4 η διάλεξη Καθυστέρηση Διασυνδέσεων Μοντέλο Elmore

Σχετικά έγγραφα
HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)

Πυρίτιο. Η βάση για τα σύγχρονα ημιαγωγικά κυκλώματα είναι. Ένας κρύσταλλος καθαρού πυριτίου συμπεριφέρεται

HY422 Ειςαγωγή ςτα Συςτήματα VLSI. HY422 - Διάλεξθ 4θ - Διαςυνδζςεισ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΘΕΜΑ 1ο Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)

Φυσική για Μηχανικούς


Εργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI

ΘΕΜΑ 1ο Στις ερωτήσεις 1.1, 1.2 και 1.3 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της ερώτησης και, δίπλα, το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ Β ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2002

Πανεπιστήµιο Αιγαίου Τµήµα Μηχανικών Πληροφοριακών και Επικοινωνιακών Συστηµάτων. 3η Άσκηση Logical Effort - Ένα ολοκληρωµένο παράδειγµα σχεδίασης

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ Β ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2002

ΦΥΣΙΚΗ Β ΤΑΞΗΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ 2003 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

10o ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ Στοιχεία Χωροθεσίας (Layout) CMOS

Η ΗΜΙΤΟΝΟΕΙΔΗΣ ΣΥΝΑΡΤΗΣΗ Αcos(ωt + φ) ΚΑΙ Η ΦΑΣΟΡΙΚΗ ΤΗΣ ΑΝΑΠΑΡΑΣΤΑΣΗ

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ο : ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΑΠΛΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

Φυσική για Μηχανικούς

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΑ

ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ ΘΕΜΑΤΑ

Φυσική για Μηχανικούς

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

Κυκλώματα δύο Ακροδεκτών στο Πεδίο της Συχνότητας

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ

Ηλεκτρική και Μηχανική ταλάντωση στο ίδιο φαινόμενο

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

Διαγώνισμα Φυσικής κατεύθυνσης B! Λυκείου.

3. Κεφάλαιο Μετασχηματισμός Fourier

ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Β ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΡΙΤΗ 3 ΙΟΥΝΙΟΥ 2003 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ

ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Β ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΕΜΠΤΗ 23 ΜΑΪΟΥ 2002 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ : ΦΥΣΙΚΗ

3 η διάλεξη Συσκευές στο Πυρήτιο

Δισδιάστατη Αγωγή Θερμότητας: Γραφικές Μέθοδοι Ανάλυσης

ΑΣΚΗΣΗ 7. ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C. C out

ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΚΑΤΑΝΟΗΣΗΣ ΦΥΣΙΚΗ ΙΙ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

ΘΕΜΑ 1 ο (3.5 μονάδες) V CC R C1 R C2. R s. v o v s R L. v i I 1 I 2 ΛΥΣΗ R 10 10

Σε έναν επίπεδο πυκνωτή οι μεταλλικές πλάκες έχουν εμβαδό 0,2 m 2, και απέχουν απόσταση 8,85 mm ενώ μεταξύ των οπλισμών του μεσολαβεί αέρας.

ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ

Theory Greek (Cyprus) Μη γραμμική δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 μονάδες)

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ. γ. υ = χ 0 ωσυνωt δ. υ = -χ 0 ωσυνωt. Μονάδες 5

ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):


Σημειώσεις για την Άσκηση 2: Μετρήσεις σε RC Κυκλώματα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΟΜΑΔΑ Α. Α.3. Η λογική συνάρτηση x + x y ισούται με α. x β. y γ. x+y δ. x

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ-ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ Ι, ΦΕΒΡΟΥΑΡΙΟΣ i 1 i 2

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (3 ο σειρά διαφανειών)

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 18/09/2013

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Β ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΕΜΠΤΗ 23 ΜΑΪΟΥ 2002 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ: ΦΥΣΙΚΗ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ: ΕΞΙ (6)

Φυσική για Μηχανικούς

Θέµατα Εξετάσεων 94. δ. R

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΕΜΠΤΗ 12 ΣΕΠΤΕΜΒΡΙΟΥ 2002 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ : ΦΥΣΙΚΗ

R eq = R 1 + R 2 + R 3 = 2Ω + 1Ω + 5Ω = 8Ω. E R eq. I s = = 20V V 1 = IR 1 = (2.5A)(2Ω) = 5V V 3 = IR 3 = (2.5A)(5Ω) = 12.5V

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

ΘΕΜΑ 1ο = = 3.

