οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)."

Transcript

1 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα οδήγησης όπως οι αντίστοιχες διπολικές διατάξεις. Πρόκειται για τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) που λειτουργούν µε τρόπο παρόµοιο µε τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου επαφής (JFET). Η βασική τους διαφορά έναντι των JFET είναι ότι το δυναµικό που ελέγχει τη λειτουργία τους (δυναµικό πύλης) εφαρµόζεται στην ενεργό περιοχή (κανάλι) διαµέσου ενός µονωτικού στρώµατος από κατάλληλο οξείδιο αντί να εφαρµόζεται µέσω µιας p-n επαφής. Τα MOSFET µπορούν να κατασκευαστούν τόσο µεµονωµένα (διακριτά τρανζίστορ) όσο και ως µέρη ενός ευρύτερου ολοκληρωµένου κυκλώµατος. Η ενεργή περιοχή τους µπορεί να είναι ένα κανάλι p-τύπου οπότε το τρανζίστορ χαρακτηρίζεται και ως PMOS ή ένα κανάλι n-τύπου οπότε το τρανζίστορ χαρακτηρίζεται και ως NMOS. Το µεγάλο πλεονέκτηµα των δοµών MOSFET είναι η πολύ µικρή ισχύς τους λόγω του µονωτικού στρώµατος που παρεµβάλλεται µεταξύ πύλης και καναλιού. Λόγω αυτής της µόνωσης τα τρανζίστορ αυτά χαρακτηρίζονται και ως "Insulated Gate Field Effect Transistors" (IGFET) µια ονοµασία πιο γενική µε δεδοµένο ότι οι πύλες δεν είναι πάντα µεταλλικές. Αρχικά οι δοµές MOSFET χρησιµοποιούσαν µεταλλική πύλη, κανάλι πυριτίου και διοξείδιο του πυριτίου ως µονωτικό στρώµα. Στη συνέχεια, οι µεταλλικές πύλες αντικαταστάθηκαν από πύλες πολυκρυσταλλικού πυριτίου (γενιά κόµβων πύλης των 65nm) και οι πιο εξελιγµένες τεχνολογίες έκαναν χρήση οξυνιτριδίου του πυριτίου ως µονωτικού υλικού αντί του διοξειδίου του πυριτίου.

2 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 2 Οι µεταλλικές πύλες επανέρχονται στο προσκήνιο σε συνδυασµό µε τη χρήση διηλεκτρικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς ως µονωτικών πύλης, στις τεχνολογίες πύλης των 45nm και κάτω. Αναφορικά τώρα µε τον ηµιαγωγό που χρησιµοποιείται, αυτός είναι κυρίως το πυρίτιο ενώ κατασκευαστές όπως η IBM χρησιµοποιούν καιι το SiGe. Ηµιαγωγοί µε υψηλές επιδόσεις, λόγω αυξηµένης ευκινησίας φορέων σε σχέση µε το πυρίτιο, όπως το GaAs δεν είναι κατάλληλοι για την κατασκευή MOS τρανζίστορ λόγω της αδυναµίας ανάπτυξης του αντίστοιχου οξειδίου του ηµιαγωγού. Η κεντρική ιδέα της λειτουργίας των MOSFET είναι η ακόλουθη: Η εφαρµογή µιας διαφοράς δυναµικού µεταξύ πύλης και πηγής δηµιουργεί ένα ηλεκτρικό πεδίο το οποίο διαπερνά το διηλεκτρικό της πύλης και δηµιουργεί (MOSFET προσαύξησης) ή τροποποιεί (MOSFET διακένωσης) ένα στρώµα αναστροφής. Το στρώµα αναστροφής έχει αντίθετο τύπο αγωγιµότητας από αυτόν του υποβάθρου και ταυτόσηµο µε αυτόν των διαχύσεων σε πηγή και απαγωγό. Σχήµα 1. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS) µε το σύµβολό του.

3 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 3 Για παράδειγµα σε µια δοµή όπως αυτή του σχήµατος 1 όπου η πηγή (S) και ο απαγωγός (D) είναι n-τύπου και το υπόστρωµα p-τύπου, το κανάλι αναστροφής που θα σχηµατιστεί µεταξύ πηγής και απαγωγού µε την εφαρµογή κατάλληλης διαφοράς δυναµικού µεταξύ πύλης και πηγής θα είναι n-τύπου. ηµιουργείται έτσι ένας δίαυλος που επιτρέπει τη ροή του ρεύµατος µεταξύ πηγής και απαγωγού. Η µεταβολή της διαφοράς δυναµικού µεταξύ της πύλης και του σώµατος του υποστρώµατος (που συνήθως το υπόστρωµα βραχυνυκλώνεται µε την πηγή όπως φαίνεται στο σχήµα 2) διαµορφώνει την αγωγιµότητα του καναλιού ελέγχοντας έτσι τη ροή του ρεύµατος µεταξύ πηγής και απαγωγού. Σχήµα 2. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS) µε βραχυκύκλωµα µεταξύ της πηγής και του σώµατος του υποστρώµατος (Bulk) µαζί µε το σύµβολό του.

4 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 4 A. MOSFET προσαύξησης (enhancement MOSFET). Α1. Βασικά χαρακτηριστικά. Οι δοµές που παρουσιάστηκαν στα σχήµατα 1 και 2 είναι κατάλληλες για τη λειτουργία ενός MOSFET ως MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Αντίστοιχα οι δοµές των σχηµάτων 3 και 4 είναι κατάλληλες για λειτουργία ως MOSFET προσαύξησης p-καναλιού (enhancement PMOS). Σχήµα 3. MOSFET προσαύξησης p-καναλιού (enhancement PMOS) µε το σύµβολό του. Σχήµα 4. MOSFET προσαύξησης p-καναλιού (enhancement PMOS) µε βραχυκύκλωµα µεταξύ της πηγής και του σώµατος του υποστρώµατος (Bulk) µαζί µε το σύµβολό του.

5 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 5 Στο σχήµα 5 παρουσιάζεται η διαδικασία δηµιουργίας ενός καναλιού αναστροφής (κανάλι n-τύπου) µέσα σε ένα υπόστρωµα p-τύπου, δηµιουργώντας έτσι έναν n-δίαυλο που ενώνει τις n + -τύπου περιοχές της πηγής και του απαγωγού. Όταν στην πύλη δεν εφαρµόζεται κάποιο δυναµικό δεν υπάρχει ο n- δίαυλος και οι n + -τύπου περιοχές του απαγωγού και της πηγής χωρίζονται από το p-τύπου υλικό του υποστρώµατος που είναι πολύ µικρής αγωγιµότητας. Το p-τύπου υπόστρωµα το µονωτικό οξείδιο και η µεταλλική πύλη αποτελούν έναν πυκνωτή. Όταν η µεταλλική πύλη βρεθεί σε θετικό δυναµικό υψηλότερο από αυτό της πηγής (υ GS >0 στο σχήµα 5) συσσωρεύονται σε αυτήν θετικά φορτία τα οποία έλκουν ηλεκτρόνια (φορείς µειονότητας) από το p-υπόστρωµα προς τη διεπιφάνεια µε το οξείδιο απωθώντας παράλληλα τις οπές. Όταν η συσσώρευση αυτών των αρνητικών φορτίων φτάσει σε συγκέντρωση τέτοια ώστε να ξεπερνά τη συγκέντρωση των φορέων πλειονότητας (οπών) του p-υποστρώµατος επέρχεται η αναστροφή του τύπου αγωγιµότητας και σχηµατίζεται ένας οµοιογενής δίαυλος τύπου n στο p- υπόστρωµα, όπως φαίνεται στο σχήµα 5. Για να µπορέσει η συγκέντρωση ηλεκτρονίων να ξεπεράσει τοπικά - κοντά στο µονωτικό στρώµα και κατά µήκος ολόκληρης της έκτασης της πύλης- αυτήν των οπών χρειάζεται η τάση υ GS να ξεπεράσει κάποια τιµή κατωφλίου V T (Threshold Voltage) που είναι της τάξης των 1-4V. Το κατώφλι αυτό είναι αντίστοιχο σε ρόλο µε το δυναµικό pinch off, V P, που παρουσιάστηκε στο κεφάλαιο των JFET. Ο σχηµατισµός του διαύλου ουσιαστικά ισοδυναµεί µε τη δηµιουργία ενός καναλιού υψηλής αγωγιµότητας µεταξύ πηγής και απαγωγού. Όσο το θετικό δυναµικό της πύλης αυξάνει τόσο αυξάνεται και η αγωγιµότητα του διαύλου.

