ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ. Ι. Γενικά

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ. Ι. Γενικά"

Transcript

1 ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι. Γενικά Μέχρι τις αρχές της δεκαετίας του 60 τα ηλεκτρικά κυκλώµατα των διαφόρων εφαρµογών περιείχαν λυχνίες είτε στοιχεία ηµιαγωγών τα οποία ήσαν ενεργητικά (πηγές, ενισχυτές, ανορθωτές κ.α.) ή παθητικά (διατάξεις κατανάλωσης ή αποθήκευσης ηλεκτρικής ενέργειας στους πυκνωτές αντικατάστασης κ.α.). Ένα βασικό χαρακτηριστικό ήταν ο διακριτός χαρακτήρας των διαφόρων στοιχείων τα οποία συνδέονται µεταξύ τους µε αγωγούς ή αγώγιµες διασυνδέσεις (στην περίπτωση των τυπωµένων σε πλακέτα κυκλωµάτων). Τα κυκλώµατα αυτά ονοµάζονται κυκλώµατα διακριτών (discrete) στοιχείων και αποτελούν τη βάση της συµβατικής Ηλεκτρονικής. Από τις αρχές της δεκαετίας του 60 τα κυκλώµατα διακριτών στοιχείων άρχισαν να αντικαθίστανται από τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα (integrated circuits) τα οποία περιέχουν όλα τα στοιχεία τους καθώς και τις αγώγιµες διασυνδέσεις πάνω σε λεπτά στρώµατα της επιφάνειας µικρού τµήµατος µονοκρυσταλλικού ηµιαγωγού (κυρίως Si ) έτσι ώστε να µην είναι δυνατός ο διαχωρισµός ή η αντικατάσταση των στοιχείων. Το τµήµα αυτό του ηµιαγωγού, µε επιφάνεια µικρότερη από 1 mm 2 και πάχος από µm, ονοµάζεται chip (ψηφίδα), όρος που έχει κυριαρχήσει στη σύγχρονη ηλεκτρονική τεχνολογία. Στο σχήµα 1α φαίνεται ένα συµβατικό κύκλωµα διακριτών στοιχείων που περιλαµβάνει αντίσταση πυκνωτή, δίοδο και τρανζίστορ και στο 1β η κατασκευή του σε ολοκληρωµένη µορφή, όπου όλα τα στοιχεία του καθώς και οι αγώγιµες διασυνδέσεις περιέχονται στην επιφάνεια (βάθους µερικών µm) ενός chip πυριτίου. Σχήµα 1. Κύκλωµα σε συµβατική και ολοκληρωµένη µορφή Η ανάπτυξη κυκλωµάτων σε ολοκληρωµένη µορφή έφερε µία πραγµατική επανάσταση στην Τεχνολογία της Ηλεκτρονικής στο τέλος της δεκαετίας του 60 ήταν δυνατή η κατασκευή αρκετά πολύπλοκων κυκλωµάτων µε ενεργητικά και παθητικά στοιχεία και διασυνδέσεις πάνω σ ένα chip. Στη σηµερινή εποχή µε τη βοήθεια της τεχνολογίας ολοκληρωµένων κυκλωµάτων είναι δυνατή και η κατασκευή υποσυστηµάτων και συστηµάτων κυκλωµάτων πάνω σ ένα chip.

2 2 Η µεγάλη ώθηση στην τεχνολογία των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων έγινε στις αρχές της δεκαετίας του 60 µε την ανάπτυξη της επιπεδικής κατασκευαστικής τεχνικής (planar process). Με βάση την τεχνική αυτή χρησιµοποιήθηκε η είσοδος προσµίξεων µε διάχυση, µέσα σε δισκίδιο (wafer) ηµιαγωγού, µέσω επιλεγµένων περιοχών της επιφάνειάς του µε τη βοήθεια των κατάλληλων µασκών. Με τον τρόπο αυτό έγινε δυνατή η επίτευξη της επιθυµητής συγκέντρωσης προσµίξεων σε περιοχές του ηµιαγωγού, η κατασκευή των στοιχείων του κυκλώµατος και η δηµιουργία των αγώγιµων διασυνδέσεων στην ίδια επιφάνεια του δισκιδίου. Με την τεχνική αυτή µέσα από διαδοχικά κατασκευαστικά στάδια έγινε δυνατή η ταυτόχρονη κατασκευή πολλαπλών στοιχείων και διατάξεων. Το σηµαντικό αυτό πλεονέκτηµα είχε σαν αποτέλεσµα την µαζική κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων µε διαστάσεις που συνεχώς µικραίνουν και πυκνότητα στοιχείων που αυξάνει ραγδαία µε σηµαντική µείωση του κόστους κατασκευής. Άλλα πλεονεκτήµατα είναι η µικρή κατανάλωση ισχύος, η µεγάλη αξιοπιστία τους καθώς και η µεγάλη ταχύτητα απόκρισης, παράγοντες που ευνοούν την ευρεία χρήση των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων σε διατάξεις των Η/Υ (µικροεπεξεργαστές, µνήµες κ.α.), σε τηλεπικοινωνιακές εφαρµογές, αυτοµατισµούς κ.α. Μειονεκτήµατα των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων µπορούν να θεωρηθούν η αδυναµία επέµβασης ή επισκευής στο κύκλωµα, η πολυπλοκότητα των κατασκευαστικών βηµάτων καθώς και οι ειδικές εγκαταστάσεις (καθαροί χώροι), µε εξοπλισµό υψηλού κόστους, που απαιτούνται για την κατασκευή τους. Τα µειονεκτήµατα αυτά όµως αντισταθµίζονται από τη δυνατότητα µαζικής παραγωγής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων σε µικρό χρονικό διάστηµα. Η πυκνότητα (κλίµακα) ολοκλήρωσης (scale of integration) που συνήθως εκφράζεται σε αριθµό στοιχείων ανά chip καθώς και το ελάχιστο µήκος στοιχείου ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος, είναι δύο χαρακτηριστικά «ανταγωνιστικά» µεγέθη που αποτυπώνουν την εξέλιξη της τεχνολογίας των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων τις τελευταίες δεκαετίες. Έτσι στις αρχές της δεκαετίας του 60 τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα µικρής κλίµακας (SSI: small scale of integration) περιείχαν απο στοιχεία ανά chip, µε ελάχιστο µήκος 30-40µm. Στο τέλος της δεκαετίας του 70 η πυκνότητα έφθασε στα επίπεδα του στοιχεία ανά chip (MSI : medium scale of integration) αργότερα έγινε στοιχεία (LSI: large scale of integration). Προς το τέλος της δεκαετίας του 80 η πυκνότητα έγινε στοιχεία ανά chip (VLSI : very large scale of integration ) µε ελάχιστο µήκος µικρότερο από 1µm (υποµικρονική τεχνολογία) ενώ στο τέλος της δεκαετίας του 90 εως σήµερα η πυκνότητα κυµαίνεται στα επίπεδα των στοιχείων ανά chip (ULSI : ultra large scale of integration). Μάλιστα στις αρχές της νέας χιλιετίας οι βιοµηχανίες των ηµιαγωγών ξεκίνησαν την παραγωγή των λεγόµενων nanochips, κυκλωµάτων δηλαδή, µε χαρακτηριστικές διαστάσεις µικρότερες από 100 nm.οι απαιτήσεις για αύξηση της πυκνότητας ολοκλήρωσης και µείωσης του κόστους έδωσαν εντυπωσιακή ώθηση, τα τελευταία χρόνια, στην ταχύτητα µείωσης των διαστάσεων.. Στο σχήµα 2 δίνεται µια σχηµατική παράσταση µαζικής κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων µε βάση την επιπεδική τεχνική όπου φαίνεται και η συγκριτική σµίκρυνση στοιχείων του ολοκληρωµένου κυκλώµατος.

3 3 Σχήµα 2. Σχηµατική παράσταση επιπεδικής τεχνικής Τα τελευταία χρόνια είµαστε µάρτυρες µιας συνεχούς και εκτεταµένης ανάπτυξης της µικροηλεκτρονικής και συγκεκριµένα της τεχνολογίας CMOS.. Βασικό στοιχείο αυτής της ανάπτυξης είναι η συνεχής σµίκρυνση των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων ως αποτέλεσµα των απαιτήσεων για ηλεκτρονικές διατάξεις υψηλότερων επιδόσεων, χαµηλότερης κατανάλωσης ισχύος και µειωµένου κόστους. Η πρόοδος αυτή επαληθεύει κατά κάποιο τρόπο την πρόβλεψη που έκανε το 1965, ακριβώς 4 χρόνια µετά την ανακάλυψη του πρώτου επίπεδου ολοκληρωµένου κυκλώµατος, ο Gordon Moore (συνιδρυτής της Intel και νυν επίτιµος πρόεδρός της), σύµφωνα µε την οποία, ο αριθµός των τρανζίστορ ανά ολοκληρωµένο κύκλωµα θα διπλασιάζεται κάθε περίπου 18 µήνες. Η πρόβλεψη αυτή έµεινε γνωστή ως «νόµος του Moore». Χαρακτηριστικό παράδειγµα αυτής της προόδου αποτελεί η Intel: Στις αρχές της δεκαετίας του 1970, στις συσκευές της υπήρχαν µερικά εκατοντάδες τρανζίστορ ανά chip. Στον επεξεργαστή Pentium IV που βγήκε στην αγορά το 2000 υπήρχαν 42 εκατοµµύρια τρανζίστορ, ο πιο πρόσφατος Itanium 2 αποτελείται από 410 εκατοµµύρια τρανζίστορ, ενώ τελευταία η εταιρία κατασκεύασε έναν µικροεπεξεργαστή µε 1.7 δισεκατοµµύρια τρανζίστορ. Πριν µερικά χρόνια (12 ος /2000) η ΙΝΤΕLανεκοίνωσε την κατασκευή, σε ερευνητικό επίπεδο, transistor MOSFET µε ελάχιστο µήκος 30nm και πάχος που αντιστοιχεί σε 3 ατοµικά στρώµατα Σε αυτούς τους ρυθµούς κινούνται και οι υπόλοιπες εταιρίες του κλάδου (IBM, AMD, Philips κ.τ.λ.), αφού έτσι ικανοποιείται το αίτηµα για µείωση του κόστους εξαιτίας του γεγονότος ότι πλέον χωράνε πολύ περισσότερα τρανζίστορ σε ένα και µόνο chip. Η Τεχνολογία της Ηλεκτρονικής που ασχολείται µε τη µοντελοποίηση, σχεδιασµό, κατασκευή και αξιοπιστία των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων καλείται Μικροηλεκτρονική Τεχνολογία. Σαν κλάδος της Μικροηλεκτρονικής θα µπορούσε

4 4 σήµερα να θεωρηθεί η Νανοηλεκτρονική Τεχνολογία που πραγµατεύεται την ανάπτυξη διατάξεων και κυκλωµάτων διαστάσεων νανοκλίµακας όπως προαναφέραµε. εν θα πρέπει να παραλειφθεί ο κλάδος της έρευνας των νέων Υλικών για την κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων µε µεγαλύτερη ταχύτητα και πυκνότητα ολοκλήρωσης Σχήµα 3. Εξέλιξη της πυκνότητας transistor ανά ολοκληρωµένο κύκλωµα Τύποι ολοκληρωµένων κυκλωµάτων Η ταξινόµηση των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων µπορεί να γίνει είτε µε βάση την κατασκευαστική διαδικασία και τη δοµή τους είτε µε βάση το λειτουργικό τους ρόλο στις διάφορες εφαρµογές. Έτσι µπορούµε να πούµε ότι τα κυκλώµατα, που προαναφέραµε, µε όλα τα στοιχεία τους και τις διασυνδέσεις κατασκευασµένα στο ίδιο τµήµα µονοκρυσταλλικού Si µέσα σε βάθος µερικών µικρών, αποκαλούνται και µονολιθικά ολοκληρωµένα κυκλώµατα. Υπάρχουν όµως και ολοκληρωµένα κυκλώµατα των οποίων όλα τα στοιχεία και οι αγώγιµες διασυνδέσεις κατασκευάζονται µέσα σε λεπτά στρώµατα υλικών (πάχους µερικών µm) που έχουν εναποτεθεί πάνω σε µονωτικά υποστρώµατα (γυαλί, Al 2 O 3, SiO 2, κεραµικά κ.α.). Τα κυκλώµατα αυτά αποκαλούνται κυκλώµατα λεπτών στρωµάτων (thin films). Συνδυασµός των δύο πιο πάνω κατηγοριών ολοκληρωµένων κυκλωµάτων είναι τα υβριδικά κυκλώµατα καθώς και τα κυκλώµατα πολλαπλών chip (multi chip) µε τα οποία είναι δυνατή η κατασκευή ενός ηλεκτρονικού υποσυστήµατος. Η πλειονότητα των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων στις διάφορες εφαρµογές είναι µονολιθικού τύπου λόγω των σηµαντικών οικονοµικών τους πλεονεκτηµάτων. Τέλος ταξινοµώντας τα

5 5 ολοκληρωµένα κυκλώµατα µε βάση το λειτουργικό τους ρόλο σ ένα σύστηµα διακρίνουµε τα αναλογικά και τα ψηφιακά. 2. Ανάπτυξη κρυσταλλικού Si Eισαγωγή Όπως προαναναφέραµε, η κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων (Ο.Κ.) υψηλών επιδόσεων και πυκνότητας ολοκλήρωσης βασίζεται στην χρησιµοποίηση ηµιαγώγιµων µονοκρυσταλλικών δισκιδίων (wafers) υψηλή ποιότητας. Οι πρώτες κρυσταλλικές διατάξεις (δεκαετία 50) κατασκευάσθηκαν µε Ge, το οποίο όµως, λόγω της χαµηλής θερµοκρασίας λειτουργίας και του προβληµατικού του οξειδίου αντικαταστάθηκε σύντοµα από το Si. Το Si παρουσιάζει σηµαντικά πλεονεκτήµατα (υψηλή θερµοκρασία λειτουργίας,πολύ καλό οξείδιο, χαµηλό κόστος κ.α.) τόσο έναντι του Ge ότι και έναντι των άλλων ηµιαγωγών (βλέπε πίνακα 1). Πίνακας 1 Συγκριτικά στοιχεία µεταξύ Si και Ge Ηµιαγωγός E g (ev) Θερµοκρασία Θερµικό Ενδογενής Κόστος λειτουργίας οξείδιο αντίσταση Si Πολύ καλό 230 kω cm 1 Ge Κακό 47 Ω cm 10 Σήµερα, το 95% περίπου της παγκόσµιας παραγωγής Ο.Κ. χρησιµοποιεί σαν βάση το Si ενώ η χρήση του GaAs, αν και παρουσιάζει σηµαντικό ενδιαφέρον, περιορίζεται σε µικρή κλίµακα κυκλωµάτων λόγω των δυσεπίλυτων τεχνολογικών προβληµάτων που ανεβάζουν σηµαντικά το κόστος. Στο κεφάλαιο αυτό θα περιγραφούν συνοπτικά οι τεχνολογικές διαδικασίες για την παρασκευή κρυσταλλικών δισκιδίων Si ξεκινώντας από πρώτη ύλη χαλαζία (SiO 2 ) ή άµµο. Σχηµατικό διάγραµµα φαίνεται στο σχήµα 4.

6 6 Πρώτη ύλη Μεταλλουργικό Si Ηλεκτρονικό Si Κρυσταλλικό Si ισκίδια Si Μορφοποιηµένα ισκίδια Si Σχήµα 4. Σχηµατικό διάγραµµα διαδικασίας παραγωγής κρυσταλλικού Si 2.1. Παρασκευή πυριτίου ηλεκτρονικού τύπου (EGS) Για την παρασκευή µονοκρυσταλλικών δισκιδίων Si, ως πρώτη ύλη χρησιµοποιείται πολυκρυσταλλικό Si υψηλής καθαρότητας (> 99%) το οποίο καλείται: Ηλεκτρονικό πυρίτιο (Electronic Grade Si: EGS). Η παρασκευή του EGS απαιτεί διαδοχικά στάδια καθαρισµού του υλικού ξεκινώντας από την αρχική πρώτη ύλη χαλαζία (SiO 2 ). Τα στάδια αυτά συνοψίζονται ως εξής: α) Παρασκευή πυριτίου µεταλλουργικού τύπου (MGS). Γίνεται σε φούρνους ηλεκτρικού τόξου µε αρχικά υλικά χαλαζία και άνθρακα σύµφωνα µε τη συνολική αντίδραση: SiC (στερεό) +SiO 2 (στερεό) Si (υγρό) + SiO (αέριο) + CO (αέριο) Το µεταλλουργικό Si δεν είναι ικανοποιητικό για την κατασκευή ηλεκτρονικών διατάξεων καθώς η καθαρότητά του δεν ξεπερνά το 98%, γι' αυτό ακολουθεί νέο στάδιο καθαρισµού.

7 7 β) Παρασκευή τριχλωροσιλάνης SHCl 3 µε επίδραση HCl σε κονιορτοποιηµένη Si σύµφωνα µε την αντίδραση: Si (στερεό) +3 HCl (αέριο) SiHCl 3 (αέριο) + Η 2 (αέριο) γ) Παρασκευή ηλεκτρονίων Si υψηλής καθαρότητας. Από το αέριο SiHCl 3, µε τη µέθοδο της χηµικής εναπόθεσης από αέρια φάση (ΧΕΑ ή CVD), παρασκευάζεται το ηλεκτρονικό πυρίτιο (EGS) υψηλής καθαρότητας σύµφωνα µε την αντίδραση: 2 SiHCl 3 (αέριο) + 2 Η 2 (αέριο) Si (στερεό) + 6 HCl (αέριο) Απλούστερη διαδικασία και χαµηλότερου κόστους, είναι η µέθοδος της χηµικής εναπόθεσης από αέρια φάση (CVD) κατά την οποίο το EGS παρασκευάζεται από πυρόλυση της σιλάνης SiH 4 σε υψηλή θερµοκρασία (~1000 C): SiH 4 (αέριο) θ Si (στερεό) + 2 Η 2 (αέριο) 2.2. Ανάπτυξη µονοκρυσταλλικού πυριτίου Το ηλεκτρονικό πυρίτιο (EGS) που παρασκευάζεται µε τη µέθοδο που αναπτύχθηκε προηγουµένως έχει πολυκρυσταλλική δοµή, αποτελείται δηλαδή από πολλές µικρές κρυσταλλικές περιοχές (κόκκους) µε αποτέλεσµα τη µειωµένη ευκινησία των ελευθέρων φορέων. Για την κατασκευή ηµιαγώγιµων διατάξεων ή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων είναι απαραίτητη η παραγωγή µονοκρυσταλλικού Si µε προκαθορισµένη συγκέντρωση και τύπο προσµίξεων (n ή p) σε µορφή δισκιδίων που αποτελούν την πρώτη ύλη των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Οι χρησιµοποιούµενες τεχνικές εξασφαλίζουν υψηλή ποιότητα κρυσταλλικού Si κυρίως σε µορφή ράβδων ή λεπτών στρωµάτων σε επιλεγµένα υποστρώµατα. Σηµαντικότερες µέθοδοι κρυσταλλικής ανάπτυξης είναι: η µέθοδος Czochralski, µε την οποία παράγεται το µεγαλύτερο ποσοστό (~98%) του χρησιµοποιούµενου Si από τη βιοµηχανία των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων, καθώς επίσης και η µέθοδος τηγµένης ή κινητής ζώνης (float zone). Για την ανάπτυξη λεπτών κρυσταλλικών στρωµάτων (επιταξίες) χρησιµοποιούνται επιταξιακές µέθοδοι εναπόθεσης (CVD, MBE κ.α.). (α) Μέθοδος Czochralski Ή µέθοδος αυτή βασίζεται στη στερεοποίηση λειωµένου πολυκρυσταλλικού Si µε τη βοήθεια οδηγού µονοκρυστάλλου ή σπόρου που τοποθετείται στο άκρο ενός βραχίονα (puller). Ο οδηγός βυθίζεται µέσα στο τήγµα και µε τη βοήθεια του βραχίονα σύρεται και ταυτόχρονα περιστρέφεται µε σταθερές ταχύτητες παρασύροντας µε αυτόν τον τρόπο µία στερεοποιούµενη µάζα µονοκρυσταλλικού Si σε µορφή κυλινδρικής ράβδου (σχήµα 5).

8 8 Puller Παράθυρο Οδηγός Κρύσταλλος Θερµαντικό στοιχείο Σχήµα 5. ιάταξη κρυσταλλικής ανάπτυξης µε την τεχνική Czochralski Η διάταξη αποτελείται επίσης από δοχείο πορσελάνης ή χαλαζία µέσα στο οποίο τοποθετείται το πολύ-si. Το δοχείο τοποθετείται σε υποδοχέα γραφίτη και το όλο σύστηµα φέρεται µέσα σε θάλαµο µε ατµόσφαιρα αδρανούς αερίου (Ar, N 2 ) σε πιέσεις από 1 έως 50 Torr. Η αναγκαία θέρµανση για την τήξη του Si παρέχεται είτε µέσω θερµαντικής αντίστασης είτε µέσω επαγωγικού πηνίου RF. Οι επιθυµητές προσµίξεις (dopants), που θα καθορίσουν τον τύπο και τη αγωγιµότητα του κρυστάλλου, µπορεί να εισαχθούν υπό µορφή σκόνης κατά τη διάρκεια της τήξης του πολυκρυσταλλικού Si. Πλεονεκτήµατα της µεθόδου είναι το χαµηλό κόστος, η παραγωγή κρυσταλλικού Si χωρίς ατέλειες και εξαρθρώσεις καθώς επίσης και η επιλογή διαµέτρων των ράβδων που κυµαίνονται από 75 έως 150 mm. Μειονέκτηµα της µεθόδου αποτελεί η εισαγωγή Ο 2, προερχόµενου από το δοχείο χαλαζία, που επηρεάζει την αγωγιµότητα και άλλες ηλεκτρικές παραµέτρους του κρυστάλλου. (β) Μέθοδος κινητής ζώνης Για την παραγωγή Si υψηλής καθαρότητας µε αντιστάσεις kω cm και εφαρµογές σε ειδικές διατάξεις (ισχύος, ανιχνευτές κ.α.) χρησιµοποιείται κυρίως η τεχνική της τηγµένης ζώνης (float zone). Η διάταξη που χρησιµοποιείται για το σκοπό αυτό περιλαµβάνει σύστηµα κατακόρυφης κίνησης και περιστροφής όπου είναι στερεωµένη µία ράβδος πολύ-si η οποία στο κάτω µέρος της φέρει στερεωµένο µικρό µονοκρυσταλλικό οδηγό (σχήµα 6). Η ράβδος εισάγεται περιστροφικά µέσα σε µία θερµαινόµενη (συνήθως µε πηγή RF) στενή ζώνη, µε µικρή ταχύτητα, έτσι ώστε η µάζα που εισέρχεται στην θερµαινόµενη περιοχή τήκεται και στερεοποιείται καθώς εξέρχεται από αυτή. Επειδή η µάζα που τήκεται αρχικά είναι σε επαφή µε τον κρυσταλλικό οδηγό, κατά τη στερεοποίησή της, κρυσταλλώνεται στην κρυσταλλική διεύθυνση του οδηγού. Το ίδιο συµβαίνει και µε την υπόλοιπη µάζα µε τελικό αποτέλεσµα τη µετατροπή του

9 9 πολυκρυσταλλικού Si σε µονοκρυσταλλικό. Λόγω της πτητικότητας των προσµίξεων, στην τηγµένη ζώνη του Si, κάθε πέρασµα της ράβδου από την περιοχή αυτή έχει σαν αποτέλεσµα τη µείωση της περιεκτικότητας του κρυστάλλου σε προσµίξεις. Έτσι, η µέθοδος χρησιµοποιείται και για την παραγωγή κρυσταλλικού Si υψηλής καθαρότητας. Πολύ-Si RF Θέρµανση τηγµένη ζώνη Μονοκρύσταλλος Si Holder Κρυσταλλικός οδηγός Σχήµα 6. Ανάπτυξη κρυσταλλικού Si µε την µέθοδο κινητής ζώνης (float zone) Μειονεκτήµατα της µεθόδου είναι το υψηλό κόστος της σε σχέση µε την τεχνική Czochralski και η ανοµοιογένεια στην τιµή της αντίστασης λόγω µεγάλων θερµοκρασιακών διακυµάνσεων κατά τη διάρκεια της παρασκευής. Τέλος, σε εφαρµογές που απαιτούν υψηλή οµοιογένεια προσµίξεων και µεγάλη επιφάνεια chip χρησιµοποιείται η µέθοδος ακτινοβόλησης του Si µε νετρόνια και µετατροπή ενός µέρους του σε φώσφορο (µεταστοιχείωση) µε τελικό προϊόν n-si σύµφωνα µε την αντίδραση: Si νετρ όνια Si + γ + β P Εναπόθεση επιταξιακών στρωµάτων

10 10 Αναφέρεται και σαν επίταξη ή επιταξιακή ανάπτυξη και χρησιµοποιείται ευρέως στην κατασκευή των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Είναι η διαδικασία κατά την οποία ένα λεπτό κρυσταλλικό στρώµα εναποτίθεται πάνω σε ένα επίσης λεπτό κρυσταλλικό υπόστρωµα, ίδιας κρυσταλλικής δοµής, το οποίο στην περίπτωση αυτή παίζει τον ρόλο του κρυστάλλου οδηγού. Οι επιταξιακές µέθοδοι διακρίνονται σε χηµικές, κατά τις οποίες οι πρώτες ύλες είναι διαφορετικές από το τελικό προϊόν λεπτό στρώµα και σε φυσικές, κατά τις οποίες το αρχικό και το τελικό υλικό είναι της ίδιας φύσης αλλά διαφορετικής δοµής. Οι επιταξίες διακρίνονται σε οµοεπιταξίες όταν το λεπτό στρώµα και το υπόστρωµα είναι από το ίδιο υλικό και σε ετεροεπιταξίες όταν τα δύο υλικά είναι διαφορετικά. Η χηµική εναπόθεση ατµών (XEA) ή CVD από τα αρχικά: Chemical Vapor Deposition, λαµβάνει χώρα σε ειδικούς αντιδραστήρες (σχήµα 7) και συνίσταται σε πυρόλυση ή χηµική αντίδραση των προδρόµων υλικών (πρώτες ύλες) σε υψηλές θερµοκρασίες (άνω των 1000 C) του υποστρώµατος έτσι ώστε τα προϊόντα των αντιδράσεων, ατµοί Si, να εναποτίθενται στο κρυσταλλικό υπόστρωµα. N 2 H 2 HCl Dopant SiCl 4 a. b. c. Σχήµα 7. Τύποι αντιδραστήρων χηµικής εναπόθεσης αερίων. a: οριζόντιας ροής, b: κατακόρυφης µε θέρµανση RF πηγής, c: κατακόρυφης µε θέρµανση από ακτινοβολία Τα πρόδροµα υλικά-αέρια που χρησιµοποιούνται για την εναπόθεση επιταξιακού Si είναι ενώσεις του Si όπως: SiCl 4, SiΗ 4, SiCl 2 Η 2, SiCl 3 Η κ.α. Οι χλωριούχες ενώσεις του Si αποσυντίθενται µε την αναγωγή του µε H 2 : 2 SiCl 4 (αέριο) + 2 Η 2 (αέριο) Si (στερεό) + 4 HCl (αέριο) Στην περίπτωση σιλάνης SiΗ 4 γίνεται πυρόλυση στους 1200 C ως εξής: SiH 4 (αέριο) C 1200 Si (στερεό) + 2 Η 2 (αέριο)

