Υ Π Ο Μ Ν Η Μ Α ΣΠΟΥ ΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΗΣ ΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑΣ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΧΑΡΑΛΑΜΠΟΣ Α. ΗΜΗΤΡΙΑ ΗΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ Υ Π Ο Μ Ν Η Μ Α ΣΠΟΥ ΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΗΣ ΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑΣ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗ ΣΕΠΤΕΜΒΡΙΟΣ 2001

2 Ι. ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Έτος γέννησης: 1950 Τόπος γέννησης: Κοπανός Ηµαθίας Οικογενειακή κατάσταση: Παντρεµένος (1 παιδί) ΙI. ΤΙΤΛΟΙ ΣΠΟΥ ΩΝ Πτυχίο Φυσικού µε βαθµό Άριστα (8.5), Φυσικοµαθηµατική Σχολή Πανεπιστηµίου Θεσσαλονίκης, Απρίλιος 1974. Master of Sciences, Solid State Electronics, University of Manchester Institute of Science and Technology (UMIST), England, εκέµβριος 1976. Ph. D. Degree, Solid State Electronics, University of Manchester Institute of Science and Technology (UMIST), England, Ιούλιος 1979. ΙΙΙ. ΑΚΑ ΗΜΑΪΚΗ ΣΤΑ ΙΟ ΡΟΜΙΑ Απρίλιος 1981-Σεπτέµβριος 1981: ιδάκτορας-ερευνητής, Πολυτεχνική Σχολή, ηµοκρίτειο Πανεπιστήµιο Θράκης, Ξάνθη Σεπτέµβριος 1982-Ιανουάριος 1985: ιδάκτορας-ερευνητής, Τµήµα Φυσικής, Τοµέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, ΑΠΘ Ιανουάριος 1985-Φεβρουάριος 1988: Λέκτορας στον Τοµέα Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Τµήµα Φυσικής του ΑΠΘ. Φεβρουάριος 1988-Σεπτέµβριος 1992: Επίκουρος Καθηγητής στον Τοµέα Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Τµήµα Φυσικής του ΑΠΘ. Ιούλιος 1988-Φεβρουάριος 1989: Με εκπαιδευτική άδεια στο Μαx-Planck Institut fur Festkorperforschung, Stuttgart, Germany. Απρίλιος 1990 και Απρίλιος 1991: Επισκέπτης ερευνητής στο Reasearch Institute for Technical Physics of the HAS, Ujpest, Hungary στα πλαίσια διµερούς συνεργασίας µε την Ουγγαρία. Ιούλιος 1992-Σήµερα: Αναπληρωτής Καθηγητής στον Τοµέα Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Τµήµα Φυσικής του ΑΠΘ.

3 Μάιος 1996-Οκτώβριος 1996: Με εκπαιδευτική άδεια στο Laboratoire de Physique des Composants a Semiconducteurs, ENSERG, Grenoble, France. Μάιος 1998-Ιούλιος 1998: Προσκεκληµένος καθηγητής (invited professor) στο Laboratoire de Physique des Composants a Semiconducteurs, ENSERG, Grenoble, France. IV. ΥΠΟΤΡΟΦΙΕΣ- ΙΑΚΡΙΣΕΙΣ 1. Υπότροφος Ι.Κ.Υ., 1969-1973. 2. Προσκεκληµένος καθηγητής (invited professor) στο Laboratoire de Physique des Composants a Semiconducteurs, ENSERG, Grenoble, France. V. ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΕΣ ΕΤΑΙΡΕΙΕΣ ΚΑΙ ΠΕΡΙΟ ΙΚΑ Μέλος του Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., Electron Devices Society. Μέλος της Ένωσης Ελλήνων Φυσικών. Κριτής στα διεθνή επιστηµονικά περιοδικά: ΙΕΕΕ Transactions οn Electron Devices ΙΕΕΕ Electron Device Letters Journal of Applied Physics Applied Physics Letters Semiconductor Science and Technology Solid State Electronics Applied Physics Α Journal of Physics D: Applied Physics Scanning Electron Microscopy Κριτής στα πρακτικά του συνεδρίου International Conference οn Polycrystalline Semiconductors. Μέχρι σήµερα έχω κρίνει 58 δηµοσιεύσεις στα παραπάνω περιοδικά.

4 VI. ΕΠΙΒΛΕΨΗ ΙΑΤΡΙΒΩΝ ιδακτορικές ιατριβές 1..Τάσσης, Ανάπτυξη και χαρακτηρισµός ηµιαγωγικών πυριτιδίων β-fesi 2 και ετεροεπαφών του µε το Si για οπτοηλεκτρονικές εφαρµογές (Ιανουάριος 2000) 2. Κ.Αγγέλης, Μελέτη τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου υψηλών και χαµηλών θερµοκρασιών µε ηλεκτρικές µετρήσεις και θόρυβο χαµηλών συχνοτήτων (στάδιο συγγραφής). Η διατριβή θα χορηγηθεί απο το Πανεπιστήµιο Ιωαννίνων µε τυπικά υπεύθυνο τον καθ. Ν. Αλεξανδρόπουλο. Η ερευνητική εργασία της διατριβής πραγµατοποιήθηκε εξ ολοκλήρου υπο την καθοδήγησή µου. 3. Ν.Κελαϊδής, Θέµατα αξιοπιστίας µεταλλικών ενδοσυνδέσεων και ηλεκτρο- µετανάστευσης (σε εξέλιξη). 4. B.Kιουτσούκ-Κυριακόπουλος (ανάθεση επίβλεψης). ιατριβή Μάστερ (M.Sc. Thesis) 1. K.Αγγέλης, Μελέτη διόδων Schottky πυριτίου βοµβαρδισµένων µε νετρόνια, Μεταπτυχιακό Πανεπιστηµίου Ιωαννίνων, 1995. ιπλωµατικές Εργασίες 1. Σ.Φοραδούλα, Ειδικές τεχνικές για την µελέτη βαθειών παγίδων σε ηµιαγωγούς Μεταπτυχιακό Φυσικής Υλικών, Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ, 1995. 2. Χ.Ποντίδου, Ανώµαλο ρεύµα διαρροής σε τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου, Μεταπτυχιακό Φυσικής Υλικών, Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ, 1996. 3. Γ.Μελιδονιώτη, Η τεχνική του επαγόµενου ρεύµατος δέσµης ηλεκτρονίων σαρωτικού ηλεκτρονικού µικροσκοπίου για την αποτίµηση ηµαιγωγών και ηµιαγωγικών διατάξεων, Μεταπτυχιακό Φυσικής Υλικών, Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ, 1996. 4. Ν.Χαστάς, Κατασκευή διόδων Schottky ετεροεπαφών υµενίων άνθρακα τύπου αδάµαντα/πυριτίου και χαρακτηρισµός µε ηλεκτρικές µετρήσεις και θόρυβο χαµηλών συχνοτήτων, Μεταπτυχιακό Φυσικής Υλικών, Τµήµα Φυσικής, ΑΠΘ, 2000. VII. ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΑ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΑ

5 Α. Προγράµµατα ως επιστηµονικός υπεύθυνος 1. Ανάπτυξη και χαρακτηρισµός λεπτών υµενίων β-fesi 2 και Ti/W/Si 2 σε υποστρώµατα Si για εφαρµογές στη µικροηλεκτρονική, ΠΕΝΕ 89 Ε 319, 1992-1994, προϋπολογισµός: 3.388.000 δρχ. 2. Ανάπτυξη της τεχνολογίας λεπτών υµενίων του TiN σε υποστρώµατα Si για εφαρµογές σε διάφορες ηλεκτρονικές διατάξεις, ΠΕΝΕ 95, 1996-1998, προϋπολογισµός: 10.000.000 δρχ. 3. Procedures for the early phase evaluation of reliability of electronic components by development of CECC rules (PROPHESY), Contract No SMT4-CT95 2020, 1996-1997, προϋπολογισµός: 3.567.000 δρχ. (Sub-contractor Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. ηµόκριτος, Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής) 4. New Emphasis ESPRIT Contract No 4 23222, 1997-1998, προϋπολογισµός 4.800.000 δρχ. (Sub-contractor Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. ηµόκριτος, Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής). 5. Polycrystalline silicon thin film transistors: Study of the electrophysical properties, bilateral agreement between Greece-Bulgaria, 1998-1999, προϋπολογισµός: 2.100.000 δρχ. 6. Ανάπτυξη της τεχνολογίας λεπτών υµενίων άνθρακα τύπου αδάµαντα για εφαρµογές σε ηλεκτρονικές διατάξεις και επίπεδες οθόνες απεικόνισης, ΠΕΝΕ 99, 1999-2000, προϋπολογισµός: 52.000.000 δρχ. 7. Χαρακτηρισµός µε ηλεκτρικές µετρήσεις στην ερευνητική πρόταση ίκτυο µικροηλεκτρονικής µε έµφαση σε ολοκληρωµένα κυκλώµατα, αισθητήρες, ανιχνευτές και νανοδιατάξεις στο πλαίσιο της ειδικής δράσης «Ανθρώπινα ίκτυα ιάδοσης της Ε&Τ Γνώσης» του ΕΠΕΤ ΙΙ, χρηµατοδότηση απο ΓΓΕΤ, προϋπολογισµός: 15.000.000 δρχ. Β. Προγράµµατα ως κύριος ερευνητής 1. Ιδιότητες πολυκρυσταλλικού πυριτίου για εφαρµογές στη µικροηλεκτρονική και ηλιακές κυψελίδες, Υπουργείο Βιοµηχανίας, Έρευνας και Τεχνολογίας, 1984-1985. 2. Μελέτη των ετεροεπαφών II-VI και IV-VI για lasers και ΙR ανιχνευτές, Υπουργείο Βιοµηχανίας, Έρευνας και Τεχνολογίας, 1986-1988. 3. Large area complex liquid crystal displays addressed by thin film transistors ESPRIT I 833, 1987-1990. 4. Active matrix LCD for TV and office systems, ESPRIT II 2283, 1990-1993. 5. Mελέτη των ηλεκτρικών, οπτικών και ηλεκτρικών ιδιοτήτων ηµιαγωγών και υπεραγωγών, ιακρατική συµφωνία µεταξύ Ελλάδος-Ουγγαρίας, 1990-91 και 1993-1995. 6. Επίδραση διαφορετικών συνθηκών ανόπτησης στις δοµικές και ηλεκτρικές ιδιότητες πολυκρυσταλλικού πυριτίου ως τοπική πηγή διάχυσης και

6 επιµετάλλωσης, ιµερής διακρατική συνεργασία µεταξύ Ελλάδος -Ρουµανίας, 1994-1995. 7. Υλικά µε βάση το πυρίτιο για οπτοηλεκτρονικές διατάξεις, ΠΕΝΕ 95, 1996-1998. 8. Επίδραση διαφορετικών συνθηκών ανόπτησης στις δοµικές και ηλεκτρικές ιδιότητες πολυκρυσταλλικού πυριτίου ως τοπική πηγή διάχυσης και επιµετάλλωσης, ιµερής διακρατική συνεργασία µεταξύ Ελλάδος -Ρουµανίας, 1998-1999. 9. Non-disclosure agreement between Seiko Epson Corporation-Aristotle University of Thessaloniki, Electrical and noise analysis of excimer annealed polycrystalline silicon thin film transistors, 1999. VIII. Ι ΑΚΤΙΚΗ ΠΕΙΡΑ Απο το ακαδηµαϊκό έτος 1984-85 έως σήµερα δίδαξα ή διδάσκω: 1984-85 έως 1987-88: Γενική Φυσική Ι και Γενική Φυσική ΙΙ (Τµήµα Χηµείας). 1984-85 έως σήµερα: Γενικό Εργαστήριο (Τµήµα Φυσικής). 1990-91 έως σήµερα: Γενική Φυσική Ι (Τµήµα Φυσικής). 1990-91 έως σήµερα: Φυσική Ηµιαγωγών (Φυσικό Τµήµα). 1994-95: Έλεγχος Αξιοπιστίας Ηλεκτρονικών Κυκλωµάτων (Μεταπτυχιακό Ραδιοηλεκτρολογίας). 1996-97 έως σήµερα: Ηλεκτρικές Ιδιότητες Υλικών (Μεταπτυχιακό Φυσικής Υλικών). 1996-97 έως σήµερα: Εργαστήριο Ηλεκτρικών Ιδιοτήτων Υλικών (Μεταπτυχιακό Φυσικής Υλικών). ΙΧ. ΕΠΙΤΡΟΠΕΣ Συµµετοχή κατά διαστήµατα στη Γενική Συνέλευση του Τµήµατος Φυσικής. Μέλος εισηγητικών επιτροπών για την εξέλιξη ή εκλογή µελών ΕΠ. Μέλος της τριµελούς συµβουλευτικής επιτροπής στη διδακτορική διατριβή Σχεδιασµός και τεχνολογία µικροηλεκτρονικών στοιχείων πυριτίου, Ι. αµάσκος, ηµοκρίτειο Πανεπιστήµιο Θράκης, Πολυτεχνική Σχολή. Μέλος της τριµελούς συµβουλευτικής επιτροπής στη διδακτορική διατριβή του υποψήφιου διδάκτορα Γ.Παναγιωτάτου του Τµήµατος Φυσικής του Α.Π.Θ. Μέλος της εξεταστικής επιτροπής διδακτορικών διατριβών του Τµήµατος Φυσικής του Α.Π.Θ. Μέλος της εξεταστικής επιτροπής σε διδακτορικές διατριβές άλλων Πανεπιστηµίων: Theoretical study of polycrystalline solar cells and related phenomena του υποψήφιου διδάκτορα P.S.Basak, Banaras Hindu University, India (1995). Μελέτη ατελειών σε ηµιαγωγούς της οικογένειας του Al x Ga 1-x As του υποψήφιου διδάκτορα Ε.Ευαγγέλου, Τµήµα Φυσικής, Πανεπιστήµιο Ιωαννίνων.

7 Growth and characterization of Indium Oxide (InO x ) films της υποψήφιας διδάκτορα Chrisa Xirouchaki-Petersen, Τµήµα Φυσικής, Πανεπιστήµιο Κρήτης. Μέλος της επιτροπής του προγράµµατος αξιολόγησης του Τµήµατος Φυσικής του ΑΠΘ. Χ. ΙΕΘΝΕΙΣ ΣΥΝΕΡΓΑΣΙΕΣ Max-Planck Institute, Stuttgart, Germany (ηµιαγωγικά πυριτίδια). GEC, Hirst Research Center, Wembley, England (τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου LPCVD). Laboratoire de Physique des Composants a Semiconducteurs, Grenoble, France (ηλεκτρονικός θόρυβος ηµιαγωγικών υλικών και ηµιαγωγικών διατάξεων). Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, Bulgaria (τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου υψηλών θερµοκρασιών). Seiko Epson Corporation, Base Technology Research Center, Owa 3-3-5, Suwa, Nagano, Japan (Electrical and noise analysis of excimer annealed polycrystalline silicon thin film transistors). SGS Thomson Microelectronics, Grenoble, France (Hot carrier phenomena in submicron MOSFETs). Consiglio Nazionale Delle Ricerche, Instituto di Elettronica Dello Stato Solido, Roma, Italy (ηλεκτρονικός θόρυβος σε τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου χαµηλών θερµοκρασιών). ΧI. ΤΟ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΟ ΕΡΓΟ 1. Καταµερισµός του Ερευνητικού Έργου σε Χρονικές Περιόδους To ερευνητικό µου έργο µπορεί να κατανεµηθεί σε τέσσερεις διαδοχικές χρονικές περιόδους. Σε κάθε περίοδο τονίζεται ένα διαφορετικό θέµα της µικροηλεκτρονικής, µε µία φυσική εξέλιξη απο µελέτες βασικών υλικών και σχετικών διατάξεων χαρακτηρισµού αρχικά, στην τεχνολογία VLSI και θέµατα αξιοπιστίας τώρα. Έχουν αναπτυχθεί οι απαραίτητες θεωρίες διαφόρων πειραµατικών τεχνικών µε τεχνολογικό ενδιαφέρον και εφαρµόσθηκαν µε συνέπεια πειραµατικά οι τεχνικές που έχουν προταθεί. Περίοδος 1975-1980: Η περίοδος αυτή αναφέρεται κυρίως στην εργασία της διδακτορικής µου διατριβής. Περιλαµβάνει την εφαρµογή του σαρωτικού ηλεκτρονικού µικροσκοπίου για την µελέτη των ηλεκτρικών ιδιοτήτων ηµιαγωγικών υλικών γενικά. Αυτή η προσπάθεια είχε σαν αποτέλεσµα την ανάπτυξη νέων τεχνικών για την µελέτη του µήκους διάχυσης και του χρόνου ζωής των φορέων

