ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

Σχετικά έγγραφα
ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)

Εισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

Φυσική για Μηχανικούς

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Φυσική για Μηχανικούς

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2

Ανάλυση και υλοποίηση ταλαντωτή τύπου Colpitts

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 3 η Εργαστηριακή Άσκηση

Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης. Πριν την εξοµοίωση Σχεδίαση. Εξοµοίωση CMOS VLSI κυκλωµάτων 2

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4

Σημειώσεις για την Άσκηση 2: Μετρήσεις σε RC Κυκλώματα

Ηλεκτρονικά Ισχύος II

Εργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI

Ο πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας.

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε λογικά δίκτυα πολλών σταδίων

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Ηλεκτρικές Μηχανές Βιομηχανικοί Αυτοματισμοί. Ημιανορθωτής. Πλήρης ανορθωτής

Εργαστηριακή Άσκηση 2. Μεταβατικά φαινόμενα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

Φυσική για Μηχανικούς

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

Κεφάλαιο 26 DC Circuits-Συνεχή Ρεύματα. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ ΠΡΟΣΠΑΘΕΙΑ ΣΑΣ ΚΙ 2014

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ. Το ιδανικό κύκλωμα LC του σχήματος εκτελεί αμείωτες ηλεκτρικές ταλαντώσεις, με περίοδο

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

V Vin $N PULSE 1.8V p 0.1p 1n 2n M M1 $N 0002 $N 0001 Vout $N 0002 MpTSMC180 + L=180n + W=720n + AD=0.324p + AS=0.

ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ Εισαγωγή Αντικείμενο πτυχιακής εργασίας.σελ Περιεχόμενα εγχειριδίου Αναφοράς Προγραμμάτων.. σελ. 3

ΑΣΚΗΣΗ 7. ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C. C out

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΕΤΑΓΩΓΙΚΟΙ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΤΕΣ. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΔΙΑΓΡΑΜΜΑΤΑ BODE ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΟ ΤΕΥΧΟΣ ΣΗΜΕΙΩΣΕΩΝ

Flip-Flop: D Control Systems Laboratory

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 4 η Εργαστηριακή Άσκηση

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου Ι

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Πολυδονητές. Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑΤΑ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΜΕΤΑΓΩΓΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΟΥ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΥ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

ΑΣΚΗΣΗ 6 ΦΟΡΤΙΣΗ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΘΕΜΑ 1 ο (3.5 μονάδες) V CC R C1 R C2. R s. v o v s R L. v i I 1 I 2 ΛΥΣΗ R 10 10

Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων

Το χρονικό διάστημα μέσα σε μια περίοδο που η ενέργεια του μαγνητικού πεδίου αυξάνεται ισούται με:

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ ΗΜΥ 444

ΗΜΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εβδομαδιαία Εξέταση 4 Τετάρτη 31/10/2007

του διπολικού τρανζίστορ

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

Α.3. Στην παρακάτω συνδεσμολογία οι τέσσερις αντιστάσεις R 1, R 2, R 3 και R 4 είναι διαφορετικές μεταξύ τους. Το ρεύμα Ι 3 δίνεται από τη σχέση:

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Πειράµατα Φυσικής µε το MultiLog

ΑΣΚΗΣΗ 6. Μελέτη συντονισμού σε κύκλωμα R,L,C, σειράς

1. Ιδανικό κύκλωμα LC εκτελεί ηλεκτρικές ταλαντώσεις και η χρονική εξίσωση του φορτίου του πυκνωτή

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

Απόκριση συχνότητας ενισχυτή CE (I)

Transcript:

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ PROJECT ΠΡΟΒΛΗΜΑ 6.7 ΑΠΟ ΤΟ ΒΙΒΛΙΟ ΤΟΥ RABAEY DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS ΜΕ ΘΕΜΑ: ΑΝΑΛΥΣΗ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ ΕΝΟΣ ΤΑΛΑΝΤΩΤΗ Σχοινιανάκης Δημήτριος (4853)

