ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ"

Transcript

1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΑΡΓΥΡΙΟΥ Θ. ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΥ Πτυχιούχου Φυσικού, M.Sc. «Ηλεκτρονικής Φυσικής» Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία πολυκρυσταλλικού και μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Επιβλέπων της διατριβής: Χαράλαμπος Δημητριάδης Τριμελής επιτροπή 1. Χ. Δημητριάδης 2. Λ. Παπαδημητρίου 3. Σ. Σίσκος ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗ Σεπτέμβριος 2008

2 ΕΥΧΑΡΙΣΤΙΕΣ Θα ήθελα να ευχαριστήσω θερμότατα τον επιβλέποντα καθηγητή κ. Χαράλαμπο Δημητριάδη, ο οποίος μου έδωσε την δυνατότητα να εκπονήσω αυτή την διατριβή, με καθοδηγούσε συνεχώς σε όλα τα στάδια και παρείχε λύσεις σε ορισμένα κρίσιμα προβλήματα που παρουσιάστηκαν στην πορεία της διατριβής. Επίσης, χάρη στην πολυετή του εργασία σε αυτό το θεματικό πεδίο και στις επαφές του, εξασφάλισε δείγματα από δύο εταιρίες του εξωτερικού και μπόρεσα να υλοποιήσω την εργασία μου. Ακόμη, θέλω να τον ευχαριστήσω διότι μου παρείχε μεγάλη οικονομική υποστήριξη μέσω της ένταξης της διατριβής σε ερευνητικά προγράμματα και έδειξε πολύ μεγάλη υπομονή κατά την μεγάλη διάρκεια της εκπόνησης της διατριβής. Επίσης, θα ήθελα να ευχαριστήσω τα μέλη της τριμελούς επιτροπής, τον αναπληρωτή καθηγητή κ. Λ. Παπαδημητρίου και τον αναπληρωτή καθηγητή κ. Σ. Σίσκο. Ακόμη, θα ήθελα να ευχαριστήσω την εταιρία SEIKO-EPSON και τον ερευνητή της κ. Μ. Miyasaka για την προμήθεια των διατάξεων TFTs υμενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου που χρησιμοποιήθηκαν στην διατριβή. Επίσης, θα ήθελα να ευχαριστήσω την εταιρία UNAXIS και τον κ. F. Templier (CEA-LETI, Grenoble) για την κατασκευή των TFTs υμενίων νανοκρυσταλλικού και άμορφου πυριτίου. Ευχαριστώ τον ομότιμο καθηγητή του Αριστοτελείου Πανεπιστημίου Θεσσαλονίκης κ. Ι. Στοϊμένο για τα αποτελέσματα της δομικής ανάλυσης των υμενίων νανοκρυσταλλικού πυριτίου που χρησιμοποιήθηκαν για την κατασκευή των διατάξεων, τον κ. Ν. Χαστά, τον κ. Ν. Αρπατζάνη, τον κ. Δ. Τάσση και τον κ. Α. Τσορμπατζόγλου για την βοήθεια τους. Τέλος, θα ήθελα να ευχαριστήσω τον καθηγητή του Δημοκρίτειου Πανεπιστημίου Θράκης κ. Ν. Γεωργουλά και τον υποψήφιο διδάκτορα κ. Ν. Άρχοντα για την θεωρητική προσομοίωση και επαλήθευση ορισμένων πειραματικών αποτελεσμάτων. Τέλος, θα ήθελα να ευχαριστήσω την Γενική Γραμματεία Έρευνας και Τεχνολογίας του Υπουργείου Ανάπτυξης για την οικονομική μου ενίσχυση μου με την χρηματοδότηση του ερευνητικού έργου ΠΕΝΕΔ 2003 (03ΕΔ 709). 2

3 Στα πλαίσια της διατριβής πραγματοποιήθηκαν οι παρακάτω δημοσιεύσεις. 1. Change in Transfer and Low Frequency Noise Characteristics of n-channel Polysilicon Thin-Film Transistors Due to Hot-Carrier Degradation, A.T. Hatzopoulos N. Archontas, N.A. Hastas, C.A. Dimitriadis, G. Kamarinos, N. Georgoulas, A. Thanailakis, IEEE Electron Device Letters 25, n.6, p.390, Anomalous Hot-Carrier Induced Degradation of Offset Gated Polycrystalline Silicon thin-film transistors A.T. Hatzopoulos, C.A. Dimitriadis, G. Panakakis, G. Ghibaudo, G. Kamarinos, Applied Physics Letters vol.84, n.16, p.3163, Study of the Drain Leakage Current in Bottom-Gated Nanocrystalline Silicon Thin-Film Transistors by Conduction and Low-Frequency Noise Measurements A.T. Hatzopoulos, N. Arpatzanis, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, M. Oudwan, F. Templier, G. Kamarinos, IEEE Transactions on Electron Devices vol.54, n.5, Electrical and noise characterization of bottom-gated nanocrystalline silicon thinfilm transistors A.T. Hatzopoulos, N. Arpatzanis, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, F. Templier, M. Oudwan, G. Kamarinos, Journal of Applied Physics vol.100, p , Analytical current-voltage model for nanocrystalline silicon thin-film transistors A. T. Hatzopoulos, I. Pappas, D. H. Tassis, N. Arpatzanis, C. A. Dimitriadis, F. Templier, M. Oudwan, G. Kamarinos, Applied Physics Letters vol.89, p , /f noise characterization of amorphous/nanocrystalline silicon bilayer thin-film transistors, A. T. Hatzopoulos, N. Arpatzanis, D. H. Tassis, C. A. Dimitriadis, F. Templier, M. Oudwan, G. Kamarinos, Solid State Electronics vol.51, p , Effect of Channel Width on the Electrical Characteristics of Amorphous /Nanocrystalline Silicon Bilayer Thin-Film Transistors, A.T. Hatzopoulos, N. Arpatzanis, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, F. Templier, M. Oudwan, G. Kamarinos, IEEE Transactions on Electron Devices vol.54, n.5, p.1265, Stability of Amorphous-Silicon and Nanocrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC and AC Stress A.T. Hatzopoulos, N. Arpatzanis, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, F. Templier, M. Oudwan, G. Kamarinos, IEEE Electron Device Letters vol.28, n.9, p.803, Degradation of n-channel a-si:h/nc-si:h bilayer thin-film transistors under DC electrical stress N. Arpatzanis, A.T. Hatzopoulos, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, F. Templier, M. Oudwan, G. Kamarinos, Microelectronics Reliability, vol.48, n.4, p.531, Stability of n-channel a-si:h/nc-si:h bilayer thin-film transistors under dynamic stress, A. T. Hatzopoulos, D. H. Tassis, N. Arpatzanis, C. A. Dimitriadis, F. Templier, M. Oudwan, G. Kamarinos, Journal of Applied Physics vol.103, n.8, p.84514,

4 ΠΕΡΙΛΗΨΗ Οι τελευταίες εξελίξεις στη βιομηχανία οθονών είναι η ραγδαία αύξηση του μεγέθους και της ανάλυσης των επίπεδων οθονών απεικόνισης υγρών κρυστάλλων καθώς και η μείωση του κόστους. Το πρώτο επιτυγχάνεται κατά ένα μέρος αυξάνοντας την επιφάνεια εναπόθεσης των συστημάτων ανάπτυξης. Τα τρανζίστορ λεπτών υμενίων (Thin Film Transistors, TFTs) που χρησιμοποιούνται ως στοιχεία διακοπτών και ως στοιχεία για τα περιφερειακά ηλεκτρονικά κυκλώματα των επίπεδων οθονών υγρών κρυστάλλων, συνήθως κατασκευάζονται από υδρογονωμένο άμορφο πυρίτιο (a-si:h) επειδή το υλικό αυτό μπορεί να εναποτεθεί εύκολα σε χαμηλή θερμοκρασία και σε μεγάλη έκταση πάνω σε φθηνά υποστρώματα γυαλιού. Όμως, η χαμηλή ευκινησία των φορέων και η φτωχή σταθερότητα που παρουσιάζουν τα TFTs a-si:h, δεν καθιστούν την τεχνολογία του αμόρφου πυριτίου ικανή για την ολοκλήρωση των κυκλωμάτων οδήγησης των TFTs στις οθόνες απεικόνισης. Τα TFTs υμενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου έχουν μεγαλύτερη ευστάθεια και ευκινησία φορέων, οπότε είναι κατάλληλα για οθόνες απεικόνισης μεγαλύτερης ταχύτητας, ενδογενούς σταθερότητας και υψηλότερης ανάλυσης. Το μειονέκτημα βρίσκεται στην υψηλή θερμοκρασία που απαιτείται για την κρυσταλλοποίηση του a- Si:H σε ακριβά υποστρώματα γυαλιού (quartz), γεγονός που αυξάνει το κόστος παραγωγής. Τα υδρογονωμένα υμένια νανοκρυσταλλικού πυριτίου (nc-si:h) έχουν προταθεί ως εναλλακτικά υλικά των a-si:h και πολυκρυσταλλικού πυριτίου διότι μπορούν να εναποθετηθούν σε μεγάλη επιφάνεια και σε χαμηλή θερμοκρασία ( C) χρησιμοποιώντας διάφορες τεχνικές εναπόθεσης. Ταυτόχρονα, τα υλικά αυτά παρουσιάζουν καλύτερη σταθερότητα με την επίδραση φωτός ή ηλεκτρικής καταπόνησης συγκριτικά με το a-si:h. Μέχρι σήμερα, για την κατασκευή TFTs έχουν αναπτυχθεί λεπτά υμένια nc- Si:H σε χαμηλή θερμοκρασία και με ιδιότητες μεταφοράς καλύτερες από αυτές του αμόρφου πυριτίου, χρησιμοποιώντας μικρά συστήματα ανάπτυξης υμενίων για βασική έρευνα. Επιπλέον, στην διεθνή βιβλιογραφία έχουν αναφερθεί TFTs με τέτοια υψηλή ευκινησία φορέων, συνοδευόμενη με εξαιρετική σταθερότητα υπό την επίδραση ηλεκτρικής καταπόνησης. Επομένως, αποτελεί πρόκληση η διατήρηση αυτών των ηλεκτρικών ιδιοτήτων των TFTs χρησιμοποιώντας βιομηχανικό σύστημα παραγωγής και διατηρώντας ταυτόχρονα χαμηλές θερμοκρασίες εναπόθεσης σε 4

5 μεγάλη επιφάνεια, ώστε η διαδικασία παρασκευής να είναι συμβατή με υποστρώματα γυαλιού χαμηλού κόστους. Στα πλαίσια της διατριβής μελετήθηκαν αρχικά τρανζίστορ λεπτών υμενίων n-καναλιού από ένα μόνο στρώμα nc-si:h με πύλη από την κάτω πλευρά. Το μεγάλο ρεύμα διαρροής αποτελεί μεγάλο μειονέκτημα και εκτενής μελέτη του έδειξε ότι αυξάνει με την απόλυτη τιμή του δυναμικού πύλης και δημιουργείται στην επαφή του απαγωγού. Οφείλεται σε δύο βασικούς μηχανισμούς, την εκπομπή Poole-Frenkel, (PF) στα ηλεκτρικά πεδία χαμηλής έντασης και στο φαινόμενο «κβαντομηχανικής διάτρησης» από τη ζώνη σθένους στη ζώνη αγωγιμότητας στα ηλεκτρικά πεδία μεγάλης έντασης. Η μελέτη των ηλεκτρικών ιδιοτήτων σε σχέση με τις διαστάσεις των διατάξεων ήταν το επόμενο αντικείμενο μελέτης. Μετρήσεις χαρακτηριστικών εισόδου και εξόδου στα τρανζίστορ TFTs n-καναλιού nc-si με πύλη από την κάτω πλευρά έδειξαν ότι υπάρχουν δύο κανάλια αγωγιμότητας, στην εμπρός και στη πίσω διεπιφάνεια. Εξετάζοντας την εξάρτηση από το μήκος του καναλιού, για όμοιες διατάξεις με ίδιο πλάτος καναλιού βρέθηκε ότι καθώς το μήκος του καναλιού μειώνεται από 20 στα 2 μm, το δυναμικό κατωφλίου και η κλίση της χαρακτηριστικής εισόδου που αντιστοιχεί στην αγωγιμότητα του πίσω καναλιού αυξάνονται αλλά η ευκινησία των ηλεκτρονίων μειώνεται. Σε αντίθεση με την κλίση της αγωγιμότητας του πίσω καναλιού, η κλίση της αγωγιμότητας του εμπρός καναλιού παραμένει σταθερή, ανεξάρτητα από τις διαστάσεις του καναλιού. Επομένως, για τον καλύτερο έλεγχο της αγωγιμότητας του πίσω καναλιού, είναι αναγκαίο να μειωθεί το πάχος του στρώματος του nc-si και να επιτευχθεί πλήρης κένωση φορέων για αρνητικές τιμές πόλωσης της πύλης. Με σκοπό τη μείωση του ρεύματος διαρροής που εμφανίζεται σε αρνητικές τάσεις πόλωσης της πύλης, κατασκευάστηκαν τρανζίστορ TFTs διστρωματικού n- καναλιού nc-si:h/a-si:h με την πύλη από την κάτω πλευρά. Η βελτίωση σε σχέση με τα προηγούμενα τρανζίστορ βρίσκεται στο κανάλι που αποτελείται από δύο στρώματα. Το πρώτο στρώμα που βρίσκεται κοντά στην πύλη είναι από λεπτά υμένια nc-si και μεταξύ αυτού και των επαφών του απαγωγού και της πηγής προστέθηκε ένα στρώμα a-si. Για την μελέτη των ενεργειακών καταστάσεων παγίδων σε αυτά, πραγματοποιήθηκαν μετρήσεις θορύβου χαμηλών συχνοτήτων που έδειξαν ότι ο παρατηρούμενος 1/f θόρυβος οφείλεται στις διακυμάνσεις του πλήθους των φορέων στη γραμμική περιοχή λειτουργίας όλων των TFTs. Για τις διατάξεις με μεγάλα 5

