελέγχει το ρεύµα απαγωγέα µας το δείχνει το ac µέγεθος της διαγωγιµότητας g m. Η τελευταία ορίζεται από την σχέση (11) ως εξής: g m i d = (11) v gs όπου i d είναι η µεταβολή στο ρεύµα του απαγωγέα και v gs είναι η µεταβολή στην τάση στην δίοδο πύλης πηγής. Για τον υπολογισµό της (11) θεωρούµε ότι η τάση µεταξύ απαγωγού πηγής είναι σταθερή. Όσο πιο µεγάλη είναι η διαγωγιµότητα τόσο πιο καλά ελέγχει η τάση πύλης πηγής το ρεύµα που διαπερνά τον απαγωγέα. Το παρακάτω σχήµα µας δείχνει τη σηµασία της διαγωγιµότητας απεικονίζοντας την µαζί µε την καµπύλη της διαγωγιµότητας. Η διαγωγιµότητα ορίζεται ως ο λόγος µεταβολής του ρεύµατος µέσω του απαγωγέα προς τις µεταβολές της τάσης µεταξύ πύλης πηγής. Με λίγα λόγια η διαγωγιµότητα g m είναι η κλίση της καµπύλης διαγωγιµότητας (βλέπε σχήµα 15). ιαφορετικές µεταβολές της τάσης πύλης πηγής δίνουν διαφορετικές µεταβολές του ρεύµατος του απαγωγέα και εποµένως διαφορετικές τιµές διαγωγιµότητας (οι οποίες απεικονίζονται από τις διαφορετικές κλίσεις που απεικονίζονται στο παρακάτω σχήµα). 117

17 Σχήµα 15: ιαγωγιµότητα g m (Βασική Ηλεκτρονική, Malvino 4 η εκδόση) Η διαγωγιµότητα g m µπορεί να υπολογισθεί είτε µέσω του φυλλαδίου προδιαγραφών (βλέπε σχήµα 16) είτε µέσω των παρακάτω σχέσεων: g m V GS 2I DSS V GS = g mo 1 1 V = GS ( off ) V GS ( off ) V GS ( off ) (12) όπου g m είναι η διαγωγιµότητα σε οποιαδήποτε σηµείο Q, g mo είναι η διαγωγιµότητα για µηδενική τάση στην πύλη. Σχήµα 16: Μεταβολή της διαγωγιµότητας µε το ρεύµα απαγωγέα (Βασική Ηλεκτρονική, Malvino 4 η εκδόση) 118

18 Το ac ισοδύναµο κύκλωµα του JFET απεικονίζεται στο σχήµα 17. Το ισοδύναµο αυτό ισχύει για τις χαµηλές συχνότητες και χρησιµοποιείται για την ανίχνευση βλαβών. Στο σχήµα 17 η δίοδος πύλης πηγής αντιπροσωπεύεται µε πολύ µεγάλη αντίσταση ενώ ο απαγωγός του JFET µε µια πηγή ρεύµατος. Σχήµα 17: Ac ισοδύναµο ενός JFET (Βασική Ηλεκτρονική, Malvino 4 η εκδόση) Τα JFET είναι από τα δοµικά στοιχεία ενισχυτών όπως και τα διπολικά transistor. Το µεγάλο πλεονέκτηµα που παρουσιάζουν οι ενισχυτές µε JFET είναι η µεγάλη αντίσταση εισόδου ενώ το µεγάλο µειονέκτηµα τους είναι το χαµηλό κέρδος τάσης που παρουσιάζουν. Στο σχήµα 18(α) απεικονίζεται ένας ενισχυτής κοινής πηγής και στο σχήµα 18(β) απεικονίζεται το ac ισοδύναµο του. Όταν το ac σήµα τάσης εφαρµοστεί στην πύλη τότε αυτόµατα δηµιουργεί µια τάση ανάµεσα στην πύλη και την πηγή η οποία µε την σειρά προκαλεί ένα ηµιτονοειδές ρεύµα απαγωγού. Το τελευταίο διαπερνά την αντίσταση απαγωγού και εµφανίζεται µε διαφορά φάσης 180 ο στην έξοδο ως σήµα τάσης. Η αναστροφή φάσης, όµοια µε αυτή που παρατηρήσαµε στον ενισχυτή κοινού εκποµπού, εξηγείται ως εξής: Στην θετική ηµιπερίοδο του ρεύµατος πύλης η τάση µεταξύ της πύλης πηγής αυξάνει. Αυτό έχει σαν συνέπεια το ρεύµα του απαγωγού να αυξάνει επίσης άρα να µειώνεται η τάση στα άκρα του αφού υπάρχει µεγαλύτερη πτώση τάσης στα άκρα της αντίστασης του απαγωγού R D. 119

