Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)

Σχετικά έγγραφα
Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής

Το Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Ηλεκτρονικό Κύκλωµα. ΟΝόµος Kirchhoff για το Ρεύµα -KCL

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

AC λειτουργία Ισοδύναμα κυκλώματα μικρού σήματος του

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τελεστικοί Ενισχυτές 2

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

Γ. Τσιατούχας. 1. Δίθυρα Δίκτυα. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ανάλυση ικτύου ΙΙI

Εισαγωγή. Στο κεφάλαιο αυτό θα µελετηθεί ο τελεστικός ενισχυτής.

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Ενισχυτές. Ενισχυτές. ΕνισχυτέςΓ. Τσιατούχας

Γ. Τσιατούχας. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Εισαγωγή στη Θεωρία Κυκλωμάτων 2

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1

Τρανζίστορ FET Επαφής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ενίσχυση Κέρδους (Gain Boosting)

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2

Ηλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 7

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Τελεστικοί Ενισχυτές»

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Διαφορικοί Ενισχυτές

3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

3. Δίθυρα Δικτυώματα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙII. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 1

Γενικά χαρακτηριστικά ανάδρασης

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Μοντέλα Διόδων i. Δίοδος Διακόπτης Δίοδος Πηγή. i=i(υ) i=i(υ) i i. i i. = 0 γιά. 0 γιά. Παρεμπόδισης

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

Εισαγωγή. Ακουστικό. Μικρόφωνο

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

6. Τελεστικοί ενισχυτές

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Ανατροφοδότηση»

Κεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία ιάλεξη 7

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 20/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Transcript:

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιαφορικός Ενισχτής MO S MOS ιαφορικός Ενισχτής Γ. MOS Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιαφορικός Ενισχτής MOS

Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (Ι) G Φόρτος Q () Q G Τα φορτία των δύο MOS τρανζίστορ είναι τέτοια ώστε να λειτοργούν στην περιοχή το κόρο. Με τα δύο τρανζίστορ τατόσηµα µπορούµε να γράψοµε: K K K K ( ) ( ) ( ) ( ) ιαφορικό Σήµα d K µ n C ox ( W / L) K ιαφορικός Ενισχτής MOS 3 d () Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ) G Q Q G Λύνοντας το σύστηµα εξισώσεων () και () : Ισχύει ότι: και σνεπώς: K ( d / ) ( / K) ιαφορικός Ενισχτής MOS 4 d K όταν 0 τότε d d Σηµείο πόλωσης ή ηρεµίας 0 d d 0 K ( d / ) ( / K) όπο: ( ) Κοινό Σήµα

Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙΙ) G Ισχύει : Q Q G d ιαφορικός Ενισχτής MOS 5 d για µικρό διαφορικό σήµα, δηλ.: / << προκύπτει: d d d d / d / Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (Ι) Θέτοντας : d d.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 d και d Για την περίπτωση όπο () και () 0, θα ισχύει : 0.4 0.3 0. 0. d d ax ( ).4.0 0.6 0. 0 0. 0.6.0.4 d ax ( ) d ax ( ) ιαφορικός Ενισχτής MOS 6 3

ιαφορικό Ζεύγος µε Φορτίο Αντίσταση (Ι) G O Q Q G Από την προηγούµενη ανάλση για το διαφορικό ζεύγος ισχύει ότι: d και d όπο: Επιπλέον ισχύει ότι: d και d ιαφορικός Ενισχτής MOS 7 ιαφορικό Ζεύγος µε Φορτίο Αντίσταση (ΙΙ) d ( / ) d d ( / ) d G O Q Q G d d Σνεπώς θα ισχύει: d d d d o d d d ιαφορικός Ενισχτής MOS 8 4

d d ιαφορικό Ζεύγος µε Φορτίο Αντίσταση (ΙΙΙ) Το κέρδος τάσης θα είναι: O o A d Οι αντιστάσεις εισόδο και εξόδο θα είναι: Q Q G G n ou ιαφορικός Ενισχτής MOS 9 Το ιαφορικό Σήµα o o o o Αν τότε d ιαφορικός Ενισχτής MOS 0 5

