Μια εισαγωγή στο ψυχρό πλάσμα ηλεκτρικών εκκενώσεων ως πολυ-εργαλείο για τη νανοτεχνολογία

Σχετικά έγγραφα
Physical vapor deposition (PVD)-φυσική εναπόθεση ατμών

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si

Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας

Επαφές μετάλλου ημιαγωγού

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο

Σύγχρονες Τεχνικές Λέιζερ στον Έλεγχο της Λειτουργικότητας Συνθετικών Μονωτήρων Προκλήσεις και Προοπτικές

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS)

ρ ε υ ν α Οι ανάγκες για ενέργεια παγκοσμίως αυξάνονται συνεχώς και εκτιμάται ότι θα διπλασιασθούν

ΔΙΕΘΝΕΣ ΣΥΣΤΗΜΑ ΜΟΝΑΔΩΝ (S.I.)

2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός

Ανθεκτικότητα Υλικών και Περιβάλλον

ΧΗΜΙΚΗ ΕΝΑΠΟΘΕΣΗ ΜΙΚΡΟΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟΥ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΜΕ ΠΛΑΣΜΑ ΥΨΗΛΗΣ ΠΥΚΝΟΤΗΤΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ

Φασματομετρία μαζών. Αρχή Οργανολογία Τεχνικές Ομολυτική ετερολυτική σχάση Εφαρμογές GC/MS, LC/MS ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΜΑΖΩΝ ΟΡΙΣΜΟΙ

Το πιο μικρό και συμπαγές LASER μεγάλης ισχύος για την φυσικοθεραπεία και την φυσική αποκατάσταση

Σύνθετοι φωτονικοί κρύσταλλοι οξειδίου του γραφενίου και διοξειδίου τιτανίου

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων

ΒΙΟΦΥΣΙΚΗ. Αλληλεπίδραση ιοντίζουσας ακτινοβολίας και ύλης.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή

ΤΕΛΟΣ 1ΗΣ ΑΠΟ 5 ΣΕΛΙΔΕΣ

Διατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΤΕΡΕΩΝ ΥΛΙΚΩΝ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΟ. Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης ή Διαπερατότητας

ΛΥΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΩΝ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΕΙΑ (Α. Χημική Θερμοδυναμική) H 298

Διεργασίες Παραγωγής Ηλεκτρονικών Υλικών Ενότητα 4: Φυσικές & Φυσικοχημικές Διεργασίες

Φυσική των lasers. Φυσική των lasers. K. Κοσμίδης Καθηγητής Τμήμα Φυσικής, Παν/μίου Ιωαννίνων Ε.Υ. Κέντρου Εφαρμογών Laser

ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Β ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΕΜΠΤΗ 13 ΣΕΠΤΕΜΒΡΙΟΥ 2001 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ETY-202. Εκπομπή και απορρόφηση ακτινοβολίας ETY-202 ΎΛΗ & ΦΩΣ 12. ΎΛΗ & ΦΩΣ. Στέλιος Τζωρτζάκης 21/12/2012

Νανο-τεχνολογία. Νανο-Επιστήμη. Προσέγγιση από κάτω προς τα πάνω

Βασικά σωματίδια της ύλης

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ

ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΗ ΕΞΕΤΑΣΗ ΦΥΕ22 (ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΕΙΑ) 2 ο Μέρος: ΑΣΚΗΣΕΙΣ (75 %) Διάρκεια: 3 ώρες και 45 λεπτά ( ) Α. Χημική Θερμοδυναμική

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ Β. συντελεστής απόδοσης δίνεται από τη σχέση e = 1

ΡΑΔΙΟΛΥΣΗ: Χημικά και Βιοχημικά φαινόμενα παρατηρούμενα σε υλικό μετά την έκθεσή του σε ιοντίζουσες ακτινοβολίες υψηλής ενέργειας

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ 2013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

December 18, M + hv = M + + e + E kin (1) P ki = σ ki n L (2)

ΟΡΟΣΗΜΟ ΘΕΜΑ Δ. Δίνονται: η ταχύτητα του φωτός στο κενό c 0 = 3 10, η σταθερά του Planck J s και για το φορτίο του ηλεκτρονίου 1,6 10 C.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΕΙΑ I Ασκήσεις

ΦΥΣΙΚΗ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ 2006 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

B' ΤΑΞΗ ΓΕΝ.ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ÅÐÉËÏÃÇ

ΘΕΜΑ 1 ο Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της ερώτησης και δίπλα το γράμμα, που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. 1.

