Θεωρία MOS Τρανζίστορ
|
|
- Ἀμβρόσιος Μιχαλολιάκος
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ I Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Θεωρία MO Τρανζίστορ Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ I Διάρθρωση I ystems ad Comuter Architecture ab 1. Ημιαγωγοί Επαφή. MO τρανζίστορ Λειτουργία 3. Διαμόρφωση μήκους καναλιού 4. Τάση κατωφλίου 5. Κορεσμός ταχύτητας 6. Αγωγή υποκατωφλίου 7. Φαινόμενα δεύτερης τάξης 1
2 Ενεργειακές Ζώνες Ενέργεια Ελεύθερα Ηλεκτρόνια Δέσμια Ηλεκτρόνια Πηγάδι Δυναμικού Εκφυλισμός i 14 i Πυρήνας E Κενή Ζώνη Αγωγιμότητας Απαγορευμένη Ζώνη Πλήρης Ζώνη Σθένους 3 Μονωτές Ημιαγωγοί Μέταλλα E ΜΟΝΩΤΕΣ Ζώνη ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ Ελεύθερα ΜΕΤΑΛΛΑ Αγωγιμότητας Ηλεκτρόνια Απαγορευμένη Ζώνη E Ζώνη Αγωγιμότητας γ Ζώνη Σθένους Οπές Ζώνη Σθένους Ελεύθερο Ηλεκτρόνιο i Οπή Ομοιοπολικός Δεσμός 4
3 Ημιαγωγοί με Προσμίξεις Ελεύθερο Ηλεκτρόνιο As Ημιαγωγοί τύπου Δότες ή προσμίξεις τύπου : είναι οι προσμίξεις που δίνουν φορείς ηλεκτρονίων i Ημιαγωγοί τύπου Δέκτες ή προσμίξεις τύπου : είναι οι προσμίξεις που δίνουν οπές i Οπή B Επαφή Ανοικτού Κυκλώματος (Ι) Οπές Ιόντα Δέκτη Ιόντα Δότη Ένωση Τύπου W 0 W Τύπου Ηλεκτρόνια Περιοχή Απογύμνωσης Η διάχυση οπών προς τα δεξιά και ηλεκτρονίων προς τα αριστερά δημιουργεί μία περιοχή κενή από κινούμενα φορτία, εξ αιτίας της ένωσης οπών ηλεκτρονίων, την περιοχή απογύμνωσης. 6 3
4 Επαφή Ανοικτού Κυκλώματος (ΙΙ) Πυκνότητα Φορτίου Ένταση Πεδίου Ε W W + ε d dx d E dx dx ε Φραγμός δυναμικού για ηλεκτρόνια Δυναμικό Φραγμός δυναμικού για οπές 0 Edx 7 I Χαρακτηριστική Επαφής Ι Τάση Κατάρρευσης Z Περιοχή Κατάρρευσης I ο Τάση Αποκοπής I I (e η T 1) T = το θερμικό δυναμικό = Τ=93Κ η = για i ο 0.6 για Τ=93Κ ο Δυναμικό Επαφής Νόμος της Επαφής 8 4
5 Τρανζίστορ MO FET Επίπεδο (laar) MO Τρανζίστορ Αγωγός Μονωτής (XO ) t ox W + + B 9 Τρανζίστορ MO FET (MO) Αγωγός Μονωτής (XO ) + + Πηγή ource Πύλη ate =0 = > t Πηγή ource () + + W Υπόστρωμα =0 al e Meta at Υποδοχή Απαγωγός rai () + + B t = τάση κατωφλίου t > 0 Υπόστρωμα Bulk Β Kανάλι Σύμβολο 10 5
6 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (Ι) > t 0 < =0 << + + I Β 11 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙΙ) I = t +4 Αποκοπή = t +3 = t + = t +1 t (m) Γραμμική ή Τρίοδος ή Ωμική Περιοχή 1 6
7 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙΙΙ) =0 > t =0 t > >>0 + + Β Γραμμική: t 13 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (Ι) > t = >>> t t + + t Β Στραγγαλισμός (Pich Off) Κόρος (aturatio): > t 14 7
8 I Χαρακτηριστική MO Γραμμική (Τρίοδος) Περιοχή Αύξηση της αντίστασης του καναλιού και καμπύλωση της χαρακτηριστικής I t < Περιοχή Κόρου > t Κορεσμός ρεύματος. Αύξηση της σχεδόν δεν επιφέρει μεταβολή στο ρεύμα > t Γραμμική συμπεριφορά sat = t 15 Q Υπολογισμός Ρεύματος Τρανζίστορ I Το φορτίο στο κανάλι είναι: C C C Η μέση τιμή του δυναμικού στο κανάλι είναι: c t Η μέση διαφορά δυναμικού πύλης καναλιού είναι: C c + Για τη χωρητικότητα μεταξύ πύλης καναλιού μπορούμε να γράψουμε: C ε ε C + C + C C + + Β Τρανζίστορ μεγάλου μήκους καναλιού, >> ε ox = σχετική ηλεκτρική διαπερατότητα οξειδίου ε 0 = ηλεκτρική διαπερατότητα W κενού ox 0 oxw t ox = πάχος οξειδίου πύλης tox εoxε0 Cox t 16 ox 8