6 κανάλια (L = 20 μm), το μοντέλο διακυμάνσεων της ευκινησίας του Hooge φαίνεται ότι κυριαρχεί στα μικρά ρεύματα. Στις μεγάλες τιμές ρεύματος του απαγωγού, η συμπεριφορά της κανονικοποιημένης πυκνότητας θορύβου φανερώνει την κυριαρχία του 1/f θορύβου που δημιουργείται στην αντίσταση σειράς. Όπως και στα πρώτα τρανζίστορ, των οποίων το κανάλι αποτελούνταν από ένα στρώμα nc-si, έτσι και σε αυτά που έχουν το διπλό στρώμα nc-si/a-si μελετήθηκε η συμπεριφορά τους σε σχέση με τις διαστάσεις του καναλιού και βρέθηκε ότι το ρεύμα διαρροής και η αγωγιμότητα του πίσω καναλιού μειώνεται στα διστρωματικά λόγω της ύπαρξης του δεύτερου στρώματος (a-si). Επίσης, η συνολική συμπεριφορά των διστρωματικών τρανζίστορ βελτιώνεται καθώς το πλάτος του καναλιού μειώνεται κάτω από τα 20 μm, γεγονός το οποίο αποδίδεται στο «φαινόμενο της γωνίας», το οποίο γίνεται πιο έκδηλο καθώς το κανάλι στενεύει. Αυτό το εύρημα δείχνει ότι η κατασκευή διστρωματικών τρανζίστορ με πολλά στενά κανάλια, αντί για ένα πλατύ, είναι μία πιθανή λύση για τις μελλοντικές εφαρμογές των TFTs που απαιτούν υψηλές επιδόσεις. Στα πλαίσια της μελέτης της σταθερότητας των διστρωματικών TFTs πραγματοποιήθηκαν μετρήσεις υπό την επίδραση ηλεκτρικής καταπόνησης σταθερής (DC) και εναλλασσόμενης (AC) τάσης πύλης. Για λόγους σύγκρισης, υποβλήθηκαν στις ίδιες συνθήκες DC και AC καταπόνησης, τρανζίστορ με μονοστρωματικό κανάλι a-si, με μονοστρωματικό κανάλι nc-si και με διστρωματικό κανάλι a-si/nc-si, ίδιων διαστάσεων. Από τις μετρήσεις των χαρακτηριστικών εισόδου και εξόδου, φαίνεται ότι η υποβάθμιση των τρανζίστορ είναι χειρότερη κάτω από συνθήκες DC καταπόνησης, ενώ τη μεγαλύτερη σταθερότητα και τις καλύτερες επιδόσεις εμφανίζουν τα διστρωματικά. Όμως, απαιτείται περαιτέρω βελτίωση των χαρακτηριστικών και της σταθερότητας τους. Για την DC καταπόνηση, η οποία προκαλεί την μεγαλύτερη υποβάθμιση στις διατάξεις, πραγματοποιήθηκε διεξοδική μελέτη με τρεις διαφορετικές συνθήκες πόλωσης. Από την σύγκριση των αποτελεσμάτων βρέθηκε ότι οι μηχανισμοί υποβάθμισης εξαρτώνται άμεσα από τις συνθήκες καταπόνησης και είναι η δημιουργία βαθιών παγίδων και «παγίδων ουράς», στην ενεργό περιοχή του καναλιού, έγχυση φορέων στο μονωτικό της πύλης και δημιουργία καταστάσεων τύπου δότη στη διεπιφάνεια της πύλης. Η υποβάθμιση του ρεύματος λειτουργίας με καταπόνηση υπό συνθήκες πόλωσης κατάστασης λειτουργίας οφείλεται στην γέννηση «παγίδων ουράς» στη 6

7 διεπιφάνεια και στο σώμα του ενεργού υλικού του καναλιού. Αντίθετα, σε καταπόνηση υπό συνθήκες πόλωσης κατάστασης αποκοπής, το ρεύμα λειτουργίας παραμένει ίδιο. Συνολικά, για την βελτίωση της σταθερότητας των τρανζίστορ κάτω από συνθήκες DC καταπόνησης, όλα τα αποτελέσματα δείχνουν ότι απαιτείται λεπτομερής έρευνα στην κατασκευή του διστρωματικού καναλιού και στις συνθήκες ανάπτυξής του. Παρόμοια, εκτεταμένη μελέτη για τους μηχανισμούς υποβάθμισης της DC καταπόνησης και την επίδραση θερμών φορέων, πραγματοποιήθηκε και σε TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου (600 ºC) n-καναλιού. Τα αποτελέσματα αυτής της μελέτης παρουσιάζουν ενδιαφέρον διότι και σε αυτά εμφανίζονται φαινόμενα θερμών φορέων. Από την εξέλιξη των χαρακτηριστικών κατά την διάρκεια της καταπόνησης προέκυψε μοντέλο που συμπεριλαμβάνει την επίδραση των θερμών φορέων και προβλέπει τις ιδιότητες της κατεστραμμένης περιοχής που βρίσκεται δίπλα στον απαγωγό, σε σχέση με το χρόνο ηλεκτρικής καταπόνησης. Εκτός από την DC καταπόνηση, εκτεταμένη μελέτη έγινε και για την AC καταπόνηση. Σε TFTs διστρωματικού καναλιού nc-si/a-si εφαρμόστηκαν δύο διαφορετικές συνθήκες AC ηλεκτρικής καταπόνησης. Από τα αποτελέσματα βρέθηκε ότι, όπως και στη DC καταπόνηση, οι μηχανισμοί υποβάθμισης εξαρτώνται άμεσα από τις συνθήκες καταπόνησης, συμπεριλαμβάνοντας και την γέννηση παγίδων στην ενεργό περιοχή του καναλιού και στην διεπιφάνεια μεταξύ του καναλιού και του μονωτικού της πύλης καθώς και έγχυση φορέων (ηλεκτρόνια ή οπές) μέσα στο μονωτικό της πύλης. Αναπτύχθηκαν μοντέλα που περιγράφουν τις χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου των μονοστρωματικών TFTs nc-si, n-καναλιού με πύλη από την κάτω πλευρά. Συγκεκριμένα, αναπτύχθηκε ένα αναλυτικό μοντέλο για το ρεύμα του απαγωγού, που έχει εφαρμογή στην περιοχή τάσεων πάνω από το δυναμικό κατωφλίου και βασίζεται σε εκθετική ενεργειακή κατανομή των «παγίδων ουράς» στο ενεργειακό χάσμα του πυριτίου. Η σύγκριση με τα πειραματικά δεδομένα δείχνει ότι ένα σετ λίγων φυσικών παραμέτρων μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να περιγραφούν ικανοποιητικά οι χαρακτηριστικές εισόδου αλλά και οι χαρακτηριστικές εξόδου στην περιοχή κόρου, για μεγάλο εύρος τιμών του μήκους του καναλιού. Ανάπτυξη μοντέλου πραγματοποιήθηκε επίσης για το ρεύμα του απαγωγού σε TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου μεγάλων κρυσταλλιτών n-καναλιού. Για την έκφραση της ευκινησίας, θεωρήθηκε ότι το κανάλι αποτελείται από μία διάταξη 7

8 τετράγωνων κρυσταλλιτών και οι φορείς κινούνται είτε κατά μήκος και επάνω στα όρια των κρυσταλλιτών, είτε μέσα από τους κρυσταλλίτες και κάθετα στα όρια τους. Το μοντέλο εφαρμόζεται σε TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου στα οποία έγινε ανόπτηση με excimer laser. Έρευνα για την επίδραση της ενεργειακής πυκνότητας του laser στην ποιότητα των κρυσταλλιτών και των ορίων τους, έδειξε ότι και τα δυο βελτιώνονται καθώς αυξάνεται η ενεργειακή πυκνότητα μέχρι την τιμή των 280 mj/cm 2. Περαιτέρω αύξηση της ενεργειακής πυκνότητας του laser βελτιώνει την ποιότητα των κρυσταλλιτών, αλλά τα όρια των κρυσταλλιτών αρχίζουν να υποβαθμίζονται σημαντικά λόγω μερικής τήξης του στρώματος του πολυκρυσταλλικού πυριτίου. Με τη βοήθεια του παραπάνω μοντέλου και της έκφρασης της ευκινησίας σε μία διάταξη τετράγωνων κρυσταλλιτών, αναπτύχθηκε μοντέλο για το ρεύμα απαγωγού στα ίδια TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου μεγάλων κρυσταλλιτών n- καναλιού. Αυτό το μοντέλο περιγράφει το ρεύμα του απαγωγού στην γραμμική περιοχή και στην περιοχή κόρου, συμπεριλαμβάνει το φαινόμενο της κάμψης που εμφανίζεται στις μεγάλες τάσεις απαγωγού και εκφράζεται μόνο από μία εξίσωση που ισχύει εξίσου στις περιοχές πάνω και κάτω από το δυναμικό κατωφλίου. Το μοντέλο αυτό περιλαμβάνει το ύψος του φράγματος δυναμικού στα όρια των κρυσταλλιτών και το επιπλέον ρεύμα που δημιουργείται από το φαινόμενο «ιονισμού κρούσης» λόγω των υψηλών ηλεκτρικών πεδίων και εκφράζει με ακρίβεια τις χαρακτηριστικές εξόδου σε μεγάλο εύρος τιμών τάσης πόλωσης και για διάφορες τιμές του μήκους του καναλιού. 8

9 ABSTRACT In the active matrix liquid crystal display industry the latest achievements is the increase of the display dimensions, the resolution and the reduction of the production cost. The first is achieved by increasing the dimensions of the surface of the deposition systems. The thin-film transistors (TFTs) that are used as switching elements in the driver circuits of the liquid crystal displays, are usually manyfactured by hydrogenated amorpous silicon (a-si:h) because it can be deposited at lower temperatures, on larger surfaces and on cheaper glass substrates. However, the low carrier mobility and the poor stability that the a-si:h TFTs have, makes them unsuitable for the integration of the driver circuits with the displays. The thin-film transistors have higher stability and carrier mobility and this makes them better choise for high speed, intrinsic stability and higher resolution displays. The disadvantage is the higher temperature that is needed for the crystallization of a-si:h and the expensive glass substrates, which increases the production cost. The hydrogenated nanocrystalline thin film transistors (nc-si:h) have been proposed as alternative material for the a-si:h and polycrystalline silicon because they can be deposited in large area and at low temperature ( C) by using different deposition techniques. In addition, this material has better stability under light and electrical stress, in comparison with a-si:h. Until today, for the production of the TFTs have been used nc-si:h thin films at low temperature in basic research small deposition systems and have been produced transistors with better transfer properties than a-si:h transistors. In addition, in the international bibliography have been reported TFTs with high carrier mobility and high stability under electrical stress. So, it is a challenge to maintain these electrical properties of the TFTs in industrial systems and keep the low deposition temperature over large area, so that low cost glass substrates will be used. For the research for this thesis, at the beginning bottom gate n-channel nc-si:h TFTs have been studied. The large drain leakage current is the main disadvantage and extended research has shown that it increases with the absolute value of the gate voltage and is produced at the drain junction. It has been found that it consists by two basic mechansms, the Poole-Frenkel (PF) at the low electric fields and the band-toband tunneling effect.at the high electric fields. 9