ΚΟΠΗ ΜΕ ΗΛΕΚΤΡΟΔΙΑΒΡΩΣΗ ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING ΜΗΧΑΝΟΥΡΓΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΙΙ

Αγωγιμότητα στα μέταλλα

ΜΟΝΑΔΕΣ ΚΑΙ ΟΡΟΙ ΤΗΣ ΔΟΣΙΜΕΤΡΙΑΣ

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ασκήσεις Φασµατοσκοπίας

Ακτίνες επιτρεπόμενων τροχιών (2.6)

Κεφάλαιο 13 Φασματοσκοπία

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΧΗΜΕΙΑ / Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: ΕΠΙΜΕΛΕΙΑ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑΤΟΣ: Θεοδοσία Τσαβλίδου, Μαρίνος Ιωάννου ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ

ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ

ΘΕΜΑ 1 ο Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της ερώτησης και δίπλα το γράμμα, που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.

Η επαφή p n. Η επαφή p n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου p

Η πυκνότητα του νερού σε θερμοκρασία 4 C και ατμοσφαιρική πίεση (1 atm) είναι ίση με 1g/mL.

Θεωρητική Εξέταση. Τρίτη, 15 Ιουλίου /3

ΠΡΩΤΟΓΕΝΗ & ΔΕΥΤΕΡΟΓΕΝΗ ΔΟΣΙΜΕΤΡΑ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΆ ΥΛΙΚΆ. 1. Η Δομή των Στερεών Καταλυτών. 2. Παρασκευή μη Στηριγμένων Καταλυτών

Επίπλευση με αέρα (Dissolved Air Flotation)

ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ Ενότητα:

ΛΥΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΑ ΤΕΛΙΚΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΕΙΑ - ΑΣΚΗΣΕΙΣ α.ε Διάρκεια: 3 ώρες και 30 λεπτά ( ) Α. Χημική Θερμοδυναμική

ΣΥΝΤΗΞΗ: Ένας Ήλιος στο Εργαστήριο

ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΑΕΡΙΩΝ ΘΕΩΡΙΑ

Μη-κρυσταλλικάστερεάκαιύαλοι (non-crystalline solids and glasses)

Προϊοντικό φυλλάδιο. Ηλεκτρονικοί μετρητές ενέργειας σειράς C Οικονομικοί και εύκολοι στη χρήση

Μοριακή Φασματοσκοπία I. Παραδόσεις μαθήματος Θ. Λαζαρίδης

Τμήμα Φυσικής Πανεπιστημίου Κύπρου Χειμερινό Εξάμηνο 2016/2017 ΦΥΣ102 Φυσική για Χημικούς Διδάσκων: Μάριος Κώστα

Αγωγιμότητα στα μέταλλα

διατήρησης της μάζας.

(Β' Τάξη Εσπερινού) Έργο Ενέργεια

Πρόοδος µαθήµατος «οµικής και Χηµικής Ανάλυσης Υλικών» Χρόνος εξέτασης: 3 ώρες

ΑΤΟΜΙΚΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΦΑΣΜΑΤΑ. Οι Φασματικοί Σωλήνες (Spectrum Tubes)

Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας. Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός

ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Β ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 11 ΣΕΠΤΕΜΒΡΙΟΥ 2002 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

1 o ΓΕΛ ΕΛΕΥΘΕΡΙΟΥ ΚΟΡΔΕΛΙΟΥ ΧΗΜΕΙΑ A ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ, ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 1. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1- ΒΑΣΙΚΑ ΜΕΓΕΘΗ-ΣΩΜΑΤΙΔΙΑ - Τι πρέπει να γνωρίζουμε

ΓΕΝΙΚΟΤΕΡΕΣ ΜΟΡΦΕΣ ΤΗΣ ΥΔΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΞΙΣΩΣΗΣ (πραγματική ατμόσφαιρα)

ΤΕΛΟΣ 1ΗΣ ΑΠΟ 5 ΣΕΛΙ ΕΣ

Βιβλιογραφία C. Kittel: Εισαγωγή στη ΦΣΚ (5 η εκδ. 8η) Ashcroft, Mermin: ΦΣΚ Ε.Ν. Οικονόμου, ΦΣΚ, Π.Ε.Κ. Κρήτης

Διάλεξη 7: Μοριακή Δομή

Το υποσύστηµα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά µεγέθη γενική δοµή και συγκρότηση

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΦΥΣΙΚΗ Γ ΤΑΞΗΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2003

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΑΚΗ ΔΟΜΗ ΤΩΝ ΑΤΟΜΩΝ ΚΑΙ ΠΕΡΙΟΔΙΚΟΣ ΠΙΝΑΚΑΣ

Συστήματα Ανάκτησης Θερμότητας

ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ NATIONAL TECHNICAL UNIVERSITY OF ATHENS

ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ : ΦΥΣΙΚΗ ΠΡΟΣΑΝΑΤΟΛΙΣΜΟΥ ΤΑΞΗ : Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΠΕΡΙΟΔΟΥ : MAΡΤΙΟΣ 2017

ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ-ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ

Σχ. 1: Τυπική μορφή μοριακού δυναμικού.

