ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Σχετικά έγγραφα
ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9

Το διπολικό τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 7

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Ανάδραση. Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Απόκριση Συχνότητας»

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΤΟΥ TRANSISTOR ΠΕΙΡΑΜΑ 3

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Τελεστικοί Ενισχυτές»

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Διαφορικοί Ενισχυτές

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία

Ενισχυτές με Ανασύζευξη-Ανάδραση

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Ανατροφοδότηση»

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

Τελεστικοί Ενισχυτές

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

10. Χαρακτηριστικά στοιχεία λογικών κυκλωμάτων

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

ΘΕΜΑ 1 ο (3.5 μονάδες) V CC R C1 R C2. R s. v o v s R L. v i I 1 I 2 ΛΥΣΗ R 10 10

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 5. Ρυθμίζοντας τη Φορά Περιστροφής. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 1η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 8: Απόκριση κατά Συχνότητα των Ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

To π-ισοδύναμο μοντέλο του BJT

Transcript:

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Cascode Κυκλώματα (1/2) Χρησιμοποιούμε ένα κοινήςπύλης/βάσης τρανζίστορ για να: Βελτιώσουμε την αντίσταση εξόδου ενός άλλου τρανζίστορ. V drain Μειώσουμε το φαινόμενο Gate-to- Drain χωρητικότητας ενός άλλου τρανζίστορ. V b Η αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ κοινής-πύλης είναι μικρή - Ο ακροδέκτης πηγή είναι σχεδόν ταιριασμένος όταν συνδέεται στον επαγωγό ενός τρανζίστορ. V gate GND V 1 2

Cascode κυκλώματα (2/2) V drain V drain V bias V gate V 1 GND V gate GND I drain = I o e κv gate/u T e κv bias /V A e V drain / (A v V A ) I drain = I o e (κv bias -V 1 )/U T e V drain /V A = I o e κv gate/u T e V 1 /V A V 1 ~ κv bias - κv gate + (U T /V A ) V drain Drain is fixed (Βελτιώνει την τάση V 1 ήαπομονώνειτηνv 1 από την έξοδο) 3

Cascode Ενισχυτής κοινού απαγωγού Ένας πόλος Υψηλή αντίσταση εισόδου DC κέρδος V dd V 1 bias p V out I bias bias n M b V b GND GND 4

O cascade ενισχυτής Τοπολογία κοινού συλλέκτη-κοινού εκπομπού Αυξάνω την αντίσταση εισόδου και το κέρδος ρεύματος r c pi c β r pi1 β 2 ο + β r ο pi2 5

O cascade ενισχυτής τοπολογία κοινού συλλέκτη κοινού συλλέκτη Αυξάνω την αντίσταση εισόδου και το κέρδος ρεύματος r c pi c β r pi1 2 β + β r ο Η τοπολογία CC-CC σαν ακόλουθος εκπομπού ισοδυναμεί με το ζεύγος Darlington. ο pi2 6

Συνδεσμολογίες Cascode (1/3) Συνδεσμολογία BJT Cascode Συνδεσμολογία MOS Cascode 7

Συνδεσμολογίες Cascode (2/3) 8

Συνδεσμολογίες Cascode (3/3) R out 9

Τοπολογία BJT-MOS Cascade (1/2) Παρατήρηση: έχουμε μηδενικό ρεύμα τάσης 10

Τοπολογία BJT-MOS Cascade (2/2) Διατηρώ μεγάλο gm/i 11

Cascades - περισσότερα 12

MOS Cascode πηγής(sink) 13

Μια βελτιωμένη source (sink) 14

Μια επιπλέον βελτίωση 15

Πηγή τάσης χαμηλού κορεσμού 16

Σχεδίαση πηγής ρεύματος SPICE Results 17

Καθρέφτες ρεύματος Cascode Διπολικός MOS 18

MOS Καθρέφτης ρεύματος Cascode Χαρακτηριστική εξόδου Μ1 ενεργό, Μ2 σε λειτουργία τριόδου Μ1 και Μ2 σε λειτουργία τριόδου 19

Διπολικός καθρέφτης ρεύματος Wilson Βελτιωμένος καθρέφτης ρεύματος Wilson Μοντέλο μικρού σήματος 20

ΟΕνισχυτήςMOS cascode (α) (β) (γ) (α) Ο MOS cascode ενισχυτής. (β) το κύκλωμα ανάλυσης μικρού σήματος με διάφορες αντιστάσεις εισόδου-εξόδου. (γ) Το cascode κύκλωμα με έξοδο ανοιχτό κύκλωμα. 21

ΟΕνισχυτήςBJT cascode (α) (β) (γ) (α) Ο BJT cascode ενισχυτής. (β) Κύκλωμα για την ανάλυση μικρού σήματος όπου φαίνονται οι διάφορες αντιστάσεις εισόδου και εξόδου. Παρατηρούμε ότι η αντίσταση r x έχει αγνοηθεί. (γ) Το cascode κύκλωμα με ανοιχτοκυκλωμένη την έξοδο. 22

Έξοδος του Cascode ενισχυτή (α) (β) (γ) (α,β) 2 ισοδύναμα κυκλώματα για την έξοδο του Cascode ενισχυτή. Οποιοδήποτε κύκλωμα μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να καθορίσει το κέρδος A v. (γ) Ισοδύναμο κύκλωμα για καθορισμό του κέρδους τάσης του σταδίου κοινής πηγής, Q 1. 23

Κέρδος και εύρος ζώνης Επίδραση του cascoding στο κέρδος και στο bandwidth στην περίπτωση όπου R sig 5 0. Η τοπολογία Cascoding μπορεί να αυξήσει το dc κέρδος κατά A 0 κρατώντας παράλληλα τη συχνότητα μοναδιαίου κέρδους σταθερή. Παρατηρούμε ότι για να πετύχουμε υψηλό κέρδος το ωμικό φορτίο π ρεπει να αυξηθεί κατά A 0. 24

Ισοδύναμο κύκλωμα (α) (β) (γ) (α) Ισοδύναμο κύκλωμ του ενισχυτή cascode αναφορικά με το κέρδος τάσης ανοιχτού κυκλώματος A vo 5 ba 0. (β) Ισοδύναμο κύκλωμα σε σχέση με το συνολικό βραχυκύκλωμα των G m. g m. (γ) Ισοδύναμο κύκλωμα εύρεσης του κέρδους για το στάδιο κοινού εκπομπού, Q 1. 25

Απόκριση συχνότητας ενός ενισχυτή BJT cascode Παρατηρούμε ότι εκτός από τις BJT χωρητικότητες C p και C m, περιλαμβάνεται επίσης και η χωρητικότητα μεταξύ συλλέκτη και υποστρώματος C cs για κάθε τρανζίστορ. 26

Cascode κυκλώματα (1/2) Πηγή ρεύματος Folded cascode Διπλός cascoding 27

Cascode κυκλώματα (2/2) Cascode κύκλωμα όπου φαίνονται διάφορες χωρητικότητες του τρανζίστορ. 28

Η διάλεξη αυτή έγινε στο πλαίσιο του ΕΠΕΑΚ ΙΙ για το μάθημα Αναλογικά Ηλεκτρονικά 29