19 Σχήµα 18: (α) Ενισχυτής κοινής πηγής και (β) το ac ισοδύναµο του (Βασική Ηλεκτρονική, Malvino 4 η εκδόση) Το κέρδος τάσης του παραπάνω ενισχυτή είναι ίσο µε: v = = = ( // ) (13) v out A g r g R R V m d m D L in 120

20 Πειραµατικό Μέρος Μέρος Ι Πραγµατοποιήστε το dc ισοδύναµο κύκλωµα του παρακάτω κυκλώµατος: Σχήµα 1 Υπόδειξη: Για τα πρώτα δύο ερωτήµατα χρησιµοποιήστε το dc ισοδύναµο του παραπάνω κυκλώµατος. Σε συνθήκες συνεχούς ρεύµατος (dc) οι πυκνωτές λειτουργούν ως ανοικτοί διακόπτες. Γιατί; α) Πριν συνδέσετε την γεννήτρια συχνοτήτων και µε την πύλη γειωµένη µετρήστε µε το πολύµετρο την τάση V DS, την πτώση τάσης στα άκρα του απαγωγού V D, την πτώση τάσης στα άκρα της αντίστασης R S (4.7 kω). Επαληθεύσετε τα αποτελέσµατα σας εφαρµόζοντας τον 2 ο κανόνα του Kirchhoff για τον κλάδο της V dd. Πόσο είναι το ρεύµα στον απαγωγό I D ; Από τις µετρήσεις σας σχεδιάστε την καµπύλη αγωγιµότητας Ι d vs V DS. Από την καµπύλη αυτή υπολογίστε το ρεύµα φραγής Ι DSS και την τάση φραγής. Καθορίστε την ωµική περιοχή λειτουργίας του JFET. 121

21 β) Επαναλάβατε τις µετρήσεις του 1 ου ερωτήµατος µεταβάλλοντας την V dd από 1 έως 20 Volt. H V dd από το 1 Volt έως τα 4 Volt να µεταβάλλεται µε βήµα 0.5 Volt. Από τα 4 Volt και πάνω να µεταβάλλεται µε βήµα 1 Volt. γ) Συνδέστε την γεννήτρια συχνοτήτων µε την πύλη του JFET και µε σήµα συχνότητας 1 ΚHz (δηλαδή υλοποιήστε το κύκλωµα του σχήµατος 1). Συνδέστε επίσης τον παλµογράφο στην είσοδο και την έξοδο του ενισχυτή. Ρυθµίστε την τάση του σήµατος της γεννήτριας ώστε να πάρετε απαραµόρφωτο σήµα στην έξοδο. Μετρήστε στην περίπτωση αυτή την τάση εισόδου v i και την τάση εξόδου v out και υπολογίστε το κέρδος του ενισχυτή. Παρατηρείτε κάποια διαφορά φάσης µεταξύ των δυο σηµάτων; Αν ναι που οφείλετε; Ποιο είναι το κέρδος τάσης του ενισχυτή αυτού; Πόση είναι η διαγωγιµότητα g m (υπολογίζετε µέσω της σχέσης (13); Στο ερώτηµα αυτό η τάση V dd είναι ίση µε 12 Volts. δ) Επαναλάβετε την παραπάνω µέτρηση για R L = 10 K και R L = 1 K. στ) Για την περίπτωση που V DD = 20 V και R L = 1 MΩ, υπολογίστε την απολαβή τάσης του ενισχυτή για τις περιπτώσεις που η συχνότητα της γεννήτριας είναι 50 Hz, 100 Hz, 1 KHz, 5 KHz, 10 KHz, 40 KHz, 100 KHz, 300 KHz, 600 KHz, 1 MHz, 1.5 MHz, 2 MHz, 2.5 MHz, 3 MHz, 4 MHz, 5 MHz. Χαράξτε την καµπύλη Α V (f) vs συχνότητα. Μέρος ΙΙ Πραγµατοποιήστε το παρακάτω κύκλωµα: 122