8 µειοψηφίας, και τον χαρακτηρισµό των ηλεκτρικά ενεργών δοµικών ατελειών (εξαρµώσεων) µε εφαρµογή των τεχνικών της καθοδοφωταύγειας (Cathodoluminescence) και SEM-EBIC (Scanning Electron Microscope-Electron Beam Induced Current). Τα αποτελέσµατα περιγράφονται σε επτά δηµοσιεύσεις (1-4, 6, 8 και 9). Μία απο αυτές τις εργασίες (3) προτείνει και περιγράφει την νέα πειραµατική διάταξη SEM-EBIC, η οποία µέσω αυστηρής µαθηµατικής ανάλυσης παρέχει απλές σχέσεις για την ερµηνεία των πειραµατικών αποτελεσµάτων και την εξαγωγή των παραµέτρων των ηµιαγωγών. Η προτεινόµενη τεχνική έγινε γρήγορα αποδεκτή και συνεχίζει να χρησιµοποιείται ευρύτατα στη βιοµηχανία και διάφορα ερευνητικά εργαστήρια. Περίοδος 1981-1985: Την χρονική αυτή περίοδο έγινε επέκταση της εργασίας της διδακτορικής διατριβής στη µελέτη των διαχωριστικών επιφανειών των κρυσταλλιτών στο πολυκρυσταλλικό πυρίτιο, υλικό βασικό για εφαρµογές στα φωτοβολταϊκά στοιχεία. Προτάθηκε η επέκταση της πειραµατικής τεχνικής SEM- EBIC για τον ηλεκτρικό χαρακτηρισµό των διαχωριστικών επιφανειών των κρυσταλλιτών. Η αυστηρή µαθηµατική ανάλυση της τεχνικής παρέχει απλές σχέσεις για την ερµηνεία των πειραµατικών αποτελεσµάτων και την εξαγωγή των παραµέτρων του υλικού και των διαχωριστικών επιφανειών των κρυσταλλιτών. Έγινε θεωρητική µελέτη της επίδρασης διαφόρων δοµικών ατελειών (διαχωριστικές επιφάνειες των κρυσταλλιτών, εξαρµώσεις) στην απόδοση των φωτοβολταϊκών στοιχείων. Τροποποιήθηκε η τεχνική SEM-EBIC χρησιµοποιώντας δέσµη laser αντί ηλεκτρονικής δέσµης και αναπτύχθηκε στο εργαστήριο η πειραµατική διάταξη LBIC (Laser Beam Induced Current) για τον ηλεκτρικό χαρακτηρισµό των διαχωριστικών επιφανειών των κρυσταλλιτών σε πολυκρυσταλλικό πυρίτιο SOLAREX. Περίοδος 1986-1993: Κατά την χρονική αυτή περίοδο, η ερευνητική µου προσπάθεια εστιάσθηκε κυρίως σε δύο νέα ερευνητικά πεδία: (α) Την τεχνολογία τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου για εφαρµογές σε επίπεδες οθόνες απεικόνισης, στα πλαίσια ερευνητικών προγραµµάτων ESPRIT I και ΙΙ. Συγκεκριµένα, ασχολήθηκα µε τον ηλεκτρικό χαρακτηρισµό λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου που αναπτύχθηκαν µε την τεχνική LPCVD (Low Pressure Chemical Vapour Deposition) και των αντίστοιχων τρανζίστορ. Οι ηµιαγωγικές διατάξεις που µελετήθηκαν έχουν προµηθευθεί απο την βιοµηχανική εταιρεία General Electric Company (Αγγλία). Αναπτύχθηκαν νέες πειραµατικές τεχνικές για τον προσδιορισµό των παραµέτρων των τρανζίστορ και των παγίδων στις διαχωριστικές επιφάνειες των κρυσταλλιτών. Αποτέλεσµα αυτών των µελετών ήταν ο εντοπισµός των τεχνολογικών παραµέτρων που επιδρούν στην απόδοση των ηµιαγωγικών διατάξεων µε τελικό στόχο την βελτίωση της απόδοσής τους. (β) Την ανάπτυξη της τεχνολογίας λεπτών υµενίων του νέου υλικού του ηµιαγωγικού πυριτιδίου β-fesi 2 για οπτοηλεκτρονικές εφαρµογές. Το έργο αυτό ξεκίνησε κατά τη διάρκεια της εκπαιδευτικής µου άδειας το 1988 στο Max-Planck Institute. Οι δηµοσιεύσεις που προέκυψαν (28, 29, 32 και 39) ήταν απο τις πρώτες στη διεθνή

9 βιβλιογραφία και απο το 1988 υπήρξε µεγάλη ερευνητική δραστηριότητα στο θέµα αυτό σε διάφορα εργαστήρια. Η έρευνα αυτή συνεχίσθηκε στο εργαστήριό µας µε αποτέλεσµα την σηµαντική βελτίωση της ποιότητας του υλικού σε σχέση µε τα δηµοσιευµένα αποτελέσµατα της βιβλιογραφίας (αύξηση της ευκινησίας και αντίστοιχη µείωση της συγκέντρωσης των φορέων κατά τον παράγοντα 100). Επιπλέον, κατά την διάρκεια αυτής της χρονικής περιόδου αναπτύχθηκε στο εργαστήριο η πειραµατική διάταξη DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) για την µελέτη βαθειών παγίδων σε ηµιαγωγούς. Περίοδος 1994-1999: Κατά την διάρκεια αυτής της περιόδου συνεχίσθηκε η έρευνα στα πεδία της περιόδου 1986-1993. Παράλληλα, την τελευταία τριετία οι προσπάθειές µου εστιάσθηκαν σε δύο νέα ερευνητικά πεδία: (α) Την ανάπτυξη στο εργαστήριο της τεχνικής του θορύβου χαµηλών συχνοτήτων ως διαγνωστική πειραµατική διάταξη για χαρακτηρισµό διαφόρων ηµιαγωγικών διατάξεων. Για τον σκοπό αυτό, αποκτήθηκε η απαραίτητη εµπειρία στο Laboratoire de Physique des Composants a Semiconducteurs (Grenoble, Γαλλία) µε συνεργασία µου µε τους καθηγητές Γ. Καµαρινό και Jean Brini κατά την διάρκεια της εκπαιδευτικής µου άδειας το 1996 και της παραµονής µου στο ίδιο εργαστήριο ως προσκεκληµένος καθηγητής το 1998. Η τεχνική του θορύβου χαµηλών συχνοτήτων εφαρµόσθηκε για πρώτη φορά στην διεθνή βιβλιογραφία σε τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου και σε µη ιδανικές διόδους Schottky. Αναπτύχθηκε νέα πειραµατική τεχνική φασµατοσκοπίας θορύβου χαµηλών συχνοτήτων για την άµεση µέτρηση παγίδων στις διαχωριστικές επιφάνειες των κρυσταλλιτών και µέσα στο οξείδιο της πύλης κοντά στην ενδοεπιφάνεια πυριτίου/οξειδίου σε τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου. Η χρησιµότητα της τεχνικής αυτής φαίνεται απο την εκδήλωση ενδιαφέροντος αρχικά του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής της Ακαδηµίας Επιστηµών Σόφιας (Βουλγαρία) και στη συνέχεια της βιοµηχανικής εταιρείας SEIKO EPSON (Ιαπωνία) για χαρακτηρισµό µε θόρυβο των τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου που κατασκευάζουν. Η συνεργασία και η παροχή υπηρεσιών στην SEIKO- EPSON συνεχίζεται µέχρι σήµερα µε την διαδικασία non-disclosure agreement και µε το Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής της Ακαδηµίας Επιστηµών Σόφιας µε πρόγραµµα διµερούς επιστηµονικής συνεργασίας µεταξύ Ελλάδος-Βουλγαρίας. (β) Την µελέτη της αξιοπιστίας υποµικρονικών τρανζίστορ MOSFET που κατασκευάζονται απο την βιοµηχανική εταιρεία SGS Thomson Microelectronics (Crolles, Γαλλία). Αναπτύχθηκε µία νέα πειραµατική τεχνική για την ταχεία αποτίµηση της αξιοπιστίας των διατάξεων στην γραµµή παραγωγής. Με την τεχνική αυτή, απαιτείται χρόνος ελέγχου της τάξης των 100 sec για προσδιορισµό του χρόνου ζωής αξιόπιστης λειτουργίας των τρανζίστορ, σε αντίθεση µε τις υπάρχουσες τεχνικές που απαιτούν χρόνο ελέγχου της τάξης των 10 5 sec. Η συνεργασία αυτή είχε σαν αποτέλεσµα την χρηµατοδότηση του εργαστηρίου µέσω ερευνητικών προγραµµάτων. Πρόσφατα, η εταιρεία Integrated Systems Development εκδήλωσε ενδιαφέρον να χρηµατοδοτήσει το εργαστήριό µας για την δηµιουργία ερευνητικής οµάδος µε

