ИЗБОРНОМ ВЕЋУ ЕЛЕКТРОНСКОГ ФАКУЛТЕТА У НИШУ

Transcript

1 ИЗБОРНОМ ВЕЋУ ЕЛЕКТРОНСКОГ ФАКУЛТЕТА У НИШУ На предлог Изборног већа Електронског факултета у Нишу, Научно-стручно веће за техничко-технолошке науке Универзитета у Нишу, на седници од 16. маја године, донело је одлуку број 8/ / којом је именована Комисије за писање извештаја о пријављеним кандидатима по конкурсу за избор једног наставника у звање ванредни професор, за ужу научну област Микроелектроника и микросистеми, у саставу проф. др Нинослав Стојадиновић, дописни члан САНУ, проф. др Стојан Ристић, проф. др Небојша Јанковић, проф. др Снежана Голубовић и проф. др Зоран Павловић. После прегледа конкурсног материјала, Комисија подноси следећи И З В Е Ш Т А Ј На конкурс објављен године у листу Народне Новине у предвиђеном року јавио се један кандидат, др Ивица Ђ. Манић, доцент Електронског факултета у Нишу. 1. БИОГРАФСКИ ПОДАЦИ а) Лични подаци Др Ивица Ђ. Манић је рођен године у Белој Паланци, Република Србија. Стално је настањен у Нишу. б) Подаци о досадашњем образовању Кандидат је основну школу и гимназију завршио у Нишу, а Електронски факултет у Нишу уписао је школске 1979/80. године. Дипломирао је на Катедри за електронске саставне делове (сада Катедра за микроелектронику) овог факултета априла године, а тема дипломског рада била је: Ефекти врућих носилаца код МОS транзистора. Последипломске студије завршио је на Одсеку за електротехнику Технолошког факултета Универзитета у Каназави (Јапан), где је у фебруару године одбранио магистарску тезу под насловом Preparation and Evaluation of Bi-Sr-Ca-Cu-O Superconducting Thin Films by RF Diode Sputtering. Нострификацију дипломе о стеченом звању магистра електротехничких наука извршило је Научно-наставно веће Електронског Факултета у Нишу крајем године. Докторску дисертацију под насловом Ефекти електричног напрезања код VDMOS транзистора снаге одбранио је 02. марта године на Електронском факултету у Нишу. ц) Професионална каријера По завршетку основних студија, у периоду од до почетка године, кандидат је радио у фабрици ЕИ-Полупроводници на пословима развоја CMOS интегрисаних кола и МОS транзистора снаге. Три наредне године провео је, као стипендиста јапанског Министарства просвете, на Одсеку за електротехнику Технолошког факултета Универзитета у Каназави (Јапан), где се бавио истраживањем из области депозиције и карактеризације танких слојева новооткривених суперпроводних оксида. По

2 повратку из Јапана, априла године, наставио je да ради у ДД ЕИ-Полупроводници на истим пословима као и раније. Од године je укључен и у рад на научноистраживачким и развојним пројектима при Катедри за микроелектронику Електронског факултета у Нишу, где je године изабран у звање истраживач-сарадник из области техничких наука. У периоду од до године у више наврата био je ангажован од исте катедре као сарадник на извођењу лабораторијских вежби из предмета Физика, Електротехнички материјали и Електронске компоненте. Кандидат је октобра године изабран за асистента за предмете Физика чврстог стања и Физичка електроника на Одсеку за физику Природно-математичког факултета у Приштини, где је био у радном односу до 1. јула године. За асистента за област Микроелектроника, за предмете Електронске компоненте и Микроелектронске технологије на Електронском факултету у Нишу, изабран је први пут 24. јуна 1998, а други пут 28. августа године. Поред наведених предмета, као асистент био је ангажован на извођењу рачунских и лабораторијских вежби и из предмета Компоненте и кола снаге, Сензори и претварачи, Основи микроелектронике, Физичка електроника и Компоненте за телекомуникације. У звање доцента за ужу научну област Микроелектроника и микросистеми изабран је године такође на Електронском факултету у Нишу, где и сада ради. Као доцент држао је наставу из предмета Компоненте снаге, Интелигентне компоненте снаге, Компоненте за телекомуникације и Карактеризација компонената. У међувремену, учествовао је у раду две комисије за одбрану докторских дисертација и већег броја комисија за одбрану дипломских радова на Електронском факултету, при чему је био ментор кандидата и председавао комисијама за одбрану пет дипломских радова. Члан је уређивачкосаветодавног одбора часописа Microelectronics Reliability (Elsevier, Велика Британија) од године. На Електронском факултету био је члан Комисије за стручну праксу од и Комисије за библиотеку од године, а од године је члан Комисије за обезбеђење квалитета, Дисциплинске комисије и Комисије за оцену испуњености критеријума за пријаву и оцену и одбрану докторских дисертација и изборе у звања. 2. ПРЕГЛЕД НАУЧНОГ И СТРУЧНОГ РАДА КАНДИДАТА Ивица Манић је у протеклом периоду објавио више од 80 научних радова, и то 20 радова у међународним часописима са SCI листе, 2 рада у домаћим часописима, 40 радова у зборницима међународних и 20 радова у зборницима домаћих научних скупова, као и једну монографију националног значаја и једно поглавље у монографији међународног значаја. Радови кандидата цитирани су 45 пута. У међувремену, учествовао је у раду на 6 домаћих пројеката финансираних од Министарства науке Републике Србије, као и на 5 међународних пројеката које је реализовала Катедра за микроелектронику Електронског факултета, и то 3 пројекта у сарадњи са Институтом за физику чврстог тела Бугарске академије наука из Софије и 2 пројекта са Институтом за микроелектронику Националног центра за научна истраживања Demokritos из Атине Научни радови а) Поглавље у монографији међународног значаја M14 a1. Danijel Danković, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Implications of Negative Bias Temperature Instability in 2

