Διπολικό Τρανηίςτορ Bipolar Junction Transistor (BJT)
|
|
- Σωφρονία Ιωάννου
- 5 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Διπολικό Τρανηίςτορ Bipolar Junction Transistor (BJT)
2 Θζματα που κα καλυφκοφν Δομι και ςυμβολιςμόσ των διπολικών τρανηίςτορ Φυςικι λειτουργία διπολικοφ τρανηίςτορ Τα ρεφματα ςτο τρανηίςτορ Μοντζλο μεγάλο ςθμάτων (Ebers-Moll) Προςεγγιςτικι λειτουργία του τρανηίςτορ ςτο ςυνεχζσ Συνδεςμολογίεσ Τρανηίςτορ Χαρακτθριςτικζσ καμπφλεσ ςε ςυνδεςμολογία CE (περιοχζσ λειτουργίασ του) Φαινόμενο Early Επίδραςθ τθσ κερμοκραςίασ Μοντζλο μικρών ςθμάτων (ειςαγωγι)
3 Δομι και ςυμβολιςμόσ BJT
4 Φυςικι λειτουργία διπολικοφ τρανηίςτορ Το τρανηίςτορ φαίνεται ςαν 2 ανάποδα τοποκετθμζνεσ δίοδοι, με κοινι περιοχι p ςτο npn (n ςτο pnp) Στθν ορκι πόλωςθ τθν επαφι Βάςθσ-Εκπομποφ (ΒΕ) τθν πολώνουμε ορκά και τθν επαφι Συλλζκτθ Βάςθσ (CB) ανάςτροφα. Ένα τρανηίςτορ δεν μπορεί να καταςκευαςτεί από δφο ανεξάρτθτεσ διόδουσ γιατί: Η περιοχι τθσ βάςθσ πρζπει να είναι πολφ ςτενι Για τθν ςωςτι λειτουργία του πρζπει οι εμπλουτιςμοί να είναι n++ (E) p (B) n+ (C)
5 Φυςικι λειτουργία διπολικοφ τρανηίςτορ
6 Φυςικι λειτουργία διπολικοφ τρανηίςτορ Η επαφι Βάςθσ-Εκπομποφ είναι ορκά πολωμζνθ, οπότε: θλεκτρόνια (φορείσ πλειονότθτασ ςτον Εκπομπό) εκχζονται ςτθν Βάςθ (φορείσ μειονότθτασ ςτθν Βάςθ) και οπζσ (φορείσ πλειονότθτασ ςτθν Βάςθ) εκχζονται ςτον εκπομπό (φορείσ μειονότθτασ ςτον Εκπομπό). Τα θλεκτρόνια που εκχζονται ςτθν Βάςθ (φορείσ μειονότθτασ εκεί) από τον Εκπομπό δεν προλαβαίνουν να επαναςυνδεκοφν ςτθν περιοχι τθσ Βάςθσ, λόγο: α) του χαμθλοφ εμπλουτιςμοφ τθσ και κυρίωσ β) λόγω του μικροφ εφρουσ τθσ Έχουμε δει ότι ςτθν ανάςτροφα πολωμζνθ δίοδο οι φορείσ μειωνότθτασ ςαρώνονται από τθν ανάςτροφθ τάςθ πόλωςθσ (ανάςτροφο ρεφμα κορεςμοφ), ΣΥΝΕΠΩΣ κα ςαρωκοφν από το δυναμικό Συλλζκτθ-Βάςθσ V CB. Οι οπζσ που εκχζονται από τθν βάςθ ςτον εκπομπό δεν ςυνειςφζρουν ςτθν λειτουργία του τρανηίςτορ αλλά είναι μικρό το ρεφμα τουσ λόγω του ότι n E ++>>p B. Επίςθσ υπάρχει ζνα μικρό ρεφμα λόγω τθσ επαναςφνδεςθσ κάποιων θλεκτρονίων από τον Εκπομπό ςτθν περιοχι τθσ Βάςθσ. Το I C είναι το ρεφμα των θλεκτρονίων που εκχζονται από τον Eκπομπό και ςαρώνονται από τον Συλλζκτθ και είναι ελάχιςτα μικρότερο του Ι Ε, I C I E
7 Φυςικι λειτουργία διπολικοφ τρανηίςτορ Το ρεφμα τθσ ορκά πολωμζνθσ επαφισ ΒΕ, το οποίο κυρίωσ από θλεκτρόνια (n E >>p B ), εκχζονται ςτθν περιοχι τθσ βάςθσ χωρίσ να προλάβουν να επαναςυνδεκοφν (εφροσ βάςθσ μικρό & ζχει μικρό εμπλουτιςμό), και ςαν φορείσ μειονότθτασ ςτθν βάςθ ςαρώνονται από το αναςτροφο δυναμικό τθσ επαφισ CB. Το I C είναι είναι ελάχιςτα μικρότερο του Ι Ε, I C I E
8 Τα ρεφματα ςτο τρανηίςτορ
9 Τα ρεφματα ςτο τρανηίςτορ
10 Τα ρεφματα ςτο τρανηίςτορ
11 Από: Τα ρεφματα ςτο τρανηίςτορ
12 Τα ρεφματα ςτο τρανηίςτορ
13 Μοντζλο μεγάλο ςθμάτων (Ebers-Moll)
14 Μοντζλο μεγάλο ςθμάτων (Ebers-Moll)
15 Μοντζλο μεγάλο ςθμάτων (Ebers-Moll) Γιατί το τρανηίςτορ είναι ενιςχυτικι διάταξθ? Μικρζσ μεταβολζσ του ρεφματοσ ειςόδου ςτθν βάςθ του τρανηίςτορ (τάςθ V BE ), προκαλοφν μεγάλεσ μεταβολζσ ςτο ρεφμα του ςυλλζκτθ
16 Μοντζλο μεγάλο ςθμάτων (Ebers-Moll) Παράδειγμα: Ζςτω β=150, Για V in =5V 5V =I B *1KΩ+0.7V I B =4.3mA I C =β*i B =645mA Lamp ON Για V in =0V V BE <0.7V (ςε αποκοπι) I C =0 Lamp OFF
17 Προςεγγιςτικι λειτουργία του τρανηίςτορ ςτο ςυνεχζσ
18 Προςεγγιςτικι λειτουργία του τρανηίςτορ ςτο ςυνεχζσ
19 Προςεγγιςτικι λειτουργία του τρανηίςτορ ςτο ςυνεχζσ
20 Προςεγγιςτικι λειτουργία του τρανηίςτορ ςτο ςυνεχζσ npn pnp V BE = 0.7V(npn) V BE = -0.7V(pnp) IC IC IB base + κηθξό ξεύκα VBE collector - emitter IE Μεγάιν ξεύκα IB base + κηθξό ξεύκα VBE collector - emitter IE Μεγάιν ξεύκα I E = I C + I B I I E I B << I C a dc = I C I E b dc = I C I B
21 Συνδεςμολογίεσ Τρανηίςτορ
22 Χαρακτθριςτικζσ καμπφλεσ ςε ςυνδεςμολογία CE (περιοχζσ λειτουργίασ του) Ορίηονται τρείσ περιοχζσ εξόδου: Η Περιοχι Κόρου για VCE<VCE SAT, Η Περιοχι Αποκοπισ (θ VBE<0.7V) και θ Ενεργόσ Περιοχι
