memory resistor το τελευταίο κομμάτι, στο πάζλ των ηλεκτρονικών.. Τομέας Φυσικής ΕΜΠ - σεμινάριο φυσικής Γιαννόπουλος Ιάσονας

Σχετικά έγγραφα
ηλεκτρικό ρεύμα ampere

Αγωγιμότητα στα μέταλλα

Αγωγιμότητα στα μέταλλα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

Περιεχόμενο της άσκησης

ΑΠΟΤΥΠΩΣΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΠΕΔΙΩΝ

ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

Ανάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών

W f. P V f εμβαδό βρόχου υστέρησης. P f εμβαδό βρόχου υστέρησης. Ενέργεια του μαγνητικού πεδίου. Ενέργεια του μαγνητικού πεδίου

ηλεκτρικό ρεύµα ampere

Διατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΟΜΟΣ Ι ΕΙΣΑΓΩΓΗ 1

Βασικά στοιχεία Ηλεκτρισμού

Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd stvrentzou@gmail.com

ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΟΝΟΦΑΣΙΚΟΣ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΗΣ

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ. Το ιδανικό κύκλωμα LC του σχήματος εκτελεί αμείωτες ηλεκτρικές ταλαντώσεις, με περίοδο

ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 4 ΙΟΥΝΙΟΥ 2003 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ : ΦΥΣΙΚΗ

Βιοµηχανικά Ηλεκτρονικά (Industrial Electronics) Κ.Ι.Κυριακόπουλος Καθηγητής Ε.Μ.Π.

Η επαφή p n. Η επαφή p n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου p

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΚΑΙ ΔΥΝΑΜΙΚΕΣ ΜΝΗΜΕΣ ΤΥΧΑΙΑΣ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΗΣ (Static and Dynamic RAMs). ΔΙΑΡΘΡΩΣΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΕΣ ΕΝΟΤΗΤΕΣ

ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΚΑΤΑΝΟΗΣΗΣ ΦΥΣΙΚΗ ΙΙ

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

Ξεκινώντας από την εξίσωση Poisson για το δυναμικό V στο στατικό ηλεκτρικό πεδίο:

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Γεννήτριες ΣΡ Ξένης Διέγερσης

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Επαφές μετάλλου ημιαγωγού

ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Β ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΡΙΤΗ 3 ΙΟΥΝΙΟΥ 2003 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ

ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Διάλεξη 4

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ & ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ

Φυσική για Μηχανικούς

Φυσική για Μηχανικούς

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία ιάλεξη 7

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο

Ο πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας.

( ) Στοιχεία που αποθηκεύουν ενέργεια Ψ = N Φ. διαφορικές εξισώσεις. Πηνίο. μαγνητικό πεδίο. του πηνίου (κάθε. ένα πηνίο Ν σπειρών:

ΦΥΕ14 - ΕΡΓΑΣΙΑ 6 Προθεσμία αποστολής: 4/7/2006

12. Εάν ένα κομμάτι ημιαγωγού τύπου n και ένα κομμάτι ΟΧΙ

Q=Ne. Συνοπτική Θεωρία Φυσικής Γ Γυμνασίου. Q ολ(πριν) = Q ολ(μετά) Η αποτελεσματική μάθηση δεν θέλει κόπο αλλά τρόπο, δηλαδή ma8eno.

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΡΟΠΗΣ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ ΕΠΑΓΩΓΙΚΩΝ ΚΙΝΗΤΗΡΩΝ

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ Φυσική Θετικής και Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου ΓΡΑΠΤΕΣ ΔΟΚΙΜΑΣΤΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ 2008

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ: ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΚΑΙ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ

ΦΥΣΙΚΗ ΙΙ (Θ) Χασάπης Δημήτριος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ ΤΕ

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 28/01/2015

ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία ιάλεξη 4

Φωτοδίοδος. 1.Σκοπός της άσκησης. 2.Θεωρητικό μέρος

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Η λειτουργία του κινητήρα βασίζεται σε τάσεις και ρεύματα που παράγονται εξ επαγωγής στο δρομέα και οφείλονται στο μαγνητικό πεδίο του στάτη