10 The effect of the channel dimensions on the electric properties of the TFTs was investigated at the next stage. Experimental measurements of the transfer and output characteristics of the bottom gate n-channel nc-si:h TFTs showed that there are two conduction channels. The front conduction channel is at the interface nc- Si/SiN x which is closer to the gate terminal and the back conduction channel is at the nc-si/sin x interface which is closer to the source and drain terminals. Investigating the dependence on the channel length on similar devices, it was found that reducing the length from 20 to 2 μm, the thereshold voltage and the characteristic slope of the back interface conduction are increased, whereas the electron mobility is decreased. Contrary to the back interface conduction slope, the front interface slope remains unchanged, independent of the channel dimensions. The overall results suggest that in order to suppress the back channel conduction, it is necessary to reduce the nc-si film thickness to ensure full film depletion with negative bias applied to the gate. To reduce the leakage current of the TFTs that is observed mainly at the negative gate voltages, transistors with two layers as active channels were made These TFTs had a bilayer nc-si:h/a-si:h n-channel with gate at the back side. The improvement was the additional a-si:h layer that was deposited between the nc-si:h layer and the drain and source contacts. To study the energy distribution of the traps in the material, low frequency noise measurements were taken and revealed a 1/f noise which is originated in the carrier number fluctuations in the linear region of operation of the TFTs. For the devices with long channel (L=20μm) the observed 1/Id variation for the normalized drain current noise at low currents is following the Hooge s mobility fluctuations model. dominate at low drain currents. At high drain currents, the normalized drain current noise density behaviour indicates the dominance of the 1/f noise generated in the series resistance. The dependence of the behaviour of the nc-si:h/a-si:h bilayer TFTs on the channel dimensions was investigated and was found that the leakage current and the back channel conduction were improved due to the presence of the second a-si:h layer. Also, the overall results demonstrate that the performance of bilayer channel TFTs is enhanced with shrinking the channel width below 20 µm, which is attributed to the corner effect that becomes more significant as the channel width becomes narrower. This finding makes the fabrication of multiple narrow bilayer channel TFTs a possible solution for the future applications that demand high performance. 10

11 The stability of these bilayer devices was investigated under static and dynamic bias stress conditions. For comparison, the stability of a-si:h and nc-si:h single-layer TFTs, with same channel dimensions, was investigated under similar bias stress conditions. The transfer and output characteristics show that the degradation of the transistors is worst under static bias stress, while the best stability and the best performance had the dilayer devices. Although, additional improvement of the characteristics and stability is needed for the devices to be used in high performance applications. Αbout the degradation under static bias conditions, which causes the worst damages at the devices, extensive investigation was made with three different bias conditions. It is found that the TFT degradation mechanisms are strongly dependent on the bias stress conditions, involving generation of deep and tail states in the active area of the channel material, carrier injection (electrons or holes) within the gate insulator and generation of donor trap states at the gate insulator/channel interface. The degradation of the on-current under on-state stress and gate stress is caused by the tail states generation at the interface and in the bulk of the active channel material, unlike the cut-off state stress where the current remains unchanged. To achieve better TFT stability under dc stress is required detailed investigation of the a-si:h/nc-si:h bilayer structure and the material growth conditions. Similar extended investgation for the degradation mechanisms under dc stress and the hot-carrier effects was made on polycrystalline (600ºC) n-channel TFTs. The results show the presence of hot-carrier effects. From the evolution of the characteristics during the stress, an analytical model was made which includes the hot-carrier effects degradation and characterizes the electrical properties of the damaged area beside the drain with stress time. Extended research was done also for the degradation mechanisms at dynamic bias conditions stress at the bilayer nc-si:h/a-si:h TFTs. Two different bias conditions were applied and, like under dc stress, it was found that the degradation mechanisms are strongly depended on the bias conditions, involving generation of trap states in the active area of the channel material and at the gate interface and carrier injection within the gate insulator. An analytical model for the drain current that describes the transfer and output characteristics above threshold voltage of the bottom-gated nc-si thin-film transistors TFTswas developed. The model was based on an exponential energy distribution of 11

12 band tail states. Comparison with experimental data shows that few fundamental model parameters, related to the material quality and different physical effects, can be used to describe consistently both output and transfer characteristics of nc-si TFTs over a wide range of channel lengths. Model for the drain current was also developed for the drain current of the large grain polycrystalline silicon n-channel TFTs. For the expression of the mobility we considered that the channel consists of an array of square grains, with the current flowing along the longitudinal grain boundaries or through the grains and across the latitudinal grain boundaries. This model is applied on excimer laser annealed polycrystalline silicon TFTs. An investigation of the effect of the laser energy density on the quality of the grains and grain boundaries has demonstrated that both grains and grain boundaries are improved with increasing the laser energy density up to 280 mj/cm. With further increase of the laser energy density, the quality of the grains is improved, whereas the grain boundaries start to degrade due to partial melting of the polysilicon layer. With the results of the previous model and the expression of the mobility in a channel which is considered that is consisted of an array of square grains, a model for the drain current of the same n-channel large grain polycrystalline silicon TFTs. This model describes the on-state current and is valid in both linear and saturation regimes including the impact ionization effect. The proposed model, which includes the potential barrier height at the grain boundaries and the excess current due to impact ionization, provides accurate description of the output characteristics over a wide range of bias voltages in devices with different gate lengths. 12

13 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Κεφάλαιο 1: Εισαγωγή 1.1 Κίνητρα της παρούσας έρευνας Αρχή λειτουργίας των TFTs Πρόσφατη έρευνα στα TFTs nc-si:h Ερευνητικά προβλήματα της διατριβής Οργάνωση της διατριβής Βιβλιογραφία 33 Κεφάλαιο 2: Πειραματικές διατάξεις και μέθοδοι μέτρησης 2.1 Εισαγωγή Ανάπτυξη και δομή των υμενίων nc-si:h Κατασκευή των TFTs (LETI) Πειραματικές τεχνικές μέτρησης Μέτρηση χαρακτηριστικών εισόδου και εξόδου Εφαρμογή ac και dc ηλεκτρικής καταπόνησης Μετρήσεις θορύβου χαμηλών συχνοτήτων. 46 Βιβλιογραφία Κεφάλαιο 3: Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός με μετρήσεις I-V χαρακτηριστικών και θορύβου χαμηλών συχνοτήτων 3.1 Εισαγωγή Χαρακτηρισμός διατάξεων με ηλεκτρικές μετρήσεις και μετρήσεις θορύβου χαμηλών συχνοτήτων Μελέτη του ρεύματος διαρροής Χαρακτηρισμός θορύβου 1/f διστρωματικών a-si/nc-si TFTs Επίδραση του πλάτους του καναλιού στις χαρακτηριστικές των διστρωματικών a-si/nc-si TFTs Συμπεράσματα 95 Βιβλιογραφία 98 13

14 Κεφάλαιο 4: Αξιοπιστία των TFTs υπό συνθήκες ηλεκτρικής καταπόνησης 4.1 Εισαγωγή Σταθερότητα a-si και nc-si TFTs υπό την επίδραση ηλεκτρικής καταπόνησης σταθερής και εναλλασσόμενης τάσης πόλωσης Υποβάθμιση TFTs διστρωματικών υμενίων a-si:h/nc-si:h υπό την επίδραση ηλεκτρικής καταπόνησης σταθερής τάσης πόλωσης Καταπόνηση της πύλης Καταπόνηση υπό συνθήκες κατάστασης λειτουργίας Καταπόνηση υπό συνθήκες κατάστασης αποκοπής Σταθερότητα TFTs διστρωματικών υμενίων a-si:h/nc-si:h υπό την επίδραση δυναμικής καταπόνησης Ακροδέκτης απαγωγού γειωμένος DC πόλωση στο ηλεκτρόδιο του απαγωγού Αναλυτικό μοντέλο χαρακτηρισμού της περιοχής υποβάθμισης από θερμούς φορείς Συμπεράσματα Βιβλιογραφία. 143 Κεφάλαιο 5: Μοντέλα χαρακτηριστικών εισόδου και εξόδου 5.1 Εισαγωγή Μοντέλο ρεύματος απαγωγού TFTs νανοκρυσταλλικού πυριτίου Μοντέλο ρεύματος απαγωγού TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου μεγάλων κρυσταλλιτών στη γραμμική περιοχή λειτουργίας Αναλυτικό μοντέλο ρεύματος απαγωγού TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου μεγάλων κρυσταλλιτών στην περιοχή κόρου Συμπεράσματα. 175 Βιβλιογραφία. 177 Κεφάλαιο 6: Γενικά Συμπεράσματα-Προοπτικές 6.1 Συμπεράσματα Προτάσεις για μελλοντική εργασία

15 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ 15

16 Κεφάλαιο Κίνητρα της παρούσας έρευνας 1.2 Αρχή λειτουργίας των TFTs 1.3 Πρόσφατη έρευνα στα TFTs nc-si:h 1.4 Ερευνητικά προβλήματα της διατριβής 1.5 Οργάνωση της διατριβής 1.1 Κίνητρα της παρούσας έρευνας Τα τελευταία χρόνια παρατηρούμε την ραγδαία αύξηση του μεγέθους και της ανάλυσης των επίπεδων οθονών απεικόνισης υγρών κρυστάλλων. Αυτός είναι ο κύριος στόχος των βιομηχανιών οθονών απεικόνισης, ενώ υπάρχει και ο διαχρονικός της συνεχούς μείωσης του κόστους. Ο στόχος αυτός επιτυγχάνεται κατά ένα μέρος αυξάνοντας την επιφάνεια εναπόθεσης των συστημάτων ανάπτυξης και τον ρυθμό εναπόθεσης των διηλεκτρικών υμενίων, καθώς επίσης και των υμενίων αμόρφου πυριτίου και επομένως αυξάνοντας την παραγωγή. Τα τρανζίστορ λεπτών υμενίων (Thin Film Transistors, TFTs) χρησιμοποιούνται ως στοιχεία διακοπτών και ως στοιχεία για τα περιφερειακά ηλεκτρονικά κυκλώματα των επίπεδων οθονών υγρών κρυστάλλων. Οι διατάξεις αυτές συνήθως κατασκευάζονται χρησιμοποιώντας υδρογονωμένο άμορφο πυρίτιο (a-si:h) επειδή το υλικό αυτό μπορεί να εναποτεθεί εύκολα σε χαμηλή θερμοκρασία και σε μεγάλη έκταση πάνω σε φθηνά υποστρώματα γυαλιού. Όμως, λόγω της χαμηλής ευκινησίας των φορέων (περίπου 0.4 cm 2 /Vs στα τρανζίστορ της γραμμής παραγωγής) και της φτωχής σταθερότητας που παρουσιάζουν τα TFTs a-si:h υπό την επίδραση φωτός ή ηλεκτρικής καταπόνησης, η τεχνολογία του αμόρφου πυριτίου δεν χρησιμοποιείται για την ολοκλήρωση των κυκλωμάτων οδήγησης των TFTs στις οθόνες απεικόνισης. Η χρησιμοποίηση υμενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου λύνει μερικά από τα παραπάνω προβλήματα. Το πολυκρυσταλλικό πυρίτιο έχει μεγαλύτερη ευστάθεια υπό την επίδραση ηλεκτρικής καταπόνησης και μεγαλύτερη ευκινησία φορέων, ιδιότητες οι οποίες μεταφράζονται σε τεχνολογία οθονών απεικόνισης μεγαλύτερης ταχύτητας, ενδογενούς σταθερότητας και υψηλότερης ανάλυσης. Τα πλεονεκτήματα αυτά 16

17 περιορίζονται από την υψηλή θερμοκρασία που απαιτείται για την κρυσταλλοποίηση του a-si:h σε ακριβά υποστρώματα γυαλιού (quartz) χρησιμοποιώντας excimer laser, καθότι αυτός ο τρόπος ανάπτυξης του πολυκρυσταλλικού πυριτίου αυξάνει το κόστος παραγωγής. Για τον λόγο αυτό, γίνεται σημαντική έρευνα για την ανάπτυξη λεπτών υμενίων υλικού που να έχει τα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας του a-si:h (εναπόθεση σε μεγάλη επιφάνεια και σε χαμηλή θερμοκρασία) με τις καλές ηλεκτρονικές ιδιότητες του πολυκρυσταλλικού πυριτίου (σταθερότητα και υψηλή ευκινησία φορέων). Υδρογονωμένα υμένια νανοκρυσταλλικού πυριτίου (nc-si:h) έχουν προταθεί ως εναλλακτικά υλικά των a-si:h και πολυκρυσταλλικού πυριτίου. Το βασικότερο πλεονέκτημα των υλικών αυτών είναι η δυνατότητα εναπόθεσής τους σε μεγάλη επιφάνεια και σε χαμηλή θερμοκρασία ( C) χρησιμοποιώντας διάφορες τεχνικές εναπόθεσης. Ταυτόχρονα, τα υλικά αυτά παρουσιάζουν καλύτερη σταθερότητα με την επίδραση φωτός ή ηλεκτρικής καταπόνησης συγκριτικά με το a- Si:H. Αυτές οι ποιοτικές διαφορές καθιστούν τα υλικά nc-si:h ελκυστικά για την κατασκευή φθηνών και υψηλής ποιότητας τρανζίστορ TFTs. Μέχρι σήμερα, για την κατασκευή TFTs έχουν αναπτυχθεί λεπτά υμένια nc-si:h σε χαμηλή θερμοκρασία και με ιδιότητες μεταφοράς καλύτερες από αυτές του αμόρφου πυριτίου, χρησιμοποιώντας μικρά συστήματα ανάπτυξης υμενίων για βασική έρευνα. Δηλαδή, αναπτύχθηκαν υμένια nc-si:h με ευκινησία των ηλεκτρονίων μεγαλύτερη από 10 cm 2 /Vs και λόγο ευκινησίας ηλεκτρονίων και οπών περίπου δέκα. Επιπλέον, στην διεθνή βιβλιογραφία έχουν αναφερθεί TFTs με τέτοια υψηλή ευκινησία φορέων, συνοδευόμενη με εξαιρετική σταθερότητα υπό την επίδραση ηλεκτρικής καταπόνησης. Επομένως, αποτελεί πρόκληση η διατήρηση αυτών των ηλεκτρικών ιδιοτήτων των TFTs χρησιμοποιώντας βιομηχανικό σύστημα παραγωγής και διατηρώντας ταυτόχρονα χαμηλές θερμοκρασίες εναπόθεσης σε μεγάλη επιφάνεια, ώστε η διαδικασία παρασκευής να είναι συμβατή με υποστρώματα γυαλιού χαμηλού κόστους. Οι παράμετροι κλειδί του υλικού είναι η μικροκρυσταλλική δομή του υμενίου που εναποτίθεται και η πυκνότητα των ατελειών του. 17