10 αντικείµενο τον σχεδιασµό, την προσοµοίωση µε ηλεκτρονικό υπολογιστή και τον έλεγχο λειτουργίας πρωτότυπων ηµιαγωγικών διατάξεων βιοµηχανικού ενδιαφέροντος. Η κατασκευή των σχεδιαζοµένων διατάξεων προβλέπεται να γίνει στην εταιρεία SGS Thomson Microelectronics (Crolles, Γαλλία). (γ) Την µελέτη της αξιοπιστίας των τρανζίστορ λεπτών υµενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου, µε ιδιαίτερη έµφαση στα τρανζίστορ υψηλής τεχνολογίας της βιοµηχανικής εταιρείας SEIKO EPSON. Για την πραγµατοποίηση των παραπάνω, έχουµε ήδη κατασκευάσει στο εργαστήριό µας την πειραµατική διάταξη µέτρησης θορύβου χαµηλών συχνοτήτων και αυτοµατοποιηµένη διάταξη ελέγχου της αξιοπιστίας τρανζίστορ ΜOSFET. 2. Αναγνώριση του ερευνητικού έργου Ο αριθµός των αναφορών που εµφανίζονται στο science citation index µέχρι τον Σεπτέµβριο 1999 είναι 504, όπως φαίνεται στις τελευταίες σελίδες του βιογραφικού σηµειώµατος. Την τελευταία πενταετία, υπάρχουν περίπου 50 αναφορές/έτος. Κριτής σε 9 διεθνή περιοδικά. Προσκεκληµένος καθηγητής στο εργαστήριο Laboratoire de Physique des Composants a Semiconducteurs, ENSERG, Grenoble, France, για τρείς µήνες το 1998. Ανάθεση εκτέλεσης έργου απο τις βιοµηχανικές εταιρείες SG THOMSON MICROELECTRONICS (France) και SEIKO-EPSON (Japan). Προσκεκληµένος οµιλητής απο την εταιρεία SEIKO-EPSON στο Technical meeting between Aristotle University of Thessaloniki and Seiko Epson Corporation, June 10-11 1999, Suwa, Nagano, Japan. Συγγραφή δύο κεφαλαίων στις σειρές βιβλίων Handbook for Αdvanced Εlectronic and Photonic Materials και Thin Films Handbook, Editor H.S. Nalwa, Academic Press. ΧΙI. ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ Πανεπιστηµιακές Εργασίες 1. C.A.Dimitriadis, Electrical Adhesion Between Metals and Semiconductors, M. Sc. Dissertation, University of Manchester Institute of Science and Technology, Μanchester, England, 1976.

11 2. C.A.Dimitriadis, Scanning Electron Microscopy Studies of Gallium Phosphide Light Emitting Diodes, Ph. D. Thesis, University of Manchester Institute of Science and Technology, Μanchester, England, 1979. Συνεισφορά σε διεθνή βιβλία 1. C.A.Dimitriadis, Polycrystalline Silicon Based Thin Film Transistors for Integrated Active-Matrix Liquid-Crystal Displays Chapter in Handbook for Advanced Electronic and Photonic Materials, Editor H.S. Nalwa, Academic Press, 1999, (υποβλήθηκε). 2. C.A.Dimitriadis and G.Kamarinos, Low Frequency Noise Spectroscopy for Characterization of Semiconducting Thin Films and Polysilicon Thin Film Transistors Chapter in Thin Films Handbook, Editor H.S. Nalwa, Academic Press 1999, (στάδιο συγγραφής). Πατέντες 1. Mutsumi Kimura and Charalabos A. Dimitriadis, Thin Film Transistor, (submitted in Japan). Άρθρα σε ιεθνή Περιοδικά 1. C.A.Dimitriadis, E.Huang, and S.M.Davidson, SEM cathodoluminscence studies of dislocation recombination in GaP, Solid State Electron. 21, 1419 (1978). 2. S.M.Davidson and C.A.Dimitriadis, Advances in the electrical assessment of semiconductors using the scanning electron microscope, J. Microsc. 118, 275 (1980). 3. D.E.Ioannou and C.A.Dimitriadis, A SEM-EBIC minority carrier diffusion length measurement technique, IEEE Trans. Electron Dev. ED-29, 445 (1981). 4. C.A.Dimitriadis, Determination of bulk diffusion length in thin semiconductor layer by SEM-EBIC, J. Phys. D: Appl. Phys. 14, 2269 (1981). 5. C.A.Dimitriadis, Determination of surface recombination velocity in semiconductor layers by light excitation of Schottky barriers, J. Phys. D; Appl. Phys. 16, 1303 (1983). 6. C.A.Dimitriadis, Carrier recombination at dislocations in epitaxial gallium phosphide layers, Solid State Electron. 26, 633 (1983). 7. C.A.Dimitriadis, L.Papadimitriou, and N.A.Economou, Resistivity dependence of the minority carrier diffusion length in single crystals of Cu 2 O, J. Mater. Sci. Lett. 2, 691 (1983). 8. C.A.Dimitriadis, Recombination efficiency of single dislocations in GaP, Solid State Communic. 49, 1111 (1984).

12 9. C.A.Dimitriadis, Temperature dependence of the hole lifetime in n-type GaP, Solid State Commun. 52, 279 (1984). 10. C.A.Dimitriadis, A scanning electron or light beam induced current method for determination of grain boundary recombination velocity in polycrystalline semiconductors, IEEE Trans. Electron Dev. ED-32, 1761 (1985). 11. C.A.Dimitriadis, Short-circuit current of polysilicon solar cells with respect grain size and grain boundary recombination velocity, J. Appl. Phys. 59, 660 (1986). 12. C.A.Dimitriadis, Influence of grain boundary recombination velocity and grain size on the minority carrier lifetime in polycrystalline semiconductors, Solid State Commun. 56, 925 (1985). 13. C.A.Dimitriadis, The mobility of polycrystalline semiconductors under optical illumination, J. Appl. Phys. D: Appl. Phys. 18, 2241 (1985). 14. C.A.Dimitriadis, Influence of dislocations on the performance of solar cells made from large-grain polysilicon, J. Phys. D: Appl. Phys. 18, 2489 (1985). 15. C.A.Dimitriadis, Effect of doping concentration on the performance of largegrain polycrystalline silicon solar cells, J. Appl. Phys. 59, 2259 (1986). 16. C.A.Dimitriadis, Evaluation of grain boundary recombination velocity in polycrystalline silicon from the spectral response of Schottky-barrier solar cells, IEEE Trans. Electron Dev. ED-33, 1806 (1986). 17. C.A.Dimitriadis, O.Valassiades, L.Papadimitriou, and N.A.Economou, Determination of diffusion length and grain boundary recombination velocity by laser excitation, IEEE Trans. Electron Dev. ED-33, 1780 (1986). 18. C.A.Dimitriadis, A.Alexandrou, and N.A.Economou, Electrical properties of polycrystalline silicon layers under solar illumination, J. Appl. Phys. 60, 3651, (1986). 19. A.Popov, S.Zheneva, I.Ivanov, L.Papadimitriou, and C.A.Dimitriadis, Deep levels in polycrystalline silicon solar cells, Phys. Stat. Sol. (a) 103, K99 (1987). 20. C.A.Dimitriadis, Transient photoconductivity analysis near a grain boundary of polycrystalline semiconductors, Solid State Commun. 64, 851 (1987). 21. C.A.Dimitriadis, L.Papadimitriou, J.Stoemenos, N.A.Economou, D.B.Meakin, and P.A.Coxon, Conduction in n + -i-n + thin film polysilicon devices in relation to the film deposition conditions, J. Appl. Phys. 63, 1104 (1988). 22. L.Papadimitriou, C.A.Dimitriadis, and L.Dozsa, Trap centres in cuprious oxide, Solid State Electron. 31, 1477 (1988). 23. C.A.Dimitriadis and P.A.Coxon, Hopping conduction in undoped low-pressure chemically vapour deposited polycrystalline silicon films in relation to the film deposition conditions, J. Appl. Phys. 64, 1601 (1988). 24. C.A.Dimitriadis, L.Papadimitriou, L.Dozsa, and P.A.Coxon, Electrical properties of polysilicon n + -i-p junctions, Semicond. Sci. Technol. 3, 558 (1988). 25. C.A.Dimitriadis and P.A.Coxon, Effects of temperature and electrical stress on

