1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

Save this PDF as:
Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed."

Transcript

1 Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ Ενισχυτές με διπολικά τρανσίστορς Ενισχυτές με MOS τρανσίστορς Καθρέφτες ρεύματος και διαφορικοί ενισχυτές Α Ακροδέκτες ηλεκτρονικών εξαρτημάτων [SS] [GHLM] Αναφορές A. Sedra και K. Smith, Μικροηλεκτρονικά Κυκλώματα, τόμος Α & Β, 3η έκδ., Παπασωτηρίου, 1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed., Wiley, [Ra] B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw-Hill, 2001.

2 2 ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ Ανάγνωση: SS:(4.2 5, 5.1 2), GHLM:1.3 6, Ra: Χαρακτηριστική τάσης-ρεύματος SIG R 4 R 5 CH1 I 1 R 1 R V S 7 6 A 4 V S V 2 CH2 (1) DUT V 1 R 3 A = LM741, V S = 8 V, R 1 = 1 kω, R 2 = 9 kω = (10 /+ 100) kω, R 3 = R 4 = R 5 = 10 kω Σκοπός του κυκλώματος (1), είναι η γραφική αναπαράσταση της σχέσης που συνδέει τις μεταβλητές (V 1, I 1 ) του υποκυκλώματος DUT (Device Under Test). Υποθέτοντας ότι ο τελεστικός ενισχυτής λειτουργεί στη γραμμική περιοχή, για τις παραπάνω τιμές των στοιχείων, δείξτε ότι V 2 1 V = I 1 1 ma και V SIG 1 V = V V + I 1 1 ma (2) Κατασκευάστε το κύκλωμα (1). Στη θέση της R 2 τοποθετήστε δύο αντιστάσεις 10 kω και 100 kω σε παραλληλία 1. Συνδέστε τα CH1, CH2 του παλμογράφου στους αντίστοιχους ακροδέκτες. Α- ντιστρέψτε το CH2, ώστε ο παλμογράφος να εμφανίζει την τάση V 2. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Συνδέστε τη γεννήτρια στον ακροδέκτη SIG, με τριγωνικό σήμα 8 V pp, 100 Hz. Διορθώστε την πιθανή εξάρτηση της τάσης V 2 από την τάση V 1, σύμφωνα με την παράγραφο Στη θέση του DUT, τοποθετήστε ανοικτοκύκλωμα στη συνέχεια βραχυκύκλωμα στη συνέχεια μεταβλητή αντίσταση 0 10 kω στη συνέχεια μεταβλητή τάση σε σειρά με μεταβλητή αντίσταση, όπως παρακάτω +V S 0 10 kω 0 1 kω (3) V S στη συνέχεια δίοδο με την άνοδο (τύπου p) στον ακροδέκτη CH1 στη συνέχεια δίοδο με την κάθοδο (τύπου n) στον ακροδέκτη CH1 στη συνέχεια δίοδο σε σειρά με το υποκύκλωμα (3) Υπολογίστε την τάση V 2 συναρτήσει των μεταβλητών V 1, I 1 και των στοιχείων του κυκλώματος. Απάντηση: V 2 = R 5(R 1 +R 2 ) R 4 R 3 R 4 (R 2 +R 3 ) V 1 + R 5 R 4 R 1 I 1 Τοποθετήστε ανοικτοκύκλωμα στη θέση του DUT και μετρήστε το πρόσημο του λόγου V 2 /V 1. Τοποθετήστε μια μεγάλη αντίσταση (πχ. 1 MΩ) σε παραλληλία με κατάλληλη αντίσταση του κυκλώματος, ώστε να μηδενιστεί η τάση V 2. 1 Για συντομία, χρησιμοποιούμε το σύμβολο /x = 1/x για τον αντίστροφο (όπως το x = 0 x για τον αντίθετο), και το σύμβολο x /+ y = /(/x+/y), ή ισοδύναμα, /(x /+ y) = /x + /y για την αντίστροφη πρόσθεση.

3 Εργαστηριακές Ασκήσεις Διπολικό τρανσίστορ Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική τάσης-ρεύματος των υποκυκλωμάτων (4), χρησιμοποιώντας το μοντέλο Ebers-Moll, με a = 1, ή β =, και αγνοώντας το φαινόμενο Early, δηλ. με V A =. Εξηγήστε την επίδραση των πηγών V, I καθώς και της αντίστασης R στη χαρακτηριστική τάσηςρεύματος. Εξηγήστε την επίδραση του πεπερασμένου β και της τάσης Early V A. R R T p I R V V (4) CE CC CB = 2N2222A, T p = 2N2907A Στη θέση του DUT του κυκλώματος (1), τοποθετήστε διαδοχικά τα υποκυκλώματα (4). Στη θέση του ισοδύναμου Thévenin V -R ή Norton I-R, τοποθετήστε το υποκύκλωμα (3). Οι ακροδέκτες των τρανσίστορς φαίνονται στο σχήμα Α.(1). Ρυθμίστε την ελάχιστη και μέγιστη τιμή της τάσης V SIG σε 0 V και 8 V, αντίστοιχα. Επαληθεύστε με μετρήσεις τις παρακάτω προτάσεις, και βρείτε τις συνθήκες που πρέπει να ι- σχύουν για να είναι αληθείς: το υποκύκλωμα CE λειτουργεί σαν ενισχυτής διαγωγιμότητας, δηλ. σαν πηγή ρεύματος με τιμή που ελέγχεται από την τάση V το υποκύκλωμα CC λειτουργεί σαν απομονωτής τάσης, δηλ. σαν πηγή τάσης με τιμή V, αυξημένη κατά την τάση αγωγής V EB το υποκύκλωμα CB λειτουργεί σαν απομονωτής ρεύματος, δηλ. σαν πηγή ρεύματος με τιμή I. Σε καθένα από τα υποκυκλώματα (4), μεταβάλετε την πηγή V ή I και την αντίσταση R, ρυθμίζοντας τις μεταβλητές αντιστάσεις του υποκυκλώματος (3), και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική τάσης-ρεύματος Τάση Early Στο υποκύκλωμα CE, τοποθετήστε ένα μεγάλο πυκνωτή (πχ. 1 µf) μεταξύ βάσης και εκπομπού, και ρυθμίστε την τάση V έτσι ώστε το ρεύμα συλλέκτη να είναι I C = 4 ma. Μετρήστε την αντίσταση εξόδου r o και υπολογίστε την τάση Early V A = r o I C του τρανσίστορ. Για να μεγεθύνετε το ρεύμα μικρού σήματος, μεταβάλετε την ελάχιστη τιμή της τάσης V SIG σε 4 V και ρυθμίστε το CH2 σε σύζευξη AC. Για να μειώσετε το θόρυβο, ρυθμίστε τον παλμογράφο σε απεικόνιση μέσης τιμής. Επαναλάβετε τις μετρήσεις με ρεύμα I C = 1 ma Αντίσταση εκπομπού Στο υποκύκλωμα CC, τοποθετήστε ένα μεγάλο πυκνωτή (πχ. 1 µf) μεταξύ βάσης και συλλέκτη, και ρυθμίστε την αντίσταση R στην ελάχιστη τιμή της. Μετρήστε την αντίσταση μικρού σήματος r e και ελέγξτε τη σχέση r e = V T /I E, όπου V T = 25 mv. Για να μεγεθύνετε την τάση μικρού σήματος, μεταβάλετε την ελάχιστη τιμή της τάσης V SIG σε 6 V και ρυθμίστε το CH1 σε σύζευξη AC. Για να μειώσετε το θόρυβο, ρυθμίστε τον παλμογράφο σε απεικόνιση μέσης τιμής. Αφαιρέστε τον πυκνωτή και μεταβάλετε την αντίσταση R στη μέγιστη τιμή της μετρήστε την αντίσταση μικρού σήματος R 1 και υπολογίστε το β του τρανσίστορ. Απάντηση: β = R/(R 1 r e ) Αντίσταση συλλέκτη Στο υποκύκλωμα CB, ρυθμίστε την αντίσταση R = 5 kω και το ρεύμα I έτσι ώστε I C = 1 ma. Υπολογίστε την αντίσταση μικρού σήματος R 1 του υποκυκλώματος, συναρτήσει των I, R και των παραμέτρων του τρανσίστορ. Απάντηση: R 1 V A /(I C /β + V T /R). Μετρήστε την αντίσταση μικρού σήματος. Για να μεγεθύνετε το ρεύμα μικρού σήματος, μεταβάλετε την ελάχιστη τιμή της τάσης V SIG σε 2 V και ρυθμίστε το CH2 σε σύζευξη AC.

