Υ53 Τεχνολογία Κατασκευής Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Transcript

1 Υ53 Τεχνολογία Κατασκευής Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε. 1

2 Εξέλιξη στη Κατασκευή Ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Η εξέλιξη συνίσταται στον εμπειρικό κανόνα 0,7x / 3 χρόνια (Moore s Law) Και στη δημιουργικότητα στις διαδικασίες κατασκευής 2

3 Εξέλιξη στη Κατασκευή Ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Ελάττωση : χαρακτηριστικών μεγέθους [πλάτος γραμμής, διαστρωμάτων (layers), ανοχές μεταξύ στρωμάτων, ισχύος ενεργών στοιχείων, τάσης λειτουργίας] Αύξηση: το μέγεθος της ψηφίδας (chip), του wafer, πυκνότητα κυκλώματος, πολυπλοκότητα κυκλώματος, ταχύτητα και αξιοπιστία Οικονομία : Βελτίωση της απόδοσης σε όλο το κύκλο παραγωγής 3

4 Εξέλιξη στη Κατασκευή Ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Η εποχή της απλής κλιμάκωσης έχει παρέλθει. Η εποχή που διανύουμε απαιτεί καινοτομία Εισερχόμαστε σταδιακά στην εποχή που απαιτούνται νέες ανακαλύψεις 4

5 Εξέλιξη στη Κατασκευή Ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Η κλιμάκωση έχει πλέον δημιουργήσει καμπή και έχει μετακινηθεί από 2 έτη σε 3 έτη 5

6 Εξέλιξη στη Κατασκευή Ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Κόστος Κατασκευής vs Πλάτος γραμμής Η κλιμάκωση έχει πλέον δημιουργήσει καμπή και έχει μετακινηθεί από 2 έτη σε 3 έτη 6

7 Ημιαγωγικά Υλικά και Προσμίξεις Εγγενείς ημιαγωγοί : Στη 4 στήλη του Περιοδικού Πίνακα με 4 ηλεκτρόνια στην εξωτερική στοιβάδα (Si πυρίτιο, Ge γερμάνιο, Sn κασσίτερος, Pb μόλυβδος ). Χημική Ένωση: Στοιχεία με 3 και 5 ηλεκτρόνια στην εξ. στοιβάδα. (GaAs, InP) Στοιχεία με 2 και 6 ηλεκτρόνια στην εξ. στοιβάδα. ( CdS θειούχο κάδμιο, CdSe σεληνιούχο κάδμιο, CdTe, Τελλουριούχο κάδμιο, ZnO Οξείδιο του ψευδαργύρου) 7

8 Πυρίτιο Ατομικό μοντέλο : Η εξωτερική στοιβάδα είναι κατά το ήμισυ συμπληρωμένη. Κρυσταλλικό πλέγμα : -) Ομοιοπολικοί δεσμοί ηλεκτρονίων, με 4 γειτονικά άτομα. -) Υψηλή σταθερότητα και μέτρια αγωγιμότητα 8

9 Αγωγιμότητα στο κρύσταλλο του καθαρού Πυριτίου Το ηλεκτρόνιο είναι ελεύθερο. Όταν απομακρύνεται από το πλέγμα αφήνει πίσω του χώρο θετικά φορτισμένο (οπή) Οι οπές προσελκύουν ξανά ηλεκτρόνια. Τα ηλεκτρόνια περιφέρονται μέσα στο πλέγμα ώσπου να επανασυνδεθούν με μια οπή. Τυχαίες θερμικές γενέσεις ζευγών ηλεκτρονίων οπών συμβαίνουν συχνά. Λόγω των προηγούμενων φαινομένων το πυρίτιο έχει ισχνή αγωγιμότητα. Χαρακτηριστικό των ημιαγωγών 9

10 Προσμίξεις στο πλέγμα του Πυριτίου Αντικατάσταση ενός ατόμου στο κρύσταλλο Με άτομο B, κινητή οπή Με άτομο P ή Αs κινητό ηλεκτρόνιο Ν τύπου προσμίξεις : - προσδίδουν ένα ηλεκτρόνιο - από την 5η στήλη του Π.Π (πχ P,As) Π τύπου προσμίξεις -Δέχονται ηλεκτρόνια - από τη 3η στήλη του Π.Π (πχ B) Ισχυρά ή Ελαφρά ντοπαρισμένα υλικά 10

11 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Σε ένα μεμονωμένο άτομο τα ηλεκτρόνια επιτρέπεται να περιστρέφονται μόνο σε συγκεκριμένες τροχιές (τροχιακά). Ο χώρος μεταξύ των τροχιακών αντιστοιχεί σε περιοχές απαγορευμένες για τα ηλεκτρόνια. Αντίστοιχα, οι περιοχές μεταξύ των ενεργειακών σταθμών περιλαμβάνουν μη επιτρεπτές τιμές ενέργειας και ονομάζονται ενεργειακά χάσματα. 11

12 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Στην περίπτωση των στερεών, ο αριθμός των τροχιακών γίνεται εξαιρετικά μεγάλος, εξαιτίας της επίδρασης που ασκείται από όλους τους πυρήνες σε κάθε ηλεκτρόνιο ξεχωριστά. Το γεγονός αυτό συνεπάγεται τη διεύρυνση των ενεργειακών σταθμών, οι οποίες παίρνουν τη μορφή συνεχών ενεργειακών ζωνών. Οι δύο ζώνες που καθορίζουν την ηλεκτρική αγωγιμότητα ενός υλικού είναι η ζώνη αγωγιμότητας και η ζώνη σθένους η στάθμη Fermi αντιστοιχεί στη μέγιστη δυνατή τιμή ενέργειας για τα ηλεκτρόνια ενός υλικού στη θερμοκρασία αυτή 12

13 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Στην περίπτωση των μονωτών, μεταξύ των ζωνών σθένους και αγωγιμότητας παρεμβάλλεται ένα ενεργειακό χάσμα μη αμελητέου εύρους, η ύπαρξη του οποίου καθιστά απαγορευτική τη μεταπήδηση ηλεκτρονίων σθένους στη ζώνη αγωγιμότητας. Επομένως, η σύνδεση των ηλεκτρονίων σθένους στα άτομα των μονωτικών υλικών είναι αρκετά ισχυρή ώστε να είναι αδύνατη η αποδέσμευσή τους από τους αντίστοιχους πυρήνες, με αποτέλεσμα την απουσία ηλεκτρικών φορέων στα υλικά αυτά. 13

14 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Στους ημιαγωγούς, το ενεργειακό χάσμα μεταξύ των ζωνών σθένους και αγωγιμότητας είναι σχετικά μικρό. Με την απορρόφηση μικρού μόνον ποσού ενέργειας ηλεκτρόνια της ζώνης σθένους μπορούν να μεταπηδήσουν στη ζώνη αγωγιμότητας. Στην περίπτωση αυτή έχουμε το φαινόμενο της γένεσης ηλεκτρικών φορέων. Τα ημιαγώγιμα υλικά μπορούν να εμφανίζουν άλλοτε συμπεριφορά μονωτή και άλλοτε αγωγού, σε χαμηλές και σε υψηλές θερμοκρασίες, αντίστοιχα. Στη συμπεριφορά τους αυτή οφείλεται και η ονομασία τους. 14

15 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Επειδή οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος προέρχονται από άτομα του ίδιου του ημιαγωγού, η αντίστοιχη αγωγιμότητα ονομάζεται ενδογενής (intrinsic). Όπως και ο ίδιος ο ημιαγωγός. Aν υπάρχουν ατέλειες στη δομή του κρυσταλλικού πλέγματος οι δεσμοί μεταξύ των ηλεκτρονίων σθένους μπορεί να είναι χαλαρότεροι και τα ηλεκτρόνια που τους σχηματίζουν μπορούν ευκολότερα να αποδεσμευθούν από αυτούς υποβοηθούμενα π.χ. από τη θερμοκρασία ή την παρουσία ενός ηλεκτρικού πεδίου και να μεταπηδήσουν στη ζώνη αγωγιμότητας. Αφήνουν ένα κενό στην αντίστοιχη ζώνη που ονομάζεται οπή 15

16 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Ο φωσφόρος διαθέτει 5 ηλεκτρόνια στην εξωτερική του στιβάδα. Ένα ηλεκτρόνιο της εξωτερικής στιβάδας του ατόμου του φωσφόρου είναι αδύνατο να συνάψει δεσμό με ηλεκτρόνια γειτονικών ατόμων πυριτίου, Το ηλεκτρόνιο του φωσφόρου που δεν συμμετέχει σε δεσμό θα έχει πολύ μεγαλύτερη ενέργεια σε σχέση με τα υπόλοιπα που βρίσκονται στη ζώνη σθένους. Επειδή οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος προέρχονται από άτομα προσμίξεων, η αντίστοιχη αγωγιμότητα ονομάζεται εξωγενής (extrinsic). Όπως και ο ίδιος ο ημιαγωγός. Ημιαγωγός τύπου n 16

17 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Ημιαγωγός τύπου n Η τιμή της ενέργειας αυτής βρίσκεται μέσα στο ενεργειακό χάσμα του ημιαγωγού και πολύ κοντά στη ζώνη αγωγιμότητας. Πολύ εύκολα, μπορεί να μεταπηδήσει στη ζώνη αγωγιμότητας και να αποτελέσει φορέα του ηλεκτρικού ρεύματος. Επειδή η πρόσμιξη φωσφόρου προσφέρει ηλεκτρικούς φορείς (ηλεκτρόνια αγωγιμότητας), τα άτομα φωσφόρου ονομάζονται δότες (donors) 17

18 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση To Β έχει 3 ηλεκτρόνια στην εξ στιβάδα. Για ένα ηλεκτρόνιο της εξωτερικής στιβάδας ενός εκ των ατόμων πυριτίου που γειτνιάζουν με το άτομο βορίου δεν υπάρχει η δυνατότητα συμμετοχής σε δεσμό. Εκεί που το άτομο βορίου παρουσιάζει έλλειμμα ενός ηλεκτρονίου, εμφανίζεται μια οπή, τη θέση της οποίας μπορεί να καταλάβει ένα ηλεκτρόνιο. Το άτομο πρόσμιξης μπορεί να (απο-)δεχθεί ηλεκτρόνια και για το λόγο αυτό ονομάζεται αποδέκτης (acceptor). Ημιαγωγός τύπου p 18

19 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Η αγωγιμότητα ενός κρυστάλλου αυτού του τύπου οφείλεται στις οπές στη ζώνη σθένους, οι οποίες πλειοψηφούν έναντι των ηλεκτρονίων στη ζώνη αγωγιμότητας και αποτελούντους φορείς πλειοψηφίας. Επειδή το φορτίο των φορέων αυτών είναι θετικό (positive) ο ημιαγωγός ονομάζεται τύπου p Ημιαγωγός τύπου p 19

20 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Ένας ημιαγωγός τύπου p μπορεί να θεωρηθεί ως μια «δεξαμενή» οπών, ενώ ένας ημιαγωγός τύπου n ως μια δεξαμενή ηλεκτρονίων. Σε κάθε περίπτωση, οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος (ηλεκτρόνια ή οπές) θα απωθούνται μεταξύ τους εξαιτίας του ομώνυμου φορτίου το οποίο φέρουν. Επαφή p-n Εξαιτίας του φαινομένου της διάχυσης, ηλεκτρόνια θα αρχίσουν να διαχέονται από το τμήμα τύπου n προς το τμήμα τύπου p, ενώ το αντίστροφο θα συμβαίνει για τις οπές 20

21 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Επαφή p-n Εισερχόμενα στην περιοχή τύπου p τα ηλεκτρόνια αγωγιμότητας από την περιοχή τύπου n τη φορτίζουν αρνητικά. Αντίθετα, οι οπές από την περιοχή τύπου p φορτίζουν θετικά το τμήμα του ημιαγωγού τύπου n προς το οποίο διαχέονται. Όσο αυξάνεται ο αριθμός των ηλεκτρονίων στην περιοχή τύπου p, τόσο δυσκολότερη γίνεται η περαιτέρω διάχυση ηλεκτρονίων προς αυτήν, λόγω της άπωσης των ηλεκτρονίων που έχουν ήδη διαχυθεί προς την περιοχή αυτή. 21

22 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Η στάθμη Fermi σε έναν ημιαγωγό τύπου p θα βρίσκεται μακριά από τη ζώνη αγωγιμότητας και πολύ κοντά στη ζώνη σθένους Για ημιαγωγό τύπου n η στάθμη Fermi θα βρίσκεται κοντά στη ζώνη αγωγιμότητας Επαφή p-n 22

23 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση ηλεκτρόνια από την περιοχή τύπου n θα μπορούν να διαχυθούν χωρίς καμία «αντίσταση» προς την περιοχή τύπου p. Αντίστοιχα, οπές από την περιοχή τύπου p θα μπορούν να κινηθούν ελεύθερα προς την περιοχή τύπου n. Οι ενεργειακές στάθμες του τμήματος p ανυψώνονται, ενώ οι αντίστοιχες στάθμες στο τμήμα n ταπεινώνονται (πέφτουν), μαζί με αυτές και η αντίστοιχη στάθμη Fermi. Η ισορροπία επέρχεται όταν οι στάθμες Fermi των δύο τμημάτων εξισωθούν. 23

24 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Στην περιοχή διάχυσης συνυπάρχουν και οι δύο τύποι ηλεκτρικών φορέων, δηλαδή οπές και ηλεκτρόνια. Η συνύπαρξη αυτή οδηγεί στην επανασύνδεση (recombination) των φορέων, κατά την οποία ένα ηλεκτρόνιο αγωγιμότητας συνάπτει δεσμό με ένα ηλεκτρόνιο σθένους το οποίο δεν μετέχει σε δεσμό με άλλο ηλεκτρόνιο. Μετά την επανασύνδεση, το ηλεκτρόνιο αγωγιμότητας καθίσταται ηλεκτρόνιο σθένους. Ως αποτέλεσμα έχουμε την «εξουδετέρωση» και των δύο φορέων (οπής και ηλεκτρονίου) μιας και η οπή παύει να υφίσταται, ενώ το ηλεκτρόνιο παύει πια να συνεισφέρει στην αγωγιμότητα του κρυστάλλου. 24

25 Φυσική Ημιαγωγών Ενεργειακή προσέγγιση Λόγω του μεγάλου αριθμού των επανασυνδέσεων που πραγματοποιούνται στην περιοχή διάχυσης η περιοχή αυτή απογυμνώνεται εντελώς από ηλεκτρικούς φορείς. Για τον λόγο αυτό ονομάζεται και περιοχή απογύμνωσης (depletion region). Όσο η ισορροπία αποκαθίσταται, το πάχος της περιοχής απογύμνωσης μεγαλώνει. 25

26 Δημιουργείται μια κατανομή φορτίου χώρου μέσα στην περιοχή απογύμνωσης. Εμφάνιση διαφοράς δυναμικού (V0 ) μεταξύ των δύο τμημάτων διαφορετικού τύπου, η οποία ονομάζεται δυναμικό επαφής. Η παρουσία του φορτίου χώρου δυσχεραίνει την περαιτέρω διάχυση ηλεκτρονίων και οπών, θέτοντας τους αντίστοιχους φραγμούς δυναμικού για κάθε τύπο φορέα. Η κατανομή του φορτίου χώρου σε δύο ετερώνυμες περιοχές θυμίζει την δομή ενός πυκνωτή. Η περιοχή απογύμνωσης παρουσιάζει μια χωρητικότητα που συμβολίζεται με C0 και ονομάζεται χωρητικότητα επαφής. 26

27 Συμπεριφορά επαφής p-n κατά την ανάστροφη πόλωση Οι οπές, λόγω πόλωσης θα συνωστισθούν στο άκρο του τμήματος τύπου p Όμοια, τα ηλεκτρόνια θα συγκεντρωθούν κοντά στο άκρο του τμήματος n Διεύρυνση περιοχής απογύμνωσης, το πάχος της οποίας θα εξαρτάται από την τιμή της εξωτερικά εφαρμοζόμενης τάσης. Μηδενισμός ρεύματος 27

28 Συμπεριφορά επαφής p-n κατά την ορθή πόλωση Αν η τιμή της εφαρμοζόμενης τάσης είναι μεγαλύτερη του δυναμικού της επαφής, τότε ο φραγμός δυναμικού αίρεται (αντισταθμίζεται) και η περιοχή απογύμνωσης κατακλύζεται από τους φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος οι οποίοι μπορούν να διαχέονται ανεμπόδιστα Ηλεκτρικό ρεύμα στο κύκλωμα. 28

29 Συμπεριφορά επαφής p-n κατά την ορθή ή ανάστροφη πόλωση Η υλοποίηση μιας επαφής p-n σε διακριτή ή ολοκληρωμένη μορφή ονομάζεται κρυσταλλοδίοδος ή απλά δίοδος (diode). Mια επαφή p-n επιτρέπει, γενικά, τη διέλευση του ρεύματος κατά την ορθή φορά ενώ την απαγορεύει κατά την ανάστροφη. Πρόκειται, δηλαδή, για μια διάταξη που ελέγχει τη διέλευση (τη δίοδο) του ηλεκτρικού ρεύματος 29

30 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Η εφεύρεση του τρανζίστορ υπήρξε αποτέλεσμα της προσπάθειας κατασκευής μιας διάταξης στερεάς κατάστασης η οποία να μιμείται τη συμπεριφορά της τριόδου ηλεκτρονικής λυχνίας και να είναι, επομένως, ικανή να επιτελεί ενίσχυση. Η τρίοδος λυχνία είναι μια διάταξη τριών ακροδεκτών ελεγχόμενη από τάση, υπό την έννοια ότι η τάση που εφαρμόζεται στον έναν από τους ακροδέκτες της (στο πλέγμα) μπορεί να ρυθμίζει (ελέγχει) τη ροή ηλεκτρονίων μεταξύ των άλλων δύο (ανόδου και καθόδου) 30

31 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Αρχή Λειτουργίας Έστω δύο ανεξάρτητες επαφές p-n, τη μία ( 1 ) πολωμένη κατά την ορθή φορά και την άλλη ( 2 ) κατά την ανάστροφη Ι1 μεγάλο, έστω μηδενική αντίσταση Ι2 = 0 άπειρη εσωτερική αντίσταση 31

32 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Αρχή Λειτουργίας Αν αφαιρέσουμε ηλεκτρόνιο από το 2 και το προσθέσουμε στο 1 η αγωγιμότητα στο 1 μειώνεται και το Ι1 μειώνεται. Αντίστοιχα αυξάνεται η αγηωγιμότητα στο 2 άρα έχω ροή ηλ ρεύματος Ι2 32

33 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Αρχή Λειτουργίας Αν αυξήσουμε τη ροή υποκλοπής Το ρεύμα I1 θα γίνει εξαιρετικά μικρό, και η αντίσταση R1 σχεδόν άπειρη. Το ρεύμα I 2 θα γίνει πολύ μεγάλο, και η αντίσταση R 2 του κυκλώματος σχεδόν 0. Έχουμε κατασκευάσει μια διάταξη η οποία, χρησιμοποιώντας μια διαδικασία υποκλοπής ηλεκτρονίων, «μεταφέρει» τη μικρή αντίσταση του κυκλώματος της διόδου 1 στο κύκλωμα 2. Ας την ονομάσουμε transistor (από το «transfer» [μεταφέρω] και «resistor»). 33

34 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Αρχή Λειτουργίας Προκειμένου να επιτύχουμε τον μηχανισμό υποκλοπής ηλεκτρονίων από το τμήμα p της μιας επαφής στο ομόλογο τμήμα της άλλης, συνενώνουμε τις δύο επαφές p-n με τέτοιον τρόπο ώστε το τμήμα τύπου p να είναι κοινό και για τις δύο επαφές 34

35 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Αρχή Λειτουργίας Απαιτήσεις -το κοινό τμήμα θα πρέπει να έχει πολύ μικρό πάχος - Οι V 1 και V 2 κατάλληλες ώστε η Επαφή 1 ορθά πολωμένη και η επαφή 2 ανάστροφα - υψηλή συγκέντρωση προσμίξεων στο τμήμα τύπου n της επαφής 1 και χαμηλή συγκέντρωση προσμίξεων στο κοινό τμήμα τύπου p. Ακόμα χαμηλότερη θα πρέπει να είναι η συγκέντρωση των προσμίξεων στο τμήμα τύπου n της επαφής 2, μιας και οι φορείς του τμήματος αυτού δεν συμβάλλουν στην αγωγιμότητα της επαφής 2 η οποία είναι πολωμένη ανάστροφα. 35

36 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Αρχή Λειτουργίας Επειδή το τμήμα τύπου n της επαφής 1 «εκπέμπει» τα ηλεκτρόνια που κυκλοφορούν στο τρανζίστορ θα το αποκαλούμε στο εξής εκπομπό (emitter) και θα το συμβολίζουμε με Ε. Παρόμοια, επειδή το τμήμα τύπου n της επαφής 2 «συλλέγει» το μεγαλύτερο μέρος των ηλεκτρονίων που εκπέμπονται από τον εκπομπό θα το αποκαλούμε στο εξής συλλέκτη (collector) και θα το συμβολίζουμε με C. Το κοινό τμήμα τύπου p των δύο επαφών θα το ονομάζουμε βάση (base) για ιστορικούς λόγους και θα το συμβολίζουμε με Β. 36

37 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Πάνω σε μεταλλική βάση τοποθέτησαν μια πλάκα από γερμάνιο με προσμίξεις τύπου n, στην άνω επιφάνεια είχε δημιουργηθεί λεπτό στρώμα τύπου p. Στην επιφάνεια μονωτικού πρίσματος τοποθέτησαν ένα λεπτό φύλλο χρυσού το οποίο χάραξαν στην κοινή ακμή, ώστε τα δύο τμήματα του φύλλου να βρίσκονται σε πολύ μικρή απόσταση μεταξύ τους ( ηλεκτρόδια του εκπομπού και του συλλέκτη της διάταξης). Ένα άλλο ηλεκτρόδιο στερεωμένο στο σώμα του μετάλλου της βάσης αποτελούσε τον ακροδέκτη βάσης. 37

38 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Στο σύμβολο το βέλος το οποίο σημειώνεται στον εκπομπό δηλώνει τη συμβατική φορά του ρεύματος. Η φορά του βέλους διαφέρει ανάλογα με τον τύπο του τρανζίστορ 38

39 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Στο σύμβολο το βέλος το οποίο σημειώνεται στον εκπομπό δηλώνει τη συμβατική φορά του ρεύματος. Η φορά του βέλους διαφέρει ανάλογα με τον τύπο του τρανζίστορ Για τον τύπο pnp η δράση του τρανζίστορ οφείλεται στις οπές. Η ευκινησία των οπών είναι μικρότερη εκείνης των ηλεκτρονίων άρα τα τρανζίστορ pnp θα μπορεί να ανταποκριθεί λιγότερο καλά στις υψηλές συχνότητες σε σύγκριση με ένα npn. Τα τρανζίστορ npn επικρατούν έναντι των pnp στις διάφορες εφαρμογές. 39

40 Μάθημα 02 - Τρανζίστορ Στο σύμβολο το βέλος το οποίο σημειώνεται στον εκπομπό δηλώνει τη συμβατική φορά του ρεύματος. Η φορά του βέλους διαφέρει ανάλογα με τον τύπο του τρανζίστορ Για τον τύπο pnp η δράση του τρανζίστορ οφείλεται στις οπές. Η ευκινησία των οπών είναι μικρότερη εκείνης των ηλεκτρονίων άρα τα τρανζίστορ pnp θα μπορεί να ανταποκριθεί λιγότερο καλά στις υψηλές συχνότητες σε σύγκριση με ένα npn. Τα τρανζίστορ npn επικρατούν έναντι των pnp στις διάφορες εφαρμογές. 40