23 Χαρακτθριςτικζσ καμπφλεσ ςε ςυνδεςμολογία CE (περιοχζσ λειτουργίασ του)
24 Χαρακτθριςτικζσ καμπφλεσ ςε ςυνδεςμολογία CE (περιοχζσ λειτουργίασ του)
25 Φαινόμενο Early
26 Επίδραςθ τθσ κερμοκραςίασ
27 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) R C R B V CE V CC V BB V BE Η ζπλδεζκνινγία θνηλνύ εθπνκπνύ έρεη δύν βξόγρνπο: Τεο βάζεο θαη ηνπ ζπιιέθηε
28 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) Προςεγγίςεισ κυκλωμάτων με Transistor Πρώτθ: χρθςιμοποιιςτε τθν ιδανικι δίοδο για τθν επαφι base-emitter και χρθςιμοποιιςτε τθν ςχζςθ bi B για να προςδιορίςετε το I C. Δεφτερθ: χρθςιμοποιιςτε τθν προςζγγιςθ ςτακερισ πτώςθσ τάςθσ για το V BE και χρθςιμοποιιςτε τθν ςχζςθ bi B για να προςδιορίςετε το I C. Τρίτθ: Λφνονται οι εξιςώςεισ ςυνικωσ με τθν χριςθ υπολογιςτι (simulation).
29 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) Γεύηεξε πξνζέγγηζε: B C V BE = 0.7 V b dc I B V CE E
30 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) I B = V BB - V BE R B I B = 5 V V = 43 ma 100 kw R C 100 kw R B V CC V BB 5 V V BE = 0.7 V
31 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) I C = b dc I B I C = 100 x 43 ma = 4.3 ma R C 100 kw b dc = 100 R B 5 V I B = 43 ma
32 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) V RC = I C x R C V RC = 4.3 ma x 1 kw = 4.3 V 100 kw 1 kw I C = 4.3 ma R C V BB R B 5 V I B = 43 ma 12 V V CC
33 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) V CE = V CC - V RC I C = 4.3 ma V CE = 12 V V = 7.7 V 1 kw 100 kw V CE V BB R B 5 V I B = 43 ma 12 V
34 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) Τπνζέηνπκε όηη ην transistor ιεηηνπξγεί ζηελ ελεξγό πεξηνρή Γξάθνπκε ηελ εμίζσζε ησλ ηάζεσλ Kirchhoff γηα ηνλ βξόγρν B-E Γξάθνπκε ηελ εμίζσζε ησλ ηάζεσλ Kirchhoff γηα ηνλ βξόγρν C-E Η επαθή B-E ιεηηνπξγεί ζαλ δίνδνο VE = VB - VBE = 4V - 0.7V = 3.3V IC IE IE = (VE - 0)/RE = 3.3/3.3K = 1mA IC IE = 1mA VC = 10 - ICRC = 10-1(4.7) = 5.3V
35 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) b = 100 Βξόγρνο ηάζεο B-E 5 = IBRB + VBE, ιύλνπκε σο πξνο IB IB = (5 - VBE)/RB = (5-.7)/100k = 0.043mA IC IC = bib = (100)0.043mA = 4.3mA IB IE VC = 10 - ICRC = (2) = 1.4V
36 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) VE = = - 0.7V b = 50 IE = (VE - -10)/RE = ( )/10K = 0.93mA IC IC IE = 0.93mA IB IB = IC/b m m IE VC = 10 - ICRC = (5) = 5.35V VCE = = 6.05V
37 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) IC IB Output circuit Input circui t IE
38 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) Input characteristics IB IB 0.7V VBE Acts as a diode VBE 0.7V
39 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) Output characteristics IC IC IB = 40mA IB = 30mA IB = 20mA IB = 10mA Early voltage Cutoff region At a fixed IB, IC is not dependent on VCE Slope of output characteristics in linear region is near 0 (scale exaggerated) VCE
40 Συνδεςμολογία Κοινοφ Εκπομποφ (CE) Biasing a transistor We must operate the transistor in the linear region. A transistor s operating point (Q-point) is defined by IC, VCE, and IB.
41 Πόλωςθ Τρανηίςτορ
42 Πόλωςθ Τρανηίςτορ
43 Πόλωςθ Τρανηίςτορ Ευκεία φόρτου-load line Input circuit B-E voltage loop V BB = I B R B +V BE I B = (V BB - V BE )/R B Output circuit C-E voltage loop V CC = I C R C +V CE I C = (V CC - V CE )/R C
44 Πόλωςθ Τρανηίςτορ Ευκεία φόρτου-load line I B = (V BB - V BE )/R B If V BE = 0, I B = V BB /R B V BB /R B If I B = 0, V BE = V BB
45 Πόλωςθ Τρανηίςτορ Ευκεία φόρτου-load line I C = (V CC - V CE )/R C If V CE = 0, I C = V CC /R C If I C = 0, V CE = V CC V CC /R C
46 Πόλωςθ Τρανηίςτορ Ευκεία φόρτου-load line
47 Πόλωςθ Τρανηίςτορ Ευκεία φόρτου-load line Load-line A results in bias point Q A which is too close to VCC and thus limits the positive swing of VCE. Load-line B results in an operating point too close to the saturation region, thus limiting the negative swing of VCE.