ΔΕΔΟΜΕΝΑ ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΟΣ Δίνεται το κύκλωμα ενός ταλαντωτή (oscillator) για τον οποίον υποθέτουμε ότι η καθυστερήσεις των αντιστροφέων, οι αντιστάσεις των MOS τρανζίστορ και όλοι οι εσωτερικοί πυκνωτές μπορούν να παραλειφθούν. Η switching threshold τάση του αντιστροφέα είναι 1.25 V. Επίσης υποθέτουμε αρχικά, ότι οι τάσεις στους κόμβους Y και Z είναι 0 και 2.5 V αντίστοιχα. Ζητείται να αναλυθεί η συμπεριφορά του κυκλώματος και να δοθούν οι κυματομορφές τάσης των κόμβων Α, Β, Χ, Υ και Ζ. Επιπλέον ζητείται να προσδιορισθεί η συχνότητα λειτουργίας του ταλαντωτή. 1. Θεωρητική ανάλυση Ξεκινάμε την ανάλυσή μας από τις αρχικές συνθήκες που μας δίνει το πρόβλημα. Η τάση στο Υ είναι 0 V και στο Z 2.5 V. Έτσι, η τάση στη πύλη των τρανζίστορ N 2 και P 2 είναι 2.5 V πράγμα που σημαίνει ότι το Ν 2 άγει (V z > V t ) και το P 2 είναι στην αποκοπή. Επίσης υποθέτοντας ότι οι πυκνωτές είναι αρχικά αφόρτιστοι και δεδομένου ότι οι τάσεις στους κόμβους Α (V A ) και Β (V B ) εξαρτώνται από το φορτίο των πυκνωτών, αρχικά είναι 0 V και 2.5 V αντίστοιχα. Συνεχίζοντας, υποθέτουμε λογικά ότι η τάση στον κόμβο Χ είναι σε υψηλό δυναμικό και άρα το τρανζίστορ Ν 1 δεν άγει και το P 1 άγει ( V x V y > V t ). Αυτό έχει σαν αποτέλεσμα να αρχίζει σιγά σιγά να εκφορτίζεται ο πυκνωτής C 1, δηλαδή να πέφτει η τάση στο Β και επομένως αρχίζει το P1 να άγει ολοένα και περισσότερο (αφού ανεβαίνει το V sd του) με αποτέλεσμα να πέφτει σταδιακά η τάση στον κόμβο Χ. Ο χρόνος t 1 που χρειάζεται για τη τάση στον κόμβο Χ και - 2 -

Β να πέσει σε V dd /2 εξαρτάται από τη χωρητικότητα C 1 και από τη πηγή ρεύματος Ι 1. Παράλληλα, ο πυκνωτής C 0 φορτίζεται, αλλά πιο αργά, αφού καθώς φορτίζεται ανεβαίνει η τάση στο Α και επομένως άγει περισσότερο το Ν 2. Όταν πέσει επαρκώς η τάση στο Χ (κοντά στο switching threshold σημείο του αντιστροφέα), αλλάζει η τιμή του Υ και του Ζ με αποτέλεσμα να σταματήσει να άγει το P 1 και το Ν 2 και να αρχίσουν να άγουν τα P2 και Ν1. Αυτό προκαλεί άμεση ανύψωση της τάσης στο Β, ενώ ο κόμβος Α αρχίζει να φορτίζει μέσω του I 0, ανεβάζοντας τη τάση στο Χ. Μετά λοιπόν από κάποιο χρονικό διάστημα (t 2 ), η τάση στο Χ ανεβαίνει πάλι σε V dd /2, και προκαλεί νέα αλλαγή στην κατάσταση του αντιστροφέα. Από εκεί και πέρα επαναλαμβάνεται η προηγούμενη διαδικασία. 2. Θεωρητικά υπολογισμένες κυματομορφές Με βάση τη παραπάνω περιγραφή σχεδιάζουμε τις κυματομορφές των κόμβων. Σχήμα 2. Θεωρητικά υπολογισμένες κυματομορφές - 3 -