13 the performance of thin film transistors fabricated from low pressure chemical vapour deposited polycrystalline silicon, Appl. Phys. Lett. 54, 620 (1989). 26. L.Papadimitriou, C.A.Dimitriadis, L.Dozsa, and L.Andor, Deep trap levels in cuprous oxide, Solid State Electron. 32, 445 (1989). 27. C.A.Dimitriadis, Experimental study of self-heating in undoped polycrystalline silicon thin films, J. Appl. Phys. 68, 862 (1990). 28. C.A.Dimitriadis and J.H.Werner, Growth mechanism and morphology of semiconducting FeSi 2 films, J. Appl. Phys. 68, 93 (1990). 29. C.A.Dimitriadis, J.H.Werner, S.Logothetidis, M.Stutzmann, J.Weber, and R.Nesper, Electronic properties of semiconducting FeSi 2 films, J. Appl. Phys. 68, 1726 (1990). 30. C.A.Dimitriadis, Effect of conventional and rapid thermal annealing on platinum silicide Schottky barrier diodes, Appl. Phys. Lett. 56, 143 (1990). 31. C.A.Dimitriadis, N.A.Economou, and P.A.Coxon, Field-effect conductance activation energy in an undoped polycrystalline silicon thin-film transistor, Appl. Phys. Lett. 59, 172 (1991). 32. O.Valassiades, C.A.Dimitriadis, and J.H.Werner, Galvanomagnetic behavior of semiconducting FeSi 2 films, J. Appl. Phys. 70, 890 (1991). 33. C.A.Dimitriadis, P.A.Coxon, L.Dosza, L.Papadimitriou, and N.A.Economou, Performance of thin-film transistors on polysilicon films grown by low pressure chemical vapour deposition at various pressures, IEEE Trans. Electron Dev. ED-39, 598 (1992). 34. C.A.Dimitriadis, E.Polychroniadis, E.K.Evangelou, and G.E.Giakoumakis, Morphology of platinum silicide films prepared by conventional and rapid thermal annealing and deep levels induced in silicon, J. Appl. Phys. 70, 3109 (1991). 35. C.A.Dimitriadis, Electrical properties of β-fesi 2 /Si heterojunctions, J. Appl. Phys. 70, 5423 (1991). 36. C.A.Dimitriadis, P.A.Coxon, A.J.Lowe, J.Stoemenos, and N.A.Economou, Control of the performance of polysilicon thin-film transistor by high gate voltage stress, IEEE Electr. Dev. Lett. EDL-12, 676 (1991). 37. C.A.Dimitriadis, Grain boundary trap distribution in polycrystalline silicon thin film transistors, J. Appl. Phys.73, 4086 (1993). 38. C.A.Dimitriadis, J.Stoemenos, P.A.Coxon, S.Friligkos, J.Antonopoulos, and N.A.Economou, Effect of pressure on the growth of crystallites of low pressure chemically vapour deposited polycrystalline silicon films and the effective electron mobility under high normal field in thin-film transistors, J. Appl. Phys. 73, 8402 (1993). 39. E.K.Evangelou, G.E.Giakoumakis, and C.A.Dimitriadis, Deep levels in β-fesi 2 /n-si heterojunctions, Solid State Commun. 86, 309 (1993). 40. C.A.Dimitriadis, D.H.Tassis, and N.A.Economou, Determination of bulk states and interface states distributions in polycrystalline silicon thin film transistors,

14 J. Appl. Phys. 74, 2919 (1993). 41. E.K.Evangelou, L.Papadimitriou, C.A.Dimitriadis, and G.E.Giakoumakis, Extraction of Schottky diode (and p-n junction) parameters from I-V characteristics, Solid State Electron. 36, 1633 (1993). 42. C.A.Dimitriadis, P.A.Coxon, and N.A.Economou, Influence of deposition pressure on the output characteristics of LPCVD polycrystalline silicon thin-film transistors, Appl. Phys. Lett. 63, 943 (1993). 43. C.A.Dimitriadis, D.H.Tassis, N.A.Economou, and G.Giakoumakis, Influence of deposition pressure of LPCVD polycrystalline silicon on the bulk and interface states in LPCVD polycrystalline silicon thin-film transistors, Appl. Phys. Lett. 64, 2709 (1994). 44. C.A.Dimitriadis and D.H.Tassis, Output characteristics of short-channel polycrystalline silicon thin-film transistors, J. Appl. Phys. 77, 2177 (1995). 45. C.A.Dimitriadis, S.Logothetidis, and I.Alexandrou, Schottky barrier contacts of titanium nitride on n-type silicon, Appl. Phys. Lett. 66, 502 (1995). 46. C.A.Dimitriadis, P.A.Coxon, and N.A.Economou, Leakage current of undoped LPCVD polycrystalline silicon thin-film transistors, IEEE Trans. Electron Dev. ED-42, 950 (1995). 47. C.A.Dimitriadis and D.H.Tassis, On the threshold voltage and channel conductance of polycrystalline silicon thin-film transistors, J. Appl. Phys. 79, 4431 (1996). 48. C.A.Dimitriadis, Subthreshold slope in polysilicon thin-film transistors, Appl. Phys. Lett. 67, 3738 (1995). 49. D.H.Tassis, C.L.Mitsas, T.T.Zorba, C.A.Dimitriadis, O.Valassiades, D.I.Siapkas, M.Angelakeris, P.Poulopoulos, N.K.Flevaris,.Α. and G.Kiriakidis, Infrared spectroscopic and electronic transport properties of polycrystalline semiconducting FeSi 2 thin films grown from vapor-deposited Fe/Si multilayers, J. Appl. Phys. 80, 962 (1996). 50. D.H.Tassis, C.L.Mitsas, T.T.Zorba, M.Angelakeris, C.A.Dimitriadis, O.Valassiades, D.I.Siapkas and G.Kiriakidis, Optical and electrical characterization of high quality β-fesi 2 thin films grown by solid phase epitaxy, Appl. Surf. Sci. 102, 178 (1996). 51. C.A.Dimitriadis, J.Brini and G.Kamarinos, Low frequency noise of the leakage current in undoped LPCVD polycrystalline silicon thin film transistors, Appl. Phys. Lett. 70, 880 (1997). 52. C.A.Dimitriadis, Grain boundary potential barrier inhomogeneities in LPCVD polycrystalline silicon thin film transistors, IEEE Trans. Electron Devices 44, 1563 (1997). 53. D.H.Tassis, C.A.Dimitriadis, S.Boultadakis, J.Arvanitidis, S.Ves, S.Kokkou, S.Logothetidis, O.Valassiades, P.Poulopoulos and N.K.Flevaris, Influence of conventional and rapid thermal annealing on the quality of polycrystalline β-fesi 2 thin films grown from vapor-deposited Fe/Si multilayers, Thin Solid Films 310, 115 (1997).