48 Πόλωςθ Τρανηίςτορ (πόλωςθ βάςθσ) I B αλεμάξηεην ην Ι C, εάλ κεηαβιεζεί ην Ι C =βι Β +(1+β)I CBO, ραιάεη ή πόιωζε (ην I CBO δηπιαζηάδεηαη αλά 10 ν C)
49 Πόλωςθ Τρανηίςτορ (πόλωςθ βάςθσ με ανάδραςθ από τον ςυλλζκτθ) Δάλ απμεζεί ην Ι C (Ι C =βι Β +(1+β)I CBO ) >> κεηώλεηαη ην V C >> Μεηώλεηαη ην I B >> αληηζηξέθεηαη ε αύμεζε ηνπ Ι C
50 Πόλωςθ Τρανηίςτορ (πόλωςθ βάςθσ με διαιρζτθ τάςθσ και ανάδραςθ από εκπομπό) Δάλ απμεζεί ην Ι C (Ι C =βι Β +(1+β)I CBO ) >> απμάλεηαη ην Ι Δ >> απμάλεηαη ε V E >> κεηώλεηαη ην V BE >> Μεηώλεηαη ην I B >> αληηζηξέθεηαη ε αύμεζε ηνπ Ι C (θαη ην αληίζηξνθν)
51 Πόλωςθ Τρανηίςτορ Δάλ απμεζεί ην Ι C (Ι C =βι Β +(1+β)I CBO ) >> απμάλεηαη ην Ι Δ >> απμάλεηαη ε V E >> κεηώλεηαη ην V BE >> Μεηώλεηαη ην I B >> αληηζηξέθεηαη ε αύμεζε ηνπ Ι C (θαη ην αληίζηξνθν) Πιενλέθηεκα: VB = 0
52 Αλάιπζε δηαηξέηε ηάζεο: +V CC R 1 V BB = R 2 R 1 + R 2 V CC +V BB ΤΠΟΘΕΗ: Σν ξεύκα ηεο βάζεο είλαη ζπλήζσο πνιύ κηθξόηεξν από ην ξεύκα ηνπ δηαηξέηε. R 2
53 +V CC R 1 R C ΙζνδύλακνThevenin R TH = R 1 R 2 R 2 R E
54 Τν κνληέιν Thevenin γηα ην θύθιωκα πόιωζεο: +V CC R C R TH V TH= V CC R2/(R1+R2) R TH = R 1 R 2 R E
55 Πνιιέο θνξέο δηαιέγνπκε +V CC R 1 R 2 < 0.1 b dc R E Τπνινγηζκόο: R 1 R C I E = V BB - V BE R E + R 1 R 2 b dc Με ηελ παξαπάλσ επηινγή R E ν παξνλνκαζηήο είλαη ζρεδόλ ίζνο κε R E!!! ΑΝΕΞΑΡΣΗΙΑ ΑΠΌ ΣΟ β R 2 R E
56 Πόλωςθ Τρανηίςτορ
57 +V CC Πόισζε βάζεο: R B R C Η ρεηξόηεξε όπωο είπακε!!! Τν Q κεηαθηλείηαη κε αληηθαηάζηαζε ηξαλδίζηνξ θαη ηελ ζεξκνθξαζία!!
58 Πόισζε κε αλάδξαζε από ηνλ εθπνκπό (Emitter-feedback bias): Σν ξεύκα ηνπ ζπιιέθηε (έμνδνο) πξνθαιεί κεηαβνιή ζην ξεύκα ηεο βάζεο (είζνδνο) κέζσ ηεο RE R B +V CC R C Καιύηεξε από ηελ πόιωζε βάζεο ρωξίο RE Τν Q κεηαθηλείηαη Γελ κπνξνύκε λα βάινπκε R E >>R B /β V CC =I B R B +0.7V+I E R E Σπάληα ρξήζε R E
59 Πόισζε αλάδξαζεο πιιέθηε Collector-feedback bias: Πξνζεγγηζηηθά ε RC δηαξξέεηαη από ην IC V CC =I C R C +I B R B +0.7V= I C R C +(I C /β)r B +0.7V I C =(V CC -0.7V)/(R C +R B /β) R B +V CC R C Καιύηεξε από ηελ πόιωζε emitter-feedback Τν Q θηλείηαη Πεξηνξηζκέλε εθαξκνγή
60 Πόισζε κε αλάδξαζε από ηνλ εθπνκπό θαη ζπιιέθηε Collector- and emitter -feedback bias: R B +V CC R C Καιύηεξε από ηελ πόιωζε αλάδξαζεο εθπνκπνύ Αιιά ρεηξόηεξε από ηελ πόιωζε βάζεο κε δηαηξέηε ηάζεο!!! Πεξηνξηζκέλε εθαξκνγή R E
61 Πόισζε εθπνκπνύ κε δύν ηξνθνδνηηθά Πνιιή ζηαζεξή πόιωζε Χξεηάδνληαη όκωο δύν Τξνθνδνηηθά!!!!
62 πλνςίδνληαο Voltage divider bias: κε R E R 1 +V CC R C Πνιύ ζηαζεξό Q Γηαιέγνπκε ηελ θαηάιιειε R E >>(R TH /β) Χξεζηκνπνηεί 1 ηξνθνδνηηθό Η δεκνθηιέζηεξε!!! R 2 R E
Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)
Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραBipolar Transistors ιπολικά τρανζίστορ
Bipolar Transistors ιπολικά τρανζίστορ Επιµέλεια Π. Παπαγέωργας Κεφάλαιο 5 1 Shockley, Bardeen, and Brattain were jointly awarded the 1956 Nobel Prize in Physics "for their researches on semiconductors
Διαβάστε περισσότερα4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ
1 4. Τρανζίστορ επαφής 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ Το τρανζίστορ είναι ένας ημιαγωγός με προσμίξεις, που περιέχεται μεταξύ δύο ημιαγωγών από το ίδιο υλικο, αλλά με αντίθετου τύπου προσμίξεις. Έχουμε
Διαβάστε περισσότερα«Ενισχυτές με διπολικό transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής
Διαβάστε περισσότεραΕΙΑΓΩΓΗ ΣΟ ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΣΡΑΝΖΙΣΟΡ ΕΠΑΦΗ. ΜΕΡΟ Α: Απαραίτητεσ γνώςεισ
ΕΙΑΓΩΓΗ ΣΟ ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΣΡΑΝΖΙΣΟΡ ΕΠΑΦΗ ΜΕΡΟ Α: Απαραίτητεσ γνώςεισ Σν ηξαλδίζηνξ είλαη ην ζεκαληηθόηεξν «ελεξγό» ειεθηξνληθό εμάξηεκα. Είλαη κία δηάηαμε ε νπνία κπνξεί ζηελ έμνδν ηεο λα δώζεη ζήκα κεγαιύηεξεο
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 2 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών
AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Επανάληψη μέρος 2 ο Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε
Διαβάστε περισσότεραΑςκήςεισ. Ενότητα 1. Πηγζσ τάςησ, ρεφματοσ και αντιςτάςεισ
Αςκήςεισ Ενότητα 1. Πηγζσ τάςησ, ρεφματοσ και αντιςτάςεισ 1. Ζςτω το ςιμα τάςθσ V(t)=V dc +Asin(ωt) που βλζπουμε ςτο επόμενο ςχιμα. Να προςδιορίςετε το πλάτοσ Α και τθν dc ςυνιςτώςα κακώσ και να υπολογίςτε
Διαβάστε περισσότεραΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).