6 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 6 Σχήµα 5. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). ηµιουργία του n-καναλιού όταν η θετική τάση υ GS ξεπεράσει την τιµή κατωφλίου V Τ. Αν στη συνέχεια ο απαγωγός έρθει σε θετικό δυναµικό σε σχέση µε την πηγή θα παρουσιαστεί ροή ρεύµατος µεταξύ πηγής και απαγωγού ενώ παράλληλα λόγω της πτώσης τάσης που προκαλεί το ρεύµα κατά µήκος της αντίστασης του διαύλου το σχήµα του διαύλου θα τροποποιηθεί παρουσιάζοντας µια συρρίκνωση προς την περιοχή του απαγωγού (σχήµα 6). Αν µε τη µεταβλητή x συµβολίσουµε την απόσταση ενός σηµείου του διαύλου από την πηγή τότε το δυναµικό του σηµείου αυτού µε αναφορά το δυναµικό της πηγής θα είναι υ XS. Το δυναµικό υ XS των σηµείων του διαύλου αυξάνεται καθώς κινούµαστε από την πηγή προς τον απαγωγό. Για να συντηρείται δίαυλος σε κάποια θέση x µεταξύ πηγής και απαγωγού θα πρέπει η διαφορά δυναµικού υ GX να είναι τουλάχιστον ίση ή να ξεπερνά το δυναµικό κατωφλίου V T.

7 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 7 Σχήµα 6. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Τροποποίηση της µορφής του καναλιού υπό την επίδραση διαφοράς δυναµικού υ DS µεταξύ απαγωγού και πηγής. Ένα χρήσιµο µέγεθος που δείχνει το κατά πόσο σε κάποιο σηµείο x µεταξύ πηγής και απαγωγού συντηρείται η αναστροφή τύπου αγωγιµότητας, υπάρχει δηλαδή ο δίαυλος, είναι το δυναµικό διατήρησης διαύλου, V δδ : V δδ = υ V (1) GX T Στα σηµεία όπου το δυναµικό αυτό είναι θετικό ο n-δίαυλος συντηρείται στα σηµεία όπου αλλάζει πρόσηµο και γίνεται αρνητικό ο δίαυλος παύει να υφίσταται. Όταν ο δίαυλος διατηρείται σε όλο του το µήκος από την πηγή στον απαγωγό η αγωγιµότητα του MOSFET χαρακτηρίζεται ως µη κορεσµένη. Το ρεύµα i D, που ρέει στην περίπτωση αυτή µεταξύ πηγής και απαγωγού εξαρτάται τόσο από το υ DS όσο και από το υ GS, και αυξάνει

8 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 8 µε την αύξησή τους. Όταν ο δίαυλος κλείνει από κάποιο σηµείο του µέχρι τον απαγωγό η αγωγιµότητα χαρακτηρίζεται ως κορεσµένη και το ρεύµα που ρέει µεταξύ πηγής και απαγωγού είναι ανεξάρτητο της διαφοράς δυναµικού υ DS στους δύο αυτούς ακροδέκτες και εξαρτάται µόνο από το υ GS. Όταν ο δίαυλος δεν σχηµατίζεται καθόλου (υ GS < V T ) τότε το τρανζίστορ βρίσκεται σε αποκοπή και το ρεύµα µηδενίζεται. ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ 1. Μη κορεσµένη αγωγιµότητα. Σχήµα 7. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Κατάσταση µη-κορεσµένης αγωγιµότητας (non-saturated conduction). Στη διάταξη του σχήµατος 7 µπορεί εύκολα να αποδειχθεί µε τη βοήθεια της έννοιας του δυναµικού διατήρησης διαύλου ότι ο δίαυλος δεν κλείνει σε κανένα σηµείο µεταξύ πηγής και απαγωγού και κατά συνέπεια η αγωγιµότητά του χαρακτηρίζεται ως µη κορεσµένη. Η εξίσωση 1 για µεγαλύτερη ευκολία µπορεί να γραφεί ως εξής: Vδδ = υgx VT = υgs υxs VT (2)

9 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 9 Η εφαρµογή της εξίσωσης 2 για τα δύο άκρα του εν δυνάµει διαύλου δίνει τα εξής αποτελέσµατα: Vδδ = υ V = υ υ V = ΑΚΡΟ ΠΗΓΗΣ GX T GS XS T = 10V Vδδ = υ V = υ υ V = ΑΚΡΟ ΑΠΑΓΩΓΟΥ GX T GS XS T υ υ V = = 6V GS DS T Παρατηρούµε ότι και στα δύο άκρα το δυναµικό διατήρησης είναι θετικό οπότε ο δίαυλος υφίσταται σε ολόκληρη τη διαθέσιµή του έκταση (από την πηγή ως τον απαγωγό). ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ 2. Κορεσµένη αγωγιµότητα. Σχήµα 8. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Κατάσταση κορεσµένης αγωγιµότητας (saturated conduction).

10 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 10 Η εφαρµογή της εξίσωσης 2 για τα δύο άκρα του εν δυνάµει διαύλου της διάταξης του σχήµατος 8 δίνει τα εξής αποτελέσµατα: Vδδ = υ V = υ υ V = ΑΚΡΟ ΠΗΓΗΣ GX T GS XS T 7 0 2= 5V Vδδ = υ V = υ υ V = ΑΚΡΟ ΑΠΑΓΩΓΟΥ GX T GS XS T υ υ V = = 5V GS DS T Παρατηρούµε ότι στο άκρο της πηγής ο δίαυλος υφίσταται αφού εκεί είναι V δδ = 5V >0. Αντίθετα στο άκρο του απαγωγού ο δίαυλος δε διατηρείται αφού V δδ = -5V < 0. Επειδή µάλιστα στον απαγωγό η τιµή του συγκεκριµένου δείκτη, δηλαδή του δυναµικού διατήρησης, είναι αρκετά χαµηλότερη της κρίσιµης τιµής των 0V. Αναµένεται πως ο δίαυλος θα κλείνει σε µια ενδιάµεση θέση µεταξύ πηγής και απαγωγού. Σχήµα 9. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Το κανάλι κλείνει σε µια απόσταση L K από την πηγή.

11 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 11 Σχήµα 10. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Το κανάλι κλείνει στον απαγωγό (pinch off). Σχήµα 11. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Το κανάλι δεν κλείνει.

12 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 12 Για µεγαλύτερη εµπέδωση της όλης συµπεριφοράς του διαύλου, στα σχήµατα 9-11 παρουσιάζεται σε µορφή διαγραµµάτων η γραφική παράσταση του δυναµικού του υ XS του εν δυνάµει διαύλου στα διάφορα σηµεία του συναρτήσει της απόστασής τους x από την πηγή. Με την κίτρινου χρώµατος σκίαση καταδεικνύονται στα τρία διαγράµµατα οι θέσεις του εν δυνάµει διαύλου για τις οποίες ο δίαυλος διατηρείται και ισχύει: V υ δδ = υ V > 0 (3) GX T < υ V (4) XS GS T Η τελευταία ανισότητα ουσιαστικά εκφράζει τη σύγκριση µεταξύ της υ XS και του ορίου υ GS V T το οποίο παρουσιάζεται και στα τρία σχήµατα. Όταν η υ XS ξεπερνά αυτό το όριο ο δίαυλος κλείνει. Έτσι στο σχήµα 9 ο δίαυλος κλείνει σε µια απόσταση L K µακριά από την πηγή πριν φτάσει στον απαγωγό, στο σχήµα 10 κλείνει ακριβώς πάνω στον απαγωγό ενώ στο σχήµα 11 δεν κλείνει καθόλου αφού η καµπύλη της υ XS δεν προλαβαίνει να τµήσει την ευθεία υ GS V T. Από τη µελέτη των σχηµάτων 9-11 προκύπτει επίσης ότι για σταθερή τιµή της υ GS, ο δίαυλος κλείνει ολοένα και πιο κοντά προς την πηγή όσο η τάση υ DS αυξάνει.