3 Power MOS Transistors in Micro Electronic and Mechanical Systems, edited by Kenichi Takahata, IN-TECH Press, Boca Raton, pp , 2009, ISBN , б) Монографија националног значаја M42 б1. Snežana Golubović, Snežana Đorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Efekti naprezanja oksida gejta VDMOS tranzistora snage, Edicija: Monografije, Elektronski fakultet Niš, 2006, ISBN в) Научни радови објављени у међународним часописима M20 Након претходног избора в1. Ivica Manić, Elena Atanassova, Ninoslav Stojadinović, Dencho Spassov, Albena Paskaleva, Hf-doped Ta2O5 stacks under constant voltage stress, Microelectron. Engineering, Vol.88, 2011, pp , ISSN: , DOI: /j.mee , M22 в2. Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Ivica Manić, Aneta Prijić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Zoran Prijić, Threshold voltage instabilities in p-channel power VDMOSFETs under pulsed NBT stress, Microelectron. Reliab., Vol. 50, 2010, pp , ISSN , DOI: /j.microrel , M22 в3. Ivica Manić, Danijel Danković, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Effects of low gate bias annealing in NBT stressed p- channel power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 49, 2009, pp , ISSN , DOI: /j.microrel , M22 в4. Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Negative bias temperature instability in n-channel power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 48, 2008, pp , ISSN , DOI: /j.microrel , M22 в5. Vojkan Davidović, Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Sima Dimitrijev, Turn-Around of Threshold Voltage in Gate Bias Stressed p-channel Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 47, 2008, pp , ISSN (online) (print) DOI: /JJAP , M22 в6. Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Mechanisms of spontaneous recovery in DC gate bias stressed power VDMOSFETs, IET Circuits, Devices & Systems, Vol. 2, 2008, pp , ISSN X, DOI: /iet-cds: , login.jsp?url=http%3a%2f%2fieeexplore.ieee.org%2fiel5%2f %2f %2f pdf%3Farnumber%3D &authDecision=-203 M23 в7. Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Negative bias temperature instabilities in sequentially stressed and annealed p-channel power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 47, 2007, pp , ISSN , DOI: /j.microrel , M22 3

4 Пре претходног избора в8. Danijel Danković, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, NBT stress-induced degradation and lifetime estimation in p-channel power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 46, 2006, pp , ISSN , DOI: /j.microrel M22 в9. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Djorić- Veljković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev Electrical Stressing Effects in Commercial Power VDMOSFETs, IEE Proc. Circuits, Devices & Systems, Vol. 153, 2006, pp , ISSN , DOI: /ip-cds: M23 в10. Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Ivica Manić, Snežana Golubović, Negative bias temperature instabilities in p-channel power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 45, 2005, pp , ISSN , DOI: /j.microrel M22 в11. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Djorić- Veljković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Effects of Electrical Stressing in Power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 45, 2005, pp , ISSN , DOI: /j.microrel M22 в12. Snežana Djorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Effects of Burn-in Stressing on Post-Irradiation Annealing Response of Power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 43, 2003, pp , ISSN М22 в13. Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Effects of Burn-in Stressing on Radiation Response of Power VDMOSFETs, Microelectron. J., Vol. 33, 2002, pp M23 в14. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Mechanisms of Spontaneous Recovery in Positive Gate Bias Stressed Power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 42, 2002, pp , ISSN M22 в15. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Effects of High Electric Field and Elevated-Temperature Bias Stressing on Radiation Response in Power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 42, 2002, pp , ISSN M22 в16. Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Radiation Hardening of Power VDMOSFETs Using Electrical Stress, Electronics Letters, Vol. 38, 2002, p.431. M21 в17. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Mechanisms of Positive Gate Bias Stress Induced Instabilities in Power VDMOSFETs, Microelectron. Reliab., Vol. 41, 2001, pp , ISSN M22 в18. Ivica Manić, Zoran Pavlović, Zoran Prijić, Vojkan Davidović, Ninoslav Stojadinović, Analytical Modelling of Electrical Characteristics in γ-irradiated Power VDMOS Transistors, Microelectron. J., Vol. 32, 2001, pp M22 в19. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, Temperature Distribution in the Cells of Low-Voltage Power VDMOS Transistor, Microelectron. J., Vol. 30, 1999, pp M23 в20. Ivica Manić, Susumu Horita, Tomonobu Hata, Preparation of Stoichiometric Bi-Sr-Ca-Cu- O Superconducting Thin Films by RF Diode Sputtering, Microelectron. J., Vol. 24, 1993, pp