4 4 ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων 1.3 MOS τρανσίστορ Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική τάσης-ρεύματος των υποκυκλωμάτων (5), αγνοώντας τη διαμόρφωση καναλιού, δηλ. με λ = 0, και το φαινόμενο σώματος, δηλ. με γ = 0. Εξηγήστε την επίδραση των πηγών V, I καθώς και της αντίστασης R στη χαρακτηριστική τάσης-ρεύματος. Εξηγήστε την επίδραση της διαμόρφωσης καναλιού και του φαινομένου σώματος. R R T p I R V V (5) CS CD CG, T p = CD4007 Στη θέση του DUT του κυκλώματος (1), τοποθετήστε διαδοχικά τα υποκυκλώματα (5). Στη θέση του ισοδύναμου Thévenin V -R ή Norton I-R, τοποθετήστε το υποκύκλωμα (3). Οι ακροδέκτες των τρανσίστορς φαίνονται στο σχήμα Α.(3) 2. Χρησιμοποιείστε το nmos 8,6,7 με = +V S, ή το pmos 13,6,14 με V SS = V S. Ρυθμίστε την ελάχιστη και μέγιστη τιμή της τάσης V SIG σε 0 V και 8 V, αντίστοιχα, ώστε η τάση V 1 να είναι πάντα μεταξύ 0 V και +V S. Επαληθεύστε με μετρήσεις ότι τα υποκυκλώματα CS, CD και CG λειτουργούν σαν ενισχυτής διαγωγιμότητας, απομονωτής τάσης και απομονωτής ρεύματος, αντίστοιχα. Μεταβάλετε την πηγή V ή I και την αντίσταση R, και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική τάσης-ρεύματος Τάση Early Στο υποκύκλωμα CS, ρυθμίστε την τάση V για ρεύμα I D = 4 ma. Μετρήστε την αντίσταση εξόδου r o και υπολογίστε την τάση Early V A = r o I D του τρανσίστορ. Για να μεγεθύνετε το ρεύμα μικρού σήματος, μεταβάλετε την ελάχιστη τιμή της τάσης V SIG και ρυθμίστε το CH2 σε σύζευξη AC. Για να μειώσετε το θόρυβο, ρυθμίστε τον παλμογράφο σε απεικόνιση μέσης τιμής. Επαναλάβετε τις μετρήσεις με ρεύμα συλλέκτη 1 ma Παράμετρος διαγωγιμότητας και τάση κατωφλίου Στο υποκύκλωμα CD, ρυθμίστε την τάση V = 0 V, δηλ. γειώστε την πύλη, και μετρήστε την τάση κατωφλίου V t του τρανσίστορ. Στη συνέχεια, από τη σχέση I S = K (V SG V t ) 2, υπολογίστε την παράμετρο K του τρανσίστορ. Μετρήστε την αντίσταση μικρού σήματος r s και ελέγξτε τη σχέση r s = (V SG V t )/2I S. Για να μεγεθύνετε την τάση και το ρεύμα μικρού σήματος, μεταβάλετε την ελάχιστη τιμή της τάσης V SIG και ρυθμίστε τον παλμογράφο σε σύζευξη AC Φαινόμενο σώματος Στο υποκύκλωμα CD, χρησιμοποιείστε το τρανσίστορ με ακροδέκτες 1,2,3 και συνδέστε το υπόστρωμα, δηλ. τον ακροδέκτη, στην τροφοδοσία +V S. Μετρήστε την τάση κατωφλίου V t και την αντίσταση μικρού σήματος επαληθεύστε ποιοτικά την επίδραση του φαινομένου σώματος Αντίσταση υποδοχής Στο υποκύκλωμα CG, ρυθμίστε την αντίσταση R = 5 kω και το ρεύμα I έτσι ώστε I D = 0.5 ma. Υπολογίστε την αντίσταση μικρού σήματος R 1 του υποκυκλώματος. Απάντηση: R 1 V A /I D + 2RV A /(V GS V t ). Μετρήστε την αντίσταση μικρού σήματος. Για να μεγεθύνετε το ρεύμα μικρού σήματος, μεταβάλετε την ελάχιστη τιμή της τάσης V SIG και ρυθμίστε το CH2 σε σύζευξη AC. 2 Οι ακροδέκτες των τρανσίστορς προστατεύονται από στατικό ηλεκτρισμό με διόδους προστασίας (δεν φαίνονται στο σχήμα). Το υπόστρωμα όλων των pmos συνδέεται στον ακροδέκτη 14 ( ) και όλων των nmos στον ακροδέκτη 7 (V SS ). Τα δυναμικά των άλλων ακροδεκτών πρέπει να είναι μεταξύ V SS και.

