Μια εισαγωγή στο ψυχρό πλάσμα ηλεκτρικών εκκενώσεων ως πολυ-εργαλείο για τη νανοτεχνολογία

Transcript

1 Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. & Τεχνολογίας Υπολογιστών Εργαστήριο Υψηλών Τάσεων Μια εισαγωγή στο ψυχρό πλάσμα ηλεκτρικών εκκενώσεων ως πολυ-εργαλείο για τη νανοτεχνολογία Δρ Π. Σβάρνας Επικ. Καθηγητής 1

2 Πλάσμα ΝανοΕπιστήμη ενέργεια επιφάνειες βιοϊατρική μικροπλάσμα περιβάλλον ηλεκτρονική βιοϋλικά ΜΕΜΣ 2

3 Πλάσμα ηλεκτρικών εκκενώσεων Εμπεδοκλής π.χ π.χ. συνεχής προσφορά ενέργειας σε αέριο (συνήθως ηλεκτρικής) 3

4 Πλάσμα: ένα ολόκληρο χημικό εργαστήριο Ηλεκτρόνιο + Μόριο ελαστικές κρούσεις ανελαστικές κρούσεις διεγέρσεις ιονισμός ηλεκτρονική δονητική περιστροφική ηλεκτρόνια θετικά ιόντα προσάρτηση αρνητικά ιόντα αποσύνθεση άτομα ρίζες διεγερμένα μόρια διεγερμένα άτομα μετασταθή VUV-UV-Visible-IR Ε Π Ι Φ Α Ν Ε Ι Ε Σ 4

5 Βασικές παράμετροι πλάσματος Πυκνότητα ηλεκτρονίων Κατανομή ενέργειας ηλεκτρονίων Ενέργεια ουδετέρων Πυκνότητα μετασταθών Πυκνότητα θετικών/αρνητικών ιόντων Μήκος Debye Συχνότητα πλάσματος Πυκνότητα ελεύθερων ριζών Ενεργές διατομές, κ.α. 5

6 Τυπικό σύστημα πλάσματος χαμηλών πιέσεων PECVD, RIE χημική τροποποίηση 6

7 Θερμικό vs. Ψυχρό πλάσμα Θερμικό πλάσμα Υψηλή θερμοκρασία αερίου Te~Ti~Tn~1 ev Υψηλές πυκνότητες φορέων Σφαιροποίηση και Κρυσταλλοποίηση Υψηλός ρυθμός πυρηνοποίησης Κατάλληλο για σύνθεση νανοδομών που απαιτούν υψηλές θερμοκρασίες για πυρηνοποίηση, επιταχυνόμενη ανάπτυξη και παραμένουν δομικά σταθερές στις υψηλές θερμοκρασίες π.χ. ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΕΣ ΑΝΘΡΑΚΑ JPD (2007) ψυχρό πλάσμα (εκτός θερμοδυναμικής ισορροπίας) Χαμηλή θερμοκρασία αερίου Ti~Tn~0.05 ev Te~1-2 ev Σχετικά χαμηλές πυκνότητες φορέων Κατάλληλο για ό,τι δομή απαιτεί χαμηλή θερμοκρασία επεξεργασίας π.χ. επιστρώσεις μικροηλεκτρονικής, πολυμερή κ.α. Επίσης για ευαίσθητες νανο-οργανώσεις που απαιτούν ελεγχόμενη και χαμηλή παροχή δομικών στοιχείων. 7

8 Διαδικασίες βασισμένες σε ψυχρό πλάσμα 8

9 Νανο-γρασίδι από RF πλάσμα H2 (13.56 MHz, 300 khz dual frequency) min , 200, 300 W σε υποστρώματα Si (20 min) Αντι-ανακλαστικές επιφάνειες JPD (2007) 9