Επιτροπάκη Ειρήνη. Xianghui Xu,Hui Yuan,Jing Chang,Bin He and Zhongwei Gu. Angew.Chem.Int.Ed. 2012,51,1-5

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης

Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υλικών Θερμικές Ιδιότητες Callister Κεφάλαιο 20, Ashby Κεφάλαιο 12

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα

Δρ. Ιωάννης Καλαμαράς, Διδάκτωρ Χημικός. Όλα τα Σωστό-Λάθος της τράπεζας θεμάτων για τη Χημεία Α Λυκείου

ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΚΑΙ Δ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΔΕΥΤΕΡΑ 20 ΜΑΪΟΥ 2013 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ

Αιωρήματα & Γαλακτώματα

ΘΕΜΑΤΑ ΤΕΛΙΚΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΕΙΑ (Α. Χημική Θερμοδυναμική) 1 η Άσκηση 1000 mol ιδανικού αερίου με cv J mol -1 K -1 και c

Transcript:

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. & Τεχνολογίας Υπολογιστών Εργαστήριο Υψηλών Τάσεων svarnas@ece.upatras.gr Μια εισαγωγή στο ψυχρό πλάσμα ηλεκτρικών εκκενώσεων ως πολυ-εργαλείο για τη νανοτεχνολογία Δρ Π. Σβάρνας Επικ. Καθηγητής 1

Πλάσμα ΝανοΕπιστήμη ενέργεια επιφάνειες βιοϊατρική μικροπλάσμα περιβάλλον ηλεκτρονική βιοϋλικά ΜΕΜΣ 2

Πλάσμα ηλεκτρικών εκκενώσεων Εμπεδοκλής 495 435 π.χ. 495-435 π.χ. συνεχής προσφορά ενέργειας σε αέριο (συνήθως ηλεκτρικής) 3

Πλάσμα: ένα ολόκληρο χημικό εργαστήριο Ηλεκτρόνιο + Μόριο ελαστικές κρούσεις ανελαστικές κρούσεις διεγέρσεις ιονισμός ηλεκτρονική δονητική περιστροφική ηλεκτρόνια θετικά ιόντα προσάρτηση αρνητικά ιόντα αποσύνθεση άτομα ρίζες διεγερμένα μόρια διεγερμένα άτομα μετασταθή VUV-UV-Visible-IR Ε Π Ι Φ Α Ν Ε Ι Ε Σ 4

Βασικές παράμετροι πλάσματος Πυκνότητα ηλεκτρονίων Κατανομή ενέργειας ηλεκτρονίων Ενέργεια ουδετέρων Πυκνότητα μετασταθών Πυκνότητα θετικών/αρνητικών ιόντων Μήκος Debye Συχνότητα πλάσματος Πυκνότητα ελεύθερων ριζών Ενεργές διατομές, κ.α. 5

Τυπικό σύστημα πλάσματος χαμηλών πιέσεων PECVD, RIE χημική τροποποίηση 6

Θερμικό vs. Ψυχρό πλάσμα Θερμικό πλάσμα Υψηλή θερμοκρασία αερίου Te~Ti~Tn~1 ev Υψηλές πυκνότητες φορέων Σφαιροποίηση και Κρυσταλλοποίηση Υψηλός ρυθμός πυρηνοποίησης Κατάλληλο για σύνθεση νανοδομών που απαιτούν υψηλές θερμοκρασίες για πυρηνοποίηση, επιταχυνόμενη ανάπτυξη και παραμένουν δομικά σταθερές στις υψηλές θερμοκρασίες π.χ. ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΕΣ ΑΝΘΡΑΚΑ JPD 40 2223 (2007) ψυχρό πλάσμα (εκτός θερμοδυναμικής ισορροπίας) Χαμηλή θερμοκρασία αερίου Ti~Tn~0.05 ev Te~1-2 ev Σχετικά χαμηλές πυκνότητες φορέων Κατάλληλο για ό,τι δομή απαιτεί χαμηλή θερμοκρασία επεξεργασίας π.χ. επιστρώσεις μικροηλεκτρονικής, πολυμερή κ.α. Επίσης για ευαίσθητες νανο-οργανώσεις που απαιτούν ελεγχόμενη και χαμηλή παροχή δομικών στοιχείων. 7

