Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Σχετικά έγγραφα
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Bipolar Transistors ιπολικά τρανζίστορ

Διπολικό Τρανηίςτορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

του διπολικού τρανζίστορ

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

Υπολογίστε την τάση τροφοδοσίας και τις αντιστάσεις στο παραπάνω κύκλωμα έτσι ώστε να λειτουργεί στο σημείο που δείχνει η ευθεία φόρτου.


Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Ηλεκτρονική Μάθημα ΙV Διπολικά τρανζίστορ. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

Πόλωση των Τρανζίστορ

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. Ρεύµατα στο τρανζίστορ επαφής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

Βασικές Λειτουργίες των TR

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

Κεφάλαιο 6. Κυκλώματα με διπολικό τρανζίστορ επαφής (BJT) Λειτουργία διακόπτη

/personalpages/papageorgas/ download/3/

ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 ΚαθηγητήςΚωνσταντίνοςΕυσταθίου

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 2 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Το διπολικό τρανζίστορ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

ΘΕΜΑΤΑ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ-ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ- ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ, ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Προενισχυτής μουσικού οργάνου

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (5 η σειρά διαφανειών)

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2. ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR BJT) και ΣΥΝΑΦΗ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1,2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory

ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Lecture Stage Frequency Response (1/10/02) Page 210-1

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

NPN Silicon RF Transistor BFQ 74

Transcript:

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο σημάτων (Ebers-Moll) Προσεγγιστική λειτουργία του τρανζίστορ στο συνεχές Συνδεσμολογίες Τρανζίστορ Χαρακτηριστικές καμπύλες σε συνδεσμολογία CE (περιοχές λειτουργίας του) Φαινόμενο Early Επίδραση της θερμοκρασίας Μοντέλο μικρών σημάτων (εισαγωγή)

Επαφή PN (υπενθύμιση) Τύπος Ημιαγωγού Φορείς Πλειονότητας Φορείς Μειονότητας Σχέση n n n N D (donors) p n n i2 /N D n n >>n p p p p N A (Acceptors) n p n i2 /N a p p >>p n Στην ανάστροφη πόλωση το V είναι αρνητικό E=q(Vo-V) (+) +++ +++ +++ - - - - - - - - - Eg (-) Ανάστροφη πόλωση (V A <V K ) Το δυναμικό της επαφής επιτρέπει την κίνηση των φορέων μειονότητας, δηλ. την επαφή την διαρρέει ρεύμα λόγω των φορέων μειονότητας (πολύ μικρό) E=q(Vo-V) (-) + + + Στην ορθή πόλωση το V είναι θετικό - - - (+) Ορθή πόλωση (V A >V K ) Το δυναμικό της επαφής επιτρέπει την κίνηση των φορέων πλειονότητας, δηλ. την επαφή την διαρρέει ρεύμα λόγω των φορέων πλειονότητας (μεγάλο)

Δομή και συμβολισμός BJT ++ + ++ +

Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Το τρανζίστορ φαίνεται σαν 2 ανάποδα τοποθετημένες δίοδοι, με κοινή περιοχή p στο npn (n στο pnp) Στην ορθή πόλωση την επαφή Βάσης-Εκπομπού (ΒΕ) την πολώνουμε ορθά και την επαφή Συλλέκτη Βάσης (CB) ανάστροφα. Ένα τρανζίστορ δεν μπορεί να κατασκευαστεί από δύο ανεξάρτητες διόδους γιατί: Η περιοχή της βάσης πρέπει να είναι πολύ στενή Για την σωστή λειτουργία του πρέπει οι εμπλουτισμοί να είναι n++ (E) p (B) n+ (C)

Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τι γίνεται όμως στην ορθά και ανάστροφα πολωμένη επαφή PN? Ορθή πόλωση Ανάστροφη πόλωση

Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ

Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Η επαφή Βάσης-Εκπομπού είναι ορθά πολωμένη, οπότε: ηλεκτρόνια (φορείς πλειονότητας στον Εκπομπό) εκχέονται στην Βάση (φορείς μειονότητας στην Βάση) και οπές (φορείς πλειονότητας στην Βάση) εκχέονται στον εκπομπό (φορείς μειονότητας στον Εκπομπό). Τα ηλεκτρόνια που εκχέονται στην Βάση (φορείς μειονότητας εκεί) από τον Εκπομπό δεν προλαβαίνουν να επανασυνδεθούν στην περιοχή της Βάσης, λόγο: α) του χαμηλού εμπλουτισμού της και κυρίως β) λόγω του μικρού εύρους της Έχουμε δει ότι στην ανάστροφα πολωμένη δίοδο οι φορείς μειωνότητας σαρώνονται από την ανάστροφη τάση πόλωσης (ανάστροφο ρεύμα κορεσμού), ΣΥΝΕΠΩΣ θα σαρωθούν από το δυναμικό Συλλέκτη-Βάσης V CB. Οι οπές που εκχέονται από την βάση στον εκπομπό δεν συνεισφέρουν στην λειτουργία του τρανζίστορ αλλά είναι μικρό το ρεύμα τους λόγω του ότι n E ++>>p B. Επίσης υπάρχει ένα μικρό ρεύμα λόγω της επανασύνδεσης κάποιων ηλεκτρονίων από τον Εκπομπό στην περιοχή της Βάσης. Το I C είναι το ρεύμα των ηλεκτρονίων που εκχέονται από τον Eκπομπό και σαρώνονται από τον Συλλέκτη και είναι ελάχιστα μικρότερο του Ι Ε, I C I E

Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ (-) (+) (-) (+) Το ρεύμα της ορθά πολωμένης επαφής ΒΕ, το οποίο κυρίως από ηλεκτρόνια (n E >>p B ), εκχέονται στην περιοχή της βάσης χωρίς να προλάβουν να επανασυνδεθούν (εύρος βάσης μικρό & έχει μικρό εμπλουτισμό), και σαν φορείς μειονότητας στην βάση σαρώνονται από το αναστροφο δυναμικό της επαφής CB. Το I C είναι είναι ελάχιστα μικρότερο του Ι Ε, I C I E

Τα ρεύματα στο τρανζίστορ

Τα ρεύματα στο τρανζίστορ

Τα ρεύματα στο τρανζίστορ

Από: Τα ρεύματα στο τρανζίστορ

Τα ρεύματα στο τρανζίστορ

Μοντέλο μεγάλο σημάτων (Ebers-Moll)

Μοντέλο μεγάλο σημάτων (Ebers-Moll)

Μοντέλο μεγάλο σημάτων (Ebers-Moll) Γιατί το τρανζίστορ είναι ενισχυτική διάταξη? Μικρές μεταβολές του ρεύματος εισόδου στην βάση του τρανζίστορ (τάση V BE ), προκαλούν μεγάλες μεταβολές στο ρεύμα του συλλέκτη

Μοντέλο μεγάλο σημάτων (Ebers-Moll) Παράδειγμα: Έστω β=150, Για V in =5V 5V =I B *1KΩ+0.7V I B =4.3mA I C =β*i B =645mA Lamp ON Για V in =0V V BE <0.7V (σε αποκοπή) I C =0 Lamp OFF

Προσεγγιστική λειτουργία του τρανζίστορ στο συνεχές

Προσεγγιστική λειτουργία του τρανζίστορ στο συνεχές

Προσεγγιστική λειτουργία του τρανζίστορ στο συνεχές

Προσεγγιστική λειτουργία του τρανζίστορ στο συνεχές npn pnp V BE = 0.7V(npn) V BE = -0.7V(pnp) IC IC IB base + μικρό ρεύμα VBE collector - emitter IE Μεγάλο ρεύμα IB base + μικρό ρεύμα VBE collector - emitter IE Μεγάλο ρεύμα I E = I C + I B I C @ I E I B << I C a dc = I C I E b dc = I C I B

Συνδεσμολογίες Τρανζίστορ

Χαρακτηριστικές καμπύλες σε συνδεσμολογία CE (περιοχές λειτουργίας του) Ορίζονται τρείς περιοχές εξόδου: Η Περιοχή Κόρου για VCE<VCE SAT, Η Περιοχή Αποκοπής (η VBE<0.7V) και η Ενεργός Περιοχή

Χαρακτηριστικές καμπύλες σε συνδεσμολογία CE (περιοχές λειτουργίας του)

Χαρακτηριστικές καμπύλες σε συνδεσμολογία CE (περιοχές λειτουργίας του)

Φαινόμενο Early

Επίδραση της θερμοκρασίας

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) R C R B V CE V CC V BB V BE Η συνδεσμολογία κοινού εκπομπού έχει δύο βρόγχους: Της βάσης και του συλλέκτη

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) Προσεγγίσεις κυκλωμάτων με Transistor Πρώτη: χρησιμοποιήστε την ιδανική δίοδο για την επαφή base-emitter και χρησιμοποιήστε την σχέση bi B για να προσδιορίσετε το I C. Δεύτερη: χρησιμοποιήστε την προσέγγιση σταθερής πτώσης τάσης για το V BE και χρησιμοποιήστε την σχέση bi B για να προσδιορίσετε το I C. Τρίτη: Λύνονται οι εξισώσεις συνήθως με την χρήση υπολογιστή (simulation).

