ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ

Σχετικά έγγραφα
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς

1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς

Περιεχόμενο της άσκησης

Δομή ενεργειακών ζωνών

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1. Στοιχειακοί ηµιαγωγοί

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 10: ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς

ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΚΑ Υλικα 3ο μεροσ. Θεωρητικη αναλυση

2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος

ΑΠΟ ΤΟ ΒΙΒΛΙΟ «ΟΠΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ» ΤΟΥ SINGH 2.6. Η πυκνότητα καταστάσεων δίδεται από τον τύπο:

ΝΑΝΟΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΣΤΕΛΛΑ ΚΕΝΝΟΥ ΚΑΘΗΓΗΤΡΙΑ

ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ Κ ΚΑΙ Η ΗΛΕΚΡΙΚΗ ΕΙΔΙΚΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ΣΕ ΚΑΛΟ ΜΟΝΩΤΗ ΕIΝΑΙ ΤΗΣ ΤΑΞΗΣ

ΣΧΟΛΗ ΕΜΦΕ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΑΡΙΝΟ ΕΞΑΜΗΝΟ Φυσική Συμπυκνωμένης Ύλης (Ενότητα: Ημιαγωγοί) Ασκήσεις Ι. Ράπτης

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί VLSI T echnol ogy ogy and Computer A r A chitecture Lab Γ Τσ ιατ α ο τ ύχ ύ α χ ς ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΗΜΙΑΓΩΓΑ ΥΛΙΚΑ: ΘΕΩΡΙΑ-ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

7.a. Οι δεσμοί στα στερεά

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 2

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής

Οι ηµιαγωγοι αποτελουν την πλεον χρησιµη κατηγορια υλικων απο ολα τα στερεα για εφαρµογες στα ηλεκτρονικα.

ΣΧΟΛΗ ΕΜΦΕ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Ηµιαγωγοί και Ηµιαγώγιµες οµές (7 ο Εξάµηνο Σπουδών)

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ε. Κ. ΠΑΛΟΎΡΑ Ημιαγωγοί 1. Ημιαγωγοί. Το 1931 ο Pauli δήλωσε: "One shouldn't work on. semiconductors, that is a filthy mess; who knows if they really

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1

Ένταση Ηλεκτρικού Πεδίου υναµικό

Ημιαγωγοί. Ημιαγωγοί. Ενδογενείς εξωγενείς ημιαγωγοί. Ενδογενείς ημιαγωγοί Πυρίτιο. Δομή ενεργειακών ζωνών

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Θεωρία του Sommerfeld ή jellium model (συνέχεια από το 1 ο μάθημα).

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΙΩΑΝΝΙΝΩΝ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ. Σύγxρονη Φυσική II. Στατιστική Φυσική Διδάσκων : Επίκ. Καθ. Μ. Μπενής

Ηλεκτρονικά υλικά. Ηλεκτρική αγωγιµότητα στερεού είναι η ευκολία, µε την οποία άγει το ηλεκτρικό ρεύµα.

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής

Ελεύθερα ηλεκτρόνια στα μέταλλα-σχέση διασποράς (μέρος 2)

Θέµατα που θα καλυφθούν

ΣΧΟΛΗ ΕΜΦΕ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Ηµιαγωγοί και Ηµιαγώγιµες οµές (7 ο Εξάµηνο Σπουδών)

Ορθή πόλωση της επαφής p n

ΘΕΩΡΙΑ ΤΩΝ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ ΠΡΩΤΗ ΕΝΟΤΗΤΑ ΟΜΟΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

4. Παρατηρείστε το ίχνος ενός ηλεκτρονίου (click here to select an electron

Διάλεξη 9: Στατιστική Φυσική

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Ο :ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

Π. Φωτόπουλος Νανοηλεκτρονικές Διατάξεις ΠΑΔΑ

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής

Ξεκινώντας από την εξίσωση Poisson για το δυναμικό V στο στατικό ηλεκτρικό πεδίο:

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 2 Η επαφή pn. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΑΝΟΙΧΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ. Αστροφυσική. Ενότητα # 6: Λευκοί Νάνοι. Νικόλαος Στεργιούλας Τμήμα Φυσικής

ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ορθή πόλωση της επαφής p n

Κεφάλαια (από το βιβλίο Serway-Jewett) και αναρτημένες παρουσιάσεις

ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Εργαστήριο Φυσικής IΙ. Μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού στοιχείου με χρήση υπολογιστή. 1. Σκοπός. 2. Σύντομο θεωρητικό μέρος