22 α) Σχεδιάστε την χαρακτηριστική αγωγιµότητας I D vs V DS µε την τάση πύλη πηγής να είναι σταθερή και ίση µε µηδέν. Μεταβάλλετε την V DS από 0 έως 8 Volt µε βήµα 0.5 Volt. β) Πόσο είναι το ρεύµα κόρου Ι DSS ; Πόση είναι η τάση φραγής V P ; γ) Επαναλάβατε τα δυο πρώτα ερωτήµατα για V GS = -0.5 V, -1 V, V, - 2 V δ) Σχεδιάστε τα παραπάνω διαγράµµατα (Όλα µαζί για V GS = 0 V, - 0.5V, - 1V, V, V). στ) Για σταθερή τιµή του V DS = 5 V σχεδιάστε την χαρακτηριστική Ι D vs V GS. Μετρήστε το ρεύµα απαγωγέα Ι D από V GS = 0 V έως και V GS = - 3V µε βήµα 0.25 V. ζ) Απαντήστε τις παρακάτω ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής: 1. Ένα JFET Α. Είναι µια διάταξη ελεγχόµενη από τάση Β. Είναι µια διάταξη ελεγχόµενη από ρεύµα Γ. Έχει µια µικρή αντίσταση εισόδου. Έχει ένα πολύ µεγάλο κέρδος τάσης 2. Ένα µονοπολικό transistor χρησιµοποιεί Α. Και ελεύθερα ηλεκτρόνια και οπές Β. Μόνο ελεύθερα ηλεκτρόνια Γ. Μόνο οπές. Είτε τα µεν ή τις δε, άλλα όχι και τα δύο 3. Η σύνθετη αντίσταση εισόδου ενός JFET A. Τείνει στο µηδέν B. Τείνει στην µονάδα Γ. Τείνει στο άπειρο. Είναι αδύνατον να προβλεφθεί 4. Η πύλη ελέγχει Α. Το εύρος του καναλιού Β. Το ρεύµα απαγωγού Γ. Την ανάλογη τάση φραγής. Όλα τα παραπάνω 123

23 5. Η δίοδος πύλης πηγής ενός JFET πρέπει να είναι Α. Πολωµένη ορθά Β. Πολωµένη ανάστροφα Γ. Είτε ορθά είτε ανάστροφα. Τίποτε από τα παραπάνω 6. Η τάση φραγής έχει το ίδιο µέτρο µε την Α. Τάση πύλης Β. Τάση απαγωγού πηγής Γ. Τάση πύλης πηγής. Τάση πύλης πηγής 7. Σε σύγκριση µε το διπολικό transistor, το JFET έχει πολύ µεγαλύτερο / η Α. Κέρδος τάσης Β. Αντίσταση εισόδου Γ. Τάση τροφοδοσίας. Ρεύµα 8. Όταν το ρεύµα κόρου του απαγωγού είναι µικρότερο από το I DSS, το JFET λειτουργεί σαν Α. ιπολικό transistor B. Πηγή ρεύµατος Γ. Αντίσταση. Μπαταρία 9. Η αντίσταση του απαγωγέα R D ισούται µε το πηλίκο της τάσης φραγής προς το Α. Ρεύµα απαγωγέα Β. Ρεύµα πύλης Γ. Ιδανικό ρεύµα απαγωγέα. Ρεύµα απαγωγέα όταν V GS = 0 V. 10. Η διαγωγιµότητα g m αυξάνει όταν το ρεύµα του απαγωγέα Α. Παραµένει σταθερό Β. Αυξάνει Γ. Μειώνεται. Σωστά τα Α και Β 124