11 11 Τα υποστρώµατα τοποθετούνται εντός του αντιδραστήρα από χαλαζία, σε πλάκες γραφίτη, ενώ η θέρµανση γίνεται µε RF πηγές ή µε θερµαντικές αντιστάσεις ή µε ακτινοβολία από λαµπτήρες. Η ποιότητα και οι ιδιότητες των επιταξιακών στρωµάτων εξαρτώνται από τις συνθήκες εναπόθεσης, όπως θερµοκρασία υποστρώµατος, ροή αερίων, πίεση, χρόνος εναπόθεσης, γεωµετρία υποστρώµατος κ.α. Η εισαγωγή προσµίξεων γίνεται µέσω αερίων ενώσεων που διοχετεύονται στον αντιδραστήρα παράλληλα µε τις πηγές του Si µε την κατάλληλη στοιχειοµετρία. Συνηθέστερες πηγές είναι η φωσφίνη PH3, η αρσίνη AsH3 και το διβοράνιο B 2 H 6. Στο σχήµα 7 φαίνεται διάταξη αντιδραστήρων ΧΕΑ διαφόρων τύπων όπως : οριζόντιου τύπου, κατακόρυφου τύπου µε RF θέρµανση και κατακόρυφου τύπου µε θέρµανση από ακτινοβολία (photocvd) Επιταξία Μοριακής έσµης (MBE) Η τεχνική Επιταξίας Μοριακής έσµης είναι η MBE από τα αρχικά των λέξεων Molecular Beam Epitaxy, είναι µία επίσης επιταξιακή µέθοδος, διαφορετική από την ΧΕΑ, που βασίζεται στην εξάχνωση του υλικού. Ο απαιτούµενος εξοπλισµός είναι υψηλού κόστους και η χρήση της µεθόδου προσφέρει κυρίως τα εξής πλεονεκτήµατα: περιέχει διαδικαστικά στάδια χαµηλών, σχετικά µε την ΧΕΑ, θερµοκρασιών ( C) και έτσι αποφεύγεται η διάχυση επιταξιακών προσµίξεων στο επιταξιακό στρώµα. Το δεύτερο πλεονέκτηµα είναι ο ακριβής έλεγχος των επιθυµητών προσµίξεων καθώς επίσης και ο έλεγχος του πάχους του επιταξιακού στρώµατος. Η διαδικασία εναπόθεσης της επιταξίας µε τις προσµίξεις γίνεται µε βάση την εξάχνωση µάζας poly-si και µιας ή περισσοτέρων προσµίξεων (dopants) µέσα σε θάλαµο υπερυψηλού κενού ( Torr) πάνω σε θερµαινόµενο υπόστρωµα (σχήµα 8). θερµοζεύγος µετρητής πάχους θερµαντική υπόβαθρο φασµοτογράφος µάζας ανιχνευτής ιονισµού e-κανόνι αντλία Ti πηγή Si παράθυρο καλύπτρα turbo µοριακή αντλία στοιχείο εξαέρωσης Sb Σχήµα 8. ιάταξη επιταξίας µοριακής δέσµης ΜΒΕ

12 12 Η εξάχνωση του Si προκαλείται µε τη βοήθεια δέσµης e προερχοµένων από ηλεκτρονική τηλεβόλο, τα οποία προσπίπτουν στο στόχο Si που βρίσκεται µέσα σε ειδικό κεραµικό δοχείο (crucible). Από τη µετατροπή της κινητικής ενέργειας των e σε θερµική, προκαλείται τήξη και εξάχνωση του Si. Για τη εξάχνωση των προσµίξεων, συνήθως As, P, B κ.α. χρησιµοποιείται στοιχείο τήξης τύπου Knudsen. Τα σύγχρονα συστήµατα MBE είναι αρκετά πιο σύνθετα και προσφέρουν τη δυνατότητα πολλαπλών και επαλλήλων επιταξιακών εναποθέσεων. 3. Μορφοποίηση ισκιδίων Μετά την ανάπτυξη µονοκρυσταλλικών ράβδων Si όπως έχει περιγραφεί, απαιτούνται στη συνέχεια οι κατάλληλες διαδικασίες επεξεργασίας του υλικού για τη παραγωγή µονοκρυσταλλικών δισκιδίων κατάλληλων για την κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Αρχικά αφαιρείται ο οδηγός-σπόρος και στη συνέχεια καθορίζεται η διάµετρος του δισκιδίου µε το κατάλληλο τρόχισµα της ράβδου. Οι διάµετροι των δισκιδίων που κυρίως χρησιµοποιούνται είναι 75, 100, 125 και 150 mm. Στη συνέχεια, αποτυπώνονται ο κρυσταλλογραφικός προσανατολισµός και ο τύπος αγωγιµότητας του υλικού µε τη βοήθεια της απόσπασης µικρών κυκλικών τµηµάτων, όπως φαίνεται στο σχήµα 9.. Σχήµα 9. Αποτύπωση προσανατολισµού και τύπου δισκιδίων Si Στη συνέχεια η ράβδος κόβεται σε δισκίδια µε τη βοήθεια τροχού ή λεπίδας διαµαντιού µε κυριότερα πάχη 0.3, 0.5, 0.7 mm ανάλογα µε το µήκος της διαµέτρου. Στη συνέχεια οι δύο επιφάνειες των δισκιδίων υποβάλλονται σε κατεργασία µε µίγµα Al 2 O 3 και γλυκερίνης για την αφαίρεση των επιφανειακών ατελειών και βελτίωση της

13 13 οµοιοµορφίας. Τέλος, οι επιφάνειες των δισκιδίων γυαλίζονται για να χρησιµοποιηθούν στην κατασκευή ολοκληρωµένων διατάξεων. Στον πιο κάτω πίνακα 2 φαίνονται τα χαρακτηριστικά µορφοποιηµένων δισκιδίων µονοκρυσταλλικού Si µε τρεις τυπικές τιµές διαµέτρων. Πίνακας 2 Τύποι δισκιδίων Si Παράµετρος 100 cm 125 cm 150 cm ιάµετρος (mm) 100±1 125±1 150 ±1 Πάχος (mm) Πρωτεύουσα εγκοπή (mm) ευτερεύουσα εγκοπή (mm) Κάµψη (µm) Μεταβολή πάχους(µm) Εισαγωγή προσµίξεων στο Si: ιάχυση Εµφύτευση Όπως είναι γνωστό, η εισαγωγή προσµίξεων σ' ένα ηµιαγωγό επηρεάζει σηµαντικά τις ηλεκτρικές του ιδιότητες όπως ηλεκτρική αγωγιµότητα, τύπο ηµιαγωγού, συγκέντρωση προσµίξεων, ευκινησία φορέων κ.α. Καταλληλότερες προσµίξεις για το σκοπό αυτό είναι τα στοιχεία των οµάδων III και V του περιοδικού πίνακα, που σχηµατίζουν ενεργειακές στάθµες κοντά στις ζώνε σθένους και αγωγιµότητας αντίστοιχα του Si. Η προσθήκη προσµίξεων για την παραγωγή δισκιδίων n ή p τύπου Si γίνεται όπως προαναφέραµε κατά τη διάρκεια της κρυσταλλικής ανάπτυξης. Όµως, για την κατασκευή διακριτών ή ολοκληρωµένων ηµιαγώγιµων διατάξεων συχνά απαιτείται η µετατροπή περιοχών του κρυστάλλου στο επιθυµητό βάθος, από p-τύπου σε n και αντίστροφα. Αυτό γίνεται µε την εισαγωγή επιπλέον προσµίξεων επιλεγµένων συγκεντρώσεων µε την ιδιότητα της αντιστάθµισης (compensation). Για το σκοπό αυτό χρησιµοποιείται ως "µάσκα" στη επιφάνεια του Si, το SiΟ 2 µε τα κατάλληλα ανοίγµατα (παράθυρα) στις επιλεγµένες περιοχές της επιφάνειας του Si (σχήµα 10 a, b). SiO 2 SiO 2 Si Si a b Σχήµα 10. Χρήση του SiO 2 ως "µάσκα" για την εισαγωγή προσµίξεων στο Si. Οι σηµαντικότερες µέθοδοι εισαγωγής προσµίξεων στον ηµιαγωγό είναι η θερµική διάχυση (thermal diffusion) και η ιοντική εµφύτευση (ion implantation).

14 Θερµική ιάχυση Η διαδικασία αυτή λαµβάνει χώρα σε ειδικούς φούρνους χαλαζία µε ροή αδρανούς αερίου (N 2, Ar) και θερµοκρασίες µεταξύ C. Η διάταξη είναι παρόµοια µε αυτή της θερµικής οξείδωσης (σχήµα 16) µε την προσθήκη εισόδων για την περίπτωση αέριων προσµήξεων. Τα δισκίδια Si τοποθετούνται παράλληλα σε ειδικές θήκες και ανάµεσά τους τοποθετούνται οι πηγές µε τα επιθυµητά στοιχεία προσµίξεων. Στην περίπτωση n-τύπου συνηθέστερες προσµίξεις είναι P και As σε στερεά µορφή ενώ µπορούν να χρησιµοποιηθούν και υγρές ή αέριες. Στην περίπτωση p-τύπου µε προσµίξεις Β χρησιµοποιείται συνήθως το ΒΝ (στερεό). Τα άτοµα των προσµίξεων φθάνουν στην επιφάνεια του Si, ή κοντά σε αυτήν, µε εναπόθεση από την αέρια φάση λόγω υψηλής θερµοκρασίας των πηγών και στη συνέχεια εισέρχονται στο εσωτερικό του ηµιαγωγού µε τη βοήθεια της υψηλής θερµικής τους κίνησης όπου καταλαµβάνουν τελικά πλεγµατικές θέσεις. Οι βασικοί µηχανισµοί εισαγωγής των προσµίξεων στο κρυσταλλικό πλέγµα είναι δύο: η διάχυση µέσω διακένων (vacancies) και η διάχυση µέσω διαπλεγµατικών θέσεων (interstitials) (σχήµα 11). a b Σχήµα 11. Μηχανισµοί διάχυσης. a: µέσω διακένων και b: µέσω διαπλεγµατικών θέσεων Οι εξισώσεις που περιγράφουν τη διάχυση έχουν διατυπωθεί από τον Fick και είναι γνωστές σαν νόµοι του Fick. Η πρώτη εξίσωση που συνδέει τη ροή διάχυσης J στο υλικό και τη µεταβολή της συγκέντρωσης C(x,t) είναι η εξής: C( x, t) J = D (1) t Ο συντελεστής D καλείται συντελεστής διάχυσης και εξαρτάται από τη φύση των υλικών και τη θερµοκρασία. Με βάση την αρχή διατήρησης της ύλης ισχύει: C( x, t) J ( x, t = ) t x Από τις δύο ανωτέρω εξισώσεις προκύπτει: (2)

15 15 2 C( x, t) ( x, t) = D (3) 2 t x Η τελευταία εξίσωση καλείται και δεύτερος νόµος διάχυσης του Fick. Από την επίλυσή της µε αρχικές και συνοριακές συνθήκες, προκύπτουν δύο βασικά µοντέλα διάχυσης µε σταθερό D. α) ιάχυση µε σταθερή επιφανειακή συγκέντρωση Αρχικές συνθήκες: t = 0, C(x,0) = 0 Συνοριακές συνθήκες: C(0,t) = 0, C(,t) = 0 (4) Η λύση της εξίσωσης (3) δίνει: x C( x, t) = CS erfc (5) 2 Dt x e όπου erfc: συνάρτηση σφάλµατος: erfc π x και C S : συγκέντρωση προσµίξεων στην επιφάνεια του Si. β) ιάχυση σταθερού συνολικού αριθµού προσµίξεων Στην περίπτωση αυτή οι αρχικές και συνοριακές συνθήκες του προβλήµατος είναι: C(x,0) = 0 0 C ( x, t) dx = QT και C(,t) = 0 Η λύση της εξίσωσης διάχυσης δίνει: 2 C( x, t) = Q T πdt 2 x exp 4Dt (6) θέτοντας x = 0 C S QT = C( 0, t) = (7) πdt Q T : συνολικός αριθµός ατόµων προσµίξεων ανά cm 2 Σύµφωνα µε τη µορφή της λύσης οι προσµίξεις υπακούουν σε κατανοµή Gaussian. Στην κατασκευή των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων η διάχυση γίνεται συνήθως σε δύο βήµατα. Αρχικά σχηµατίζεται ένα στρώµα διάχυσης µε συνθήκες σταθερής συγκέντρωσης προσµίξεων στην επιφάνεια. Το βήµα αυτό καλείται προεναπόθεση (predeposition). Στη συνέχεια η διάχυση γίνεται µε συνθήκη σταθερού συνολικού

16 16 αριθµού προσµίξεων στην επιφάνεια και καλείται διάχυση ανακατανοµής (redistribution ή drive-in). Στο σχήµα 12 φαίνεται η κανονικοποιηµένη κατανοµή που προκύπτει από τα δύο πιο πάνω µοντέλα διάχυσης. x / 2 Σχήµα 12. Κανονικοποιηµένη συγκέντρωση συναρτήσει της κανονικοποιηµένης Dt απόστασης για συναρτήσεις τύπου Gaussian και erfc. 4.2 Ιοντική εµφύτευση Η ιοντική εµφύτευση είναι η εισαγωγή ιονισµένων προσµίξεων µέσα σ' ένα υπόστρωµα, όπως ο κρύσταλλος Si, µε τη βοήθεια συστήµατος ιοντικού εµφυτευτή (ion implantation) που παράγει δέσµη ιόντων προσµίξεων (σχήµα 13). Με τη βοήθεια της εµφύτευσης ιόντων σε ένα κρύσταλλο είναι δυνατή η αλλαγή των ηλεκτρικών του ιδιοτήτων καθώς επίσης και η επιλεκτική µετατροπή του τύπου του ηµιαγωγού (n ή p) µέσω αντιστάθµισης για τις ανάγκες σύνθετων διατάξεων (MOSFET, διπολικά transistors κ.α.). Τυπικές τιµές ενεργειών ενός ιοντικού εµφυτευτή είναι kev, ενώ οι δόσεις των ιόντων µπορεί να κυµαίνονται από ιόντα/cm 2. όση είναι ο αριθµός των επιταχυνόµενων ιόντων ανά cm 2 επιφάνειας του ηµιαγωγού. Σηµαντικότερα πλεονεκτήµατα της ιοντικής εµφύτευσης είναι ο έλεγχος των προσµίξεων µε ικανοποιητική ακρίβεια και αξιοπιστία καθώς και οι χαµηλές θερµοκρασίες που απαιτούνται, σε σχέση µε τη θερµική διάχυση. Μειονεκτήµατα είναι οι "καταστροφές" που προκαλούνται στο πλέγµα του κρυστάλλου, οι οποίες επηρεάζουν τοπικά την περιοδικότητά του.