Στο παραπάνω σχήμα δείχνεται πώς πέφτει η τάση στον κόμβο Χ κατά την εκφόρτιση του πυκνωτή C 1 και πώς ανεβαίνει η τάση στον Α κατά την φόρτιση του πυκνωτή C 0. Οι τάση στον κόμβο Ζ προσπαθεί ν ακολουθήσει τη τάση στον Χ και η τάση στον Υ είναι αντίθετη της Χ και της Ζ. 4. Υπολογισμός συχνότητας λειτουργίας Είδαμε σε προηγούμενο εδάφιο πως ορίζονται οι χρόνοι t 1 (χρόνος που χρειάζεται για τη τάση στον κόμβο Χ και Β να πέσει σε V dd /2) και t 2 (χρόνος που χρειάζεται για τη τάση στον κόμβο Χ και Α να ανέβει σε V dd /2). Είδαμε επίσης ότι αυτοί οι χρόνοι εξαρτώνται από το τα ρεύματα Ι 0 και Ι 1 και τους πυκνωτές C 0 και C 1. Η εξάρτηση αυτή φαίνεται στις παρακάτω σχέσεις: t CΔ V 1pF 1.25V 1 1 = = = I1 1.4μΑ 0.9μs t 2 C Δ V 1pF 1.25V I 4.2μΑ 0 = = = 0 0.3μs Συνεπώς η περίοδος θα είναι T = t1+ t2 = 0.9μs+ 0.3μs = 1.2μs και η period συχνότητα λειτουργίας του κυκλώματος θα είναι: f 1 1 = = = 0.83MHz 6 T 1.2 10 s period 5. Το μοντέλο Spice Για την εξομοίωση του κυκλώματός μας, χρησιμοποιήσαμε το παρακάτω μοντέλο του Spice. Παραθέτουμε τα αποτελέσματα της εξομοίωσης μετά τον κώδικα και παρατηρούμε ότι οι θεωρητικοί υπολογισμοί μας ήταν σωστοί..include '.\scmos.mod *netlist---------------------------------------.param SUPPLY=2.5V + SRISE=1pS SFALL=10pS SHIGH=5nS SPERIOD =10nS + TR_STEP=5ps TR_FINAL=240ns + DC_STEP=0.1 DC_FINAL=SUPPLY DC_INIT=0 + LAMBDA=0.125U WPWN_R=2 + PW='WPWN_R*2*LAMBDA' PL='2*LAMBDA' NW='2.4*LAMBDA' NL='2*LAMBDA' + PAS='19*LAMBDA*LAMBDA' PPS='15*LAMBDA' PAD='19*LAMBDA*LAMBDA' PPD='15*LAMBDA' + NAS='19*LAMBDA*LAMBDA' NPs='15*LAMBDA' - 4 -

NAD='19*LAMBDA*LAMBDA' NPD='15*LAMBDA' VDD VDD 0 SUPPLY MpB1 b y x VDD CMOSP L=PL W=PW AS=PAS PS=PPS AD=PAD MpB2 b z VDD VDD CMOSP L=PL W=PW AS=PAS PS=PPS AD=PAD MnA1 a y x 0 CMOSN L=NL W=NW AS=NAS PS=NPS MnA2 a z 0 0 CMOSN L=NL W=NW AS=NAS PS=NPS Mipy y x VDD VDD CMOSP L=PL W=PW AS=PAS PS=PPS AD=PAD Miny y x 0 0 CMOSN L=NL W=NW AS=NAS PS=NPS Mipz z y VDD VDD CMOSP L=PL W=PW AS=PAS PS=PPS AD=PAD Minz z y 0 0 CMOSN L=NL W=NW AS=NAS PS=NPS AD=NAD PD=NPD C0 A 0 1pF C1 B 0 1pF I0 VDD A 4.2u I1 B 0 1.4u.ic V(x)=2.5V V(y)=0 V(z)=2.5v *extra control information---------------------.options post=2 nomod.op * Measure--------------------.MEASURE TRAN t1 TRIG v(y) VAL='0' CROSS=1 TARG v(y)val='supply/2' CROSS=1.MEASURE TRAN t2 TRIG v(y) VAL='supply/2' CROSS=1 TARG v(y)val='supply/2' CROSS=2.MEASURE TRAN t_period TRIG v(y) VAL='supply/2' CROSS=1 TARG v(y) VAL='supply/2' CROSS=3.MEASURE DC Vm+ WHEN V(out)=V(in) *analysis--------------------------------------.tran TR_STEP TR_FINAL.END Από το PSpice πήραμε τις πραγματικές τιμές για τους χρόνους και είναι t 1 =1.2μs, t 2 = 0.15 μs και Tperiod = 1.35 μs Αυτό που μπορούμε να συνάγουμε σαν χρήσιμο συμπέρασμα, είναι το ότι μπορούμε να μεταβάλλουμε τους χρόνους t 1, t 2 μεταβάλλοντας απλώς τις χωρητικότητες C 0, C 1! - 5 -