Διαδικασίες βασισμένες σε ψυχρό πλάσμα 8

Νανο-γρασίδι από RF πλάσμα H2 (13.56 MHz, 300 khz dual frequency) 10 20 30 40 50 min 0. 100, 200, 300 W σε υποστρώματα Si (20 min) Αντι-ανακλαστικές επιφάνειες JPD 40 2242 (2007) 9

Υποβοηθούμενη από πλάσμα δημιουργία χημικών νανο-μοτίβων για βιο-διεπιφάνειες 1/2 Εγχάραξη: ICP με μαγνητικά πεδία RF-πολωμένο υπόστρωμα παλμικό RF: αντιρρυπαντικό στρώμα νανοσφαίρες PS RF 13.56 MHz PECVD: σταθερότητα υμενίου PAA υδρόφιλο αρνητικά φορτισμένο, άρα απωθεί τις σφαίρες που είναι επίσης αρνητικά φορτισμένες και τέλος φέρει και ομάδες καρβοξυλίου με μία μόνο διαδικασία (παλμικό RF), άρα καλές συνθήκες για δέσιμο πρωτεϊνών ακινητοποίηση πρωτεϊνών JPD 40 2341 (2007) 10

Υποβοηθούμενη από πλάσμα δημιουργία χημικών νανο-μοτίβων για βιο-διεπιφάνειες 2/2 200 W / 150 V Θερμοκρασία υαλώδους μετάβασης PS βελτιστοποίηση διαδικασίας JPD 40 2341 (2007) 150 W / 100 V 11

Νανοκρύσταλλοι Si κυβικής μορφής για νανοηλεκτρονικές συσκευές (5% SiH4, He, Ar, 200-270 Pa) FET βασισμένο σε νανοκρυστάλλους Si JPD 40 2247 (2007) 12

Σύνθεση μεγάλων πινάκων καλά ευθυγραμμισμένων νανοσωλήνων άνθρακα επί υάλου για οθόνες ψυχρής καθόδου RF magnetron sputtering NΗ3 etching του Ni, χωρίς C2H2 Ni <40 nm Ni πάνω σε γυαλί εισαγωγή C2Η2 για 10 min 3 min etching 100 nm / 20 μm Science 282 1105 (1998) 13

Διαδικασίες βασισμένες σε θερμικό πλάσμα 14

έλεγχος μεγέθους TiO2 NPs σε RF επαγωγικό θερμικό πλάσμα liquid precursor: A) 0.1 mol Ti(OC4H9)4 + 0.4 mol HN(OC2H5)2 B) (Eu/Eu+Ti=0,0.05,0.1 έως 5 atom%) + 20 ml H2O Liquid precursor = A+B= stable clear solution JPD 40 2348 (2007) 15

επίδραση της τιμής ροής και της φοράς του αέριου ψύξης (quenching gas) χωρίς αέριο ψύξης d50% = 52 nm JPD 40 2348 (2007) 100 slm Ar περιμετρικά d50% = 52 nm 100 slm Ar αντίθετα d50% = 34 nm 16

Εξομοίωση της ροής του αερίου και του πεδίου θερμοκρασίας κουκκίδες=σωματίδιο ελέγχου απουσία αερίου ψύξης JPD 40 2348 (2007) 100 slm Ar περιμετρικά 100 slm Ar αντίθετα 17

Σχηματισμός νανοδομών από Παραγωγή Νανο-σωματιδίων σε θερμικό πλάσμα εντός υγρών Ηλεκτρικό Τόξο εντός Ύδατος D.C. power supply + 035 A Y 10:1 15 400 A X P.C. PM.T -300 V I.C.C.D. διάσπαση H2O, ανοδικό τόξο, υπερκορεσμός ατμών... JPD 42 245204 (2009) 18

Νανοσφαιρίδια Al2O3 Νανοσωλήνες C Πιο σύνθετες δομές; δομές; IEEE TPS 39 2628 (2011) 19

Σχηματισμός core-shell νανοσφαιριδίων σε θερμικό πλάσμα εντός υγρών ( ) bubble plasma region 5 nm Ta Cu O C holder (+) διηλεκτρικές νανοσκόνες M ater. Lett. 65 2337 (2011) 20