17 17 Είσοδος Αερίου Πηγή Αντλία Εστίαση έσµης Αντλία Επιτάχυνση δέσµης Αντλία δείγµα Ηλεκτροστατικό πεδίο Υπόβαθρο Σχήµα 13. ιάταξη ιοντικού εµφυτευτή. Στο σχήµα 13 φαίνεται σύστηµα ιοντικού εµφυτευτή. Τα ιόντα (Β +, Ρ + κ.α.) παράγονται στην πηγή ιόντων και στη συνέχεια, αφού γίνει διαχωρισµός από τα ανεπιθύµητα στοιχεία µέσω του διαχωριστή µάζας, εισέρχονται σε σύστηµα ηλεκτρικών πεδίων όπου επιταχύνονται. Η ιοντική δέσµη ελέγχεται µέσω συστήµατος οριζόντιας και κατακόρυφης απόκλισης και τέλος προσπίπτει στον κρύσταλλο ηµιαγωγού που είναι τοποθετηµένος στο κατάλληλο υπόστρωµα.

18 18 Σχήµα 14. Κατανοµής των εµφυτευµένων προσµίξεων συναρτήσει της απόστασης από την επιφάνεια του Si. Τα ιόντα, καθώς εισέρχονται στον κρύσταλλο συγκρούονται µε τα e και τους πυρήνες και χάνουν την ενέργειά τους αφού διανύσουν µία απόσταση R που καλείται εµβέλεια. Η κατανοµή των εµφυτευµένων προσµίξεων είναι Gaussian όπως φαίνεται στο σχήµα 14.Η συνάρτηση κατανοµής n(x) δίνεται από τη σχέση: n( x) S ( x R ) exp 2 R 3 P = 2 2π RP P (8) όπου R P : προβολή του R στον άξονα x, R P : Στατιστική διακύµανση της προβολής R P και S: ιοντική δόση ανά µονάδα επιφάνειας. Λόγω των καταστροφών που προκαλούν τα ιόντα υψηλής ενέργειας στο πλέγµα οι ηλεκτρικές παράµετροι του κρυστάλλου (αγωγιµότητα, ευκινησία, χρόνος ζωής κ.α.) επηρεάζονται. Για την αποκατάσταση της κρυσταλλικής τάξης και την επαναφορά των ηλεκτρικών παραµέτρων ακολουθεί θερµική ανόπτηση (annealing) σε θερµοκρασίες C και αδρανές περιβάλλον. 5. Λιθογραφία και Εγχάραξη (etching) Λιθογραφία είναι η διαδικασία κατά την οποία ένα γεωµετρικό σχέδιο µεταφέρεται από µία µάσκα στην επιφάνεια ενός δισκιδίου Si µε τη βοήθεια φωτοευαίσθητης ρητίνης (photoresist) που καλύπτει την επιφάνεια του Si. Τα µεταφερόµενα γεωµετρικά σχήµατα είναι στοιχεία ή τµήµατα ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος όπως µεταλλικές διασυνδέσεις, αντιστάσεις, επαφές περιοχών του transistor κ.α. Το σχέδιο µεταφέρεται αρχικά στη ρητίνη (σχήµα 15) και στη συνέχεια στην επιφάνεια του Si, µε τη βοήθεια επιλεκτικής αφαίρεσης ακάλυπτων περιοχών. Η λιθογραφία συνήθως γίνεται αφού έχει προηγηθεί θερµική οξείδωση του δισκιδίου Si.

19 19 Το SiO 2 παίζει το ρόλο µάσκας για το Si και µέσω της λιθογραφίας γίνεται το άνοιγµα "παραθύρων" ή ενεργών περιοχών έτσι ώστε να ακολουθήσει η εισαγωγή προσµίξεων ή άλλες διεργασίες στο Si. Το SiΟ 2 καλύπτεται αρχικά µε υγρή φωτοευαίσθητη ρητίνη η οποία στη συνέχεια ξηραίνεται. Μία µερικά διαπερατή από το φως, φωτογραφικά αρνητική, φωτοµάσκα (από γυαλί ή Cr) τοποθετείται πάνω (ή κοντά) στην επιφάνεια του δισκιδίου µε τη βοήθεια µικροσκοπίου. Στη µάσκα είναι τυπωµένο το σχέδιο που πρόκειται να µεταφερθεί στο Si. α Προετοιµασία και κάλυψη δισκιδίου µε φωτοευαίσθητη ρητίνη b Ξήρανση ρητίνης και έκθεση στην ακτινοβολία c d Εµφάνιση ρητίνης µε τη βοήθεια διαλύτη. Ξήρανση της υπόλοιπης ρητίνης (120 C) Εγχάραξη (etching) του SiΟ 2 e Αποµάκρυνση της ρητίνης Σχήµα 15. Στάδια λιθογραφίας Όπως φαίνεται και στο σχήµα 15, το σύστηµα εκτίθεται στο υπεριώδες φως (λ = µα) το οποίο πολυµερίζει τα µόρια της ρητίνης (αρνητική) που εκτίθενται. Τα µη πολυµερισµένα µέρη της ρητίνης διαλύονται µέσω διαλύτη ενώ τα πολυµερισµένα παραµένουν µεταφέροντας το αρχικό σχέδιο στην επιφάνεια του SiΟ 2. Το ίδιο αποτέλεσµα είναι δυνατό µε την χρήση θετικής ρητίνης (σχήµα 15.α). Στη συνέχεια ακολουθεί µία νέα διαδικασία για την χάραξη του SiΟ 2 στις περιοχές όπου έχει αφαιρεθεί η ρητίνη έτσι ώστε να γίνει το άνοιγµα των περιοχών-παραθύρων που απαιτούνται για τα επόµενα κατασκευαστικά στάδια του Ο.Κ. Η διαδικασία αυτή καλείται εγχάραξη (etching) και γίνεται µε χηµικά µέσα (wet etching) που περιέχουν

20 20 οξύ και προσβάλλουν το SiΟ 2 χωρίς προσβάλλουν την ρητίνη που έχει αποµείνει. Η εγχάραξη γίνεται µε µεγαλύτερη ακρίβεια και µε τη βοήθεια δέσµης βαρέων ιόντων που προσβάλει την πολυµερισµένη ρητίνη. Στην περίπτωση αυτή η εγχάραξη είναι ξηρή (dry etching). Για το ταίριασµα µάσκας δισκιδίου µε ακρίβεια χρησιµοποιείται συσκευή γνωστή ως optical stepper. Η οπτική λιθογραφία είναι κατάλληλη για περιπτώσεις όπου το µήκος κύµατος της ακτινοβολίας είναι αρκετά µικρότερο από τη µικρότερη διάσταση του µεταφερόµενου σχεδίου, γιατί σε αντίθετη περίπτωση εµφανίζονται φαινόµενα περίθλασης που περιορίζουν την ακρίβεια της µεθόδου. Για διαστάσεις µικρότερες των 500 nm χρησιµοποιούνται ακτινοβολίες µε µικρά µήκη κύµατος, όπως ακτίνες Χ και δέσµη ηλεκτρονίων που αποτελεί την πλέον προηγµένη τεχνική λιθογραφίας (ebeam lithography). 6. Οξείδωση πυριτίου Εισαγωγή Η οξείδωση του πυριτίου είναι µία απαραίτητη διαδικασία κατά την διάρκεια της κατασκευής των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Για το σκοπό αυτό απαιτείται η κατανόηση των µηχανισµών της οξείδωσης καθώς και η δυνατότητα κατασκευής οξειδίων υψηλής ποιότητας τόσο ως προς τη δοµή όσο και ως προς τις φυσικές και ηλεκτρικές τους ιδιότητες. Ο έλεγχος των ηλεκτρικών ιδιοτήτων του SiO 2 γίνεται κυρίως µε τη µέθοδο χαρακτηριστικών χωρητικότητας-τάσης C(V) πάνω σε ειδικές διατάξεις MOS (Metal-oxide-semiconductor) που στην προκειµένη περίπτωση αποτελούνται από τα υλικά Al SiO2 Si. Τέλος µπορούµε να πούµε ότι ο έλεγχος της παρασκευής και των ιδιοτήτων των οξειδίων του πυριτίου εξασφαλίζει την αξιόπιστη αναπαραγωγή και λειτουργία των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. 6.1 Μέθοδοι παρασκευής οξειδίων Οι µέθοδοι παρασκευής των οξειδίων επιλέγονται ανάλογα µε το έργο που αυτά καλούνται να επιτελέσουν σ ένα κύκλωµα. Οι κυριότερες είναι: - Η µέθοδος θερµικής οξείδωσης µε ή χωρίς την παρουσία υδρατµών. - Η µέθοδος χηµικής εναπόθεσης (CVD: Chemical Vapor Deposition). - Η ηλεκτρολυτική µέθοδος (Ηλεκτροχηµική ανοδίωση) - Η µέθοδος πλάσµατος (plasma oxydation). Η µέθοδος θερµικής οξείδωσης χρησιµοποιείται ευρέως στην τεχνολογία ολοκληρωµένων κυκλωµάτων πυριτίου Θερµική οξείδωση Η θερµική οξείδωση του Si πραγµατοποιείται σε ειδικές διατάξεις που καλούνται αντιδραστήρες οξείδωσης (σχήµα 16).

21 21 θερµαντική αντίσταση φιλτραρισµένος αέρας κεραµικό Ο 2 Η 2 Ο αέρια φορέας από χαλαζία δισκίδια Si σωλήνας χαλαζία έξοδος Σχήµα 16. ιάταξη αντιδραστήρα θερµικής οξείδωσης Περιγραφή διάταξης Τα κύρια µέρη της διάταξης θερµικής οξείδωσης είναι: - Φούρνος που παρέχει θερµαντική ισχύ µε τη βοήθεια ηλεκτρικής αντίστασης. - Κυλινδρικός σωλήνας από χαλαζία (guartz tube) ανοικτός από το ένα άκρο του, ενώ από το άλλο φέρει ακροφύσιο για την είσοδο του αερίου O 2 και των υδρατµών. - Φορέας των προς οξείδωση δισκιδιών Si. Είναι από χαλαζία και έχει κατάλληλες υποδοχές για πολλά δισκίδια. - Σύστηµα ελέγχου και σταθεροποίησης της θερµοκρασίας (temperature controller) - Σύστηµα ελέγχου της ροής των οξειδωτικών αερίων µέσα στο φούρνο. - Με τη βοήθεια υπολογιστή συνδεδεµένου µε τη διάταξη του φούρνου επιτυγχάνονται: i) Η άνοδος της θερµοκρασίας µέχρι την επιθυµητή τιµή µε σταθερό βήµα που επιλέγεται κατάλληλα. ii) Ο συνεχής έλεγχος της θερµοκρασίας. iii) iv) Ο έλεγχος της ροής των αερίων οξείδωσης µέσα στο φούρνο. Ο χρόνος οξείδωσης και ο ρυθµός µείωσης της θερµοκρασίας στην αρχική τιµή λειτουργίας ιαδικασία οξείδωσης. Η γνώση της κινητικής της οξείδωσης και ο ακριβής έλεγχος του πάχους των οξειδίων έχουν ιδιαίτερη σηµασία για την ποιότητα τους και κάποια συνέπεια στην συµπεριφορά και αξιοπιστία των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων.

22 22 Το SiO 2, που θα µας απασχολήσει, σχηµατίζεται σύµφωνα µε τις εξής αντιδράσεις: Si (στερεό) + 2H2O SiO2(στέρεο) + 2H2 Si (στέρεο) + O2 SiO2(στέρεο) Η πρώτη αντίδραση αφορά την υγρή οξείδωση και µπορεί να επιτευχθεί διοχετεύοντας το O 2 µέσα σε λουτρό HOυψηλής 2 καθαρότητας και στη συνέχεια µέσα στο φούρνο. Επίσης µπορεί να γίνει και µε απ ευθείας ροή ατµού πάνω στο οξειδούµενο Si.. Η υγρή είναι ταχύτερη διαδικασία της ξηρής αλλά τα παρασκευαζόµενα οξείδια δεν είναι πολύ καλής ποιότητας λόγω των προσµίξεων και των ατελειών που αποκτούν από τους υδρατµούς. Η ταχύτητα της οξείδωσης αυξάνει µε την αύξηση της µερικής πίεσης των ατµών. Η δεύτερη διαδικασία (ξηρή οξείδωση) δίνει οξείδια µε καλύτερες φυσικές και ηλεκτρικές ιδιότητες όµως ο ρυθµός ανάπτυξης τους είναι σχετικά χαµηλός. Εφαρµογή : Ανάλωση του Si κατά τη διάρκεια της οξείδωσης. x ox SiO 2 αρχική επιφάνεια Si x Si υπόστρωµα Si Σχήµα 17. Ανάλωση επιφανειακού στρώµατος του Si κατά την οξείδωσή του. Κατά τη διάρκεια της θερµικής οξείδωσης της επιφάνειας του Si, ένα επιφανειακό στρώµα του Si αναλώνεται για τη δηµιουργία του SiO 2 (σχήµα 17). Ο υπολογισµός του πάχους του στρώµατος αυτού βασίζεται στο συλλογισµό ότι ένα άτοµο Si απαιτείται για τη δηµιουργία ενός µορίου SiO 2, οπότε ισχύει : N X = N X Si Si SiO2 OX όπου NSi NSiO : άτοµα/cm 3 2 X Si,X OX : πάχη των Si και SiO 2 Τελικά υπολογίζεται : XSi = 0.44XOX. Το φαινόµενο αυτό παρατηρείται και στην πράξη καθώς η ελεύθερη επιφάνεια του SiO 2 που αναπτύχθηκε θερµικά βρίσκεται σε µία υψοµετρική διαφορά µε την επιφάνεια του Si και αυτό µπορεί να δηµιουργήσει προβλήµατα για τα επόµενα κατασκευαστικά βήµατα (π.χ. εναπόθεση λεπτών στρωµάτων).