13 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 13 Α2. Το ρεύµα στις τρεις καταστάσεις λειτουργίας του MOSFET προσαύξησης. Σχήµα 12. Χαρακτηριστικές i D -υ DS MOSFET προσαύξησης. Σχήµα 13. Χαρακτηριστική µεταφοράς MOSFET προσαύξησης. Η χαρακτηριστική µεταφοράς υπολογίζεται για σταθερή τιµή της υ DS.

14 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 14 Στα σχήµατα 12 και 13 παρουσιάζονται οι χαρακτηριστικές ρεύµατος του MOSFET προσαύξησης. Ο γεωµετρικός τόπος που χωρίζει τη µη κορεσµένη αγωγιµότητα από την κορεσµένη στο σχήµα 12 αντιστοιχεί στα σηµεία εκείνα για τα οποία κλείνει ο δίαυλος στον απαγωγό, και κατά συνέπεια ισχύει: υ = V υ υ = V GD T GS DS T υ = υ V (5) DS GS T Γενικά για το ρεύµα στις τρεις διαφορετικές καταστάσεις λειτουργίας του MOSFET προσαύξησης n-καναλιού ισχύουν τα ακόλουθα: 1. Περιοχή αποκοπής (cut-off ή sub-threshold περιοχή). Στην περιοχή αυτή, που αντιστοιχεί σε υ GS < V T, ο δίαυλος κλείνει στη θέση της πηγής (δε σχηµατίζεται δηλαδή καθόλου δίαυλος) και το ρεύµα που ρέει µεταξύ πηγής και απαγωγού στην ιδανική περίπτωση είναι µηδέν. Στην πραγµατικότητα όµως, λόγω του ότι οι ενέργειες των ηλεκτρονίων ακολουθούν την κατανοµή Boltzmann υπάρχουν πάντα κάποια ενεργητικά ηλεκτρόνια στην πηγή που εισέρχονται στην p-περιοχή και φτάνουν στον απαγωγό δηµιουργώντας ένα ρεύµα διαρροής (sub-threshold leakage) που είναι εκθετική συνάρτηση της τάσης υ GS. 2. Περιοχή τριόδου ή γραµµικής λειτουργίας. Οι συνθήκες για να βρεθεί το MOSFET σε αυτήν την περιοχή λειτουργίας είναι: υ GS > V T και υ DS < V GS -V T. Το τρανζίστορ αρχίζει να λειτουργεί καθώς τώρα δηµιουργείται ένα n-τύπου κανάλι που συνδέει πηγή και απαγωγό και επιτρέπει τη ροή ρεύµατος µεταξύ των δύο αυτών

15 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 15 περιοχών. Στην περιοχή αυτή το MOSFET συµπεριφέρεται σαν µια αντίσταση ελεγχόµενη από τάση. Μια αντίσταση που ελέγχεται τόσο από την τάση υ DS όσο και από την τάση υ GS. Λόγω αυτής της εξάρτησης, το ρεύµα i D που διαρρέει το κανάλι θα γράφεται σα συνάρτηση των τάσεων υ DS και υ GS : W 2 υ DS id = µ ncox ( υgs VT) υds = L 2 µε 2 n W DS ( GS VT ) υ = υ υds = tox L 2 υ = β ( υgs VT ) υds 2 2 DS όπου: µ n η ευκινησία των ελευθέρων φορέων, ε η ηλεκτρική διαπερατότητα του οξειδίου C OX η χωρητικότητα της πύλης ανά µονάδα επιφάνειας, t OX το πάχος του µονωτικού οξειδίου πύλης, W το εύρος του καναλιού (σχήµα 14), L το µήκος του καναλιού (σχήµα 14) και β ο παράγοντας ενίσχυσης (gain factor) του MOS τρανζίστορ. (6) 3. Περιοχή κόρου (saturation). Οι συνθήκες για να βρεθεί το MOSFET σε αυτήν την περιοχή λειτουργίας είναι: υ GS > V T και υ DS > V GS -V T. Το κανάλι - όπως ήδη προαναφέρθηκε - είναι εν µέρει σχηµατισµένο. Καλύπτει ένα συγκεκριµένο κλάσµα του συνολικού µήκους L του εν δυνάµει καναλιού, από την πηγή µέχρι ένα µήκος L K, όπως φαίνεται και στο σχήµα.9, ενώ στο υπόλοιπο

16 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 16 τµήµα µέχρι τον απαγωγό είναι κλειστό. Το ρεύµα κάτω από αυτές τις συνθήκες µπορεί να θεωρηθεί σε πρώτη προσέγγιση αναξάρτητο της τάσης υ DS : µ ncox W 2 β 2 id = ( υgs VT) = ( υgs VT) (7) 2 L 2 Οι εξισώσεις 6 και 7 ισχύουν και για PMOS τρανζίστορ µε τη διαφορά ότι πρέπει ρεύµατα και τάσεις έχουν αντίθετο πρόσηµο και η ευκινησία των ηλεκτρονίων, µ n, να αντικατασταθεί από την ευκινησία των οπών, µ p. Σχήµα 14. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Γεωµετρικά χαρακτηριστικά. ΕΠΙΣΗΜΑΝΣΗ 1. Οριοθέτηση περιοχής κορεσµού. Αν στις εξισώσεις 6 και 7 αντικαταστήσουµε το υgs VT µε το υ DS (µε βάση την εξίσωση 5) τότε θα προκύψει η χαρακτηριστική εξίσωση

17 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 17 του γεωµετρικού τόπου των σηµείων του επιπέδου i D -υ DS που χωρίζουν την κορεσµένη από τη µη-κορεσµένη αγωγιµότητα. Οι εξισώσεις 6 και 7 καταλήγουν στην ακόλουθη µορφή του γεωµετρικού τόπου συνόρου: β υ 2 2 i D GS = (8) ΕΠΙΣΗΜΑΝΣΗ 2. ιαµόρφωση µήκους καναλιού. Παρατηρώντας τις χαρακτηριστικές του σχήµατος 12, γίνεται φανερό πως η εξίσωση 7 ισχύει µόνο σε πρώτη προσέγγιση αφού οι χαρακτηριστικές στην περιοχή του κόρου δεν είναι οριζόντιες αλλά το ρεύµα i D παρουσιάζει µια ασθενική αύξηση συναρτήσει της τάσης υ DS. Το φαινόµενο αυτό οφείλεται στη διαµόρφωση του µήκους του διαύλου κατά τη µεταβολή της τάσης υ DS και όταν λαµβάνεται υπόψη η εξίσωση 7 τροποποιείται στην : i β 2 = ( υ V ) ( 1 + λυ ) (9) 2 D GS T DS όπου λ (το 1/λ ονοµάζεται τάση Early) είναι ένας εµπειρικός παράγοντας διαµόρφωσης του µήκους του καναλιού (channel length modulation factor) που η τιµή του µεταβάλλεται στην περιοχή V -1. ΕΠΙΣΗΜΑΝΣΗ 3. Φαινόµενο σώµατος (body effect). Το φαινόµενο σώµατος αναφέρεται στην εξάρτηση του δυναµικού κατωφλίου, V T, από τη διαφορά δυναµικού µεταξύ της πηγής και του σώµατος (bulk) του υποστρώµατος 1. Στα σχήµατα 2,4,7 και 8 η πηγή µε τον ακροδέκτη του υποστρώµατος παρουσιάζονται βραχυκυκλωµένες. Κάτω από αυτές τις συνθήκες το δυναµικό κατωφλίου χαρακτηρίζεται ως 1 Το σώµα του υποστρώµατος πολλές φορές χρησιµοποιείται ως δεύτερη πύλη και χαρακτηρίζεται τότε σαν πίσω πύλη (back gate).