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

( ) Στοιχεία που αποθηκεύουν ενέργεια Ψ = N Φ. διαφορικές εξισώσεις. Πηνίο. μαγνητικό πεδίο. του πηνίου (κάθε. ένα πηνίο Ν σπειρών:

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

Φυσική για Μηχανικούς

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ

Physics by Chris Simopoulos

Theory Greek (Greece) Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες)

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Theory Greek (Greece) Μη Γραμμική Δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 Μονάδες)

Μεταβατική Ανάλυση - Φάσορες. Κατάστρωση διαφορικών εξισώσεων. Μεταβατική απόκριση. Γενικό μοντέλο. ,, ( ) είναι γνωστές ποσότητες (σταθερές)

Α.3. Στην παρακάτω συνδεσμολογία οι τέσσερις αντιστάσεις R 1, R 2, R 3 και R 4 είναι διαφορετικές μεταξύ τους. Το ρεύμα Ι 3 δίνεται από τη σχέση:

«Επί πτυχίω» εξέταση στο μάθημα «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών ΙΙ»-Ιανουάριος 2018

Φυσική για Μηχανικούς

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

Κεφάλαιο 1 ο. Βασικά στοιχεία των Κυκλωμάτων

Φυσική για Μηχανικούς

ΤΕΙ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ. Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΥ ΜΑΖΑΣ ΘΕΣΗΣ ΚΕΝΤΡΟΥ ΜΑΖΑΣ ΡΟΠΗΣ ΑΔΡΑΝΕΙΑΣ ΣΩΜΑΤΩΝ

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Φυσική για Μηχανικούς

ΒΑΘΜΟΣ : /100, /20 ΥΠΟΓΡΑΦΗ:.

Transcript:

1

4 η διάλεξη Καθυστέρηση Διασυνδέσεων Μοντέλο Elmore 2

3

Εξετάζοντας αναλυτικά την φυσική υπόσταση μιας διασύνδεσης φαίνεται ότι διασύνδεει έναν αποστολέα του σήματος με έναν δέκτη μέσω επιμέρους τμημάτων μετάλλου διαφορετικού μήκους και γεωμετριών. Το κάθε ένα από αυτά τα επιμέρους τμήματα μπορεί να αναλυθεί σε (α) παρασιτική αντίσταση, (β) παρασιτική χωρητικότητα και (γ) παρασιτική εμπέδηση, όπως φαίνεται στο επόμενο σχήμα. 4

5

Το μοντέλο RLC εξετάζει όλες τις παρασιτικές συσκευές δια και κατά μήκος των συνδέσεων. Το μοντέλο C εξετάζει μόνο την χωρητικότητα των συνδέσεων. Η ανάλυση μοντέλων RLC είναι εξαιρετικά πολύπλοκη. Έτσι συνήθως γίνονται οι εξής θεωρήσεις και ανάλογες απλοποιήσεις: η επαγωγή (L) είναι αμελητέα όταν η αντίσταση της σύνδεσης είναι σημαντική αυτό ισχύει για αγωγούς μικρού πλάτους για αγωγούς μικρού μήκους και καλής αγωγιμότητας το μοντέλο C είναι ακριβές για αγωγούς σε μεγάλη απόσταση, η χωρητικότητα μεταξύ τους μπορεί να αγνοηθεί 6

Στην σημερινή τεχνολογία, το πραγματικό εμβαδό και μήκος των συνδέσεων είναι μεγαλύτερο από αυτό των τρανζίστορ! 7

8

9

10

11

Η διασύνδεση μιας πύλης με μια άλλη επιφέρει μια συνολική χωρητικότητα στην έξοδο της πρώτης, η οποία είναι συνάρτηση (α) της χωρητικότητας της εισόδου της δεύτερης αλλά και (β) της χωρητικότητας της διασύνδεσης Cw που φαίνεται στο παραπάνω σχήμα 12

Όπου W, L είναι το πλάτος και μήκος του αγωγού αντίστοιχα, tdi είναι το πάχος του διηλεκτρικού (η απόσταση μεταξύ των πλακών του πυκνωτή), και εdi είναι η διηλεκτρική σταθερά που εκφράζεται ως ε0.εr (ε0 = 8.854.10-12 ) 13

14

15

Στο ρεαλιστικότερο μοντέλο των πλευρικών χωρητικοτήτων, με μεγαλύτερη ακρίβεια, η χωρητικότητα του αγωγού χωρίζεται σε δυο συνιστώσες, με βασική παράμετρο στο μοντέλο το Η το πάχος (κάθετο ύψος) του αγωγού: την συνιστώσα-προσέγγιση παράλληλων πλακών (το απλό μοντέλο), όπου θεωρούμε w (ουσιαστικό) = W-H/2, την πλευρική συνιστώσα που την μοντελοποιούμε ως κυλινδρικό αγωγό με διάμετρο το H. Η παραπάνω εξίσωση είναι μια καλή προσέγγιση αλλά δεν υπάρχουν και ακριβέστερες μορφές της. 16

