HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων

Σχετικά έγγραφα
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Ηλεκτρικός Θόρυβος»

Εισαγωγή στη Σχεδίαση RF Κυκλωμάτων

Τηλεπικοινωνιακά Συστήματα Ι

h(t τ k ) X (t) = X (t) = (shot noise). 3/28 4/28

Χρήστος Ξενάκης. Πανεπιστήμιο Πειραιώς, Τμήμα Ψηφιακών Συστημάτων

Ανάλυση Θορύβου Σε Γραμμικά Κυκλώματα

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ενίσχυση Κέρδους (Gain Boosting)

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Εισαγωγή Φώτης Πλέσσας

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων (περιγραφή μαθήματος) Φώτης Πλέσσας

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Στοχαστικές Ανελίξεις

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Τελεστικοί Ενισχυτές»

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΕΛΕΓΧΟΣ ΦΩΤΙΣΜΟΥ

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Ψηφιακές Τηλεπικοινωνίες. Βέλτιστος Δέκτης

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗ ΘΟΡΥΒΟΥ ΜΟS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΕ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ. Διπλωματική εργασία του Σπανού Απόστολου

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ

Διπλωματική Εργασία του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών της Πολυτεχνικής Σχολής του Πανεπιστημίου Πατρών

Σημειώσεις κεφαλαίου 16 Αρχές επικοινωνίας με ήχο και εικόνα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Στοχαστικές Ανελίξεις

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΣΤΟΧΑΣΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ & ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ 1o Τμήμα (Α - Κ): Αμφιθέατρο 3, Νέα Κτίρια ΣΗΜΜΥ Θεωρία Πιθανοτήτων & Στοχαστικές Ανελίξεις - 5

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Στοχαστικές Ανελίξεις (1) Αγγελική Αλεξίου

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 1η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΔΕΥΤΕΡΟ ΘΟΡΥΒΟΣ

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Συστήματα Επικοινωνιών ΙI

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

του διπολικού τρανζίστορ

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: 2 η

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3

ΘΕΜΑ 1 ο (3.5 μονάδες) V CC R C1 R C2. R s. v o v s R L. v i I 1 I 2 ΛΥΣΗ R 10 10

ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΑΣΚΗΣΗ 2 η ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΑΥΤΟΝΟΜΗΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΣΥΓΧΡΟΝΗΣ ΤΡΙΦΑΣΙΚΗΣ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑΣ ΜΕ ΦΟΡΤΙΟ

Το διπολικό τρανζίστορ


Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Κεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

Γεννήτριες ΣΡ Ξένης Διέγερσης

ΣΤΟΧΑΣΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ & ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ 1o Τμήμα (Α - Κ): Αμφιθέατρο 3, Νέα Κτίρια ΣΗΜΜΥ Θεωρία Πιθανοτήτων & Στοχαστικές Ανελίξεις - 1

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Ανάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Transcript:

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων «Ηλεκτρικός Θόρυβος» Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ

Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Στατιστικά Χαρακτηριστικά Ισχύς και Φάσμα Θορύβου Συσχετικές και Ασυσχέτιστες Πηγές Είδη Θορύβου Πηγές Θορύβου Παραδείγματα υπολογισμού ισοδύναμου θορύβου εισόδου Εύρος ζώνης

Εισαγωγή (/3) Ο θόρυβος περιορίζει το ελάχιστο μέγεθος του σήματος που μπορεί να επεξεργαστεί ένα κύκλωμα/σύστημα Τι είναι ο θόρυβος και από πού προέρχεται; Ποια τα χαρακτηριστικά του θορύβου Ποια η μέθοδος ανάλυσης του θορύβου σε κυκλώματα; Ποια η επίδραση του θορύβου στα κυκλώματα που έχουμε μελετήσει; 3

Εισαγωγή (/3) Τεχνητός θόρυβος (man made noise) ή θόρυβος παρεμβολών Signal coupling Substrate coupling Finite power supply rejection Η επίδρασή τους μειώνεται με χρήση διαφορικών κυκλωμάτων και συγκεκριμένες layout τεχνικές Ηλεκτρικός θόρυβος ή θόρυβος συσκευής Θεμελιώδης (θερμικός θόρυβος) Συναφής με την τεχνολογία (θόρυβος flicker) 4