18 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 18 V T0. Αν µεταξύ της πηγής και του υποστρώµατος η διαφορά δυναµικού πάρει µη µηδενική τιµή, V SB 0, τότε το δυναµικό κατωφλίου γράφεται σα συνάρτηση της V SB ως: ( ) VT = VT0 + γ VSB + 2φF 2φF (10) όπου: γ η παράµετρος του φαινοµένου σώµατος και φ F η παράµετρος επιφανειακού δυναµικού Η παράµετρος γ γράφεται ως: γ t OX = εox 2qε N Si SUB όπου: q το φορτίο του ηλεκτρονίου, t OX το πάχος του µονωτικού οξειδίου πύλης, ε OX η διηλεκτρική σταθερά του οξειδίου, ε Si η διηλεκτρική σταθερά του πυριτίου και Ν SUB η συγκέντρωση φορέων του υποστρώµατος. (11) Α3. Η ανάγκη ελέγχου του V T και της χρήσης µονωτικών πύλης υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς. Ο έλεγχος του δυναµικού κατωφλίου, V T, είναι ένα πολύ βασικό ζήτηµα στη µικροηλεκτρονική. Όταν δεν είναι επιθυµητή η δηµιουργία στρωµάτων αναστροφής (του τύπου αγωγιµότητας) το δυναµικό κατωφλίου ρυθµίζεται ώστε να έχει µεγάλη τιµή. Ιδιαίτερα σε περιοχές ανάµεσα σε τρανζίστορ, η αναστροφή αποφεύγεται µε διαχύσεις ή

19 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 19 εµφυτεύσεις προσµίξεων σε µεγάλη συγκέντρωση, ή µε χρήση παχύτερου µονωτικού στρώµατος. Αντίθετα στα MOS τρανζίστορ η δηµιουργία στρώµατος αναστροφής είναι επιθυµητή. Υπάρχουν δύο κύριοι τρόποι για να ρυθµιστεί σε επιθυµητά επίπεδα το δυναµικό κατωφλίου. Ο ένας είναι η µεταβολή, µε εµφύτευση ιόντων, της συγκέντρωσης προσµίξεων στη διεπιφάνεια πυριτίου µονωτή και ο άλλος είναι η χρήση µονωτικού υλικού διαφορετικού από το διοξείδιο του πυριτίου. Χαρακτηριστικό παράδειγµα στην τελευταία περίπτωση είναι η χρήση του νιτριδίου του πυριτίου (Si 3 N 4 ) ως µονωτικού υλικού. Το Si 3 N 4 έχει διηλεκτρική σταθερά 7.5 ενώ το SiO 2 3.9, γεγονός που σηµαίνει ότι αν για το ίδιο πάχος µονωτικού υλικού χρησιµοποιηθεί το νιτρίδιο αντί του διοξειδίου του πυριτίου, το στρώµα που θα προκύψει θα αντιστοιχεί σε λεπτότερο στρώµα διοξειδίου του πυριτίου. Η τάση για περιορισµό των διαστάσεων στη µικροηλεκτρονική έχει οδηγήσει στην αναζήτηση διηλεκτρικών πύλης µε υψηλή διηλεκτρική σταθερά. Το διοξείδιο του πυριτίου έχει χρησιµοποιηθεί ως διηλεκτρικό πύλης εδώ και πολλές δεκαετίες. Καθώς όµως τα τρανζίστορ ολοένα συρρικνώνονται σε µέγεθος, το πάχος του διοξειδίου του πυριτίου που χρησιµοποιείται ως διηλεκτρικό πύλης ολοένα µικραίνει µε στόχο την αύξηση της χωρητικότητας πύλης (gate capacitance) και τη βελτιστοποίηση των επιδόσεων. Καθώς όµως το πάχος του οξειδίου πέφτει κάτω από τα 2nm τα ρεύµατα διαρροής λόγο φαινοµένου tunneling αυξάνονται δραστικά υποβαθµίζοντας την αξιοπιστία της συσκευής και οδηγώντας σε ανεπιθύµητη κατανάλωση ενέργειας. Η αντικατάσταση του διοξειδίου του πυριτίου από µονωτικό υλικό µε υψηλότερη διηλεκτρική σταθερά καθιστά εφικτή την επίτευξη υψηλής χωρητικότητας πύλης χωρίς τα ανεπιθύµητα φαινόµενα ρευµάτων διαρροής.

20 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 20 Λαµβάνοντας υπόψη τη σχέση που δίνει τη χωρητικότητα της πύλης (αγνοώντας κβαντοµηχανικά φαινόµενα και φαινόµενα δηµιουργίας περιοχών διακένωσης από το υπόβαθρο πυριτίου και την πύλη): εoxε0a C = t OX όπου: A η επιφάνεια του πυκνωτή που σχηµατίζεται και ε 0 η ηλεκτρική διαπερατότητα του κενού (12) γίνεται εύκολα αντιληπτό ότι αν αντί του στρώµατος του διοξειδίου του πυριτίου πάχους κάτω του 1.5 nm, που παρουσιάζει προβλήµατα λόγω ρευµάτων διαρροής, χρησιµοποιηθεί ένα διηλεκτρικό υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς ε OX συγκριτικά µε αυτήν του SiO 2 πάχους 3nm τότε µπορεί να επιτευχθεί η ίδια χωρητικότητα χρησιµοποιώντας παχύτερο διηλεκτρικό πύλης και κατ επέκταση µειώνοντας σηµαντικά τα ρεύµατα διαρροής. Ήδη από το έτος συγγραφής αυτού του κεφαλαίου (2007) και µε χρονικό ορίζοντα το 2010, εταιρείες όπως οι Intel, IBM, NEC κ.ά έχουν στα πλάνα τους τη µετάβαση σε διηλεκτρικά πύλης υψηλότερης διηλεκτρικής σταθεράς από αυτήν του SiO 2 βασισµένα στο στοιχείο Χάφνιο (Hf), µε πιθανότερα διηλεκτρικά τα : HfSiON, HfO 2 και HfSiO ενώ επίσης έχει παρουσιαστεί ενδιαφέρον και για οξείδια ή πυριτίδια του ζιρκονίου.

21 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 21 Β. MOSFET διακένωσης (depletion MOSFET). Το MOSFET διακένωσης ή αραίωσης έχει µια δοµή που µοιάζει µε αυτήν του MOSFET προσαύξησης µε τη διαφορά ότι στην περιοχή µεταξύ πηγής και απαγωγού προϋπάρχει κανάλι µε τον ίδιο τύπο αγωγιµότητας (σχήµα 15). Σχήµα 15. MOSFET διακένωσης n-καναλιού (depletion NMOS) µε το σύµβολό του. Αν στην πύλη εφαρµοστεί ένα αρνητικό δυναµικό, όπως εικονίζεται στο σχήµα 16, τότε αυτό επάγει θετικά φορτία στο κανάλι. Τα θετικά αυτά επαγόµενα φορτία επανασυντίθενται µε τους φορείς πλειονότητας του n- καναλιού (ηλεκτρόνια) δηµιουργώντας έτσι µια περιοχή εκκένωσης φορέων πλειονότητας. Αν η τάση πύλης γίνει περισσότερο αρνητική, η περιοχή διακένωσης (σχήµα 16) θα διευρυνθεί και το διαθέσιµο n-τύπου κανάλι θα στενέψει ακόµη περισσότερο µέχρι να φτάσει τελικά σε µια τιµή κατωφλίου V T <0 όπου το κανάλι εκκενώνεται ολοκληρωτικά από φορείς πλειονότητας.

22 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 22 Σχήµα 16. MOSFET διακένωσης n-καναλιού (depletion NMOS). Οµοιόµορφος περιορισµός του εύρους του n-τύπου καναλιού υπό την επίδραση αρνητικής τάσης υ GS. Σχήµα 17. MOSFET διακένωσης n-καναλιού (depletion NMOS). Ανοµοιόµορφη διαµόρφωση του εύρους του n-τύπου καναλιού υπό την επίδραση διαφοράς δυναµικού υ DS µεταξύ απαγωγού και πηγής.