5 г) Научни радови објављени у домаћим часописима M50 г1. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Snežana Golubović, Effects of γ-irradiation on Electrical Characteristics of Power VDMOS Transistors, Facta Universitatis, Series: Physics, Chemistry and Technology, Vol. 2, No. 4, 2002, pp г2. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Djorić- Veljković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Effects of Gate Bias Stressing in Power VDMOSFETs, Serbian Journal of Electrical Engineering, Vol. 1, 2003, pp , YU ISSN д) Научни радови у зборницима међународних научних скупова штампани у целини М33 Након претходног избора д1. Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Ivica Manić, Aneta Prijić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Zoran Prijić, Threshold voltage instabilities in p-channel power VDMOSFETs under pulsed NBT stress, Proc. 21 st European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2010), Montecassino and Gaeta (Italy), October 2010, pp такође Microelectron. Reliab., Vol. 50, 2010 (рад в2) д2. Ivica Manić, Danijel Danković, Snežana Djorić-Veljković, Aneta Prijić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović Negative Bias Temperature Instability in p-channel Power VDMOSFETs Under Pulsed Bias Stress, Proc. 10 th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2010), Prague (Czech Republic), September 2010, pp , ISBN д3. Ivica Manić, Elena Atanassova, Ninoslav Stojadinović, Dencho Spassov, Effects of Constant Voltage Stress in Hf-doped Ta2O5 stacks, Proc. 27 th Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2010), Niš (Serbia), May 2010, pp , ISBN д4. Snežana Djorić-Veljković, Danijel Danković, Aneta Prijić, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, Degradation of p-channel Power VDMOSFETs under Pulsed NBT Stress, Proc. 27 th Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2010), Niš (Serbia), May 2010, pp , ISBN д5. Ivica Manić, Danijel Danković, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Effects of low gate bias annealing in NBT stressed p- channel power VDMOSFETs, Proc. 20 th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2009), Bordeaux (France), October 2009, pp ; такође Microelectron. Reliab., Vol. 49, 2009 (рад в3) д6. Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Negative bias temperature instability in n-channel power VDMOSFETs, Proc. 19 th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2008), Maastricht (The Netherlands), October 2008, pp ; такође Microelectron. Reliab., Vol. 48, 2008 (рад в4) д7. Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Negative Bias Temperature Stress and Annealing Effects in p-channel Power VDMOSFETs, Proc. 9 th Int. Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2008), Prague (Czech Republic), August 2008, pp , ISBN д8. Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, New Approach in Estimating the Lifetime in NBT 5

6 Stressed P-Channel Power VDMOSFETs, Proc. 26 th Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2008), Niš (Serbia), May 2008, pp , ISBN д9. Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić-Veljković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Negative bias temperature instabilities in sequentially stressed and annealed p-channel power VDMOSFETs, Proc. 18 th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2007), Bordeaux (France), Octobеr 2007, pp ; такође Microelectron. Reliab,Vol.47, 2007 (рад в7). д10. Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Djorić- Veljković, Snežana Golubović, Impact of negative bias temperature instabilities on lifetime in p-channel power VDMOSFETs, Proc 8 th Int. Conference on Telecommunications in Modern Satellite, Cable and Broadcasting Services (TELSIKS 2007), Niš (Serbia), September 2007, pp , ISBN (IEEE), (FEE) Пре претходног избора д11. Danijel Danković, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, NBT stress-induced degradation and lifetime estimation in p-channel power VDMOSFETs, Proc. 17 th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2006), Wuppertal (Germany), October 2006, pp ; такође Microelectron. Reliab., Vol. 46, 2006 (рад в8). д12. Vojkan Davidović, Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Sima Dimitrijev, Turn-Around of Threshold Voltage in Gate Bias Stressed P-Channel Power VDMOS Transistors, Proc. 8 th Int. Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2006), Prague (Czech Republic), August 2006, pp д13. Danijel Danković, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Lifetime Estimation in NBT Stressed P-Channel Power VDMOSFETs, Proc. 25 th Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2006), Belgrade (Serbia and Montenegro), May 2006, pp д14. Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović Spontaneous Recovery in DC Gate Bias Stressed Power VDMOSFETs, Proc. 25 th Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2006), Belgrade (Serbia and Montenegro), May 2006, pp д15. Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Ivica Manić, Snežana Golubović, Negative bias temperature instabilities in p-channel power VDMOSFETs, Proc. 16 th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2005), Bordeaux (France), October 2005, pp ; такође Microelectron. Reliab., Vol. 45, 2005 (рад в10). д16. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Djorić- Veljković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Electrical Stressing Effects in Power VDMOSFETs, Proc. 7 th Int. Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2004), Prague (Czech Republic), September 2004, pp д17. Snežana Djorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Burn-in Stressing Effects on Post-Irradiation Annealing Response of Power VDMOSFETs, Proc. 24 th Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2004), Niš (Serbia and Montenegro), May 2004, pp д18. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Ninoslav Stojadinović, An Improved Analytical Model of IGBT in Forward Conduction Mode, Proc. 24 th Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2004), Niš (Serbia and Montenegro), May 2004, pp д19. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Djorić- Veljković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Effects of Electrical Stressing in Power 6

7 VDMOSFETs, Proc IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC 2003), Hong Kong (China), December 2003, pp invited paper д20. Snežana Djorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Effects of Burn-in Stressing on Post-Irradiation Annealing Response of Power VDMOSFETs, Proc. 14 th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2003), Bordeaux (France), October 2003, pp ; такође Microelectron. Reliab., Vol. 43, 2003 (рад в12) д21. Vojkan Davidović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Danijel Danković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Ninoslav Stojadinovic, Effects of Negative Gate Bias Stressing in Power VDMOSFETs, Proc. 7 th International Symposium on Microelectronics Technologies and Microsystems (MTM 2003), Sozopol (Bulgaria), September 2003, pp д22. Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Ninoslav Stojadinović, Effects of Negative Gate Bias Stressing in Thick Gate Oxides for Power VDMOSFETs, Proc. 12 th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM 2002), Grenoble (France), November 2002, pp д23. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Mechanisms of Spontaneous Recovery in Positive Gate Bias Stressed Power VDMOSFETs, Proc. 13 th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2002), Rimini (Italy), October 2002, pp ; такође Microelectron. Reliab., Vol. 42, 2002 (рад в14). д24. Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Radiation Response of Elevated-Temperature Bias Stressed Power VDMOSFETs, Proc. 6 th Int. Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2002), Prague (Czech Republic), September 2002, pp д25. Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Effects of Positive Gate Bias Stress on Radiation Response in Power VDMOSFETs, Proc. 23 rd Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2002), Niš (Yugoslavia), May 2002, pp д26. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Spontaneous Recovery of Positive Gate Bias Stressed Power VDMOSFETs, Proc. 23 rd Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2002), Niš (Yugoslavia), May 2002, pp д27. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Effects of Positive Gate Bias Stressing and Subsequent Recovery Treatment in Power VDMOSFETs, Proc. 4 th IEEE Int. Caracas Conference on Devices, Circuits, and Systems (ICCDCS 2002), Aruba (Dutch Caribbean), April 2002, pp. DO DO invited paper. д28. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Sima Dimitrijev, Mechanisms of Positive Gate Bias Stress Induced Instabilities in Power VDMOSFETs, Proc. 12 th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2001), Bordeaux (France), October 2001, pp ; такође Microelectron. Reliab., Vol. 41, 2001 (рад в17) д29. Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Ivica Manić, Snežana Golubović, Gamma-Irradiation Effects in Power MOSFETs for Applications in Communications Satellites, Proc. 5 th Int. Conference on Telecommunications in Modern Satellite, Cable and Broadcasting Services (TELSIKS 2001), Niš (Yugoslavia), September 2001, pp д30. Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Effects of Elevated-Temperature Bias Stressing on Radiation Response in Power 7

