ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ

Σχετικά έγγραφα
2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΙΚΑΝΟΤΗΤΕΣ: 1. Αναγνωρίζει απλούς κωδικοποιητές - αποκωδικοποιητές.

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1. ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ 2. ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

περιεχομενα Πρόλογος vii

Β τάξη Ημερήσιου (1Θ+3Ε) και Εσπερινού (1Θ+3Ε) ΕΠΑ.Λ. (ΜΑΘΗΜΑ ΤΟΜΕΑ)

Πόλωση των Τρανζίστορ

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Πρόλογος... i ΑΝΑΦΟΡΕΣ ΓΙΑ ΠΕΡΑΙΤΕΡΩ ΜΕΛΕΤΗ... 77

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

ΕΞΩΦΥΛΛΟ ΟΠΙΣΘΟΦΥΛΛΟ - ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΟΥ ΒΙΒΛΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΘΕΩΡΙΑ- ΠΡΑΞΗ

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

ΠΕΡΙΓΡΑΜΜΑ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

6 Εισαγωγή στα Συστήματα Ηλεκτρικής Ενέργειας

Ι. Ν. ΛΥΓΟΥΡΑΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ Δ. Π. Θ

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)


ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Α2. Α2.1 Α2.2 Α2.1 Α2.2 Μονάδες 10 Α3.

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Μάθηµα 1ο Μέρος 1ο. Ανάλυση Κυκλωµάτων DC ΑΝΑΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Ο : ΘΕΩΡΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΔΙΚΤΥΩΝ

ΘΕΜΑΤΑ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ-ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ- ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ, ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 2

1.5 1 Ο νόμος των ρευμάτων του Kirchhoff Ο νόμος των τάσεων του Kirchhoff Το θεώρημα του Tellegen 13

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 2 JUT ΚΑΙ PUT

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΕΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ. ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ: Γεννήτρια αναλογικού σήματος με ψηφιακή ένδειξη

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΘΕΩΡΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ R R R

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

Περιοχή φορτίων χώρου

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

Α.3. Στην παρακάτω συνδεσμολογία οι τέσσερις αντιστάσεις R 1, R 2, R 3 και R 4 είναι διαφορετικές μεταξύ τους. Το ρεύμα Ι 3 δίνεται από τη σχέση:

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Περιεχόμενα. Πρόλογος...13

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ

Περιοχή φορτίων χώρου

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

Περιεχόμενα. Πρόλογος...13

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ & ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

Περιοχή φορτίων χώρου

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 1: Εισαγωγή. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

6. Τελεστικοί ενισχυτές

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013

Transcript:

ΠΡΟΛΟΓΟΣ Το παρόν βιβλίο «Ηλεκτρονικά Κυκλώματα-Θεωρία και Ασκήσεις» αποτελεί μία διευθέτηση ύλης που προέρχεται από τον Α και Β τόμο του συγγράμματος «Γενική Ηλεκτρονική» Α και Β τόμων έκδοσης 2001 και από τις «Ασκήσεις Ηλεκτρονικής» έκδοσης 1999. Με τη διευθέτηση αυτή συνοψίζονται σε ένα τόμο τα κύρια βασικά κεφάλαια της ηλεκτρονικής που είναι απαραίτητα για τους σπουδαστές προπτυχιακού κύκλου σπουδών, ενώ παρέχονται λυμένες και άλυτες ασκήσεις για εξάσκηση και εμπέδωση. Τα οκτώ πρώτα κεφάλαια του βιβλίου προέρχονται από τον Α τόμο της «Γενικής Ηλεκτρονικής». Το πρώτο κεφάλαιο αφορά στις βασικές έννοιες των κυκλωμάτων και στη θεωρία τους, ενώ το δεύτερο κεφάλαιο στη χρονική και αρμονική απόκρισή τους. Το τρίτο κεφάλαιο αναφέρεται περιληπτικά στη θεωρία, στις ιδιότητες και στην κατασκευή των ημιαγωγών και το τέταρτο κεφάλαιο αναπτύσσει τη θεωρία των διόδων και εξετάζει την απλή και διπλή ανόρθωση. Το πέμπτο κεφάλαιο αφορά στα τρανζίστορ επαφής (BJT) και παρατίθενται μερικές χρήσιμες εφαρμογές. Το έκτο κεφάλαιο αναφέρεται στους ενισχυτές με BJT, ενώ στο έβδομο και όγδοο κεφάλαιο εξετάζονται τα JFET, τα MOSFET και κυκλώματα καθώς και ενισχυτές. Τέλος, από τον Β τόμο της «Γενικής Ηλεκτρονικής» έχει ληφθεί το μεγαλύτερο μέρος του πρώτου κεφαλαίου που αφορά στους τελεστικούς ενισχυτές. Μετά από τα παραπάνω κεφάλαια που αναφέρονται στη θεωρία των κυκλωμάτων, παρατίθεται από τις «Ασκήσεις Ηλεκτρονικής» ύλη με λυμένες και άλυτες ασκήσεις πάνω στα βασικά κυκλώματα και τη θεωρία τους, στις διόδους, στα BJT στα FET και στους ενισχυτές. Πιστεύουμε ότι το εν λόγω βιβλίο μπορεί να αποτελέσει χρήσιμο βοήθημα στην κατανόηση του αντικειμένου της ηλεκτρονικής για τους σπουδαστές. Και από τη θέση αυτή οφείλω να ευχαριστήσω όσους συνέδραμαν είτε με παρατηρήσεις και διορθώσεις είτε με τεχνική υποστήριξη στην κατάρτιση του εν λόγω κειμένου και για τους οποίους έχουν ιδιαίτερα αποδοθεί ευχαριστίες στις παραπάνω αναφερθείσες εκδόσεις του συγγράμματος. Θεσσαλονίκη Μάιος 2014 Κ.Α. ΚΑΡΥΜΠΑΚΑΣ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΑΠΟ ΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΤΗ ΘΕΩΡΙΑ ΤΟΥΣ 1.1. Ηλεκτρικά στοιχεία και κυκλώματα... 13 1.2. Πηγές τάσης και ρεύματος... 17 1.3. Διαιρέτες τάσης και ρεύματος... 21 1.4. Αντίσταση μεταξύ δύο σημείων μιάς διάταξης... 24 1.5. Ηλεκτρικά σήματα... 26 1.6. Γραμμικά κυκλώματα και η αρχή της επαλληλίας... 34 1.7. Ευθεία φορτίου και δυναμική αντίσταση στοιχείου... 38 1.8. Τα θεωρήματα των Thivenin και Norton... 42 1.9. Επίλυση κυκλωμάτων. Νόμοι του Kirchhoff... 46 1.10. Ενισχυτές τάσης και ρεύματος... 51 1.11. Θεωρία των δίθυρων... 53 1.12. Το θεώρημα του Miller και το δυαδικό του... 62 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 ΧΡΟΝΙΚΗ ΚΑΙ ΑΡΜΟΝΙΚΗ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΤΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ 2.1. Χρονική απόκριση των κυκλωμάτων... 67 2.2. Η συχνοτική συνάρτηση μεταφοράς... 76 2.3. Συχνοτικά διαγράμματα... 81

