Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

Σχετικά έγγραφα
Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)

Το Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

Ηλεκτρονικό Κύκλωµα. ΟΝόµος Kirchhoff για το Ρεύµα -KCL

Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής

Τρανζίστορ FET Επαφής

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Ενισχυτές. Ενισχυτές. ΕνισχυτέςΓ. Τσιατούχας

AC λειτουργία Ισοδύναμα κυκλώματα μικρού σήματος του

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η

Γ. Τσιατούχας. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Εισαγωγή στη Θεωρία Κυκλωμάτων 2

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

Εισαγωγή. Στο κεφάλαιο αυτό θα µελετηθεί ο τελεστικός ενισχυτής.

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Γ. Τσιατούχας. 1. Δίθυρα Δίκτυα. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ανάλυση ικτύου ΙΙI

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τελεστικοί Ενισχυτές 2

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Μοντέλα Διόδων i. Δίοδος Διακόπτης Δίοδος Πηγή. i=i(υ) i=i(υ) i i. i i. = 0 γιά. 0 γιά. Παρεμπόδισης

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

3. Δίθυρα Δικτυώματα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΗΜΙΤΟΝΟΕΙ Η ΡΕΥΜΑΤΑ ΚΑΙ ΤΑΣΕΙΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ

Μαθηµατική Παρουσίαση των FM και PM Σηµάτων

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

Εισαγωγή. Ακουστικό. Μικρόφωνο

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

13 Γενική Μηχανική 1 Γενικότητες Κινηματική του Υλικού Σημείου 15/9/2014

Γενικά χαρακτηριστικά ανάδρασης

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Σ.Δ. Φωτόπουλος 1/24. ΘΕΩΡΙΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ και ΣΗΜΑΤΩΝ

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

. Μητρόπουλος Επαγωγή

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5


«Αναθεώρηση των FET Transistor»

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΦΥΣΙΚΗ ΙΙ ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ÅÐÉËÏÃÇ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

Διαφορικοί Ενισχυτές

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Transcript:

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ((FET) FET) ΙΙ Τρανζίστορ Φαινοµένο ΙΙ Γ.Πεδίο Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ

Το MO ως Ενισχτής (Ι) d Είσοδος Έξοδος MO Για να χρησιµοποιηθεί ένα MOFET τρανζίστορ ως ενισχτής θα πρέπει να λειτοργεί, µε την κατάλληλη πόλωση, στην περιοχή κόρο. Στο κύκλωµα το σχήµατος, η εύρεση το σηµείο λειτοργίας (C πόλωσης) επιτγχάνεται θέτοντας 0. Το ρεύµα στον απαγωγό, για την περιοχή το κόρο, θα δίνεται από τη σχέση: - ds ( ) t χωρίς να λαµβάνεται π όψιν το φαινόµενο διαµόρφωσης καναλιού, δηλ. λ0. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 Το MO ως Ενισχτής (ΙΙ) Κόρος Επιπλέον ισχύει: MO Το τρανζίστορ θα λειτοργεί στην περιοχή το κόρο αν > ( t ). Καθώς θα πρέπει να λάβοµε π όψιν και τη µεταβαλλόµενη σνιστώσα της το θα πρέπει να είναι πολύ µεγαλύτερο το ( t ). - Με δεδοµένο ότι, θα ισχύει: ( ) ( ) t t ( ) t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4

Το MO ως Ενισχτής (ΙΙΙ) Κόρος MO Ισοδύναµαγράφοµε: ( ) t µη γραµµικός όρος Αν κρατήσοµε το σήµα εισόδο µικρό έτσι ώστε: << ( t ) - ή αλλιώς: << ( t ) τότε καθώς d θα ισχύει: d ( t ) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 5 Το MO ως Ενισχτής (Ι) Κόρος Ηπαράµετρος πο σνδέει τα d και είναι η g και ονοµάζεται διαγωγιµότητα: g d ( ) ( ) t µ ε W t L x t g µ ε / t x W / L - MO Η διαγωγιµότητα αντιπροσωπεύει την κλίση της d - χαρακτηριστικής στο σηµείο πόλωσης: g d Ι Σηµείο Λειτοργίας t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 6 3