9 Υπολογισμός Ρεύματος Τρανζίστορ IΙ Υπό την επίδραση του πλευρικού πεδίου, η μέση ταχύτητα των φορέων κίνησης στο κανάλι είναι: υ = μ E μ = ευκινησία ηλεκτρονίων Ε = ένταση ηλεκτρικού πεδίου Ισχύει: Ε = Το ρεύμα υποδοχής του τρανζίστορ θα είναι: Ι Q T C Ι Q C Q υ μ C ox C W Q μe C μ + + C + C C + + μ C ox Β W t k t W k μ C ox 17 t Υπολογισμός Ρεύματος Τρανζίστορ IΙΙ Για > sat = t (κόρος) το κανάλι είναι στραγγαλισμένο και το ρεύμα δεν εξαρτάται από τη. Συνεπώς, στην εξίσωση ρεύματος η αντικαθίσταται από την sat και ισχύει: + C + + C Β + Ι k t k t t t 18 9
10 Εξισώσεις Ρεύματος MO Τρανζίστορ W + + Τρανζίστορ μεγάλου μήκους καναλιού, >> k μ C ox W με t ox W Συντελεστής Κέρδους (Απολαβής) Ρεύματος ε = ε ox. ε 0 = oxide ermittivity I = 0 t < 0 Αποκοπή k ( t ) 0 < < t Γραμμική (Τρίοδος) k t 0 < t < Κόρος 19 I Χαρακτηριστικές MO Γραμμική Περιοχή I sat = t Περιοχή Κόρου = t +4 t > t = t +3 I =0 I k i = sat = t + = t +1 I =I Αποκοπή (Cut off) t 0 10
11 I Χαρακτηριστική Κόρου MO Κόρος t I t I k t Τάση Κατωφλίου t 1 Παράγοντες που Επηρεάζουν το I Η απόσταση μεταξύ πηγής απαγωγού /υποδοχής () Το πλάτος του καναλιού (W) Η τάση κατωφλίου ( t ) Το πάχος του μονωτή της πύλης (t ox ) Ηδ διηλεκτρική σταθερά του μονωτή της πύλης (ε) Η ευκινησία (κινητικότητα) των φορέων (μ) 11
12 Το MO Τρανζίστορ Αγωγός Μονωτής (XO ) + + Πηγή ource Πύλη ate Πηγή ource () = <0 t <0 + + W Υπόστρωμα = 0 ate Υποδοχή Απαγωγός rai () t = τάση κατωφλίου + + Υπόστρωμα Bulk t < 0 Β Kανάλι B Σύμβολο 3 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (Ι) < t << = 0< Β I 4 1
13 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙΙ) < t =0 t < <<0 + + Β Γραμμική: 0 > > t 5 MO Τρανζίστορ Λειτουργία (ΙII) < t = <<< t t + + Β Κόρος: < t < 0 Στραγγαλισμός (Pich Off) 6 13
14 Εξισώσεις Ρεύματος MO Τρανζίστορ Τρανζίστορ μεγάλου μήκους καναλιού, >> W μ Συντελεστής ε W k μcox Απολαβής tox W Ρεύματος + + ε = ε. ox ε 0 = oxide ermittivity Ισχύει ότι: μ < μ! I = 0 t > 0 Αποκοπή k ( t ) 0 > > t Γραμμική (Τρίοδος) k t 0 > t > Κόρος 7 I Χαρακτηριστικές MO Αποκοπή t = t 1 = t k i = sat Γραμμική Περιοχή = t 3 = t 4 Περιοχή Κόρου < t t <0 sat = t I 8 14
15 Γραμμική Περιοχή και Περιοχή Κόρου oltage oltage Κόρος Γραμμική t t + t Γραμμική t d Κόρος MO MO 9 Διαμόρφωση Μήκους Καναλιού (Chael egth Modulatio) Πηγή Κανάλι AT Δ Απαγωγός I Γραμμική Κόρος Ι AT Αποκοπή Τάση Early A = 1/λ A / Αυξάνοντας την κατά Δ πάνω από τη (κορ) [ = (κορ) +Δ ] το μήκος του καναλιού μειώνεται κατά Δ. Καθώς το Ι είναι αντιστρόφως ανάλογο του μήκους του καναλιού, το Ι αυξάνει. Ακριβέστερα στον κόρο ισχύει: 1 k λ I t (1 λ) IAT (1 λ) λ=