Εισαγωγή (3/3) Λόγος Σήματος προς Θόρυβο SNR P P signal noise V V signal noise Σήμα Θόρυβος 5

Σημαντικότητα του θορύβου Η πιστότητα των ηλεκτρονικών συστημάτων καθορίζεται συχνά από το SNR Audio systems, cameras, wireless transceivers Ο ηλεκτρικός θόρυβος σχετίζεται άμεσα με την κατανάλωση ισχύος και την ταχύτητα Η σημαντικότητα της επίδρασης του θορύβου αυξάνει στις καινούργιες τεχνολογίες όσο μειώνεται η τάση τροφοδοσίας SNR ~ V signal /V noise ~ (αv DD ) /V noise 6

Εσωτερικές πηγές θορύβου σε στοιχεία Θερμικός θόρυβος σε αντιστάσεις Θερμικός θόρυβος σε MOSFET Θόρυβος απόσβεσης (flicker noise) Θόρυβος βολής (shot noise) 7

Στατιστικά χαρακτηριστικά θορύβου (/) Ο θόρυβος είναι μια τυχαία διαδικασία (random process) Στην έξοδο μιας γεννήτριας σημάτων μπορούμε να προβλέψουμε την επόμενη τιμή (μετά το t ) Στην έξοδο του μικροφώνου σε εξωτερικό χώρο (πχ κοντά σε ένα ποτάμι) σε μπορούμε να προβλέψουμε την επόμενη τιμή 8

Στατιστικά χαρακτηριστικά θορύβου (/) Εφόσον η τιμή του θορύβου δεν μπορεί να προβλεφθεί πως θα ληφθεί υπόψη στην ανάλυση των κυκλωμάτων; Παρατηρούμε το σήμα (του θορύβου) για μεγάλο χρονικό διάστημα και χρησιμοποιούμε τα δεδομένα για να κατασκευάσουμε ένα μοντέλο που να δίνει τον μέσο όρο της ισχύος του θορύβου 9

Καθορισμός του μέσου όρου της ισχύος P av T T T v ( t) R L dt Καθορισμός του μέσου όρου της ισχύος για περιοδικό σήμα P av lim T T T T x ( t) R L dt Καθορισμός του μέσου όρου της ισχύος για τυχαίο σήμα (σε Watt) P av lim T T T T x ( t) dt Καθορισμός του μέσου όρου της ισχύος (σε V ) 0

Φάσμα Θορύβου (Noise Spectrum) Φασματική Πυκνότητα Ισχύος Περισσότερο σημαντικός είναι ο καθορισμός του μέσου όρου της ισχύος σε κάθε συχνότητα Οι περισσότερες πηγές θορύβου στα ηλεκτρονικά κυκλώματα έχουν σταθερή PSD PSD λευκού θορύβου Μονάδα της PSD είναι το V /Hz

Θερμικός θόρυβος σε αντιστάσεις Ο θερμικός θόρυβος προέρχεται από την τυχαία θερμική κίνηση των ηλεκτρονίων σε έναν αγωγό. Η μέση τιμή του ρεύματος είναι μηδέν αλλά η τάση αλλά ζει τιμή και διεύθυνση συνεχώς. Ο θερμικός θόρυβος θεωρείται λευκός μέχρι τα 00 THz. V n 4kTR( f I n 4kT / R ) Για R=50Ohm και Τ=300Κ V n =8.8x0-9 V /Hz V n =0.9 nv/sqrt(hz)

Φάσμα Θερμικού Θορύβου Η φασματική πυκνότητα ισχύος (Power Spectral Density, PSD) δείχνει πόση ισχύς μεταφέρει ένα σήμα σε συγκεκριμένη συχνότητα Η συνολική ισχύς θορύβου Pn, σε μια συγκεκριμένη περιοχή συχνοτήτων υπολογίζεται με ολοκλήρωση του PSD P n f f PSD( f ) df 3

Ισχύς Θερμικού Θορύβου Ο Nyquist απέδειξε ότι η φασματική πυκνότητα ισχύος (PSD) μιας αντίστασης δίνεται από την: PSD( f ) n0 4kT k είναι η σταθερά Boltzmann και Τ είναι η απόλυτη θερμοκρασία 4kT =.66 0-0 Joules σε θερμοκρασία δωματίου Η συνολική μέση ισχύς θορύβου μιας αντίστασης σε συγκεκριμένη θερμοκρασία είναι: P n f 4 f ktdf 4kT( f f ) 4kT f 4

Φάσμα εξόδου Διέγερση S x (f) σε ένα γραμμικό και χρονικά αμετάβλητο σύστημα με συνάρτηση μεταφοράς H(s) δίνει απόκριση S y (f) που δίνεται από την: S ( f ) S ( f ) H( f ) Y X 5

Παράδειγμα (/) Υπολογίστε το φάσμα θορύβου και τη συνολική ισχύ στο V out V out / V /( scr) R S out S R ( f V ) V out R ( j) 4kTR 4 C R f 6

Παράδειγμα (/) S out 4kTR 4 C R f P n, out 0 4kTR 4 C R f df για u=πcr df=du/πcr P n, out 0 4kTR ( u )CR du kt C tan u V 0 kt C kt C 7

8 Διπλό και μονό φάσμα θορύβου Εφόσον το S x (f) είναι άρτια συνάρτηση για πραγματικά x(t) η συνολική ισχύ μεταξύ f και f δίνεται από την:, ) ( ) ( ) ( f f X f f X f f X f f df f S df f S df f S P Στην πράξη μετράμε την τιμή του μονού φάσματος θορύβου

Κατανομή του μεγέθους του θορύβου Συνάρτηση πυκνότητας πιθανότητας (probability density function) p x (x)dx είναι η πιθανότητα να ισχύει: x < X < x+dx Το Χ είναι μια μέτρηση του x(t) σε κάποια χρονική στιγμή t Η κατανομή μπορεί να είναι κατανομή Gauss ή κανονική κατανομή p x ( x) exp ( x m) 9

Συσχετικές και Ασυσχέτιστες πηγές (/) Στην ανάλυση κυκλωμάτων χρειάζεται να προστίθενται οι πηγές θορύβου. Με ντετερμινιστικά σήματα απλά χρησιμοποιούμε την αρχή της υπέρθεσης. Για τη μέση τιμή της ισχύος απλά προσθέτουμε τις δύο κυματομορφές και υπολογίζουμε τη μέση τιμή P av lim T T T T x ( t) x ( t) dt lim T T T T x ( t) dt lim T T T T x ( t) x ( t) dt lim T T T T x ( t) dt P av P av 0

Συσχετικές και Ασυσχέτιστες πηγές (/) Ασυσχέτιστες πηγές Συσχετικές πηγές

Θερμικός θόρυβος σε MOSFET Ο θόρυβος ενός MOSFET που λειτουργεί στην τρίοδο είναι περίπου ίση με αυτόν μιας αντίστασης Στον κορεσμό δίνεται από τη σχέση του σχήματος. To λ ισούται με /3 όταν L>μm και αυξάνει για όσο μικραίνει το L μέχρι την τιμή 5/ Στο διπλανό σχήμα, ποια είναι η τάση του θορύβου στην έξοδο; v n i n r o 8 3 ktg m r o

Άλλες πηγές θορύβου στα MOSFET Θόρυβος στην πύλη Θόρυβος βολής από το ρεύμα διαρροής της πύλης Θόρυβος από την αντίσταση του υλικού της πύλης Θόρυβος από τις τυχαίες μεταβολές του δυναμικού/χωρητικότητας μεταξύ καναλιού και υποστρώματος (σε υψηλές συχνότητες) Θόρυβος υποστρώματος Θόρυβος φράγματος πηγής (θόρυβος βολής από φορείς που εγχέονται μέσω του φράγματος της πηγής) 3

Θόρυβος απόσβεσης (/) (flicker noise) Ονομάζεται flicker, ή /f ή ροζ θόρυβος Στη διεπαφή μεταξύ SiO και Si υπάρχουν παγίδες (οπές) όπου τα ηλεκτρόνια «κολλάνε» και «ξεκολλάνε» παράγοντας θόρυβο. Ο θόρυβος εξαρτάται από την τεχνολογία. Μειώνεται όσο αυξάνουν οι διαστάσεις του τρανζίστορ. 4

Θόρυβος απόσβεσης (/3) (flicker noise) Προσθέτουμε μια πηγή θορύβου σε ένα MOS transistor που δεν εμφανίζει θόρυβο. Είτε μια /f πηγή θορύβου τάσης στο gate είτε μια /f πηγή θορύβου ρεύματος παράλληλα με το transistor Η φασματική πυκνότητα του θορύβου (τάσης) Sv /f σχετίζεται με τη φασματική πυκνότητα θορύβου (ρεύματος) Si /f μέσω της: Si /f = Sv /f * gm 5

Θόρυβος απόσβεσης (3/3) (flicker noise) Εμφανίζεται σε όλες τις συσκευές αλλά κυρίως στα MOSFET τρανζίστορ Μειώνεται όσο αυξάνουν οι διαστάσεις του τρανζίστορ To παρακάτω είναι ένα εμπειρικό μοντέλο αρκετά απλοποιημένο: K V n C WL f ox Ο θόρυβος εξαρτάται (Κ) από την τεχνολογία. Κ NMOS =0.5 0-5 V F, και Κ PMOS =0.5 0-5 V F Υπάρχουν ακριβέστερα μοντέλα όπως το Hooge και το McWhorther 6

/f Corner Frequency /f noise corner frequency είναι η συχνότητα όπου ο θόρυβος flicker ισούται με τον θερμικό θόρυβο K 4kT( gm) gm 3 CoxWLf c noise current f c K 3 gm για L>μm C WLf 8kT ox c 7

Θόρυβος βολής (shot noise) Ο θόρυβος αυτός σχετίζεται με τη ροή ηλεκτρονίων δια μέσω ενός ενεργειακού φραγμού Ο θόρυβος αυτός μπορεί να εμφανιστεί σε ένωση τύπου pn σε διπολικά τρανζίστορ ή στην πύλη ενός MOSFET όπου υπάρχει μικρή διαρροή φορτίου Η φασματική πυκνότητα ισχύος αυτού του θορύβου είναι λευκή μέχρι τις πολύ υψηλές συχνότητες Μπορεί να συμπεριληφθεί στο μοντέλο ασθενούς σήματος όπως παρουσιάζεται παρακάτω i qi D f 8

Θόρυβος βολής σε διπολικά transistor Η ροή συνεχούς ρεύματος στην βάση και στον συλλέκτη προκαλεί θόρυβο βολής Ο θόρυβος μοντελοποιείται με ισοδύναμες πηγές ρεύματος Τα ρεύματα θορύβου της βάσης και του συλλέκτη είναι στατιστικά ανεξάρτητα μια που δημιουργούνται από διαφορετικούς μηχανισμούς i i c b qi f ktg qi B C f m f gm kt f 9

Θόρυβος στα κυκλώματα V 4kT n, out ( 4kT gm gm ) RD 3 CoxWL f RD K Μ thermal + M flicker + R D thermal 30

Ισοδύναμος Θόρυβος Εισόδου Input Referred Noise Ο θόρυβος εισόδου είναι ένα «υποθετικό» μέγεθος που επιτρέπει την εύκολη σύγκριση μεταξύ των διάφορων κυκλωμάτων. 3

Είναι αρκετή η απεικόνιση με ισοδύναμη πηγή τάσης; K 4kT R Vn, in 4kT 3gm CoxWL f gm D L V n. out 33

Ισοδύναμος θόρυβος εισόδου ως τάση και ρεύμα Το βελτιωμένο μοντέλο έχει και τάση και ρεύμα στην είσοδο 34

Υπολογισμός των V n,in και I n,in Z source = 0 Z source 35

Παράδειγμα Βρείτε το I n,in για το κύκλωμα του σχήματος. Μπορείτε να αγνοήσετε το θόρυβο /f V 8kT 4kT n, out ( ) g mrd 3gm gmrd V n, out n, in( ) gmrd Cin n, in 4kT ( Cin) g m ( 3 g m R D ) 36

Εύρος ζώνης θορύβου (noise bandwidth) V 0 είναι ο θόρυβος σε χαμηλές συχνότητες V n, out V n 0 V n, out df V 0 B n 0 V n, out df 37

Ερωτήσεις / Απορίες? 38