ρ. ΜΑΡΙΑ Ν. ΚΑΤΣΙΚΙΝΗ

ρ. ΜΑΡΙΑ Ν. ΚΑΤΣΙΚΙΝΗ ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΕΡΓΑΣΙΑΣ Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο Θεσσαλονίκης Τµήµα Φυσικής Τοµέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης 54006 Θεσσαλονίκη τηλ/fax: 031-99 8036 e-mail: katsiki@ccf.auth.gr ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΟΙΚΙΑΣ Αγίων Αναργύρων 18 57500 Επανοµή τηλ: 0392-42 468 ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Ηµεροµηνία γέννησης 13 Ιανουαρίου 1973 Επαγγελµατική κατάσταση Μεταδιδακτορική ερευνήτρια, Τµήµα Φυσικής Α.Π.Θ. ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗ Ιουνιος 2000 ιδακτορικό ίπλωµα, Τµήµα Φυσικής, Α.Π.Θ. Το διδακτορικό εκπονήθηκε σε συνεργασία µε το Hahn-Meitner Institut του Βερολίνου. Τίτλος διδακτορικής διατριβής "Χαρακτηρισµός νιτριδίων ΙΙΙ-V µε τεχνικές απορρόφησης ακτίνων Χ" (βαθµολογήθηκε µε "Άριστα"). Τριµελής συµβουλευτική επιτροπή: Dr. Ελένη Κ. Παλούρα, Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Φυσικής, ρ. Ιωάννης Γ. Αντωνόπουλος, Καθηγητης Φυσικής, Dr. Elizabeth Holub-Krappe, ερευνήτρια Hahn-Meitner Institut. Μάρτιος 1995 Πτυχίο Φυσικής µε βαθµό 7.83/10. Τίτλος διπλωµατικής εργασίας: «Χαρακτηρισµός εµφυτευµένων υµενίων Si 3 N 4 µε τεχνικές απορρόφησης ακτίνων Χ: EXAFS και NEXAFS». Επιβλέπουσα: Dr. Ελένη Κ. Παλούρα, Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Φυσικής. Ιούνιος 1990 Αποφοίτηση από το Λύκειο Επανοµής Θεσσαλονίκης µε βαθµό 18,5/20. ΥΠΟΤΡΟΦΙΕΣ ΚΑΙ ΒΡΑΒΕΙΑ Σεπτ 97 - Αυγ. 98 Υποτροφία της Επιτροπής Ερευνών Α.Π.Θ. Μάιος 1998 Υποτροφία της European Synchrotron Radiation Society για την παρακολούθηση του Summer School on Synchrotron Radiation: Applications to Materials Science and Physics, Luso, Πορτογαλία. Ιαν.-Απρ. 1996 Υποτροφία ERASMUS: Humboldt Universität zu Berlin and Hahn-Meitner Institut, Βερολίνο, Γερµανία. 1995-1997 Υποτροφία του Hahn Meitner Institut για εκπόνηση έρευνας σχετικής µε το διδακτορικό. Νοεµβ. 1995 Υποτροφία του International Center for Theoretical Physics, Trieste, Ιταλία, για την παρακολούθηση του 3 rd International School on the Use of Synchrotron Radiation in Science and Technology: John Fuggle Memorial. Σεπτ.-Οκτ. 1995 Υποτροφία της DAAD (German Academic Exchange Service) για την παρακολούθηση εντατικών µαθηµάτων γερµανικής γλώσσας (Rothenburg- Γερµανία). 1984-1990 Αριστεία προόδου στο Γυµνάσιο και Λύκειο Βιογραφικό Σηµείωµα & ηµοσιεύσεις: σελ. 1

ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΑ ΒΡΑΒΕΙΑ Σεπτέµβριος 1997 Βραβείο καλύτερης εργασίας νέου ερευνητή για την εργασία µε θέµα: Απεικόνιση της πυκνότητας άδειων C-p καταστάσεων του SiC µε φασµατοσκοπία NEXAFS που παρουσιάστηκε στο ιγ Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης (Περαία Θεσσαλονίκης). Αύγουστος 1996 Βραβείο καλύτερης εργασίας νέου ερευνητή για την εργασία µε θέµα: Angle Resolved NEXAFS spectra of hexagonal and cubic GaN που παρουσιάστηκε στο 9 th Int. Conf. on X-Ray Absorption Fine Structure (Grenoble, Γαλλία). ΞΕΝΕΣ ΓΛΩΣΣΕΣ Οκτ. 1995 Ιουν. 1994 Ιουν. 1989 ΕΜΠΕΙΡΙΑ ΜΕ Η/Υ ΆΛΛΕΣ ΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΕΣ Αγγλικά (πολύ καλά), Γερµανικά (καλά). Zentrale Mittelstuffe Pruefung (ZMP), Goethe Insitut, Rothenburg ob der Tauber, Γερµανία. Zertifikat Deutsch als Fremdsprache (Grundstuffe). PALSO Higher Certificate in English (ισοδύναµο µε το Cambridge Lower Certificate in English). Ερευνητικά προγράµµατα ανάλυσης EXAFS: FEFF, EXCURV. Εκτενής χρήση WINDOWS98, WORD97, ORIGIN4, POWER POINT, COREL7, MS ACCESS. Turbo Pascal, DOS: καλά. VMS: σχετικά καλά. Γραµµατέας της οργανωτικής επιτροπής του Θερινού Σχολείου "Summer School on Advanced Materials for Industrial Applications", 20-27 Ιούνιος 1999, Καβάλα. Proceedings of the Summer School on Advanved Materials for Industrial Applications", ed. M. Katsikini, E. C. Paloura, Th. Karakostas, J. Antonopoulos (1999). ΣΥΝΕ ΡΙΑ ΚΑΙ ΕΝΤΑΤΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ Σεπτ. 2001 XVΙI Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ξάνθη. Σεπτ. 2000 XVI Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ναύπλιο. Ιούλ. 2000 The 4 th European GaN Workshop, Nottingham UK. Σεπτ. 1998 XIV Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ιωάννινα. Αυγ. 1998 The 10 th International Conference on X-ray absorption fine structure, Chicago, Illinois, USA. Αυγ. 1998 The 12 th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics, San Francisco, California, USA. Μάιος 1998 Summer School on Synchrotron Radiation: Applications to Materials Science and Physics, 8 ηµέρες, Luso, Πορτογαλία. Νοεµβ. 1997 International Conference on Highlights in Synchrotron Radiation Research, Grenoble, Γαλλία. Σεπτ. 1997 13 o Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Περαία Θεσσαλονίκης. Μάρτιος 1997 Fruehjarhstagung der Deutsche Physikalische Gesellschaft, Muenster, Γερµανία. εκ. 1996 Materials Research Society (MRS) 1996 Fall Meeting, Boston, MA, USA. Αυγ. 1996 The 9 th International Conference on X-ray absorption fine structure, Grenoble, France. Ιούλ. 1996 23 rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin, Βιογραφικό Σηµείωµα & ηµοσιεύσεις: σελ. 2

Γερµανία. Νοεµβ. 1995 3 rd School on the Use of Synchrotron Radiation in Science and Technology: John Fuggle Memorial, Trieste, Ιταλία (5 εβδοµ.). Σεπτ.-Οκτ. 1995 Εντατικά µαθήµατα γερµανικής γλώσσας, Goethe Institut, Rothenburg o.d. Tauber, Γερµανία. Σεπτ. 1994 10 o Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, ελφοί. ΠΡΟΣΚΕΚΛΗΜΕΝΕΣ ΟΜΙΛΙΕΣ 7 εκεµβρίου 2000 "Characterization of III-V nitrides with X-ray absorption techniques", BESSY Users Μeeting, Βερολίνο, Γερµανία. 26 Ιανουαρίου 1998 X-ray absorption measurements on III-V nitrides, Ερευνητικά Σεµινάρια στην Φυσική Επιφανειών, Πανεπιστήµιο Humboldt του Βερολίνου, Γερµανία. 19 Ιανουαρίου 1998 X-ray absorption measurements on III-V nitrides, Ερευνητικά Σεµινάρια, Τοµέας Φωτοβολταϊκών του Hahn-Meitner Institut, WISTA-Adlershof, Βερολίνο, Γερµανία. ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗ ΕΜΠΕΙΡΙΑ Πειράµατα φασµατοσκοπίας απορρόφησης ακτίνων Χ στους µονοχρωµάτορες PM1 και KMC της εγκατάστασης ακτινοβολίας Σύχροτρον της BESSY (Βερολίνο), στους µονοχρωµάτορες A1 και X1 της εγκατάστασης ακτινοβολίας Συχροτρον HASYLAB (Αµβούργο) και της εγκατάστασης ακτινοβολίας Συχροτρον GILDA/BM08 στο ESRF (Grenoble). Έρευνα κατά τη διάρκεια εκπόνησης του διδακτορικού στο Hahn Meitner Institut (1995-1997). Συµµετοχή στο Ερευνητικό Πρόγραµµα ΠΕΝΕ "Μελέτη της επίδρασης ατοµικού υδρογόνου στις ιδιότητες επιφάνειας και όγκου του SiC" που χρηµατοδοτήθηκε από τη Γενική Γραµµατεία Έρευνας και Τεχνολογίας (Επιστηµ. Υπευθ.: Ε. Κ. Παλούρα, Αναπλ. Καθηγ.). Συµµετοχή στο Πρόγραµµα ΕΠΕΑΕΚ "Πρόγραµµα µεταπτυχιακών σπουδών: Φυσική των υλικών" ως τεχνικός εργαστηρίων που χρηµατοδοτείται από το Υπουργείο Παιδείας (Επιστηµ. Υπευθ.: Θ. Καρακώστας, Καθηγ.). Ι ΑΚΤΙΚΗ ΕΜΠΕΙΡΙΑ Ωροµίσθια καθηγήτρια Φυσικής και Χηµείας στις Σχολές Τουριστικών Επαγγελµάτων (Εκπαιδευτήριο Μακεδονίας) κατά το Ακαδηµαϊκό έτος 1999-2000. Ωροµίσθια καθηγήτρια Φυσικής στα Vakalis Foundation-GCE κατά τα Ακαδηµαϊκά έτη 1999-2000, 2000-2001. Ιδιαίτερα µαθήµτα Φυσικής - Χηµείας- Μαθηµατικών σε µαθητές Γυµνασίου και Λυκείου Βιογραφικό Σηµείωµα & ηµοσιεύσεις: σελ. 3

Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ ΙΑΤΡΙΒΗ "Χαρακτηρισµός νιτριδίων ΙΙΙ-V µε φασµατοσκοπίες απορρόφησης ακτίνων Χ", Μαρία Ν. Κατσικίνη, Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο Θεσσαλονίκης, Θεσσαλονίκη, Ιούνιος 2000. ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ ΣΕ ΙΕΘΝΗ ΠΕΡΙΟ ΙΚΑ ΜΕ ΚΡΙΤΕΣ ΚΑΙ ΠΡΑΚΤΙΚΑ ΙΕΘΝΩΝ ΣΥΝΕ ΡΙΩΝ ΜΕ ΚΡΙΤΕΣ 1. Study of group-iii binary and ternary nitrides using near edge X-ray absorption measurements, M. Katsikini, E. C. Paloura, T. D. Moustakas, Journal of Crystall Growth, 230/3-4, 405 (2001). 2. Ion implantation effects on the microhardness and microstructure of GaN, P. Kavouras, M. Katsikini, N. Vouroutzis, C. B. Lioutas, E. C. Paloura, J. Antonopoulos, Th. Karakostas, P. Bressler, Journal of Crystal Growth, 230/3-4, 454 (2001). 3. "Anisotropic microhardness and cracking propagation in epitaxially grown GaN films", P. Kavouras, Ph. Komninou, M. Katsikini, V. Papaioannou, J. Antonopoulos, Th. Karakostas, J. Phys.: Condens. Matter, 12, 10242 (2000). 4. Nitrogen K-edge X-ray absorption measurements on N and O implanted GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, J. Bollmann, E. Holub-Krappe, W. T. Masselink, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 101-103, 689 (1999). 5. Nitrogen K-edge NEXAFS measurements on group-iii binary and ternary nitrides, M. Katsikini, E. C. Paloura, M. Fieber-Erdmann, E. Holub-Krappe, D. Korakakis, T. D. Moustakas, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 101-103, 695 (1999). 6. On the effect of ion implantation in the microstructure of GaN: A XAFS study, M. Katsikini, J. Bollmann, W. T. Masselink, E. C. Paloura, Journal of Synchrotron Radiation, 6, 552 (1999). 7. Nitrogen K-edge EXAFS measurements on Mg and Si doped GaN, M. Katsikini, T. D. Moustakas, E. C. Paloura, Journal of Synchrotron Radiation 6, 555 (1999). 