8 VDMOSFETs, Proc. 8 th Int. Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2001), Singapore, 9 13 July 2001, pp д31. Ivica Manić, Zoran Pavlović, Snežana Golubović, Snežana Djorić-Veljković, Vojkan Davidović, Ninoslav Stojadinović, Effects of γ-irradiation on Drain Current and Transconductance in Power VDMOS Transistors, Proc. 8 th Int. Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2001), Zakopane (Poland), June 2001, pp д32. Ivica Manić, Zoran Pavlović, Zoran Prijić, Vojkan Davidović, Ninoslav Stojadinović, Influence of γ-irradiation on Electrical Characteristics of Power VDMOS Transistors, Proc. 5 th Int. Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2000), Prague (Czech Republic), 30 Aug.-1 Sept. 2000, pp д33. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Zoran Prijić, Vojkan Davidović, Ninoslav Stojadinović, Influence of Gate Oxide Charge Density on VDMOS Transistor ON-Resistance, Proc. 22 nd Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2000), Niš (Yugoslavia), May 2000, pp д34. Stojan Ristić, Ivica Manić, Zoran Prijić, Aneta Prijić, General Analytical Solution to the Minority Carrier Density in Low-High Junctions, Proc. 22 nd Int. Conference on Microelectronics (MIEL 2000), Niš (Yugoslavia), May 2000, pp д35. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, Influence of Channel Dopant Concentration and Temperature on Low-Voltage VDMOS Transistor ON- Resistance, Proc. 21 st Int. Semiconductor Conference (CAS 98), Sinaia (Romania), 6-10 October 1998, Vol. 1, pp д36. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, Temperature Dependence of ON-Resistance in High-Voltage Power VDMOS Transistors, Proc. 4 th Int. Seminar on Power Semiconductors (ISPS 98), Prague (Czech Republic), 2-4 September 1998, pp д37. Mihajlo Odalović, Zoran Pavlović, Biljana Vučković, Ivica Manić, Investigation of Radiation Sensitivity and Postirradiation Thermal Sensitivity of MOS Transistor, Proc. 21st International Conference on Microelectronics (MIEL 97), Niš (Yugoslavia), September 1997, Vol. 1, pp д38. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Zoran Prijić, Temperature Distribution in VDMOS Power Transistor Cells, Proc. 21st International Conference on Microelectronics (MIEL 97), Niš (Yugoslavia), September 1997, Vol. 1, pp д39. Zoran Pavlović, Ivica Manić, T. Jovanović, Zoran Prijić, Temperature Dependence of High- Voltage VDMOS Power Transistor Transconductance, Proc. of ELECTRONICA 96, Botevgrad (Bulgaria), October 1996, pp д40. Ivica Manić, Toru Tajima, Susumu Horita, Tomonobu Hata, Preparation of Bi-Sr-Ca-Cu-O Films on a Buffered Silicon Substrate, Proc. 51st Annual Conference of the Society of Applied Physics of Japan, Morioka, 1990, Vol. 1, p ђ) Научни радови у зборницима домаћих научних скупова штампани у целини M63 Након претходног избора ђ1. Danijel Danković, Aneta Prijić, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Instabilities in p-channel power VDMOSFETs subjected to pulsed negative bias temperature stressing, Zbornik radova 54. konferencije za ETRAN, Donji Milanovac, 7-10 Jun 2010, str. MO , ISBN