ΕΡΓΑΣΙΑ ΧΡΙΣΤΟΥΓΕΝΝΩΝ ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ 25/12/2016. Νόμος του Coulomb q1 q2 F K. C 8,85 10 N m Ένταση πεδίου Coulomb σε σημείο του Α

Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ασκήσεις Μικροηλεκτρονικής

Μονοφασικός μετασχηματιστής σε λειτουργία. χωρίς φορτίο

ΕΝΟΤΗΤΑ Ι ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΟ ΠΕ ΙΟ

Φυσική για Μηχανικούς

ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ ΠΡΟΣΠΑΘΕΙΑ ΣΑΣ ΚΙ 2014

ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ

Περιοχή φορτίων χώρου

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από

1.Η δύναμη μεταξύ δύο φορτίων έχει μέτρο 120 N. Αν η απόσταση των φορτίων διπλασιαστεί, το μέτρο της δύναμης θα γίνει:

Θέµατα Εξετάσεων 94. δ. R

Φυσική για Μηχανικούς

Φυσική για Μηχανικούς

ΘΕΜΑ 1ο 1.1 Να γράψετε στο τετράδιό σας τα φυσικά μεγέθη από τη Στήλη Ι και, δίπλα σε καθένα, τη μονάδα της Στήλης ΙΙ που αντιστοιχεί σ' αυτό.

1. Ρεύμα επιπρόσθετα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Προηγμένες Υπηρεσίες Τηλεκπαίδευσης στο Τ.Ε.Ι. Σερρών

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί VLSI T echnol ogy ogy and Computer A r A chitecture Lab Γ Τσ ιατ α ο τ ύχ ύ α χ ς ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΣΚΗΣΗ 4 Φαινόμενο Hall

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Φυσική για Μηχανικούς

ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΔΕΥΤΕΡΑ 18 ΣΕΠΤΕΜΒΡΙΟΥ 2000 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΡΟΠΗΣ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ ΕΠΑΓΩΓΙΚΩΝ ΚΙΝΗΤΗΡΩΝ

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΙΟΥ - ΙΟΥΝΙΟΥ Όνομα μαθητή/τριας...τμήμα.αριθμός.

2ο Επαναληπτικό Διαγώνισμα Φυσικής Γενικής Παιδείας Β τάξης Λυκείου.

Φυσική για Μηχανικούς

Κεφάλαιο Η5. Ρεύμα και αντίσταση

Ηλεκτρικό ρεύμα Αντίσταση - ΗΕΔ. Ηλεκτρικό ρεύμα Ένταση ηλεκτρικού ρεύματος Αντίσταση Ειδική αντίσταση Νόμος του Ohm Γραμμικοί μή γραμμικοί αγωγοί

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ ΤΕΛΟΣ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ

Αρχές φωτοβολταϊκών διατάξεων

Άσκηση 4. Δίοδος Zener

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Theory Greek (Greece) Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες)

ΑΣΚΗΣΗ 8 η ΚΙΝΗΤΗΡΑΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΞΕΝΗΣ ΔΙΕΓΕΡΣΗΣ ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ

Theory Greek (Greece) Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες)

ΜΑΘΗΜΑ : ΦΥΣΙΚΗ ΤΑΞΗ : Γ ΤΜΗΜΑ :. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: / / ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ :..ΒΑΘΜΟΣ :

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

Transcript:

memristor memory resistor το τελευταίο κομμάτι, στο πάζλ των ηλεκτρονικών.. Τομέας Φυσικής ΕΜΠ - σεμινάριο φυσικής Γιαννόπουλος Ιάσονας

διάρθρωση της παρουσίασης ορισμός memristor δομικά χαρακτηριστικά μηχανισμός λειτουργίας χαρακτηρισμός συσκευής ηλεκτρονικές εφαρμογές εναλλακτικές διατάξεις ματιά.. στο μέλλον

τι είναι το μεμρίστορ? Leon Chua (Berkeley 1971) Stan William (hp labs 2008) κάτι λείπει.. το 4 ο θεμελιώδες παθητικό ηλεκτρονικό στοιχείο!