15 54. C.T.Angelis, C.A.Dimitriadis, I.Samaras, J.Brini and G.Kamarinos, Study of leakage current in n-channel and p-channel polycrystalline silicon thin-film transistors by conduction and low frequency noise measurements, J. Appl. Phys. 82, 4095 (1997). 55. C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos, and G.Ghibaudo, Characterization of LPCVD polycrystalline silicon thin-film transistors by low frequency noise measurements, Jpn J. Appl. Phys. 37, 72 (1998). 56. C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos, V.Gueorguiev and Tz.Ivanov, Conduction and low-frequency noise in high temperature processed polycrystalline silicon thin film transistors, J. Appl. Phys. 83, 1469 (1998). 57. D.H.Tassis, C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos, M.Angelakeris, and N.Flevaris, Low frequency noise in β-fesi 2 /n-si heterojunctions, Applied Phys. Lett. 72, 713, (1998). 58. C.A.Dimitriadis, J.Brini and G.Kamarinos, Low frequency noise in intrinsic low pressure chemical vapor deposited polysilicon resistors, Eur. J. Appl. Phys. 3, 283 (1998). 59. J.I.Lee, J.Brini and C.A.Dimitriadis, Simple parameter extraction method for nonideal Schottky barrier diodes, Electron. Lett. 34, 1268 (1998). 60. D.H.Tassis, C.A.Dimitriadis and O.Valassiades, The Meyer-Neldel rule in the conductivity of polycrystalline semiconducting FeSi 2 films, J. Appl. Phys. 84, 2960 (1998). 61. F. V. Farmakis, J. Brini, N. Mathieu, G. Kamarinos, C. A. Dimitriadis and S. Logothetidis, Low frequency noise in Schottky barrier contacts of titanium nitride on n-type silicon, Semicond. Sci. Technol. 13, 1284 (1998). 62. F.V.Farmakis, C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos, V.K.Gueorguiev and Tz.E.Ivanov, Interface state generation during electrical stress in n-channel undoped hydrogenated polysilicon thin-film transistors, Electron. Lett. 34, 2356 (1998). 63. C.A.Dimitriadis, G.Kamarinos, J.Brini, E.K.Evangelou and V.K.Gueorguiev, Avalanche-induced excess noise in polysilicon thin-film transistors, Appl. Phys. Lett. 74, 108 (1999). 64. C.T.Angelis, C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos, V.K.Gueorguiev, and Tz.E.Ivanov, Low frequency noise spectroscopy of polycrystalline silicon thin film transistors, IEEE Trans. Electron Dev. 46, 968 (1999). 65. F.V.Farmakis,, J.Brini, G.Kamarinos N.Mathieu and C.A.Dimitriadis, A new method for determining the effective channel length in polysilicon thin film transistors, Thin Solid Films 337, 105 (1999). 66. D.H.Tassis, C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos and A.Birbas, Low frequency noise in polycrystalline semiconducting FeSi 2 thin films, J. Appl. Phys. 85, 4091 (1999).

16 67. C.A.Dimitriadis, J.Brini, J.I.Lee, F.V.Farmakis and G.Kamarinos, On the 1/f γ noise in polycrystalline silicon thin film transistors, J. Appl. Phys. 85, 3934 (1999). 68. C.A.Dimitriadis, J.I.Lee, J.Brini,, P.Patsalas, D.H.Tassis and S.Logothetidis, Characteristics of TiN x /n-si Schottky diodes deposited by reactive magnetron sputtering, J. Appl. Phys. 85, 4238 (1999). 69. F.V.Farmakis, C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos, V.K.Gueorguiev and Tz.E.Ivanov, Photon emission and related hot-carrier effects in polycrystalline silicon thin film transistors, J. Appl. Phys. 85, 6917 (1999). 70. J.I.Lee, J.Brini, G.Kamarinos, C.A.Dimitriadis, S.Logothetidis, and P.Patsalas, Low frequency noise measurements on TiN/n-Si Schottky diodes, Appl. Surf. Sci. 142, 390 (1999). 71. J.I.Lee, J.Brini, J.Boussey, and C.A.Dimitriadis, Parameter extraction in nonideal thermionic emission diodes, Appl. Surf. Sci. 142, 481 (1999). 72. C.T.Angelis, C. A. Dimitriadis, F. V. Farmakis, G. Kamarinos, J. Brini, and M. Miyasaka, Electrical and noise properties of thin-film transistors on very thin excimer laser annealed polycrystalline silicon films, Appl. Phys. Lett. 74, 3684 (1999). 73. F.V.Farmakis, C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos, V.K.Gueorguiev and Tz.E.Ivanov, Hot carrier phenomena in undoped hydrogenated n-channel polysilicon thin film transistors, Solid State Electron. 43, 1259 (1999). 74. C.A.Dimitriadis, Th.Karakostas, S.Logothetidis, G.Kamarinos, J.Brini and G.Nouet, Contacts of titanium nitride to n- and p-type gallium nitride films, Solid State Electron. 43, 1969 (1999). 75. J.I.Lee, J.Brini, A.Chovet and C.A.Dimitriadis, Flicker noise by random walk of electrons at the interface in non-ideal Schottky diodes, Solid State Electron. 43, 2181 (1999). 76. J.I.Lee, J.Brini, A.Chovet and C.A.Dimitriadis, On the 1/f γ noise in semiconductor devices, Solid State Electron. 43, 2185 (1999). 77. C.T.Angelis, C. A. Dimitriadis, M. Miyasaka, F. V. Farmakis, G. Kamarinos, J. Brini and J. Stoemenos, Effect of excimer laser annealing on the structural and electrical properties of polycrystalline silicon thin film transistors, J. Appl. Phys. 86, 4600 (1999). 78. P.Patsalas, C.Charitidis, S.Logothetidis, C.A.Dimitriadis, and O.Valassiades, Combined electrical and mechanical properties of titanium nitride thin films as metallization materials, J. Appl. Phys. 86, 5296 (1999). 79. D.H.Tassis, C.A.Dimitriadis, E. K. Polychroniadis, J.Brini and G.Kamarinos, Structural and trap properties of polycrystalline semiconducting FeSi 2 films, Semicond. Sci. Technol. 14, 967 (1999). 80. C.T.Angelis, C. A. Dimitriadis, F.V.Farmakis, J. Brini G. Kamarinos, and

17 M. Miyasaka, Dimension scaling of low frequency noise in the drain current of polycrystalline silicon thin-film transistors, J. Appl. Phys. 86, 7083 (1999). 81. F.V.Farmakis, C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos, V.K.Gueorguiev and Tz.E.Ivanov, Leakage current variation during two different modes of electrical stressing in undoped hydrogenated n-channel polysilicon thin film transistors, Microelectronics Reliability 39, 885 (1999). 82. V.K.Gueorguiev, Tz.E.Ivanov, C.A.Dimitriadis, L.I.Popova and S.K.Andreev, Electron trapping probabilities in hydrogen ion implanted silicon dioxide films thermally grown on polycrystalline silicon, Micrοelectronics Journal 31, 207 (2000). 83. C.T.Angelis, C. A. Dimitriadis, F.V.Farmakis, J. Brini G. Kamarinos, M. Miyasaka, and I.Stoemenos, Transconductance of large grain excimer laser annealed polycrystalline silicon thin-film transistors, Solid State Electronics (in press). 84. C. T. Angelis, C. A. Dimitriadis, F. V. Farmakis, J. Brini, G. Kamarinos, V. K. Gueorguiev and Tz. E. Ivanov, Empirical relationship between low frequency drain current noise and grain boundary potential barrier height in hightemperature polycrystalline silicon thin film transistors, Appl. Phys. Lett. 76, 118 (2000). 85. F.V.Farmakis, J. Brini G. Kamarinos, C.T.Angelis, C. A. Dimitriadis, and M. Miyasaka, Grain and grain boundary control on transfer characteristics of large grain polycrystalline silicon thin-film transistors, Solid State Electron. 44, 913 (2000). 86. C.T.Angelis, C. A. Dimitriadis, F.V.Farmakis, J. Brini, G. Kamarinos and M. Miyasaka, Threshold voltage of excimer-laser-annealed polycrystalline silicon thin-film transistors, Appl. Phys. Lett. 76, 2442 (2000). 87. L. Dozsa, Zs.J.Horvath, G.L.Molnar, G.Peto, C.A.Dimitriadis, L.Papadimitriou, J.Brini annd G.Kamarinos, Electrical and low frequency noise properties of Gd and GdCo silicide contacts on n-type Si, Semiconductor Science and Technology 15, 653 (2000). 88. V.K.Gueorguiev, Tz.E.Ivanov, C. A. Dimitriadis, S.K.Andreev, L.I.Popova, Oxide field enhancement correlated time dependent dielectric breakdown of polyoxides, Microelectronics Journal 31, 663 (2000). 89. C. A. Dimitriadis, F.V.Farmakis, J. Brini, and G. Kamarinos, Dependence of the leakage current on the film quality in polycrystalline silicon thin-film transistors, J. Appl. Phys. 88, 2648 (2000). 90. C.A.Dimitriadis, Gate bias instability in hydrogenated polycrystalline silicon thinfilm transistors, J. Appl. Phys. 88, 3624 (2000). 91. C.A.Dimitriadis, M.Kimura, M.Miyasaka, S.Inoue, F.V.Farmakis, J. Brini, and G. Kamarinos, Effect of grain boundaries on hot-carrier induced degradation in large grain polytsilicon thin-film transistors, Solid State Electron. 44, 2045 (2000).