9 ђ2. Ivica Manić, Ninoslav Stojadinović, Elena Atanassova, Dencho Spassov, Constant voltage stressing of Hf-doped Ta2O5 stacks, Zbornik radova 54. konferencije za ETRAN, Donji Milanovac, 7-10 Jun 2010, str. MO , ISBN ђ3. Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Instabilities in p-channel power VDMOSFETs subjected to multiple negative bias temperature stressing and annealing, Zbornik radova 53. konferencije za ETRAN, Vrnjačka banja, Jun 2009, str. MO , ISBN ђ4. Đorđe Kostadinović, Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Snežana Đorić-Veljković Efekti spontanog oporavka kod p- kanalnih VDMOS tranzistora snage naprezanih jakim električnim poljem u oksidu gejta, Zbornik radova 53. konferencije za ETRAN, Vrnjačka banja, Jun 2009, str. MO , ISBN ђ5. Ivica Manić, Danijel Danković, Ninoslav Stojadinović, NBTI in p- and n-channel power VDMOSFETs, Zbornik radova 52. konferencije za ETRAN, Palić, jun 2008, str. MO , ISBN ђ6. Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Snežana Djorić-Veljković, Lifetime evaluation in p-channel power VDMOSFETs under NBT stress, Zbornik radova 52. konferencije za ETRAN, Palić, Jun 2008, str. MO , ISBN Пре претходног избора ђ7. Danijel Danković, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Snežana Đorić-Veljković, Nestabilnosti p-kanalnog VDMOS tranzistora snage usled naponsko-temperaturnih naprezanja sa negativnom polarizacijom gejta, Zbornik radova XLIX konferencije za ETRAN, Budva, jun 2005, sveska IV, str ђ8. Vojkan Davidović, Ninoslav Stojadinović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Ivica Manić, Snežana Đorić-Veljković, Sima Dimitrijev, Turn-around efekat napona praga kod PMOS tranzistora naprezanih pozitivnim naponima na gejtu, Zbornik radova XLIX konferencije za ETRAN, Budva, jun 2005, sveska IV, str ђ9. Snežana Đorić-Veljković, Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Uticaj temperaturno-naponskih testova pouzdanosti na efekte odžarivanja kod ozračenih VDMOS tranzistora snage, Zbornik radova XLVII konferencije za ETRAN, Herceg Novi, jun 2003, sveska IV, str ђ10. Ivica Manić, Vojkan Davidović, Danijel Danković, Snežana Golubović, Ninoslav Stojadinović, Snežana Đorić-Veljković, Sima Dimitrijev, Efekti naprezanja negativnom polarizacijom na gejtu kod VDMOS tranzistora snage, Zbornik radova XLVII konferencije za ETRAN, Herceg Novi, jun 2003, sveska IV, str ђ11. Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Ivica Manić, Danijel Danković, Ninoslav Stojadinović, Snežana Đorić-Veljković, Sima Dimitrijev, Primena tehnika za razdvajanje efekata naelektrisanja u oksidu i površinskih stanja kod VDMOS tranzistora snage, Zbornik radova XLVI konferencije za ETRAN, Banja Vrućica, 3-6. jun 2002, sveska IV, str ђ12. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Snežana Đorić- Veljković, Uticaj električnog naprezanja na otpornost VDMOS tranzistora snage na zračenje, Zbornik radova XLVI konferencije za ETRAN, Banja Vrućica, 3-6. jun 2002, sveska IV, str ђ13. Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Snežana Golubović, Vojkan Davidović, Snežana Đorić- Veljković, Sima Dimitrijev, Efekti naprezanja pozitivnom polarizacijom na gejtu kod VDMOS tranzistora snage, Zbornik radova XLV jugoslovenske konferencije za ETRAN, Bukovička Banja, 4-7. jun 2001, sveska IV, str

10 ђ14. Snežana Đorić-Veljković, Ninoslav Stojadinović, Ivica Manić, Vojkan Davidović, Snežana Golubović, Uticaj temperaturno-naponskih testova pouzdanosti na efekte zračenja kod VDMOS tranzistora snage, Zbornik radova XLV jugoslovenske konferencije za ETRAN, Bukovička Banja, 4-7. jun 2001, sveska IV, str ђ15. Ivica Manić, Vojkan Davidović, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, Zoran Pavlović, Uticaj γ-zračenja na električne karakteristike VDMOS tranzistora, Zbornik radova XLIV jugoslovenske konferencije za ETRAN, Sokobanja, jun 2000, sveska IV, str ђ16. Zoran Pavlović, Mihajlo Odalović, Tijana Premović, Ivica Manić, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, Uticaj gustine naelektrisanja u oksidu kanala na transkonduktansu VDMOS tranzistora snage, Zbornik referata XLIII jugoslovenske konferencije za ETRAN, Zlatibor, septembar 1999, sveska IV, str ђ17. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, Zavisnost otpornosti uključenja niskonaponskih VDMOS tranzistora snage od koncentracije primesa u kanalu i temperature, Zbornik referata XLII jugoslovenske konferencije za ETRAN, Vrnjačka Banja, 2-5. jun 1998, sveska IV, str ђ18. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Tihomir Jovanović, Temperaturna zavisnost komponenata otpornosti uključenja visokonaponskih VDMOS tranzistora, Zbornik referata XL jugoslovenske konferencije za ETRAN, Budva, jun 1996, sveska IV, str ђ19. Emil Jelenković, Ivica Manić, Ljiljana Pavlović, Mirjana Puletić, Vukašin Simonović, Vinko Zdravković, Svetislav Pantić, NMOS i PMOS električno programirljivi tranzistori sa silicijumnitridom, Zbornik radova XXXIII jugoslovenske konferencije za elektroniku, telekomunikacije, automatsko upravljanje i nuklearnu tehniku (ETAN 89), Novi Sad, 1989, sveska 10, str ђ20. Ivica Manić, Lj. Pavlović, M. Puletić, Lj. Mladenović, S. Pantić, Vojkan Simonović, Vojkan Zdravković, E. Jelenković, Stabilnost tankih filmova Si 3 N 4 na N + podlozi u uslovima jakih električnih polja, Zbornik referata XVI jugoslovenskog savetovanja o mikroelektronici (MIEL 88), Zagreb, 1988, sveska 1, str Учешће у пројектима e) Учешће у међународним пројектима e1. Thin and Ultra Thin Layers of SiO 2, Si x N y O z, and Ta 2 O 5 for the Needs of Nanotechnology (реализатори: Катедра за микроелектронику Електронског факултета у Нишу, Институт за физику чврстог стања Бугарске академије наука у Софији и Институт за физику Природно-математичког факултета у Скопљу), e2. Characterization and Reliability of Copper-Metallized MOS Devices (реализатори: Катедра за микроелектронику Електронског факултета у Нишу и Институт за микроелектронику Националног центра за научна истраживања Demokritos из Атине), e3. Performance, Stress Degradation, and Reliability Characterization of Thin Film Transistors for the Investigation of Deffects in Polycrystalline Silicon Films (реализатори: Катедра за микроелектронику Електронског факултета у Нишу и Институт за микроелектронику Националног центра за научна истраживања Demokritos из Атине), e4. High-k Stack Capacitors for Nanoscale Dynamic Random Access Memories (DRAMs) (реализатори: Катедра за микроелектронику Електронског факултета у Нишу и Институт за физику чврстог стања Бугарске академије наука у Софији), e5. Constant Voltage Stress Degradation of TaHfO-mixed Oxides (реализатори: Катедра за микроелектронику Електронског факултета у Нишу и Институт за физику чврстог стања Бугарске академије наука у Софији),