23 Το SiO 2 ως µονωτικό των αγωγίµων συνδέσεων διατάξεων ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Οι κυριότερες αγώγιµες περιοχές-διασυνδέσεις που χρησιµοποιούνται σε διατάξεις ολοκληρωµένων κυκλωµάτων µπορεί να είναι περιοχές π p µε µεγάλη συγκέντρωση προσµίξεων σε υπόστρωµα π, ή p. π.χ. πηγή (source) και υποδοχή (drain) ενός MOSFET. - στρώµα π + πολυκρυσταλλικού Si. - οι µεταλλικές γραµµές Α1 που χρησιµοποιούνται σαν ωµικές επαφές. Για την προστασία και αποµόνωση αυτών των περιοχών από τις υπόλοιπες χρησιµοποιείται SiO 2 που παρασκευάζεται µε τη µέθοδο χηµικής εναπόθεσης ατµών (CVD) Λεπτά οξείδια πύλης (gate-oxide) Οι ραγδαίες εξελίξεις στην περιοχή των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων υψηλής πυκνότητας (VLSI), απαιτούν την ανάπτυξη πολύ λεπτών οξειδίων υψηλής ποιότητας τα οποία χρησιµοποιούνται κυρίως σαν διηλεκτρικά πύλης (gate-oxide) των MOSFET. Κάτω από το οξείδιο της πύλης σχηµατίζεται ο αγώγιµος δίαυλος (channel) από φορείς µειονότητας που συνδέει την πηγή (source) µε την υποδοχή (drain) του MOSFET αφού πολωθεί η διάταξη σε κατάσταση αντιστροφής (inversion). Η ποιότητα του οξειδίου πύλης και κυρίως της διεπιφάνειας Si-SiO 2 επηρεάζει τις χαρακτηριστικές των MOSFET. Εκτός από την απαίτηση του πολύ µικρού πάχους ( A) τα οξείδια αυτά θα πρέπει να έχουν και άλλες ιδιότητες όπως καλή οµοιογένεια, υψηλή τάση κατάρρευσης, µικρή πυκνότητα φορτίων και καταστάσεων στη διεπιφάνεια Si-SiO 2. Έχει διαπιστωθεί πως η παρουσία υγρασίας κατά την ανάπτυξη λεπτών οξειδίων, o (πάχους µικρότερου από 200A ) επηρεάζει σηµαντικά τα χαρακτηριστικά του. Γι αυτό η ξηρή οξείδωση είναι η καταλληλότερη µέθοδος παρασκευής τους. Στο σχήµα 18 φαίνονται τα κατασκευαστικά βήµατα για την ανάπτυξη λεπτού οξειδίου πύλης ενός transistor MOSFET. o

24 Å οξείδιο πυριτίου α. p + p Ωcm υπόβαθρο τύπου n οξείδωση b. p + p + οξείδιο πύλης οξείδιο πεδίου c. p + p + πηγή (source) υποδοχή (drain) πύλη επιµετάλλωση Al d. p + p + υπόβαθρο τύπου n Σχήµα 18. Kατασκευαστικά στάδια για την ανάπτυξη λεπτού οξειδίου πύλης MOSFET. α. Άνοιγµα "παραθύρων" στο SiO 2 για τον καθορισµό της ενεργού περιοχής b. Ανάπτυξη προστατευτικού οξειδίου c. Ανάπτυξη λεπτού οξειδίου πύλης d. Επιµετάλλωση για τη δηµιουργία ωµικών επαφών σε πηγή, πύλη, υποδοχή του MOSFET. 7. Επιµετάλλωση

25 25 Είναι η διαδικασία σχηµατισµού λεπτών µεταλλικών στρωµάτων τα οποία χρησιµεύουν για τις εσωτερικές διασυνδέσεις ενός Ο.Κ., ως ωµικές επαφές, επαφές Schottky, επαφές περιοχών των transistors κ.α. Η επιµετάλλωση µπορεί να γίνει µε διάφορες τεχνικές οι σηµαντικότερες των οποίων είναι η φυσική εναπόθεση ατµών και η χηµική εναπόθεση ατµών για την οποία έχει γίνει αναφορά στην 2.4. Τα µεταλλικά υλικά που χρησιµοποιούνται στην τεχνολογία των Ο.Κ. είναι κυρίως: το Al και τα κράµατά του κα τα πυριτίδια που είναι ενώσεις του Si µε ορισµένα µέταλλα (Er, Pt, W κ.α.) Φυσική εναπόθεση ατµών Λαµβάνει χώρα σε θάλαµο υψηλού κενού (P<10 7 Torr) και µπορεί να γίνει µε δύο τεχνικές: την εξάχνωση (evaporation) και τον θρυµµατισµό (sputtering) του προς εναπόθεση υλικού. i) Εξάχνωση Μπορεί να είναι θερµική όπου το µέταλλο τοποθετείται σε υποδοχέα από δύστηκτο υλικό (W, Mo, Ta) τροφοδοτούµενο από πηγή υψηλού ρεύµατος έτσι ώστε το µέταλλο µε µικρότερο σηµείο τήξης να εξαχνώνεται (σχ.19). Το ίδιο αποτέλεσµα παράγεται και όταν η πηγή θέρµανσης είναι RF πηνίο γύρω από δοχείο δύστηκτου (crucible) υλικού BN, πορσελάνης κ.α. υπόστρωµα b. c. κενό α. Ι Σχήµα 19. α, b, c: Θάλαµος κενού και πηγές θερµικής εξάχνωσης d: εξαχνωτής e δέσµης d.

26 26 Η µέθοδος εξάχνωσης είναι χαµηλού κόστους αλλά παρουσιάζει το µειονέκτηµα της µόλυνσης µε προσµίξεις που λόγω των υψηλών θερµοκρασιών των χρησιµοποιούµενων δοχείων τήξης, εκπέµπονται και εισέρχονται στο λεπτό στρώµα της εναπόθεσης. Βελτίωση στο πρόβληµα αυτό επιτυγχάνεται µε τη χρήση εξαχνωτή ηλεκτρονικής δέσµης (electron beam evaporator) που φαίνεται στο σχήµα 19d. Στην περίπτωση αυτή χρησιµοποιείται επίσης θάλαµος υψηλού κενού µέσα στον οποίο βρίσκεται το σύστηµα εξάχνωσης. Την τήξη και εξάχνωση του υλικού προκαλεί δέσµη ηλεκτρονίων που παράγεται από θερµιονική εκποµπή καθοδικής λυχνίας. Η δέσµη επιταχύνεται και µε τη βοήθεια µαγνητικού πεδίου κατευθύνεται στο στόχο- µέταλλο όπου η κινητική ενέργεια µετατρέπεται σε θερµότητα προκαλώντας την τήξη και εξάχνωση του µετάλλου. Η µέθοδος αυτή παρουσιάζει αρκετά πλεονεκτήµατα όπως υψηλή καθαρότητα του film, ακρίβεια πάχους, υψηλούς ρυθµούς εναπόθεσης και σχετικά χαµηλότερες θερµοκρασίες λειτουργίας. Είναι επίσης δυνατή η συνεξάχνωση περισσότερων του ενός υλικών και η προσθήκη της κατάλληλης διάταξης (στοιχείο Knudsen) µε την οποία είναι δυνατή η εισαγωγή προσµίξεων στην περίπτωση film ηµιαγωγού. ii) Θρυµµατισµός Ο θρυµµατισµός (sputtering) είναι µία φυσική διαδικασία που περιλαµβάνει εεπιτάχυνση βαρέων ιόντων, συνήθως Ar +, µέσω ηλεκτρικού πεδίου, και στη συνέχεια βοµβαρδισµό του στόχου του προς εναπόθεση υλικού. Τα άτοµα του στόχου, λόγω µεταφοράς ορµής, γίνονται πτητικά και µεταφέρονται σε µορφή ατµών στην επιφάνεια και στα επιθυµητά σηµεία του υποστρώµατος (Si) σχηµατίζοντας λεπτά στρώµατα (thin films). Οι τύποι των συστηµάτων θρυµµατισµού ποικίλουν ανάλογα µε τον τύπο του χρησιµοποιούµενου ηλεκτρικού ή και µαγνητικού πεδίου. Συνηθέστεροι τύποι είναι DC, RF και magnetron sputtering (προσθήκη µαγνητικού πεδίου) Ηλεκτροεπιµετάλλωση Η ηλεκτροεπιµετάλλωση (electroplating) χρησιµοποιείται ως οικονοµική και όχι υψηλής καθαρότητας µέθοδος. Είναι ηλεκτρολυτική µε ηλεκτρολύτες υγρά διαλύµατα µεταλλικών αλάτων όπου το µέταλλο συνδέεται µε την άνοδο. Ο ρυθµός εναπόθεσης καθορίζεται από την πυκνότητα ρεύµατος που διαρρέει το σύστηµα. 8. Ολοκληρωµένες αντιστάσεις Οι αντιστάσεις που χρησιµοποιούνται σαν στοιχεία των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων καλούνται ολοκληρωµένες αντιστάσεις. Η επιλογή των υλικών καθώς και των τύπων ολοκληρωµένων αντιστάσεων εξαρτώνται από την επιθυµητή τιµή της αντίστασης καθώς και από τις κατασκευαστικές προδιαγραφές του που θα πρέπει να ικανοποιούνται. Σηµαντικότεροι τύποι ολοκληρωµένων αντιστάσεων είναι οι εξής:

27 Αντιστάσεις τύπου διάχυσης Οι αντιστάσεις του τύπου αυτού κατασκευάζονται µε βάση το ενεργό στρώµα του πυριτίου που χρησιµοποιείται για τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα. Το Si έχει αρχικά µεγάλη ειδική αντίσταση και το πλεονέκτηµα της επιλεκτικής διαµόρφωσης της τιµής της µέσω της εισαγωγής των καταλλήλων προσµίξεων δοτών (π.χ. P, As) ή αποδεκτών (BGa, ). Η εισαγωγή των προσµίξεων αυτών γίνεται µε διάχυση ή εµφύτευση ιόντων των πιο πάνω στοιχείων σε επιλεγµένες περιοχές της επιφάνειας του δισκιδίου. Η τελική τιµή της ολοκληρωµένης αντίστασης του υλικού (µήκος, πλάτος και βάθος διάχυσης). Στο σχήµα 20 φαίνεται ένα σχηµατικό διάγραµµα τοµής και κάτοψης µιας ολοκληρωµένης αντίστασης Si p- τύπου. Στρώµα SiO 2 ιασυνδέσεις Αλουµινίου Νησίδα αποµόνωσης Βελος Βελος Σχήµα 20. Τοµή και κατανοµή ολοκληρωµένης αντίστασης Si. Για την αποµόνωση της αντίστασης από τα γειτονικά στοιχεία του κυκλώµατος και την προστασία από ανεπιθύµητες προσµίξεις χρησιµοποιείται το SiO 2 όπως φαίνεται και στο σχήµα µε τα κατάλληλα ανοίγµατα για τις ωµικές µεταλλικές επαφές που κατασκευάζονται συνήθως µε A. Στο σχήµα φαίνεται επίσης µια περιοχή αντίθετης νόθευσης (Ν τύπου στην προκειµένη περίπτωση) η οποία αποµονώνει την αντίσταση από το υπόλοιπο υπόστρωµα σχηµατίζοντας µια ανορθωτική επαφή PN σε ανάστροφη πόλωση. Η περιοχή αυτή λέγεται νησίδα αποµόνωσης και εµποδίζει τα ρεύµατα διαρροής προς το υπόστρωµα. Χρησιµοποιείται επίσης και για την αποµόνωση άλλων ολοκληρωµένων στοιχείων. Μειονέκτηµα των αντιστάσεων τύπου διάχυσης είναι ο µεγάλος όγκος που καταλαµβάνουν. Για παράδειγµα για µεγάλες τιµές αντίστασης (πάνω από 10ΚΩ) απαιτείται µεγάλο µήκος (σε µαιανδρικό σχήµα) και ο συνολικός όγκος είναι αρκετά µεγαλύτερος από αυτόν που απαιτείται για την κατασκευή ενεργητικών στοιχείων (transistors, διόδων κ.α.). Ένα χαρακτηριστικό µέγεθος που χρησιµοποιείται στην περίπτωση των ολοκληρωµένων αντιστάσεων είναι η αντίσταση φύλλου (sheet resistance) που συµβολίζεται µε R S ή R o και ορίζεται ως εξής:

28 28 R S ρ = (9) d ρ : ειδική αντίσταση του υλικού και d:πάχος Από τη σχέση αυτή, µε αντικατάσταση της ρ ( nµ e) 1 ιονισµό του ηµιαγωγού (n-n) προκύπτει: = και θεωρώντας πλήρη R S = 1 Nµ d e (10) N: συγκέντρωση προσµίξεων θεωρούµενη σταθερή για οµοιόµορφη κατανοµή. Ακριβέστερη είναι η σχέση: R S = d e µ 0 1 ( ) N x dx όπου Nx ( ) η κατανοµή προσµίξεων συναρτήσει του βάθους. (11) Με τη βοήθεια της γνωστής σχέσης R ρ = προκύπτει ότι: d w R = RS ή R = RS k (12) w όπου το k εκφράζει τον αριθµό των ισοδύναµων τετραγώνων που αντιστοιχούν στην επιφάνεια της ολοκληρωµένης αντίστασης Αντιστάσεις λεπτών στρωµάτων (thin films) Οι αντιστάσεις αυτές κατασκευάζονται στην επιφάνεια του chip µε διάφορες µεθόδους εναπόθεσης (σε υψηλό κενό) λεπτών στρωµάτων καθαρών µετάλλων ή κραµάτων. Η κατασκευή τους απαιτεί συνήθως περισσότερα του ενός βοήµατα αυτό όµως αντισταθµίζεται από το πλεονέκτηµα της εξοικονόµησης όγκου στο chip καθώς επίσης και από τη δυνατότητα χρησιµοποίησης ποικιλίας υλικών µε διαφορετικές τιµές ειδικής αντίστασης. Έτσι µε τη χρησιµοποίηση A είναι δυνατή η επίτευξη χαµηλών τιµών αντίστασης ( Ω) ενώ µε δύστηκτα µέταλλα ή κράµατα (W, Ta, Ni-Cr κ.α.) είναι δυνατή η δηµιουργία αντιστάσεων υψηλότερων τιµών ( ΚΩ). Στο σχήµα 21 φαίνεται η πλάγια τoµή αντίστασης λεπτού στρώµατος πάνω στην επιφάνεια ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος, αποµονωµένη µε τη βοήθεια στρώµατος SiO 2.