16 Τάση Κατωφλίου Η τάση κατωφλίου προσδιορίζει την τιμή της τάσης κάτω από την οποία το ρεύμα I γίνεται πολύ μικρό, πρακτικά για κάποιες εφαρμογές αμελητέο. Γενικά η τάση κατωφλίου εξαρτάται από: το υλικό της πύλης το υλικό του μονωτή της πύλης το πάχος του μονωτή την συγκέντρωση των προσμείξεων του καναλιού και την τάση μεταξύ πηγής και υποστρώματος ( B ) Ειδικά για συγκεκριμένο υλικό πύλης η τάση κατωφλίου δίδεται από τη σχέση: t t0 γ φ F B φ F με t γ ε ox ε ox qε i N Συντελεστής Φαινομένου Σώματος όπου t0 ητάσηκατωφλίουγια B =0, F το δυναμικό Fermi (0.3) ενώ t ox, ε ox το πάχος και η διηλεκτρική σταθερά του μονωτή,qτο φορτίο του ηλεκτρονίου, ε i η διηλεκτρική σταθερά του πυριτίου και Ν η πυκνότητα συγκέντρωσης των προσμείξεων στο υπόστρωμα. Το σημείο +/ αναφέρεται σε MO / MO τρανζίστορ αντίστοιχα. 31 Επίδραση B στην Τάση Κατωφλίου t B 0.8 B B T () F = 0.6 και γ = B B () B B t t0 γ φ F B φ F 3 16
17 Επίδραση Σώματος Body Effect M B > 0 M 1 B1 = 0 Αύξηση της τάσης B αύξηση της περιοχής απογύμνωσης στο κανάλι γεγονός που μεταβάλλει τη γεωμετρία του τρανζίστορ έτσι ώστε το υπόστρωμα να έχει το ρόλο μιας δεύτερης πύλης ελέγχου με αποτέλεσμα την αύξηση η της τάσης κατωφλίου: t > t1 33 Υποβάθμιση της Ευκινησίας (μ) (Mobility egradatio) Υπό την παρουσία ισχυρών κάθετων πεδίων ( /t ox ) οι φορείς κίνησης σκεδάζονται συχνότερα στην διεπαφή του οξειδίου της πύλης με αποτέλεσμα η ευκινησία (κινητικότητα) μ να υποβαθμίζεται (μ eff < μ)! 34 17
18 I (A) 6 x υ μe 4 3 Κορεσμός Ταχύτητας (Ι) τετραγωνική εξάρτηση (elocity aturatio) I (A).5 x μeffe υ 1 E E υsat C E E E E C C γραμμική εξάρτηση () Μεγάλο μήκος καναλιού 0.5 τετραγωνική εξάρτηση () Μικρό μήκος καναλιού Στα μικρού μήκους καναλιού τρανζίστορ η ταχύτητα των κινούμενων φορέων τείνει να κορεστεί νωρίς με την αύξηση του ηλεκτρικού πεδίου ( /). Ως αποτέλεσμα αυξάνοντας το το I φτάνει στον κόρο νωρίτερα από την τιμή ( t ) και το I έχει γραμμική εξάρτηση από το. 35 I (A) Κορεσμός Ταχύτητας (ΙΙ) Τα δύο τρανζίστορ είναι κατασκευασμένα στην ίδια τεχνολογία και ο λόγος W/ και των δύο είναι ο ίδιος. 4 6 x x 10 =.5 = Γραμμική = t Κόρος =.0 = 1.5 = () Εξάρτηση τετραγώνου απ πό I (A) Γραμμική Κόρος =.0 = 1.5 = () Τρανζίστορ με μεγάλο μήκος καναλιού Τρανζίστορ με μικρό μήκος καναλιού k k I t κόρος I α t 1< α < Γραμμική εξάρτηση από 36 18
19 I (A) Αγωγιμότητα Υποκατωφλίου Ι t0 η k γb υ υ I Τ I e 1 Τ e (1 λ) 10 Γραμμική εξάρτηση η I 10 4 και εμπειρικές παράμετροι με Εκθετική εξάρτηση t Τετραγωνική εξάρτηση () Χαρακτηριστικός παράγοντας είναι η εξασθένηση του ρεύματος I σε σχέση με τη. Παράγοντας κλίσης (sloe factor): kt l(10) q Μετράπόσοπρέπειναμειωθείη για να μειωθεί το I κατά 10. Για =1.5 ο ρυθμός μείωσης είναι: =90m/decade kt = υt = θερμικό δυναμικό (6m) q 37 Αγωγιμότητα Υποκατωφλίου ΙΙ t0 η k γb υ υ I Τ Τ Ie 1 e (1 λ) 10 =1 I (A) IB =0.1 Ητάσητηςυποδοχής επηρεάζει την τάση κατωφλίου t. Το φαινόμενο ονομάζεται Μείωση Φράγματος Δυναμικού Εξαιτίας της Υποδοχής (rai Iduced Barrier owerig IB) t () Εκφράζεται ως: = t t0 η η=0.1 συντελεστής IB 38 19