7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση
Διαβάστε περισσότεραΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός
Διαβάστε περισσότεραΣρανηίςτορ Επίδραςθσ Πεδίου Field Effect Transistor MOS-FET, J-FET
Σρανηίςτορ Επίδραςθσ Πεδίου Field Effect Transistor MOS-FET, J-FET Metal Oxide Semiconductor Field- Effect Transistor (MOS-FET) Φυςικι λειτουργία MOS-FET V G =0V V DS >0 I D 0, ζηελ πξαγκαηηθόηεηα R DS
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.
Διαβάστε περισσότεραΚΔΦAΛΑΗΟ 4 ΣΟ ΓΗΠΟΛΗΚΟ ΣΡΑΝΕΗΣΟΡ (BJT) 4.1. Σο Σρανδίζηορ
ΚΔΦAΛΑΗΟ 4 ΣΟ ΓΗΠΟΛΗΚΟ ΣΡΑΝΕΗΣΟΡ (BJT) 4.1. Σο Σρανδίζηορ Η εμέιημε ηεο ηερλνινγίαο ηεο ειεθηξνληθήο κέρξη ηα ηέιε ηεο δεθαεηίαο ηνπ 1940, αθνινπζνύζε ηνπο ξπζκνύο αλάπηπμεο όισλ ησλ άιισλ θιάδσλ ηεο βηνκεραλίαο.
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Μάθημα ΙV Διπολικά τρανζίστορ. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.
Ηλεκτρονική Μάθημα ΙV Διπολικά τρανζίστορ Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Ε.ΔΙ.Π. Μηχανικών Δρ. Αθανάσιος Παραγωγής Ψωμούλης και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Διπολικό
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των
Διαβάστε περισσότεραLecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 210-1
Lecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2101 LECTURE 210 DC ANALYSIS OF THE 741 OP AMP (READING: GHLM 454462) Objective The objective of this presentation is to: 1.) Identify the devices,
Διαβάστε περισσότεραNPN Silicon RF Transistor BFQ 74
NPN Silicon RF Transistor BFQ 74 For low-noise amplifiers in the GHz range, and broadband analog and digital applications in telecommunications systems at collector currents from 1 ma to 25 ma. Hermetically
Διαβάστε περισσότεραΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. Ρεύµατα στο τρανζίστορ επαφής
ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Στο κεφάλαιο αυτό θα εξετάσουµε τη φυσική συµπεριφορά του διπολικού τρανζίστορ επαφής (Bipolar Junction Transistor) ή όπως θα το ονοµάζουµε απλά τρανζίστορ. Ο όρος διπολικό αφορά στο ότι
Διαβάστε περισσότεραΥ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor
Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.
Διαβάστε περισσότεραΕρωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά
Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ Rquird Txt: Microlctronic Dvics, Kith Lavr (5 th Chaptr) Τρανζίστορ Ανακαλύφθηκε το 1948 από τους William Shockly, John Bardn και Waltr Brattain στα εργαστήρια
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1
Διαβάστε περισσότεραΑΚΗΗ 1 ΜΕΣΡΗΕΙ ΜΕ ΣΟΝ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ ΠΑΡΑΔΟΣΕΟ ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΠΑΣΡΩΝ ΕΡΓΑΣΗΡΙΟ ΗΛΕΚΣΡΟΝΙΚΩΝ. Ονοματεπώνυμο Ημερομηνία Σμήμα. Οριζόντια απόςταςη
ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΠΑΣΡΩΝ ΕΡΓΑΣΗΡΙΟ ΗΛΕΚΣΡΟΝΙΚΩΝ Ονοματεπώνυμο Ημερομηνία Σμήμα ΑΚΗΗ 1 ΜΕΣΡΗΕΙ ΜΕ ΣΟΝ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ ΠΑΡΑΔΟΣΕΟ Πίνακασ 1.1 φγκριςθ μετριςεων περιόδου θμιτονικοφ ςιματοσ γεννθτρια παλμογράφοσ Οριζόντια
Διαβάστε περισσότεραΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI. Ασκήσεις Ι. Γ. Τσιατούχας. Πανεπιςτιμιο Ιωαννίνων. Τμιμα Μθχανικϊν Η/Υ και Πλθροφορικισ 8/11/18
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ LSI Πανεπιςτιμιο Ιωαννίνων Ασκήσεις Ι Τμιμα Μθχανικϊν Η/Υ και Πλθροφορικισ 8/11/18 Γ. Τσιατούχας Άσκηση 1 1) Σχεδιάςτε τισ ςφνκετεσ COS λογικζσ πφλεσ (ςε επίπεδο τρανηίςτορ) που υλοποιοφν τισ
Διαβάστε περισσότεραEUROPEAN TRADESMAN PROJECT NOTES ON ELECTRICAL TESTS OF ELECTRICAL INSTALLATIONS
EUROPEAN TRADESMAN PROJECT NOTES ON ELECTRICAL TESTS OF ELECTRICAL INSTALLATIONS Οι μακθτζσ να μάκουν να χρθςιμοποιοφν ορκά και να διαβάηουν τθν ζνδειξθ των οργάνων για τθν μζτρθςθ: τθσ τάςθσ Σου ρεφματοσ
Διαβάστε περισσότεραΑκαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.