11 ж) Учешће у домаћим пројектима ж1. Развој технологија производње и пројектовања микроелектронских компонената и система, потпројекат MOS микроелектронске компоненте снаге (финансиран од Министарства за науку и технологију Републике Србије), ж2. Микроелектроника, оптоелектроника и микросистемске технологије, потпројекат MOS интегрисана кола и компоненте снаге (финансиран од Министарства за науку и технологију Републике Србије), ж3. Развој производње и пројектовања микроелектронских компонената и система, потпројекат Микроелектронске компоненте снаге (финансиран од Министарства за науку и технологију Републике Србије), ж4. Физика, моделовање и карактеризација диелектричних слојева за MOS нанокомпоненте (финансиран од Министарства науке и заштите животне средине Републике Србије), ж5. Физика, моделовање и карактеризација појава у танким слојевима код MOS нанокомпонената (финансиран од Министарства науке и заштите животне средине Републике Србије), ж6. Карактеризација, анализа и моделовање физичких појава у танким слојевима за примену у MOS нанокомпонентама (финансиран од Министарства просвете и науке Републике Србије), Способност за наставно-педагошки рад и допринос развоју научно-наставног подмлатка Др Ивица Манић је у свом досадашњем раду са студентима као доцент Електронског факултета успешно изводио наставу из предмета Компоненте снаге, Интелигентне компоненте снаге, Компоненте за телекомуникације и Карактеризација компонената. Његов наставни рад увек је добијао високе оцене студената, при чему треба посебно истаћи његову спремност да помогне студентима у процесу савлађивања наставне материје, како кроз савремене облике саопштавања градивне материје, тако и кроз свакодневне консултације. Као члан научно-истрaживачког тима ангажованог на заједничким научним пројектима, др Ивица Манић је, осим што је показао јаке индивидуалне квалитете, остварио и веома успешну сарадњу са колегама, која је допринела заједничком научном и стручном усавршавању, о чему сведочи списак објављених научних радова. При томе је показао посебну способност да младе истраживаче и студенте уведе у процес научноистраживачког рада у областима којима се бави, као и да им пружи свеобухватну помоћ при писању научних радова и изради њихових дипломских радова, магистарских теза и докторских дисертација. У протеклом периоду Др Ивица Манић је учествовао у раду две комисије за одбрану докторских дисертација и већег броја комисија за одбрану дипломских радова на Електронском факултету, при чему је био ментор кандидата и председавао комисијама за одбрану пет дипломских радова. 3. АНАЛИЗА ОБЈАВЉЕНИХ НАУЧНИХ РАДОВА а) Број објављених радова Поглавље у монографији међународног значаја (М14) 1 Монографија националног значаја (М42) 1 11

12 Научни радови објављени у међународним часописима (М21, М22 и М23) Пре претходног избора 13 Након претходног избора 7 Научни радови објављени у домаћим часописима (М50) 2 Научни радови у зборницима међународних научних скупова штампани у целини (М33) Пре претходног избора 30 Након претходног избора 10 Научни радови у зборницима националних научних скупова, штампани у целини (М63) Пре претходног избора 14 Након претходног избора 6 б) Анализа научних радова објављених након претходног избора Главни предмет истраживања др Ивице Манића у претходном изборном периоду били су ефекти напонских и напонско-температурних напрезања оксида гејта код VDMOS (Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) транзистора снаге. Ова истраживања представљају наставак његових ранијих истраживања, а спроведена су над p-каналним (IRF9520) и n-каналним (IRF510) транзисторима иностраног произвођача. Осим тога, кандидат је у протеклом периоду, у оквиру билатералног пројекта реализованог у сарадњи са Институтом за физику чврстог тела Бугарске академије наука, почео да се бави и истраживањем механизама провођења и других појава у танким слојевима диелектричних материјала са великом диелектричном константом (high-k). Научни радови које је кандидат објавио у овом периоду могу се, према проблематици која се у њима разматра, разврстати у три групе: Прва група радова (радови в5, в6, ђ4) бави се истраживањем ефеката електричног напрезања и спонтаног опоравка код VDMOS транзистора снаге, које представља наставак истраживања кандидата која су највећим делом вршена у претходном периоду и из којих је проистекла докторска дисертација кандидата. Иако је кандидат у протеклом изборном периоду овој тематици посветио реалативно мало времена, наведени радови садрже оригиналне научне резултате, од којих треба истаћи следеће: - Показано је да спонтани опоравак напрезаних n-каналних VDMOS компонената резултује извесним побољшањем напона прага и порастом покретљивост носилаца у каналу, али да оба параметра остају и даље веома деградирана. Најинтензивније промене у густинама наелектрисања у оксиду и површинских стања одвијају се у почетној фази опоравка, при чему технике раздвајања наелектрисања засноване на преносним карактеристикама указује да ове густине углавном опадају. Указано је да овакво понашање може да буде последица комбинованог дејства неких од механизама који су били одговорни и за ефекте напрезања (а којима релативно јако локално електрично поље услед захваћеног наелектрисања омогућава деловање и у почетној фази опоравка) и механизама повезаних са присуством јако реактивног водоника ослобођеног током напрезања. Локално поље временом слаби, па реакције са водоником добијају на значају, при чему оне које воде неутрализацији захваћеног наелектрисања и пасивизацији површинских стања преузимају благу доминацију. С друге стране, применом тзв. charge pumping технике показано је да густина правих површинских стања у почетној фази опоравка значајно расте, при чему је овај пораст претежно последица њихове прерасподеле унутар забрањене зоне супстрата. Такође је показано да период у коме дисоцијација Si s H прекурсора доминира над 12