20 Ρεύμα Διαρροής Πύλης Για λεπτά οξείδια πύλης (<1.5.0 m), υπάρχει ροή ρεύματος μέσα από το οξείδιο ( μονωτής ). Το ρεύμα αυτό οφείλεται σε κβαντομηχανικά φαινόμενα διόδευσης / καναλισμού / σήραγγας (tuelig) των φορέων και είναι ανάλογο της επιφάνειας της πύλης. Διόδευση Fowler Nordheim: συνθήκες υψηλής τάσης με μέτριο πάχος οξειδίου. Απευθείας Διόδευση (irect Tuelig): συνθήκες ςχαμηλής τάσης ηςμε λεπτό πάχος οξειδίου. I gate WA t ox e t B Όπου Α και Β σταθερές. ox 39 Εξάρτηση από τη Θερμοκρασία Η ευκινησία (μ) των φορέων κίνησης (ηλεκτρόνια/οπές) μειώνεται με την αύξηση της θερμοκρασίας. μ(t) μ(t r) k μ 1.5 T T r k μ Η απόλυτη τιμή της τάσης κατωφλίου ( t ) μειώνεται σχεδόν γραμμικά με τη θερμοκρασία. I (μa) (T) (T ) k t t r υt k υt 1 m/k (T T ) r 40 0
21 Φαινόμενα Δεύτερης Τάξης (Ι) Επιδράσεις στην Τάση Κατωφλίου t t μεγάλου μήκους καναλιού t t μικρής Φαινόμενο IB Για μικρή Για μικρά 41 Φαινόμενα Δεύτερης Τάξης (ΙI) Μεταβολή της Ευκινησίας Ηευκινησία(μ) των φορέων (ηλεκτρόνια/οπές) μειώνεται με την αύξηση της συγκέντρωσης των προσμείξεων. Αστάθεια Πόλωσης Θερμοκρασίας (Bias Temerature Istability) Υψηλές τάσεις και θερμοκρασίες οδηγούν στην αύξηση κατ απόλυτη τιμή της τάσης κατωφλίου των τρανζίστορ (egative BTI NBTI για MO ositive BTI PBTI για MO. Θερμά Ηλεκτρόνια (Hot Carriers) Το ηλεκτρικό πεδίο της υποδοχής αυξάνει μειώνοντας το μήκος του καναλιού () και τα ηλεκτρόνια κινούμενα από την πηγή προς την υποδοχή μπορεί να αποκτήσουν αρκετή ενέργεια (θερμά ηλεκτρόνια) ώστε να εισέλθουν στο μονωτή της πύλης και να παγιδευτούν. Ως επακόλουθο η τάση κατωφλίου αυξάνει κατά απόλυτη τιμή, μειώνοντας σταδιακά τις επιδόσεις. 4 1
22 Φαινόμενα Δεύτερης Τάξης (ΙΙI) Διάτρηση Υποστρώματος Για μικρά μήκη καναλιού () και όταν η τάση της υποδοχής είναι υψηλή η περιοχή της αραίωσης γύρω από την υποδοχή μπορεί να επεκταθεί προς την πηγή με αποτέλεσμα την ροή ρεύματος μεταξύ υποδοχής πηγής ανεξαρτήτως της τάσης στην πύλη. Υπό κανονικές συνθήκες το φαινόμενο δεν επιφέρει μόνιμη καταστροφή του τρανζίστορ. Διάτρηση Μονωτή Πύλης Για μεγάλες τιμές τάσης μεταξύ πύλης πηγής ο μονωτής της πύλης μπορεί να διατρηθεί οδηγώντας σε μόνιμη καταστροφή του τρανζίστορ. 43 I Τρίοδος Κόρος Αποκοπή Διαγωγιμότητα Τρίοδος Η αντίσταση του καναλιού (αντίσταση εξόδου) υπολογίζεται ως ακολούθως: di 1 4 k( t ) RC d k( ) Η διαγωγιμότητα που εκφράζει τη σχέση μεταξύ I και ορίζεται ως: g m di d σταθ. Κόρος k Το MO συμπεριφέρεται ως μία πηγή ρεύματος με το ρεύμα ανεξάρτητο της. Η διαγωγιμότητα δίδεται από τη σχέση: g m k( ) t t 44
23 Το Τρανζίστορ ως Διακόπτης t R o μεταβλητή στο χρόνο R o : μη γραμμική αντίσταση Μοντέλο τρανζίστορ ως διακόπτη Προσέγγιση: αναζητάμε ισοδύναμη σταθερή και γραμμική αντίσταση R eq ηοποίαθα επιφέρει το ίδιο αποτέλεσμα με το πραγματικό τρανζίστορ. Μια αρχική εκτίμηση της R eq είναι η μέση τιμή της R o στην περιοχή λειτουργίας που μας ενδιαφέρει. R eq average 1 R o tt1..t (t1) R o (R o (t) (t)) t 1 t t Ro t1 1 (t)dt t 1 t 1 t t1 (t) dt I (t) 45 Τρισδιάστατη Εικόνα Επίπεδου Τρανζίστορ ate ΧO sub Plaar Trasistor acer ate (Metal) 180m Isulator (io ) 46 3
24 Fi FET & Carbo Naotube FET Fi FET ή Trigate FET Fi-FET i ΙΒΜ ate Isulator Carbo aotube FET Hitachi 47 4
Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ημιαγωγοί Δίοδος Επαφής Κεφάλαιο 3 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας SI Techology ad Comuter Architecture ab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση 1. Φράγμα δυναμικού.