A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΑΓΩΓΙΜΩΤΗΤΑ
ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΑΓΩΓΙΜΩΤΗΤΑ Έστω R: μια αντίσταση ενός αγωγού σταθερής διατομής ρ: ειδική αντίσταση του αγωγού l: το μήκος του αγωγού και S: το εμβαδό της διατομής του αγωγού Ισχύει ο τύπος: R= Η ευκολία διέλευσης
Διαβάστε περισσότεραΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικά τρανζίστορ (BJT)
Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reatve ommons. Για εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότεραChương 2: Đại cương về transistor
Chương 2: Đại cương về transistor Transistor tiếp giáp lưỡng cực - BJT [ Bipolar Junction Transistor ] Transistor hiệu ứng trường FET [ Field Effect Transistor ] 2.1 KHUYẾCH ĐẠI VÀ CHUYỂN MẠCH BẰNG TRANSISTOR
Διαβάστε περισσότεραΒασικές Λειτουργίες των TR
Βασικές Λειτουργίες των TR Το TR για να λειτουργήσει απαιτεί να εφαρµοστούν σε αυτό τάσεις δυναµικά για να κινηθούν µέσα σε αυτά τα αντίστοιχα ρεύµατα. Τα δυναµικά που µπορούν να εφαρµοστούν σε αυτό είναι:
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα
Διαβάστε περισσότεραΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς
Διαβάστε περισσότεραiii. iv. γηα ηελ νπνία ηζρύνπλ: f (1) 2 θαη
ΔΠΑΝΑΛΗΠΣΙΚΑ ΘΔΜΑΣΑ ΣΟ ΓΙΑΦΟΡΙΚΟ ΛΟΓΙΜΟ Μάρτιος 0 ΘΔΜΑ Να ππνινγίζεηε ηα όξηα: i ii lim 0 0 lim iii iv lim e 0 lim e 0 ΘΔΜΑ Γίλεηαη ε άξηηα ζπλάξηεζε '( ) ( ) γηα θάζε 0 * : R R γηα ηελ νπνία ηζρύνπλ:
Διαβάστε περισσότεραΟνομαηεπώνυμο: Μάθημα: Υλη: Δπιμέλεια διαγωνίζμαηος: Αξιολόγηζη :
Ονομαηεπώνυμο: Μάθημα: Υλη: Δπιμέλεια διαγωνίζμαηος: Αξιολόγηζη : Θέμα Α. Σηιρ επωηήζειρ πολλαπλήρ επιλογήρ πος ακολοςθούν ζημειώζηε ζηο γπαπηό ζαρ ηον απιθμό ηηρ επώηηζηρ και δίπλα ηην ένδειξη ηηρ ζωζηήρ
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Βαθµίδες εξόδου Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Η τελική βαθµίδα εξόδου είναι αυτή που αποδίδει την ισχύ στο φορτίο
Διαβάστε περισσότεραNPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
FEATURES NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR LOW COST HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = MHz TYP LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT: CC r b'b = 5 ps TYP LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE=.55 pf TYP
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6: Διπολικό τρανζίστορ (BJT) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ Δημήτριος Λαμπάκης ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 1 Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού Η εφεύρεση του τρανζίστορ υπήρξε αποτέλεσμα της προσπάθειας κατασκευής μιας
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Δομή και λειτουργία του τρανζίστορ npn (και pnp). Ρεύμα Βάσης, Εκπομπού, Συλλέκτη. Περιοχές λειτουργίας του
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικά τρανζίστορ (BJT)
Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή
Διαβάστε περισσότεραMicroelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises
Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises Page 11 CHAPTER 1 V LSB 5.1V 10 bits 5.1V 104bits 5.00 mv V 5.1V MSB.560V 1100010001 9 + 8 + 4 + 0 785 10 V O 786 5.00mV or
Διαβάστε περισσότεραΔίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου
ontrol Systems Laboratory Δίοδοι Zener συνεχ. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου I V Z υ διατηρείται σταθερή για μία ευρεία περιοχή
Διαβάστε περισσότεραΘΔΜΑ 1 ο Μονάδες 5,10,10
ΟΝΟΜΑΣΔΠΩΝΤΜΟ ΗΜΔΡΟΜΗΝΙΑ ΘΔΜΑ 1 ο Μονάδες 5,1,1 ΓΙΑΓΩΝΙΜΑ 1 ου ΜΔΡΟΤ ΣΗ ΑΝΑΛΤΗ Α Γώζηε ηνλ νξηζκό ηεο αληίζηξνθεο ζπλάξηεζεο Β Γείμηε όηη αλ κηα ζπλάξηεζε είλαη αληηζηξέςηκε ηόηε νη γξαθηθέο παξαζηάζεηο
Διαβάστε περισσότεραIXBH42N170 IXBT42N170
High Voltage, High Gain BIMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBH42N17 IXBT42N17 S 9 = 1 = 42A (sat) 2.8V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXBH) S = 25 C to 15 C 17 V V CGR = 25
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn. Τρανζίστορ FT 3. Πόλωση των FT - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FT 5. Διπολικό τρανζίστορ (JT) 6. Πόλωση των JT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με
Διαβάστε περισσότεραHY523 Εργαςτηριακή Σχεδίαςη Ψηφιακών Κυκλωμάτων με εργαλεία Ηλεκτρονικού Σχεδιαςτικού Αυτοματιςμού. http://www.csd.uoc.gr/~hy523. 2 ΗΥ523 - Χωροκζτθςθ
HY523 Εργαςτηριακή Σχεδίαςη Ψηφιακών Κυκλωμάτων με εργαλεία Ηλεκτρονικού Σχεδιαςτικού Αυτοματιςμού Διδάςκων: Χ. Σωτηρίου http://www.csd.uoc.gr/~hy523 1 ΗΥ523 - Χωροκζτθςθ Περιεχόμενα Δομζσ Ειςόδου/Εξόδου
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 6. Κυκλώματα με διπολικό τρανζίστορ επαφής (BJT) Λειτουργία διακόπτη
Κεφάλαιο 6. Κυκλώματα με διπολικό τρανζίστορ επαφής (BJT) Λειτουργία διακόπτη Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό, αφού έχει παρουσιαστεί και κατανοηθεί η λειτουργία των ημιαγωγικών διατάξεων και η χρήση των διόδων,
Διαβάστε περισσότεραΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Καθρέπτες ρεύματος, ενεργά φορτία και αναφορές τάσης ρεύματος» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των καθρεπτών ρεύματος και της χρήσης τους
Διαβάστε περισσότεραΓΗΑΓΩΝΗΣΜΑ ΣΤΑ ΜΑΘΖΜΑΤΗΚΑ. Ύλη: Μιγαδικοί-Σσναρηήζεις-Παράγωγοι Θεη.-Τετν. Καη Εήηημα 1 ο :
ΓΗΑΓΩΝΗΣΜΑ ΣΤΑ ΜΑΘΖΜΑΤΗΚΑ Ον/μο:.. Γ Λσκείοσ Ύλη: Μιγαδικοί-Σσναρηήζεις-Παράγωγοι Θεη.-Τετν. Καη. 11-1-11 Εήηημα 1 ο : Α. Γηα ηελ ζπλάξηεζε f, λα βξείηε ην δηάζηεκα ζην νπνίν είλαη παξαγσγίζηκε θαζώο θαη
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7: Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Το σημείο ηρεμίας επιλέγεται σε μία τιμή πάνω από την αποκοπή (διαφέρει ανάλογα με το τρανζίστορ). Άρα χρειάζεται και επιπλέον ρυθμιστική
Διαβάστε περισσότεραΥπολογίστε την τάση τροφοδοσίας και τις αντιστάσεις στο παραπάνω κύκλωμα έτσι ώστε να λειτουργεί στο σημείο που δείχνει η ευθεία φόρτου.