23 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 23 Αν παράλληλα µε την αρνητική τάση υ GS, η οποία ας υποτεθεί πως δεν έχει γίνει αρνητικότερη από το κατώφλι (σχήµα 17) εφαρµοστεί και µια θετική τάση υ DS τότε παρατηρείται µια διεύρυνση της περιοχής εκκένωσης στην περιοχή του απαγωγού. Αυτή η ανοµοιοµορφία οφείλεται στην πτώση τάσης κατά µήκος του διαύλου λόγω του ρεύµατος που τον διαρρέει. Αυτή η πτώση τάσης µεγαλώνει όσο κινούµαστε από την πηγή προς τον απαγωγό µε αποτέλεσµα η διεύρυνση της περιοχής εκκένωσης να είναι πιο έντονη στην περιοχή του απαγωγού. Το φαινόµενο αυτό της συρρίκνωσης του διαύλου είναι παρόµοιο µε αυτό που περιγράφηκε στο κεφάλαιο των FET επαφής (JFET). Κατά συνέπεια η λειτουργία του MOSFET διακένωσης για υ GS 0 είναι ταυτόσηµη µε αυτήν του JFET. (Περιοχή κίτρινου χρώµατος στο σχήµα 18). Σχήµα 18. Χαρακτηριστικές i D -υ DS MOSFET διακένωσης. Σκιασµένη περιοχή: λειτουργία παρόµοια µε JFET, µη σκιασµένη περιοχή: λειτουργία παρόµοια µε MOSFET προσαύξησης.

24 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 24 Αν τώρα το δυναµικό υ GS γίνει θετικό, λόγω του γεγονότος ότι n-τύπου κανάλι υπάρχει εξαρχής η περαιτέρω αύξηση του θετικού δυναµικού της πύλης θα επάγει (λόγω της χωρητικότητας πύλης-διαύλου) ολοένα και περισσότερα αρνητικά φορτία µέσα στο κανάλι αυξάνοντας την αγωγιµότητά του. Κατά συνέπεια, για θετικές τιµές της υ GS το τρανζίστορ συµπεριφέρεται όπως ένα τρανζίστορ προσαύξησης. Η χαρακτηριστική µεταφοράς του MOSFET διακένωσης (σχήµα 19) είναι παρόµοια µε αυτήν του JFET. Σχήµα 19. Χαρακτηριστική µεταφοράς MOSFET διακένωσης. Επίσης, από το σχήµα 18 φαίνεται πως η αγωγιµότητα του MOSFET διακένωσης µπορεί να είναι είτε ωµική είτε κορεσµένη. Οι εξισώσεις 6 και 7 που δίνουν τη µορφή του ρεύµατος στις δύο αυτές περιοχές (µη κορεσµένης και κορεσµένης αντίστοιχα) αγωγιµότητας για την περίπτωση του MOSFET πρσαύξησης ισχύουν και για το MOSFET διακένωσης µε τη διαφορά ότι V T <0.

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής.

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Α. ιεργασίες κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Η επίπεδη τεχνολογία κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων περιλαµβάνει

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενο της άσκησης

Περιεχόμενο της άσκησης Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)

Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Dr. Petros Panayi Διακόπτες Ένας διακόπτης είναι μια συσκευή που αλλάζει τη ροή ενός κυκλώματος. Το πρότυπο είναι μια μηχανική συσκευή (παραδείγματος χάριν

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Πανεπιστήμιο Κρήτης Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος Άνοιξη 2008 Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ηλεκτρικό ρεύμα Το ρεύμα είναι αποτέλεσμα της κίνησης

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος Ηλεκτρονικά Ισχύος Πρόκειται για στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά με συγκεκριμένες μη γραμμικές ηλεκτρικές ιδιότητες (ημιαγωγά στοιχεία) Τα κυριότερα από τα στοιχεία αυτά είναι: Η δίοδος Το thyristor

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-48) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ Κατά τη δηµιουργία µιας -n επαφής αρχικά υπάρχουν µόνο οπές στην -περιοχή και µόνο ηλεκτρόνια στην n-περιοχή. Οι οπές µε τα αρνητικά ιόντα της πρόσµιξης

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ

Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Για να κατανοήσουµε τη λειτουργία και το ρόλο των διόδων µέσα σε ένα κύκλωµα, θα πρέπει πρώτα να µελετήσουµε τους ηµιαγωγούς, υλικά που περιέχουν

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC 6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1. Στοιχειακοί ηµιαγωγοί

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1. Στοιχειακοί ηµιαγωγοί Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1 Στοιχειακοί ηµιαγωγοί Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική Οµοιοπολικοί δεσµοί στο πυρίτιο Κρυσταλλική δοµή Πυριτίου ιάσταση κύβου για το Si: 0.543 nm Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Εργαστήριο Φυσικής IΙ. Μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού στοιχείου με χρήση υπολογιστή. 1. Σκοπός. 2. Σύντομο θεωρητικό μέρος

ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Εργαστήριο Φυσικής IΙ. Μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού στοιχείου με χρήση υπολογιστή. 1. Σκοπός. 2. Σύντομο θεωρητικό μέρος ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ 1. Σκοπός Το φωτοβολταϊκό στοιχείο είναι μία διάταξη ημιαγωγών η οποία μετατρέπει την φωτεινή ενέργεια που προσπίπτει σε αυτήν σε ηλεκτρική.. Όταν αυτή φωτιστεί με φωτόνια κατάλληλης συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στους Υπολογιστές

Εισαγωγή στους Υπολογιστές Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2015-16 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) http://di.ionio.gr/~mistral/tp/csintro/ Μ.Στεφανιδάκης

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Βασικά στοιχεία κυκλωμάτων Ένα ηλεκτρονικό κύκλωμα αποτελείται από: Πηγή ενέργειας (τάσης ή ρεύματος) Αγωγούς Μονωτές

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

( ) Στοιχεία που αποθηκεύουν ενέργεια Ψ = N Φ. διαφορικές εξισώσεις. Πηνίο. μαγνητικό πεδίο. του πηνίου (κάθε. ένα πηνίο Ν σπειρών:

( ) Στοιχεία που αποθηκεύουν ενέργεια Ψ = N Φ. διαφορικές εξισώσεις. Πηνίο. μαγνητικό πεδίο. του πηνίου (κάθε. ένα πηνίο Ν σπειρών: Στοιχεία που αποθηκεύουν ενέργεια Λέγονται επίσης και δυναμικά στοιχεία Οι v- χαρακτηριστικές τους δεν είναι αλγεβρικές, αλλά ολοκληρο- διαφορικές εξισώσεις. Πηνίο: Ουσιαστικά πρόκειται για έναν περιεστραμμένο

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ

ΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ Α. ηµουλάς Εργαστήριο ΜΒΕ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Συµβολή των ηλεκτρονικών υλικών στην ανάπτυξη των συστηµάτων πληροφορικής Τρανσίστορ :

Διαβάστε περισσότερα

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1 Η2 Μελέτη ηµιαγωγών 1. Σκοπός Στην περιοχή της επαφής δυο ηµιαγωγών τύπου p και n δηµιουργούνται ορισµένα φαινόµενα τα οποία είναι υπεύθυνα για τη συµπεριφορά της επαφής pn ή κρυσταλλοδιόδου, όπως ονοµάζεται,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ 1. ΓΕΝΙΚΑ Τα ηλιακά στοιχεία χρησιμοποιούνται για τη μετατροπή του φωτός (που αποτελεί μία μορφή ηλεκτρομαγνητικής ενέργειας) σε ηλεκτρική ενέργεια. Κατασκευάζονται από

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7. Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία

ΑΣΚΗΣΗ 7. Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία ΑΣΚΗΣΗ 7 Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία ΣΥΣΚΕΥΕΣ : Πηγή συνεχούς 0-50 Volts, πηγή 6V/2A, βολτόµετρο συνεχούς, αµπερόµετρο συνεχούς, βολτόµετρο, ροοστάτης. ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Όταν η θερµοκρασία ενός

Διαβάστε περισσότερα

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ Δίοδος επαφής 1 http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ 2 Θέματα που θα καλυφθούν Ορθή πόλωση Forward bias Ανάστροφη πόλωση Reverse bias Κατάρρευση Breakdown Ενεργειακά

Διαβάστε περισσότερα

ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3 3.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ Μια ηλεκτρική µηχανή συνεχούς ρεύµατος χρησιµοποιείται ως γεννήτρια, όταν ο άξονάς της στρέφεται από µια κινητήρια µηχανή (prim movr). Η κινητήρια µηχανή

Διαβάστε περισσότερα

Ο πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας.