Στο παραπάνω σχήμα φαίνεται η αριθμητική διαφορά των δυο προσεγγίσεων χωρητικότητας αγωγού, συναρτήσει του W/H (Η = πάχος διηλεκτρικού, Τ = πάχος αγωγού στο σχήμα). Φαίνεται ότι για τιμές του W/H μικρότερες του 1.5 οι πλευρικές χωρητικότητες κυριαρχούν σημαντικά. 17

Η μοντελοποίηση μέχρι τώρα αφορούσε έναν ορθογώνιο αγωγό τοποθετημένο πάνω από το πυρίτιο. Στις σημερινές διεργασίες, πολλαπλά επίπεδα μετάλλου χρησιμοποιούνται για διασύνδεση (7-8 ή και 9). Έτσι, οι αγωγοί που βρίσκονται σε κοντινή, γειτονική απόσταση οριζόντια και κάθετα δημιουργούν ακόμα πιο πολύπλοκα φαινόμενα επίδρασης χωρητικοτήτων. Διακρίνουμε παραπάνω όχι μόνο χωρητικότητες από ένα σήμα προς το υπόστρωμα (γείωση ή πηγή) αλλά και μεταξύ των σημάτων. Επίσης, όσο ψηλότερο είναι το επίπεδο του σήματος και όσο μακρύτερα βρίσκεται από το υπόστρωμα τόσο μεγαλύτερη η επίδραση του στα γειτονικά. 18

Παραπάνω βλέπουμε την συνδρομή της μεταξύ των αγωγών χωρητικότητας στο σύνολο στην εξέλιξη της κλίμακας. Σε μεγάλου μεγέθους διεργασίες η συνολική χωρητικότητα έχει ως σημαντική συνιστώσα την χωρητικότητα ως προς την γείωση (ή πηγή πρακτικά είναι το ίδιο). Το αντίθετο φαίνεται για τις πιο σύγχρονες, μικρού μεγέθους διεργασίες. 19

Τυπικές χωρητικότητες για μια διεργασία 0.25μm φαίνονται στον πίνακα. Οι σκιασμένες σειρές αντιστοιχούν στην πλευρική χωρητικότητα σε af/μm, ενώ οι λευκές στην χωρητικότητα εμβαδού (παράλληλων πλακών) σε af/μm^2. Έτσι, για να υπολογίσουμε την συνολική χωρητικότητα ενός αγωγού πλάτους W και μήκους L θεωρούμε: Χωρητικότητα εμβαδού : W. L. af/μm^2 Πλευρική χωρητικότητα: 2. L. af/μm (2 x επειδή εμφανίζεται και στις 2 πλευρές) 20

Έτσι για δυο αγωγούς μήκους L και ελάχιστης απόστασης, ο αριθμός στον πίνακα παραπάνω επί L μας δίνει την μεταξύ τους χωρητικότητα. 21

22

Η αντίσταση του αγωγού είναι ανάλογη στο L, αντιστρόφως ανάλογη στο W και στο Η. ρ είναι η ειδική αντίσταση του αγωγού, που εξαρτάται από το υλικό. Παρατηρήστε ότι για έναν τετράγωνο αγωγό (L = W) πάχους Η, για οποιαδήποτε μεγέθη W, L η αντίσταση είναι σταθερή και την ονομάζουμε R (Ω/τετράγωνο), όπου R = ρ/η. Άρα για οποιοδήποτε αγωγό μπορούμε να υπολογίσουμε την αντίσταση του, δεδομένου του R πολλαπλασιάζοντας με L/W: R = R. L/W 23

24

Silicide = Si + Μέταλλο, λ.χ. TiSi2, TaSi, WSi2 Όπως φαίνεται το ιδανικό υλικό για συνδέσεις είναι το μέταλλο (Al). Παρόλο που η αντίσταση των περιοχών διάχυσης n+, p+ φαίνεται να είναι συγκρίσιμη με την αντίσταση του poly-si, αυτές παρουσιάζουν πολύ μεγάλες χωρητικότητες προς το υπόστρωμα. Ως προς τις διεπαφές μεταξύ επιπέδων και αυτές προσθέτουν αντίσταση ανάλογη με το εμβαδό τους. Παρόλο γενικά που μπορούν να γίνουν μεγαλύτερες, το ρεύμα ακολουθεί τα μονοπάτια γύρω στην περίμετρο, έτσι δεν δεν μπορούν να γίνουν αυθαίρετα μεγάλες για λόγους αξιοπιστίας (μετακίνηση του μετάλλου). 25