18 1.2 Αρχή λειτουργίας των TFTs Η δομή ενός τυπικού MOSFET φαίνεται στο παρακάτω σχήμα. Σχήμα 1.1 Δομή τρανζίστορ MOSFET προσαύξησης n-καναλιού. Όπως φαίνεται και από το σχήμα 1.1, το MOSFET n-καναλιού έχει τέσσερις ακροδέκτες, την πηγή (source), την πύλη (gate), τον απαγωγό (drain) και το υπόστρωμα (bulk). Η εφαρμογή μιας διαφοράς δυναμικού μεταξύ πύλης και πηγής δημιουργεί ένα ηλεκτρικό πεδίο το οποίο διαπερνά το διηλεκτρικό της πύλης και δημιουργεί (προσαύξηση) ή τροποποιεί (κένωση) ένα στρώμα αναστροφής. Το στρώμα αναστροφής έχει αντίθετο τύπο αγωγιμότητας από αυτόν του υποβάθρου και ταυτόσημο με αυτόν των διαχύσεων σε πηγή και απαγωγό. Συγκεκριμένα, στο MOSFET προσαύξησης του σχήματος 1.1 όπου η πηγή (S) και ο απαγωγός (D) είναι n-τύπου και το υπόστρωμα p-τύπου, το κανάλι αναστροφής που σχηματίζεται κάτω από την πύλη και μεταξύ πηγής και απαγωγού, με την εφαρμογή κατάλληλης διαφοράς δυναμικού μεταξύ πύλης και πηγής, θα είναι n- τύπου. Δημιουργείται έτσι ένας δίαυλος που επιτρέπει τη ροή του ρεύματος μεταξύ πηγής και απαγωγού. Η μεταβολή της διαφοράς δυναμικού μεταξύ της πύλης και της πηγής διαμορφώνει την αγωγιμότητα του καναλιού ελέγχοντας έτσι τη ροή του ρεύματος μεταξύ πηγής και απαγωγού. Το υπόστρωμα συνήθως βραχυκυκλώνεται με την πηγή για να μην πολωθεί ορθά η επαφή της πηγής (σχήμα 1.2). Αντίστοιχα, υπάρχουν τα MOSFET p-καναλιού, στα οποία οι περιοχές προσμίξεων είναι αντίθετες από αυτές του n-καναλιού. 18

19 Σχήμα 1.2 MOSFET προσαύξησης n-καναλιού με βραχυκύκλωμα μεταξύ της πηγής και του σώματος του υποστρώματος. Στο σχήµα 1.3 παρουσιάζεται η διαδικασία δηµιουργίας ενός καναλιού αναστροφής (κανάλι n-τύπου) µέσα σε ένα υπόστρωµα p-τύπου, δηµιουργώντας έτσι έναν n-δίαυλο που ενώνει τις n + -τύπου περιοχές της πηγής και του απαγωγού. Όταν στην πύλη δεν εφαρµόζεται κάποιο δυναµικό δεν υπάρχει ο n-δίαυλος και οι n + - τύπου περιοχές του απαγωγού και της πηγής χωρίζονται από το p-τύπου υλικό του υποστρώµατος που είναι πολύ µικρής αγωγιµότητας. Όταν η µεταλλική πύλη βρεθεί σε θετικό δυναµικό υψηλότερο από αυτό της πηγής (u GS >0 στο σχήµα 1.3) συσσωρεύονται σε αυτήν θετικά φορτία, τα οποία έλκουν ηλεκτρόνια (φορείς µειονότητας) από το p-υπόστρωµα προς τη διεπιφάνεια µε το οξείδιο, απωθώντας παράλληλα τις οπές. Όταν η συσσώρευση αυτών των αρνητικών φορτίων φτάσει σε συγκέντρωση τέτοια ώστε να ξεπερνά τη συγκέντρωση των φορέων πλειονότητας (οπών) του p-υποστρώµατος, τότε επέρχεται η αναστροφή του τύπου αγωγιµότητας και σχηµατίζεται ένας οµοιογενής δίαυλος τύπου n στο p- υπόστρωµα, όπως φαίνεται στο σχήµα 1.3. Για να επιτευχθεί αναστροφή κατά μήκος της έκτασης μεταξύ της πηγής και του απαγωγού χρειάζεται η τάση u GS να ξεπεράσει κάποια τιµή κατωφλίου V T (Threshold Voltage). Ο σχηµατισµός του διαύλου ουσιαστικά ισοδυναµεί µε τη δηµιουργία ενός καναλιού υψηλής αγωγιµότητας µεταξύ πηγής και απαγωγού. Όσο το θετικό δυναµικό της πύλης αυξάνει τόσο αυξάνεται και η αγωγιµότητα του διαύλου. 19

20 Σχήμα 1.3 Δημιουργία καναλιού όταν η τάση u GS ξεπεράσει το δυναμικό κατωφλίου V T σε MOSFET προσαύξησης n-καναλιο. Αν στη συνέχεια ο απαγωγός έρθει σε θετικό δυναµικό σε σχέση µε την πηγή θα παρουσιαστεί ροή ρεύµατος µεταξύ πηγής και απαγωγού, ενώ παράλληλα λόγω της πτώσης τάσης που προκαλεί το ρεύµα κατά μήκος της αντίστασης του διαύλου το σχήµα του διαύλου θα τροποποιηθεί παρουσιάζοντας µια συρρίκνωση προς την περιοχή του απαγωγού (σχήµα 1.4). Αν µε τη µεταβλητή x συµβολίσουµε την απόσταση ενός σηµείου του διαύλου από την πηγή, τότε το δυναµικό του σηµείου αυτού µε αναφορά το δυναµικό της πηγής θα είναι u XS. Το δυναµικό u XS των σηµείων του διαύλου αυξάνεται καθώς κινούµαστε από την πηγή προς τον απαγωγό. Για να συντηρείται ο δίαυλος σε κάποια θέση x µεταξύ πηγής και απαγωγού θα πρέπει η διαφορά δυναµικού u GX να είναι τουλάχιστον ίση ή να ξεπερνά το δυναµικό κατωφλίου V T. Ένα χρήσιµο µέγεθος που δείχνει το κατά πόσο σε κάποιο σηµείο x µεταξύ πηγής και απαγωγού συντηρείται η αναστροφή τύπου αγωγιµότητας, υπάρχει δηλαδή ο δίαυλος, είναι το δυναµικό διατήρησης διαύλου, Vδδ: Vδδ = u GX V T (1.1) Στα σηµεία όπου το δυναµικό αυτό είναι θετικό ο n-δίαυλος συντηρείται, ενώ στα σηµεία όπου αλλάζει πρόσηµο και γίνεται αρνητικό, ο δίαυλος παύει να υφίσταται. Όταν ο δίαυλος διατηρείται σε όλο του το µήκος από την πηγή στον απαγωγό, η αγωγιµότητα του MOSFET χαρακτηρίζεται ως µη κορεσµένη. Το ρεύµα 20

21 i D, που ρέει στην περίπτωση αυτή µεταξύ πηγής και απαγωγού εξαρτάται τόσο από το u DS όσο και από το u GS, και αυξάνει µε την αύξησή τους. Σχήμα 1.4 Τροποποίηση της µορφής του καναλιού υπό την επίδραση διαφοράς δυναµικού u DS µεταξύ απαγωγού και πηγής. Όταν ο δίαυλος κλείνει από κάποιο σηµείο του µέχρι τον απαγωγό, τότε η αγωγιµότητα χαρακτηρίζεται ως κορεσµένη και το ρεύµα που ρέει µεταξύ πηγής και απαγωγού είναι ανεξάρτητο της διαφοράς δυναµικού u DS στους δύο αυτούς ακροδέκτες και εξαρτάται µόνο από το u GS. Όταν ο δίαυλος δεν σχηµατίζεται καθόλου (u GS < V T ), τότε το τρανζίστορ βρίσκεται σε αποκοπή και το ρεύµα µηδενίζεται. Στη διάταξη του σχήµατος 1.5 μπορεί εύκολα να αποδειχθεί µε τη βοήθεια της έννοιας του δυναµικού διατήρησης διαύλου ότι ο δίαυλος δεν κλείνει σε κανένα σηµείο µεταξύ πηγής και απαγωγού και κατά συνέπεια η αγωγιµότητά του χαρακτηρίζεται ως µη κορεσµένη. Η εξίσωση 1.1 για µεγαλύτερη ευκολία µπορεί να γραφεί ως εξής: V δδ = ugx VT = ugs u XS VT (1.2) 21

22 Σχήμα 1.5 Κατάσταση µη-κορεσµένης αγωγιµότητας (non-saturated conduction). Σχήμα 1.6 Κατάσταση µη-κορεσµένης αγωγιµότητας (non-saturated conduction). Στη περίπτωση κορεσμένης αγωγιμότητας, δηλαδή όταν το κανάλι κλείνει πριν τον απαγωγό, αντιστοιχούν τα σχήματα 1.7 και

23 Σχήμα 1.7 Κατάσταση κορεσµένης αγωγιµότητας (saturated conduction). Σχήμα 1.8 Κατάσταση κορεσµένης αγωγιµότητας (saturated conduction). Το κανάλι κλείνει σε απόσταση L Κ από τον απαγωγό. 23

24 Χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου Οι χαρακτηριστικές εξόδου και εισόδου ή μεταφοράς ενός MOSFET προσαύξησης n-καναλιού φαίνονται στατα σχήμα 1.9 και 1.10, αντίστοιχα. Σχήμα 1.9 Χαρακτηριστική εξόδου i D -u DS ενός MOSFET προσαύξησης n-καναλιού. Σχήμα 1.10 Χαρακτηριστική εισόδου ή μεταφοράς i D -u GS ενός MOSFET προσαύξησης n-καναλιού. 24

25 Ο γεωµετρικός τόπος που χωρίζει τη µη κορεσµένη αγωγιµότητα από την κορεσµένη στο σχήµα 1.9 αντιστοιχεί στα σηµεία εκείνα για τα οποία κλείνει ο δίαυλος στον απαγωγό, και κατά συνέπεια ισχύει: u GD = u u = V u = u V (1.3) GS DS T DS GS Γενικά, για το ρεύµα στις τρεις διαφορετικές καταστάσεις λειτουργίας του MOSFET προσαύξησης n-καναλιού ισχύουν τα ακόλουθα: T Περιοχή αποκοπής (cut-off ή sub-threshold περιοχή) Στην περιοχή αυτή, που αντιστοιχεί σε u GS < V T, ο δίαυλος κλείνει στη θέση της πηγής (δεν σχηµατίζεται καθόλου δίαυλος) και το ρεύµα που ρέει µεταξύ πηγής και απαγωγού στην ιδανική περίπτωση είναι µηδέν. Στην πραγµατικότητα όµως, λόγω του ότι οι ενέργειες των ηλεκτρονίων ακολουθούν την κατανοµή Boltzmann υπάρχουν πάντα κάποια ενεργητικά ηλεκτρόνια στην πηγή που εισέρχονται στην p- περιοχή και φτάνουν στον απαγωγό δηµιουργώντας ένα ρεύµα διαρροής (subthreshold leakage). Περιοχή τριόδου ή γραµµικής λειτουργίας Για να βρεθεί το MOSFET σε αυτήν την περιοχή λειτουργίας πρέπει να ισχύουν οι σχέσεις u GS > V T και u DS < u GS -V T. Το τρανζίστορ αρχίζει να λειτουργεί καθώς τώρα δηµιουργείται ένα n-τύπου κανάλι που συνδέει πηγή και απαγωγό και επιτρέπει τη ροή ρεύµατος µεταξύ των δύο αυτών περιοχών. Στην περιοχή αυτή το MOSFET συµπεριφέρεται σαν µια αντίσταση ελεγχόµενη από τάση. Μια αντίσταση που ελέγχεται τόσο από την τάση u DS όσο και από την τάση u GS. Λόγω αυτής της εξάρτησης, το ρεύµα i D που διαρρέει το κανάλι θα γράφεται σαν συνάρτηση των τάσεων u DS και u GS : i D 2 2 W u DS μ nε W uds = μ ncox ( ugs VT ) uds = ( ugs VT ) uds (1.4) L 2 tox L 2 όπου µ n είναι η ευκινησία των ελευθέρων φορέων, ε η ηλεκτρική διαπερατότητα του οξειδίου, C OX η χωρητικότητα της πύλης ανά µονάδα επιφάνειας, t OX το πάχος του µονωτικού οξειδίου πύλης, W το πλάτος του καναλιού, L το µήκος του καναλιού. Συχνά το κλάσμα πριν τις αγκύλες αντικαθιστάται από τον παράγοντα ενίσχυσης β (gain factor) του MOS τρανζίστορ. 25