10 Υποβοηθούμενη από πλάσμα δημιουργία χημικών νανο-μοτίβων για βιο-διεπιφάνειες 1/2 Εγχάραξη: ICP με μαγνητικά πεδία RF-πολωμένο υπόστρωμα παλμικό RF: αντιρρυπαντικό στρώμα νανοσφαίρες PS RF MHz PECVD: σταθερότητα υμενίου PAA υδρόφιλο αρνητικά φορτισμένο, άρα απωθεί τις σφαίρες που είναι επίσης αρνητικά φορτισμένες και τέλος φέρει και ομάδες καρβοξυλίου με μία μόνο διαδικασία (παλμικό RF), άρα καλές συνθήκες για δέσιμο πρωτεϊνών ακινητοποίηση πρωτεϊνών JPD (2007) 10

11 Υποβοηθούμενη από πλάσμα δημιουργία χημικών νανο-μοτίβων για βιο-διεπιφάνειες 2/2 200 W / 150 V Θερμοκρασία υαλώδους μετάβασης PS βελτιστοποίηση διαδικασίας JPD (2007) 150 W / 100 V 11

12 Νανοκρύσταλλοι Si κυβικής μορφής για νανοηλεκτρονικές συσκευές (5% SiH4, He, Ar, Pa) FET βασισμένο σε νανοκρυστάλλους Si JPD (2007) 12

13 Σύνθεση μεγάλων πινάκων καλά ευθυγραμμισμένων νανοσωλήνων άνθρακα επί υάλου για οθόνες ψυχρής καθόδου RF magnetron sputtering NΗ3 etching του Ni, χωρίς C2H2 Ni <40 nm Ni πάνω σε γυαλί εισαγωγή C2Η2 για 10 min 3 min etching 100 nm / 20 μm Science (1998) 13

14 Διαδικασίες βασισμένες σε θερμικό πλάσμα 14

15 έλεγχος μεγέθους TiO2 NPs σε RF επαγωγικό θερμικό πλάσμα liquid precursor: A) 0.1 mol Ti(OC4H9) mol HN(OC2H5)2 B) (Eu/Eu+Ti=0,0.05,0.1 έως 5 atom%) + 20 ml H2O Liquid precursor = A+B= stable clear solution JPD (2007) 15

16 επίδραση της τιμής ροής και της φοράς του αέριου ψύξης (quenching gas) χωρίς αέριο ψύξης d50% = 52 nm JPD (2007) 100 slm Ar περιμετρικά d50% = 52 nm 100 slm Ar αντίθετα d50% = 34 nm 16

17 Εξομοίωση της ροής του αερίου και του πεδίου θερμοκρασίας κουκκίδες=σωματίδιο ελέγχου απουσία αερίου ψύξης JPD (2007) 100 slm Ar περιμετρικά 100 slm Ar αντίθετα 17

18 Σχηματισμός νανοδομών από Παραγωγή Νανο-σωματιδίων σε θερμικό πλάσμα εντός υγρών Ηλεκτρικό Τόξο εντός Ύδατος D.C. power supply A Y 10: A X P.C. PM.T -300 V I.C.C.D. διάσπαση H2O, ανοδικό τόξο, υπερκορεσμός ατμών... JPD (2009) 18

19 Νανοσφαιρίδια Al2O3 Νανοσωλήνες C Πιο σύνθετες δομές; δομές; IEEE TPS (2011) 19

20 Σχηματισμός core-shell νανοσφαιριδίων σε θερμικό πλάσμα εντός υγρών ( ) bubble plasma region 5 nm Ta Cu O C holder (+) διηλεκτρικές νανοσκόνες M ater. Lett (2011) 20

21 φασματοσκοπία οπτικής εκπομπής ταυοποίηση ριζών, ιόντων κ.α. & υπολογισμός ενεργειών a current (A) arc time (s) power (W) 1 Ta b. voltage (V) 4 Cu SP x OES intensity (au) Ta514.16SP 10 Cu Cu d. Cu++ (520.8)SP Ha~656 c. O wavelength (nm) 21