26

27

Στις σύγχρονες διεργασίες παρατηρούμε ότι το πάχος των ψηλότερων επιπέδων είναι μεγαλύτερο, με αποτέλεσμα η αντίσταση καθώς πάμε προς τα πάνω να μειώνεται. Για αυτό τον λόγο, όταν σχεδιάζουμε γίνεται συνήθως μια συγκεκριμένη ανάθεση των μετάλλων στα κρίσιμα σήματα, δηλ. (α) αγωγούς ρεύματος, (β) ρολόγια, ως εξής: Αγωγοί Ρεύματος : Vdd!, Gnd! Μ1 οριζόντια, Μ2 κάθετα χρειάζονται συνδέσεις στο υπόστρωμα. Ρολόγια : Μ3 ή 4 για τις μακριές συνδέσεις, Μ2-3 για τις κοντινές. 28

Έχοντας αναλύσει την χωρητικότητα και την αντίσταση των αγωγών, τώρα μπορούμε να μοντελοποιήσουμε για να μπορούμε να αναλύουμε την καθυστέρηση της με απλό τρόπο. Το πιο απλό μοντέλο για έναν αγωγό μικρής αντίστασης (μικρού-μεσαίου μήκους) είναι να θεωρήσουμε την αντίσταση του αμελητέα και να συγχωνεύσουμε τις επιμέρους χωρητικότητες (στα μέρη του, επίπεδα, διεπαφές, κτλ.) σαν έναν συνολικό πυκνωτή Clumped. Έτσι, ένα ψηφιακό κύκλωμα που οδηγεί έναν αγωγό με το απλό μοντέλο Clumped, πρακτικά μοντελοποιείται ως: Αντίσταση για την πύλη που οδηγεί (ανάλογη με το πόσο ρεύμα μπορεί να οδηγήσει στην έξοδο). Χωρητικότητα για τον αγωγό Clumped. Με αυτό το μοντέλο όλες οι συνδέσεις μοντελοποιούνται ως απλές RC καθυστερήσεις. 29

30

31

32

Ο τύπος της καθυστέρησης Elmore είναι προσεγγιστικός και ίσος με την 1 η συνιστώσα απόκρισης του RC δέντρου σε έναν παλμό. Επιπλέον το τ που προκύπτει είναι πεσιμιστικό και λειτουργεί ως πάνω όριο στην καθυστέρηση. Η προσέγγιση καθυστέρησης Elmore χρησιμοποιείται κατά κόρον είτε για χειρονακτική σχεδίαση, είτε και σε εργαλεία EDA μια και επιτρέπει με ακρίβεια και ευκολία την σχετική βελτιστοποίηση ως προς τα R, C για πολύπλοκες δομές! 33

Στο παραπάνω παράδειγμα η καθυστέρηση στον κόμβο i είναι: τdi = C1 R1 + C2 R1 + C3 (R1 + R3) + C4 (R1 + R3) + Ci (R1 + R3 + Ri) 34

Στο παραπάνω πιο πολύπλοκο παράδειγμα οι καθυστερήσεις έχουν ως εξής: τdl = C1.R1 + C2.R1 + C3.R1 + C4.(R1 + R4) + C5.(R1+R4+R5) + C6.R1 + C7.C1 + C8.R1 + C9.R1 τdk = C1.R1 + C2.R1 + C3.(R1+R3) + C4.R1 + C5.R1 + C6.(R1+R3) + C7.R1 + C8.(R1+R3+R8) +C9.(R1+R3) τdj = C1.R1 + C2.R1 + C3.(R1+R3) + C4.R1 + C5.R1 + C6.(R1+R3+R6) + C7.R1 + C8.(R1+R3) + C9.(R1+R3+R6+R9) τdi = C1.R1 + C2.(R1+R2) + C3.R1 + C4. R1 + C5.R1 + C6.R1+ C7.(R1+R2+R7) + C8.R1 + C9.R1 35

36

Από τα παραπάνω συμπεραίνουμε ότι: η καθυστέρηση ενός αγωγού σήματος είναι ανάλογη με L^2, δηλ. διπλασιάζοντας το L τετραπλασιάζουμε την καθυστέρηση. για μεγάλες τιμές του N η συμβατική καθυστέρηση Elmore (χωρίς τα ΔL) θα ήταν η διπλάσια της παραπάνω (αν δεν υπολογίζαμε για ΔL την τάση καθώς Ν μεγάλες τιμές). Έτσι, φαίνεται η πεσιμιστική φύση της καθυστέρησης Elmore. 37

38