26 Περιοχή κόρου (saturation) Οι συνθήκες για να βρεθεί το MOSFET σε αυτήν την περιοχή λειτουργίας είναι: υ GS > V T και υ DS > u GS -V T. Το κανάλι - όπως ήδη προαναφέρθηκε - είναι εν µέρει σχηµατισµένο. Καλύπτει ένα συγκεκριµένο κλάσµα του συνολικού µήκους L του καναλιού, από την πηγή µέχρι ένα µήκος L K, όπως φαίνεται και στο σχήµα.1.8, ενώ στο υπόλοιπο τµήµα µέχρι τον απαγωγό είναι κλειστό. Το ρεύµα κάτω από αυτές τις συνθήκες µπορεί να θεωρηθεί σε πρώτη προσέγγιση αναξάρτητο της τάσης υ DS : i D μ nc = 2 ox W L β ( u V ) = ( u V GS T GS T ) (1.5) Οι εξισώσεις 1.4 και 1.5 ισχύουν και για MOSFET τρανζίστορ p-καναλιού, µε τη διαφορά ότι πρέπει τα ρεύµατα και οι τάσεις να έχουν αντίθετο πρόσηµο και η ευκινησία των ηλεκτρονίων µ n, να αντικατασταθεί από την ευκινησία των οπών µ p. ιαµόρφωση µήκους καναλιού Παρατηρώντας τις χαρακτηριστικές του σχήµατος 1.9, γίνεται φανερό πως η εξίσωση 1.5 ισχύει µόνο σε πρώτη προσέγγιση, αφού οι χαρακτηριστικές στην περιοχή του κόρου δεν είναι οριζόντιες αλλά το ρεύµα i D παρουσιάζει µία ασθενική αύξηση συναρτήσει της τάσης υ DS. Το φαινόµενο αυτό οφείλεται στη διαµόρφωση του µήκους του διαύλου κατά τη µεταβολή της τάσης υ DS και όταν λαµβάνεται υπόψη η εξίσωση 1.5 τροποποιείται στην : β 2 id = ( ugs VT ) ( 1+ λ u DS ) (1.6) 2 όπου λ (το 1/λ ονοµάζεται τάση Early) είναι ένας εµπειρικός παράγοντας διαµόρφωσης του µήκους του καναλιού (channel length modulation factor) Φαινόµενο σώµατος (body effect) Το φαινόµενο σώµατος αναφέρεται στην εξάρτηση του δυναµικού κατωφλίου, V T, από τη διαφορά δυναµικού µεταξύ της πηγής και του σώµατος (bulk) του υποστρώµατος. Στα προηγούμενα σχήµατα, η πηγή µε τον ακροδέκτη του υποστρώµατος παρουσιάζονται βραχυκυκλωµένες. Κάτω από αυτές τις συνθήκες, το δυναµικό κατωφλίου χαρακτηρίζεται ως V T0. Αν µεταξύ της πηγής και του υποστρώµατος η διαφορά δυναµικού πάρει µη µηδενική τιµή, V SB 0, τότε το δυναµικό κατωφλίου γράφεται σα συνάρτηση της V SB ως: 26

27 V T TO ( V + 2φ φ ) = V + γ 2 (1.7) SB F F όπου γ είναι η παράµετρος του φαινοµένου σώµατος και φ F η παράµετρος επιφανειακού δυναµικού. Η παράµετρος γ γράφεται ως: t = qε Si N SUB ε (1.8) OX OX γ 2 όπου q είναι το φορτίο του ηλεκτρονίου, t OX το πάχος του µονωτικού οξειδίου πύλης, ε OX η διηλεκτρική σταθερά του οξειδίου, ε Si η διηλεκτρική σταθερά του πυριτίου και Ν SUB η συγκέντρωση φορέων του υποστρώµατος. 1.3 Πρόσφατη έρευνα στα TFTs nc-si:h Η αύξηση του μεγέθους και της διακριτικής ικανότητας των επίπεδων οθονών απεικόνισης υγρών κρυστάλλων (Active Matrix Liquid Crystal Displays, AMLCDs), μαζί με την μείωση του κόστους, αποτελούν το κυρίαρχο θέμα για τη βιομηχανία επίπεδων οθόνων. Αρκετές λύσεις προτάθηκαν που οδηγούν στη μείωση του κόστους, όπως η ολοκλήρωση των κυκλωμάτων οδήγησης της οθόνης και η μείωση της θερμοκρασίας κατασκευής των τρανζίστορ, η οποία θα επιτρέψει την κατασκευή οθονών απεικόνισης πάνω σε εύκαμπτα πλαστικά και οργανικά υποστρώματα που είναι φθηνότερα από τα γυαλιά, αλλά αντέχουν σε χαμηλότερες θερμοκρασίες (150 C). Επιπλέον, τα κυκλώματα οδήγησης απαιτούν μεγάλο λόγο ρεύματος on/off και μεγάλη ευκινησία φορέων. Τέλος, η τεχνολογία AMLCD απαιτεί τα τρανζίστορ που ελέγχουν κάθε εικονοστοιχείο (pixel) της οθόνης να είναι σταθερά κατά τη διάρκεια της λειτουργίας τους και να έχουν μικρό ρεύμα διαρροής ώστε να διατηρούν το συλλεγόμενο φορτίο καθώς αυτά βρίσκονται σε κατάσταση εκτός λειτουργίας. Μέχρι σήμερα, χρησιμοποιήθηκε εκτενώς η τεχνολογία υδρογονωμένου άμορφου πυριτίου (a-si:h) για εφαρμογές σε επίπεδες οθόνες απεικόνισης υγρών κρυστάλλων [1]-[5], στις οποίες κάθε εικονοστοιχείο (pixel) της οθόνης ελέγχεται από ένα TFT που λειτουργεί σαν διακόπτης. Όμως, η χαμηλή ευκινησία φορέων (<1 cm 2 /Vs) και η φτωχή σταθερότητα των διατάξεων a-si:h υπό συνθήκες ηλεκτρικής καταπόνησης και φωτισμού [6], αποτελούν τεχνολογικά εμπόδια για ολοκλήρωση οδηγών κυκλωμάτων στην οθόνη χρησιμοποιώντας τέτοια τρανζίστορ. Η αστάθεια που παρατηρήθηκε οφείλεται κυρίως στην αποδέσμευση του υδρογόνου και στην παγίδευση φορέων στο μονωτικό υμένιο της πύλης, με αποτέλεσμα την μεταβολή των 27

28 ηλεκτρικών ιδιοτήτων των TFTs a-si:h και ιδιαίτερα μεταβολή της τάσης κατωφλίου [7], [8]. Πρόσφατες ερευνητικές προσπάθειες εστιάσθηκαν σε TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου προκειμένου να υπερνικηθούν ορισμένα από τα ανεπιθύμητα χαρακτηριστικά των TFTs a-si:h. Υμένια πολυκρυσταλλικού πυριτίου, τα οποία έχουν αναπτυχθεί σε υποστρώματα γυαλιού quartz σε θερμοκρασίες 620 C με διάφορες τεχνικές όπως κρυστάλλωση στερεάς φάσης (solid phase crystallization, SPC) [9], κρυστάλλωση με laser [10]-[19], ή SPC κρυστάλλωση επαγόμενη από μέταλλο [19]-[22], χρησιμοποιήθηκαν ως ενεργά υλικά καναλιού. Τα TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου έχουν μεγαλύτερη ευκινησία φορέων και παρουσιάζουν καλύτερη ευστάθεια υπό συνθήκες ηλεκτρικής καταπόνησης, με αποτέλεσμα την κατασκευή οθόνων υψηλότερης ταχύτητας και μεγαλύτερης διακριτικής ικανότητας. Τα χαρακτηριστικά του υλικού που επιφέρουν αυτά τα επιθυμητά χαρακτηριστικά είναι το μεγάλο μέγεθος των κρυσταλλιτών και η απομάκρυνση των δομικών ατελειών από το εσωτερικό των κρυσταλλιτών. Όμως, η τεχνολογία κρυστάλλωσης με laser πάσχει από υψηλό κόστος παραγωγής, σημαντική ανομοιομορφία σε μεγάλη επιφάνεια, ενώ οι διαδικασίες κατασκευής υψηλών θερμοκρασιών καθιστούν αυτές τις τεχνολογίες ακατάλληλες για εύκαμπτα υποστρώματα. Για τους λόγους αυτούς, πραγματοποιήθηκε μεγάλη έρευνα για την ανάπτυξη λεπτών υμενίων υλικού που να συνδυάζει τα πλεονεκτήματα του a-si:h (εναπόθεση σε μεγάλη επιφάνεια και διαδικασίες εναπόθεσης χαμηλών θερμοκρασιών) με τις ηλεκτρονικές ιδιότητες του πολυκρυσταλλικού πυριτίου (ευκινησία ηλεκτρονίων πάνω από 100 cm 2 /Vs και καλύτερη ευστάθεια). Τα λεπτά υμένια nc-si:h, που εναποτίθενται σε χαμηλές θερμοκρασίες, αποτελούν εναλλακτικό υλικό για αντικατάσταση του a-si:h ή του πολυκρυσταλλικού πυριτίου. Διάφορες τεχνικές έχουν προταθεί για εναπόθεση των λεπτών υμενίων nc-si:h σε χαμηλές θερμοκρασίες [23]-[25]. Στα περισσότερα TFTs nc-si:h που αναφέρονται στη βιβλιογραφία, η μετάβαση από το a-si:h στο nc-si:h έγινε χρησιμοποιώντας τους ίδιους αντιδραστήρες πλάσματος και η ευκινησία ηλεκτρονίων είναι της τάξης μεγέθους του 1 cm 2 /Vs, όμοια με αυτή των TFTs a-si:h. Όμως, τα λεπτά υμένια nc-si:h παρουσιάζουν μεγαλύτερο τεχνολογικό ενδιαφέρον, λόγω του δυναμικού τους πλεονεκτήματος στην υψηλότερη σταθερότητα υπό συνθήκες ηλεκτρικής καταπόνησης ή φωτισμού, έναντι των ανταγωνιστικών TFTs a- Si:H. Όντως, έχει αναφερθεί ότι τα TFTs nc-si:h υπό ηλεκτρική καταπόνηση 28

29 εμφανίζουν μικρότερη μετατόπιση της τάσης κατωφλίου σε σχέση με τα TFTs a-si:h κατά ένα παράγοντα του δέκα [23]. Επιπλέον, από βιομηχανική άποψη, η τεχνολογία του nc-si:h έχει το πλεονέκτημα να είναι απόλυτα συμβατή με την υπάρχουσα τεχνολογία a-si. Πρόσφατα, η ευκινησία φορέων του nc-si:h αυξήθηκε σημαντικά σε σχέση με αυτήν του a-si:h, γεγονός που το κάνει ακόμη πιο επιθυμητό [26], [27]. Μία πολλά υποσχόμενη τεχνική είναι η εναπόθεση nc-si:h από μίγματα αερίων SiF 4 και υδρογόνου, στα οποία η ευκινησία ηλεκτρονίων μπορεί να φθάσει μέχρι 7 cm 2 /Vs [28], παρέχοντας την δυνατότητα ακόμη μεγαλύτερης ολοκλήρωσης των περιφερειακών κυκλωμάτων οδήγησης των οθονών απεικόνισης. Τέλος, τα υμένια nc-si:h μπορούν να εναποτεθούν σε μεγάλες επιφάνειες και χαμηλές θερμοκρασίες, ικανοποιώντας τον τελικό στόχο της βιομηχανίας για ανάπτυξη οθονών σε φτηνά εύκαμπτα πλαστικά υποστρώματα και περαιτέρω μείωση του κόστους παραγωγής. Στην τεχνολογία a-si, δόθηκε μεγάλη έμφαση στην ανάπτυξη διηλεκτρικών πύλης με την τεχνική PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) στην περιοχή θερμοκρασίας o C, για αντικατάσταση του συμβατικού μονωτή πύλης SiO 2 που αναπτύσσεται θερμικά σε υψηλές θερμοκρασίες [29]. Το νιτρίδιο του πυριτίου (SiN x ) που αναπτύσσεται με την τεχνική PECVD έχει χρησιμοποιηθεί αποκλειστικά ως διηλεκτρικό πύλης σε TFTs a-si:h. Μερικά από τα δυναμικά του πλεονεκτήματα περιλαμβάνουν υψηλότερη αντοχή σε οποιαδήποτε ακτινοβολία, υψηλότερο φράγμα στην διάτρησή τους από ξένα στοιχεία και αύξηση του ορίου του ηλεκτρικού πεδίου για ηλεκτρική διάτρηση [29]. Η συνηθέστερη δομή στα TFTs a- Si:H είναι η δομή με την πύλη από κάτω (bottom-gated configuration) λόγω των ιδιοτήτων του διηλεκτρικού πύλης. Όταν το SiN x εναποτίθεται με PECVD, η ποιότητα του υλικού είναι πολύ φτωχή στα αρχικά στάδια της ανάπτυξης, η οποία βελτιώνεται σταδιακά καθώς το υμένιο γίνεται παχύτερο. Επομένως, όταν το υμένιο του a-si αναπτύσσεται στην πάνω επιφάνεια του διηλεκτρικού SiN x στη δομή με την πύλη από κάτω, η διεπιφάνεια μεταξύ a-si:h/sin x θα περιέχει λιγότερες δομικές ατέλειες, που οδηγεί στην βελτίωση της αγωγιμότητας του καναλιού. Πρόσφατα, αναφέρθηκαν στη βιβλιογραφία παρόμοιες δομές TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου, που κατασκευάσθηκαν σε υποστρώματα πυριτίου σε υψηλότερες θερμοκρασίες (μέχρι 850 o C) [30], [31]. Σε πρόσφατη έρευνα στα TFTs nc-si:h, επίσης δόθηκε έμφαση στη δομή τρανζίστορ με την πύλη από κάτω [23]-[25]. Τα πλεονεκτήματα αυτών των διατάξεων είναι ότι η δομή της διάταξης και οι διαδικασίες κατασκευής είναι σχεδόν 29