13 пасивизацијом површинских стања траје знатно дуже у случајевима у којима претходно напрезање произведе само мали пораст густине површинских стања, чиме је потврђено да пресудну улогу у процесима који се одигравају током опоравка има водоник ослобођен приликом претходног напрезања. - Показано је да turn-around напона прага, који се типично јавља код n-каналних MOS транзистора изложених различитим видовима напрезања, може да се јави и код p- каналних компонената. Ефекат је уочен код p-каналних VDMOS транзистора снаге IRF9520 напрезаних применом високих позитивних напона на гејт, а јавља се као последица сложених процеса који се током напрезања одигравају у оксиду и на међуповршини. Показано је да постоји строга корелација између промена у густинама наелектрисања у оксиду и површинских стања и указано да кључну улогу у појави ефекта играју гранични центри захвата. Спонтани опоравак напрезаних p-каналних компонената доводи до сасвим незнатног побољшања електричних параметара, при чему се уочава симултано опадање у густини наелектрисања захваћеног у оксиду и пораст у густини површинских стања. Овакво понашање може се објаснити интеракцијом позитивно наелектрисаних центара у оксиду близу међуповршине (гранични центри захвата) са прекурсорима површинских стања која води неутрализацији захваћеног наелектрисања и генерацији површинских стања. Друга, најбројнија група радова (радови в2 в4, в7, д1, д2, д4 д10, ђ1, ђ3, ђ5, ђ6), бави се истраживањима нестабилности услед напонско-температурних напрезања уз негативну поларизацију гејта (NBTI, од израза Negative Bias Temperature Instabilities) код VDMOS транзистора снаге, којима је кандидат у протеклом периоду посветио највише пажње. Ова истраживања вршена су пре свега на p-каналним компонентама код којих су, у аналогији са литературним подацима за савремене MOS транзисторе са танким оксидом гејта, очекиване значајне нестабилности, али и на n-каналним компонентама, код којих ефекти NBT напрезања у општем случају нису изражени. Истраживања су обухватала анализу промена напона прага и одговарајућих промена у густинама наелектрисања у оксиду и површинских стања током NBT напрезања и потоњег оджаривања, као и током вишеструког (секвенцијалног) напрезања и оджаривања компонената. Осим ефеката напрезања константним напонима, спроведено је и истраживање ефеката NBT напрезања импулсним напонима различитих фреквенција и фактора испуне. Сва истраживања праћена су анализом механизама одговорних за уочену деградацију током напрезања и евентуални опоравак током оджаривања. Такође, спроведена је и анализа могућих импликација на поузданост VDMOS транзистора снаге, при чему је на основу експерименталних података и одговарајућих модела одређиван период поузданог рада (lifetime) компонената за различите услова рада, а предложен је и нови приступ који омогућава да се из експерименталних резултата двоструком екстраполацијом дуж напонске и дуж температурне осе добију вредности периода поузданог рада за било које нормалне радне услове (напон и температура). Описана истраживања довела су до већег броја оригиналних научних и стручних резултата, од којих посебно треба истаћи следеће: - Потврђени су резултати ранијих истраживања да NBT напрезање доводи до значајних промена напона прага p-каналних VDMOS транзистора снаге, које су последица значајног пораста у густинама позитивног наелектрисања у оксиду гејта и површинских стања. - Показано је да, у зависности од поларизације гејта, оджаривање на повишеној температури може да има велики утицај на промене напона прага изазване претходним NBT напрезањем, као и на одговарајуће промене у густинама наелектрисања у оксиду гејта и површинских стања. Утврђено је да оджаривање уз ниску негативну поларизацију гејта (- 10 V) практично не утиче на деградацију изазвану претходним 13