Δίοδοι εκπομπής φωτός Light Emitting Diodes

Ελεύθερα Ηλεκτρόνια στα Στερεά

Επαφές μετάλλου ημιαγωγού

Περιεχόμενο της άσκησης

ΣΧΟΛΗ ΕΜΦΕ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Ηµιαγωγοί και Ηµιαγώγιµες οµές (7 ο Εξάµηνο Σπουδών) Ασκήσεις που παρουσιάστηκαν στο µάθηµα ( )

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΧΗΜΕΙΑ / Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: 1 ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 07 / 09 /2014 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ

Μάθημα 2ο -3o Στοιχεία φυσικής στερεάς κατάστασης - Ημιαγωγοί Επαφές Αρ. Τσίπουρας, Phd

Φυσική Στερεάς Κατάστασης η ομάδα ασκήσεων Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

Ημιαγωγοί - Semiconductor

Ελεύθερο ηλεκτρόνιο: η E k 2. Η κυματοσυνάρτηση ψ(r) του ελεύθερου e είναι λύση της Schrödinger:

Κεφάλαιο 7. Ηλεκτρονικές ιδιότητες των ημιαγωγών

5. Ημιαγωγοί και επαφή Ρ-Ν

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

Υ53 Τεχνολογία Κατασκευής Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Ατομική και ηλεκτρονιακή δομή των στερεών

Περιεχόμενο της άσκησης. Προτεινόμενη βιβλιογραφία. Π.Βαρώτσος, Κ.Αλεξόπουλος «Φυσική Στερεάς Κατάστασης»

ΠΕΡΙΟΔΙΚΟΣ ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΟΔΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΑΤΟΜΙΚΗ ΑΚΤΙΝΑ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΙΟΝΤΙΣΜΟΥ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

1.1 ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ. σ = 1/ρ (1.1) J = σ. ξ (νόμος του Ohm) (1.2)


1.1 ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ

Από τα Κουάρκ μέχρι το Σύμπαν Tελική Eξέταση 7/2/2014 B 1. Την εποχή της υλοκρατίας η εξάρτηση του R από το χρόνο είναι: (α)

/personalpages/papageorgas/ download/3/

Ηλεκτρονική δομή ημιαγωγών-περίληψη. Σχέση διασποράς για ελεύθερα ηλεκτρόνια στα μέταλλα-

Θεωρία Μοριακών Τροχιακών (ΜΟ)

Ελληνικό Ανοικτό Πανεπιστήµιο Ενδεικτικές Λύσεις Θεµάτων Τελικών εξετάσεων στη Θεµατική Ενότητα ΦΥΕ34

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 11 Μαρτίου 2004

Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών στις Διεργασίες και Τεχνολογία Προηγμένων Υλικών ΕΞΕΤΑΣΤΙΚΗ ΠΕΡΙΟΔΟΣ B ΕΞΑΜΗΝΟΥ ( )

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΛΙΚΩΝ ΜΑΘΗΜΑ 1 Ο ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΥΛΙΚΩΝ. Δρ. M.Χανιάς Αν.Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ, ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας και Θράκης

Ηλεκτρονική. Ενότητα 2: Η επαφή pn. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΕΙΑ I Ασκήσεις

Διάλεξη 3: Ενέργεια σύνδεσης και πυρηνικά πρότυπα

Βιβλιογραφια. Ε. Ν. Οικονόμου, «Φυσική Στερεάς Κατάστασης», ΠΕΚ / ΙΤΕ Τόμος Α (1997), σ Τόμος Β (2003), σ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 ΘΕΡΜΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ

ΗΜΙΑΓΩΓΑ ΥΛΙΚΑ: ΘΕΩΡΙΑ-ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

Προβλήματα Κεφαλαίου 2

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΧΗΜΕΙΑ / Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: 1 ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 08 / 09 /2013 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ

Γραπτή εξέταση «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών ΙI»-Σεπτέμβριος 2016

Επέκταση του μοντέλου DRUDE. - Θεωρία SOMMERFELD

ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑΣ ΦΩΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ

Πείραμα - 6 Η ηλεκτρική αγωγιμότητα και η μέτρηση του ενεγειακού χασματος στο Γερμάνιο

1.2 Αρχές δόμησης πολυηλεκτρονικών ατόμων

Προβλήματα Κεφαλαίου 2

Προβλήματα Κεφαλαίου 2

Transcript:

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Ενεργειακές Ζώνες και Στατιστική Φορέων Φορτίου Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (2 nd Chapter) Ενεργειακές στοιβάδες προσμίξεων Η εισαγωγή προσμίξεων σε ημιαγωγό προσθέτει επιτρεπτές ενεργειακές στάθμες. Σε n- τύπου ημιαγωγό το επιπλέον ηλεκτρόνιο του δότη κατέχει ενέργεια (E D ) 0.05eV λιγότερη από την ελάχιστη ενέργεια της ζώνης αγωγιμότητας (E C ). Σε p- τύπου ημιαγωγό η αντίστοιχη επιτρεπτή ενεργειακή στάθμη (E A ) βρίσκεται 0.05eV πάνω από την υψηλότερη στάθμη της ζώνης σθένους (E V ). Προσμίξεις άλλων στοιχείων, όπως τα μέταλλα, προσθέτουν και αυτές επιπλέον επιτρεπτές ενεργειακές στάθμες μέσα στο ενεργειακό χάσμα. 2 1

Ενεργειακές στοιβάδες προσμίξεων 3 Ενεργειακές στοιβάδες προσμίξεων n type 4 2

Ενεργειακές στοιβάδες προσμίξεων n type P type 5 Ενεργειακές στοιβάδες προσμίξεων n type P type other impurities 6 3

Ενεργειακές στοιβάδες προσμίξεων Το ενεργειακό διάγραμμα δεν δίνει πληροφορίες, ούτε εξηγεί γιατί οι πρόσθετες επιτρεπτές ενεργειακές στάθμες είναι κενές. Το ερώτημα που εγείρεται είναι ποιο είναι το ποσοστό κατάληψης των ενεργειακών. Ενα τέτοιο ερώτημα απαιτεί στατιστική αντιμετώπιση με τη βοήθεια της θεωρίας των πιθανοτήτων. 7 Ενεργειακές στοιβάδες προσμίξεων Θεωρούμε ότι: f(e)=πιθανότητα κατάληψης από ηλεκτρόνιο ενεργειακής στάθμης με ενέργεια E. N C =αριθμός ενεργειακών καταστάσεων ανά m 3 των ελεύθερων ηλεκτρονίων με ενέργεια E C. τότε n=n C f(e C ) εκφράζει την συγκέντρωση ελεύθερων ηλεκτρονίων. Στην περίπτωση οπών, η πιθανότητα άδειων ενεργειακών στη ζώνη σθένους είναι [1- f(e V )]. Αντιστοίχως, p=n V [1- f(e V )] εκφράζει την συγκέντρωση διαθέσιμων οπών. 8 4

Πιθανότητα κατάληψης ενεργειακών Θεωρητικά τα ηλεκτρόνια σε ελεύθερη κίνηση, χωρίς κανένα περιορισμό θα είχαν την ίδια πιθανότητα κατάληψης μιας ενεργειακής στάθμης. Στην πραγματικότητα υπόκεινται στους ακόλουθους περιορισμούς: Η συνολική ενέργεια των ηλεκτρονίων είναι πεπερασμένη για μια θερμοκρασία (θερμική ενέργεια του συστήματος). Στην ίδια ενεργειακή στάθμη μπορούν να διευθετηθούν μέχρι δύο ηλεκτρόνια (Απαγορευτική αρχή του Pauli). Για να γίνουν αντιληπτοί οι περιορισμοί αυτοί παρουσιάζονται δύο αριθμητικά παραδείγματα. 9 Πιθανότητα κατάληψης ενεργειακών Παράδειγμα 1: Συνολικός αριθμός ηλεκτρονίων: 3 Συνολική ενέργεια ηλεκτρονίων: 5 μονάδες 10 5

Πιθανότητα κατάληψης ενεργειακών Παράδειγμα 1: Συνολικός αριθμός ηλεκτρονίων: 3 Συνολική ενέργεια ηλεκτρονίων: 5 μονάδες Κατάληψη μέχρι 4 η στάθμη Δύο κατανομές 11 Πιθανότητα κατάληψης ενεργειακών Παράδειγμα 1: Συνολικός αριθμός ηλεκτρονίων: 3 Συνολική ενέργεια ηλεκτρονίων: 5 μονάδες Κατάληψη μέχρι 4 η στάθμη Δύο κατανομές Οποιαδήποτε αμοιβαία αλλαγή ηλεκτρονίων μεταξύ επιτρεπτών καταστάσεων δεν οδηγεί σε άλλη κατανομή. Πιθανότητα εμφάνισης της αντίστοιχης κατανομής 50%. 12 6