30 ίδιες με αυτές των εμπορικών TFTs a-si:h, και δεν απαιτούνται επιπλέον διαδικαστικά βήματα από τα καθιερωμένα για την κατασκευή συμβατικών AMLCD TFTs. Όμως, για AMLCD εφαρμογές, τα TFTs nc-si:h πάσχουν από σχετικά μεγάλα ρεύματα διαρροής με την εφαρμογή υψηλών τάσεων πύλης και απαγωγού, που οφείλεται στη θεμελιώδη φύση του μηχανισμού της κβαντομηχανικής διάτρησης (band-to-band tunneling, BBT). Τα TFTs nc-si:h παρουσιάζουν μεγαλύτερα ρεύματα διαρροής σε σχέση με τα TFTs a-si:h, αφού το ενεργειακό χάσμα του nc-si (~1.1 ev) είναι μικρότερο από αυτό του a-si (~1.7 ev). Για τον λόγο αυτό, η μείωση του ρεύματος διαρροής TFTs nc-si:h αποτελεί στόχο της παρούσας διατριβής, χρησιμοποιώντας διστρωματικά υμένια nc-si:h/a-si:h. 1.4 Ερευνητικά προβλήματα της διατριβής Βασικός στόχος των βιομηχανιών κατασκευής επίπεδων οθονών απεικόνισης είναι: (1) Η βελτιστοποίηση των συνθηκών ανάπτυξης των υμενίων nc-si:h σε βιομηχανικό επίπεδο, ώστε να επιτευχθεί βέλτιστη απόδοση και σταθερότητα των TFTs υπό την επίδραση ηλεκτρικής καταπόνησης και (2) η μείωση της θερμοκρασίας κατασκευής των TFTs στους 150 C, διατηρώντας σταθερή την απόδοση και την σταθερότητά τους με αυτήν της σημερινής τεχνολογίας κατασκευής τους στην θερμοκρασία των 280 C. Για να επίτευξη των παραπάνω στόχων πρέπει να μελετηθούν οι δομικές ατέλειες των υμενίων nc-si:h συναρτήσει των συνθηκών ανάπτυξης στα βιομηχανικά συστήματα ανάπτυξης, να μελετηθούν οι παγίδες ηλεκτρονίων που εισάγουν οι ατέλειες στο ενεργειακό χάσμα του ημιαγωγού και να γίνει συσχέτιση των παγίδων ηλεκτρονίων με την απόδοση των τρανζίστορ και την σταθερότητά τους υπό συνθήκες ηλεκτρικής καταπόνησης. Συγκεκριμένα, στην παρούσα διατριβή παρουσιάζονται τα παρακάτω ερευνητικά θέματα: 1) Η δομή των υμενίων nc-si:h με ηλεκτρονικό μικροσκόπιο διερχόμενης δέσμης, τα οποία αναπτύχθηκαν με το βιομηχανικό σύστημα ΚΑΙ της Γαλλικής εταιρίας UNAXIS. 2) O ηλεκτρικός χαρακτηρισμός των TFTs nc-si:h με μετρήσεις των στατικών χαρακτηριστικών εισόδου και εξόδου. 3) Η συγκριτική μελέτη των TFTs που κατασκευάσθηκαν σε μονοστρωματικά υμένια nc-si:h ή διστρωματικά υμένια a-si:h/nc-si:h. 30

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

Ανάπτυξη μοντέλων τρανζίστορ λεπτών υμενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου σε πρόγραμμα προσομοίωσης κυκλωμάτων (Spice) - Σχεδιασμός κυκλωμάτων TFTs

Ανάπτυξη μοντέλων τρανζίστορ λεπτών υμενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου σε πρόγραμμα προσομοίωσης κυκλωμάτων (Spice) - Σχεδιασμός κυκλωμάτων TFTs ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΗΛΙΑ Ν. ΠΑΠΠΑ Φυσικός Ραδιοηλεκτρολόγος M.Sc. Ανάπτυξη μοντέλων τρανζίστορ λεπτών

Διαβάστε περισσότερα

Μια ματιά στο πρώτο εργοστάσιο παραγωγής φωτοβολταϊκών πάνελ λεπτών υμενίων στην Ελλάδα. Ilias Garidis COO

Μια ματιά στο πρώτο εργοστάσιο παραγωγής φωτοβολταϊκών πάνελ λεπτών υμενίων στην Ελλάδα. Ilias Garidis COO Μια ματιά στο πρώτο εργοστάσιο παραγωγής φωτοβολταϊκών πάνελ λεπτών υμενίων στην Ελλάδα Ilias Garidis COO 0 Παγκόσμια ενεργειακή κάλυψη έως το 2100 1 Η εταιρεία μας 2 Κεντρικά γραφεία στην Αθήνα Εργοστάσιο

Διαβάστε περισσότερα

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1 Η2 Μελέτη ηµιαγωγών 1. Σκοπός Στην περιοχή της επαφής δυο ηµιαγωγών τύπου p και n δηµιουργούνται ορισµένα φαινόµενα τα οποία είναι υπεύθυνα για τη συµπεριφορά της επαφής pn ή κρυσταλλοδιόδου, όπως ονοµάζεται,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC 6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα

Διαβάστε περισσότερα

Η θέση ύπνου του βρέφους και η σχέση της με το Σύνδρομο του αιφνίδιου βρεφικού θανάτου. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ

Η θέση ύπνου του βρέφους και η σχέση της με το Σύνδρομο του αιφνίδιου βρεφικού θανάτου. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Η θέση ύπνου του βρέφους και η σχέση της με το Σύνδρομο του αιφνίδιου βρεφικού θανάτου. Χρυσάνθη Στυλιανού Λεμεσός 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΙΣ Θερμική ενέργεια Q και Ισχύς Ρ Όταν μια αντίσταση R διαρρέεται από ρεύμα Ι για χρόνο t, τότε παράγεται θερμική ενέργεια Q. Για το συνεχές ρεύμα η ισχύς

Διαβάστε περισσότερα

ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟ ΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥ ΩΝ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ ΙΑΤΡΙΒΗ Ανάπτυξη τεχνολογίας κατασκευής τρανζίστορς

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Παράμετροι που τροποποιούν την δομή των ταινιών Σχηματισμός κράματος ή περισσοτέρων ημιαγωγών Ανάπτυξη ετεροδομών ή υπερδομών κβαντικός περιορισμός (quantum

Διαβάστε περισσότερα

Μεταπτυχιακή διατριβή

Μεταπτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Μεταπτυχιακή διατριβή «100% Α.Π.Ε.» : ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΚΑΙ ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΕΣ ΠΡΟΚΛΗΣΕΙΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΠΛΗΡΗ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΩΝ ΣΥΜΒΑΤΙΚΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή εργασία ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΟΙ ΑΛΓΟΡΙΘΜΟΙ ΓΙΑ ΑΝΑΛΥΣΗ ΠΙΣΤΟΠΟΙΗΤΙΚΩΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗΣ ΑΠΟΔΟΣΗΣ ΚΤΙΡΙΩΝ Εβελίνα Θεμιστοκλέους

Διαβάστε περισσότερα

Πτυχιακή εργασία. Παραγωγή Βιοντίζελ από Χρησιμοποιημένα Έλαια

Πτυχιακή εργασία. Παραγωγή Βιοντίζελ από Χρησιμοποιημένα Έλαια ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή εργασία Παραγωγή Βιοντίζελ από Χρησιμοποιημένα Έλαια Ελένη Χριστοδούλου Λεμεσός 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ E-mail: gtsigaridas@teilam.gr ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΑΤΟΜΟΥ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΤΥΠΟΙ ΣΤΕΡΕΩΝ ΜΟΡΙΑΚΗ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΜΟΡΙΑΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Λουκία Βασιλείου

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Λουκία Βασιλείου ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΠΑΙΔΙΚΗ ΚΑΙ ΕΦΗΒΙΚΗ ΚΑΚΟΠΟΙΗΣΗ: ΕΠΙΠΤΩΣΕΙΣ ΣΤΗΝ ΥΓΕΙΑ Λουκία Βασιλείου 2010646298 Επιβλέπουσα καθηγήτρια: Δρ.

Διαβάστε περισσότερα

Risk Management & Business Continuity Τα εργαλεία στις νέες εκδόσεις

Risk Management & Business Continuity Τα εργαλεία στις νέες εκδόσεις Risk Management & Business Continuity Τα εργαλεία στις νέες εκδόσεις Α. Χατζοπούλου Υπεύθυνη Τμήματος Επιθεωρήσεων Πληροφορικής TÜV AUSTRIA HELLAS Οκτώβριος 2014 CLOSE YOUR EYES & THINK OF RISK Μήπως κάποια

Διαβάστε περισσότερα

Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο

Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο Ενεργειακό Γραφείο Κυπρίων Πολιτών Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο Βασικότερα τμήματα ενός Φ/Β συστήματος Τα φωτοβολταϊκά (Φ/Β) συστήματα μετατρέπουν

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή Εργασία Ο ΡΟΛΟΣ ΤΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΣΕ ΗΛΙΚΙΩΜΕΝΟΥΣ ΜΕ ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ Θεοφάνης Παύλου Αρ. Φοιτ. Ταυτότητας: 2010207299 Λεμεσός 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή εργασία ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΜΕΙΩΣΗΣ ΤΩΝ ΦΑΙΝΟΛΩΝ ΕΛΑΙΟΛΑΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΟ ΤΗΓΑΝΙΣΜΑ Χριστοφόρου Ανδρέας Λεμεσός

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή Εργασία Χαμηλά επίπεδα βιταμίνης D σχετιζόμενα με το βρογχικό άσθμα στα παιδιά και στους έφηβους Κουρομπίνα Αλεξάνδρα Λεμεσός [2014] i ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή Εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή Εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή Εργασία ΙΕΡΕΥΝΗΣΗ ΤΩΝ ΕΠΙΠΕ ΩΝ ΘΝΗΣΙΜΟΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΤΩΝ ΚΥΡΙΟΤΕΡΩΝ ΑΙΤΙΩΝ ΠΡΟΚΛΗΣΗΣ ΘΑΝΑΤΟΥ ΑΤΟΜΩΝ ΜΕ ΨΥΧΟΓΕΝΗ ΑΝΟΡΕΞΙΑ Γεωργία Χαραλάµπους Λεµεσός

Διαβάστε περισσότερα

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής.