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου (FET) FET) Ι VLI Techology ad Comuter Architecture Lab Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ FET Επαφής
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) FET) Ι Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 Τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί VLSI T echnol ogy ogy and Computer A r A chitecture Lab Γ Τσ ιατ α ο τ ύχ ύ α χ ς ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί VSI Techology ad Comuter Archtecture ab Ηµιαγωγοί Γ. Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Φράγμα δυναμικού. Ενεργειακές ζώνες Ημιαγωγοί
Διαβάστε περισσότεραΒασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο
Διαβάστε περισσότεραΧαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας
Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Υποψήφιος Διδάκτορας: Α. Χατζόπουλος Περίληψη Οι τελευταίες εξελίξεις
Διαβάστε περισσότεραΈνταση Ηλεκτρικού Πεδίου υναµικό
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί ΗµιαγωγοίΓ. Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί Ένταση Ηλεκτρικού Πεδίου υναµικό Q 0 F q F F qe Q q 4πε( ΕΗΠ (Ε) η δύναµη που ασκείται
Διαβάστε περισσότεραΕρωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET
Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις
Διαβάστε περισσότεραΞεκινώντας από την εξίσωση Poisson για το δυναμικό V στο στατικό ηλεκτρικό πεδίο:
1 2. Διοδος p-n 2.1 Επαφή p-n Στο σχήμα 2.1 εικονίζονται δύο μέρη ενός ημιαγωγού με διαφορετικού τύπου αγωγιμότητες. Αριστερά ο ημιαγωγός είναι p-τύπου και δεξια n-τύπου. Και τα δύο μέρη είναι ηλεκτρικά
Διαβάστε περισσότεραΑνάστροφη πόλωση της επαφής p n
Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε
Διαβάστε περισσότεραΤα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΑνάστροφη πόλωση της επαφής p n
Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 2
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 2: Ένωση pn Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότεραΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Μάθημα: Φυσική Ημιαγωγών και Διατάξεων Εξεταστική Περίοδος: Ιούνιος 017 Καθηγητής: Δ. Τριάντης ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ 1 Ο (+=4 ΜΟΝΑΔΕΣ) Α) Θεωρούμε μια διάταξη MIS (Metal: Al, Isulator:
Διαβάστε περισσότεραΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ & ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: 10 ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ: Χαρακτηριστικές n-mosfet ΑΣΚΗΣΗ 10: Το tranitor MOSFET Σε αυτή την Άσκηση θα
Διαβάστε περισσότεραΕπαφές μετάλλου ημιαγωγού
Δίοδος Schottky Επαφές μετάλλου ημιαγωγού Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τι είναι Ημιαγωγός Κατασκευάζεται με εξάχνωση μετάλλου το οποίο μεταφέρεται στην επιφάνεια
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών The MOS Transistor Polysilicon Aluminum 2 N-MOS Τρανζίστορ Διάταξη τριών
Διαβάστε περισσότεραΗ επαφή p n. Η επαφή p n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου p
Η επαφή p n Τι είναι Που χρησιμεύει Η επαφή p n p n Η διάταξη που αποτελείται από μία επαφή p n ονομάζεται δίοδος. Άνοδος Κάθοδος Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων
Διαβάστε περισσότεραοµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα
Διαβάστε περισσότεραΔιατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα
Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Διατάξεις ημιαγωγών p n Άνοδος Κάθοδος Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Άνοδος Κάθοδος dpapageo@cc.uoi.gr http://pc64.materials.uoi.gr/dpapageo
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενο της άσκησης
Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ Αγωγοί, Μονωτές, Ημιαγωγοί Κατηγοριοποίηση υλικών βάσει των ηλεκτρικών τους ιδιοτήτων: Αγωγοί (αφήνουν το ρεύμα να περάσει) Μονωτές (δεν αφήνουν το ρεύμα να
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 1: Ημιαγωγοί Δίοδος pn Δρ. Δ. ΛΑΜΠΑΚΗΣ 1 Ταλαντωτές. Πολυδονητές. Γεννήτριες συναρτήσεων. PLL. Πολλαπλασιαστές. Κυκλώματα μετατροπής και επεξεργασίας σημάτων. Εφαρμογές με
Διαβάστε περισσότεραΒρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com
1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν
Διαβάστε περισσότεραΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Μέταλλα: Μία ζώνη μερικώς γεμάτη ή μία ζώνη επικαλύπτει την άλλη Τα ηλεκτρόνια μπορούν
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα
Διαβάστε περισσότεραΟι ηµιαγωγοι αποτελουν την πλεον χρησιµη κατηγορια υλικων απο ολα τα στερεα για εφαρµογες στα ηλεκτρονικα.