8. Gallium K-edge EXAFS measurements on cubic and hexagonal GaN, M. Katsikini, H. Rossner, M. Fieber-Erdmann, E. Holub-Krappe, T. D. Moustakas, E. C. Paloura, Journal of Synchrotron Radiation 6, 561 (1999). 9. Nitrogen K-edge NEXAFS measurements on Group-III binary and ternary nitrides, M. Katsikini, M. Fieber-Erdmann, E. Holub-Krappe, D. Korakakis, T. D. Moustakas, E. C. Paloura, Journal of Synchrotron Radiation 6, 558 (1999). 10. NEXAFS and EXAFS studies of GaN and its alloys, M. Katsikini, E. C. Paloura, Proceedings of the Electrochemical Society, 98-18, 64 (1999). 11. An X-ray absorption study of Si x N y O z films, E. C. Paloura, M. Katsikini, A. Markwitz, R. W. Michelmann, Proceedings of the Electrochemical Society, 98-22, 327 (1999). 12. The effect of Si and Mg doping in the microstructure of epitaxially grown GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, M. Fieber-Erdmann, E. Holub-Krappe, T. D. Moustakas, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 381(1998). 13. Experimental determination of the N-p-partial density of states in the conduction band of GaN: Determination of the polytype fractions in mixed phase samples, M. Katsikini, E. C. Paloura, T. D. Moustakas, J. Appl. Phys., 83, 1437(1998). 14. Determination of the local microstructure of epitaxial AlN by x-ray absorption, M. Katsikini, E. C. Paloura, T. S. Cheng, C. T. Foxon, J. Appl. Phys., 82, 1166(1997). 15. N K-edge x-ray-absorption study of heteroepitaxial GaN films, M. Katsikini, E. C. Paloura, M. Fieber-Erdmann, J. Kalomiros, T. D. Moustakas, H. Amano, I. Akasaki, Phys. Rev. B, 56, 13380 (1997). 16. Application of near-edge x-ray absorption fine structure for the identification of hexagonal and cubic polytypes in epitaxial GaN, M.Katsikini, E. C. Paloura, T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett., 69, 4206 (1996). 17. Angle resolved NEXAFS spectra of hexagonal and cubic GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, T. S. Cheng, C. T. Foxon, J. Phys. IV France 7, C2-1129 (1997). Βιογραφικό Σηµείωµα & ηµοσιεύσεις: σελ. 4

18. N- and Al-K-edge EXAFS of AlN grown on GaAs by MBE, M. Katsikini, E. C. Paloura, E. Holub-Krappe, T. S. Cheng, C. T. Foxon, J. Phys. IV France 7, C2-1127 (1997). 19. Microstructural characterization of stoichiometric buried Si 3 N 4 films, E. C. Paloura, A. Ginoudi, A. Markwitz, Ch. Lioutas, M. Katsikini, K. Bethge, S. Aminpirooz, H. Rossner, E. Holub-Krappe, T. Zorba, and D. Siapkas, Nucl. Instr. and Meth B, 113, 227 (1996). 20. The structure of sodium absorbed c(2x8)-ge(111) surface, S. Aminpirooz, M. Katsikini, H. Rossner and E. Holub-Krappe, Surf. Sci., 352-354, 420 (1996). 21. Angular dependence of the NEXAFS structure in hexagonal and cubic GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, J. Kalomiros, P. Bressler, T. Moustakas, Proc. 23 rd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Vol. 1, p. 573, World Scientific, Ed. M. Scheffer, R. Zimmermann, (July 1996, Berlin). 22. Identification of the cubic and hexagonal polytypes of GaN with X-ray absorption measurements, M. Katsikini, E. C. Paloura, T. S. Cheng, C. T. Foxon, Diamond and related Materials, 6, 1539 (1997). 23. Determination of the existence and percentage of cubic and hexagonal phases in GaN using NEXAFS, M. Katsikini, E. C. Paloura, T. D. Moustakas, E. Holub-Krappe, J. Antonopoulos, Proc. MRS, Ed. F. A. Ponce, T. D. Moustakas, I. Akasaki, B. A. Monemar, Vol. 449, p. 411 (1997). 24. N-K-edge EXAFS study of epitaxial GaN films, M. Katsikini, E. C. Paloura, M. Fieber-Erdmann, T. D. Moustakas, H. Amano, I. Akasaki, Proc. MRS, Ed. F. A. Ponce, T. D. Moustakas, I. Akasaki, B. A. Monemar, Vol. 449, p. 459 (1997). ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ ΣΕ ΠΡΑΚΤΙΚΑ ΤΟΠΙΚΩΝ ΣΥΝΕ ΡΙΩΝ 1. Μελέτη της µικροδοµής νιτριδίων Al x Ga 1-x N µε φασµατοσκοπίες απορρόφησης ακτίνων Χ, Μ. Κατσικίνη, H. Rossner, M. Fieber-Erdmann, Ε. Holub-Krappe, T. D. Moustakas, I. Αντωνόπουλος, Ε. Κ. Παλούρα, Πρακτικά 16 ου Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, σελ. 142 (2000). 2. Μιρκοσκληρότητα και επιφανειακος σχισµός υµενίων GaN, Π. Κάβουρας, Φ. Κοµνηνου, Μ. Κατσικίνη, Ε. Κ. Παλούρα, Ι. Αντωνόπουλος, Θ. Καρακώστας, Πρακτικά 16 ου Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, σελ. 576 (2000). 3. Η επίδραση της εµφύτευσης ιόντων στη µικροδοµή του GaN: Μελέτη µε φασµατοσκοπία XAFS, Μ. Κατσικίνη, Ε. Κ. Παλούρα, Ε. Holub-Krappe, J. Bollmann, W. T. Masselink, Πρακτικά 14 ου Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, σελ.487 (1999). 4. Χαρακτηρισµός δυαδικών και τριαδικών ενώσεων νιτριδίων III-V µε φασµατοσκοπία NEXAFS, Μ. Κατσικίνη, Ε. Κ. Παλούρα, Ι. Αντωνόπουλος, Μ. Fieber-Erdmann, D. Korakakis, T. D. Moustakas, Πρακτικά 14 ου Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης σελ.491 (1999). 5. Η επίδραση των προσµίξεων τύπου p και n στη µικροδοµή του GaN: Μελέτη µε φασµατοσκοπία EXAFS, Μ. Κατσικίνη, Ε. Κ. Παλούρα, T. D. Moustakas, Πρακτικά 14 ου Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, σελ. 495 (1999). 6. Ταυτοποίηση της κυβικής και εξαγωνικής φάσης του GaΝ µε φασµατοσκοπία ΝEXAFS, Μ. Κατσικίνη, Ε. Κ. Παλούρα, Ι. Καλόµοιρος, T. D. Moustakas, E. Holub-Krappe, Ι. Αντωνόπουλος, Πρακτικά ιγ Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, σελ. 373 (1997). 7. Παραµόρφωση της µικροδοµής σε επιταξιακό GaΝ: Μελέτη µε φασµατοσκοπία EXAFS, Μ. Κατσικίνη, Ε. Κ. Παλούρα, Μ. Fieber-Erdmann, T. D. Moustakas, H. Amano, I. Akasaki, Πρακτικά ιγ Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, σελ. 397 (1997). 8. Απεικόνιση της πυκνότητας άδειων C-p καταστάσεων του SiC µε φασµατοσκοπία NEXAFS, Μ. Κατσικίνη, Ι. Καλόµοιρος, Ε. Κ. Παλούρα, Πρακτικά ιγ Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, σελ. 61 (1997). 9. Characterization of Si 3 N 4 films with EXAFS and NEXAFS, A. Ginoudi, E. C. Paloura, M. Katsikini, C. Lioutas, T. Zorba, D. I. Siapkas, E. Hadjikraniotis and A. Markwitz, Proc. 15 th Bulgarian-Greek Symposium on Semiconductor and Solid State Physics, Nov. 1994, Sofia. 10. Μελέτη της µικροδοµής λεπτών εµφυτευµένων υµενίων SiN µε τεχνικές απορρόφησης ακτίνων Χ, Α. Γκινούδη, Ε. Κ. Παλούρα, Μ. Κατσικίνη, Χ. Λιούτας,. Ι. Σιάπκας, Ε. Χατζηκρανιώτης, A. Markwitz, Πρακτικά X Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Σεπτ. 1994, ελφοί. Βιογραφικό Σηµείωµα & ηµοσιεύσεις: σελ. 5

ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ ΣΕ ΕΠΕΤΗΡΙ ΕΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΩΝ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΣΥΧΡΟΤΡΟΝ 1. "N K-edge EXAFS characterization of Al x Ga 1-x N samples", M. Katsikini, E. C. Paloura, T. D. Moustakas, H. Amano, I. Akasaki, BESSY Yearbook, p. 139 (2000). 2. Ν K-edge EXAFS spectra of GaN recorded at the SX700 monochromator at BESSY-I and BESSY- II, M. Katsikini, E. C. Paloura, P. Bressler, H. Gundlach, T. Kachel, BESSY Yearbook, p. 222 (1999). 3. "XAFS measurements on InGaN alloys", M. Katsikini, E. Paloura, F. Boscherini, F. D Acapito, ESRF report 1999 (in press). 4. The effect of light ion implantation in the microstructure of GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, J. Bollmann, W. T. Masselink, BESSY Yearbook, p. 225 (1998). 5. Nitrogen K-edge NEXAFS measurements on N and O implanted GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, J. Bollmann, E. Holub-Krappe, W. T. Masselink, BESSY Yearbook, p. 227 (1998). 6. An EXAFS study of vacancy-induced local distortions in GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, M. Fieber-Erdmann, H. Rossner, E. Holub-Krappe, T. D. Moustakas, BESSY Yearbook, p. 224 (1997). 7. Study of Al x Ga 1-x N and In y Ga 1-y N alloys using N K-edge NEXAFS, M. Katsikini, E. C. Paloura, M. Fieber-Erdmann, E. Holub-Krappe, H. Rossner, D. Korakakis, T. D. Moustakas, BESSY Yearbook, p. 230 (1997). 8. Ga K-edge NEXAFS measurements on epitaxially grown GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, H. Rossner, M. Fieber-Erdmann, E. Holub-Krappe, T. D. Moustakas, HASYLAB Yearbook, 1997. 9. Microstructure distortions in GaN identified with Ga K-edge EXAFS, M. Katsikini, E. C. Paloura, E. Holub-Krappe, M. Fieber-Erdmann, T. D. Moustakas, HASYLAB Yearbook, 1997. 10. N- and Al- edge EXAFS of AlN grown on GaAs by MBE, M. Katsikini, E. C. Paloura, E. Holub- Krappe, T. S. Cheng, C. T. Foxon, BESSY Yearbook, p. 237 (1996). 11. Angle resolved NEXAFS spectra of hexagonal and cubic GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, T. S. Cheng, C. T. Foxon, BESSY Yearbook, p. 250 (1996). 12. N-K-edge EXAFS of AlN grown by ECR-MBE M. Katsikini, E. C. Paloura, A. Ginoudi, E. Holub-Krappe and A. Christou, BESSY Yearbook, p. 248 (1995). 13. Angular dependence of the NEXAFS structure in hexagonal and cubic GaN, M. Katsikini, E. C. Paloura, J. Kalomiros, P. Bressler and T. D. Moustakas, BESSY Yearbook, p. 250 (1995). 14. The structure of Sodium Absorbed c(2x8)-ge(111) Surface, S. Aminpirooz, M. Katsikini, H. Rossner and E. Holub-Krappe, BESSY Yearbook, p. 291 (1994). 15. Characterization of stoichiometric buried Si 3 N 4 films by EXAFS and NEXAFS, E. C. Paloura A. Ginoudi, A. Markwitz, M. Katsikini, S. Aminpirooz, H. Rossner and E. Holub-Krappe and E. Hatzikraniotis, BESSY Yearbook, p. 364 (1994). Βιογραφικό Σηµείωµα & ηµοσιεύσεις: σελ. 6