29 29 Λεπτό στρώµα αντίστασης ιασυνδέσεις Αλουµινίου Μονωτικό SiO 2 Ολοκληρωµένο κύκλωµα Υπόστρωµα-Si Σχήµα 21. Πλάγια τοµή αντίστασης λεπτού µεταλλικού στρώµατος στην επιφάνεια του Si. 9. Ολοκληρωµένοι πυκνωτές Οι πυκνωτές όπως και οι αντιστάσεις, θεωρούνται αδρανή στοιχεία για τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα και η κατασκευή τους απαιτεί σηµαντικό όγκο. Υπάρχουν δύο τύποι ολοκληρωµένων πυκνωτών Πυκνωτές τύπου MOS Κατασκευάζονται µε βάση τη δοµή µέταλλο - οξείδιο - ηµιαγωγός. Όπως φαίνεται και στο σχήµα 22 το ηλεκτρόδιο («οπλισµός») της κορυφής αποτελείται από µεταλλικό κράµα (συνήθως A ) που έχει εναποτεθεί στην επιφάνεια του λεπτού SiO 2 που παίζει το ρόλο του διηλεκτρικού. Σαν διηλεκτρικό µπορεί επίσης να χρησιµοποιηθεί νιτρίδιο του πυριτίου (SiN ). Η επιλογή της χωρητικότητας ρυθµίζεται κυρίως από το πάχος του διηλεκτρικού ενώ µια τυπική περιοχή παχών είναι από διηλεκτρικού ενώ µια τυπική περιοχή παχών είναι από µm. Η µέγιστη ένταση (breakdown) µπορεί να κυµαίνεται σε τιµές KV ( µ m) 1.

30 30 Οξείδιο SiO 2 ( ιηλεκτρικό) Κάτω επαφή Aln + n + Πάνω επαφή Al Νησίδα αποµόνωσης n-si Υπόστρωµα p-si Σχήµα 22. Πυκνωτής τύπου MOS Το κάτω ηλεκτρόδιο του πυκνωτή είναι στρώµα n + Si µε χαµηλή αντίσταση R S το οποίο είναι σε επαφή µε στρώµα A (σχήµα 22) Πυκνωτής ένωσης p-n Αποτελείται από επαφή p n σε µονολιθική επιπεδική δοµή πολωµένη ανάστροφα. Και στην περίπτωση αυτή τα ηλεκτρόδια είναι A σ επαφή µε το τµήµα p Si και A n + σ επαφή µε το n Si (σχήµα 23). Ρόλο του διηλεκτρικού παίζει η απογυµνωµένη, λόγω ανάστροφης πόλωσης, περιοχή της επαφής p n µε πάχος που εξαρτάται από την τάση ανάστροφης πόλωσης σύµφωνα µε τη σχέση: d 2 ε s(vo+ V 2eN r 1/2 (13) V o : δυναµικό επαφής ε s : διηλεκτρική σταθερά του Si Ν: συγκέντρωση προσµίξεων V r : ανάστροφη πόλωση

31 31 Μεταλλικό στρώµα Al Περιοχή p-τύπου Προστατευτικό SiO 2 Περιοχή n-τύπου n + υπόστρωµα Υπόστρωµα Si Σχήµα 23. Τοµή ολοκληρωµένου πυκνωτή ενωσης p-n Η χωρητικότητα ανά µονάδα επιφάνειας C του πυκνωτή δίνεται από τη σχέση: C = c S ε d s = (14) η οποία µε τη βοήθεια της 4 γίνεται: C= c S ε sn = 2(Vo + Vr ) 1/2 (15) Όπως είναι φανερό η χωρητικότητα του πυκνωτή δεν είναι σταθερή αλλά εξαρτάται από την εξωτερική ανάστροφη πόλωση: C V r 1. Για ανάστροφη τάση 1V προκύπτουν τιµές χωρητικότητας της τάξης των 10pF/cm. 10. Θερµοκρασιακή συµπεριφορά των ολοκληρωµένων αντιστάσεων Όπως είναι γνωστό, η αντίσταση ενός υλικού οφείλεται στις κεδάσεις των ελευθέρων φορέων µε προσµίξεις, ατέλειες του κρυστάλλου, πλεγµατικές ταλαντώσεις κ.α. Σύµφωνα µε τον κανόνα του Mathiessen, η ειδική αντίσταση µπορεί να προσεγγισθεί ως άθροισµα δύο κυρίως όρων: ρ = ρ Τ + ρ Ι όπου η ρ Τ εκφράζει την ειδική αντίσταση λόγω σκέδασης µε πλεγµατικές ταλαντώσεις (φωνόνια), ενώ η ρ Ι τη σκέδαση από ιονισµένες προσµίξεις. Στην περίπτωση των µεταλλικών υλικών,η αντίσταση λόγω προσµίξεων είναι σχεδόν ανεξάρτητη της θερµοκρασίας και η σχέση µπορεί να γραφεί: ρ = ρ(τ) + ρ r

32 32 Ο ανεξάρτητος της θερµοκρασίας όρος καλείται residual (παραµένουσα) αντίσταση και εκφράζει την καθαρότητα του υλικού. Η επιρροή της θερµοκρασίας στην ειδική αντίσταση εκφράζεται µέσω του θερµοκρασιακού συντελεστή αντίστασης (temperature coefficient resistance) ή TCR που ορίζεται ως εξής για κάθε Τ: dρ α 1 (16) ρ dt Οι µικρές διακυµάνσεις της τιµής µιας ολοκληρωµένης αντίστασης µε τη θερµοκρασία, είναι κατασκευαστικό ζητούµενο στην τεχνολογία Ο.Κ. Οι διακυµάνσεις αυτές εκφράζονται µέσω του TCR, ο οποίος θα πρέπει να έχει µικρές σχετικά τιµές. Τα κράµατα Ni-Cr που χρησιµοποιούνται ως υλικά αντιστάσεων έχουν τιµές α 110 ppm / C, ενώ το δύστηκτο µέταλλο Ta έχει α µεταξύ 100 και +100 ppm / C. Τα υλικά τύπου "cermets" που είναι µίγµατα οξειδίων και µετάλλων έχουν τιµές α κάτω από 100 ppm / C. Η θερµοκρασιακή διακύµανση της αντίστασης ενός υλικού επηρεάζεται από την πυκνότητα ισχύος Q η οποία ορίζεται ως: Q = P/A, όπου Α η διατοµή και Ρ η ηλεκτρική ισχύς, ενώ η σχέση µεταξύ θερµοκρασίας Τ και πυκνότητας Q είναι: T = T o + Q k Τ 0 = 300 K και k η θερµική αγωγιµότητα του υλικού. (17)

33 οµή MOS Η δοµή MOS (Metal Oxide Semiconductor) είναι µια διάταξη µετάλλου διηλεκτρικού ηµιαγωγού η οποία αποτελεί το δοµικό στοιχείο της τεχνολογίας των ολοκληρωµένων MOSFET transistors. Στην τεχνολογία του Si, ως διηλεκτρικό χρησιµοποιείται το SiO 2 και ως µέταλλο συνήθως το Al ή άλλα µεταλλικά κράµατα. Η δίοδος ή πυκνωτής MOS είναι η διάταξη δύο ακροδεκτών επαφών εκ των οποίων η πάνω επαφή λέγεται πύλη (gate), ενώ η κάτω,που είναι ωµική, καλείται υπόστρωµα (Si). (Σχ. 24). Σχήµα 24. Τοµή διόδου MOS (Al-SiO 2 -Si) Λειτουργία µε πόλωση Η λειτουργία του πυκνωτή MOS διαφέρει από αυτή των τυπικών πυκνωτών στο ότι µε την εφαρµογή πόλωσης στην πύλη εµφανίζονται λόγω επαγωγής φορτία αντίθετου προσήµου στην επιφάνεια του Si. Τα φορτία αυτά επηρεάζουν σηµαντικά τη λειτουργία του πυκνωτή καθώς εισάγουν και το ρόλο του Si στην ηλεκτρική συµπεριφορά της διόδου MOS και αποτελούν βασική ιδέα για την κατασκευή ενός transistor MOSFET. Εξετάζοντας το ρόλο της πόλωσης µιας διόδου MOS, σε σχέση µε τα φορτία της διεπιφάνειας Si-SiO 2, υπάρχουν τρεις βασικές καταστάσεις όπως φαίνονται και στο σχήµα 25. α) Κατάσταση συσσώρευσης φορέων πλειονότητας στην επιφάνεια του Si. Για p-si υπόστρωµα απαιτείται V g <0. β) Κατάσταση απογύµνωσης (depletion). Για p-si απαιτείται V g >0 µε µικρές τιµές. Τα φορτία επιφάνειας είναι ιόντα προσµίξεων αποδεκτών (αρνητικά N A ). γ) Κατάσταση αντιστροφής (inversion). Συσσώρευση φορέων µειονότητας στην επιφάνεια του Si. Απαιτείται V g >V t >>0 για p-si. Η τάση V t είναι η κρίσιµη τάση για τη δηµιουργία αντίστροφων φορτίων στην επιφάνεια του Si και καλείται τάση κατωφλίου αντιστροφής.

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής.

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Α. ιεργασίες κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Η επίπεδη τεχνολογία κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων περιλαµβάνει

Διαβάστε περισσότερα

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1 Η2 Μελέτη ηµιαγωγών 1. Σκοπός Στην περιοχή της επαφής δυο ηµιαγωγών τύπου p και n δηµιουργούνται ορισµένα φαινόµενα τα οποία είναι υπεύθυνα για τη συµπεριφορά της επαφής pn ή κρυσταλλοδιόδου, όπως ονοµάζεται,

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Nανοσωλήνες άνθρακα Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Νανοσωλήνες άνθρακα ιστορική αναδρομή Από το γραφίτη στους Νανοσωλήνες άνθρακα Στο γραφίτη τα άτομα C συνδέονται ισχυρά

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ E-mail: gtsigaridas@teilam.gr ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΑΤΟΜΟΥ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΤΥΠΟΙ ΣΤΕΡΕΩΝ ΜΟΡΙΑΚΗ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΜΟΡΙΑΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την

Διαβάστε περισσότερα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC 6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα

Διαβάστε περισσότερα

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6-1 6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6.1. ΙΑ ΟΣΗ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Πολλές βιοµηχανικές εφαρµογές των πολυµερών αφορούν τη διάδοση της θερµότητας µέσα από αυτά ή γύρω από αυτά. Πολλά πολυµερή χρησιµοποιούνται

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Αγωγιμότητα των μεταλλικών Υλικών

Ηλεκτρική Αγωγιμότητα των μεταλλικών Υλικών Τα αγώγιμα υλικά Ηλεκτρική Αγωγιμότητα των μεταλλικών Υλικών Mακροσκοπικά η ηλεκτρική συμπεριφορά των υλικών είναι: Τα ηλεκτρόνια μπορούν να κινηθούν ελεύθερα στο κρυσταλλικό πλέγμα I=V/R {R=ρL/S, σ=1/ρ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ Με τον όρο αυτό ονοµάζουµε την τεχνική ποιοτικής και ποσοτικής ανάλυσης ουσιών µε βάση το µήκος κύµατος και το ποσοστό απορρόφησης της ακτινοβολίας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6.1 ΕΠΙΜΕΤΑΛΛΩΣΗ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6.1 ΕΠΙΜΕΤΑΛΛΩΣΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ Ι 98 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6.1 ΕΠΙΜΕΤΑΛΛΩΣΗ Με τον όρο επιμετάλλωση εννοούμε τη δημιουργία ενός στρώματος μετάλλου πάνω στο μέταλλο βάσης για την προσθήκη ορισμένων επιθυμητών ιδιοτήτων. Οι ιδιότητες

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ Ι 2 Κατηγορίες Υλικών ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Παραδείγματα Το πεντάγωνο των υλικών Κατηγορίες υλικών 1 Ορυκτά Μέταλλα Φυσικές πηγές Υλικάπουβγαίνουναπότηγημεεξόρυξηήσκάψιμοή

Διαβάστε περισσότερα

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός 5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός Σκοπός του μαθήματος: Να εντοπίζουμε τη θέση του πυριτίου στον περιοδικό πίνακα Να αναφέρουμε τη χρήση του πυριτίου σε υλικά όπως

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Σκοπός Στο τρίτο κεφάλαιο θα εισαχθεί η έννοια της ηλεκτρικής ενέργειας. 3ο κεφάλαιο ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ 1 2 3.1 Θερμικά αποτελέσματα του ηλεκτρικού ρεύματος Λέξεις κλειδιά:

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.

Διαβάστε περισσότερα

Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία

Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Ν. Μπούκος Αυτός ο κόσµος ο µικρός, ο µέγας. Περίγραµµα Εισαγωγή - Κίνητρα Νανοτεχνολογία Σχέση παρασκευής-µικροδοµήςιδιοτήτων

Διαβάστε περισσότερα

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΤΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ MOS ΣΕ ΠΥΡΙΤΙΟ

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα 1. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) Φασματοσκοπία μάζας δευτερογενών ιόντων. Rutherford backscattering (RBS) Φασματοσκοπία οπισθοσκέδασης κατά Rutherford Secondary ion

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης

Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης 3 η Θεµατική Ενότητα : Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Κατασκευή δίσκου πυριτίου Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 2 Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων

Διαβάστε περισσότερα

Γενικά για µικροκύµατα. ηµιουργία ηλεκτροµαγνητικών κυµάτων.

Γενικά για µικροκύµατα. ηµιουργία ηλεκτροµαγνητικών κυµάτων. ρ. Χ. Βοζίκης Εργαστήριο Φυσικής ΙΙ 5 1. Άσκηση 1 Γενικά για µικροκύµατα. ηµιουργία ηλεκτροµαγνητικών κυµάτων. 1.1 Εισαγωγή Τα µικροκύµατα είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία όπως το ορατό φώς, οι ακτίνες

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Post Doc Researcher, Chemist Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΙΣ Θερμική ενέργεια Q και Ισχύς Ρ Όταν μια αντίσταση R διαρρέεται από ρεύμα Ι για χρόνο t, τότε παράγεται θερμική ενέργεια Q. Για το συνεχές ρεύμα η ισχύς

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο Βασίλης Γαργανουράκης Φυσική ήγ Γυμνασίου Εισαγωγή Στο προηγούμενο κεφάλαιο μελετήσαμε τις αλληλεπιδράσεις των στατικών (ακίνητων) ηλεκτρικών φορτίων. Σε αυτό το κεφάλαιο

Διαβάστε περισσότερα

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων.