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Α. ιεργασίες κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Η επίπεδη τεχνολογία κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων περιλαµβάνει

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Η πειραματική διάταξη που χρησιμοποιείται στην άσκηση φαίνεται στην φωτογραφία του σχήματος 1:

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Η πειραματική διάταξη που χρησιμοποιείται στην άσκηση φαίνεται στην φωτογραφία του σχήματος 1: ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ 1. Πειραματική Διάταξη Η πειραματική διάταξη που χρησιμοποιείται στην άσκηση φαίνεται στην φωτογραφία του σχήματος 1: Σχήμα 1 : Η πειραματική συσκευή για τη μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ 1. Ηλιακή ακτινοβολία Ο ήλιος ενεργεί σχεδόν, ως μια τέλεια πηγή ακτινοβολίας σε μια θερμοκρασία κοντά στους 5.800 Κ Το ΑΜ=1,5 είναι το τυπικό ηλιακό φάσμα πάνω

Διαβάστε περισσότερα

ΕΥΧΑΡΙΣΤΙΕΣ. Θεσσαλονίκη, Δεκέμβριος 2005. Κώστας Δόσιος

ΕΥΧΑΡΙΣΤΙΕΣ. Θεσσαλονίκη, Δεκέμβριος 2005. Κώστας Δόσιος ΕΥΧΑΡΙΣΤΙΕΣ Μου δίνεται η ευκαιρία με την περάτωση της παρούσης διδακτορικής διατριβής να σημειώσω ότι, είναι ιδιαίτερα δύσκολο και κοπιαστικό να ολοκληρώσεις το έργο που ξεκινάς κάποια στιγμή έχοντας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 ΝΕΑ ΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΓΙΑ ΧΑΜΗΛΟΥ ΚΟΣΤΟΥΣ & ΥΨΗΛΗΣ ΑΠΟΔΟΣΗΣ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 1 Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΚΑΙ ΔΥΝΑΜΙΚΕΣ ΜΝΗΜΕΣ ΤΥΧΑΙΑΣ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΗΣ (Static and Dynamic RAMs). ΔΙΑΡΘΡΩΣΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΕΣ ΕΝΟΤΗΤΕΣ

ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΚΑΙ ΔΥΝΑΜΙΚΕΣ ΜΝΗΜΕΣ ΤΥΧΑΙΑΣ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΗΣ (Static and Dynamic RAMs). ΔΙΑΡΘΡΩΣΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΕΣ ΕΝΟΤΗΤΕΣ ΣΤΑΤΙΚΕΣ ΚΑΙ ΔΥΝΑΜΙΚΕΣ ΜΝΗΜΕΣ ΤΥΧΑΙΑΣ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΗΣ (Static and Dynamic RAMs). ΔΙΑΡΘΡΩΣΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΕΣ ΕΝΟΤΗΤΕΣ ΒΑΣΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΩΝ ΜΝΗΜΩΝ. ΒΑΣΙΚΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ RAM CMOS. ΤΥΠΟΙ ΚΥΤΤΑΡΩΝ ΑΡΧΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ

ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ 1 Εργαστήριο Κινητών Ραδιοεπικοινωνιών, ΣΗΜΜΥ ΕΜΠ Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ 2 Εργαστήριο Κινητών Ραδιοεπικοινωνιών, ΣΗΜΜΥ ΕΜΠ

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΟΓΡΑΦΙΚΟ ΔΕΛΤΙΟ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΤΙΤΛΟΣ Συμπληρώστε τον πρωτότυπο τίτλο της Διδακτορικής διατριβής ΑΡ. ΣΕΛΙΔΩΝ ΕΙΚΟΝΟΓΡΑΦΗΜΕΝΗ

ΑΠΟΓΡΑΦΙΚΟ ΔΕΛΤΙΟ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΤΙΤΛΟΣ Συμπληρώστε τον πρωτότυπο τίτλο της Διδακτορικής διατριβής ΑΡ. ΣΕΛΙΔΩΝ ΕΙΚΟΝΟΓΡΑΦΗΜΕΝΗ ΕΘΝΙΚΟ & ΚΑΠΟΔΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΑΝΑΓΝΩΣΤΗΡΙΟ Πανεπιστημιούπολη, Κτήρια Πληροφορικής & Τηλεπικοινωνιών 15784 ΑΘΗΝΑ Τηλ.: 210 727 5190, email: library@di.uoa.gr,

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Ηλεκτρονικής

Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (Α.Π.Θ.) Π Θ Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Ερευνητικές δραστηριότητες Στέλιος Σίσκος, Αναπληρωτής καθηγητής Δ/ντής Τομέα Ηλεκτρονικής και Η/Υ Aristotle University

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ Πτυχιακή Διατριβή Επιβλέπουσα καθηγήτρια: Κα Παναγιώτα Ταμανά ΣΤΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΠΕΠΟΙΘΗΣΕΙΣ ΑΤΟΜΩΝ ΑΠΕΝΑΝΤΙ ΣΤΟ ΕΜΒΟΛΙΟ ΚΑΤΑ ΤΟΥ ΚΑΡΚΙΝΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

PVC + ABS Door Panels

PVC + ABS Door Panels PVC + ABS Door Panels Η εταιρεία «ΤΕΧΝΗ Α.Ε.» ιδρύθηκε στην Ξάνθη, το 1988 με αντικείμενο τις ηλεκτροστατικές βαφές μετάλλων. Με σταθερά ανοδική πορεία, καταφέρνει να επεκτείνει τις δραστηριότητες της

Διαβάστε περισσότερα

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων.

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Κεφάλαιο 3 Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Υπάρχουν διάφοροι τύποι μετατροπέων για τη μέτρηση θερμοκρασίας. Οι βασικότεροι από αυτούς είναι τα θερμόμετρα διαστολής, τα θερμοζεύγη, οι μετατροπείς

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Βασικές έννοιες και τεχνικές Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκριτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 Τι χρειαζόμαστε για να φτιάξουμε

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Post Doc Researcher, Chemist Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά:

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά: Η στιγμιαία ηλεκτρική ισχύς σε οποιοδήποτε σημείο ενός κυκλώματος υπολογίζεται ως το γινόμενο της στιγμιαίας τάσης επί το στιγμιαίο ρεύμα: Σε ένα εναλλασσόμενο σύστημα τάσεων και ρευμάτων θα έχουμε όμως:

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ. Πτυχιακή εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ. Πτυχιακή εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ Πτυχιακή εργασία ΕΠΙΠΤΩΣΕΙΣ ΤΗΣ ΚΑΚΗΣ ΔΙΑΤΡΟΦΗΣ ΣΤΗ ΠΡΟΣΧΟΛΙΚΗ ΗΛΙΚΙΑ ΜΕ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑ ΤΗ ΠΑΧΥΣΑΡΚΙΑ Έλλη Φωτίου 2010364426 Επιβλέπουσα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΤΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 11/6/1966, ΑΤΑΛΑΝΤΗ ΦΘΙΩΤΙΔΟΣ. ΠΑΡΟΥΣΑ ΘΕΣΗ: Τακτικός Καθηγητής στο ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΛΑΜΙΑΣ

ΕΤΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 11/6/1966, ΑΤΑΛΑΝΤΗ ΦΘΙΩΤΙΔΟΣ. ΠΑΡΟΥΣΑ ΘΕΣΗ: Τακτικός Καθηγητής στο ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΛΑΜΙΑΣ Δρ. ΘΕΟΔΩΡΟΣ ΓΚΑΝΕΤΣΟΣ ΠΥΛΟΥ 22, Ν.ΚΗΦΙΣΙΑ ΤΗΛΕΦΩΝΟ: 22310 60140 Kινητό τηλέφωνο: 6945-273390 email : g anetsos@teilam.gr 1. ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΕΤΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 11/6/1966, ΑΤΑΛΑΝΤΗ ΦΘΙΩΤΙΔΟΣ ΠΑΡΟΥΣΑ ΘΕΣΗ:

Διαβάστε περισσότερα

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain)

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) Μηχανικές ιδιότητες υάλων Η ψαθυρότητα των υάλων είναι μια ιδιότητα καλά γνωστή που εύκολα διαπιστώνεται σε σύγκριση με ένα μεταλλικό υλικό. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) E (Young s modulus)=

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Τομέας Ηλεκτρικών Βιομηχανικών Διατάξεων και Συστημάτων Αποφάσεων ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι Σημειώσεις Εργαστηριακών

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ, ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΕΠΙΠΛΩΣΗ ΦΑΡΜΑΚΕΙΩΝ

ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ, ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΕΠΙΠΛΩΣΗ ΦΑΡΜΑΚΕΙΩΝ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ, ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΕΠΙΠΛΩΣΗ ΦΑΡΜΑΚΕΙΩΝ ΤΜΗΜΑ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΥ ΤΜΗΜΑ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ Η ΕΤΑΙΡΕΙΑ Η εταιρεία, δραστηριοποιείται από το 1983, με αντικείμενο την μελέτη, το σχεδιασμό και την επίπλωση καταστημάτων.

Διαβάστε περισσότερα

Τα συστήµατα EUROPA 500. σχεδιάστηκαν για να. δηµιουργούν ανοιγόµενα. κουφώµατα. τέλειας λειτουργικότητας, µε υψηλή αισθητική. και άψογο φινίρισµα.

Τα συστήµατα EUROPA 500. σχεδιάστηκαν για να. δηµιουργούν ανοιγόµενα. κουφώµατα. τέλειας λειτουργικότητας, µε υψηλή αισθητική. και άψογο φινίρισµα. Τα συστήµατα EUROPA 500 σχεδιάστηκαν για να δηµιουργούν ανοιγόµενα κουφώµατα τέλειας λειτουργικότητας, µε υψηλή αισθητική και άψογο φινίρισµα. EUROPA 500 systems are designed in order to create opening

Διαβάστε περισσότερα

Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία

Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Ν. Μπούκος Αυτός ο κόσµος ο µικρός, ο µέγας. Περίγραµµα Εισαγωγή - Κίνητρα Νανοτεχνολογία Σχέση παρασκευής-µικροδοµήςιδιοτήτων

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 3 Το υλικό του

Κεφάλαιο 3 Το υλικό του Κεφάλαιο 3 Το υλικό του ΗΥ 1 3.1 Η αρχιτεκτονική του ΗΥ Υλικό : οτιδήποτε έχει μια υλική - φυσική υπόσταση σε ένα υπολογιστικό σύστημα Αρχιτεκτονική του ΗΥ: η μελέτη της συμπεριφοράς και της δομής του

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Σκοπός Στο δεύτερο κεφάλαιο θα εισαχθεί η έννοια του ηλεκτρικού ρεύματος και της ηλεκτρικής τάσης,θα μελετηθεί ένα ηλεκτρικό κύκλωμα και θα εισαχθεί η έννοια της αντίστασης.

Διαβάστε περισσότερα

DETERMINATION OF THERMAL PERFORMANCE OF GLAZED LIQUID HEATING SOLAR COLLECTORS

DETERMINATION OF THERMAL PERFORMANCE OF GLAZED LIQUID HEATING SOLAR COLLECTORS ΕΘΝΙΚΟ ΚΕΝΤΡΟ ΕΡΕΥΝΑΣ ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ / DEMOKRITOS NATIONAL CENTER FOR SCIENTIFIC RESEARCH ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΟΚΙΜΩΝ ΗΛΙΑΚΩΝ & ΑΛΛΩΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ LABORATORY OF TESTIN SOLAR & OTHER ENERY

Διαβάστε περισσότερα

Λαμπτήρες Μαγνητικής Επαγωγής

Λαμπτήρες Μαγνητικής Επαγωγής Φωτισμός οδοποιίας, πάρκων, πλατειών ΚΡΙΤΗΡΙΑ ΕΠΙΛΟΓΗΣ ΠΛΕΟΝΕΚΤΗΜΑΤΑ-ΜΕΙΟΝΕΚΤΗΜΑΤΑ ΦΩΤΙΣΤΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΜΑΓΝΗΤΙΚΗΣ ΕΠΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ LED Λαμπτήρες Μαγνητικής Επαγωγής Light Emitting Diodes LED Αρχή λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΠΡΟΙΟΝΤΩΝ 2014

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΠΡΟΙΟΝΤΩΝ 2014 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΠΡΟΙΟΝΤΩΝ 2014 e-catalog 2014 e-mail: info@greenled.gr http://www.greenled.gr Βιομηχανικός Φωτισμός Για της εσωτερικές και εξωτερικές, ειδικές, περιπτώσεις μιας αποθήκης, ενός supermarket

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο Βασίλης Γαργανουράκης Φυσική ήγ Γυμνασίου Εισαγωγή Στο προηγούμενο κεφάλαιο μελετήσαμε τις αλληλεπιδράσεις των στατικών (ακίνητων) ηλεκτρικών φορτίων. Σε αυτό το κεφάλαιο

Διαβάστε περισσότερα

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΠΛΗΘΥΣΜΙΑΚΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΟΣ ΑΤΛΑΝΤΑΣ ΤΗ ΚΕΝΤΡΙΚΗΣ ΜΑΚΕΔΟΝΙΑΣ ΜΕ ΒΑΣΗ ΤΟ ΝΕΟ ΣΧ ΔΙΟΙΚΗΤΙΚΗΣ ΔΙΑΙΡΕΣΗΣ ΚΑΛΛΙΚΡΑΤΗΣ

ΠΛΗΘΥΣΜΙΑΚΟΣ ΘΕΜΑΤΙΚΟΣ ΑΤΛΑΝΤΑΣ ΤΗ ΚΕΝΤΡΙΚΗΣ ΜΑΚΕΔΟΝΙΑΣ ΜΕ ΒΑΣΗ ΤΟ ΝΕΟ ΣΧ ΔΙΟΙΚΗΤΙΚΗΣ ΔΙΑΙΡΕΣΗΣ ΚΑΛΛΙΚΡΑΤΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΣΕΡΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΓΕΩΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ & ΤΟΠΟΓΡΑΦΙΑΣ Υπεύθυνη Δήλωση Η παρακάτω υπογράφουσα δηλώνω ότι είμαι συγγραφέα τη παρούσα πτυχιακή εργασία. Κάθε τη, είναι πλήρω αναγνωρισμένη

Διαβάστε περισσότερα

Pantelos Group of Companies

Pantelos Group of Companies Pantelos Group of Companies Company Profile Η εταιρεία «ΤΕΧΝΗ Α.Ε.» ιδρύθηκε στην Ξάνθη, το 1988 µε αντικείµενο τις ηλεκτροστατικές βαφές µετάλλων. Με σταθερά ανοδική πορεία, καταφέρνει να επεκτείνει τις

Διαβάστε περισσότερα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα 5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι ( ΠΥΚΝΩΤΕΣ) Πυκνωτές O πυκνωτής είναι ένα ηλεκτρικό εξάρτημα το οποίο έχει την ιδιότητα να απορροφά και να αποθηκεύει ηλεκτρική ενέργεια και να την απελευθερώνει, σε προκαθορισμένο

Διαβάστε περισσότερα

ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146

ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146 Φωτονικά Υλικά ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146 Τεχνολογίες φωτός σήμερα Το φώς έχει εισχωρήσει προ πολλού στη ζωή μας Ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία Καλύπτει πολύ μεγάλο φάσμα Συστατικά τεχνολογίας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΚΑΠΝΙΣΤΙΚΕΣ ΣΥΝΗΘΕΙΕΣ ΓΟΝΕΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΡΡΟΗ ΤΟΥΣ ΣΤΗΝ ΕΝΑΡΞΗ ΤΟΥ ΚΑΠΝΙΣΜΑΤΟΣ ΣΤΟΥΣ ΕΦΗΒΟΥΣ Ονοματεπώνυμο Φοιτήτριας: Χριστοφόρου Έλενα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥ ΩΝ ΦΥΣΙΚΗ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5 Προσδιορισµός του ύψους του οραικού στρώµατος µε τη διάταξη lidar. Μπαλής

Διαβάστε περισσότερα

Risk! " #$%&'() *!'+,'''## -. / # $

Risk!  #$%&'() *!'+,'''## -. / # $ Risk! " #$%&'(!'+,'''## -. / 0! " # $ +/ #%&''&(+(( &'',$ #-&''&$ #(./0&'',$( ( (! #( &''/$ #$ 3 #4&'',$ #- &'',$ #5&''6(&''&7&'',$ / ( /8 9 :&' " 4; < # $ 3 " ( #$ = = #$ #$ ( 3 - > # $ 3 = = " 3 3, 6?3

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Αγωγιμότητα των μεταλλικών Υλικών

Ηλεκτρική Αγωγιμότητα των μεταλλικών Υλικών Τα αγώγιμα υλικά Ηλεκτρική Αγωγιμότητα των μεταλλικών Υλικών Mακροσκοπικά η ηλεκτρική συμπεριφορά των υλικών είναι: Τα ηλεκτρόνια μπορούν να κινηθούν ελεύθερα στο κρυσταλλικό πλέγμα I=V/R {R=ρL/S, σ=1/ρ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΚΘΕΣΗ ΟΚΙΜΗΣ ΙΕΙΣ ΥΣΗΣ ΒΡΟΧΗΣ RAIN PENETRATION TEST

ΕΚΘΕΣΗ ΟΚΙΜΗΣ ΙΕΙΣ ΥΣΗΣ ΒΡΟΧΗΣ RAIN PENETRATION TEST ΕΘΝΙΚΟ ΚΕΝΤΡΟ ΕΡΕΥΝΑΣ ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ / DEMOKRITOS NATIONAL CENTER FOR SCIENTIFIC RESEARCH ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΟΚΙΜΩΝ ΗΛΙΑΚΩΝ & ΑΛΛΩΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ LABORATORY OF TESTING SOLAR & OTHER ENERGY

Διαβάστε περισσότερα

TFT TV. Τι είναι οι TFT και πως λειτουργούν;

TFT TV. Τι είναι οι TFT και πως λειτουργούν; TFT TV Τι είναι οι TFT και πως λειτουργούν; Η ετυμολογία του όρου TFT (Thin Film Transistor ή τρανζίστορ λεπτού φιλμ) μας παραπέμπει στο δομικό στοιχείο ελέγχου της οθόνης, που είναι το τρανζίστορ. Οι

Διαβάστε περισσότερα

Business English. Ενότητα # 9: Financial Planning. Ευαγγελία Κουτσογιάννη Τμήμα Διοίκησης Επιχειρήσεων

Business English. Ενότητα # 9: Financial Planning. Ευαγγελία Κουτσογιάννη Τμήμα Διοίκησης Επιχειρήσεων ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Business English Ενότητα # 9: Financial Planning Ευαγγελία Κουτσογιάννη Τμήμα Διοίκησης Επιχειρήσεων Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΠΟΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΠΟΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΠΟΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή εργασία Η ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΤΟΥ ΣΥΣΤΗΜΑΤΟΣ HACCP ΣΕ ΜΙΚΡΕΣ ΒΙΟΤΕΧΝΙΕΣ ΓΑΛΑΚΤΟΣ ΣΤΗΝ ΕΠΑΡΧΙΑ ΛΕΜΕΣΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

Επίδραση Μονωτικής Επικάλυψης στη ιηλεκτρική Συµπεριφορά ιάκενων Ακίδας-Πλάκας Υπό Θετικές Κρουστικές Τάσεις

Επίδραση Μονωτικής Επικάλυψης στη ιηλεκτρική Συµπεριφορά ιάκενων Ακίδας-Πλάκας Υπό Θετικές Κρουστικές Τάσεις Επίδραση Μονωτικής Επικάλυψης στη ιηλεκτρική Συµπεριφορά ιάκενων Ακίδας-Πλάκας Υπό Θετικές Κρουστικές Τάσεις Μ. Α. Ζήνωνος Εργαστήριο Υψηλών Τάσεων, Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών,

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥΔΩΝ

ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥΔΩΝ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥΔΩΝ Master of science in Networking and Data Communications Ακαδημαϊκό Έτος 2013-2014 Συνδιοργάνωση Το ΤΕΙ Πειραιά και το πανεπιστήμιο Kingston της Μεγάλης Βρετανίας συνδιοργανώνουν

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης.

Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Αντικείμενο Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Ομογενής πυρηνοποίηση: αυθόρμητος σχηματισμός

Διαβάστε περισσότερα

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6-1 6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6.1. ΙΑ ΟΣΗ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Πολλές βιοµηχανικές εφαρµογές των πολυµερών αφορούν τη διάδοση της θερµότητας µέσα από αυτά ή γύρω από αυτά. Πολλά πολυµερή χρησιµοποιούνται

Διαβάστε περισσότερα

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: Ο ΥΠΟΣΤΗΡΙΚΤΙΚΟΣ ΡΟΛΟΣ ΤΟΥ ΝΟΣΗΛΕΥΤΗ ΣΕ ΓΥΝΑΙΚΕΣ ΜΕ ΚΑΡΚΙΝΟ ΜΑΣΤΟΥ ΠΟΥ ΥΠΟΒΑΛΛΟΝΤΑΙ ΣΕ ΧΗΜΕΙΟΘΕΡΑΠΕΙΑ

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: Ο ΥΠΟΣΤΗΡΙΚΤΙΚΟΣ ΡΟΛΟΣ ΤΟΥ ΝΟΣΗΛΕΥΤΗ ΣΕ ΓΥΝΑΙΚΕΣ ΜΕ ΚΑΡΚΙΝΟ ΜΑΣΤΟΥ ΠΟΥ ΥΠΟΒΑΛΛΟΝΤΑΙ ΣΕ ΧΗΜΕΙΟΘΕΡΑΠΕΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ: ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: Ο ΥΠΟΣΤΗΡΙΚΤΙΚΟΣ ΡΟΛΟΣ ΤΟΥ ΝΟΣΗΛΕΥΤΗ ΣΕ ΓΥΝΑΙΚΕΣ ΜΕ ΚΑΡΚΙΝΟ ΜΑΣΤΟΥ ΠΟΥ ΥΠΟΒΑΛΛΟΝΤΑΙ ΣΕ ΧΗΜΕΙΟΘΕΡΑΠΕΙΑ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

GREECE BULGARIA 6 th JOINT MONITORING

GREECE BULGARIA 6 th JOINT MONITORING GREECE BULGARIA 6 th JOINT MONITORING COMMITTEE BANSKO 26-5-2015 «GREECE BULGARIA» Timeline 02 Future actions of the new GR-BG 20 Programme June 2015: Re - submission of the modified d Programme according

Διαβάστε περισσότερα

Χρήσιμες Πληροφορίες για την Προστασία Φωτοβολταϊκών Εγκαταστάσεων Επί Κτιρίων που Εξυπηρετούν Οικιακούς Καταναλωτές Ηλεκτρικής Ενέργειας

Χρήσιμες Πληροφορίες για την Προστασία Φωτοβολταϊκών Εγκαταστάσεων Επί Κτιρίων που Εξυπηρετούν Οικιακούς Καταναλωτές Ηλεκτρικής Ενέργειας Χρήσιμες Πληροφορίες για την Προστασία Φωτοβολταϊκών Εγκαταστάσεων Επί Κτιρίων που Εξυπηρετούν Οικιακούς Καταναλωτές Ηλεκτρικής Ενέργειας Το ενημερωτικό αυτό έντυπο έχει ετοιμαστεί από το εργαστήριο Συστημάτων

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΕΚΠΟΜΠΩΝ ΑΕΡΙΩΝ ΡΥΠΩΝ ΒΕΝΖΙΝΟΚΙΝΗΤΩΝ ΟΧΗΜΑΤΩΝ ΕΥΤΕΡΟΥ ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2009

ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΕΚΠΟΜΠΩΝ ΑΕΡΙΩΝ ΡΥΠΩΝ ΒΕΝΖΙΝΟΚΙΝΗΤΩΝ ΟΧΗΜΑΤΩΝ ΕΥΤΕΡΟΥ ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2009 ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΕΚΠΟΜΠΩΝ ΑΕΡΙΩΝ ΡΥΠΩΝ ΒΕΝΖΙΝΟΚΙΝΗΤΩΝ ΟΧΗΜΑΤΩΝ ΕΥΤΕΡΟΥ ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2009 *.Βαρθολοµαίος 1,Β.Μπαρλάκας 2,Κ.Βασδέκης 1 1 Εργαστήριο Εφαρµοσµένης Φυσικής, Τµήµα οχηµάτων, ΑΤΕΙΘ 2 Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο

Διαβάστε περισσότερα

Test Data Management in Practice

Test Data Management in Practice Problems, Concepts, and the Swisscom Test Data Organizer Do you have issues with your legal and compliance department because test environments contain sensitive data outsourcing partners must not see?

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθμό το γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ Εισαγωγή Στο κεφάλαιο αυτό θα µιλήσουµε για ενισχυτές µιας βαθµίδας µε διπολικά τρανζίστρ. Σε επόµενα κεφάλαια θα µιλήσουµε για ενισχυτές µε FET, όπως και για ενισχυτές µε

Διαβάστε περισσότερα

ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΜΕ ΑΦΑΙΡΕΣΗ ΥΛΙΚΟΥ

ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΜΕ ΑΦΑΙΡΕΣΗ ΥΛΙΚΟΥ 19 Γ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΜΕ ΑΦΑΙΡΕΣΗ ΥΛΙΚΟΥ 1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ Οι βασικότερες κατεργασίες με αφαίρεση υλικού και οι εργαλειομηχανές στις οποίες γίνονται οι αντίστοιχες κατεργασίες, είναι : Κατεργασία Τόρνευση Φραιζάρισμα

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ Μελέτη φωτισμού συγκροτήματος γραφείων με τεχνολογία LED Επιβλέπων Καθηγητής: Ιωαννίδης Γεώργιος Σπουδαστής: Ζάρδας Δημήτριος Μάιος2014

Διαβάστε περισσότερα

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only. ΑΣΚΗΣΗ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΥΓΡΟΥ

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only. ΑΣΚΗΣΗ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΥΓΡΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 13 ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΥΓΡΟΥ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΒΑΣΙΚΕΣ ΘΕΩΡΗΤΙΚΕΣ ΓΝΩΣΕΙΣ 1.1. Εσωτερική ενέργεια Γνωρίζουμε ότι τα μόρια των αερίων κινούνται άτακτα και προς όλες τις διευθύνσεις με ταχύτητες,

Διαβάστε περισσότερα

Terabyte Technology Ltd

Terabyte Technology Ltd Terabyte Technology Ltd is a Web and Graphic design company in Limassol with dedicated staff who will endeavour to deliver the highest quality of work in our field. We offer a range of services such as

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στις Ηλεκτρικές Μετρήσεις

Εισαγωγή στις Ηλεκτρικές Μετρήσεις Εισαγωγή στις Ηλεκτρικές Μετρήσεις Σφάλματα Μετρήσεων Συμβατικά όργανα μετρήσεων Χαρακτηριστικά μεγέθη οργάνων Παλμογράφος Λέκτορας Σοφία Τσεκερίδου 1 Σφάλματα μετρήσεων Επιτυχημένη μέτρηση Σωστή εκλογή

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ (Τ.Ε.Ι.) ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ CMOS ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI A. ΚΑΝΑΠΙΤΣΑΣ καθηγητής Τ.Ε.Ι.

Διαβάστε περισσότερα

ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ

ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΜΕΤΑΛΛΕΙΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΩΝ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ ΜΕΤΑΦΟΡΑ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΜΑΖΑΣ ΑΓΩΓΗ () Νυμφοδώρα Παπασιώπη Φαινόμενα Μεταφοράς ΙΙ. Μεταφορά Θερμότητας και Μάζας

Διαβάστε περισσότερα