5 Εργαστηριακές Ασκήσεις 5 2 Ενισχυτές με διπολικά τρανσίστορς Ανάγνωση: SS:4.6 11, GHLM: Ενισχυτής CE Υπολογίστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος A του ενισχυτή (1), στην ενεργό περιοχή, υποθέτοντας ότι η dc τιμή της εξόδου είναι /2. Απάντηση: A = /2V T /+ R c /R e = Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική - του ενισχυτή εξηγήστε την επίδραση της αντίστασης R e. R c R b (1) R e = 2N2222A, = 6 V, R b = 470 Ω, R c = 10 kω, R e = 0 1 kω Κατασκευάστε τον ενισχυτή (1). Οι ακροδέκτες του τρανσίστορ φαίνονται στο σχήμα 1.(1). Ρυθμίστε την R e στην ελάχιστη τιμή της. Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 0 2 V (δηλ. με ελάχιστη τιμή 0 V και μέγιστη τιμή 2 V), 100 Hz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας του τρανσίστορ. Μεταβάλετε την R e σε όλη την κλίμακά της και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική -. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την R e στην ελάχιστη τιμή της. Ρυθμίστε την είσοδο ώστε η έξοδος να είναι = 2 4 V και μετρήστε το κέρδος τάσης για καλύτερη ακρίβεια στις μετρήσεις, ρυθμίστε τον παλμογράφο σε απεικόνιση μέσης τιμής. Επαναλάβετε με την R e στη μέγιστη τιμή της. Ρυθμίστε την R e για κέρδος τάσης A = Ψαλιδισμός Υπολογίστε την τιμή της εξόδου,sat στο όριο μεταξύ ενεργού περιοχής και κορεσμού, καθώς και το κέρδος τάσης μικρού σήματος A SAT στην περιοχή κορεσμού του τρανσίστορ. Απάντηση:,SAT 1 = V, A SAT = = R c /R e 1 + R b /R e + R b /R c Ρυθμίστε την R e στη μέγιστη τιμή της. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Μετρήστε την τάση,sat και το κέρδος A SAT. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Παρατηρήστε τον ψαλιδισμό στο σήμα εξόδου Αρμονική παραμόρφωση Ρυθμίστε την R e στην ελάχιστη τιμή της. Ρυθμίστε την είσοδο για = 1 5 V. Παρατηρήστε την παραμόρφωση του σήματος εξόδου. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία FFT και μετρήστε τη συνολική αρμονική παραμόρφωση της εξόδου, η οποία ορίζεται από το λόγο της ισχύος των ανώτερων αρμονικών προς τη συνολική ισχύ του σήματος, δηλ., THD 100% = N db n=2 10An/10 N N 10 (An A1)/10 db (2) n=1 10An/10 db όπου A n είναι το πλάτος της n-οστής αρμονικής σε db. Ρυθμίστε την ελάχιστη τιμή της εισόδου για THD = 1%, η ισοδύναμα, A 2 A 1 20 db, και μετρήστε τη μέγιστη τιμή της εξόδου. Επαναλάβετε με την R e στη μέγιστη τιμή της. n=2

6 6 ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων 2.2 Ενισχυτής CC (ακόλουθος εκπομπού) Υπολογίστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος A του ενισχυτή (3), με R b = 0, υποθέτοντας ότι η dc τάση εξόδου είναι = /2. Απάντηση: A = 1 /+ /2V T = Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική - του ενισχυτή. R b (3) R e = 2N2222A, = 6 V, R b = kω, R e = 1 kω Κατασκευάστε τον ενισχυτή (3). Ρυθμίστε την R b στην ελάχιστη τιμή της. Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 0 6 V, 1 khz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας του τρανσίστορ. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την είσοδο σε = 2 4 V. Μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος για καλύτερη ακρίβεια, ρυθμίστε τον παλμογράφο σε απεικόνιση μέσης τιμής Υπολογίστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος A του ενισχυτή (3), υποθέτοντας ότι η dc τιμή της εξόδου είναι /2. Απάντηση: A = 1 /+ /2V T /+ βr e /R b /+ β/100. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Μεταβάλετε την αντίσταση R b σε όλη την κλίμακά της και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική -. Ρυθμίστε την R b στη μέγιστη τιμή της. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την είσοδο σε = 2 4 V. Μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος και υπολογίστε την παράμετρο β του τρανσίστορ. 2.3 Ενισχυτής CB Υπολογίστε το κέρδος ρεύματος μικρού σήματος A I και το κέρδος τάσης μικρού σήματος A V του ενισχυτή (4), υποθέτοντας ότι η dc τιμή της τάσης εξόδου είναι = /2. Απάντηση: A I = 1 /+ R e /2V T R c = , A V = R c /R e /+ /2V T = Σχεδιάστε τις χαρακτηριστικές I i -I o και - του ενισχυτή εξηγήστε την επίδραση της αντίστασης R c. R c I o R e R c (4) I i R e = 2N2222A, = 6 V, R e = 1 kω, R c = 0 10 kω Κατασκευάστε τον ενισχυτή (4). Ρυθμίστε την R c στη μέγιστη τιμή της. Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 4 0 V, 100 Hz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας του τρανσίστορ. Μεταβάλετε την R c σε όλη την κλίμακά της και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική -. Ρυθμίστε την R c στη μέγιστη τιμή της. Μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος.