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Κεφάλαιο 3 Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Υπάρχουν διάφοροι τύποι μετατροπέων για τη μέτρηση θερμοκρασίας. Οι βασικότεροι από αυτούς είναι τα θερμόμετρα διαστολής, τα θερμοζεύγη, οι μετατροπείς

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ 1. Ηλιακή ακτινοβολία Ο ήλιος ενεργεί σχεδόν, ως μια τέλεια πηγή ακτινοβολίας σε μια θερμοκρασία κοντά στους 5.800 Κ Το ΑΜ=1,5 είναι το τυπικό ηλιακό φάσμα πάνω

Διαβάστε περισσότερα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

Στοιχεία Θερµικών/Μηχανικών Επεξεργασιών και δοµής των Κεραµικών, Γυαλιών

Στοιχεία Θερµικών/Μηχανικών Επεξεργασιών και δοµής των Κεραµικών, Γυαλιών Στοιχεία Θερµικών/Μηχανικών Επεξεργασιών και δοµής των Κεραµικών, Γυαλιών Βασισµένοστο Norman E. Dowling, Mechanical Behavior of Materials, Third Edition, Pearson Education, 2007 1 Κεραµικάκαιγυαλιά Τα

Διαβάστε περισσότερα

Ακτίνες Χ (Roentgen) Κ.-Α. Θ. Θωμά

Ακτίνες Χ (Roentgen) Κ.-Α. Θ. Θωμά Ακτίνες Χ (Roentgen) Είναι ηλεκτρομαγνητικά κύματα με μήκος κύματος μεταξύ 10 nm και 0.01 nm, δηλαδή περίπου 10 4 φορές μικρότερο από το μήκος κύματος της ορατής ακτινοβολίας. ( Φάσμα ηλεκτρομαγνητικής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ «Ίσως το φως θα ναι μια νέα τυραννία. Ποιος ξέρει τι καινούρια πράγματα θα δείξει.» Κ.Π.Καβάφης ΑΡΧΕΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ LASER Εισαγωγικές Έννοιες

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 ΝΕΑ ΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΓΙΑ ΧΑΜΗΛΟΥ ΚΟΣΤΟΥΣ & ΥΨΗΛΗΣ ΑΠΟΔΟΣΗΣ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 1 Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών,

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναµικό. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναµικό. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναµικό Διαφορά Δυναµικού-Δυναµική Ενέργεια Σχέση Ηλεκτρικού Πεδίου και Ηλεκτρικού Δυναµικού Ηλεκτρικό Δυναµικό Σηµειακών Φορτίων Δυναµικό Κατανοµής Φορτίων Ισοδυναµικές Επιφάνειες

Διαβάστε περισσότερα

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain)

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) Μηχανικές ιδιότητες υάλων Η ψαθυρότητα των υάλων είναι μια ιδιότητα καλά γνωστή που εύκολα διαπιστώνεται σε σύγκριση με ένα μεταλλικό υλικό. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) E (Young s modulus)=

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Ενότητα 2.5 Κεφάλαιο 2 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ ΣΤΟΧΟΙ Μετά την ολοκλήρωση της ενότητας αυτής θα μπορείτε: Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Να αναγνωρίζετε βασικά ηλεκτρονικά

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ

ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ ο αριθμός Avogadro, N A, L = 6,022 10 23 mol -1 η σταθερά Faraday, F = 96 487 C mol -1 σταθερά αερίων R = 8,314 510 (70) J K -1 mol -1 = 0,082 L atm mol -1 K -1 μοριακός

Διαβάστε περισσότερα

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Παράμετροι που τροποποιούν την δομή των ταινιών Σχηματισμός κράματος ή περισσοτέρων ημιαγωγών Ανάπτυξη ετεροδομών ή υπερδομών κβαντικός περιορισμός (quantum

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΧΑΛΚΙ ΑΣ Ενεργειακές µετρήσεις σε κτήρια, κέλυφος Χρήση θερµοκάµερας, διαπίστωση και προσδιορισµός απωλειών από θερµογέφυρες. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΧΑΛΚΙ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ Ενεργειακές Μετρήσεις σε

Διαβάστε περισσότερα

6.2. ΤΗΞΗ ΚΑΙ ΠΗΞΗ, ΛΑΝΘΑΝΟΥΣΕΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΕΣ

6.2. ΤΗΞΗ ΚΑΙ ΠΗΞΗ, ΛΑΝΘΑΝΟΥΣΕΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΕΣ 45 6.1. ΓΕΝΙΚΑ ΠΕΡΙ ΦΑΣΕΩΝ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΣ ΦΑΣΕΩΝ Όλα τα σώµατα,στερεά -ά-αέρια, που υπάρχουν στη φύση βρίσκονται σε µια από τις τρεις φάσεις ή σε δύο ή και τις τρεις. Όλα τα σώµατα µπορεί να αλλάξουν φάση

Διαβάστε περισσότερα

Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο

Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο Ενεργειακό Γραφείο Κυπρίων Πολιτών Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο Βασικότερα τμήματα ενός Φ/Β συστήματος Τα φωτοβολταϊκά (Φ/Β) συστήματα μετατρέπουν

Διαβάστε περισσότερα

ΟΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΑΝΑΦΛΕΞΗΣ ΚΑΙ ΑΣΦΑΛΕΙΑΣ ΣΤΟΥΣ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΟΥΣ ΚΑΥΣΤΗΡΕΣ ΑΕΡΙΩΝ

ΟΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΑΝΑΦΛΕΞΗΣ ΚΑΙ ΑΣΦΑΛΕΙΑΣ ΣΤΟΥΣ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΟΥΣ ΚΑΥΣΤΗΡΕΣ ΑΕΡΙΩΝ ΠΑΝΑΓΙΩΤΗΣ ΦΑΝΤΑΚΗΣ 1 ΟΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΑΝΑΦΛΕΞΗΣ ΚΑΙ ΑΣΦΑΛΕΙΑΣ ΣΤΟΥΣ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΟΥΣ ΚΑΥΣΤΗΡΕΣ ΑΕΡΙΟΥ Του Παναγιώτη Φαντάκη. ΓΕΝΙΚΑ Οι καυστήρες αερίων καυσίμων διακρίνονται σε ατμοσφαιρικούς καυστήρες, σε

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση µε έγχυση του δείγµατος σε συνεχή ροή (Flow Injection Analysis, FIA)

Ανάλυση µε έγχυση του δείγµατος σε συνεχή ροή (Flow Injection Analysis, FIA) Ανάλυση µε έγχυση του δείγµατος σε συνεχή ροή (Flow Injection Analysis, FIA) H ιστορική εξέλιξη των αυτόµατων µεθόδων ανάλυσης Κλασική ανάλυση Ασυνεχής αυτόµατη ανάλυση Ανάλυση συνεχούς ροής? Τα πλεονεκτήµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ

ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ 4.1 ΑΣΚΗΣΗ 4 ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ A. ΣΥΝΘΕΣΗ ΚΑΘΕΤΩΝ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΩΝ ΚΑΙ ΕΥΡΕΣΗ ΤΗΣ ΔΙΑΦΟΡΑΣ ΦΑΣΕΩΣ ΤΟΥΣ Η σύνθεση δύο καθέτων ταλαντώσεων, x x0 t, y y0 ( t ) του ίδιου πλάτους της ίδιας συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2011

ΛΥΣΕΙΣ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2011 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2011 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ Τ.Σ. (ΙΙ) ΠΡΑΚΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Μάθηµα: Τεχνολογία Συγκολλήσεων και

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην Μεταφορά Θερμότητας

Εισαγωγή στην Μεταφορά Θερμότητας Εισαγωγή στην Μεταφορά Θερμότητας ΜΜΚ 312 Μεταφορά Θερμότητας Τμήμα Μηχανικών Μηχανολογίας και Κατασκευαστικής Διάλεξη 1 MMK 312 Μεταφορά Θερμότητας Κεφάλαιο 1 1 Μεταφορά Θερμότητας - Εισαγωγή Η θερμότητα

Διαβάστε περισσότερα

Σταθµοί ηλεκτροπαραγωγής συνδυασµένου κύκλου µε ενσωµατωµένη αεριοποίηση άνθρακα (IGCC) ρ. Αντώνιος Τουρλιδάκης Καθηγητής Τµ. Μηχανολόγων Μηχανικών, Πανεπιστήµιο υτικής Μακεδονίας 1 ιαδικασίες, σχήµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ (Κυκλώματα Φωτισμού)

ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ (Κυκλώματα Φωτισμού) Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ (Κυκλώματα Φωτισμού) στο μάθημα ΚΤΙΡΙΑΚΕΣ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ («ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ») Σταύρος Καμινάρης Δρ. Ηλεκτρολόγος Μηχανικός ΕΜΠ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ. Για τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και το γράµµα που αντιστοιχεί στην σωστή απάντηση

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ. Για τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και το γράµµα που αντιστοιχεί στην σωστή απάντηση B' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΖΗΤΗΜΑ 1 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Για τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και το γράµµα που αντιστοιχεί στην σωστή απάντηση

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΑ ΝΕΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΒΑΣΙΣΜΕΝΟ ΣΤΟ ΥΠΟΞΕΙ ΙΟ ΤΟΥ ΧΑΛΚΟΥ (Cu 2 O)

ΕΝΑ ΝΕΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΒΑΣΙΣΜΕΝΟ ΣΤΟ ΥΠΟΞΕΙ ΙΟ ΤΟΥ ΧΑΛΚΟΥ (Cu 2 O) ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟ ΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΣΤΗ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΕΝΑ ΝΕΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΒΑΣΙΣΜΕΝΟ

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1ο 1.1 Να γράψετε στο τετράδιό σας τα φυσικά µεγέθη από τη Στήλη Ι και, δίπλα σε καθένα, τη µονάδα της Στήλης ΙΙ που αντιστοιχεί σ' αυτό.

ΘΕΜΑ 1ο 1.1 Να γράψετε στο τετράδιό σας τα φυσικά µεγέθη από τη Στήλη Ι και, δίπλα σε καθένα, τη µονάδα της Στήλης ΙΙ που αντιστοιχεί σ' αυτό. ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΝΙΑΙΟΥ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 5 ΙΟΥΝΙΟΥ 2002 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ: ΦΥΣΙΚΗ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ: ΕΠΤΑ (7) ΘΕΜΑ 1ο 1.1 Να γράψετε στο τετράδιό σας τα

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθμό το γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

Μελέτη των χαρακτηριστικών της β - ραδιενεργού εκποµπής

Μελέτη των χαρακτηριστικών της β - ραδιενεργού εκποµπής ΑΠ2 Μελέτη των χαρακτηριστικών της β - ραδιενεργού εκποµπής 1. Σκοπός Η εργαστηριακή αυτή άσκηση µελετά τα χαρακτηριστικά της β - ακτινοβολίας. Πιο συγκεκριµένα υπολογίζεται πειραµατικά η εµβέλεια των

Διαβάστε περισσότερα

Ατομική μονάδα μάζας (amu) ορίζεται ως το 1/12 της μάζας του ατόμου του άνθρακα 12 6 C.

Ατομική μονάδα μάζας (amu) ορίζεται ως το 1/12 της μάζας του ατόμου του άνθρακα 12 6 C. 4.1 Βασικές έννοιες Ατομική μονάδα μάζας (amu) ορίζεται ως το 1/12 της μάζας του ατόμου του άνθρακα 12 6 C. Σχετική ατομική μάζα ή ατομικό βάρος λέγεται ο αριθμός που δείχνει πόσες φορές είναι μεγαλύτερη

Διαβάστε περισσότερα

Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ 1 Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ Α Στις ερωτήσεις 1 έως 4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα σε κάθε αριθµό το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή

Διαβάστε περισσότερα

3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 1 Λέξεις κλειδιά: Ηλεκτρολυτικά διαλύματα, ηλεκτρόλυση,

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only. ΑΣΚΗΣΗ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΥΓΡΟΥ

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only. ΑΣΚΗΣΗ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΥΓΡΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 13 ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΥΓΡΟΥ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΒΑΣΙΚΕΣ ΘΕΩΡΗΤΙΚΕΣ ΓΝΩΣΕΙΣ 1.1. Εσωτερική ενέργεια Γνωρίζουμε ότι τα μόρια των αερίων κινούνται άτακτα και προς όλες τις διευθύνσεις με ταχύτητες,

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥ ΩΝ ΦΥΣΙΚΗ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5 Προσδιορισµός του ύψους του οραικού στρώµατος µε τη διάταξη lidar. Μπαλής

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

Θερµότητα χρόνος θέρµανσης. Εξάρτηση από είδος (c) του σώµατος. Μονάδα: Joule. Του χρόνου στον οποίο το σώµα θερµαίνεται

Θερµότητα χρόνος θέρµανσης. Εξάρτηση από είδος (c) του σώµατος. Μονάδα: Joule. Του χρόνου στον οποίο το σώµα θερµαίνεται 1 2 Θερµότητα χρόνος θέρµανσης Εξάρτηση από είδος (c) του σώµατος Αν ένα σώµα θερµαίνεται από µια θερµική πηγή (γκαζάκι, ηλεκτρικό µάτι), τότε η θερµότητα (Q) που απορροφάται από το σώµα είναι ανάλογη

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά υλικά. Ηλεκτρική αγωγιµότητα στερεού είναι η ευκολία, µε την οποία άγει το ηλεκτρικό ρεύµα.

Ηλεκτρονικά υλικά. Ηλεκτρική αγωγιµότητα στερεού είναι η ευκολία, µε την οποία άγει το ηλεκτρικό ρεύµα. Ηλεκτρονικά υλικά ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ ΣΤΑ ΥΛΙΚΑ Ηλεκτρική αγωγιµότητα στερεού είναι η ευκολία, µε την οποία άγει το ηλεκτρικό ρεύµα. ιάκριση υλικών µε βάση τον τρόπο µεταβολής της ηλεκτρικής αγωγιµότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 2006 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΦΥΣΙΚΗ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 2006 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 006 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ ο Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό καθεµιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις - 4 και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή

Διαβάστε περισσότερα

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ε π α ν α λ η π τ ι κ ά θ έ µ α τ α 0 0 5 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 1 ΘΕΜΑ 1 o Για τις ερωτήσεις 1 4, να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα που

Διαβάστε περισσότερα

ΣΚΑΛΙΕΡΕΣ Διέλευσης Καλωδίων. Τεχνικές Οδηγίες & Προδιαγραφές

ΣΚΑΛΙΕΡΕΣ Διέλευσης Καλωδίων. Τεχνικές Οδηγίες & Προδιαγραφές ΣΚΑΛΙΕΡΕΣ Διέλευσης Καλωδίων Τεχνικές Οδηγίες & Προδιαγραφές Κατάλογος Προϊόντων / Σκοπός και Δομή Ο κύριος στόχος της εταιρίας είναι η κατασκευή ποιοτικών προ όντων με: πρακτικό σχεδιασμό αυξημένη αντοχή

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ Μελέτη φωτισμού συγκροτήματος γραφείων με τεχνολογία LED Επιβλέπων Καθηγητής: Ιωαννίδης Γεώργιος Σπουδαστής: Ζάρδας Δημήτριος Μάιος2014

Διαβάστε περισσότερα

Ύλη έβδοµου µαθήµατος

Ύλη έβδοµου µαθήµατος ιάλεξη 7 η Ύλη έβδοµου µαθήµατος Φασµατοσκοπία απορρόφησης ακτίνων Χ, Φασµατοσκοπία οπισθοσκέδασης Rutherford, Φασµατοσκοπία ηλεκτρονίων Auger, Φασµατοσκοπία µάζας δευτερογενών ιόντων. Φασµατοσκοπία απορρόφησης

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ. Τίτλοι ερευνών Διατύπωση υπόθεσης Ανεξάρτητη, εξαρτημένη και ελεγχόμενες μεταβλητές.