Ο πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας. ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ Ο πυκνωτής Ο πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας. Η απλούστερη μορφή πυκνωτή είναι ο επίπεδος πυκνωτής, ο οποίος

Διαβάστε περισσότερα

3 η Εργαστηριακή Άσκηση

3 η Εργαστηριακή Άσκηση 3 η Εργαστηριακή Άσκηση Βρόχος υστέρησης σιδηρομαγνητικών υλικών Τα περισσότερα δείγματα του σιδήρου ή οποιουδήποτε σιδηρομαγνητικού υλικού που δεν έχουν βρεθεί ποτέ μέσα σε μαγνητικά πεδία δεν παρουσιάζουν

Διαβάστε περισσότερα

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ 2.1 ΤΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ

ΦΥΣΙΚΗ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ 2.1 ΤΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΦΥΣΙΚΗ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ 2Η ΕΝΟΤΗΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ 2.1 ΤΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Τι είναι ; Ηλεκτρικό ρεύμα ονομάζεται η προσανατολισμένη κίνηση των ηλεκτρονίων ή γενικότερα των φορτισμένων σωματιδίων Που μπορεί να

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την

Διαβάστε περισσότερα

Διπλωματική Εργασία του μεταπτυχιακού φοιτητή του Τμήματος Φυσικής της Σχολής Θετικών Επιστημών του Πανεπιστημίου Πατρών

Διπλωματική Εργασία του μεταπτυχιακού φοιτητή του Τμήματος Φυσικής της Σχολής Θετικών Επιστημών του Πανεπιστημίου Πατρών ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΠΜΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΑΙ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ Διπλωματική Εργασία του μεταπτυχιακού φοιτητή του Τμήματος

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο

Διαβάστε περισσότερα

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Ενεργειακά διαγράμματα ημιαγωγού Ηλεκτρόνια (ΖΑ) Οπές (ΖΣ) Ενεργειακό χάσμα και απορρόφηση hc 1,24 Eg h Eg ev m max max Χρειάζονται

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΘΕΜΑΤΑ ΚΑΙ ΛΥΕΙ ΠΑΝΕΛΛΑ ΙΚΩΝ ΕΞΕΤΑΕΩΝ 004 ΦΥΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗ ΠΑΙ ΕΙΑ ΘΕΜΑ ο Για τις ερωτήσεις -4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα σε κάθε αριθµό το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα 5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι ( ΠΥΚΝΩΤΕΣ) Πυκνωτές O πυκνωτής είναι ένα ηλεκτρικό εξάρτημα το οποίο έχει την ιδιότητα να απορροφά και να αποθηκεύει ηλεκτρική ενέργεια και να την απελευθερώνει, σε προκαθορισμένο

Διαβάστε περισσότερα

ιαγώνισµα στις Ταλαντώσεις ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ ΜΕΤΑΙΧΜΙΟ 1

ιαγώνισµα στις Ταλαντώσεις ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ ΜΕΤΑΙΧΜΙΟ 1 ιαγώνισµα στις Ταλαντώσεις ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ ΜΕΤΑΙΧΜΙΟ 1 ΘΕΜΑ 1 0 Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό καθεµιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. 1. Το

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ Β' ΛΥΚΕΙΟΥ 2004

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ Β' ΛΥΚΕΙΟΥ 2004 ΦΥΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗ ΠΑΙ ΕΙΑ Β' ΛΥΚΕΙΟΥ 004 ΕΚΦΩΝΗΕΙ ΘΕΜΑ ο Για τις ερωτήσεις - 4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα σε κάθε αριθµό το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.. Μια

Διαβάστε περισσότερα

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους Coyright ΣΕΑΒ, 2015 Το παρόν έργο αδειοδοτείται υπό τους

Διαβάστε περισσότερα

Το μηδέν και το τετράγωνο.

Το μηδέν και το τετράγωνο. Το μηδέν και το τετράγωνο. Στο κύκλωµα του σχήµατος, ο διακόπτης (δ ) είναι κλειστός ενώ ο (δ ) ανοικτός. Θεωρούµε γνωστές τις τιµές της ΗΕ της πηγής Ε, των αντιστάσεων,, του συντελεστή αυτεπαγωγής του

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ (Σημειώσεις)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ (Σημειώσεις) ΗΜΗΤΡΗΣ Α. ΦΩΤΙΑ ΗΣ Ηλεκτρονικός Μηχανικός M.Sc. Καθηγητής Εφαρμογών Τ.Ε.Ι. υτικής Μακεδονίας - Παράρτημα Καστοριάς Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ (Σημειώσεις) Καστοριά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΚΑ Υλικα 3ο μεροσ. Θεωρητικη αναλυση

ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΚΑ Υλικα 3ο μεροσ. Θεωρητικη αναλυση ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΚΑ Υλικα 3ο μεροσ Θεωρητικη αναλυση μεταλλα Έχουν κοινές φυσικές ιδιότητες που αποδεικνύεται πως είναι αλληλένδετες μεταξύ τους: Υψηλή φυσική αντοχή Υψηλή πυκνότητα Υψηλή ηλεκτρική και θερμική

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα;

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα; Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) ρ. Ιούλιος Γεωργίου Further Reading Texts: Design of Analog CMOS Integrated Circuits Behzad Razavi Microelectronic Circuits, Sedra & Smith Αναλογικά ή Ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 26 Συνεχή Ρεύµατα. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 26 Συνεχή Ρεύµατα. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 26 Συνεχή Ρεύµατα Περιεχόµενα Κεφαλαίου 26 Ηλεκτρεγερτική Δύναµη (ΗΕΔ) Αντιστάσεις σε σειρά και Παράλληλες Νόµοι του Kirchhoff Σειριακά και Παράλληλα EMF-Φόρτιση Μπαταρίας Κυκλώµατα RC Μέτρηση

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ

ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ Για τη λειτουργία των σύγχρονων γεννητριών (που ονομάζονται και εναλλακτήρες) απαραίτητη προϋπόθεση είναι η τροοδοσία του τυλίγματος του δρομέα με συνεχές ρεύμα Καθώς περιστρέεται

Διαβάστε περισσότερα

ΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΣΤΙΣ ΜΗΧΑΝΙΚΕΣ ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ

ΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΣΤΙΣ ΜΗΧΑΝΙΚΕΣ ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΣΤΙΣ ΜΗΧΑΝΙΚΕΣ ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ Θέµα Α Στις ερωτήσεις 1-4 να βρείτε τη σωστή απάντηση. Α1. Για κάποιο χρονικό διάστηµα t, η πολικότητα του πυκνωτή και

Διαβάστε περισσότερα

ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Οι γεννήτριες συνεχούς ρεύματος διαχωρίζονται στις ακόλουθες κατηγορίες: Ανεξάρτητης (ξένης) διέγερσης. Παράλληλης διέγερσης. Διέγερσης σειράς. Αθροιστικής σύνθετης διέγερσης.