ροή ~ φορτίο κλίση της καμπύλης φορτίου ~ ροής M(q) : memristance μοντελοποίηση λειτουργίας ψευδογραμμική σχέση αντίσταση ~ κατάσταση χρονική εξέλιξη καταστάσεων *τα ηλεκτρονικά χαρακτηριστικά μεταβάλλονται με τις καταστάσεις!

..καταστάσεις? - παθητικό στοιχείο που μπορεί να αλλάζει καταστάσεις (states) - μνήμη μετάβαση και παραμονή σε μια διακριτή κατάσταση ΤiO 2 (ρουτίλιο) E g = 3.0 3.2 ev ευκινησία φορέων: 10-10 -10-14 cm 2 /Vs αφαιρούνται άτομα Ο έως και 3% διάκενα κενές θέσεις οξυγόνου ατομικές οπές

η ατομική διάχυση είναι σχετικά αργή διακρίνουμε 2 περιοχές στο οξείδιο: - ΤiO 2 (στοιχειομετρίες) μονωτικό R TiO2 >> R TiO2-x - ΤiO 2-x (αποξυγονωμένη) αγώγιμο διμερές οξείδιο η κίνηση των διακένων (πλεγματικά κενά οξυγόνου) επιβάλλεται από το πεδίο

autodopping η θετική τάση επιδρά στις θετικά φορτισμένες οπές οξυγόνου η αγώγιμη περιοχή διευρύνεται η συνολική αγωγιμότητα αυξάνεται η κατάσταση της συσκευής αλλάζει drift: η εναλλαγή των καταστάσεων της συσκευής εξαρτάται από το ρεύμα ν.ohm εξαρτώμενος από τις καταστάσεις memristance το συνολικό πάχος του οξειδίου είναι στο τετράγωνο και στον παρονομαστή (D 2 ) ισοδύναμο κύκλωμα παρατηρήσιμη στη νανοκλίμακα 10 6 φορές σημαντικότερη απ ότι στα μm

switching R OFF - μαζεύονται τα διάκενα μείωση αγωγιμότητας - ελαφρώς πιο αργή διαδικασία μονόπλευρη αύξηση συγκέντρωσης αντίθετη της φυσικής διάχυσης R ON - απλώνουν τα διάκενα αύξηση αγωγιμότητας - x100 γρηγορότερη διαδικασία μείωση τοπικής συγκέντρωσης φορά όμοια της φυσικής διάχυσης

η φυσική του θέματος.. χρειάζεται ισχυρό πεδίο για να αλλάξει το state της συσκευής - στα πολύ ισχυρά πεδία η εξίσωση Einstein-Nernst δε λειτουργεί - καταστρέφεται το πηγάδι δυναμικού που κινούνται τα διάκενα - οπότε ελάχιστη ενέργεια επιφέρει ανεπιθύμητα μεγάλη ολίσθηση - εκθετική αύξηση της ταχύτητας ολίσθησης ως προς το πεδίο - στη νανοκλίμακα (ένταση ~ 1/d) λίγα V drift velocity έως 1 m/s - ΠΡΟΣΟΧΗ: δεν πρέπει να υπερβεί τη διηλεκτρική αντοχή! για να αλλάξει η κατάσταση της συσκευής χρειάζονται μερικά ns

βρόχοι υστέρησης οι λοβοί εξομαλύνονται με την αύξηση του ω Ο βρόχος υστέρησης διέρχεται από το μηδέν: - δεν αποθηκεύεται καθόλου ενέργεια ή φορτίο στη συσκευή παραμένουσα κατάσταση για >> t μη πτητική μνήμη! L.Chua: pinched hysteresis loop

