Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

Σχετικά έγγραφα
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

του διπολικού τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης


Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 2

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

Ηλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 7

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Το διπολικό τρανζίστορ

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

Σχεδίαση τάσης αναφοράς Bandgap σε τεχνολογία ΙΒΜ 90 nm

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Ενισχυτές με Ανασύζευξη-Ανάδραση

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

D 2 D kω 100V 25V

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΤΑΣΗΣ ΑΝΑΦΟΡΑΣ (BANDGAP REFERENCE)

και Ac είναι οι απολαβές διαφορικού και κοινού τρόπου του ενισχυτή αντίστοιχα.

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

Διαφορικοί Ενισχυτές

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙII. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

To π-ισοδύναμο μοντέλο του BJT

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 2η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 28/01/2015

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 15/09/2016

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΘΕΜΑ 1 ο (3.5 μονάδες) V CC R C1 R C2. R s. v o v s R L. v i I 1 I 2 ΛΥΣΗ R 10 10

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 5

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

ΘΕΜΑ : ΒΑΣΙΚΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ. ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1περίοδος

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 16/02/2010 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΕΛΕΓΧΟΣ ΦΩΤΙΣΜΟΥ

Περιοχή φορτίων χώρου

Θα τρέξουµε την εξοµοίωση τύπου Transient για συνολικό χρόνο 200 ms. Αν σχεδιάσουµε αρχικά τις τάσεις πάνω στα πηνία L1 και L2, µπορούµε να διαπιστώσο

2 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Δίοδοι - Επαφή pn. 4 ο 5 ο 6 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΛΥΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΩΝ. στον αναστρέφοντα ακροδέκτη. Στον χρόνο t = 0 η έξοδος υ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

/personalpages/papageorgas/ download/3/

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Transcript:

Ηλεκτρονική ΙIΙ 6 ο εξάμηνο 1. Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών 2. Κυκλώματα ανόρθωσης - δίοδοι zener 3. Κυκλώματα αναφοράς 4. Ενισχυτές ισχύος 5. Ηλεκτρονικά ελέγχου ισχύος 1/38 1 Πηγή ρεύματος Widlar με διπολικά τρανζίστορ Για Ι S1 =I S2 θα είναι: Υπολογισμός του Ι OUT με μέθοδο δοκιμής-λάθους (trial and error). Πηγή κατάλληλη για ρεύματα τάξεως μα. 2

Πηγή ρεύματος Widlar με ΜΟS τρανζίστορ 2βάθμια ως προς Ι OUT Για Ι OUT > 0 θα είναι: OUT 3 Πηγή μεγίστου ρεύματος με διπολικά τρανζίστορ Για σχεδίαση: Πηγή κατάλληλη για ρεύματα τάξεως nα. 4

Πηγή μεγίστου ρεύματος με MOS τρανζίστορ (1) Για τρανζίστορ στον κορεσμό: Για τρανζίστορ σε ασθενή αναστροφή ισχύει: Για V DS1 > 3V T θα είναι: όπου : 5 Πηγή μεγίστου ρεύματος με MOS τρανζίστορ (2) 6

Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Απλός καθρέπτης 7 Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Πηγή Widlar με BJT (1) 8

Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Πηγή Widlar με BJT (2) I IN Aν S 1 Για παράδειγμα, για: S V CC προκύπτει: 9 Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Πηγή Widlar με ΜΟS I IN I OUT SV 1 S V 0. 5 DD DD 10

Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Άλλες τάσεις για αναφορά (εκτός από την τροφοδοσία): Τάση V BE ( ) Τάση V t εξάρτηση από θερμοκρασία ( ) Τάση V T ( 26 mv) (+) Τάση V Ζ πρόβλημα η μεγάλη τιμή της 11 Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Αναφορά που βασίζεται στην τάση V BE I IN Aν 1 S V CC 12

Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Αναφορά που βασίζεται στην τάση V t Για παράδειγμα, για: I S V IN DD 1 13 Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Τεχνική αυτοδιέγερσης ή αυτοπόλωσης 14

Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την V BE Κύκλωμα εκκίνησης (start-up) 15 Ευαισθησία ως προς την τάση τροφοδοσίας Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την V t Κύκλωμα εκκίνησης (start-up) 16

Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την V BE Εξάρτηση από την θερμοκρασία Κλασματικός συντελεστής θερμοκρασίας: Αρνητικός Θετικός 17 Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την V BE Παράδειγμα υπολογισμού Για το Τ 1 είναι Ι S = 10-14 A, V BE / T= -2 mv/ C, (1/R)( R/ T ) = +1500 ppm / C και I ΟUT = 100 μa. Ζητείται η τιμή της R και ο κλασματικός συντελεστής θερμοκρασίας TC F. 18

Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την V t Εξάρτηση από την θερμοκρασία Κλασματικός συντελεστής θερμοκρασίας: Τιμή συντελεστή παρόμοια με εκείνη της πηγής με αναφορά στην V BE. 19 Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την V BE σε τεχνολογία CMOS Παρασιτικό pnp τρανζίστορ σε τεχνολογία CMOS n-well 20

Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την θερμική τάση V T Εξάρτηση από την θερμοκρασία Q3 = Q4 2 Q1 = Q2 Τιμή συντελεστή πολύ μικρότερη από εκείνη της πηγής με αναφορά στην V BE, αφού οι δύο ευαισθησίες στο δεξί μέλος είναι θετικές. 21 Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την V Τ Παράδειγμα υπολογισμού Είναι (1/R)( R/ T ) = +1500 ppm / C, I ΟUT = 100 μa και Τ= 300 Κ. Ζητείται η τιμή της R2 και ο κλασματικός συντελεστής θερμοκρασίας TC F. 22

Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την θερμική τάση V T σε τεχνολογία CMOS Παρασιτικά pnp τρανζίστορ σε τεχνολογία CMOS n-well Τα Μ3 και Μ4 πρέπει να είναι απόλυτα ταιριασμένα 23 Πηγή αυτοπόλωσης με αναφορά την θερμική τάση V T σε τεχνολογία CMOS Παρασιτικά pnp τρανζίστορ σε τεχνολογία CMOS n-well Χρήση κασκοδικών τρανζίστορ για βελτίωση ακρίβειας και απόρριψης τροφοδοσίας. 24

Κύκλωμα με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης (Band-gap reference) Κύκλωμα αναφοράς ιδανικά ανεξάρτητο της θερμοκρασίας Πρακτικά ανεξάρτητο της θερμοκρασίας ρ για συγκεκριμένο ρμ θερμοκρασιακό εύρος Επειδή, πολλές παράμετροι της τεχνολογίας μεταβάλλονται με τη θερμοκρασία, ένα τέτοιο κύκλωμα θα είναι και ανεξάρτητο της τεχνολογίας! Αρχή λειτουργίας: Πρόσθεση δυο σημάτων με αντίθετους θερμοκρασιακούς συντελεστές V ref = V BE + K.V PTAT V PTAT : Τάση ανάλογη της απόλυτης θερμοκρασίας. Δημιουργείται από τη δαφορά διαφορά τάσεων δυο επαφών pn με διαφορετικά ρεύματα 25 Band-gap reference Έστω ότι V 01 = V 02 Τότε V BE1 = V BE2 + ΙR Επομένως ΙR = V BE1 -V BE2 Το πετύχαμε! Απομένει λοιπόν να αναπαράγουμε το ρεύμα της αντίστασης 26

Αφού V BE1 = V T ln(ic/is) V BE1 -V BE2 = V T ln(κ) = ΙR 1 Επομένως Band-gap reference Αρνητικός θερμοκρασιακός συντελεστής Θετικός θερμοκρασιακός συντελεστής 27 Πόλωση με χαμηλή ευαισθησία ως προς την θερμοκρασία Διπολικό κύκλωμα με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης (band-gap reference) Πηγή τάσης αναφοράς 28

Πόλωση με χαμηλή ευαισθησία ως προς την θερμοκρασία Διπολικό κύκλωμα με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης (band-gap reference) Για παράδειγμα, για μηδενικό ΤC F στους 27 C, με γ=3.2 32και α=1 1 θα είναι: 29 Πόλωση με χαμηλή ευαισθησία ως προς την θερμοκρασία Διπολικό κύκλωμα με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης (band-gap reference) 30

Διπολικό κύκλωμα με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης Παράδειγμα υπολογισμού Κύκλωμα τάσης αναφοράς band-gap σχεδιάστηκε για έξοδο 1.262 V και να έχει μηδενικό όtc F στους 27 C. Λόγω διακύμανσης όμως των παραμέτρων η τάση εξόδου στους 27 C είναι 1.280 V. Ζητείται η πραγματική θερμοκρασία μηδενισμού μ του TC F, να γραφεί η V ΟUT σε συνάρτηση ρη ημε τη θερμοκρασία ρ και να βρεθεί ο TC F στους 27 C. (γ=3.2, α=1) ( ) 31 Διπολικό κύκλωμα με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης Ενεργός θερμικός συντελεστής 55 C C < Τ < 125 CC TC F = 44 ppm/ C. 0 C < Τ < 70 CC TC F = 17 ppm/ C. 32

Διπολικό κύκλωμα με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης Υλοποίηση (1) Μειονέκτημα η εξάρτηση του Ι από την τάση τροφοδοσίας V = V + V = V + MV OUT = BE 3 R2 BE 3 33 T Διπολικό κύκλωμα με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης Υλοποίηση (2) Proportional To Absolute Temperature, PTAT 34

Kύκλωμα CMOS με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης Παρασιτικά pnp τρανζίστορ σε τεχνολογία CMOS n-well Ε θ ό άλ ΔV Επιθυμητό μεγάλο ΔV EB. 35 Kύκλωμα CMOS με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης Μεγιστοποίηση οίηση ΔV EB (1) Για πρακτικές τιμές λόγων ρευμάτων περίπου 10, προκύπτει ΔV EB =120 mv. Για διπλασιασμό της ΔV EB (ΔV EB = 240 mv) πρέπει οι λόγοι από 10 να γίνουν 100 που συνεπάγεται 100πλασιασμό της επιφάνειας πυριτίου. 36

Kύκλωμα CMOS με αναφορά την τάση χάσματος ζώνης Μεγιστοποίηση οίηση ΔV EB (2) Για διπλασιασμό της ΔV EB αρκεί ο διπλασιασμός της επιφάνειας πυριτίου. Κύκλωμα CMOS band-gap υψηλών επιδόσεων 37 Παρασιτικά pnp τρανζίστορ σε τεχνολογία CMOS n-well Παράδειγμα κυκλώματος με αυτοπόλωση και αναφορά την θερμική τάση V T 38/38