ιαφορικό Κέρδος Κοινού Σήµατος O / / Q Q G G Υπό την παροσία το κοινού σήµατος G στο κύκλωµα ( d 0) θα ισχύει: Τότε σε ατή την περίπτωση η διαφορική έξοδος κοινού σήµατος O θα είναι: ιαφορικός Ενισχτής MOS O Πο σηµαίνει ότι το διαφορικό κέρδος κοινού σήµατος είναι µηδέν. A cd O G 0 0 Τάση Εκτροπής (Ι) O Q Q Με γειωµένες τις εισόδος η τιµή της τάσης O είναι η λεγόµενη τάση εκτροπής (offse) εξόδο. A) Θεωρήστε ότι τα Q Q είναι τέλεια ταιριασµένα ενώ οι και διαφέρον κατά : τότε : O Ηαντίστοιχη τάση εκτροπής εισόδο OS λαµβάνεται διαιρώντας τη O µε το κέρδος τάσης : OS ιαφορικός Ενισχτής MOS 6

Τάση Εκτροπής (ΙΙ) O Q Q Β) Θεωρήστε ότι οι και είναι τέλεια ταιριασµένες ενώ τα W/L των Q Q διαφέρον κατά: W W L L τότε : σνεπώς: Επιπλέον ισχύει: ενώ: O W L K K K K K O W L W L και K K K και K K K K OS Ι W L ιαφορικός Ενισχτής MOS 3 Τάση Εκτροπής (ΙΙΙ) O Σνεπώς η τάση εκτροπής εισόδο θα είναι : OS O Q Q OS K K ιαφορικός Ενισχτής MOS 4 7

Τάση Εκτροπής (Ι) Γ) Θεωρήστε ότι µόνο οι τάσεις κατωφλίο των τρανζίστορ δεν είναι ταιριασµένες κατά : O και Q Q τότε : K K ( ) ( ) ( ) ( ) ιαφορικός Ενισχτής MOS 5 Τάση Εκτροπής () O Q Q Γνωρίζοντας ότι << ( ) απλοποιούµε σε: K K ( ) ( ) Σνεπώς: ( ) Ητάση εκτροπής εισόδο δίδεται διαιρώντας µε : OS ιαφορικός Ενισχτής MOS 6 8

Ο CMOS ιαφορικός Ενισχτής (Ι) Q 3 Q 4 Q Q O Για το ρεύµα σήµατος ισχύει : όπο: d Επιπλέον : o (r // r ) o o4 d Το κέρδος τάσης ανοικτού κκλώµατος θα είναι: o A d ( r // r ) o o4 ιαφορικός Ενισχτής MOS 7 Ο CMOS ιαφορικός Ενισχτής (ΙΙ) Q 3 Q 4 Θέτοντας: ro ro4 ro A / d Q Q O Το κέρδος τάσης θα είναι: A ro A ιαφορικός Ενισχτής MOS 8 9

Παράδειγµα (Ι) Q 3 Q 4 Ποιο το κέρδος τάσης το διαφορικού ενισχτή το σχήµατος όταν: 5µΑ, W W 0µ, L L 6µ, µ n C ox 0µA/ και A 0; O d Q Q ιαφορικός Ενισχτής MOS 9 Παράδειγµα (Ι) Για το κέρδος τάσης το διαφορικού ενισχτή ισχύει: Q Q 4K n / d Q 3 Q 4 O A µ n W / L / ιαφορικός Ενισχτής MOS 0 C ox ro o d Επιπρόσθετα για τη διαγωγιµότητα ισχύει: όπο: A W K n µ ncox 00µ A / L A Σνεπώς: A 4K n 80 0

Τελεστικός Ενισχτής CMOS ύο Σταδίων Q 8 Q 5 Q 7 ο Στάδιο: ιαφορικός ενισχτής CMOS µε ενεργό φορτίο Ο ο Στάδιο: Ενισχτής CMOS µε ενεργό φορτίο EF Q Q ο Στάδιο ο Στάδιο Κύκλωµα Πόλωσης Q 3 Q 4 Q 6 SS ιαφορικός Ενισχτής MOS Κέρδος Τάσης Τελεστικού Ενισχτή CMOS ο Στάδιο: ιαφορικός ενισχτής CMOS µε ενεργό φορτίο Κέρδος τάσης: A (ro // ro 4) ο Στάδιο: Ενισχτής CMOS µε ενεργό φορτίο Κέρδος τάσης: A 6(ro6 // ro 7) Κέρδος τάσης ανοικτού βρόχο το τελεστικού ενισχτή CMOS δύο σταδίων: A A A 6 (ro // ro4 ) (ro6 // ro 7) ιαφορικός Ενισχτής MOS