7 Εργαστηριακές Ασκήσεις Ενισχυτής CC-CE Υπολογίστε την dc τάση εισόδου και το κέρδος τάσης μικρού σήματος A των ενισχυτών (5), για dc τάση εξόδου = /2. Απάντηση: (CE) = V BE + R b /2βR c = ( /β) V, A = /2V T /+ βr c /R b = 120 β/100 (CC-CE) V BE (2+R b /βr e )=( /β) V, A ( /2V T ) (1 /+ β(r e /+β2v T R c / )/R b ) = /+(β/100) (120 /+β). Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική - των ενισχυτών εξηγήστε την επίδραση της αντίστασης R b. R c R b R c R b T 1 T 2 T 1 (5) R e CE CC-CE T 1, T 2 = 2N2222A, = 6 V, R b = kω, R c = 1 kω, R e = 1 kω Κατασκευάστε τον ενισχυτή CE. Ρυθμίστε την R b στη μέγιστη τιμή της. Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 0 6 V, 100 Hz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας του τρανσίστορ. Μεταβάλετε την R b σε όλη την κλίμακά της. Ρυθμίστε την R b στη μέγιστη τιμή της. Μετρήστε την dc τάση εισόδου για = /2. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την είσοδο για = 2 4 V. Μετρήστε το κέρδος τάσης. Επαναλάβετε για τον ενισχυτή CC-CE. 2.5 Ενισχυτής CE-CE Υπολογίστε το κέρδος τάσης A του ενισχυτή (6), για dc τάση εξόδου = /2. Απάντηση: v c1 /v i = ( R c1 /+ β 2 (R e2 +2V T R c2 / ) ) / ( R e1 + V T R c1 /( (1 R e2 /2R c2 ) V BE ) ) = 32, v o /v c1 = R c2 /R e2 /+ /2V T = 33, A = = Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική -. R c2 Rc1 R b T 2 T 1 (6) R e1 R e2 T 1, T 2 = 2N2222A, = 6 V, R b = 1 kω, R e1 = R e2 = 220 Ω, R c1 = R c2 = 10 kω Κατασκευάστε τον ενισχυτή (6). Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 0 2 V, 100 Hz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας των τρανσίστορς. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Μετρήστε το κέρδος τάσης.

8 8 ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων 3 Ενισχυτές με MOS τρανσίστορς Ανάγνωση: SS:5.5 8, GHLM:3.3 4, Ra: Ενισχυτής CS Για το nmos τρανσίστορ, με V SB = 0, στην περιοχή κορεσμού, χρησιμοποιήστε το μοντέλο: I D = K (V GB V t ) 2, g m = 2K (V GB V t ) = 2I D V GB V t = 2 KI D, όταν V GD < V t < V GS (1) Υπολογίστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος A του ενισχυτή (2) στον κορεσμό, για dc τάση εξόδου = /2. Απάντηση: A = /( V t ) = 2K R d = 0 11 K/( ma/v 2 ). Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική - του ενισχυτή εξηγήστε την επίδραση της αντίστασης R d. R d R g (2) = CD4007, = 6 V, R g = 1 kω, R d = 0 10 kω Κατασκευάστε τον ενισχυτή (2). Οι ακροδέκτες του τρανσίστορ φαίνονται στο σχήμα Α.(3). Ρυθμίστε την R d στη μέγιστη τιμή της. Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 0 6 V (δηλ. με ελάχιστη τιμή 0 V και μέγιστη τιμή 6 V), 100 Hz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας του τρανσίστορ. Μεταβάλετε την αντίσταση R d σε όλη την κλίμακά της και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική -. Ρυθμίστε την R d στη μέγιστη τιμή της. Μετρήστε την τάση κατωφλίου V t. Μετρήστε την είσοδο για έξοδο = /2. Υπολογίστε την παράμετρο K του τρανσίστορ. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την είσοδο ώστε η έξοδος να είναι = 2 4 V και μετρήστε το κέρδος τάσης για καλύτερη ακρίβεια στις μετρήσεις, ρυθμίστε τον παλμογράφο σε απεικόνιση μέσης τιμής. Επαναλάβετε για R d = 5 kω Για το nmos τρανσίστορ, σε όλες τις περιοχές λειτουργίας, χρησιμοποιήστε το μοντέλο: I D = K (V GB nv SB V t ) 2 + K (V GB nv DB V t ) 2 + (3) όπου n είναι αριθμητική παράμετρος με τιμή 1 2 και x + είναι το θετικό μέρος του αριθμού x. Υπολογίστε την τιμή της εξόδου,tri στο όριο των περιοχών κορεσμού και τριόδου, καθώς και το κέρδος τάσης μικρού σήματος A TRI στην περιοχή τριόδου του τρανσίστορ. Απάντηση: 4n2 K R d + 1 1,TRI = 2n 2 KR d 2 n A, 1 A TRI = 2nKR d Vo 2 n 2 Ρυθμίστε την R d στη μέγιστη τιμή της. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αποσυνδέστε το υπόστρωμα του τρανσίστορ από τη γη και συνδέστε το σε αρνητική τροφοδοσία. Μετρήστε την τάση κατωφλίου = V t +(n 1) V SB για διάφορες τιμές της τάσης V SB υπολογίστε την παράμετρο n. Συνδέστε το υπόστρωμα στη γη. Μετρήστε την τάση,tri και το κέρδος A TRI Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την είσοδο για = 1 5 V. Παρατηρήστε την παραμόρφωση στο σήμα εξόδου. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία FFT. Μετρήστε τη συνολική αρμονική παραμόρφωση της εξόδου.