Το MO ως Ενισχτής ()( Κόρος Για την τάση στον απαγωγό θα ισχύει: ( d d ) MO Επειδή ds ισχύει ότι το σήµα στον απαγωγό θα δίνεται από τη σχέση: - ds d g Σνεπώς η απολαβή (κέρδος) τάσης θα είναι: ds g Το µείον στη σχέση δηλώνει διαφορά φάσης των δύο σηµάτων 80 ο Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 7 Το MO ως Ενισχτής () - χαρακτηριστική εισόδο - εξόδο στον κόρο ax Q Κλιση g Q κλίση - χαρακτηριστική εξόδο κόρος ax t ax εθεία φόρτο ax g pp_ pp_ t ax t ax t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 8 4

Πηγή Ρεύµατος Ελεγχόµενη από Τάση εθεία φόρτο σηµείο λειτοργίας ax d g Ι Ι t t t ds Το MO σµπεριφέρεται ως µία πηγή ρεύµατος ελεγχόµενη από τάση Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 9 Ισοδύναµο Μοντέλο Ασθενούς Σήµατος g µ ε / t x W / L Μοντέλο Ασθενούς Σήµατος για Λειτοργία στον Κόρο g d r r Το µοντέλο είναι το ίδιο και για pmo και για MO τρανζίστορ ds g ( // r ) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 0 5

Μη Γραµµική Λειτοργία εθεία φόρτο > ax ax t t Μη γραµµική παραµόρφωση καθώς το στιγµιαίο σηµείο λειτοργίας εισέρχεται στην τρίοδο περιοχή. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ Παράδειγµα 4(Ι) Ποιο το κέρδος τάσης ασθενούς σήµατος για το κύκλωµα το σχήµατος και ποια η αντίσταση εισόδο, αν t.5, 0.5/ και 50; Αγνοήστε το φαινόµενο διαµόρφωσης µήκος καναλιού στις εξισώσεις το ρεύµατος στον κόρο. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 6

Παράδειγµα 4(ΙΙ) Εύρεση Σηµείο Λειτοργίας C Ανάλση Ισχύει ότι Λειτοργία στον κόρο καθώς θα ισχύει ότι > t! ( ) t 0 ( ) t Στο C οι πκνωτές δρον ως ανοικτοκκλώµατα! και: Λύνοντας έχοµε το σηµείο λειτοργίας:.06 και 4.4 Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 Παράδειγµα 4(ΙΙΙ) Στην C λειτοργία οι πκνωτές δρον ως βραχκκλώµατα! C Ανάλση Μικρού Σήµατος Ηαντίσταση εξόδο r θα είναι: d r 47Ω Η διαγωγιµότητα g θα είναι: Στην ΑC ανάλση οι C πηγές τάσης βραχκκλώνονται και οι C πηγές ρεύµατος ανοικτοκκλώνονται! ( ) 0.75 / g t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4 7

Νόµος Oh Παράδειγµα 4(Ι) g r L Αγνοούµετο ρεύµα µέσα από την καθώς 0MΩ >>>. g ( // // r ) g ( // // r ) L Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 5 Χρήση ισοδύναµο κκλώµατος ασθενούς σήµατος. Σνεπώς το κέρδος τάσης θα είναι: g ( // // r ) 3. 3 L L Παράδειγµα 4() g r L Το ρεύµα εισόδο θα είναι (Νόµος Oh): ( ) ( ) Ηαντίσταση εισόδο θα είναι: 4.35MΩ ( ) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 6 8

Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής () Κόρος Βασικό Κύκλωµα Μελέτης Ενισχτών µε FET - Ι L Ο ακροδέκτης Υ (πηγή) σνδέεται στη γη. Το σήµα εισόδο σνδέεται στον ακροδέκτη Χ (πύλη). Η αντίσταση φόρτο σνδέεται στον ακροδέκτη Ζ (απαγωγός ποδοχή). Το κύκλωµα αποτελεί δίθρο µε τη θύρα εισόδο ανάµεσα στην πύλη και τη πηγή (γη) και τη θύρα εξόδο ανάµεσα στον απαγωγό και τη πηγή (γη). Σνεπώς η πηγή είναι κοινός ακροδέκτης και στις δύο θύρες. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 7 Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής (Ι) Αντικατάσταση MOFET µε το ισοδύναµο κύκλωµα ασθενούς σήµατος. ut Για την εύρεση της ut θέτοµε 0 και L * g L r 0! // r ut * Η L είναι φόρτος, δεν αποτελεί τµήµα το ενισχτή. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 8 9

Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής (Ι) g L ( // // r ) g g L L r ut Κέρδος Τάσης Ανοικτού Κκλώµατος Κέρδος Τάσης Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 9 Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης () Κόρος Ο ακροδέκτης Χ (πύλη) σνδέεται στη γη. Το σήµα εισόδο σνδέεται στον ακροδέκτη Υ (πηγή). Η αντίσταση φόρτο σνδέεται στον ακροδέκτη Ζ (απαγωγός ποδοχή). Ι - L Το κύκλωµα αποτελεί δίθρο µε τη θύρα εισόδο ανάµεσα στην πηγή και τη πύλη (γη) και τη θύρα εξόδο ανάµεσα στον απαγωγό και τη πύλη (γη). Σνεπώς η πύλη είναι κοινός ακροδέκτης και στις δύο θύρες. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 0 0

Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης (Ι) Αντικατάσταση MOFET µε το ισοδύναµο κύκλωµα ασθενούς σήµατος. /g << ( ) r ut // r Για την εύρεση της ut θέτοµε 0 & L! (r ) g g L // Κέρδος Τάσης L r Για να απλοποιήσοµε το κύκλωµα χρησιµοποιούµε το δεδοµένο ότι η r είναι µια πολύ µεγάλη αντίσταση και σνεπώς µπορεί να παραληφθεί! ut Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής () Κόρος Ο ακροδέκτης Ζ (ποδοχή) σνδέεται στη γη. Το σήµα εισόδο σνδέεται στον ακροδέκτη Χ (πύλη). Η αντίσταση φόρτο σνδέεται στον ακροδέκτη Υ (πηγή). - Ι L Το κύκλωµα αποτελεί δίθρο µε την ποδοχή ως κοινό ακροδέκτη των δύο θρών. Ακόλοθος Πηγής urce Fllwer Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ

- Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (Ι) Αντικατάσταση MOFET µε το ισοδύναµο κύκλωµα ασθενούς σήµατος. y ut // r y y g y ( y /r ) y g g g < < r r Για την εύρεση της ut θέτοµε 0 & L! g y r y y L ut Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (Ι) Κέρδος Τάσης Ανοικτού Κκλώµατος < gr g r ( ) / g r L g r g r L Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4

Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής () Κέρδος Τάσης ( // r ) g ( // r ) g ( ) L L // r L < ( // r ) ( / g ) L g r αν L >>/g L Χρήση ως αποµονωτής Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 5 Ενισχτής Μόνο µε Χρήση MO (Ι) Μόνιµα στον κόρο τρίοδος Q Καµπύλη Φόρτο κόρος Q Ι Ο O O ( t ) ( t ) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 6 3

Ενισχτής Μόνο µε Χρήση MO (Ι) Μόνιµα στον κόρο Κόρος Τρίοδος Q Αποκοπή Χαρακτηριστική Μεταφοράς (εισόδο-εξόδο) Q Ι Ο Θεωρούµε ότι t t t. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 7 Ενισχτής Μόνο µε Χρήση MO (Ι) Στον κόρο το Q ισχύει: ( t ) ( t ) Q ( t ) ( Ο t ) Ι Q Ο O Σνεπώς: t t Το κύκλωµα λειτοργεί ως γραµµικός ενισχτής µεγάλο σήµατος µε κέρδος τάσης: ( W / L) ( W / L) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 8 4

Ενισχτής Μόνο µε Χρήση MO (Ι) Σµπεριφορά το ενισχτή σε ασθενή σήµατα. Χρήση µοντέλων ασθενούς σήµατος. g [(/g ) // r // r ] και - g g / r / r g g g g /g r g µ Cx r W / L Στην ΑC ανάλση οι C πηγές τάσης βραχκκλώνονται! Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 9 Καθρέπτης Ρεύµατος Λειτοργεί στον κόρο Κλίση Πρέπει να λειτοργεί στον κόρο όριο Κόρο Τριόδο EF ( t ) O ( t ) O EF O EF ( W / L) ( W / L) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 30 5