Πρόβλημα 6.2.1 Υπολογίστε την τάση τροφοδοσίας και τις αντιστάσεις στο παραπάνω κύκλωμα έτσι ώστε να λειτουργεί στο σημείο που δείχνει η ευθεία φόρτου. 1 Πρόβλημα 6.2.2 Υπολογίστε τις δύο άγνωστες αντιστάσεις
Διαβάστε περισσότεραBipolar Model Standardization Mextram 503.2
Bipolar Model Standardization Mextram 53.2 W.J. Kloosterman J.C.J. Paasschens D.B.M. Klaassen Laboratories, Eindhoven c Electronics N.V. 1999 Outline (1) Introduction Extended Mextram circuit model Results
Διαβάστε περισσότεραΑπνηειέζκαηα Εξσηεκαηνινγίνπ 2o ηεηξάκελν 2011-12
Απνηειέζκαηα Εξσηεκαηνινγίνπ 2o ηεηξάκελν 11-12 Project 6: Ταμίδη κε ηε Μεραλή ηνπ Φξόλνπ Υπεύζπλνη Καζεγεηέο: Ε. Μπηιαλάθε Φ. Αλησλάηνο Δρώηηζη 3: Πνηα από ηα παξαθάησ ΜΜΕ ηεξαξρείηε από πιεπξάο ζεκαζίαο;
Διαβάστε περισσότεραΑΡΥΔ ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΗ ΘΔΩΡΙΑ ΛΤΔΙ ΓΙΑΓΩΝΙΜΑΣΟ ΚΔΦΑΛΑΙΟΤ 2
ΑΥΔ ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΗ ΘΔΩΙΑ ΛΤΔΙ ΙΑΩΝΙΜΑΣΟ ΚΔΦΑΛΑΙΟΤ 2 1: Λάζος (είλαη ηζνζθειήο ππεξβνιή) Α2: Λάζος (ην ζεηηθό πξόζεκν ζεκαίλεη όηη ε Πνζνζηηαία Μεηαβνιή Δηζνδήκαηνο θαη ε Πνζνζηηαία Μεηαβνιή Πνζόηεηαο ήηαλ
Διαβάστε περισσότεραΜονοψϊνιο. Αγνξά κε ιίγνπο αγνξαζηέο. Δύναμη μονοψωνίος Η ηθαλόηεηα πνπ έρεη ν αγνξαζηήο λα επεξεάζεη ηελ ηηκή ηνπ αγαζνύ.
Μονοψϊνιο Ολιγοψώνιο Αγνξά κε ιίγνπο αγνξαζηέο. Δύναμη μονοψωνίος Η ηθαλόηεηα πνπ έρεη ν αγνξαζηήο λα επεξεάζεη ηελ ηηκή ηνπ αγαζνύ. Οπιακή αξία Δπηπξόζζεηα νθέιε από ηελ ρξήζε/θαηαλάισζε κηαο επηπξόζζεηε
Διαβάστε περισσότεραA. Αιιάδνληαο ηε θνξά ηνπ ξεύκαηνο πνπ δηαξξέεη ηνλ αγωγό.
ΤΠΟΤΡΓΔΙΟ ΠΑΙΓΔΙΑ ΚΑΙ ΠΟΛΙΣΙΜΟΤ ΛΔΤΚΩΙΑ ΦΤΛΛΟ ΔΡΓΑΙΑ Μειέηε ηωλ παξαγόληωλ από ηνπο νπνίνπο εμαξηάηαη ε ειεθηξνκαγλεηηθή δύλακε. Τιηθά - πζθεπέο: Ηιεθηξνληθή δπγαξηά, ηξνθνδνηηθό ηάζεο, ξννζηάηεο, ακπεξόκεηξν,
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ PUSH-PULL ΤΑΞΗΣ AB
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ PUSH-PULL ΤΑΞΗΣ AB ΘΕΩΡΗΣΙΚΗ ΕΙΑΓΩΓΗ Οι ενιςχυτζσ ιςχφοσ αποτελοφν μια ιδιαίτερθ κατθγορία ενιςχυτϊν που χαρακτθριςτικό τουσ είναι θ μεγάλθ ιςχφσ που μποροφν να αποδϊςουν
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT) Το τρανζίστορ επαφής, που αναφέρεται συχνά, απλώς σαν τρανζίστορ, ανακαλύφθηκε το 1948 στα εργαστήρια της Bell από τους J. Βardeen, W. Bratain και W. Shockley και
Διαβάστε περισσότεραΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΗ ΠΟΛΙΤΙΚΗ ΕΡΕΥΝΑ. Αποτελέςματα
ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΗ ΠΟΛΙΤΙΚΗ ΕΡΕΥΝΑ Αποτελέςματα 9 Ιανουαρίου 2015 ΣΑΤΣΟΣΗΣΑ ΣΗ ΕΡΕΤΝΑ Ζ έξεπλα πξαγκαηνπνηήζεθαλ από ηελ marc A.E. - Αξηζκόο Κεηξώνπ Δ.Π.Ο.: 1 (ΔΛΑ). ΔΛΡΝΙΔΑΠ ΚΔΓΔΘΝΠ ΓΔΗΓΚΑΡΝΠ ALPHA TV 1.007
Διαβάστε περισσότεραf '(x)g(x)h(x) g'(x)f (x)h(x) h'(x) f (x)g(x)
ΓΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΑ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΑ 54 Υλη: Παράγωγοι Γ Λσκείοσ Ον/μο:.. 6--4 Θεη-Τετν. ΘΔΜΑ Α.. Αλ f, g, h ηξεηο παξαγωγίζηκεο ζπλαξηήζεηο ζην λα απνδείμεηε όηη : f () g() h() ' f '()g()h() g'()f ()h() h'() f ()g()
Διαβάστε περισσότερα( )( ) ( ) ( )( ) ( )( ) β = Chapter 5 Exercise Problems EX α So 49 β 199 EX EX EX5.4 EX5.5. (a)
hapter 5 xercise Problems X5. α β α 0.980 For α 0.980, β 49 0.980 0.995 For α 0.995, β 99 0.995 So 49 β 99 X5. O 00 O or n 3 O 40.5 β 0 X5.3 6.5 μ A 00 β ( 0)( 6.5 μa) 8 ma 5 ( 8)( 4 ) or.88 P on + 0.0065
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία
Διαβάστε περισσότεραΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 ΚαθηγητήςΚωνσταντίνοςΕυσταθίου
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) 1 The Current Switch (Μεταγωγός Ρεύματος) Αποτελεί την καρδιά οποιασδήποτε πύλης ECL Q1, Q2 =πανομοιότυπα Rc=matched αντιστάσεις Κύκλωμα μεταγωγού ρεύματος σε πύληecl