Διαβάστε περισσότερα

Φωτοδίοδος. 1.Σκοπός της άσκησης. 2.Θεωρητικό μέρος

Φωτοδίοδος. 1.Σκοπός της άσκησης. 2.Θεωρητικό μέρος Φωτοδίοδος 1.Σκοπός της άσκησης Ο σκοπός της άσκησης είναι να μελετήσουμε την συμπεριφορά μιας φωτιζόμενης επαφής p-n (φωτοδίοδος) όταν αυτή είναι ορθά και ανάστροφα πολωμένη και να χαράξουμε την χαρακτηριστική

Διαβάστε περισσότερα

4. Παρατηρείστε το ίχνος ενός ηλεκτρονίου (click here to select an electron

4. Παρατηρείστε το ίχνος ενός ηλεκτρονίου (click here to select an electron Τα ηλεκτρόνια στα Μέταλλα Α. Χωρίς ηλεκτρικό πεδίο: 1. Τι είδους κίνηση κάνουν τα ηλεκτρόνια; Τα ηλεκτρόνια συγκρούονται μεταξύ τους; 2. Πόσα ηλεκτρόνια περνάνε προς τα δεξιά και πόσα προς τας αριστερά

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ 03-01-11 ΘΕΡΙΝΑ ΣΕΙΡΑ Α ΘΕΜΑ 1 ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ Οδηγία: Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό καθεµιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη

Διαβάστε περισσότερα

(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης)

(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης) (Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης) The MOS Transistor Polysilicon Aluminum N MOS Τρανζίστορ ρ Διάταξη τριών ακροδεκτών Πηγή (Source) Καταβόθρα (Drain) Πύλη (Gate) Κατασκευαστικά η Πηγή και η Καταβόθρα είναι όμοιες

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2002

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2002 ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 00 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α I A. Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΗΧΑΝΕΣ

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΗΧΑΝΕΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΗΧΑΝΕΣ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ Η ηλεκτρική μηχανή είναι μια διάταξη μετατροπής μηχανικής ενέργειας σε ηλεκτρική και αντίστροφα. απώλειες Μηχανική ενέργεια Γεννήτρια Κινητήρας Ηλεκτρική ενέργεια

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ

Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο: Β' Σκοπός της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΑΡΓΥΡΙΟΥ Θ. ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΥ Πτυχιούχου Φυσικού, M.Sc. «Ηλεκτρονικής Φυσικής» Χαρακτηρισμός και μοντέλα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Τομέας Ηλεκτρικών Βιομηχανικών Διατάξεων και Συστημάτων Αποφάσεων ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι Σημειώσεις Εργαστηριακών

Διαβάστε περισσότερα

div E = ρ /ε 0 ρ p = - div P, σ p = P. n div E = ρ /ε 0 = (1 /ε 0 ) (ρ l + ρ p ) div (ε 0 E + P) = ρ l /ε 0

div E = ρ /ε 0 ρ p = - div P, σ p = P. n div E = ρ /ε 0 = (1 /ε 0 ) (ρ l + ρ p ) div (ε 0 E + P) = ρ l /ε 0 ιηλεκτρικά Υλικά Υλικά των µονώσεων Στερεά και ρευστά Επίδραση του Ηλεκτρικού πεδίου Η δράση του ηλεκτρικού πεδίου προσανατολίζει τα δίπολακαι δηµιουργεί το πεδίο της Πόλωσης Ρ Το προκύπτον πεδίο D της

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ (Τ.Ε.Ι.) ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI A. ΚΑΝΑΠΙΤΣΑΣ καθηγητής Τ.Ε.Ι.

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 24 Χωρητικότητα, Διηλεκτρικά, Dielectrics, Αποθήκευση Ηλεκτρικής Ενέργειας. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 24 Χωρητικότητα, Διηλεκτρικά, Dielectrics, Αποθήκευση Ηλεκτρικής Ενέργειας. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 24 Χωρητικότητα, Διηλεκτρικά, Dielectrics, Αποθήκευση Ηλεκτρικής Ενέργειας Περιεχόµενα 24 Πυκνωτές Προσδιορισµός Χωρητικότητας Πυκνωτή Παράλληλη και σε σειρά σύνδεση πυκνωτών Αποθήκευση Ηλεκτρικής

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής εφευρέθηκε κατά τη διάρκεια του δεύτερου παγκοσµίου πολέµου και. χρησιµοποιήθηκε αρχικά στα συστήµατα σκόπευσης των αντιαεροπορικών πυροβόλων για

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ ΙΑΚΟΠΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ

ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ ΙΑΚΟΠΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3 ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ ΙΑΚΟΠΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ 2.1 Η ΙΟ ΟΣ ΙΣΧΥΟΣ Η επαφή p n επιτρέπει τη διέλευση του ρεύµατος µόνο κατά τη µια φορά και ονοµάζεται δίοδος. Η δίοδος είναι ο απλούστερος ηµιαγωγός διακόπτης ισχύος.

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος. 24/11/2011 12:09 Όνομα: Λεκάκης Κωνσταντίνος καθ. Τεχνολογίας

ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος. 24/11/2011 12:09 Όνομα: Λεκάκης Κωνσταντίνος καθ. Τεχνολογίας ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος 24/11/2011 12:09 καθ. Τεχνολογίας ΜΙΚΡΟΕΠΕΞΕΡΓΑΣΤΗΣ Ένας μικροεπεξεργαστής είναι ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα που επεξεργάζεται όλες τις πληροφορίες σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ Εισαγωγή Στο κεφάλαιο αυτό θα µιλήσουµε για ενισχυτές µιας βαθµίδας µε διπολικά τρανζίστρ. Σε επόµενα κεφάλαια θα µιλήσουµε για ενισχυτές µε FET, όπως και για ενισχυτές µε

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου ontrol Systems Laboratory Δίοδοι Zener συνεχ. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου I V Z υ διατηρείται σταθερή για μία ευρεία περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 5 η ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΞΕΝΗΣ ΔΙΕΓΕΡΣΗΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΚΑΜΠΥΛΕΣ

ΑΣΚΗΣΗ 5 η ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΞΕΝΗΣ ΔΙΕΓΕΡΣΗΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΚΑΜΠΥΛΕΣ ΑΣΚΗΣΗ 5 η ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΞΕΝΗΣ ΔΙΕΓΕΡΣΗΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΚΑΜΠΥΛΕΣ Σκοπός της Άσκησης: Σκοπός της εργαστηριακής άσκησης είναι α) η κατανόηση της λειτουργίας της γεννήτριας συνεχούς ρεύματος

Διαβάστε περισσότερα

U I = U I = Q D 1 C. m L

U I = U I = Q D 1 C. m L Από την αντιστοιχία της µάζας που εκτελεί γ.α.τ. µε περίοδο Τ και της εκφόρτισης πυκνωτή µέσω πηνίου L, µπορούµε να ανακεφαλαιώσουµε τις αντιστοιχίες των µεγεθών τους. Έχουµε: ΜΑΖΑ ΠΟΥ ΕΚΤΕΛΕΙ γ.α.τ..

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ ΓΙΑ ΜΗΧΑΝΙΚΟΥΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΣΜΟΣ ΜΑΓΝΗΤΙΣΜΟΣ

ΦΥΣΙΚΗ ΓΙΑ ΜΗΧΑΝΙΚΟΥΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΣΜΟΣ ΜΑΓΝΗΤΙΣΜΟΣ ΦΥΣΙΚΗ ΓΙΑ ΜΗΧΑΝΙΚΟΥΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΣΜΟΣ ΜΑΓΝΗΤΙΣΜΟΣ Μοντέλο ατόμου m p m n =1,7x10-27 Kg m e =9,1x10-31 Kg Πυρήνας: πρωτόνια (p + ) και νετρόνια (n) Γύρω από τον πυρήνα νέφος ηλεκτρονίων (e -

Διαβάστε περισσότερα

5. ΜΟΝΟΦΑΣΙΚΟΙ ΚΑΙ ΑΛΛΟΙ ΚΙΝΗΤΗΡΕΣ

5. ΜΟΝΟΦΑΣΙΚΟΙ ΚΑΙ ΑΛΛΟΙ ΚΙΝΗΤΗΡΕΣ 73 5. ΜΟΝΟΦΑΣΙΚΟΙ ΚΑΙ ΑΛΛΟΙ ΚΙΝΗΤΗΡΕΣ Στην συνέχεια εξετάζονται οι µονοφασικοί επαγωγικοί κινητήρες αλλά και ορισµένοι άλλοι όπως οι τριφασικοί σύγχρονοι κινητήρες που υπάρχουν σε µικρό ποσοστό σε βιοµηχανικές