MO Καθρέπτες Ρεύµατος Cascde Βασικός Wls Τροποποιηµένος Wls Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 Ο CMO Ενισχτής (Ι) Q : ενεργό φορτίο Q στην τρίοδο Q στον κόρο Κλίση - Χαρακτηριστική Q Ο και Τα Q -Q 3 αποτελούν ένα ταιριασµένο ζεύγος τρανζίστορ (έχον ίδια χαρακτηριστικά) και σνθέτον µία πηγή ρεύµατος ελεγχόµενη από το ρεύµα αναφοράς EF. Το Q πρέπει να λειτοργεί στον κόρο όπο και θα ισχύει: r >> EF Ο Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 Ο 6

Ο CMO Ενισχτής (ΙΙ) Q στην τρίοδο Q στον κόρο Καµπύλη Φόρτο - Χαρακτηριστικές Q Κέρδος Ασθενούς Σήµατος: g[ r // r ] (Q : σνδεσµολογία κοινής πηγής) x ( W / L) EF 4 EF g µ C r r EF EF Q : Αποκοπή Q : Κόρος Q : Τρίοδος Q : Κόρος Q : Κόρος Q : Τρίοδος Q : Κόρος Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 33 Ο CMO Ενισχτής (ΙΙΙ) g (r // r ) και Στην ΑC ανάλση οι C πηγές τάσης βραχκκλώνονται και οι C πηγές ρεύµατος ανοικτοκκλώνονται! g (r // r ) g(r // r ) - g ο r sg 0 Q: MO Q: pmo Χρήση µοντέλων ασθενούς σήµατος για Q και Q Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 34 r g sg 0 7

Παράδειγµα 5(Ι) εδοµένα: 0, t tp, 00µ/, p 50µ/, 00 και EF 00µ. Ζητούµενα: α) Ποιο το κέρδος ασθενούς σήµατος; β) Ποια τα όρια της περιοχής ενίσχσης, δηλ. της γραµµικής περιοχής (περιοχή ΙΙΙ) στην χαρακτηριστική εισόδο-εξόδο; (α) EF 00 Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 35 Παράδειγµα 5(ΙΙ) (β) Προσδιορισµός της τάσης των Q και Q 3, όπο ισχύει EF. Χρήση σχέσης ρεύµατος στον κόρο. ( ) tp p Έτσι.44. Q στην τρίοδο Q στον κόρο Καµπύλη Φόρτο Άρα: O ( tp ) 8.586. O Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 36 8

Παράδειγµα 5(ΙΙΙ) Για τον προσδιορισµό της ΙΑ εκµεταλλεόµαστε το γεγονός ότι τα ρεύµατα ποδοχής των Q και Q είναι ίσα. Λύνοντας ως προς O καταλήγοµε στη σχέση: EF p ( ) O t ( ) O tp O EF ( t ) EF Αντικαθιστώντας: O O 8.585 και παίρνοµε.963 Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 37 Παράδειγµα 5(Ι) Καθώς η γραµµική περιοχή είναι πολύ στενή µπορούµε να θεωρήσοµε ότι ΙΒ ΙΑ. Επειδή το Β ανήκει στο όριο κόρο και τριόδο περιοχής ισχύει: ΟΒ ΙB t. Και σε ατή την περίπτωση ισχύει: ( ) O EF t EF Αντικαθιστώντας: O OΒ και Β παίρνοµε Β.039 Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 38 9

Παράδειγµα 5() Χρησιµοποιώντας τη νέα τιµή το B στη σχέση πο ορίζει το όριο µεταξύ κόρο και τριόδο, παίρνοµε την νέα (πιο ακριβή) τιµή το OB : ΟΒ ΙB t.039 Ισχύει: Ι ΙΒ ΙΑ 37 και αντίστοιχα: ΟΒ ΟΑ ΟΒ 7.586 O Το κέρδος τάσης ισχρού σήµατος θα είναι: 99. 3 Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 39 Το MO Τρανζίστορ ως ιακόπτης s Ι - s T T t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 40 0

Παράδειγµα 6(Ι) εδοµένα: 0 45Ω Ι Στο κύκλωµα το σχήµατος ισχύει: 0, t. και 45Ω. Ζητούµενα: Να δοθεί η κµατοµορφή εξόδο το κκλώµατος f(s) αν η είσοδος έχει την κµατοµορφή πο ακολοθεί. - s s 0 5s t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4 Παράδειγµα 6(Ι) 00µ.µ 0 8 s 0. 00µΑ (u t ) 6 t. 0 u 0 Η - χαρακτηριστική θεωρείται δεδοµένο το προβλήµατος Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4 T5s t