Οι ηµιαγωγοι αποτελουν την πλεον χρησιµη κατηγορια υλικων απο ολα τα στερεα για εφαρµογες στα ηλεκτρονικα. Οι ηµιαγωγοι εχουν ηλεκτρικη ειδικη αντισταση (ή ηλεκτρικη αγωγιµοτητα) που κυµαινεται µεταξυ
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 5 o και 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Κατανάλωση Ισχύος 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Κατανάλωση Ισχύος Κεφάλαιο 5 o και 7 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Στατική κατανάλωση ισχύος. Δυναμική κατανάλωση
Διαβάστε περισσότεραΣε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΗ αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραηλεκτρικό ρεύμα ampere
Ηλεκτρικό ρεύμα Το ηλεκτρικό ρεύμα είναι ο ρυθμός με τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από μια περιοχή του χώρου. Η μονάδα μέτρησης του ηλεκτρικού ρεύματος στο σύστημα SI είναι το ampere (A). 1 A =
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (1 st Chapter) Μέτρηση του μ e και προσδιορισμός του προσήμου των φορέων φορτίου Πρόβλημα: προσδιορισμός
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://www.csd.uoc.gr/~hy330 1 Περιεχόμενα Συσκευές στο Πυρίτιο Πυρίτιο n και p Δίοδος Θετική, αρνητική
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα: 2 Η επαφή pn. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα: Η επαφή Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creatve Commos. Για εκπαιδευτικό υλικό, όπως
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα
Διαβάστε περισσότεραΟρθή πόλωση της επαφής p n
Δύο τρόποι πόλωσης της επαφής p n Ορθή πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ορθή πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος Ανάστροφη πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τρανζίστορ Φαινομένο Πεδίο (FET FET) Ι Κεφάλαια 4 ο και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το MO τρανζίστορ σε ενισχτές. Ενισχτής
Διαβάστε περισσότεραΝανοηλεκτρονικές Διατάξεις Π. Φωτόπουλος ΠΑΔΑ
1. Απεικονίστε την διαδρομή του ηλεκτρονίου στην αγωγή με σκέδαση και στην βαλλιστική αγωγή. Υπολογίστε τι μήκος πρέπει να έχει ένας αγωγός GaAs ώστε η αγωγή να γίνεται βαλλιστικά Δίνεται: η ευκινησία
Διαβάστε περισσότεραΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Μέταλλα: Μία ζώνη μερικώς γεμάτη ή μία ζώνη επικαλύπτει την άλλη Τα ηλεκτρόνια μπορούν
Διαβάστε περισσότερα4. Παρατηρείστε το ίχνος ενός ηλεκτρονίου (click here to select an electron
Τα ηλεκτρόνια στα Μέταλλα Α. Χωρίς ηλεκτρικό πεδίο: 1. Τι είδους κίνηση κάνουν τα ηλεκτρόνια; Τα ηλεκτρόνια συγκρούονται μεταξύ τους; 2. Πόσα ηλεκτρόνια περνάνε προς τα δεξιά και πόσα προς τας αριστερά
Διαβάστε περισσότεραΟρθή πόλωση της επαφής p n
Δύο τρόποι πόλωσης της επαφής p n Ορθή πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ορθή πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος Ανάστροφη πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος
Διαβάστε περισσότερα12. Εάν ένα κομμάτι ημιαγωγού τύπου n και ένα κομμάτι ΟΧΙ
Πρόβλημα 1 Απαντήστε στις ερωτήσεις Σωστό 1. Οι ημιαγωγοί δεν είναι καλοί αγωγοί ούτε καλοί μονωτές. * ΝΑΙ 2. Το ιόν είναι ένα άτομο που έχει χάσει ή έχει προσλάβει ένα ΝΑΙ ή περισσότερα ηλεκτρόνια. 3.
Διαβάστε περισσότεραhttp://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/
Δίοδος επαφής 1 http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ 2 Θέματα που θα καλυφθούν Ορθή πόλωση Forward bias Ανάστροφη πόλωση Reverse bias Κατάρρευση Breakdown Ενεργειακά
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση
Διαβάστε περισσότερα«Αναθεώρηση των FET Transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή
Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3
Διαβάστε περισσότεραΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Εργαστήριο Φυσικής IΙ. Μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού στοιχείου με χρήση υπολογιστή. 1. Σκοπός. 2. Σύντομο θεωρητικό μέρος
ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ 1. Σκοπός Το φωτοβολταϊκό στοιχείο είναι μία διάταξη ημιαγωγών η οποία μετατρέπει την φωτεινή ενέργεια που προσπίπτει σε αυτήν σε ηλεκτρική.. Όταν αυτή φωτιστεί με φωτόνια κατάλληλης συχνότητας
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.