8 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3 ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ 3.1. Ηλεκτρονικοί φλοιοί των ατόμων - σθένος και ομοιοπολικοί δεσμοί... 95 3.2. Ενεργειακές στάθμες στα άτομα και διέγερση ατόμων... 97 3.3. Ενεργειακές ζώνες στους κρυστάλλους... 98 3.4. Μέταλλα - μονωτές και ημιαγωγοί... 100 3.5. Ενδογενείς ημιαγωγοί... 103 3.6. Εξωγενείς ημιαγωγοί... 106 3.7. Αγωγιμότητα στους ημιαγωγούς... 112 3.8. Κατασκευή μονοκρυστάλλων του Ge και Si... 115 3.9. Απλά ηλεκτρονικά στοιχεία από ημιαγωγούς... 118 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΔΙΟΔΟΙ 4.1. Επαφή p-n... 121 4.2. Εξίσωση και χαρακτηριστικά καμπύλη της διόδου... 132 4.3. Δυναμική αντίσταση της διόδου και προσεγγιστικό ισοδύναμο κύκλωμα... 140 4.4. Χωρητικότητες της διόδου... 144 4.5. Φαινόμενα μεταγωγής (switching)... 147 4.6. Κατασκευή των διόδων... 149 4.7. Η δίοδος Zener... 153 4.8. Η δίοδος σύραγγας (tunnel)... 165 4.9. Οπτοδίοδοι... 166 4.10. Ανορθωτικά κυκλώματα... 171 4.11. Εξομάλυνση της τάσης εξόδου των ανορθωτικών κυκλωμάτων με φίλτρα... 178 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT) 5.1. Οι περιοχές του τρανζίστορ - Συμβολισμοί και συνδεσμολογίες... 187 5.2. Δομή και κατασκευή του BJT στα ολοκληρωμένα κυκλώματα... 190 5.3. Λειτουργία του τρανζίστορ... 191 5.4. Λειτουργία του BJT για μικρά σήματα... 197

9 5.5. Συνδεσμολογία κοινής βάσης... 203 5.6. Συνδεσμολογία κοινού εκπομπού... 207 5.7. Μοντέλα του BJT για μικρά σήματα... 211 5.8. Μερικές χρήσιμες εφαρμογές του BJT... 219 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΜΕ BJT ΣΤΙΣ ΧΑΜΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ 6.1. Το βασικό μοντέλο ενισχυτή τάσης... 228 6.2. Ενισχυτές σε διαδοχή... 229 6.3. Ενισχυτές κοινής βάσης... 231 6.4. Ενισχυτής κοινού εκπομπού... 237 6.5. Ενισχυτής κοινού συλλέκτη - Ακολουθητής τάσης... 260 6.6. Ακολουθητής τάσης με συνδεσμολογία Darlington... 267 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ (FET) 7.1 Το FET επαφής (JFET)... 274 7.2 Tα FET μονωμένης πύλης (IGFET ή MOSFET)... 281 7.3. Παράμετροι των FET και ισοδύναμα κυκλώματα... 290 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΜΕ FET 8.1. Ενισχυτές με FET... 295 8.2. Ενισχυτής JFET με κοινή πηγή... 304 8.3. Ενισχυτής με αντίσταση στον απαγωγό και στην πηγή... 308 8.4. Ενισχυτής FET με κοινό απαγωγό -Ακολουθητής τάσης... 311 8.5. Παραμόρφωση στους ενισχυτές με FET... 314 8.6. Το FET σαν μεταβλητή ωμική αντίσταση... 316 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 9 ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ 9.1. Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής... 319 9.2. Χαρακτηριστικά και επιδόσεις των τελεστικών ενισχυτών... 320

10 9.3. Ανάλυση βασικών κυκλωμάτων του τελεστικού ενισχυτή... 330 9.4. Άλλα βασικά κυκλώματα... 349 ΜΕΡΟΣ ΔΕΥΤΕΡΟ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ Α. ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ... 364 ΚΕΦΑΛΑΙΟ Β. ΔΙΟΔΟΙ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ... 373 ΚΕΦΑΛΑΙΟ Γ. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ... 409 ΚΕΦΑΛΑΙΟ Δ. ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ AC ME BJT ΣΤΙΣ ΧΑΜΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟ- ΤΗΤΕΣ... 427 ΚΕΦΑΛΑΙΟ Ε. ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΚΑΙ ΑΛΛΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ FET... 447 ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ... 487 ΕΥΡΕΤΗΡΙΟ... 489