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) Δεύτερη προσέγγιση: B C V BE = 0.7 V b dc I B V CE E

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) I B = V BB - V BE R B I B = 5 V - 0.7 V = 43 ma 100 kw R C 100 kw R B V CC V BB 5 V V BE = 0.7 V

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) I C = b dc I B I C = 100 x 43 ma = 4.3 ma R C 100 kw b dc = 100 R B 5 V I B = 43 ma

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) V RC = I C x R C V RC = 4.3 ma x 1 kw = 4.3 V 100 kw 1 kw I C = 4.3 ma R C V BB R B 5 V I B = 43 ma 12 V V CC

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) V CE = V CC - V RC I C = 4.3 ma V CE = 12 V - 4.3 V = 7.7 V 1 kw 100 kw V CE V BB R B 5 V I B = 43 ma 12 V

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) Υποθέτουμε ότι το transistor λειτουργεί στην ενεργό περιοχή Γράφουμε την εξίσωση των τάσεων Kirchhoff για τον βρόγχο B-E Γράφουμε την εξίσωση των τάσεων Kirchhoff για τον βρόγχο C-E Η επαφή B-E λειτουργεί σαν δίοδος VE = VB - VBE = 4V - 0.7V = 3.3V IC IE IE = (VE - 0)/RE = 3.3/3.3K = 1mA IC IE = 1mA VC = 10 - ICRC = 10-1(4.7) = 5.3V

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) b = 100 Βρόγχος τάσης B-E 5 = IBRB + VBE, λύνουμε ως προς IB IB = (5 - VBE)/RB = (5-.7)/100k = 0.043mA IC IC = bib = (100)0.043mA = 4.3mA IB IE VC = 10 - ICRC = 10-4.3(2) = 1.4V

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) VE = 0 -.7 = - 0.7V b = 50 IE = (VE - -10)/RE = (-.7 +10)/10K = 0.93mA IC IC IE = 0.93mA IB IB = IC/b m m IE VC = 10 - ICRC = 10 -.93(5) = 5.35V VCE = 5.35 - -0.7 = 6.05V

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) IC IB Output circuit Input circui t IE

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) Input characteristics IB IB 0.7V VBE Acts as a diode VBE 0.7V

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) Output characteristics IC IC IB = 40mA IB = 30mA IB = 20mA IB = 10mA Early voltage Cutoff region At a fixed IB, IC is not dependent on VCE Slope of output characteristics in linear region is near 0 (scale exaggerated) VCE

Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE) Biasing a transistor We must operate the transistor in the linear region. A transistor s operating point (Q-point) is defined by IC, VCE, and IB.

Πόλωση Τρανζίστορ

Πόλωση Τρανζίστορ

Πόλωση Τρανζίστορ Ευθεία φόρτου-load line Input circuit B-E voltage loop V BB = I B R B +V BE I B = (V BB - V BE )/R B Output circuit C-E voltage loop V CC = I C R C +V CE I C = (V CC - V CE )/R C

Πόλωση Τρανζίστορ Ευθεία φόρτου-load line I B = (V BB - V BE )/R B If V BE = 0, I B = V BB /R B V BB /R B If I B = 0, V BE = V BB

Πόλωση Τρανζίστορ Ευθεία φόρτου-load line I C = (V CC - V CE )/R C If V CE = 0, I C = V CC /R C If I C = 0, V CE = V CC V CC /R C

Πόλωση Τρανζίστορ Ευθεία φόρτου-load line

Πόλωση Τρανζίστορ Ευθεία φόρτου-load line Load-line A results in bias point Q A which is too close to VCC and thus limits the positive swing of VCE. Load-line B results in an operating point too close to the saturation region, thus limiting the negative swing of VCE.