Διαβάστε περισσότεραΑγωγιμότητα στα μέταλλα
Η κίνηση των ατόμων σε κρυσταλλικό στερεό Θερμοκρασία 0 Θερμοκρασία 0 Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο (FET FET) Ι Κεφάλαια 4 ο και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το MOS τρανζίστορ σε ενισχτές. Ενισχτής
Διαβάστε περισσότεραΑγωγιμότητα στα μέταλλα
Η κίνηση των ατόμων σε κρυσταλλικό στερεό Θερμοκρασία 0 Θερμοκρασία 0 Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo
Διαβάστε περισσότεραΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Μέταλλα: Μία ζώνη μερικώς γεμάτη ή μία ζώνη επικαλύπτει την άλλη Τα ηλεκτρόνια μπορούν
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων CMOS Αναστροφέας Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLSI Systems ad Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. I V χαρακτηριστική
Διαβάστε περισσότεραΗμιαγωγοί. Ημιαγωγοί. Ενδογενείς εξωγενείς ημιαγωγοί. Ενδογενείς ημιαγωγοί Πυρίτιο. Δομή ενεργειακών ζωνών
Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Δομή ενεργειακών ζωνών Δεν υπάρχουν διαθέσιμες θέσεις Κενή ζώνη αγωγιμότητας
Διαβάστε περισσότεραΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ
ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ ΑΡΙΘΜΟΣ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ / ΤΣΙΠ ΕΞΕΛΙΞΗ ΔΙΑΣΤΑΣΕΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΕΞΕΛΙΞΗ ΤΩΝ ΑΠΩΛΕΙΩΝ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΕΠΙΠΕΔΟ ΚΥΜΑ ΤΟ ΠΕΙΡΑΜΑ ΤΩΝ ΔΥΟ ΣΧΙΣΜΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ (Ι)
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός
Διαβάστε περισσότερααγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1
Η2 Μελέτη ηµιαγωγών 1. Σκοπός Στην περιοχή της επαφής δυο ηµιαγωγών τύπου p και n δηµιουργούνται ορισµένα φαινόµενα τα οποία είναι υπεύθυνα για τη συµπεριφορά της επαφής pn ή κρυσταλλοδιόδου, όπως ονοµάζεται,
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 4 o και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Καθυστέρηση ιάδοσης Σήματος 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Καθυστέρηση Διάδοσης Σήματος Κεφάλαιο 4 o και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VSI Διάρθρωση VSI Sysems ad omuer rchiecure ab. Παρασιτικές
Διαβάστε περισσότεραV CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρικη αγωγιµοτητα
Ηλεκτρικη αγωγιµοτητα Κίνηση φορτιων σε ενα υλικο υπο την επιδραση ενος εφαρμοζομενου ηλεκτρικου πεδιου Αγωγοι: μεγαλο αριθμο ελευθερων ηλεκτρονιων Στα μεταλλα, λογω μεταλλικου δεσμου, δημιουργειται μια
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών) Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET Recommended Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (4 th Chapter) Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Behzad Razavi ( nd Chapter)
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reatve ommons. Για εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότερα1. Ρεύμα επιπρόσθετα
1. Ρεύμα Ρεύμα είναι οποιαδήποτε κίνηση φορτίων μεταξύ δύο περιοχών. Για να διατηρηθεί σταθερή ροή φορτίου σε αγωγό πρέπει να ασκείται μια σταθερή δύναμη στα κινούμενα φορτία. r F r qe Η δύναμη αυτή δημιουργεί
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς Δρ. Ιούλιος Γεωργίου Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (1 st Chapter) Τρέχον περιεχόμενο Αγωγή ηλεκτρικών φορτίων σε ημιαγωγούς
Διαβάστε περισσότεραΘέμα 1 ο (30 μονάδες)
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Θέμα 1 ο (30 μονάδες) (Καθ. Β.Ζασπάλης) Θεωρείστε ένα δοκίμιο καθαρού Νικελίου
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΚΑΙ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΚΑΙ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ 1 1. ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Το ηλεκτρικό ρεύμα είναι ροή ηλεκτρικών φορτίων. Θεωρούμε ότι έχουμε για συγκέντρωση φορτίου που κινείται και διέρχεται κάθετα από
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραηλεκτρικό ρεύµα ampere
Ηλεκτρικό ρεύµα Το ηλεκτρικό ρεύµα είναι ο ρυθµός µε τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από µια περιοχή του χώρου. Η µονάδα µέτρησης του ηλεκτρικού ρεύµατος στο σύστηµα SI είναι το ampere (A). 1 A =
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 2: Η επαφή pn. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 2: Η επαφή Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας (1από2) Η δομή του ημιαγωγού Ενδογενής ημιαγωγός Οπές και ηλεκτρόνια Ημιαγωγός με προσμίξεις:
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
Διαβάστε περισσότερα1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί
1. Εισαγωγή 1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί Από την Ατομική Φυσική είναι γνωστό ότι οι επιτρεπόμενες ενεργειακές τιμές των ηλεκτρονίων είναι κβαντισμένες, όπως στο σχήμα 1. Σε
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Διαφορικός Ενισχτής MOS Κεφάλαιο 7 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το διαφορικό ζεύγος. Διαφορικό κέρδος κοινού σήματος 3.