14 напрезањем, а уз то пригушује евентуалне нове промене и додатну деградацију које су очекиване у даљем току експеримента у коме је на истим узорцима понављано напрезање и оджаривање. С друге стране, оджаривање уз ниску позитивну поларизацију гејта (+ 10 V) уклања из оксида значајан део наелектрисања створеног претходним напрезањем, док се у исто време генеришу додатна површинска стања. При том је установљено да су промене у овом случају реверзибилне, односно да поновљено напрезање регенерише највећи део уклоњеног наелектрисања и елиминише додатну (реверзибилну) компоненту површинских стања, док се при поновном оджаривању понављају процеси из претходног оджаривања. Додатна генерација површинских стања у периоду након напрезања у присуству позитивног поља у оксиду објашњена је инверзијом смера дрифтовског кретања позитивно наелектрисаних честица (шупљине, јони водоника) услед које су на међуповршини иницирани електрохемијски процеси који нису могли да се одигравају при негативној поларизацији гејта. - Показано је да нестабилности услед NBT напрезања имају значајне импликације на поузданост и период поузданог рада VDMOS транзистора снаге. Период поузданог рада зависи од вредности критеријума отказа, а применом различитих модела за екстраполацију дуж напонске осе (V G модел, 1/V G модел, power law модел) показано је да процењена вредност периода поузданог рада VDMOS транзистора при нормалним радним напонима може јако да зависи и од избора модела за екстраполацију. При том, утврђено је да се применом 1/V G модела најбрже долази до резултата јер овај модел дозвољава примену виших напона за напрезање компонената током експеримента и у исто време омогућава прилично прецизну процену периода поузданог рада. Осим овога, показано је да повремено оджаривање компонената, иако у извесној мери смањује деградацију изазвану NBT напрезањем, не утиче битно на продужење периода поузданог рада. У оквиру ових истраживања развијен је и предложен поступак за двоструку екстраполацију, и то дуж напонске и дуж температурне осе (или обрнуто), којим се може извршити процена периода поузданог рада за било коју комбинацију реалних радних напона и температура MOS компонената изложених NBT напрезању. Овим је практично ублажен недостатак горе наведених модела којима је могућа екстраполација на било који напон, али само за неку од температура које су коришћене у експерименту током убрзаног напрезања компонената. - Показано је да NBT напрезање доводи до значајних промена напона прага код n- каналних VDMOS транзистора снаге, које су (при истим условима напрезања) практично једнаке променама напона прага код p-каналних компонената. Напон прага напрезаних p-каналних компонената се током оджаривања делимично опоравља, док је у случају n-каналних компонената тај опоравак не само потпун него је чак праћен и порастом изнад почетне вредности напона прага (тзв. rebound ефекат). При томе, утврђено је да NBT напрезање изазива подједнак пораст густине површинских стања код оба типа VDMOS транзистора, али је енорман пораст у густини тзв. граничних центара захвата утврђен само код n-каналних компонената. С тога је rebound ефекат током оджаривања n-каналних узорака приписан трансформацији граничних центара у површинска стања. Овим истраживањем јасно је показано да евентуално излагање n- каналних VDMOS компонената негативном напону на гејту и повишеној температури у било којој фази њихове експлоатације може да доведе чак и до озбиљнијих нестабилности од оних које се редовно уочавају код p-каналних компонената. - Показано је да деградација изазвана импулсним NBT напрезањем зависи од фреквенције и фактора испуне (duty cycle) негативног импулсног напона коришћеног за напрезање, као и да је она у општем случају мања од деградације изазване статичким напрезањем једносмерним напоном исте вредности. При том је такође показано да је могуће (уколико то апликација дозвољава) подесити и одабрати оптималну 14

15 комбинацију радне фреквенције и фактора испуне сигнала при којој је деградација минимална, као и да се у случају истраживаних p-каналних VDMOS транзистора оптимална радна фреквенција налази у опсегу од 1 до 5 khz, уз оптималну вредност фактора испуне сигнала од 25%. Трећа група радова (радови в1, д3, ђ2) односи се на најновија истраживања кандидата везана за ефекте напрезања константним напоном кондензаторских структура са танким филмовима тантал-пентоксида (Ta 2 O 5 ) допираног хафнијумом (Hf). Ова истраживања су спроведена у сарадњи са истраживачима са Института за физику чврстог тела Бугарске академије наука као део обимног истраживачког пројекта оријентисаног ка оптимизацији тзв. high-k диелектрика за примену у меморијским компонентама будуће генерације. Наведени радови садрже више оригиналних научних резултата, од којих треба истаћи следеће: - Показано је да количина присутног хафнијума представља фактор који контролише механизме провођења у допираним Ta 2 O 5 филмовима, као и струју цурења током напрезања и њену температурну зависност. Утврђено је постојање одређене критичне вредности напона напрезања изнад које почиње значајно цурење, што указује да је неопходна одређена енергија за настанак деградације у филму, при чему центри захвата и други дефекти уграђени током технолошких процеса представљају прекурсоре за ову деградацију. При дуготрајном напрезању почиње да доминира генерација дефеката у односу на захватање наелектрисања, што резултује прогресивним порастом цурења. С тога се висока проводност напрезаних филмова приписује плитким центрима захвата формираним током напрезања који потпомажу протицање Poole-Frenkel-ове струје. - Неопходност да напон и време напрезања премаше одређене критичне вредности како би се створили услови за протицање значајније струје цурења указује на велику улогу процеса захватања наелектрисања у проводности филмова. Захватање наелектрисања доприноси слабљењу међуатомских веза у филму, које почињу да се раскидају кад напон и време напрезања премаше критичне вредности, што се манифестује порастом струје. - Показано је да се параметри центара захвата у филму мењају врло мало, и то тек при оштријим условима напрезања (виши напон и/или температура). То значи да напрезање утиче на постојеће центре захвата у филму и може да мења њихове параметре, али није утврђено да генерише нову врсту центара захвата који би се значајно разликовали од оних који су постојали у филму пре напрезања. в) Цитираност радова в19. Zoran Pavlović, Ivica Manić, Zoran Prijić, Ninoslav Stojadinović, Temperature Distribution in the Cells of Low-Voltage Power VDMOS Transistor, Microelectron. J., Vol. 30, 1999, pp M.A. Belaid, H. Maanane, K. Mourgues, M. Masmoudi, K. Ketata, and J. Marcon, "Characterization and Modelling of Power RF LDMOS Transisto Including Self-heating Effects", Proc. of 16 th International Conference on Microelectronics (ICM 04), Tunis, Tunisia 2004 (pp ) 2. WANG Qin,SUN Wei feng,liuxia,yang Dong, "Research on 2D Temperature Distribution Model of the Bulk- Silicon High Voltage LDMOSFET", Chinese Journal of Electron Devices, vol. 1.30, no. 3 pp (2007) 15