r c =r for BJTs = for MOSFETs

Σχετικά έγγραφα
ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ 4 ΕΠΙΘΕΤΟ : ΓΡΕΑΣΙΔΗΣ. ΟΝΟΜΑ : ΔΗΜΗΤΡΗΣ ΑΕΜ : 1624 ΕΤΟΣ : 2 ο

Θεωρία Τρανζίστορ MOS

Σχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων

ΔΗΜΗΤΡΗΣ ΓΡΕΑΣΙΔΗΣ ΑΕΜ: 1624

Ψηφιακή Σχεδίαση με CAD II

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ

Χαρακτηρισµός Κυκλώµατος και Εκτίµηση Απόδοσης 2. Χαρακτηρισµός Κυκλώµατος


Μικροηλεκτρονική - VLSI

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET

Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 2 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗΝ ΟΡΜΗ

Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises

1 ο ΚΡΙΤΗΡΙΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 1 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ (ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ)

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

Το άτομο του Υδρογόνου

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Η ύπαρξη μεταπτυχιακού τίτλου σπουδών θα συνεκτιμηθεί.

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Αλληλεπίδραση ακτίνων-χ με την ύλη

ένωση κλασικού αθλητισµού ωδώνη Ιωαννίνων 6η συνάντηση ακαδηµιών


lim = + ή -, τότε η f δεν είναι lim

(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης)

! " #! $ %&! '( #)!' * +#, " -! %&! "!! ! " #$ % # " &' &'... ()* ( +, # ' -. + &', - + &' / # ' -. + &' (, % # , 2**.

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα 2:Στοιχεία Ηλεκτρονικής Σχεδίασης VLSI Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 1: Οι διατάξεις MOS

ΑΝΑΡΤΗΤΕΑ ΣΤΟ ΔΙΑΔΙΚΤΥΟ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΟΙΚΟΝΟΜΙΑΣ, ΥΠΟΔΟΜΩΝ, ΝΑΥΤΙΛΙΑΣ ΚΑΙ ΤΟΥΡΙΣΜΟΥ ΠΛΑΤΕΙΑ ΣΥΝΤΑΓΜΑΤΟΣ, ΑΘΗΝΑ

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.

ΑΡΧΕΣ ΤΟΥΡΙΣΜΟΥ (Θ) ΑΡΧΕΣ ΤΟΥΡΙΣΜΟΥ (Θ)

γ' λυκείου ΜΙΚΡΟΟΙΚΟΝΟΜΙΑ ΑΡΧΕΣ ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑΣ Κωνσταντία Γρηγοριάδου Περιέχει: Πρωτότυπη προσέγγιση με υποδείγματα και πρότυπα ασκήσεων

Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 1 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών

Ηλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο

Το MOS τρανζίστορ και οι ιδιότητες του

Ι Ο Λ Ο Γ Ι Μ Ο - Α Π Ο Λ Ο Γ Ι Μ Ο Μ Η Ν Ο Γ Δ Κ Δ Μ Β Ρ Ι Ο Υ

Microelectronic Circuit Design Fifth Edition - Part I Solutions to Exercises

Κεφάλαιο 5 o και 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Κατανάλωση Ισχύος 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

1627 Ν. 36(ΙΙ)/95. Ε.Ε. Παρ. I(II) Αρ. 3017,

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

ΓΗ ΚΑΙ ΣΥΜΠΑΝ. Εικόνα 1. Φωτογραφία του γαλαξία μας (από αρχείο της NASA)

ΑΝΑΡΤΗΤΕΑ ΣΤΟ ΔΙΑΔΙΚΤΥΟ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ, ΑΝΤΑΓΩΝΙΣΤΙΚΟΤΗΤΑΣ, ΥΠΟΔΟΜΩΝ, ΜΕΤΑΦΟΡΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ ΠΛΑΤΕΙΑ ΣΥΝΤΑΓΜΑΤΟΣ, ΑΘΗΝΑ

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Aspects of High-Frequency Modelling with EKV3

ΕΠΙΤΥΧΟΝΤΕΣ ΑΕΙ 2009 Αρχιτεκτόνων Μηχανικών Κρήτης

Πυκνότητα φορέων σε ημιαγωγούς με προσμείξεις. Σε ημιαγωγό με προσμείξεις τύπου n τα ηλεκτρόνια στην ΤΑ

β) Μια συνάρτηση f είναι 1-1, αν και μόνο αν για κάθε στοιχείο y του συνόλου τιμών της η εξίσωση f(x)=y έχει ακριβώς μία λύση ως προς x

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΒΔΟΜΟ 7 ΤΟ MOSFET ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΑΝΑΡΤΗΤΕΑ ΣΤΟ ΔΙΑΔΙΚΤΥΟ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ, ΑΝΤΑΓΩΝΙΣΤΙΚΟΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΝΑΥΤΙΛΙΑΣ ΠΛΑΤΕΙΑ ΣΥΝΤΑΓΜΑΤΟΣ, ΑΘΗΝΑ Α Π Ο Φ Α Σ Η

3o ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ. Αλλάζοντας τα πλάτη κάθε φορά και υπολογίζοντας τις διαστάσεις(επιφάνεια,εμβαδό) κάθε τρανζίστορ προκύπτει ότι:

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΟ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ B ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ

ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΑ - ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ ΒΑΚΑΛΟΠΟΥΛΟΣ

ΟΡOI ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΟΥ WIND Play & Win

7η ΦΙΛΙΚΗ ΣΥΝΑΝΤΗΣΗ ΔΙΠΛΩΝ ΒΕΤΕΡΑΝΩΝ-ΑΝΕΞΑΡΤΗΤΩΝ η ΦΙΛΙΚΗ ΣΥΝΑΝΤΗΣΗ ΔΙΠΛΩΝ ΒΕΤΕΡΑΝΩΝ-ΑΝΕΞΑΡΤΗΤΩΝ

Α.Π.: 138 Καρλόβασι, 05/05/2015. Προς: Δ/νσεις Β/θμιας Εκπαίδευσης {όπως ο πίνακας αποδεκτών}

ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑΤΑ (1) ΕΝΔΕΙΚΤΙΚΕΣ ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Ερώτηση 1: Μία ανοικτή οικονομία χαρακτηρίζεται από τις ακόλουθες σχέσεις: Κατανάλωση: C = C 0

ΦΥΣΙΚΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΕΣ ΘΕΜΑΤΑ

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ: ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ / Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: ΘΕΡΙΝΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 04/11/12 ΛΥΣΕΙΣ

ΔΕΗ / Περιοχή Πειραιά: Αιτήσεις σύνδεσης φωτοβολταϊκών συστημάτων του Ειδικού Προγράμματος

Δ) από το διάγραμμα Coulomb diamonds προσδιορίστε i) την τάση coulomb blockade, ii) την χωρητικότητα C g iii) το πηλίκο C g /C.

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Τελεστικοί Ενισχυτές»

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ. Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό καθεµιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.

Πειραιάς:17/10/2012

Σ Δ Υ Ν Ι Κ Η Δ Κ Θ Δ Η Π Ρ Ο Μ Η Θ Δ Ι Α Η / Τ, Δ Κ Σ Τ Π Ω Σ Ω Ν & Π Δ Ρ Ι Φ Δ Ρ Δ Ι Α Κ Ω Ν Τ Σ Η Μ Α Σ Ω Ν

ADn = Wn*LD = 3.2u*5u=16p = ASn, PDn= Wp+2*LD 3.2u+2*5u=13.2u=PSn

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ. Óõíåéñìüò ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΠΡΟΣ : τον ΥΠΟΥΡΓΟ ΥΠΟΔΟΜΩΝ ΜΕΤΑΦΟΡΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ (ΥΠΟΜΕΔΙ) ΥΦΥΠΟΥΡΓΟ ΥΠΟΔΟΜΩΝ ΜΕΤΑΦΟΡΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ. Γεν. Γραμματέα ΔΗΜ.

Φ Α Ρ Μ Α Κ Ε Υ Τ Ι Κ Ο Σ Σ ΥΛ Λ Ο Γ Ο Σ ΑΤ Τ Ι Κ Η Σ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Την , η επιχείρηση εξόφλησε με μετρητά την υποχρέωσή της προς τον προμηθευτή Λ αξίας ως το Ενταλμα Πληρωμής 1/

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ 1 η Υ.ΠΕ ΑΤΤΙΚΗΣ Γ.Ν.Α. «Ο ΕΥΑΓΓΕΛΙΣΜΟΣ- ΟΦΘΑΛΜΙΑΤΡΕΙΟ ΑΘΗΝΩΝ- ΠΟΛΥΚΛΙΝΙΚΗ»-Ν.Π.Δ.Δ. ΑΘΗΝΑ ΕΤΟΣ ΙΔΡΥΣΗΣ 1884

ΛΥΚΕΙΟ ΑΓΙΟΥ ΙΩΑΝΝΗ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ- ΙΟΥΝΙΟΥ ΤΑΞΗ: Β Ενιαίου Λυκείου ΗΜΕΡ.

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)


w w w.k z a c h a r i a d i s.g r

Ηλεκτρομαγνητικό κύμα είναι η ταυτόχρονη διάδοση ενός ηλεκτρικού και ενός μαγνητικού πεδίου στο χώρο.

ΥΠΟΨΗΦΙΟΙ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΝΑΔΕΙΞΗ ΤΩΝ ΜΕΛΩΝ ΤΩΝ ΤΟΠΙΚΩΝ ΔΙΟΙΚΗΣΕΩΝ ΤΩΝ ΠΕΡΙΦΕΡΕΙΑΚΩΝ ΤΜΗΜΑΤΩΝ ΤΟΥ ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΟΥ ΕΠΙΜΕΛΗΤΗΡΙΟΥ ΤΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ

ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΑΒΒΑΤΟ 31 ΜΑΪΟΥ 2003 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι

ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΘΕΩΡΙΑ ΤΩΝ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ ΔΕΥΤΕΡΗ ΕΝΟΤΗΤΑ ΟΜΟΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ

ΔΕΗ / Περιοχή Ανατολικής Θεσσαλονίκης: Αιτήσεις σύνδεσης φωτοβολταϊκών συστημάτων του Ειδικού Προγράμματος

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ Ακαδημαϊκό έτος Τμήμα Οικονομικών Επιστημών

ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017

Πεξί : Aπνδνρήο παξαίηεζεο Σαθηηθώλ θαη Αλαπιεξωκαηηθώλ Μειώλ Οξηζκνύ λέωλ κειώλ ηνπ Γ.. ηνπ ΝΠΓΓ «Γεκνηηθό Γπκλαζηήξην Νέαο κύξλεο».

Θέμα Υγιεινή & Ασφάλεια στην Εργασία - φ Α^ρισ/

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΘΕΜΙΣΤΟΚΛΕΟΥΣ Μ. 11:15-13: ΨΣ-706-ΔΙΔΑΚΤΙΚΗ ΜΕΘΟΔΟΛΟΓΙΑ Α - Ω ΨΣ-706 ΠΑΡΑΣΚΕΥΑ Φ.

ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018

ΔΕΔΔΗΕ / Περιοχή Σερρών: Αιτήσεις σύνδεσης φωτοβολταϊκών σταθμών κατ' επάγγελμα αγροτών

! " #$% & '()()*+.,/0.

Μαθηματικά Προσανατολισμού Γ Λυκείου Β Κύκλος ( ) προπαρασκευή για Α.Ε.Ι. & Τ.Ε.Ι. δείξτε ότι για κάθε αριθμό μεταξύ των f

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΕΘΝΙΚΗΣ ΑΜΥΝΑΣ

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2014

Transcript:

- 1 - VCC RL vout vin Transistor + i=v/r + i= vc/rt = gm vc v vc - - Resistor Trans-Resistor=Transistor + vc rc - i=gm vc r c =r for BJTs = for MOSFETs g m = I C V T for BJTs = I DS (V GS -V TH )/2 for MOSFETs

- 2 - μ Δ

- 3 - V GS -V FB =V oxide +V semi = Q G C ox +[ 2 f +V( y)] = -Q d -Q n +[ 2 C f + V( y)] ox Q n =- C ox [ V GS - V FB - 2 f -V(y)] - Q d (y) Q d =- qn A =- C ox 2 f + V SB + V( y) Q d -C ox 2 f + V SB V I DS =- n C DS ox Q n (y) dv 0 I DS = n C ox L [ ( V GS - V TH )V DS - V2 DS /2] V DS V GS - V TH I DS = 1 2 n C ox L ( V GS -V TH ) 2 V DS > V GS -V TH V TH = V FB +2 f + - Q d C ox = V FB +2 f + 2 f LEVEL = 1, KP( = n C ox ), TOX( C ox = TOX ), VT0( = V TH0 ), PHI( = 2 f ) GAMMA( = ), LAMBDA( = )

- 4 - Q d =- qn A =- C ox 2 f + V SB + V( y) I DS = n C ox L [ ( V GS -V fb -2 f - V DS 2 )V DS - 2 3 { ( V GS +2 f +V SB ) 3/2 -( 2 f +V SB ) 3/2 }] Q d =-C ox 2 f +V SB +V( y) -C ox [ 2 f +V SB + V( y)] = 0.5 2 f +V SB

- 5 - V TH = 0.7V, KP = 170 A/V 2 i DS = 1 2 nc ox L ( V GS +v gs -V TH ) 2 v OUT =V DD -R L i DS =3.3-1k 1 2 170 100 m 0.6 m ( 0.3 +v gs ) 2 =2-8.5v gs -14.2v 2 gs =V OUT +v out v out =- 8.5 v gs - 14.2v 2 gs - 8.5 v gs v 2 gs A v = v out v gs =- 8.5 V/V i DS = 1 2 n C ox L [ ( V GS +v gs )-V TH ] 2 = 1 2 nc ox L (V GS -V TH ) 2 (1+ I DS (1+2 = I DS +i ds v gs V GS -V TH ) v gs V GS -V TH ) 2 i ds = I DS (V GS -V TH )/2 v gs g mv gs g m = I DS (V GS -V TH )/2 = 2 n C ox /LI DS = n C ox /L( V GS -V TH )

- 6 - V GS -V FB = - Q d -Q n C ox + [ 2 f + V( y)] V TH = V FB +2 f - Q d ( s = 2 f +V SB ) C ox Q d =-qn A =- 2 s qn A ( 2 f +V SB ) V TH = V TH0 + ( 2 f +V SB - 2 f ) V TH0 = V FB +2 F - Q d ( s = 2 f ) C ox and = 2 s qn A /C ox g mb =- i ds =- I DS = v sb V n C ox SB L ( V GS -V TH )( V TH ) V SB g mb = g m 2 2 f +V SB = g m 0.1-0.3

- 7 - V DS V GS - V TH I DS = 1 2 nc ox L (V GS - V TH )2 (1 + V DS ) r o [ I DS V DS ] -1 V GS = constant = [ nc ox 2 L (V GS - V TH ] -1 )2 r o = 1 = V A I DS I DS

- 8 - I DS = 1 2 nc ox L ( V GS -V TH ) 2 I DS =I D0 e V GS nv T ( = 1 n ) V Channel V GS = 1 1 +C d /C ox I DS = I D0 e V Channel V T = I D0 e V GS nv T Δ S dv GS d( log I DS ) = ln (10) dv GS d( ln I DS ) = ln (10) kt q n = ln (10) kt q [1+C d/c ox ]

- 9 - C sb, C db C gs, C gd, C gb C gs = 1 2 LC ox +CGSO C gd = 1 2 LC ox +CGDO C gb = CGBO L C gs = 2 3 LC ox +CGSO C gd = CGDO C gb = CGBO L C gs = CGSO C gd = CGDO C gb = LC ox +CGBO L C ox = TOX CGSO, CGDO, CGBO L

- 10 - C db = C sb = CJ AD (1+ V + DB PB ) MJ CJ AS (1+ V + SB PB ) MJ CJS PD (1+ V DB PBS ) MJS CJS PS (1+ V SB PBS ) MJS

- 11 - AS = AD = 6 14 = 84 m 2 PS = PD = 2(6+ 14)= 40 m C sb =C db =C sb, bottom +C sb, sidewall CJ AS CJS PS = ( 1 + V + SB PB ) MJ ( 1 + V =17.6fF SB PBS ) MJS C gb = CGBO L = 3.8fF C gd = CGDO = 5.3fF ( sat.) C gs = 2 3 C' oxl + CGSO = 75fF ( sat.)

- 12 - I o = g m V gs - sc gd V gs I o g m V gs V gs = I i /s(c gs + C gd ) I o I i = g m s(c gs + C gd ) I o I i ( = T ) =1 T = g m /(C gs + C gd ) f T = g m 2 (C gs + C gd )

- 13 - V TH VFB + PHI + K1 PHI + V SB - K2(PHI + V SB ) KP n = M UZ*C ox I DS = MU0' [1 + U0Z'(V GS - V THN )] C ox ' -D L-DL ( 1 + U1Z' L-DL V DS) [ (V GS - V THN)V DS - a 2 DS] V2 I DS MUZ C ox L [ (V GS - V TH )V DS - I DS = V 2 DS 2 ] MUZ C ox (V 2L GS - V TH ) 2 [1 + ( c + m )V DS ] c m I DS MUZ C ox L ( kt q ) 2 e 1.8 e q(v GS - V TH)/N'kT (1 - e -qv DS /kt )

- 14 - V TH = V TH0 + K 1 ( S + V SB - S ) + K 2 V SB + K 1 ( 1 + NLX L eff - 1 ) S - V TH V TH I DS = eff C ox L 1 + 1 V DS /L [ VGS - VTH - VDS 2 ]V DS E crit I DS = v sat C ox (V GS - V TH - V DSsat )[ 1 + V DS - V TH - V DSsat V A ] I DS = eff L ( kt q ) 2 C d e ( V GS - V TH - V off)q/nkt (1 - e -qv DS /kt )

- 15 - ***** MOSIS 0.5um Parameters ***** * Level 3 SPICE model for CMOS14TB 0.5 um.model CMOSN5 NMOS LEVEL=3 PHI=0.700000 + TOX=9.6000E-09 XJ=0.200000U TPG=1 + VTO=0.7118 DELTA=2.3060E-01 LD=2.9830E-08 KP=1.8201E-04 + UO=506.0 THETA=1.9090E-01 RSH=1.8940E+01 GAMMA=0.6051 + NSUB=1.4270E+17 NFS=7.1500E+11 VMAX=2.4960E+05 ETA=2.5510E-02 + KAPPA=1.8530E-01 CGDO=9.0000E-11 CGSO=9.0000E-11 + CGBO=3.7295E-10 CJ=6.02E-04 MJ=0.805 CJS=2.0E-11 + MJS=0.761 PB=0.99 * eff = drawn - Delta_ * The suggested Delta_ is 3.5700E-07 * Level 4 (BSIM) SPICE model for CMOS14TB 0.5 um.model CMOSNB5 NMOS LEVEL=4 + vfb=-9.65360e-01 lvfb= 4.11254E-02 wvfb=-1.21737e-01 + phi= 9.02436E-01 lphi= 0.00000E+00 wphi= 0.00000E+00 + k1= 9.33674E-01 lk1= -8.15872E-02 wk1= 2.03526E-01 + k2= 7.39228E-02 lk2= 1.48295E-02 wk2= 5.89097E-02 + eta=-2.77969e-03 leta= 1.12296E-02 weta= 1.25263E-03 + muz= 4.71133E+02 dl= 1.57937E-001 dw= 4.09563E-001 + u0= 1.98427E-01 lu0= 1.54850E-01 wu0= -1.05429E-01 + u1= 3.39403E-02 lu1= 3.59469E-02 wu1= -5.00497E-03 + x2mz=1.25728e+01 lx2mz=-1.24115e+01 wx2mz=1.77657e+01 + x2e=-9.95217e-05 lx2e=-5.16949e-03 wx2e= 2.83253E-03 + x3e=-4.27269e-04 lx3e=-1.62632e-03 wx3e=-1.60797e-03 + x2u0=-9.02747e-04 lx2u0=-1.66946e-02 wx2u0=2.48458e-02 + x2u1=-7.29822e-04 lx2u1=2.38803e-03 wx2u1=-9.76918e-04 + mus=5.36631e+02 lmus=2.18647e+01 wmus=4.43373e+00 + x2ms=5.97403e+00 lx2ms=-7.67105e+00 wx2ms=2.19614e+01 + x3ms=7.60054e+00 lx3ms=4.73779e+00 wx3ms=2.59952e+00 + x3u1=1.75532e-02 lx3u1=-1.21628e-03 wx3u1=-5.95548e-04 + tox=9.60000e-003 temp=2.70000e+01 vdd=3.30000e+00 + cgdo=4.26077e-010 cgso=4.26077e-010 cgbo=4.01709e-010 + xpart=1.00000e+000 + n0=1.00000e+000 ln0=0.00000e+000 wn0=0.00000e+000 + nb=0.00000e+000 lnb=0.00000e+000 wnb=0.00000e+000 + nd=0.00000e+000 lnd=0.00000e+000 wnd=0.00000e+000 + rsh=2 cj=6.02e-04 cjsw=2.0e-11 js=1e-08 pb=0.99 + pbsw=0.99 mj=0.805 mjsw=0.761 wdf=0 dell=0 * Level 3 SPICE model for CMOS14TB 0.5 um.model CMOSP5 PMOS LEVEL=3 PHI=0.700000 + TOX=9.6000E-09 XJ=0.200000U TPG=-1 + VTO=-0.9016 DELTA=4.2020E-01 LD=4.3860E-08 KP=4.1582E-05

- 16 - + UO=115.6 THETA=3.7990E-02 RSH=9.0910E-02 GAMMA=0.4496 + NSUB=7.8780E+16 NFS=6.4990E+11 VMAX=2.3130E+05 ETA=2.8580E-02 + KAPPA=9.9270E+00 CGDO=9.0000E-11 CGSO=9.0000E-11 + CGBO=3.6835E-10 CJ=9.34E-04 MJ=0.491 CJS=2.41E-10 + MJS=0.222 PB=0.90 * eff = drawn - Delta_ * The suggested Delta_ is 3.4860E-07 * Level 4 (BSIM) SPICE model for CMOS14TB 0.5 um.model CMOSPB5 PMOS LEVEL=4 + vfb=-2.80568e-01 lvfb=5.70163e-02 wvfb=-6.17493e-02 + phi=8.14689e-01 lphi=0.00000e+00 wphi=0.00000e+00 + k1=4.52973e-01 lk1=-9.19899e-02 wk1=1.20834e-01 + k2=-9.42157e-03 lk2=-2.25562e-03 wk2=3.13315e-02 + eta=-7.03956e-03 leta=1.92833e-02 weta=5.45445e-05 + muz=1.36047e+02 dl=1.85988e-001 dw=4.32366e-001 + u0=1.93813e-01 lu0=6.02231e-02 wu0=-4.90734e-02 + u1=8.52399e-03 lu1=2.60545e-02 wu1=-6.34371e-03 + x2mz=7.96258e+00 lx2mz=-2.15761e+00 wx2mz=2.30663e+00 + x2e=4.37912e-04 lx2e=-1.60046e-03 wx2e=-3.86750e-04 + x3e=-3.52725e-04 lx3e=-4.09096e-04 wx3e=-2.53471e-03 + x2u0=1.18873e-02 lx2u0=-4.81760e-03 wx2u0=8.80040e-03 + x2u1=2.26591e-03 lx2u1=7.96828e-04 wx2u1=-4.70527e-04 + mus=1.44421e+02 lmus=1.63665e+01 wmus=-7.31189e-01 + x2ms=8.18970e+00 lx2ms=-1.25158e+00 wx2ms=3.62233e+00 + x3ms=7.29640e-01 lx3ms=1.15206e+00 wx3ms=1.02833e+00 + x3u1=-3.51521e-03 lx3u1=-3.12374e-03 wx3u1=3.48134e-03 + tox=9.60000e-003 temp=2.70000e+01 vdd=3.30000e+00 + cgdo=5.01753e-010 cgso=5.01753e-010 cgbo=4.14187e-010 + xpart=1.00000e+000 + n0=1.00000e+000 ln0=0.00000e+000 wn0=0.00000e+000 + nb=0.00000e+000 lnb=0.00000e+000 wnb=0.00000e+000 + nd=0.00000e+000 lnd=0.00000e+000 wnd=0.00000e+000 + rsh=2.1 cj=9.34e-04 cjsw=2.41e-10 js=1e-08 pb=0.90 + pbsw=0.90 mj=0.491 mjsw=0.222 wdf=0 dell=0 ***** MOSIS 2.0um Parameters ***** * Level 2 model nchan model for CN20.MODEL CMOSN NMOS(LEVEL=2 PHI=0.600000 TOX=4.3500E-08 XJ=0.2U TPG=1 + VTO=0.8756 DELTA=8.5650E+00 LD=2.3950E-07 KP=4.5494E-05 + UO=573.1 UEXP=1.5920E-01 UCRIT=5.9160E+04 RSH=1.0310E+01 + GAMMA=0.4179 NSUB=3.3160E+15 NFS=8.1800E+12 VMAX=6.0280E+04 + LAMBDA=2.9330E-02 CGDO=2.8518E-10 CGSO=2.8518E-10 + CGBO=4.0921E-10 CJ=1.0375E-04 MJ=0.6604 CJS=2.1694E-10 + MJS=0.178543 PB=0.800000)

- 17 - * eff = drawn - Delta_ * The suggested Delta_ is -4.0460E-07 * Level 2 model pchan model for CN20.MODEL CMOSP PMOS (LEVEL=2 PHI=0.600000 TOX=4.3500E-08 XJ=0.2U TPG=-1 + VTO=-0.8889 DELTA=4.8720E+00 LD=2.9230E-07 KP=1.5035E-05 + UO=189.4 UEXP=2.7910E-01 UCRIT=9.5670E+04 RSH=1.8180E+01 + GAMMA=0.7327 NSUB=1.0190E+16 NFS=6.1500E+12 VMAX=9.9990E+05 + LAMBDA=4.2290E-02 CGDO=3.4805E-10 CGSO=3.4805E-10 + CGBO=4.0305E-10 CJ=3.2456E-04 MJ=0.6044 CJS=2.5430E-10 + MJS=0.244194 PB=0.800000) * eff = drawn - Delta_ * The suggested Delta_ is -3.6560E-07 * BSIM model for n-channel CN20.MODEL CMOSNB NMOS (LEVEL=4 + VFB=-9.73820E-01 LVFB=3.67458E-01 VFB=-4.72340E-02 + phi=7.46556e-01 lphi=-1.92454e-24 wphi=8.06093e-24 + k1=1.49134e+00 lk1=-4.98139e-01 wk1=2.78225e-01 + k2=3.15199e-01 lk2=-6.95350e-02 wk2=-1.40057e-01 + eta=-1.19300e-02 leta=5.44713e-02 weta=-2.67784e-02 + muz=5.98328e+02 dl=6.38067e-001 dw=1.35520e-001 + u0=5.27788e-02 lu0=4.85686e-02 wu0=-8.55329e-02 + u1=1.09730e-01 lu1=7.28376e-01 wu1=-4.22283e-01 + x2mz=7.18857e+00 lx2mz=-2.47335e+00 wx2mz=7.12327e+01 + x2e=-3.00000e-03 lx2e=-7.20276e-03 wx2e=-5.57093e-03 + x3e=3.71969e-04 lx3e=-3.16123e-03 wx3e=-3.80806e-03 + x2u0=1.30153e-03 lx2u0=3.81838e-04 wx2u0=2.53131e-02 + x2u1=-2.04836e-02 lx2u1=3.48053e-02 wx2u1=4.44747e-02 + mus=7.79064e+02 lmus=3.62270e+02 wmus=-2.71207e+02 + x2ms=-2.65485e+00 lx2ms=3.68637e+01 wx2ms=1.12899e+02 + x3ms=1.18139e+01 lx3ms=7.24951e+01 wx3ms=-5.25361e+01 + x3u1=2.12924e-02 lx3u1=5.85329e-02 wx3u1=-5.29634e-02 + tox=4.35000e-002 temp=2.70000e+01 vdd=5.00000e+00 + cgdo=3.79886e-010 cgso=3.79886e-010 cgbo=3.78415e-010 + xpart=1.00000e+000 + n0=1.00000e+000 ln0=0.00000e+000 wn0=0.00000e+000 + nb=0.00000e+000 lnb=0.00000e+000 wnb=0.00000e+000 + nd=0.00000e+000 lnd=0.00000e+000 wnd=0.00000e+000 + rsh=27.9 cj=1.037500e-04 cjsw=2.169400e-10 js=1.0e-08 pb=0.8 + pbsw=0.8 mj=0.66036 mjsw=0.178543 wdf=0) * dell=0) * BSIM model for p-channel CN20.MODEL CMOSPB PMOS ( LEVEL=4