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου
Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την
Διαβάστε περισσότεραΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN
ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN Το φαινόμενο Gunn, ή το φαινόμενο των μεταφερόμενων ηλεκτρονίων, που ανακαλύφθηκε από τον Gunn το 1963 δηλώνει ότι όταν μια μικρή τάση DC εφαρμόζεται κατά μήκος του
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ
Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Για να κατανοήσουµε τη λειτουργία και το ρόλο των διόδων µέσα σε ένα κύκλωµα, θα πρέπει πρώτα να µελετήσουµε τους ηµιαγωγούς, υλικά που περιέχουν
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1. Στοιχειακοί ηµιαγωγοί
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1 Στοιχειακοί ηµιαγωγοί Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική Οµοιοπολικοί δεσµοί στο πυρίτιο Κρυσταλλική δοµή Πυριτίου ιάσταση κύβου για το Si: 0.543 nm Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική
Διαβάστε περισσότεραΔίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από
Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από την μία κατεύθυνση, ανάλογα με την πόλωσή της. Κατασκευάζεται
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 2: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενο της άσκησης
Προαπαιτούμενες γνώσεις Ημιαγωγοί Θεωρία ζωνών Ενδογενής αγωγιμότητα Ζώνη σθένους Ζώνη αγωγιμότητας Προτεινόμενη βιβλιογραφία 1) Π.Βαρώτσος Κ.Αλεξόπουλος «Φυσική Στερεάς Κατάστασης» 2) C.Kittl, «Εισαγωγή
Διαβάστε περισσότεραΓραπτή εξέταση «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών ΙI»-Σεπτέμβριος 2016
Γραπτή εξέταση «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών ΙI»-Σεπτέμβριος 016 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ ΘΕΜΑ
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Οδυσσέας Κουφοπαύλου, Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας
Διαβάστε περισσότερα2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος
2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος Όπως είναι γνωστό από την καθημερινή εμπειρία τα περισσότερα σώματα που χρησιμοποιούνται στις ηλεκτρικές ηλεκτρονικές
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Ο :ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Ο :ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ 1 1. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΔΟΜΗ. ΕΝΔΟΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ Δομή του ατόμου Σήμερα γνωρίζουμε ότι η ύλη αποτελείται από ενώσεις ατόμων, δημιουργώντας τις πολυάριθμες χημικές ενώσεις
Διαβάστε περισσότεραΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ
ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΠΡΟΒΛΗΜΑ Σώμα () μικρών διαστάσεων και μάζας m = 4kg, δρα ως ηχητική πηγή κυμάτων συχνότητας f s =330 Hz κινούμενο πάνω σε λείο οριζόντιο δάπεδο με
Διαβάστε περισσότερα7.a. Οι δεσμοί στα στερεά
ΤΕΤΥ Σύγχρονη Φυσική Κεφ. 7-1 Κεφάλαιο 7. Στερεά Εδάφια: 7.a. Οι δεσμοί στα στερεά 7.b. Η θεωρία των ενεργειακών ζωνών 7.c. Νόθευση ημιαγωγών και εφαρμογές 7.d. Υπεραγωγοί 7.a. Οι δεσμοί στα στερεά Με
Διαβάστε περισσότερα3 η διάλεξη Συσκευές στο Πυρήτιο
3 η διάλεξη Συσκευές στο Πυρήτιο 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Η δίοδος συναντάται ως δομή σε κάθε MOS τρανζίστορ. Αποτελείται από δυο ομοιογενείς περιοχές n και p πυριτίου, οι οποίες διαχωρίζονται από ένα χώρο μετάβασης
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ((FET) FET) ΙΙ Τρανζίστορ Φαινοµένο ΙΙ Γ.Πεδίο Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ Το MO ως Ενισχτής
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ ΤΕΛΟΣ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ
ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΕΝΔΟΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗΣ B ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 7 ΙΑΝΟΥΑΡΙΟΥ 2009 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ: ΕΞΙ (6) ΘΕΜΑ 1ο Α. Να
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρικό ρεύμα Αντίσταση - ΗΕΔ. Ηλεκτρικό ρεύμα Ένταση ηλεκτρικού ρεύματος Αντίσταση Ειδική αντίσταση Νόμος του Ohm Γραμμικοί μή γραμμικοί αγωγοί
Ηλεκτρικό ρεύμα Αντίσταση - ΗΕΔ Ηλεκτρικό ρεύμα Ένταση ηλεκτρικού ρεύματος Αντίσταση Ειδική αντίσταση Νόμος του Ohm Γραμμικοί μή γραμμικοί αγωγοί ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Μέχρι τώρα: Ηλεκτροστατική Δηλαδή μελετούσαμε
Διαβάστε περισσότεραΔιατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών στις Διεργασίες και Τεχνολογία Προηγμένων Υλικών ΕΞΕΤΑΣΤΙΚΗ ΠΕΡΙΟΔΟΣ B ΕΞΑΜΗΝΟΥ ( )
Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών στις Διεργασίες και Τεχνολογία Προηγμένων Υλικών ΕΞΕΤΑΣΤΙΚΗ ΠΕΡΙΟΔΟΣ B ΕΞΑΜΗΝΟΥ (206-207) Συντονιστής: Διδάσκοντες: Μάθημα: ΠΡΟΗΓΜΕΝΑ ΚΕΡΑΜΙΚΑ - Ιούνιος 207
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:
Διαβάστε περισσότεραΣΧΟΛΗ ΕΜΦΕ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Ηµιαγωγοί και Ηµιαγώγιµες οµές (7 ο Εξάµηνο Σπουδών)
ΣΧΟΛΗ ΕΜΦΕ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Ηµιαγωγοί και Ηµιαγώγιµες οµές (7 ο Εξάµηνο Σπουδών) η Σειρά Ασκήσεων 19/1/7 Ι. Σ. Ράπτης 1. Ηµιαγωγός, µε ενεργειακό χάσµα 1.5, ενεργό µάζα ηλεκτρονίων m.8m, ενεργό µάζα οπών
Διαβάστε περισσότεραHY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα
HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν
Διαβάστε περισσότεραΗ αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότερα