Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

Σχετικά έγγραφα
Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η

AC λειτουργία Ισοδύναμα κυκλώματα μικρού σήματος του

Γ. Τσιατούχας. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Εισαγωγή στη Θεωρία Κυκλωμάτων 2

Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)

Το Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τελεστικοί Ενισχυτές 2

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

Γ. Τσιατούχας. 1. Δίθυρα Δίκτυα. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ανάλυση ικτύου ΙΙI

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

Ηλεκτρονικό Κύκλωµα. ΟΝόµος Kirchhoff για το Ρεύµα -KCL

3. Δίθυρα Δικτυώματα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Ενισχυτές. Ενισχυτές. ΕνισχυτέςΓ. Τσιατούχας

Τρανζίστορ FET Επαφής

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Πόλωση των Τρανζίστορ

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

Μοντέλα Διόδων i. Δίοδος Διακόπτης Δίοδος Πηγή. i=i(υ) i=i(υ) i i. i i. = 0 γιά. 0 γιά. Παρεμπόδισης

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

Εισαγωγή. Στο κεφάλαιο αυτό θα µελετηθεί ο τελεστικός ενισχυτής.

3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Διαφορικοί Ενισχυτές

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.


Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Σ.Δ. Φωτόπουλος 1/24. ΘΕΩΡΙΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ και ΣΗΜΑΤΩΝ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Γ. Τσιατούχας. 1. Διαγράμματα Bode. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Φροντιστήρια ΙV

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

3. Μέθοδος κομβικών τάσεων 4. Μέθοδος ρευμάτων απλών βρόχων

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

13 Γενική Μηχανική 1 Γενικότητες Κινηματική του Υλικού Σημείου 15/9/2014

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

Τελεστικοί Ενισχυτές

Το διπολικό τρανζίστορ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

Σχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΗΜΙΤΟΝΟΕΙ Η ΡΕΥΜΑΤΑ ΚΑΙ ΤΑΣΕΙΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ

Transcript:

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τρανζίστορ Φαινομένο Πεδίο (FET FET) Ι Κεφάλαια 4 ο και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το MO τρανζίστορ σε ενισχτές. Ενισχτής κοινής πύλης 3. Ενισχτής κοινής πηγής 4. Ενισχτής κοινής ποδοχής 5. Καθρέπτης ρεύματος 6. CMO ενισχτής VL Techly ad Cputer rchtecture Lab Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ

Το MO ως Ενισχτής (Ι) Είσοδος Σήμα Ι d V Ενισχτής V MO Ο V Πόλωση Έξοδος V ds Για να χρησιμοποιηθεί MOFET τρανζίστορ σε κκλώματα ενισχτών θα πρέπει να λειτοργεί, με την κατάλληλη πόλωση, στην περιοχή κόρο. Στο σχήμα δίδεται κύκλωμα ενισχτή με MO. Στο κύκλωμα το σχήματος, η εύρεση το σημείο λειτοργίας (C πόλωσης) επιτγχάνεται θέτοντας 0. Το ρεύμα στον απαγωγό, για την περιοχή το κόρο, θα δίνεται από τη σχέση: K ( V V ) χωρίς να λαμβάνεται π όψιν το φαινόμενο διαμόρφωσης καναλιού, δηλ. λ0. t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 Το MO ως Ενισχτής (ΙΙ) Κόρος V Επιπλέον ισχύει: V V MO Το τρανζίστορ θα λειτοργεί στην περιοχή το κόρο όταν V > (V V t ). Καθώς θα πρέπει να λάβομε π όψιν και τη μεταβαλλόμενη σνιστώσα της το V θα πρέπει να είναι πολύ μεγαλύτερο το (V V t ). Με δεδομένο ότι V, θα ισχύει: V K ( V ) K ( V V ) t t K ( V V ) K ( V V ) K t t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4

Το MO ως Ενισχτής (ΙΙΙ) Κόρος V Ισοδύναμα γράφομε: K ( V V t ) K μη γραμμικός όρος MO Αν κρατήσομε το σήμα εισόδο μικρό έτσι ώστε: K << K ( V Vt ) ή αλλιώς: << (V V t ) V τότε καθώς d θα ισχύει: d K ( V Vt ) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 5 Το MO ως Ενισχτής (ΙV) Κόρος V Η παράμετρος πο σνδέει τα d και είναι η και ονομάζεται διαγωγιμότητα: d K µ ε W t L ( V V ) ( V V ) t x t MO V µ ε/ t x W/L Η διαγωγιμότητα αντιπροσωπεύει την κλίση της d χαρακτηριστικής στο σημείο πόλωσης: d V Ι Σημείο Λειτοργίας V t V Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 6 3

Το MO ως Ενισχτής (V) Κόρος V Για την τάση στον απαγωγό θα ισχύει (KVL): V V ( d ) ( V ) d V d MO Επειδή V ds ισχύει ότι το σήμα στον απαγωγό θα δίνεται από τη σχέση: V ds d Σνεπώς η απολαβή (κέρδος) τάσης θα είναι: Το μείον στη σχέση δηλώνει διαφορά φάσης των δύο σημάτων 80 ο Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 7 ds ax V χαρακτηριστική εισόδο εξόδο στον κόρο Το MO ως Ενισχτής (V) Q κλίση V κλίση Q ( V ) V χαρακτηριστική εξόδο κόρος ax V V V V t ax V εθεία φόρτο ax V pp_ V pp_ t Είσοδος t Έξοδος ax V ax V t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 8 4

Πηγή Ρεύματος Ελεγχόμενη από Τάση V εθεία φόρτο d σημείο λειτοργίας ax Ι V Ι V V t V t t ds Το MO σμπεριφέρεται ως μία πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 9 Ισοδύναμο Μοντέλο Ασθενούς Σήματος µ ε/ t x W/L Μοντέλο Ασθενούς Σήματος για Λειτοργία στον Κόρο Το μοντέλο είναι το ίδιο και για pmo και για MO τρανζίστορ d r r V ds ( //r ) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 0 5

Μη Γραμμική Λειτοργία εθεία φόρτο > ax ax V V V t t Μη γραμμική παραμόρφωση καθώς το στιγμιαίο σημείο λειτοργίας εισέρχεται στην τρίοδο περιοχή. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ Ενισχτής 5V 0ΚΩ 0MΩ Παράδειγμα 4(Ι) Ποιο το κέρδος τάσης ασθενούς σήματος για το κύκλωμα το σχήματος και ποια η αντίσταση εισόδο, αν V t.5v, K 0.5/V και V 50V; L 0ΚΩ Αγνοήστε το φαινόμενο διαμόρφωσης μήκος καναλιού στις εξισώσεις το ρεύματος στον κόρο. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 6

5V 0ΚΩ Παράδειγμα 4(ΙΙ) Εύρεση Σημείο Λειτοργίας C Ανάλση Ισχύει ότι V V Λειτοργία στον κόρο καθώς εξασφαλίσαμε ότι V > V V t! 0MΩ K ( V V ) t 0 L 0ΚΩ K ( V V ) t Στο C οι πκνωτές δρον ως ανοικτοκκλώματα! V και: V Λύνοντας έχομε το σημείο λειτοργίας:.06 και V V 4.4V Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 Παράδειγμα 4(ΙΙΙ) 0ΚΩ C Ανάλση Μικρού Σήματος Η αντίσταση εξόδο r θα είναι: 0MΩ L 0ΚΩ Στην C λειτοργία οι πκνωτές δρον ως βραχκκλώματα! r V 47KΩ Η διαγωγιμότητα θα είναι: Στην ΑC ανάλση οι C πηγές τάσης βραχκκλώνονται και οι C πηγές ρεύματος ανοικτοκκλώνονται! Δηλ. οι C πηγές μηδενίζονται! ( V V ) 0.75 / V K t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4 7

Παράδειγμα 4(ΙV) L r Ν. Oh Χρήση ισοδύναμο κκλώματος ασθενούς σήματος. Αγνοούμε το ρεύμα μέσα από την καθώς 0MΩ >>>. ( // //r ) ( // // r ) L L Σνεπώς το κέρδος τάσης θα είναι: ( // //r ) 3. 3 Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 5 L Παράδειγμα 4(V) r L Το ρεύμα εισόδο θα είναι: Ν. Oh ( ) Η αντίσταση εισόδο θα είναι: ( ) ( Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 6 ).33MΩ 8

Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής () Κόρος V Ι Βασικό Κύκλωμα Μελέτης Ενισχτών με MOFET L Ο ακροδέκτης Υ (πηγή) σνδέεται στη γη. Το σήμα εισόδο σνδέεται στον ακροδέκτη Χ (πύλη). Η αντίσταση φόρτο σνδέεται στον ακροδέκτη Ζ (απαγωγός ποδοχή). Το κύκλωμα αποτελεί δίθρο με τη θύρα εισόδο ανάμεσα στην πύλη και τη πηγή (γη) και τη θύρα εξόδο ανάμεσα στον απαγωγό και την πηγή (γη). Σνεπώς η πηγή είναι κοινός ακροδέκτης και στις δύο θύρες. V Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 7 Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής (Ι) Αντικατάσταση MOFET με το ισοδύναμο κύκλωμα ασθενούς σήματος. Για την εύρεση της αντίστασης εισόδο εφαρμόζομε στην είσοδο τάση και λαμβάνοντας πόψιν το ρεύμα προκύπτει: L r Η L είναι ο φόρτος, δεν αποτελεί τμήμα το ενισχτή Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 8 9

Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής (V) Για την εύρεση της αντίστασης εξόδο ut θέτομε 0 και L * Σνεπώς, 0! Εφαρμόζομε τάση z στην έξοδο και λαμβάνοντας ας πόψιν το ρεύμα z προκύπτει: z ut z // r 0 L r z z ut * Η L είναι ο φόρτος, δεν αποτελεί τμήμα το ενισχτή Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 9 Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής (V) Κέρδος Τάσης ut Ανοικτού Κκλώματος L (χωρίς την L ) ( // // r ) L r Κέρδος Τάσης L Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 0 0

Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης () Κόρος V Ο ακροδέκτης Χ (πύλη) σνδέεται στη γη. Το σήμα εισόδο σνδέεται στον ακροδέκτη Υ (πηγή). Η αντίσταση φόρτο σνδέεται στον ακροδέκτη Ζ (απαγωγός ποδοχή). Ι L Το κύκλωμα αποτελεί δίθρο με τη θύρα εισόδο ανάμεσα στην πηγή και τη πύλη (γη) και τη θύρα εξόδο ανάμεσα στον απαγωγό και τη πύλη (γη). Σνεπώς η πύλη είναι κοινός ακροδέκτης και στις δύο θύρες. V Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης (Ι) Αντικατάσταση MOFET με το ισοδύναμο κύκλωμα ασθενούς σήματος. Για να απλοποιήσομε το κύκλωμα χρησιμοποιούμε το δεδομένο ότι η r είναι μια πολύ μεγάλη αντίσταση και σνεπώς μπορεί να παραληφθεί! L r r << Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ

Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης (Ι) Για την εύρεση της αντίστασης εξόδο ut θέτομε 0 & L! Εφαρμόζομε τάση z στην έξοδο το ενισχτή. 0 ut // r (r ) (r ) L r z Δεχόμαστε ότι η r είναι μια πολύ μεγάλη αντίσταση και σνεπώς μπορεί να παραληφθεί! 0 ut Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης (Ι) ( L // ) r Κέρδος Τάσης L r Δεχόμαστε ότι η r είναι μια πολύ μεγάλη αντίσταση και σνεπώς μπορεί να παραληφθεί! Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4

Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής () Κόρος V Ο ακροδέκτης Ζ (ποδοχή) σνδέεται στη γη. Το σήμα εισόδο σνδέεται στον ακροδέκτη Χ (πύλη). Η αντίσταση φόρτο σνδέεται στον ακροδέκτη Υ (πηγή). Ι Το κύκλωμα αποτελεί δίθρο με την ποδοχή ως κοινό ακροδέκτη των δύο θρών. Ακόλοθος Πηγής L urce Fllwer V Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 5 Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (Ι) Αντικατάσταση MOFET με το ισοδύναμο κύκλωμα ασθενούς σήματος. Για την εύρεση της αντίστασης εισόδο εφαρμόζομε στην είσοδο τάση και λαμβάνοντας πόψιν το ρεύμα προκύπτει: r L Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 6 3

Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (ΙΙΙ) Για την εύρεση της αντίστασης εξόδο ut θέτομε 0 & L! Εφαρμόζομε τάση y στην έξοδο το ενισχτή. y ( /r //r y y y y ) ut y < < r r 0 y r y y L ut Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 7 Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (V) Κέρδος Τάσης Ανοικτού Κκλώματος < r r ( /r ) L r r L Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 8 4

Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (V) Κέρδος Τάσης ( //r ) ( //r ) ( ) ) L L L //r //r / ( ) ( ) L < r αν L >>/ L Χρήση ως απομονωτής Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 9 Ενισχτής Μόνο με Χρήση MO (Ι) V Μόνιμα στον κόρο τρίοδος Q Καμπύλη Φόρτο κόρος Q Ι Ο O V V O K ( V t ) K (V V t ) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 30 5

Ενισχτής Μόνο με Χρήση MO (Ι) V Μόνιμα στον κόρο Κόρος Τρίοδος Q Q Αποκοπή Χαρακτηριστική Μεταφοράς (εισόδο εξόδο) Ι Ο Θεωρούμε ότι V t V t V t. Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 Ενισχτής Μόνο με Χρήση MO (Ι) Στον κόρο το Q ισχύει: V K ( V t ) K ( V t ) Q K ( V t ) K (V Ο V t ) Ι Q Ο O V V Σνεπώς: t K V t K K K Το κύκλωμα λειτοργεί ως γραμμικός ενισχτής μεγάλο σήματος με κέρδος τάσης: K K ( W/L) ( W/L) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 3 6

Ενισχτής Μόνο με Χρήση MO (ΙV) Σμπεριφορά το ενισχτή σε ασθενή σήματα. Χρήση μοντέλων ασθενούς σήματος. [(/ ) // r // r ] και /r /r µ C x W/L / r r Στην ΑC ανάλση οι C πηγές τάσης βραχκκλώνονται! Q Q Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 33 Καθρέπτης Ρεύματος Λειτοργεί στον κόρο Κλίση V V Πρέπει να λειτοργεί στον κόρο όριο Κόρο Τριόδο EF K (V V t ) O K (V V t ) O EF K K O EF ( W/L) ( W/L) Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 34 7

MO Καθρέπτες Ρεύματος Cascde Βασικός Wls Τροποποιημένος Wls Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 35 Ο CMO Ενισχτής (Ι) Q : ενεργό φορτίο Q στην τρίοδο Q στον κόρο Κλίση Χαρακτηριστική Q V Ο και Ο Τα Q QQ 3 αποτελούν ένα ταιριασμένο ζεύγος τρανζίστορ (έχον ίδια χαρακτηριστικά) και σνθέτον μία πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από το ρεύμα αναφοράς EF. Το Q πρέπει να λειτοργεί στον κόρο όπο και θα ισχύει: V r >> EF V Ο Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 36 8

Ο CMO Ενισχτής (ΙΙ) Q στην τρίοδο Q στον κόρο κλίση r Κέρδος Ασθενούς Σήματος: [ r //r ] Χαρακτηριστικές Q (Q : σνδεσμολογία κοινής πηγής) x ( W/L) EF 4KEF µ C V r r K EF EF V V Q : Αποκοπή Q : Κόρος Q : Τρίοδος Q : Κόρος Q : Κόρος Q : Τρίοδος Q : Κόρος Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 37 Ο CMO Ενισχτής (ΙΙΙ) (r // r ) και Στην ΑC ανάλση οι C πηγές τάσης βραχκκλώνονται και οι C πηγές ρεύματος ανοικτοκκλώνονται! (r //r ) (r //r ) s 0 ο r r s 0 Q: MO Q: pmo Χρήση μοντέλων ασθενούς σήματος για Q και Q Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 38 9

Παράδειγμα 5(Ι) Δεδομένα: V 0V, V t V tp V, K 00μ/V, K p 50μ/V, V 00V και EF 00μ. Ζητούμενα: α) Ποιο το κέρδος ασθενούς σήματος; β) Ποια τα όρια της περιοχής ενίσχσης, δηλ. της γραμμικής περιοχής (περιοχή ΙΙΙ) στην χαρακτηριστική εισόδο εξόδο; (α) K EF V 00 Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 39 Παράδειγμα 5(ΙΙ) (β) Προσδιορισμός της τάσης V των Q και Q 3, όπο ισχύει EF. Χρήση σχέσης ρεύματος στον κόρο. Έτσι V.44V. ( ) V V Vtp V Kp Q στην τρίοδο Q στον κόρο Άρα: V O V (V V tp ) 8.586V. V O Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 40 0

Παράδειγμα 5(ΙΙΙ) Λύνοντας ως προς O καταλήγομε στη σχέση: Για τον προσδιορισμό της V ΙΑ εκμεταλλεόμαστε το γεγονός ότι τα ρεύματα ποδοχής των Q και Q είναι ίσα. O K Vt V EF ( ) K p ( ) V O V Vtp V V V O EF K ( ) Vt EF V Αντικαθιστώντας: O V O 8.585V και V παίρνομε V.963V Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4 Παράδειγμα 5(ΙV) Καθώς η γραμμική περιοχή είναι πολύ στενή μπορούμε να θεωρήσομε ότι V ΙΒ V ΙΑ V. Επειδή το Β ανήκει στο όριο κόρο και τριόδο περιοχής ισχύει: V ΟΒ V ΙB V t V. Και σε ατή την περίπτωση ισχύει: V V O EF K ( ) Vt EF V Αντικαθιστώντας: O V OΒ V και V Β παίρνομε V Β.039V Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 4

Παράδειγμα 5(V) Χρησιμοποιώντας τη νέα τιμή το V B στη σχέση πο ορίζει το όριο μεταξύ κόρο και τριόδο, παίρνομε την νέα (πιο ακριβή) τιμή το V OB : V ΟΒ V ΙB V t.039v Ισχύει: ΔV Ι V ΙΒ V ΙΑ 37V και αντίστοιχα: ΔV ΟΒ V ΟΑ V ΟΒ 7.586V VO Το κέρδος τάσης ισχρού σήματος θα είναι: V 99. 3 V Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 43 Το MO Τρανζίστορ ως Διακόπτης V s V V Ι s V T T t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 44

Παράδειγμα 6(Ι) V 0V Δεδομένα: Στο κύκλωμα το σχήματος ισχύει: V 0V, V t.v και 45KΩ., t 45KΩ Ι Ζητούμενα: Να δοθεί η κματομορφή εξόδο το κκλώματος f( s ) αν η είσοδος έχει την κματομορφή πο ακολοθεί. s s 0V 5s t Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 45 Παράδειγμα 6(Ι) 00μ V µ. s 0V V V V 0V V 8V.V 00μΑ K( Vt) V 6V V V t.v 0V V V V 0V Η χαρακτηριστική θεωρείται δεδομένο το προβλήματος V t T5s Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ 46 3