9 Εργαστηριακές Ασκήσεις Ενισχυτής CD (ακόλουθος πηγής) Υπολογίστε την dc τάση εισόδου και το κέρδος τάσης μικρού σήματος A του ενισχυτή (4α), για dc τάση εξόδου = 1.5 V. Απάντηση: = V t + /KR s +, A = 1 /+ 4K R s. Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική - του ενισχυτή. R g R g R s R s (4) (α) = CD4007, = 6 V, R g = 1 kω, R s = 0 10 kω Κατασκευάστε τον ενισχυτή (4α). Ρυθμίστε την R s στη μέγιστη τιμή της. Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 0 6 V, 1 khz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας του τρανσίστορ. Μετρήστε την dc τάση εισόδου για = 1.5 V. Μεταβάλετε την R s σε όλη την κλίμακά της και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική -. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την R s στη μέγιστη τιμή της. Ρυθμίστε την είσοδο για = 1 2 V. Μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος Υπολογίστε την dc τάση εισόδου και το κέρδος τάσης A του ενισχυτή (4β), για dc τάση εξόδου = 1.5 V. Απάντηση: = V t + /KR s + n, A = /n /+ 4K R s. Συνδέστε το υπόστρωμα του τρανσίστορ στη γη, όπως φαίνεται στο σχήμα (4β). Μετρήστε την dc τάση εισόδου για = 1.5 V. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την είσοδο για = 1 2 V. Μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος. 3.3 Ενισχυτής CG Υπολογίστε το κέρδος ρεύματος μικρού σήματος A I και το κέρδος τάσης μικρού σήματος A V του ενισχυτή (5), υποθέτοντας ότι η dc τιμή της τάσης εξόδου είναι = /2. Απάντηση: A I = 1 /+ R s 2KVDD /R d ), A V = R d /R s /+ 2K R d. Σχεδιάστε τις χαρακτηριστικές I i -I o και - του ενισχυτή εξηγήστε την επίδραση της αντίστασης R d. (β) R d I o R s R d (5) I i R s = CD4007, = 6 V, R s = 1 kω, R d = 0 10 kω Κατασκευάστε τον ενισχυτή (5). Ρυθμίστε την R d στη μέγιστη τιμή της. Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 4 0 V, 100 Hz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας του τρανσίστορ. Μεταβάλετε την R d σε όλη την κλίμακά της και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική -. Ρυθμίστε την R d στη μέγιστη τιμή της. Μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος.

10 10 ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων 3.4 Ενισχυτής CS με ενεργό φορτίο Υπολογίστε την dc τάση εισόδου και το κέρδος τάσης A των ενισχυτών (6), για = /2. Απάντηση: (α) = V tn + K p /K n ( V g V tp ), A = 2(V An /+V Ap ) / ( V tn ) και (β) = V tp K n /K p (V g V tn ), A = 2(V An /+V Ap ) / ( V tp ). Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική - των ενισχυτών (6), με παράμετρο την τάση πόλωσης V g. V g T p T p (6) V g (α) (β), T p = CD4007, = 6 V Κατασκευάστε τον ενισχυτή (6α). Συνδέστε πηγή τάσης στη θέση του ακροδέκτη V g. Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 0 6 V, 100 Hz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Ρυθμίστε την πηγή τάσης V g ώστε η έξοδος να είναι = 3 V όταν = 3 V. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας των τρανσίστορς. Μεταβάλετε την πηγή τάσης V g = 0 6 V και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική -. Επαναλάβετε για τον ενισχυτή (6β). Μετρήστε την τάση κατωφλίου V t και την παράμετρο K των τρανσίστορς, όπως στην παράγραφο 3.1 ή Μετρήστε την αντίσταση εξόδου r o και την τάση Early V A = r o I D, όπως στην παράγραφο Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την τάση εισόδου για = 2 4 V. Μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος. Επαναλάβετε για τον ενισχυτή (6β). 3.5 Αντιστροφέας CMOS Υπολογίστε την dc τάση εισόδου και το κέρδος τάσης μικρού σήματος A του αντιστροφέα (7α), για dc τάση εξόδου = /2. Απάντηση: = ( V tp + K n /K p V tn )/(1+ K n /K p ), A = 2(1+ K p /K n ) (V An /+V Ap ) / ( V tn ). Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική -. T p1 T p1 T p2 (7) (α) (β), T p = CD4007, = 6 V Κατασκευάστε το κύκλωμα (7α). Συνδέστε τη γεννήτρια στη θέση της εισόδου, με ημιτονικό σήμα 0 6 V, 100 Hz. Συνδέστε τα CH1 και CH2 του παλμογράφου στην είσοδο και έξοδο, αντίστοιχα. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία XY. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας των τρανσίστορς. Ρυθμίστε τον παλμογράφο σε λειτουργία YT. Ρυθμίστε την τάση εισόδου για = 2 4 V. Μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος. Επαναλάβετε για το κύκλωμα (7β).

11 Εργαστηριακές Ασκήσεις 11 4 Καθρέφτες ρεύματος και διαφορικοί ενισχυτές Ανάγνωση: SS:6.(1 2, 4 5, 7), GHLM:(3.5, 4.2 3), Ra:(4.2 4, 5.1 3). 4.1 Πηγή ρεύματος Υπολογίστε το ρεύμα I 1 των πηγών ρεύματος (1), υποθέτοντας ότι τα τρανσίστορς λειτουργούν στην ενεργό περιοχή. Απάντηση: (α) I = (V S V EB V b )/R, (β) I = (V b V BE )/R. Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική V -I των δύο υποκυκλωμάτων, με παράμετρο την τάση V b. V S V V b R b R T p I V b R b I R (1) (α) V (β) T p = 2N2907A, = 2N2222A, V S = 8 V, R b = 5 kω, R = 1 kω Κατασκευάστε το κύκλωμα (1α). Στη θέση της πηγής τάσης V b -R b τοποθετήστε το υποκύκλωμα 1.(3). Μετρήστε τη χαρακτηριστική V -I, χρησιμοποιώντας το κύκλωμα 1.(1). Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας του τρανσίστορ. Μεταβάλετε την τάση V b = 6 8 V και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική V -I. Ρυθμίστε την τάση V b για I = 1 ma όταν V = 0.6 V. 4.2 Καθρέφτης ρεύματος με διπολικά τρανσίστορς Υπολογίστε την αντίσταση μικρού σήματος R 2 του καθρέφτη ρεύματος (2), υποθέτοντας ότι τα τρανσίστορς είναι όμοια. Απάντηση: R 2 = V A /I 2. Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική V 2 -I 2. V S V S V 2 I 1 V 2 I 2 I 1 I 2 T 2 (2) T 1 T 2 T 1 R 2 (α) (β) T 1, T 2 = CA3086, V S = 8 V, R 2 = 0 1 kω Κατασκευάστε το κύκλωμα (2α). Οι ακροδέκτες των τρανσίστορς φαίνονται στο σχήμα Α.(2) χρησιμοποιήστε τρανσίστορς του ίδιου ολοκληρωμένου κυκλώματος, ώστε να είναι όμοια. Στη θέση της πηγής ρεύματος τοποθετήστε το υποκύκλωμα (1α), με I 1 = 1 ma. Μετρήστε τη χαρακτηριστική V 2 -I 2, χρησιμοποιώντας το κύκλωμα 1.(1). Μετρήστε το ρεύμα I 2 όταν V 2 = 0.6 V. Μεταβάλετε την πηγή ρεύματος I 1 και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική V 2 -I 2. Μετρήστε την αντίσταση μικρού σήματος R 2 για I 2 = 1 ma και υπολογίστε την τάση Early V A του τρανσίστορ T 2. Επαναλάβετε για I 2 = 0.5 ma και I 2 = 0.1 ma Κατασκευάστε το κύκλωμα (2β), εισάγοντας μια αντίσταση R 2, με I 1 = 1 ma. Υπολογίστε την τιμή της R 2 για I 1 /I 2 = 10. Απάντηση: R 2 = (V T /I 1 ) (I 1 /I 2 ) ln(i 1 /I 2 ) = 575 Ω. Μεταβάλετε την R 2 και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική V 2 -I 2. Ρυθμίστε την R 2 για I 2 = 0.1 ma.