- 18 - + vfb=-2.65334e-01 lvfb=6.50066e-02 wvfb=1.48093e-01 + phi=6.75823e-01 lphi=-1.61406e-24 wphi=8.03764e-24 + k1=5.68962e-01 lk1=3.88845e-02 wk1=-5.33948e-02 + k2=-5.52938e-02 lk2=1.17906e-01 wk2=-6.89149e-02 + eta=-1.51784e-02 leta=5.87976e-02 weta=-7.51570e-04 + muz=2.10669e+02 dl=8.44240e-001 dw=1.62551e-001 + u0=1.04713e-01 lu0=5.50950e-02 wu0=-7.56659e-02 + u1=1.46638e-02 lu1=2.13581e-01 wu1=-1.22509e-01 + x2mz=8.76354e+00 lx2mz=-3.64793e+00 wx2mz=4.30934e+00 + x2e=-2.13631e-03 lx2e=-2.94140e-03 wx2e=-2.48293e-03 + x3e=2.78813e-04 lx3e=-1.60711e-03 wx3e=-4.57237e-03 + x2u0=3.93706e-03 lx2u0=-5.66051e-04 wx2u0=5.69621e-04 + x2u1=1.07707e-04 lx2u1=8.85125e-03 wx2u1=1.71537e-03 + mus=2.06464e+02 lmus=1.39151e+02 wmus=-4.95671e+01 + x2ms=5.86401e+00 lx2ms=6.98887e+00 wx2ms=5.55782e+00 + x3ms=-2.03430e-01 lx3ms=1.16170e+01 wx3ms=-3.44342e+00 + x3u1=-1.17893e-02 lx3u1=5.72098e-04 wx3u1=8.29791e-03 + tox=4.35000e-002 temp=2.70000e+01 vdd=5.00000e+00 + cgdo=5.02635e-010 cgso=5.02635e-010 cgbo=3.85017e-010 + xpart=1.00000e+000 + n0=1.00000e+000 ln0=0.00000e+000 wn0=0.00000e+000 + nb=0.00000e+000 lnb=0.00000e+000 wnb=0.00000e+000 + nd=0.00000e+000 lnd=0.00000e+000 wnd=0.00000e+000 + rsh=54.7 cj=3.245600e-04 cjsw=2.543000e-10 js=1.0e-08 pb=0.8 + pbsw=0.8 mj=0.60438 mjsw=0.244194 wdf=0) * dell=0)