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2007 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2007 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2007 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις, Α.. έως και Α.4., να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης

Διαβάστε περισσότερα

Ισοδύναμα Κυκλώματα και Μετασχηματισμοί

Ισοδύναμα Κυκλώματα και Μετασχηματισμοί Πανεπιστήμιο Κρήτης Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος Άνοιξη 2008 Ισοδύναμα Κυκλώματα και Μετασχηματισμοί Ισοδύναμα Κυκλώματα Thevenin-Norton Θεωρούμε ένα

Διαβάστε περισσότερα

Nανο τρανζιστορ. Κανόνες σμίκρυνσης του τρανζίστορ. Εναλλακτικές αρχιτεκτονικές HEMT. Ηλεκτρονικά με σπιν

Nανο τρανζιστορ. Κανόνες σμίκρυνσης του τρανζίστορ. Εναλλακτικές αρχιτεκτονικές HEMT. Ηλεκτρονικά με σπιν Nανο τρανζιστορ Κανόνες σμίκρυνσης του τρανζίστορ Εναλλακτικές αρχιτεκτονικές HEMT Ηλεκτρονικά με σπιν Βασικές αρχές λειτουργίας Τρανζίστορ τύπου n Σκοπός είναι να ελέγχουμε τη ροή των φορέων 1. Δημιουργία

Διαβάστε περισσότερα

1.Η δύναμη μεταξύ δύο φορτίων έχει μέτρο 120 N. Αν η απόσταση των φορτίων διπλασιαστεί, το μέτρο της δύναμης θα γίνει:

1.Η δύναμη μεταξύ δύο φορτίων έχει μέτρο 120 N. Αν η απόσταση των φορτίων διπλασιαστεί, το μέτρο της δύναμης θα γίνει: ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΣΜΟΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΠΟΛΛΑΠΛΩΝ ΕΠΙΛΟΓΩΝ Ηλεκτρικό φορτίο Ηλεκτρικό πεδίο 1.Η δύναμη μεταξύ δύο φορτίων έχει μέτρο 10 N. Αν η απόσταση των φορτίων διπλασιαστεί, το μέτρο της δύναμης θα γίνει: (α)

Διαβάστε περισσότερα

Πειραματική διάταξη μελέτης, της. χαρακτηριστικής καμπύλης διπόλου

Πειραματική διάταξη μελέτης, της. χαρακτηριστικής καμπύλης διπόλου Πειραματική διάταξη μελέτης, της χαρακτηριστικής καμπύλης διπόλου Επισημάνσεις από τη θεωρία. 1 Ηλεκτρικό δίπολο ονομάζουμε κάθε ηλεκτρική συσκευή που έχει δύο πόλους (άκρα) και όταν συνδεθεί σε ηλεκτρικό

Διαβάστε περισσότερα

Επαφή / ίοδος p- n. Σχήµα 1: Επαφή / ίοδος p-n

Επαφή / ίοδος p- n. Σχήµα 1: Επαφή / ίοδος p-n Επαφή / ίοδος p- n 1. ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΙΟ ΟΥ p-n ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΟΡΙΣΜΟΙ Επαφή p-n ή ένωση p-n δηµιουργείται στην επιφάνεια επαφής ενός ηµιαγωγού-p µε έναν ηµιαγωγό-n. ίοδος p-n ή κρυσταλλοδίοδος είναι το ηλεκτρονικό

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρομαγνητισμός. Μαγνητικό πεδίο. Νίκος Ν. Αρπατζάνης

Ηλεκτρομαγνητισμός. Μαγνητικό πεδίο. Νίκος Ν. Αρπατζάνης Ηλεκτρομαγνητισμός Μαγνητικό πεδίο Νίκος Ν. Αρπατζάνης ύναµη σε ρευµατοφόρους αγωγούς (β) Ο αγωγός δεν διαρρέεται από ρεύμα, οπότε δεν ασκείται δύναμη σε αυτόν. Έτσι παραμένει κατακόρυφος. (γ) Το µαγνητικό

Διαβάστε περισσότερα

2. ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

2. ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 28 2. ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Οι γεννήτριες εναλλασσόµενου ρεύµατος είναι δύο ειδών Α) οι σύγχρονες γεννήτριες ή εναλλακτήρες και Β) οι ασύγχρονες γεννήτριες Οι σύγχρονες γεννήτριες παράγουν

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 21 Ηλεκτρικά Φορτία και Ηλεκτρικά Πεδία. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 21 Ηλεκτρικά Φορτία και Ηλεκτρικά Πεδία. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 21 Ηλεκτρικά Φορτία και Ηλεκτρικά Πεδία Στατικός Ηλεκτρισµός, Ηλεκτρικό Φορτίο και η διατήρηση αυτού Ηλεκτρικό φορτίο στο άτοµο Αγωγοί και Μονωτές Επαγόµενα Φορτία Ο Νόµος του Coulomb Το Ηλεκτρικό

Διαβάστε περισσότερα

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 Ερώτηση 1 (2 µον.) Το σχ. (α) δείχνει το κύκλωµα ενός περιοριστή. Από τη χαρακτηριστική καµπύλη τάσης εισόδου-εξόδου V out =

Διαβάστε περισσότερα

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12 Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ - ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ - ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΑΣΚΗΣΕΙΣ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ - ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ 1. Ένα ραδιόφωνο αυτοκινήτου διαρρέεται από ηλεκτρικό ρεύµα έντασης I = 0,3 Α. Να υπολογίσετε: α. το φορτίο που διέρχεται µέσα από το ραδιόφωνο του αυτοκινήτου σε

Διαβάστε περισσότερα

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ε π α ν α λ η π τ ι κ ά θ έ µ α τ α 0 0 5 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 1 ΘΕΜΑ 1 o Για τις ερωτήσεις 1 4, να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα που

Διαβάστε περισσότερα

Μέσα Προστασίας II. Τ.Ε.Ι. Κρήτης Σ.Τ.ΕΦ./ Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών Τ.Ε. Εργαστήριο Υψηλών Τάσεων. Ηλεκτρικές Εγκαταστάσεις Ι

Μέσα Προστασίας II. Τ.Ε.Ι. Κρήτης Σ.Τ.ΕΦ./ Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών Τ.Ε. Εργαστήριο Υψηλών Τάσεων. Ηλεκτρικές Εγκαταστάσεις Ι Τ.Ε.Ι. Κρήτης Σ.Τ.ΕΦ./ Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών Τ.Ε. Μέσα Προστασίας II Προστασία από την ηλεκτροπληξία Ηλεκτρικές Εγκαταστάσεις Ι Επίκουρος Καθηγητής Τηλ:2810379231 Email: ksiderakis@staff.teicrete.gr

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 22 Νόµος του Gauss. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 22 Νόµος του Gauss. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 22 Νόµος του Gauss Περιεχόµενα Κεφαλαίου 22 Ηλεκτρική Ροή Ο Νόµος του Gauss Εφαρµογές του Νόµου του Gauss Πειραµατικές επιβεβαιώσεις για τους Νόµους των Gauss και Coulomb 22-1 Ηλεκτρική Ροή Ηλεκτρική

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος

2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος 2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος Όπως είναι γνωστό από την καθημερινή εμπειρία τα περισσότερα σώματα που χρησιμοποιούνται στις ηλεκτρικές ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΙΚΗ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ 1 ΠΥΚΝΩΤΗ :

ΑΡΧΙΚΗ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ 1 ΠΥΚΝΩΤΗ : ΤΕΙ ΧΑΛΚΙΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Α/Α ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ : ΑΣΚΗΣΗ 5 η Τίτλος Άσκησης : ΜΕΤΡΗΣΗ ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑΣ ΜΕ ΑΜΕΣΕΣ ΚΑΙ ΕΜΜΕΣΕΣ ΜΕΘΟΔΟΥΣ Θεωρητική Ανάλυση Πυκνωτής

Διαβάστε περισσότερα