φασματοσκοπία οπτικής εκπομπής ταυοποίηση ριζών, ιόντων κ.α. & υπολογισμός ενεργειών 20 60 a. 10 30 0 0 100 50 0 0 1000 3000 500 1500 0 0 current (A) 1 2 3 4 6 7 1 2 3 2 3 4 5 6 7 8 4 5 arc time (s) 6 7 8 power (W) 1 Ta322.38 8 b. voltage (V) 4 Cu+329.04SP x 10 15 OES intensity (au) Ta514.16SP 10 Cu327.39 5 5 Cu+425.56 d. Cu++ (520.8)SP Ha~656 c. O+720.2 0 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850 wavelength (nm) 21

Διαδικασίες βασισμένες σε μικρο μικρο-πλάσμα πλάσμα : ένα ανερχόμενο γνωστικό αντικείμενο 22

Τα micro-plasmas του Εργαστηρίου Υ.Τ. 10 khz 2.1 slm 20 mm 04 kv i) 05 kv 06 kv 07 kv 08 kv 09 kv 10 kv 11 kv 10 kv 2.1 slm 20 mm 07 khz ~10 mm 08 khz 09 khz ii) 20 μs/div iii) 0.5 μs/div iv) 2 μs/div 10 khz 11 khz 12 khz iii iv 13 khz 14 khz 15 khz 16 khz 17 khz 18 khz IEEE TPS 39 2396 (2011) 23

Ελεγχόμενες νανοκατασκευές με μικροπλάσμα: από νανοδομές σε νανοαρχιτεκτονική ignition pulse 5 kv 450 MHz, 31 W πυρίτιο μολυβδαίνιο βασικές παράμετροι: μήκος & εγκάρσια διατ. ανόδου? νανοσφαίρες JPD 42 092002 (2009) νανοφύλλα σύνθετες δομές 24

Ανεξάρτητος έλεγχος μεγέθους και σύνθεσης νανοσωματιδίων Σύνθεση σε ΑΕΡΙΑ ΦΑΣΗ Πρόδρομοι νανοσωματιδίων: ferrocene & nickelocene Η υψηλή πυκνότητα ενεργητικών ηλεκτρονίων στην ατμοσφαιρική πίεση επιτρέπει τη μη-θερμική αποσύνθεση των ατμών προς σχηματισμό δραστικών ριζών. Σε αυτές τις πιέσεις οι κρούσεις αέριας φάσης είναι αυξημένες, οδηγώντας σε μοναδικές δυνατότητες σύνθεσης νανοσωματιδίων. Επίσης η συνεχής ροή σε αυτούς τους αντιδραστήρες μικρών γεωμετριών περιορίζουν τον χρόνο παραμονής των νανοδομών στις περιοχές σύνθεσης, καταλήγοντας σε μικρότερες διαστάσεις των δομών και σε στενότερες κατανομές αυτών. JPD 19 034011 (2010) 25

Διαγνωστικές τεχνικές ψυχρού πλάσματος 26

καθετήρας ροής ιόντων κριτήριο του Bohm guard probe dvbias/dt = ea[γi Γe(Vbias)]/Cp Γi=n+ { [(n-+ne)kt-te] / [(n-te+net-)m] }1/2 27

Φωτοαπόσπαση ηλεκτρονίων από αρνητικά ιόντα με χρήση Laser 28

αυτοματοποιημένο σύστημα παραγωγής νανοδομών άνθρακα σε θερμικό πλάσμα εντός ύδατος νανοσωλήνες νανοράβδοι άμορφος νανοκρεμμύδια άνθρακας άνθρακας με νανοπόρους RSI 76 033903 (2005) φύλλα γραφενίου 29

Γενικά Συμπεράσματα Το ψυχρό πλάσμα ως ένα πολυ-εργαλείο για τη νανοτεχνολογία, παρουσιάζει τα ακόλουθα πλεονεκτήματα έναντι άλλων μεθόδων: νανοράβδοι Ιδιαίτερα χημικά δραστικό μέσο Πληθώρα πιθανών χημικών διεργασιών Φιλικό στο περιβάλλον Ποικιλία παραμέτρων για έλεγχο διαδικασιών Μεγάλη ευελιξία μέσω ηλεκτρικών/ηλεκτρονικών διατάξεων άμορφος νανοκρεμμύδια άνθρακας Επεκτασιμότητα σε μεγάλη κλίμακα Η κύρια ίσως πρόκληση είναι η άμεση συνεργασία επιστημόνων υλικών με plasmaciens για τη βελτιστοποίηση κι επέκταση διαδικασιών ως άνθρκαςτων με μετατοπισμένα νανοπόρους φύλλα γραφενίου προς τη νανοτεχνολογία 30