Πόλωση Τρανζίστορ (πόλωση βάσης) I B ανεξάρτητο το Ι C, εάν μεταβληθεί το Ι C =βι Β +(1+β)I CBO, χαλάει ή πόλωση (το I CBO διπλασιάζεται ανά 10 ο C)

Πόλωση Τρανζίστορ (πόλωση βάσης με ανάδραση από τον συλλέκτη) Εάν αυξηθεί το Ι C (Ι C =βι Β +(1+β)I CBO ) >> μειώνεται το V C >> Μειώνεται το I B >> αντιστρέφεται η αύξηση του Ι C

Πόλωση Τρανζίστορ (πόλωση βάσης με διαιρέτη τάσης και ανάδραση από εκπομπό) Εάν αυξηθεί το Ι C (Ι C =βι Β +(1+β)I CBO ) >> αυξάνεται το Ι Ε >> αυξάνεται η V E >> μειώνεται το V BE >> Μειώνεται το I B >> αντιστρέφεται η αύξηση του Ι C (και το αντίστροφο)

Πόλωση Τρανζίστορ Εάν αυξηθεί το Ι C (Ι C =βι Β +(1+β)I CBO ) >> αυξάνεται το Ι Ε >> αυξάνεται η V E >> μειώνεται το V BE >> Μειώνεται το I B >> αντιστρέφεται η αύξηση του Ι C (και το αντίστροφο) Πλεονέκτημα: VB = 0

Ανάλυση διαιρέτη τάσης: +V CC R 1 V BB = R 2 R 1 + R 2 V CC +V BB ΥΠΟΘΕΣΗ: Το ρεύμα της βάσης είναι συνήθως πολύ μικρότερο από το ρεύμα του διαιρέτη. R 2

+V CC R 1 R C ΙσοδύναμοThevenin R TH = R 1 R 2 R 2 R E

Το μοντέλο Thevenin για το κύκλωμα πόλωσης: +V CC R C R TH V TH= V CC R2/(R1+R2) R TH = R 1 R 2 R E

Πολλές φορές διαλέγουμε +V CC R 1 R 2 < 0.1 b dc R E Υπολογισμός: R 1 R C I E = V BB - V BE R E + R 1 R 2 b dc Με την παραπάνω επιλογή R E ο παρονομαστής είναι σχεδόν ίσος με R E!!! ΑΝΕΞΑΡΤΗΣΙΑ ΑΠΌ ΤΟ β R 2 R E

Πόλωση Τρανζίστορ

+V CC Πόλωση βάσης: R B R C Η χειρότερη όπως είπαμε!!! Το Q μετακινείται με αντικατάσταση τρανζίστορ και την θερμοκρασία!!

Πόλωση με ανάδραση από τον εκπομπό (Emitter-feedback bias): Το ρεύμα του συλλέκτη (έξοδος) προκαλεί μεταβολή στο ρεύμα της βάσης (είσοδος) μέσω της RE R B +V CC R C Καλύτερη από την πόλωση βάσης χωρίς RE Το Q μετακινείται Δεν μπορούμε να βάλουμε R E >>R B /β V CC =I B R B +0.7V+I E R E Σπάνια χρήση R E

Πόλωση ανάδρασης Συλλέκτη Collector-feedback bias: Προσεγγιστικά η RC διαρρέεται από το IC V CC =I C R C +I B R B +0.7V= I C R C +(I C /β)r B +0.7V I C =(V CC -0.7V)/(R C +R B /β) R B +V CC R C Καλύτερη από την πόλωση emitter-feedback Το Q κινείται Περιορισμένη εφαρμογή

Πόλωση με ανάδραση από τον εκπομπό και συλλέκτη Collector- and emitter -feedback bias: R B +V CC R C Καλύτερη από την πόλωση ανάδρασης συλλέκτη Αλλά χειρότερη από την πόλωση βάσης με διαιρέτη τάσης!!! Περιορισμένη εφαρμογή R E

Πόλωση εκπομπού με δύο τροφοδοτικά Πολλή σταθερή πόλωση Χρειάζονται όμως δύο Τροφοδοτικά!!!!

Συνοψίζοντας Voltage divider bias: με R E R 1 +V CC R C Πολύ σταθερό Q Διαλέγουμε την κατάλληλη R E >>(R TH /β) Χρησιμοποιεί 1 τροφοδοτικό Η δημοφιλέστερη!!! R 2 R E