12 12 ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων 4.3 Καθρέφτης ρεύματος με MOS τρανσίστορς Υπολογίστε την αντίσταση μικρού σήματος R 2 του καθρέφτη ρεύματος (3), υποθέτοντας ότι τα τρανσίστορς είναι όμοια. Απάντηση: R 2 = V A /I 2. Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική V 2 -I 2. V S I 1 V 2 I 2 T 1 T 2 (3) T 1, T 2 = CD4007, V S = 8 V Κατασκευάστε το κύκλωμα (3). Οι ακροδέκτες των τρανσίστορς φαίνονται στο σχήμα Α.(3) συνδέστε τον ακροδέκτη στη θετική τροφοδοσία V S. Στη θέση της πηγής ρεύματος τοποθετήστε το υποκύκλωμα (1α), με I 1 = 1 ma. Μετρήστε τη χαρακτηριστική V 2 -I 2, χρησιμοποιώντας το κύκλωμα 1.(1). Μετρήστε την τάση V GS1 του τρανσίστορ T 1 και το ρεύμα I 2 όταν V 2 = V GS1. Μεταβάλετε την πηγή ρεύματος I 1 και παρατηρήστε τη μεταβολή στη χαρακτηριστική V 2 -I 2. Μετρήστε την αντίσταση μικρού σήματος R 2 για I 2 = 1 ma και υπολογίστε την τάση Early V A του τρανσίστορ T 2. Επαναλάβετε για I 2 = 0.5 ma και I 2 = 0.1 ma Καθρέφτης ρεύματος cascode Υπολογίστε την αντίσταση μικρού σήματος R 2 των υποκυκλωμάτων (4), υποθέτοντας ότι τα τρανσίστορς είναι όμοια και λειτουργούν στον κορεσμό. Απάντηση: R 2 2n KV 2 A /I 1 (V A /I 1 ). Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική V 2 -I 2 του υποκυκλώματος (4α), με παράμετρο την τάση V c. V S I 1 V S V 2 I 1 I 2 V c T 1A T 2A T 2A V 2 I 2 (4) T 1 T 2 T 1 T 2 (α) (β) T 1, T 2 = CD4007, T 1A, T 2A = CD4007, V S = 8 V, I 1 = 0.1 ma Κατασκευάστε το κύκλωμα (4α). Στη θέση της πηγής ρεύματος I 1 τοποθετήστε το υποκύκλωμα (1α). Στη θέση της τάσης V c τοποθετήστε διαιρέτη τάσης μεταξύ V S και γης. Ρυθμίστε την τάση V c ώστε το T 2 να βρίσκεται σε κορεσμό. Μετρήστε τη χαρακτηριστική V 2 -I 2, χρησιμοποιώντας το κύκλωμα 1.(1). Μεταβάλετε την τάση V c και αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας των τρανσίστορς. Μετρήστε την αντίσταση μικρού σήματος R 2. Κατασκευάστε το κύκλωμα (4β). Στη θέση της πηγής ρεύματος I 1 τοποθετήστε το υποκύκλωμα (1α). Μετρήστε τη χαρακτηριστική V 2 -I 2, χρησιμοποιώντας το κύκλωμα 1.(1). Μετρήστε τα δυναμικά όλων των κόμβων. Αναγνωρίστε τις περιοχές λειτουργίας των τρανσίστορς. Μετρήστε την αντίσταση μικρού σήματος R 2.

13 Εργαστηριακές Ασκήσεις Διαφορικός ενισχυτής με διπολικά τρανσίστορς Υπολογίστε το κέρδος τάσης διαφορικού σήματος A dm = v o /(v 1 v 2 ) του ενισχυτή (5), υποθέτοντας ότι τα τρανσίστορς λειτουργούν στην ενεργό περιοχή. Απάντηση: A dm = R 2 I/4V T = 40. Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική V 1 -, με παράμετρο την τάση V 2. Υπολογίστε την αντίσταση εξόδου μικρού σήματος R o του ενισχυτή. Απάντηση: R o R 2 = 10 kω. Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική -I o για V 1 = V 2 = 2 V. V S R 2 V 1 T 1 T 2 I o V 2 (5) I T 1, T 2 = CA3086, V S = 8 V, R 2 = 10 kω, I = 0.4 ma Κατασκευάστε το κύκλωμα (5). Στη θέση της πηγής ρεύματος I τοποθετήστε το υποκύκλωμα (1β). Μετρήστε τη χαρακτηριστική V 1 -, με V 2 = 0 8 V μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος A 1 = v o /v 1, για V 2 = 2 V. Μετρήστε τη χαρακτηριστική V 2 -, με V 1 = 0 8 V μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος A 2 = v o /v 2, για V 1 = 2 V. Υπολογίστε το κέρδος τάσης διαφορικού σήματος A dm = (A 1 A 2 )/2. Μετρήστε τη χαρακτηριστική -I o, για V 1 = V 2 = 2 V, χρησιμοποιώντας το κύκλωμα 1.(1). Μετρήστε την αντίσταση εξόδου μικρού σήματος R o. 4.5 Διαφορικός ενισχυτής με MOS τρανσίστορς Υπολογίστε το κέρδος τάσης διαφορικού σήματος A dm = v o /(v 1 v 2 ) του ενισχυτή (6), υποθέτοντας ότι τα τρανσίστορς λειτουργούν στον κορεσμό. Απάντηση: A dm = 2(V An /+V Ap )/ I/2K n. Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική V 1 - με παράμετρο την τάση V 2 και τη χαρακτηριστική V 2 - με παράμετρο την τάση V 1. Υπολογίστε την αντίσταση εξόδου μικρού σήματος R o του ενισχυτή. Απάντηση: R o = 2(V An /+V Ap )/I. Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική -I o για V 1 = V 2 = 4 V. V S T 1A T 2A I o T 1 T 2 (6) V 1 V 2 I T 1, T 2 = CD4007, T 1A, T 2A = CD4007, V S = 8 V, I = 0.4 ma Κατασκευάστε το κύκλωμα (6). Στη θέση της πηγής ρεύματος τοποθετήστε το υποκύκλωμα (1β). Μετρήστε τη χαρακτηριστική V 1 -, με V 2 = 0 8 V μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος A 1 = v o /v 1, για V 2 = 4 V. Μετρήστε τη χαρακτηριστική V 2 -, με V 1 = 0 8 V μετρήστε το κέρδος τάσης μικρού σήματος A 2 = v o /v 2, για V 1 = 4 V. Υπολογίστε το κέρδος τάσης διαφορικού σήματος A dm = (A 1 A 2 )/2. Μετρήστε τη χαρακτηριστική -I o για V 1 = V 2 = 4 V, χρησιμοποιώντας το κύκλωμα 1.(1). Μετρήστε την αντίσταση εξόδου μικρού σήματος R o.