18 92. N.A.Hastas, C.A.Dimitriadis, Y.Panayiotatos, D.H.Tassis, P.Patsalas, and S.Logothetidis, Noise characterization of sputtered amorphous carbon films, J. Appl. Phys. 88, 5482 (2000). 93. E.K.Evangelou, N.Konofaos, X.A.Aslanoglou, C.A.Dimitriadis, P.Patsalas, S.Logothetidis, M.Kokkoris, E.Kossionidis, R.Vlastou, and R.Groetschel, Characterization of dc-magnetron sputtering deposited thin films of TiN for use as a metal electrode on TiN/SiO 2 /Si MOS devices, J. Appl. Phys. 88, 7192 (2000). 94. C. A. Dimitriadis and M. Miyasaka Performance enhancement of offset gated polysilicon thin film transistors, IEEE Electron Dev. Lett. 21, 584 (2000). 95. F.V.Farmakis, J. Brini, and G. Kamarinos, C.T.Angelis, C. A. Dimitriadis, M.Miyasaka, and T.Ouisse, On current modeling of large grain polycrystalline silicon thin film transistors, IEEE Trans. Electron Devices 48, 701 (2001). 96. F.V.Farmakis,,C. A. Dimitriadis, J. Brini, and G. Kamarinos, Effects of hydrogenation on the performance and hot-carrier endurance of polysilicon thin film transistors, IEEE Electron Device Lett. 22, 83 (2001). 97. F.V.Farmakis, J. Brini, G. Kamarinos, and C. A. Dimitriadis, Anomalous turn-on voltage degradation during hot carrier stress in polycrystalline silicon thin film transistors, IEEE Electron Device Lett. 22, 74 (2001). 98. N.A.Hastas, C.A.Dimitriadis, P.Patsalas, Y.Panayiotatos, D.H.Tassis, and S.Logothetidis, Structural, electrical and low frequency noise properties of amorphous carbon-silicon heterojunctions, J. Appl. Phys. 89, 2832 (2001). 99. N.Konofaos, C.T.Angelis, E.K.Evangelou, Y.Panayiotatos, C.A.Dimitriadis, and S.Logothetidis, Elcetrical characterization of TiN/a-C/Si devices grown by magnetron sputtering at room temperature, Appl. Phys. Lett. 78, 1682 (2001). 100. C.A.Dimitriadis, G.Kamarinos, and J.Brini, Leakage current of non-offset and offset-gated p- and n-channel excimer laser annealed polycrystalline silicon thinfilm transistors, Solid State Electron. 45, 365 (2001). 101. N.A.Hastas, C.A.Dimitriadis, S.Logothetidis, C.T.Angelis, N.Konofaos, and E.K.Evangelou, Temperature dependence of the barrier at the tetrahedral amorphous carbon-silicon interface, Semicond. Sci. Technol. 16, 474 (2001). 102. C.A.Dimitriadis, N.A.Hastas, N. Vouroutzis, S.Logothetidis, and Y.Panayiotatos, Microstructure and its effect on the conductivity of magnetron sputtered carbon thin films, J. Appl. Phys. 12,7954 (2001). 103. V.K.Gueorguiev, Tz.E.Ivanov, C. A. Dimitriadis, S.K.Andreev, L.I.Popova, Time-dependent-dielectric-breakdown of hydrogen implanted polyoxides, Microelectronics Journal 32, 301 (2001). 104. N.A.Hastas, D.H.Tassis, C.A.Dimitriadis, and S.Logothetidis, Electrical characterization of nanocrystalline carbon on crystalline silicon heterojunctions, Appl. Phys. Lett. 79, July, (2001). 105. C.A.Dimitriadis, G.Kamarinos, and J.Brini, Model of low frequency noise in polycrystalline silicon thin-film transistors, IEEE Electron Device Lett. 22, August 2001.

19 106. F.V.Farmakis, D.M.Tsamados, J.Brini, G.Kamarinos, C.A.Dimitriadis, and M.Miyasaka, Hydrogenation in laser annealed polysilicon thin-film transistors, Thin Solid Films 383, 151 (2001). 107. N.Konofaos, C.T.Angelis, E.K.Evangelou, C.A.Dimitriadis, and S.Logothetidis, Charge carrier response time in sputtered a-c/n-si heterojunctiosn, Appl. Phys. Lett. (in press). Άρθρα σε ιεθνή Συνέδρια µε Κριτές Σ1. D.E.Ioannou, C.A.Dimitriadis and S.M.Davidson, The use of Schottky barriers in SEM-EBIC studies of semiconductors, Inst. Phys. Conf. Ser. No36, p.255 (1977). Σ2. C.A.Dimitriadis, E.Huang, and S.M.Davidson, SEM cathodoluminescence studies of dislocation recombination in GaP, Intern. Conf. on Recombination in Semiconductors, 30 Aug.-1 Sept. 1978, Southampton, England. Σ3. O.Valassiades, C.A.Dimitriadis, L.Papadimitriou, F.Komninou, Th.Karakostas, K.J.Chrissafis, and N.A.Economou, Electrical characteristics of specific grain boundaries in polycrystalline Si, Proc. of the 5 th CEC Photovoltaic solar energy conference, p.1043 (1983). Σ4. C.A.Dimitriadis, L.Papadimitriou, O.Valassiades, and N.A.Economou, Electrical activity of a Σ=37 grain boundary of silicon at various temperatures, MRS Conf., Strasbourg, p.109 (1984). Σ5. C.A.Dimitriadis, Scanning electron microscopy studies of extended defects in semiconductors, Scanning Microsc. Intern., Chicago, 1988, vol. 2, p. 1979, Review Paper. Σ6. C.A.Dimitriadis et al, Performance of TFTs on polysilicon film grown by LPCVD, Intern. Conf. on Polycrystalline Semiconductors-Physics and Technology, Schwabisch Hall, Germany, 1990. Σ7. S.Kotini, D.I.Siapkas, and C.A.Dimitriadis, Electronic and phonon properties of semiconducting FeSi 2 films, Proc. of the 20th Conf. on the Physics of Semiconductors, edited by E.M.Anastassakis and J.D.Joannopoulos (World Scientific, Singapore 1990), vol.1. p.316. Σ8. C.A.Dimitriadis, S.Logothetidis, and N.A.Economou, Effects of surface roughness and grain size on the optical properties of LPCVD polysilicon film and the electrical properties of MOSFETs, Proc. of the 20 th Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors, edited by E.M.Anastassakis and J.D.Joannopoulos (World Scientific, Singapoure 1990), vol.1, p.395. Σ9. C.A.Dimitriadis, D,H.Tassis, J.Stoemenos, and N.A.Economou, Bulk and