Πιθανότητα κατάληψης ενεργειακών Παράδειγμα 2: Συνολικός αριθμός ηλεκτρονίων: 11 Συνολική ενέργεια ηλεκτρονίων: 62 μονάδες 13 Πιθανότητα κατάληψης ενεργειακών Παράδειγμα 2: Συνολικός αριθμός ηλεκτρονίων: 11 Συνολική ενέργεια ηλεκτρονίων: 62 μονάδες Κατάληψη μέχρι 17 η στάθμη Δεκαπέντε κατανομές 14 7

Πιθανότητα κατάληψης ενεργειακών Παράδειγμα 2: Συνολικός αριθμός ηλεκτρονίων: 11 Συνολική ενέργεια ηλεκτρονίων: 62 μονάδες Κατάληψη μέχρι 17 η στάθμη Δεκαπέντε κατανομές Η πιθανότητα κατάληψης μιας ενεργειακής στάθμης εκφράζεται σε δέκατα πέμπτα 15 Πιθανότητα κατάληψης ενεργειακών Γενικεύοντας τα προηγούμενα, Για να προσδιοριστεί η πιθανότητα κατάληψης (f(e i ))μιας ενεργειακής στάθμης E i, πρέπει να ληφθούν υπόψη τα εξής: ι = 1 ι = 1 f ( E ) = 1 ( ) όπου Ν=αριθμός ηλεκτρονίων και W=συνολική ενέργεια αυτών. Τότε αποδεικνύεται ότι η μορφή της f(e i ) είναι η ακόλουθη: f( E) = Οπου E F =ενέργεια Fermi i E W i f Ei = N 1 1+ e E E F 16 8

Πιθανότητα κατάληψης ενεργειακών Η ενέργεια Fermi E F, ορίζεται ως η ενέργεια για την οποία f(e)=0.5. Για Τ=0Κ, είναι η ενέργεια της υψηλότερης κατειλημμένης ενεργειακής στάθμης 17 Υπολογισμός ελεύθερων ηλεκτρονίων σε ενδογενή ημιαγωγό Με δεδομένα τα ακόλουθα: f(e C )=πιθανότητα κατάληψης της ενεργειακής στάθμης E C. N C =συγκέντρωση ενεργειακών καταστάσεων των ηλεκτρονίων με E C. Τότε η συγκέντρωση ελεύθερων ηλεκτρονίων σε ημιαγωγό, όπου E C - E F =0.5eV (=0.025, T=300K), θα δίνεται από τη σχέση: NC n = N f( E ) = N e C C C EC EF C 1+ e EC E F 18 9

Υπολογισμός ελεύθερων ηλεκτρονίων σε ενδογενή ημιαγωγό Αύξηση ενέργειας ηλεκτρονίων κατά 2 μειώνει τη συνάρτηση Fermi κατά περίπου 10 φορές και συνεπώς περιορίζει τα ηλεκτρόνια αγωγιμότητας σε ενέργειες πολύ κοντά στην E C. Αρα, η συνολική συγκέντρωση ελεύθερων ηλεκτρονίων θα είναι προσεγγιστικά: n N e C C EC E F κτ 19 Υπολογισμός ελεύθερων ηλεκτρονίων σε ενδογενή ημιαγωγό Με αντίστοιχο σκεπτικό μπορούμε να υπολογίσουμε τη συγκεντρωση οπών. [1- f(e V )]=πιθανότητα άδειας ενεργειακής στάθμης E V. N V =συγκέντρωση ενεργειακών καταστάσεων των ηλεκτρονίων με E V. Τότε η συγκέντρωση οπών σε ημιαγωγό, όπου E V - E C <1 (E V - E C <<=0.025, T=300K), θα δίνεται από τη σχέση: 1 pv = NV [ 1 f( EV) ] = NV 1 = EV EF 1+ e EV EF e NV N E V e V EF 1+ e EF EV 20 10

Υπολογισμός ελεύθερων ηλεκτρονίων σε ενδογενή ημιαγωγό Οι διαθέσιμες οπές θα φέρουν τα αντίστοιχα ηλεκτρόνια σε ενέργειες πολύ κοντά στην E V. Αρα, η συνολική συγκέντρωση οπών θα είναι προσεγγιστικά: p N e V V EF E V Από τα προηγούμενα συνάγεται ότι σε ενδογενή ημιαγωγό n=p όπως έχει ήδη προβλεφθεί, επιβεβαιώνοντας την υπόθεση ότι η E F βρίσκεται στο μέσον του ενεργειακού χάσματος. 21 11