14 14 ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Α Ακροδέκτες ηλεκτρονικών εξαρτημάτων Διπολικά τρανσίστορς, όπως φαίνονται από την πάνω όψη: (1) 2N2222A 2N2907A Διάταξη διπολικών τρανσίστορς: (2) CA Διάταξη MOS τρανσίστορς: V SS p p p n n n 9 CD4007 (3)

Το διπολικό τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ 2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4 Εφόσον το τρανζίστορ ενός ενισχυτή κοινού εκπομπού πολωθεί με το σημείο Q να βρίσκεται κοντά στο μέσο της DC γραμμής φορτίου, μπορεί να συνδεθεί ένα μικρό ac σήμα στη βάση. Με αυτόν τον τρόπο, παράγεται

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση της επίδρασης

Διαβάστε περισσότερα

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ ΣΤΟΧΟΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ USH-ULL η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Εργαστηριακές Ασκήσεις Εργαστήριο 8 Τελεστικός Ενισχυτής Φ. Πλέσσας Βόλος 2015 Σκοπός Σκοπός του εργαστηρίου

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ 2 ΑΣΚΗΣΗ 1 η Μετρήσεις τάσεων και ρευμάτων με χρήση ψηφιακού πολύμετρου. Προετοιμασία: Για να πραγματοποιήσετε την άσκηση, θα πρέπει να έχετε μελετήσει τα κεφάλαια 1 και 2 του θεωρητικού

Διαβάστε περισσότερα

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία Ο Διαφορικός Ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής είναι η βαθμίδα εισόδου άμεσης σύζευξης ενός τυπικού τελεστικού ενισχυτή. Η πιο κοινή μορφή ενός διαφορικού ενισχυτή είναι ένα κύκλωμα με είσοδο δύο άκρων

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 5 ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 1 Ι. ΠΑΠΑΝΑΝΟΣ ΑΠΡΙΛΙΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 6: Η A λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Το μοντέλο μικρού σήματος του τρανζίστορ. Οι παράμετροι μικρού

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ USH-ULL ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 0.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 0.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση της

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ενότητα: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ:

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Ι η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΣΤΟΙΧΕΙΩΔΕΣ ΤΗΛΕΦΩΝΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ Εισαγωγή. Η διεξαγωγή της παρούσας εργαστηριακής άσκησης προϋποθέτει την μελέτη τουλάχιστον των πρώτων παραγράφων του

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ᄃ Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ασκήσεις Ενότητας: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής,

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5 ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5 Cascode Κυκλώματα (1/2) Χρησιμοποιούμε ένα κοινήςπύλης/βάσης τρανζίστορ για να: Βελτιώσουμε την αντίσταση εξόδου ενός άλλου τρανζίστορ. V drain Μειώσουμε το φαινόμενο Gate-to-

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ /0/0 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0 Ω, Ε kω, Β 00 kω, 4 kω, L kω, e 5 kω και 00 (α) Να προσδιορίσετε την ενίσχυση τάσης (A

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 Το διαφορικό ζεύγος Το κάτω τρανζίστορ (I bias ) καθορίζει το ρεύμα του κυκλώματος Τα δυο πάνω τρανζίστορ συναγωνίζονται γιατοποιοθαπάρειαυτότορεύμα 2 Ανάλυση

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηρίου Αναλογικών Κυκλωμάτων

Εργαστηρίου Αναλογικών Κυκλωμάτων 1/13/2014 Αναφορά Εργαστηρίου Αναλογικών Κυκλωμάτων Διδάσκων: Πλέσσας Φώτιος Ομάδα Φοιτητών: Ζήνδρος Γεώργιος ΑΕΜ: 938 mail: zindros@inf.uth.gr Ζωγραφόπουλος Γιάννης ΑΕΜ: 934 mail: zografop@inf.uth.gr

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων. Εργαστηριακή Αναφορά ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΑΠΛΗΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗΣ ΒΑΘΜΙΔΑΣ

ΗΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων. Εργαστηριακή Αναφορά ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΑΠΛΗΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗΣ ΒΑΘΜΙΔΑΣ ΗΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστηριακή Αναφορά ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΑΠΛΗΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗΣ ΒΑΘΜΙΔΑΣ Ονοματεπώνυμο: Ο Πιο Καλός Ο Μαθητής Αριθμός Ομάδας: 13 Αριθμός Ταυτότητάς: 131313

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

«Ενισχυτές με διπολικό transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ (Μάθημα 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο ) 1/23 11 o εργαστήριο Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ 2/23 11 o εργαστήριο Στατικές χαρακτηριστικές

Διαβάστε περισσότερα

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΤΟΧΟΙ 4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός ενισχυτή δύο βαθμίδων με άμεση σύζευξη η εύρεση της περιοχής

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 Ενισχυτές ενός τρανζίστορ Ο στόχος αυτής της παρουσίασης είναι 1. Μελέτη των χαρακτηριστικών ενός ενισχυτή 2. Ανάλυση του ενισχυτή χρησιμοποιώντας ωμικά φορτία 2 Χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος hevenin Απόκριση στο πεδίο της συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητες γνώσεις

ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητες γνώσεις ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητες γνώσεις Φίλτρα RC Τα φίλτρα RC είναι από τις σπουδαίες εφαρμογές των πυκνωτών. Τα πιο απλά φίλτρα αποτελούνται από έναν πυκνωτή και μία αντίσταση σε σειρά. Με μια διαφορετική ματιά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού

Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού Θεωρητική Ανάλυση: Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού 1. Κατασκευάστε έναν ενισχυτή κοινού εκπομπού, όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα με κέρδος τάσης -10, ο οποίος να τροφοδοτείται από τάση VCC=+12V και να εμφανίζει

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Παθητικά στοιχεία αποθήκευσης ενέργειας Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 978-960-93-7110-0 κωδ.