20 interface states in polycrystalline silicon thin-film transistors, Intern. Conf. on Polycrystalline Semiconductors-Physics and Technology, Sept. 5-10, 1993, Saint Malo, France. Σ10. D.H.Tassis, C.L.Mitsas, T.T.Zorba, M.Angelakeris, C.A.Dimitriadis, O.Valasiades, D.I.Siapkas and G.Kiriakidis, Optical and electrical characterization of high quality β-fesi 2 thin films grown by solid phase epitaxy, Intern. Symposium on Si heterostructures: from physics to devices, 11-14 Sept. 1995, Heraklion, Crete, Greece. Σ11. F.Gaiseanu, C.A.Dimitriadis, J.Stoemenos, C.Postolache and C.Angelis, Structural modifications of the thick polysilicon layers on silicon during phosphorus diffusion:contributing mechanisms, CAS 96, Proc. Intern. Semicond. Conf., Oct. 9-12, 1996, Sinai, Romania, p. 61 (Best Paper Award) Σ12. F.Gaiseanu, D.Kruger, J.Stoemenos, C.A.Dimitriadis, C.Postolache, H.Richter, W.Schroter and M.Seibt, Doping restructuration process during phosphorus diffusion in polysilicon layers on silicon, CAS 96, Proc. Intern. Semicond. Conf., Oct. 9-12, 1996, Sinai, Romania, p.421. Σ13. F.Gaiseanu, D.Krueger, J.Stoemenos, C.A.Dimitriadis, C.Postolache, H.Richter, W.Schorter and M.Seibt, A contributing mechanism to the dopingreconstruction process during phosphorus diffusion in polysilicon layers on silicon, 190 th meeting of the Electrochem. Soc. May 6-11, 1996. Σ14. F.Gaiseanu, C.A.Dimitriadis, J.Stoemenos, C.Postolache, D.Tsoukalas, D.Kruger and E.Tsoi, Reconstruction-doping process near the polysilicon/sio 2 interface on silicon during the phosphorus diffusion, 192th Meeting of the Electrochem. Soc., Paris, Aug.31-Sep.5, 1997. Σ15. F.Gaiseanu, D.Kruger, C.A.Dimitriadis, J.Stoemenos, C.Postolache, D.Tsoukalas, E.Tsoi and D.Goustouridis, Influence of the reconstructuring process on the doping near the polysilicon/sio 2 interface on silicon, CAS 97, Proc. Intern. Semicond. Conf., Oct. 7-11, 1997, Sinai, Romania, Vol. 1, p. 67. Σ16. C.A.Dimitriadis, J.Brini and G.Kamarinos, Low-frequency noise in intrinsic LPCVD polycrystalline silicon resistors, 14 th Intern. Conf. on Noise and 1/f Fluctuations in Physical Systems, Leuven, Belgium, 14-18 July, 1997. Σ17. C.A.Dimitriadis, J.Brini and G.Kamarinos, Characterization and defect analysis of LPCVD polycrystalline silicon thin film transistors by low frequency noise measurements, 14 th Intern Conf. On Noise and 1/f Fluctuations in Physical Systems, Leuven, Belgium, 14-18 July, 1997. Σ18. C.Dimitriadis,C.Papadas, A.Conncanon, N.Villani, E.Vincent and A.Mathewson, A stress technique suitable for the in-line reliability monitoring of the hot carrier endurance of sub-0.5 µm MOSTEFTs, ESSDERC 97 Conf., 22-24 Sept. 1997, Stuttgart, Germany. Σ19. J.I.Lee, J.Brini, G.Kamarinos, C.A.Dimitriadis, S.Logothetidis and P.Patsalas,

21 Low frequency noise measurements on TiN/n-Si Schottky diodes, 9 th Intern. Conf. on Solid Films and Surfaces, Copenhagen, Denmark, 6-10 July, 1998. Σ20. J.I.Lee, J.Brini, J.Boussey and C.A.Dimitriadis, Parameter extraction in nonideal thermionic emission diodes, 9 th Intern. Conf. on Solid Films and Surfaces, Copenhagen, Denmark, 6-10 July, 1998. Σ21. C.A.Dimitriadis, S. Logothetidis, F.V.Farmakis, J.Brini, N.Mathieu and G.Kamarinos, Interface properties of TiN x /n-si Schottky contacts investigated by low frequency measurements, Proceedings of ESSDERC 98, p. 612, Bordeaux, France, 8-10 Sept. 1998. Σ22. V.K.Gueorguiev, Tz.E.Ivanov, C.A.Dimitriadis, S.K.Andreev and L.I.Popova, Fowler-Nordheim tunneling and high field induced degradation in silicon dioxide films on polycrystalline silicon, Intern. School of Condensed Matter Physics, Sept. 1998, Varna, Bulgaria. Σ23. F.V.Farmakis, J.Brini, G.Kamarinos N.Mathieu and C.A.Dimitriadis, New method for determining the effective channel length in polysilicon thin film transistors, E-MRS 1998 Spring Meeting, June 16-19, Strasbourg, France. Σ24. F.V.Farmakis, J.Brini, G.Kamarinos, C.T.Angelis, C.A.Dimitriadis and M.Miyasaka, Evolution of low frequency noise during hot carrier stress in excimer laser annealed n-channel polysilicon thin film transistors, Proc. of 15 th Intern. Conf. on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, p. 457, Hong Kong, 22-27 Aug. 1999. Σ25. P.Patsalas, S.Logothetidis and C.A.Dimitriadis, In-situ optical characterization of titanium nitride thin films for applications in microelectronics, Material Research Society Symposium Proceedings, Volume 569, p. 114 (1999). Σ26. C.A.Dimitriadis, J.Stoemenos and G.Kamarinos, Electrical and noise properties of thin-film transistors on very thin excimer laser annealed polycrystalline silicon films, CAS 99, Proc. Intern. Semicond. Conf., Oct. 5-9, 1999, Sinai, Romania. Σ27. F.V.Farmakis, J.Brini, G.Kamarinos, C.A.Dimitriadis, V.K.Gueorguiev and Tz.E.Ivanov, Electrical stress in n- and p-channel undoped hydrogenated polysilicon thin film transistors, CAS 99, Proc. Intern. Semicond. Conf., Oct. 5-9, 1999, Sinai, Romania. Σ28. F.V.Farmakis, J.Brini, G.Kamarinos, C.T.Angelis, C.A.Dimitriadis and M.Miyasaka, New findings on hot-carrier stress in nlarge grainn excimer annealed n-channel polysilicon TFTs, ESSDERC 99 Conf., Leuven, Belgium, 1999. Σ29. F.V.Farmakis, C.A.Dimitriadis, J.Brini, G.Kamarinos, V.K.Gueorguiev and Tz.E.Ivanov, Leakage current variation during two different modes of electrical stressing in undoped hydrogenated n-channel polysilicon thin film transistors, ESSREF 99 Conf., Bordeoux, France. Σ30. P.Ruterana, G.Nouet, T.Kehagias, P.Komninou, T.Karakostas, C.A.Dimitriadis, M.A. di Forte Poisson, F.Huet and H.Morkoc, Electrical properties and

22 microstructure of Ti based ohhmic contacts to GaN, Boston MRS Fall Meeting 1999. Σ31. J.I.Lee, I.-K.Han, J.Brini, A.Chovet, C.A.Dimitriadis, Temperature dependence of low frequency noise mechanisms in Schottky barrier structure, Proc. of the 25 th Conf. On the Physics of Semiconductots, Osaka, Japan, Sept. 17-22 2000. Σ32. F..V.Farmakis, D.Tsamados, J.Brini, G.Kamarinos, C.A.Dimitriadis, M.Miyasaka, Hydrogenation in laser annealed polysilicon thin-film transistors (TFTs), E-MRS 2000 Spring Meeting, May 30-June 2, Strasbourg, France. Σ33. F..V.Farmakis, D.Tsamados, J.Brini, G.Kamarinos, C.A.Dimitriadis, Electrical and noise characterization of large-grain polycrystalline silicon thin-film transistors, Intern. Conf. on Polycrystalline Semiconductors Physics and Technology, Sept. 2000, Saint Malo, France. Σ34. C.A.Dimitriadis, Low frequency noise for characterization of polycrystalline semiconductor devices, 11 th Intern. School on Condensed Matter Physics, 3-8 Sept. 2000, Varna, Bulgaria (προσκεκληµένη οµιλία). Workshops και συνέδρια χωρίς κριτές 1. Β Πανελλήνιο συνέδριο φυσικής, Μυτιλήνη, Σεπτέµβριος 1980. 2. 4 th Greek-Bulgarian symposium on semiconductor physics, Thessaloniki, June 1983. 3. 6 th Greek-Bulgarian symposium on semiconductor physics, Thessaloniki, September 1985. 4. 8 th Greek-Bulgarian symposium on semiconductor physics, Thessaloniki, September 1987. 5. 10 th Greek-Bulgarian symposium on semiconductor physics, Thessaloniki, September 1989. 6. Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Θεσσαλονίκη, 1991. 7. Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ιωάννινα, 1992. 8. Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, ελφοί, 1994. 9. Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ηράκλειο, 1996. 10. Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Θεσσαλονίκη, Σεπτέµβριος 1997. 11. Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ιωάννινα, 1998. 12. Workshop on polysilicon thin-film transistors and related material aspects for large area mcroelectronics, Fitzwilliam College, Cambridge, 12-13 July 1989. 13. Hungarian-Greek Workshop on the electronic properties of irradiation induced defects in III-V semiconductor structures, Research Onstitute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, 9-14 Sept. 1993. 14. Third European Laboratory for Electronic Noise Workshop, IMEC, Leuven, Belgium, 5-7 November 1996.