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος
Διαβάστε περισσότεραΒάσεις Δεδομέμωμ. Εξγαζηήξην V. Τκήκα Πιεξνθνξηθήο ΑΠΘ 2015-2016
Βάσεις Δεδομέμωμ Εξγαζηήξην V Τκήκα Πιεξνθνξηθήο ΑΠΘ 2015-2016 2 Σκοπός του 5 ου εργαστηρίου Σθνπόο απηνύ ηνπ εξγαζηεξίνπ είλαη: ε κειέηε ζύλζεησλ εξσηεκάησλ ζύλδεζεο ζε δύν ή πεξηζζόηεξεο ζρέζεηο ε κειέηε
Διαβάστε περισσότεραΑΚΗΕΙ ΠΡΟΒΛΕΨΕΩΝ ΠΡΟΒΛΕΨΕΙ
ΑΚΗΕΙ ΠΡΟΒΛΕΨΕΩΝ ΠΡΟΒΛΕΨΕΙ 1 Άσκηση 1 Μια βιομησανική επισείπηση έσει καταγπάτει τιρ μηνιαίερ πυλήσειρ τυν πποφόντυν τηρ, πος ήσαν οι εξήρ (σε εκατ. εςπώ): Μήναρ Πυλήσειρ 1 50 2 54 3 61 4 68 5 76 6 87
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΚΑΜΠΥΛΕΣ ΑΜΦΙΠΟΛΙΚΩΝ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΩΝ Η άσκηση αποτελείται από δύο τμήματα: 1) μελέτη των χαρακτηριστικών καμπύλων εισόδου και εξόδου των τρανζίστορ για
Διαβάστε περισσότεραΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ/Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 08/09/2014
ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΕΚΠ. ΕΤΟΥΣ 204-205 ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ/Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 08/09/204 A ΟΜΑΓΑ Οδηγία: Να γράυεηε ζηο ηεηράδιο ζας ηον αριθμό κάθε μιας από ηις παρακάηφ ερφηήζεις Α.-Α.8 και
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση των Τρανζίστορ
Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία
Διαβάστε περισσότεραΚΤΠΡΙΑΚΗ ΜΑΘΗΜΑΣΙΚΗ ΕΣΑΙΡΕΙΑ ΜΑΘΗΜΑΣΙΚΗ ΚΤΣΑΛΟΓΡΟΜΙΑ 2007 ΓΙΑ ΣΟ ΓΤΜΝΑΙΟ Παπασκευή 26 Ιανουαπίου 2007 Σάξη: Α Γυμνασίου ΥΟΛΕΙΟ..
ΜΑΘΗΜΑΣΙΚΗ ΚΤΣΑΛΟΓΡΟΜΙΑ 2007 ΓΙΑ ΣΟ ΓΤΜΝΑΙΟ Παπασκευή 26 Ιανουαπίου 2007 Σάξη: Α Γυμνασίου έλαξμεο 09.30 ιήμεο 09.45 Σην παξαθάησ ζρήκα θαίλεηαη ηκήκα ελόο πνιενδνκηθνύ ζρεδίνπ κηαο πόιεο. Οη ζθηαζκέλεο
Διαβάστε περισσότεραΔΕΟ 13. Ποσοτικές Μέθοδοι. θαη λα ππνινγίζεηε ην θόζηνο γηα 10000 παξαγόκελα πξντόληα. Να ζρεδηαζηεί γηα εύξνο πξντόλησλ έσο 30000.
ΔΕΟ 13 Ποσοτικές Μέθοδοι Σσνάρηηζη Κόζηοσς C(), μέζο κόζηος C()/. Παράδειγμα 1 Μηα εηαηξεία δαπαλά γηα θάζε πξντόλ Α πνπ παξάγεη 0.0 λ.κ. Τα πάγηα έμνδα ηεο εηαηξείαο είλαη 800 λ.κ. Ζεηείηαη 1) Να πεξηγξάςεηε
Διαβάστε περισσότεραHY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα
HY121 Ηλεκτρικϊ Κυκλώματα Διδϊςκων: Χ. Σωτηρύου, Βοηθού: Ε. Βαςιλϊκησ, Δ. Πούλιοσ http://www.csd.uoc.gr/~hy121 1 Περιεχόμενα Συςκευζσ ςτο Πυρίτιο Πυρίτιο n και p Δίοδοσ Θετικι, αρνθτικι πόλωςθ Εξίςωςθ
Διαβάστε περισσότεραPRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
PRELIMINARY DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION NE699M FEATURES OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) HIGH ft: 6 GHz TYP at V, ma LOW NOISE FIGURE: NF =. db TYP
Διαβάστε περισσότεραx x x x tan(2 x) x 2 2x x 1
ΘΕΡΙΝΟ ΣΜΗΜΑ ΜΑΘΗΜΑΣΙΚΑ Ι ΕΠΑΝΑΛΗΠΣΙΚΕ ΑΚΗΕΙ ΜΕΡΟ Ι 1. Να γίλνπλ νη γξαθηθέο παξαζηάζεηο ησλ παξαθάησ ζπλαξηήζεσλ. t ( i) e ( ii) ln( ) ( iii). Να βξεζεί ην Π.Ο., ν ηύπνο ηεο αλίζηξνθεο θαη ην Π.Τ. ησλ
Διαβάστε περισσότεραΣΕΙ ΔΤΣ. ΜΑRΚΕΔΟΝΙΑ ΧΟΛΗ ΣΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΣΜΗΜΑ ΗΛΕΚΣΡΟΛΟΓΙΑ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΣΡΟΣΕΧΝΙΑ Ι
ΣΕΙ ΔΤΣ. ΜΑRΚΕΔΟΝΙΑ ΧΟΛΗ ΣΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΣΜΗΜΑ ΗΛΕΚΣΡΟΛΟΓΙΑ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΣΡΟΣΕΧΝΙΑ Ι Λφσεις Θεμάτων Εξετάσεων Χειμερινοφ Εξαμήνου Περιόδου 200-20 4 Φεβρουαρίου 20 (Ν. Πουλάκθσ, e-mail: Poulakis@kozani.teikoz.gr
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.
Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Ε.ΔΙ.Π. Μηχανικών Δρ. Αθανάσιος Παραγωγής Ψωμούλης και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.