24 11. Η καµπύλη διαγωγιµότητας είναι Α. Γραµµική Β. Μη γραµµική Γ. Όµοια µε την γραφική παράσταση µιας αντίστασης. Τίποτα από τα παραπάνω 12. Όταν το JFET βρίσκεται σε κατάσταση αποκοπής, τα στρώµατα απογύµνωσης Α. Πολύ µακριά Β. Είναι πολύ κοντά Γ. Εφάπτονται. Άγουν 13. Όταν η τάση πύλης γίνεται πιο αρνητική στο κανάλι n ενός JFET, το κανάλι µεταξύ των στρωµάτων απογύµνωσης Α. Συρρικνώνεται Β. Άγει Γ. Επεκτείνεται. Σταµατά να άγει 14. Η διαγωγιµότητα µας δείχνει Α. Πόσο καλά ελέγχει η τάση απαγωγού πηγής το ρεύµα του καναλιού Β. Πόσο καλά ελέγχει η τάση πύλης - πηγής το ρεύµα του καναλιού Γ. Ποσό καλά ελέγχουν οι θερµοκρασιακές µεταβολές το ρεύµα του απαγωγού. Πόσο καλά η τάση τροφοδοσίας ελέγχει το ρεύµα του απγωγέα. 15. Παρουσιάστε γραφικά τις καµπύλες λειτουργίας ενός JFET n καναλιού. Εξηγήστε την σηµασία των διαφόρων µεγεθών. 16. Πώς µπορούµε να καταλάβουµε σε ποια περιοχή λειτουργεί ένα JFET; 125

Άσκηση 4 ίοδος Zener

Άσκηση 4 ίοδος Zener Άσκηση 4 ίοδος Zener Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή άσκηση 2 µελετήθηκε η δίοδος ανόρθωσης η οποία είδαµε ότι λειτουργεί µονάχα εάν πολωθεί ορθά. Το ίδιο ισχύει και στην περίπτωση της φωτοεκπέµπουσας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Τα FET οδηγούνται με την τάση u GS ενώ τα BJT με το ρεύμα i B Μηχανισμός ενίσχυσης Για το FET η σχέση

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα

Διαβάστε περισσότερα

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: Παράδειγµα 8 Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: 0,7 + 2200I 5V = 0 V D 4,3 I D = = 1, 95mA 2200 + 5 2200I D + Vout = 0 Vout=-0,7V Παράδειγµα 9 Το παρακάτω σχήµα παριστάνει κύκλωµα φόρτισης µιας

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 2: Δίοδος pn Δρ Δημήτριος Λαμπάκης 1 Δίοδος pn Είναι μια μη γραμμική συσκευή Η γραφική παράσταση του ρεύματος σε σχέση με την τάση δεν είναι ευθεία γραμμή Η εξωτερική τάση

Διαβάστε περισσότερα

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

«Αναθεώρηση των FET Transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Η δοµή του JFET n-διαύλου φαίνεται στο σχήµα 8.1. Σχ.8.1. οµή του JFET (α) και επικρατέστερο σύµβολο για n-διαύλου (β) και p-διαύλου (γ).

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Η δοµή του JFET n-διαύλου φαίνεται στο σχήµα 8.1. Σχ.8.1. οµή του JFET (α) και επικρατέστερο σύµβολο για n-διαύλου (β) και p-διαύλου (γ). ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8 8.1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) χαρακτηρίζονται ως τρανζίστορ µονοφυούς αγωγιµότητας διότι οι φορείς ρεύµατος είναι µόνο ενός είδους, δηλαδή ηλεκτρόνια

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος σε βηµατική και αρµονική διέγερση Μέρος Α : Απόκριση στο πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET)

Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία του τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistor -FET), μελετώνται τα χαρακτηριστικά του καθώς και