22 Διαδικασίες βασισμένες σε μικρο μικρο-πλάσμα πλάσμα : ένα ανερχόμενο γνωστικό αντικείμενο 22

23 Τα micro-plasmas του Εργαστηρίου Υ.Τ. 10 khz 2.1 slm 20 mm 04 kv i) 05 kv 06 kv 07 kv 08 kv 09 kv 10 kv 11 kv 10 kv 2.1 slm 20 mm 07 khz ~10 mm 08 khz 09 khz ii) 20 μs/div iii) 0.5 μs/div iv) 2 μs/div 10 khz 11 khz 12 khz iii iv 13 khz 14 khz 15 khz 16 khz 17 khz 18 khz IEEE TPS (2011) 23

24 Ελεγχόμενες νανοκατασκευές με μικροπλάσμα: από νανοδομές σε νανοαρχιτεκτονική ignition pulse 5 kv 450 MHz, 31 W πυρίτιο μολυβδαίνιο βασικές παράμετροι: μήκος & εγκάρσια διατ. ανόδου? νανοσφαίρες JPD (2009) νανοφύλλα σύνθετες δομές 24

25 Ανεξάρτητος έλεγχος μεγέθους και σύνθεσης νανοσωματιδίων Σύνθεση σε ΑΕΡΙΑ ΦΑΣΗ Πρόδρομοι νανοσωματιδίων: ferrocene & nickelocene Η υψηλή πυκνότητα ενεργητικών ηλεκτρονίων στην ατμοσφαιρική πίεση επιτρέπει τη μη-θερμική αποσύνθεση των ατμών προς σχηματισμό δραστικών ριζών. Σε αυτές τις πιέσεις οι κρούσεις αέριας φάσης είναι αυξημένες, οδηγώντας σε μοναδικές δυνατότητες σύνθεσης νανοσωματιδίων. Επίσης η συνεχής ροή σε αυτούς τους αντιδραστήρες μικρών γεωμετριών περιορίζουν τον χρόνο παραμονής των νανοδομών στις περιοχές σύνθεσης, καταλήγοντας σε μικρότερες διαστάσεις των δομών και σε στενότερες κατανομές αυτών. JPD (2010) 25

26 Διαγνωστικές τεχνικές ψυχρού πλάσματος 26

27 καθετήρας ροής ιόντων κριτήριο του Bohm guard probe dvbias/dt = ea[γi Γe(Vbias)]/Cp Γi=n+ { [(n-+ne)kt-te] / [(n-te+net-)m] }1/2 27

28 Φωτοαπόσπαση ηλεκτρονίων από αρνητικά ιόντα με χρήση Laser 28

29 αυτοματοποιημένο σύστημα παραγωγής νανοδομών άνθρακα σε θερμικό πλάσμα εντός ύδατος νανοσωλήνες νανοράβδοι άμορφος νανοκρεμμύδια άνθρακας άνθρακας με νανοπόρους RSI (2005) φύλλα γραφενίου 29

30 Γενικά Συμπεράσματα Το ψυχρό πλάσμα ως ένα πολυ-εργαλείο για τη νανοτεχνολογία, παρουσιάζει τα ακόλουθα πλεονεκτήματα έναντι άλλων μεθόδων: νανοράβδοι Ιδιαίτερα χημικά δραστικό μέσο Πληθώρα πιθανών χημικών διεργασιών Φιλικό στο περιβάλλον Ποικιλία παραμέτρων για έλεγχο διαδικασιών Μεγάλη ευελιξία μέσω ηλεκτρικών/ηλεκτρονικών διατάξεων άμορφος νανοκρεμμύδια άνθρακας Επεκτασιμότητα σε μεγάλη κλίμακα Η κύρια ίσως πρόκληση είναι η άμεση συνεργασία επιστημόνων υλικών με plasmaciens για τη βελτιστοποίηση κι επέκταση διαδικασιών ως άνθρκαςτων με μετατοπισμένα νανοπόρους φύλλα γραφενίου προς τη νανοτεχνολογία 30