ΑΣΚΗΣΕΙΣ. Τίτλοι ερευνών Διατύπωση υπόθεσης Ανεξάρτητη, εξαρτημένη και ελεγχόμενες μεταβλητές. Άσκηση1: ΑΣΚΗΣΕΙΣ Τίτλοι ερευνών Διατύπωση υπόθεσης Ανεξάρτητη, εξαρτημένη και ελεγχόμενες μεταβλητές. Στις παρακάτω προτάσεις υπογραμμίστε με μια γραμμή την ανεξάρτητη και με δύο την εξαρτημένη μεταβλητή:

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΙΑΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΤΙ ΕΙΝΑΙ?

ΗΛΙΑΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΤΙ ΕΙΝΑΙ? ΗΛΙΑΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΤΙ ΕΙΝΑΙ? Η ηλιακή ενέργεια που προσπίπτει στην επιφάνεια της γης είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία που παράγεται στον ήλιο. Φτάνει σχεδόν αµετάβλητη στο ανώτατο στρώµατηςατµόσφαιρας του

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στις Ηλεκτρικές Μετρήσεις

Εισαγωγή στις Ηλεκτρικές Μετρήσεις Εισαγωγή στις Ηλεκτρικές Μετρήσεις Σφάλματα Μετρήσεων Συμβατικά όργανα μετρήσεων Χαρακτηριστικά μεγέθη οργάνων Παλμογράφος Λέκτορας Σοφία Τσεκερίδου 1 Σφάλματα μετρήσεων Επιτυχημένη μέτρηση Σωστή εκλογή

Διαβάστε περισσότερα

ΟΛΚΗ ΓΕΝΙΚΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΤΩΝ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΩΝ ΟΛΚΗΣ Α. ΣΥΡΜΑΤΟΠΟΙΗΣΗ

ΟΛΚΗ ΓΕΝΙΚΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΤΩΝ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΩΝ ΟΛΚΗΣ Α. ΣΥΡΜΑΤΟΠΟΙΗΣΗ ΟΛΚΗ ΓΕΝΙΚΑ Κατά την ολκή (drawing), το τεµάχιο υπό τη µορφή ράβδου, σύρµατος ή σωλήνα υφίσταται πλαστική παραµόρφωση διερχόµενο µέσα από µεταλλική µήτρα υπό την επενέργεια εφελκυστικού φορτίου στην έξοδο

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΧΗΜΙΚΗ ΑΠΟΜΑΚΡΥΝΣΗ ΤΩΝ ΝΙΤΡΙΚΩΝ ΙΟΝΤΩΝ ΑΠΟ Y ΑΤΙΚΑ ΙΑΛΥΜΑΤΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΧΗΜΙΚΗ ΑΠΟΜΑΚΡΥΝΣΗ ΤΩΝ ΝΙΤΡΙΚΩΝ ΙΟΝΤΩΝ ΑΠΟ Y ΑΤΙΚΑ ΙΑΛΥΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΧΗΜΙΚΗ ΑΠΟΜΑΚΡΥΝΣΗ ΤΩΝ ΝΙΤΡΙΚΩΝ ΙΟΝΤΩΝ ΑΠΟ Y ΑΤΙΚΑ ΙΑΛΥΜΑΤΑ Χ. Πολατίδης, Γ. Κυριάκου Τµήµα Χηµικών Μηχανικών, Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο, 54124 Θεσσαλονίκη ΠΕΡΙΛΗΨΗ Στην εργασία αυτή µελετήθηκε

Διαβάστε περισσότερα

ιαγώνισµα στις Ταλαντώσεις ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ ΜΕΤΑΙΧΜΙΟ 1

ιαγώνισµα στις Ταλαντώσεις ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ ΜΕΤΑΙΧΜΙΟ 1 ιαγώνισµα στις Ταλαντώσεις ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ ΜΕΤΑΙΧΜΙΟ 1 ΘΕΜΑ 1 0 Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό καθεµιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. 1. Το

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΜΠΥΚΝΩΤΕΣ ΑΝΕΡΧΟΜΕΝΗΣ Ή ΚΑΤΕΡΧΟΜΕΝΗΣ ΣΤΙΒΑ ΑΣ

ΣΥΜΠΥΚΝΩΤΕΣ ΑΝΕΡΧΟΜΕΝΗΣ Ή ΚΑΤΕΡΧΟΜΕΝΗΣ ΣΤΙΒΑ ΑΣ Στην προκειµένη περίπτωση, µια φυγοκεντρική αντλία ωθεί το υγρό να περάσει µέσα από τους σωλήνες µε ταχύτητες από 2 µέχρι 6 m/s. Στους σωλήνες υπάρχει επαρκές υδροστατικό ύψος, ώστε να µην συµβεί βρασµός

Διαβάστε περισσότερα

ÊÏÑÕÖÇ ÊÁÂÁËÁ Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΦΥΣΙΚΗ. U 1 = + 0,4 J. Τα φορτία µετατοπίζονται έτσι ώστε η ηλεκτρική δυναµική ενέργεια

ÊÏÑÕÖÇ ÊÁÂÁËÁ Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΦΥΣΙΚΗ. U 1 = + 0,4 J. Τα φορτία µετατοπίζονται έτσι ώστε η ηλεκτρική δυναµική ενέργεια 1 ΘΕΜΑ 1 ο Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΦΥΣΙΚΗ 1. οχείο σταθερού όγκου περιέχει ορισµένη ποσότητα ιδανικού αερίου. Αν θερµάνουµε το αέριο µέχρι να τετραπλασιαστεί η απόλυτη θερµοκρασία

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Δ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Δ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ Θέμα Α ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Δ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Δ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΙ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Β ) ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 9 ΜΑΪΟΥ 015 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΑΙ

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ ΘΕΜΑΤΑ

ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ ΘΕΜΑΤΑ ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ 2002 ΘΕΜΑΤΑ ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΕΜΠΤΗ 6 ΙΟΥΝΙΟΥ 2002 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΑΙ ΤΩΝ ΥΟ ΚΥΚΛΩΝ): ΦΥΣΙΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ

ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΜΕΤΑΛΛΕΙΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΩΝ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ ΜΕΤΑΦΟΡΑ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΜΑΖΑΣ ΑΓΩΓΗ () Νυμφοδώρα Παπασιώπη Φαινόμενα Μεταφοράς ΙΙ. Μεταφορά Θερμότητας και Μάζας

Διαβάστε περισσότερα

ΦΩΤΟΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΚΑΥΣΑΕΡΙΩΝ ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΩΝ ΣΕ ΘΕΡΜΙΚΑ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΜΕΝΟ TiO2 ΜΕ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΠΛΑΤΙΝΑΣ

ΦΩΤΟΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΚΑΥΣΑΕΡΙΩΝ ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΩΝ ΣΕ ΘΕΡΜΙΚΑ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΜΕΝΟ TiO2 ΜΕ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΠΛΑΤΙΝΑΣ ΦΩΤΟΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΚΑΥΣΑΕΡΙΩΝ ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΩΝ ΣΕ ΘΕΡΜΙΚΑ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΜΕΝΟ Ti ΜΕ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΠΛΑΤΙΝΑΣ Ε. Πουλάκης, Κ. Φιλιππόπουλος Σχολή Χημικών Μηχανικών, Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο, Ηρώων Πολυτεχνείου

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 Ζήτηµα 1ο Στις ερωτήσεις Α.1. και Α.2. να γράψετε στο τετράδιό σας το γράµµα της σωστής απάντησης. Α.1. Για να πραγµατοποιηθεί η σύνδεση σε αστέρα τριφασικού

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ

ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Η επιστήμη της Θερμοδυναμικής (Thermodynamics) συσχετίζεται με το ποσό της μεταφερόμενης ενέργειας (έργου ή θερμότητας) από ένα σύστημα προς ένα

Διαβάστε περισσότερα

2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός

2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΣΤΟ Ε.Μ.Π. Δ, Τσαμάκης Πρόεδρος ΣΗΜΜΥ ΓΕΝΙΚΑ Τελευταία δεκαετία: : Τάση για επενδύσεις στην ΈΡΕΥΝΑ στους τομείς της Νανοτεχνολογίας με στόχο τη δημιουργία υποδομής νέας γνώσης στην περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

Μετρήσεις µε παλµογράφο

Μετρήσεις µε παλµογράφο Η6 Μετρήσεις µε παλµογράφο ΜΕΡΟΣ 1 ο ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ Α. Γενικά Κατά την απεικόνιση ενός εναλλασσόµενου µεγέθους (Σχήµα 1), είναι γνωστό ότι στον κατακόρυφο άξονα «Υ» παριστάνεται το πλάτος του µεγέθους, ενώ

Διαβάστε περισσότερα

Επίδραση του συνδυασμού μόνωσης και υαλοπινάκων στη μεταβατική κατανάλωση ενέργειας των κτιρίων

Επίδραση του συνδυασμού μόνωσης και υαλοπινάκων στη μεταβατική κατανάλωση ενέργειας των κτιρίων Επίδραση του συνδυασμού μόνωσης και υαλοπινάκων στη μεταβατική κατανάλωση ενέργειας των κτιρίων Χ. Τζιβανίδης, Λέκτορας Ε.Μ.Π. Φ. Γιώτη, Μηχανολόγος Μηχανικός, υπ. Διδάκτωρ Ε.Μ.Π. Κ.Α. Αντωνόπουλος, Καθηγητής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα 1. Να αναφέρετε τρεις τεχνολογικούς τομείς στους οποίους χρησιμοποιούνται οι τελεστικοί ενισχυτές. Τρεις τεχνολογικοί τομείς που οι τελεστικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές

Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές UNIVERSITY of PATRAS Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές ιπλωµατική εργασία ΣΥΚΑΡΗ ΒΙΟΛΕΤΑ Επιβλέπων καθηγητής ΛΑ ΑΣ ΣΠΥΡΙ ΩΝ ΠΑΤΡΑ

Διαβάστε περισσότερα

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2014

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2014 ΤΑΞΗ: ΜΑΘΗΜΑ: Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ / ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΘΕΜΑ Α Ηµεροµηνία: Κυριακή 13 Απριλίου 2014 ιάρκεια Εξέτασης: 3 ώρες ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ 1. ύο µονοχρωµατικές ακτινοβολίες Α και Β µε µήκη κύµατος στο κενό

Διαβάστε περισσότερα

Το φωτοηλεκτρικό φαινόµενο: Προσδιορισµός της σταθεράς του Planck και του έργου εξαγωγής φωτο-ηλεκτρονίων

Το φωτοηλεκτρικό φαινόµενο: Προσδιορισµός της σταθεράς του Planck και του έργου εξαγωγής φωτο-ηλεκτρονίων ΑΠ3 Το φωτοηλεκτρικό φαινόµενο: Προσδιορισµός της σταθεράς του Planck και του έργου εξαγωγής φωτο-ηλεκτρονίων 1. Σκοπός Σκοπός της εργαστηριακής αυτής άσκησης είναι αφ ενός η διερεύνηση του φωτοηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Ζήτηµα 1ο Στις ερωτήσεις Α.1. και Α.2. να γράψετε στο τετράδιό σας το γράµµα της σωστής απάντησης. Α.1. Για να πραγµατοποιηθεί η σύνδεση

Διαβάστε περισσότερα

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2012. Ηµεροµηνία: Τετάρτη 18 Απριλίου 2012 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2012. Ηµεροµηνία: Τετάρτη 18 Απριλίου 2012 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΤΑΞΗ: ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ: ΜΑΘΗΜΑ: ΘΕΜΑ Α Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Ηµεροµηνία: Τετάρτη 18 Απριλίου 2012 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Στις ερωτήσεις 1 έως 4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό

Διαβάστε περισσότερα

Α1. Πράσινο και κίτρινο φως προσπίπτουν ταυτόχρονα και µε την ίδια γωνία πρόσπτωσης σε γυάλινο πρίσµα. Ποιά από τις ακόλουθες προτάσεις είναι σωστή:

Α1. Πράσινο και κίτρινο φως προσπίπτουν ταυτόχρονα και µε την ίδια γωνία πρόσπτωσης σε γυάλινο πρίσµα. Ποιά από τις ακόλουθες προτάσεις είναι σωστή: 54 Χρόνια ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΜΕΣΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΣΑΒΒΑΪΔΗ-ΜΑΝΩΛΑΡΑΚΗ ΠΑΓΚΡΑΤΙ : Φιλολάου & Εκφαντίδου 26 : Τηλ.: 2107601470 ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ : ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ 2014 ΘΕΜΑ Α Α1. Πράσινο και κίτρινο φως

Διαβάστε περισσότερα

Απώλειες των βιταμινών κατά την επεξεργασία των τροφίμων

Απώλειες των βιταμινών κατά την επεξεργασία των τροφίμων Απώλειες των βιταμινών κατά την επεξεργασία των τροφίμων Αποφλοίωση και καθαρισμός Πολλά φυτικά προϊόντα π.χ, μήλα, πατάτες χρειάζονται αποφλοίωση ή καθαρισμό μερικών τμημάτων τους πριν από την κατεργασία.

Διαβάστε περισσότερα