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΤΟΧΟΙ 4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός ενισχυτή δύο βαθμίδων με άμεση σύζευξη η εύρεση της περιοχής

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται

Διαβάστε περισσότερα

Φωτοδίοδος. 1.Σκοπός της άσκησης. 2.Θεωρητικό μέρος

Φωτοδίοδος. 1.Σκοπός της άσκησης. 2.Θεωρητικό μέρος Φωτοδίοδος 1.Σκοπός της άσκησης Ο σκοπός της άσκησης είναι να μελετήσουμε την συμπεριφορά μιας φωτιζόμενης επαφής p-n (φωτοδίοδος) όταν αυτή είναι ορθά και ανάστροφα πολωμένη και να χαράξουμε την χαρακτηριστική

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος hevenin Απόκριση στο πεδίο της συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Εργαστήριο: Εισαγωγή στο Βασικό Εξοπλισµό Μετρήσεως Σηµάτων Σκοποί: 1. Η εξοικείωση µε τη βασική

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ FET Επαφής

Τρανζίστορ FET Επαφής ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) FET) Ι Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 Τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode)

Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Εισαγωγή Στην προηγούµενη εργαστηριακή άσκηση µελετήσαµε την δίοδο ανόρθωσης ένα στοιχείο που σχεδιάστηκε για να λειτουργεί ως µονόδροµος αγωγός.

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1.1 Τελεστικοί ενισχυτές 1.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr)

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr) vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, 24-1-5, 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr) Θέµα 1A: 3/1 Στο κύκλωµα του παραπλεύρως σχήµατος το σήµα εισόδου έχει πλάτος 1 V και συχνότητα 1 khz.

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ Εισαγωγή Στο κεφάλαιο αυτό θα µιλήσουµε για ενισχυτές µιας βαθµίδας µε διπολικά τρανζίστρ. Σε επόµενα κεφάλαια θα µιλήσουµε για ενισχυτές µε FET, όπως και για ενισχυτές µε

Διαβάστε περισσότερα

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού 5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 5. ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ 220 V, 50 Hz. 0 V Μετασχηµατιστής Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση 0 V 0 V Ανορθωτής Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού Φίλτρο

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής εφευρέθηκε κατά τη διάρκεια του δεύτερου παγκοσµίου πολέµου και. χρησιµοποιήθηκε αρχικά στα συστήµατα σκόπευσης των αντιαεροπορικών πυροβόλων για

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ 2 Δίοδοι-Επαφή pn 1. Ποιες είναι οι 3 κατηγορίες υλικών στην ηλεκτρονική; a) Στερεά, υγρά αέρια. b) Αγωγοί, μονωτές, ημιαγωγοί. c) Γη, αέρας, φωτιά. d) Ημιαγωγοί, μονωτές,

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

MOSFET. Shockley W L W L

MOSFET. Shockley W L W L MOSFET Χαρακτηριστικές εισόδου, εξόδου ιαγωγιµότητα Η λειτουργία του MOSFET στην ενεργό περιοχή περιγράφεται από την εξίσωση του Shockley I D = K V ( V ) 2 GS T όπου V Τ η τάση κατωφλίου και Κ σταθερά.

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 4. Δίοδος Zener

Άσκηση 4. Δίοδος Zener ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 4 Δίοδος Zener Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη της διόδου Zener. Γίνεται μελέτη της χαρακτηριστικής

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn). ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3 31 ΣΥΝ ΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ Η συνδεσµολογία κοινού εκποµπού φαίνεται στο σχήµα 31 Είναι η πιο συχνά χρησιµοποιούµενη συνδεσµολογία διότι απαιτεί µικρά ρεύµατα στην είσοδο Η είσοδος σε αυτή

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΗΜΕΡΑ ΩΡΑ.. ΟΜΑΔΑ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ. ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ.. Μέτρηση αντιστάσεων με ωμόμετρο 1. Ρυθμίζουμε το πολύμετρο