Διαβάστε περισσότεραΕΙΑΓΩΓΗ ΣΗ ΘΕΩΡΙΑ ΗΜΑΣΩΝ & ΤΣΗΜΑΣΩΝ. ΜΕΣΑΥΗΜΑΣΙΜΟ Laplace
ΕΙΑΓΩΓΗ ΣΗ ΘΕΩΡΙΑ ΗΜΑΣΩΝ & ΤΣΗΜΑΣΩΝ ΜΕΣΑΥΗΜΑΣΙΜΟ plce Αηηηαηόηεηα Με-Αηηηαηόηεηα. Επζηάζεηα. Πεξηνρή ύγθιηζεο Μεηαζρεκαηηζκνύ plce ηωλ Επζηαζώλ & Αηηηαηώλ πζηεκάηωλ. Εθζεηηθά ήκαηα. Πνιπωλπκηθά Εθζεηηθά
Διαβάστε περισσότεραEE101: Resonance in RLC circuits
EE11: Resonance in RLC circuits M. B. Patil mbatil@ee.iitb.ac.in www.ee.iitb.ac.in/~sequel Deartment of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Bombay I V R V L V C I = I m = R + jωl + 1/jωC
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό
Διαβάστε περισσότεραΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΛΓΕΒΡΑ Α ΛΥΚΕΙΟΥ. 1. Να ιπζνύλ ηα ζπζηήκαηα. 1 0,3x 0,1y x 3 3x 4y 2 4x 2y ( x 1) 6( y 1) (i) (ii)
. Να ιπζνύλ ηα ζπζηήκαηα.,, 6 4 4 4 5( ) 6( ). Να ιπζνύλ ηα ζπζηήκαηα.,,,6 7. Να ιπζνύλ ηα ζπζηήκαηα. 5 ( )( ) ( ) 4. Να ιπζνύλ ηα ζπζηήκαηα. 5 4 6 7 4. 5. Να ιπζνύλ ηα ζπζηήκαηα. 59 ( )( ) ()( 5) 7 6.
Διαβάστε περισσότεραΑ. Εηζαγσγή ηεο έλλνηαο ηεο ηξηγσλνκεηξηθήο εμίζσζεο κε αξρηθό παξάδεηγκα ηελ εκx = 2
ΣΡΙΓΩΝΟΜΔΣΡΙΚΔ EΞΙΩΔΙ Πνηα παξαδείγκαηα εμηζώζεσλ ή θαη πξνβιεκάησλ πηζηεύεηαη όηη είλαη θαηάιιεια γηα ηελ επίιπζε ηνπο θαηά ηελ δηάξθεηα ηεο δηδαθηηθήο δηαδηθαζίαο κέζα ζηελ ηάμε; 1 ε ΓΙΓΑΚΣΙΚΗ ΩΡΑ Α.
Διαβάστε περισσότεραΈλαο πίνακας σσμβόλων ππνζηεξίδεη δύν βαζηθέο ιεηηνπξγίεο:
Πίνακες Σσμβόλων Έλαο πίνακας σσμβόλων ππνζηεξίδεη δύν βαζηθέο ιεηηνπξγίεο: Εηζαγσγή ελόο ζηνηρείνπ Αλαδήηεζε ζηνηρείνπ κε δεδνκέλν θιεηδί Άιιεο ρξήζηκεο ιεηηνπξγίεο είλαη: Δηαγξαθή ελόο θαζνξηζκέλνπ ζηνηρείνπ
Διαβάστε περισσότεραThe European Tradesman - Basics of electricity - Czech Republic
Ηλεκτρικά φορτία Q Coulomb [C] Ζνταςθ Amper [A] (Βαςικι μονάδα του διεκνοφσ ςυςτιματοσ S) Πυκνότθτα ζνταςθσ J [Am -2 ] Τάςθ Volt [V] Αντίςταςθ Ohm [W] Συχνότθτα f Hertz [Hz] Το άτομο αποτελείται από τον
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση BJT Η πόλωση τρανζίστορ όπως την έχετε γνωρίσει, υποφέρει από δύο βασικά μειονεκτήματα: Υπερβολική χρήση πηγών dc. Το γεγονός αυτό είναι ιδιαίτερα έντονο σε κυκλώματα πολυβάθμιων
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεματικής Χαροκόπειο Πανεπιστήμιο Αθηνών. Διδάσκων: Θωμάς Καμαλάκης (thkam@hua.gr)
Ηλεκτρονική Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεματικής Χαροκόπειο Πανεπιστήμιο Αθηνών Διδάσκων: Θωμάς Καμαλάκης (thkam@hua.gr) Σχετικά με το μάθημα... Στόχος είναι η εξοικείωση με βασικές έννοιες της ηλεκτρονικής:
Διαβάστε περισσότεραΛΗΨΗ ΧΑΡΑΚΣΗΡIΣIΚΩΝ ΔΙΟΔΩΝ ΚΑI ΕΦΑΡΜΟΓΕ
ΑΚΗΗ 3-35 ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΠΑΣΡΩΝ ΕΡΓΑΣΗΡΙΟ ΗΛΕΚΣΡΟΝΙΚΩΝ Ονοματεπώνυμο Ημερομηνία Σμήμα ΑΚΗΗ 3 ΛΗΨΗ ΧΑΡΑΚΣΗΡIΣIΚΩΝ ΔΙΟΔΩΝ ΚΑI ΕΦΑΡΜΟΓΕ 3.1 Αντικείμενο άςκηςησ Σα αντικείμενα τθσ άςκθςθσ είvαι κυρίωσ: α) θ λιψθ
Διαβάστε περισσότεραRelay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.
Relay Module PanosRCng Στην πορεία προς ένα μέλλον αυτοματισμών, όπου θα μπορούμε να ελέγχουμε τα πάντα μέσω του φιλόξενου περιβάλλοντος του προσωπικού μας υπολογιστή, ή θα μπορούμε να αναθέτουμε σε ένα
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραAT Surface Mount Package SOT-363 (SC-70) I I Y. Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B , 7:56 PM
AT-3263 Surface Mount Package SOT-363 (SC-7) I I Y Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B 2 Page 1 21.4., 7:6 PM Absolute Maximum Ratings [1] Absolute Thermal Resistance [2] : Symbol Parameter Units Maximum
Διαβάστε περισσότεραΣΕΙ Δυτικήσ Μακεδονίασ, Παράρτημα Καςτοριάσ Τμήμα Πληροφορικήσ και Τεχνολογίασ Υπολογιςτών
τοιχεία του μαθήματοσ (ημζρα εβδομάδασ, ώρεσ, ζτοσ): ΣΕΙ Δυτικήσ Μακεδονίασ, Παράρτημα Καςτοριάσ Τμήμα Πληροφορικήσ και Τεχνολογίασ Υπολογιςτών Εργαςτηριακή ομάδα αςκήςεων 2 για το μάθημα «ΑΡΧΙΣΕΚΣΟΝΙΚΗ
Διαβάστε περισσότερα