χαρακτηρισμός memristor οι συνηθισμένες μετρητικές διατάξεις δεν μπορούν να λειτουργήσουν η συσκευή έχει δυναμική συμπεριφορά, μεταβάλλει τον εαυτό της στη διάρκεια μιας μέτρησης οι συμβατικές μηχανές μπερδεύονται! αναγκαία η ανάπτυξη νέων, κατάλληλων μετρητικών συστημάτων μέθοδος κατασκευής χαρακτηριστικής καμπύλης I-V μετρήσεις ρεύματος-τάσης σε χαμηλά πεδία αμετάβλητο state ισχυρός παλμός ~1V πολύ μικρής διάρκειας αλλαγή state μετρήσεις ρεύματος-τάσης σε χαμηλά πεδία για τη νέα κατάσταση ξανά ισχυρός παλμός που φέρνει τη συσκευή σε νέα κατάσταση - επανάληψη της διαδικασίες όσες φορές χρειάζεται έπειτα η συσκευή επανέρχεται στην αρχική της κατάσταση επαναλαμβάνεται η διαδικασία με διαφορετικές τιμές τάσης πόλωσης

επεξεργασία των αποτελεσμάτων: συνάρτηση του φραγμού σήραγγος (εύρος w) ως προς τον χρόνο, αλλά και την εφαρμοζόμενη τάση! τελικός στόχος: κατασκευή μοντέλου και πρόβλεψη της συμπεριφοράς η συνάρτηση περιγράφεται από την παρακάτω εξίσωση...και λύνει τα χέρια του σχεδιαστή πλήρης μοντελοποίηση! μη γραμμικές συναρτήσεις στην αγωγιμότητα ρεύμα σήραγγος (εκθετική συμπεριφορά) εκθετική σχέση ταχύτητας ολίσθησης και πεδίου στις υπολογιστικές εφαρμογές χρειάζονται όσο το δυνατόν μη-γραμμικά ηλεκτρονικά στοιχεία

thin film ΤiO 2 μελέτες STXM και εικόνες ΤΕΜ έδειξαν ότι η περιοχή κενών θέσεων οξυγόνου είναι η χημική ένωση Ti 4 O 7 αποκαθιστώντας την ασάφεια του ΤiO 2-x και πλέον κατασκευάζεται έτσι εξ αρχής εικόνες από SEM

εφαρμογές μη πτητικές ψηφιακές μνήμες αντικατάσταση DRAM SRAM αντικατάσταση SSD και flash αναλογικά κυκλώματα αναλογικές μνήμες - σε σύγκριση με τους πυκνωτές που διαρρέουν hybrid CMOS crossbar nanocrossbar σε CMOS + μικρή κατανάλωση ενέργειας 1 pj /switching + υπέρπυκνα ολοκληρωμένα 1 Pbit / layer cm 2!! - νέα υβριδικά κυκλώματα ελέγχου 1000 memristor layers / CMOS control layer

έρευνα για άλλα είδη memristor προηγμένοι υπεριοντικοί αγώγιμοι κρύσταλλοι - RbAg 4 I 5 μεγάλη ταχύτητα ολίσθησης πολυμερικά μεμρίστορ - συμπεριφορά memristor σε λεπτά υμένια πολυμερούς spin memristive systems - spintronic memristor (states μαγνήτισης) - spin-transfer torque magnetoresistance (MgO)

περαιτέρω μελέτη - βιβλιογραφία o The missing memristor found - Dmitri B. Strukov, Gregory S. Snider, Duncan R. Stewart & R. Stanley Williams - Nature 453, 80-83 2008 o Recent ATC s in the design of Memristors - Medha Haridas, Shashikan Patil and Dr. T.C. Manjunath Ph.D. IJCEE, Vol. 2, No. 3 - June 2010 o Memristive devices and systems Leon O. Chua & Sung Mo Kang PROCEEDINGS OF THE IEEE, VOL. 64, NO. 2 - FEBRUARY 1976 o Memory effects in complex materials and nanoscale systems - Pershin & Di Ventra Advances in Physics Vol. 60, No. 2 - Taylor & Francis - 2011 sites http://www.memristor.org/ - http://spectrum.ieee.org/semiconductors http://www.hpl.hp.com/news/2008/apr-jun/memristor.html http://www.nature.com/news/2008/300408/full/news.2008.789.html