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 5 ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 1 Ι. ΠΑΠΑΝΑΝΟΣ ΑΠΡΙΛΙΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ Ένα ενεργό σύστηµα είναι ένα ηλεκτρικό κύκλωµα που αποτελείται από παθητικά στοιχεία και ελεγχόµενες πηγές. Ενεργή σύνθεση είναι η

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 1 Εισαγωγή στις Μετρήσεις Σηµάτων Λευκωσία, 2013 Εργαστήριο 1 Εισαγωγή στις Μετρήσεις

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 8 η ΚΙΝΗΤΗΡΑΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΞΕΝΗΣ ΔΙΕΓΕΡΣΗΣ ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ

ΑΣΚΗΣΗ 8 η ΚΙΝΗΤΗΡΑΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΞΕΝΗΣ ΔΙΕΓΕΡΣΗΣ ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 8 η ΚΙΝΗΤΗΡΑΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΞΕΝΗΣ ΔΙΕΓΕΡΣΗΣ ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ Σκοπός της Άσκησης: Σκοπός της εργαστηριακής άσκησης είναι α) η κατανόηση της λειτουργίας του κινητήρα συνεχούς

Διαβάστε περισσότερα

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση της επίδρασης

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 5 Γραµµικότητα (Linearity), Αναλογικότητα (Proportionality), και Επαλληλία (Superposition)

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 8. Θυρίστορ. Στόχος. Εισαγωγή. 1) Θυρίστορ. 2) Δίοδος Shockley ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ)

Άσκηση 8. Θυρίστορ. Στόχος. Εισαγωγή. 1) Θυρίστορ. 2) Δίοδος Shockley ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) ΤΕΙ ΔΥΤΙΗΣ ΕΛΛΔΣ ΤΜΗΜ ΗΛΕΤΡΟΛΟΓΩ ΜΗΧΙΩ Τ.Ε. ΗΛΕΤΡΟΙ Ι (ΕΡ) Άσκηση 8 Θυρίστορ Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία του θυρίστορ SCR. Μελετώνται οι ιδιότητες του SCR

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4 Εφόσον το τρανζίστορ ενός ενισχυτή κοινού εκπομπού πολωθεί με το σημείο Q να βρίσκεται κοντά στο μέσο της DC γραμμής φορτίου, μπορεί να συνδεθεί ένα μικρό ac σήμα στη βάση. Με αυτόν τον τρόπο, παράγεται

Διαβάστε περισσότερα

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 Ερώτηση 1 (2 µον.) Το σχ. (α) δείχνει το κύκλωµα ενός περιοριστή. Από τη χαρακτηριστική καµπύλη τάσης εισόδου-εξόδου V out =

Διαβάστε περισσότερα

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να 9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ MM505 ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΗΧΑΝΕΣ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ Εργαστήριο ο - Θεωρητικό Μέρος Βασικές ηλεκτρικές μετρήσεις σε συνεχές και εναλλασσόμενο

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 41 ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ Η συνδεσµολογία κοινού συλλέκτη φαίνεται στο σχήµα 41 Αν σχηµατίσουµε το ac ισοδύναµο θα δούµε ότι ο συλλέκτης συνδέεται στη γη και αποτελεί κοινό

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ 2 ΑΣΚΗΣΗ 1 η Μετρήσεις τάσεων και ρευμάτων με χρήση ψηφιακού πολύμετρου. Προετοιμασία: Για να πραγματοποιήσετε την άσκηση, θα πρέπει να έχετε μελετήσει τα κεφάλαια 1 και 2 του θεωρητικού

Διαβάστε περισσότερα

Παράρτημα. Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης

Παράρτημα. Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης Παράρτημα Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης Σκοπός του παραρτήματος είναι η εξοικείωση των φοιτητών με τη χρήση και τη

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory Το BJT ως Διακόπτης Οταν το transistor χρησιμοποιείται σαν διακόπτης ευρίσκεται είτε στην κατάσταση αποκοπής είτε σε αυτή του κορεσμού. Η βασική αρχή αυτής της χρήσης έγκειται στην διακριτή μεταβολή της

Διαβάστε περισσότερα