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η Εργαστηριακές Ασκήσεις Γεώργιος Τσιατούχας Ιωάννινα 2017 VLSI Systems and Computer Architecture Lab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Ο Τελεστικός

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G). ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ ΣΤΟΧΟΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ η κατανόηση της αρχής λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Iστορική Αναδρομή 1964 Ο Bob Widlar σχεδιαζει το πρώτο ΤΕ: τον 702. Μόνο 9 transistors, απολαβή OL: 1000 Πολύ ακριβός : $300 per

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017 ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013 ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: Β 90 kω, C kω, Ε E kω, kω, V CC V, V B 0.70 V και Ι Β 0 μα. Επίσης, για τα δύο τρανζίστορ του ενισχυτή δίνονται: β h e h e 00 και h

Διαβάστε περισσότερα

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να 9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).

Διαβάστε περισσότερα

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής

Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής Ανάλυση Κυκλωμάτων Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Εισαγωγή Οι εξαρτημένες πηγές είναι πολύ ενδιαφέροντα ηλεκτρικά στοιχεία, αφού αποτελούν αναπόσπαστα στοιχεία

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο (FET FET) Ι Κεφάλαια 4 ο και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το MOS τρανζίστορ σε ενισχτές. Ενισχτής

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο 5 ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής 1/33 Αλκης Χατζόπουλος - Eργαστήριο Ηλεκτρονικής Τμ.Η.Μ.Μ.Υ. Α.Π.Θ. 5 ο εξάμηνο 1. Διαφορικός

Διαβάστε περισσότερα

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή Α ΕΞΑΜΗΝΟ ΣΠΟΥΔΩΝ α/α Τίτλος Μαθήματος Ωρες Διδασκαλίας ΣΥΝΟΛΟ Θεωρία Ασκ. Πράξης Εργαστ. 1 Μαθηματικά Ι 4 3 1 0 2 Φυσική 6 3 1 2 3 Η//N Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 6 Θεώρημα Thevenin Λευκωσία, 2010 Εργαστήριο 6 Θεώρημα Thevenin Σκοπός: Σκοπός

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5: Πολυβάθμιοι ενισχυτές Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr)

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr) vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, 24-1-5, 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr) Θέµα 1A: 3/1 Στο κύκλωµα του παραπλεύρως σχήµατος το σήµα εισόδου έχει πλάτος 1 V και συχνότητα 1 khz.

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ᄃ Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ασκήσεις Ενότητας: Ταλαντωτές και Πολυδονητές Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 7. Κυκλώματα με Διπολικά Τρανζίστορ Επαφής σε Γραμμική Λειτουργία - Ενισχυτές

Κεφάλαιο 7. Κυκλώματα με Διπολικά Τρανζίστορ Επαφής σε Γραμμική Λειτουργία - Ενισχυτές Κεφάλαιο 7. Κυκλώματα με Διπολικά Τρανζίστορ Επαφής σε Γραμμική Λειτουργία - Ενισχυτές Σύνοψη Το κεφάλαιο αυτό αποτελεί ουσιαστικά τη λογική συνέχεια του προηγούμενου και εξετάζεται το διπολικό τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής T.E.. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ιδάσκων και ώρες / αίθουσα διδασκαλίας ιδάσκων: Λάμπρος Μπισδούνης Γραφείο: Εργαστήριο Ηλεκτρονικών, ος όροφος Σ.Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn. Τρανζίστορ FT 3. Πόλωση των FT - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FT 5. Διπολικό τρανζίστορ (JT) 6. Πόλωση των JT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με

Διαβάστε περισσότερα

HY:536 Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας

HY:536 Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας HY:536 Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr Περιγραφή Σκοπός είναι η εμπέδωση της θεωρίας που διδάχθηκε στο Η/Υ 335 με πρακτική εξάσκηση Επίσης στο

Διαβάστε περισσότερα

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή V o g S o ( R r ), m Επειδή β, είναι Τ V,. Το κέρδος κλειστού βρόχου υπολογίζεται ως Vf, 0,957, Η αντίσταση εισόδου είναι ίση µε ΜΩ. Η αντίσταση εξόδου είναι z o 5 k 40k 4, 44kΩ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

6 η ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

6 η ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 6 η ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 6 ης ενότητας Στην έκτη ενότητα, θα μελετήσουμε τον τελεστικό ενισχυτή,

Διαβάστε περισσότερα

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες 5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες 5. Περιοχή γραμμικής ενισχυτικής λειτουργίας του τρανζίστορ Στην προηγούμενη ενότητα μελετήσαμε την πόλωση του τρανζίστορ σε ένα σταθερό σημείο λειτουργίας,

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο Εργαστηριακή Άσκηση 4: Πειραματική μελέτη συστημάτων διαμόρφωσης συχνότητας (FΜ) Δρ.

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 0V, V E 0.7 V, kω, 00 kω, kω, 0 kω, β h e 00, h e.5 kω. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (I, V E ) του τρανζίστορ. (β)

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Γενικά Περιεχόμενα 1 Γενικά 2 Διαφορικός

Διαβάστε περισσότερα

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../. A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Τα FET οδηγούνται με την τάση u GS ενώ τα BJT με το ρεύμα i B Μηχανισμός ενίσχυσης Για το FET η σχέση

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Περιληπτικές σημειώσεις ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4: Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2 Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Ιδανικός διακόπτης ΙΔΑΝΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΠΡΑΓΜΑΤΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ενισχτές Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VSI Technlgy and Cmputer rchtecture ab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Ενισχτές 2. Κέρδος τάσης, ρεύματος,

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 20.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 20.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7: Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα

Διαβάστε περισσότερα