Ύλη ένατου µαθήµατος. Οπτικό µικροσκόπιο, Ηλεκτρονική µικροσκοπία σάρωσης, Ηλεκτρονική µικροσκοπία διέλευσης.

Transcript

1 ιάλεξη 9 η

2 Ύλη ένατου µαθήµατος Οπτικό µικροσκόπιο, Ηλεκτρονική µικροσκοπία σάρωσης, Ηλεκτρονική µικροσκοπία διέλευσης.

3 Μέθοδοι µικροσκοπικής ανάλυσης των υλικών Οπτική µικροσκοπία (Optical microscopy) Μελέτη µορφολογικών χαρακτηριστικών, απλή και φθηνή τεχνική, εύκολη επεξεργασία των αποτελεσµάτων, τυπική µεγέθυνση (x 1000). Ηλεκτρονική µικροσκοπία (Electron microscopy) Μελέτη µορφολογικών χαρακτηριστικών, τυπική µεγέθυνση (x ), υψηλό κόστος.

4 Οπτικό µικροσκόπιο

5 Γενικά Το οπτικό µικροσκόπιο είναι οπτικό σύστηµα για την παρατήρηση αντικειµένων υπό µεγέθυνση, µε τη βοήθεια του φωτός. Η παρατήρηση µπορεί να γίνεται είτε µέσω του ανακλώµενου είτε µέσω του διερχόµενου φωτός από τα προς παρατήρηση αντικείµενα. Το οπτικό µικροσκόπιο χρησιµοποιείται σε µια ευρεία περιοχή εφαρµογών όπως είναι η Χηµεία, η Βιολογία, η Μεταλλουργία, η Επιστήµη των Υλικών κλπ.

6 Είδη οπτικών µικροσκοπίων Το απλούστερο µικροσκόπιο είναι ο απλός µεγεθυντικός φακός, ο οποίος όµως δεν ξεπερνά µια µέγιστη µεγέθυνση της τάξης του είκοσι (x 20) στην καλύτερη περίπτωση. Το σύνθετο µικροσκόπιο είναι ένα οπτικό όργανο που χρησιµοποιείται για την παρατήρηση, υπό µεγέθυνση (µέχρι και x 1000), αντικειµένων που βρίσκονται κοντά στον παρατηρητή.

7 Σύνθετο µικροσκόπιο Αποτελείται από τέσσερα βασικά στοιχεία: Α. Μια πηγή φωτός, Β. Φακούς εστίασης, Γ. Προσοφθάλµιο φακό,. Αντικειµενικούς φακούς.

8 Περιγραφή Το αντικείµενο τοποθετείται πολύ κοντά σε ένα συγκλίνοντα φακό (τον αντικειµενικό φακό) πολύ µικρής εστίασης απόσταση, ο οποίος σχηµατίζει ένα πραγµατικό είδωλο του. Το είδωλο αυτό µεγεθύνεται από έναν άλλο συγκλίνοντα φακό (τον προσοφθάλµιο φακό), ο οποίος σχηµατίζει ένα φανταστικό είδωλο σε µια απόσταση από το µάτι που βρίσκεται ανάµεσα στην ελάχιστη και τη µέγιστη απόσταση ευκρινούς οράσεως. Το µάτι παρατηρεί αυτό το είδωλο. Το µήκος του σωλήνα του µικροσκοπίου έχει συνήθως σταθερό µήκος (τυπικά 160 mm). Έτσι, η εστίαση γίνεται µε µετακίνηση του όλου οπτικού συστήµατος ως προς το παρατηρούµενο αντικείµενο, µέχρι να επιτευχθεί εστίαση για ευκρινή παρατήρηση.

9 Μεγεθυντική ισχύς Η τελική µεγεθυντική ισχύς του µικροσκοπίου είναι MP = M To M Ae µε τυπικές τιµές από x 5 µέχρι x 2500 όπου M To η δηµιουργία ενός πραγµατικού ειδώλου του αντικειµένου, µε µια εγκάρσια µεγέθυνση (objective Transverse Magnification) και M Αe η τελική εικόνα που σχηµατίζει το αντικείµενο µε µια επιπλέον γωνιακή µεγέθυνση (eyepiece Angular Magnification) µε τυπικές τιµές από x 5 µέχρι x 25. Οι µεγεθύνσεις M To και M Ae αναγράφονται από τον κατασκευαστή στα αντίστοιχα στοιχεία του µικροσκοπίου, και µε κατάλληλο συνδυασµό επιτυγχάνεται η επιθυµητή ολική µεγέθυνση.

10 Αριθµητικό άνοιγµα Το αριθµητικό άνοιγµα ορίζεται ως το γινόµενο NA = nsinθ όπου n είναι ο δείκτης διάθλασης του µέσου που παρεµβάλλεται µεταξύ αντικειµένου και αντικειµενικού φακού (για τον αέρα n 1) και θ είναι το µισό γωνιακό άνοιγµα του αντικειµενικού φακού (η κλίση ως προς τον οπτικό άξονα των εξωτερικών ακτίνων που συµµετέχουν στο σχηµατισµό της εικόνας).

11 ιακριτική ικανότητα Η διακριτική ικανότητα R m, ενός οπτικού µικροσκοπίου, που ορίζεται ως η µικρότερη απόσταση δυο σηµείων του αντικειµένου τα οποία είναι διακρίσιµα στην τελική εικόνα, προσδιορίζεται από τα φαινόµενα περίθλασης του αντικειµενικού φακού, και δίνεται από τη σχέση R m =0.61λ/ΝΑ

12 Βάθος πεδίου Μια άλλη σηµαντική παράµετρος κάθε µικροσκοπίου είναι το βάθος πεδίου (DOF = Depth of Field), το οποίο ορίζεται ως η διαµήκης απόσταση στο πεδίο του δείγµατος εντός της οποίας οι λεπτοµέρειες του αντικειµένου απεικονίζονται µε ένα αποδεκτό βαθµό εστίασης. Το βάθος πεδίου συνδέεται µε το µήκος κύµατος λ της ακτινοβολίας φωτισµού, το αριθµητικό άνοιγµα ΝΑ και το δείκτη διάθλασης n του µέσου που παρεµβάλλεται µεταξύ αντικειµενικού φακού και δείγµατος µε τη σχέση DOF = λ 2 n NA 2 NA 2

13 Μεταλλογραφική εξέταση των υλικών ειγµατοληψία (Sampling), Λείανση (Grinding), Λεπτή λείανση ή γυάλισµα (Polishing), ιάβρωση (Etching), Oπτικό µεταλλουργικό µικροσκόπιο.

14 Επίδραση διαβρωτικού στην επιφάνεια των κόκκων ιαφορετική υφή στην επιφάνεια των κόκκων λόγω διαφορετικού προσανατολισµού των κρυστάλλων κάθε κόκκου. Η ποσότητα του ανακλώµενου φωτός που συγκεντρώνεται στον αντικειµενικό φακό του µικροσκοπίου ποικίλει από κόκκο σε κόκκο. ιαφορετική φωτεινότητα των κόκκων

15 Επίδραση παρατεταµένης δράσης διαβρωτικού Σχηµατισµός µικρών αυλακώσεων (groves) κατά µήκος των ορίων των κόκκων. Οι αυλακώσεις είναι διακριτές λόγω της µεγάλης διαφοράς της γωνίας ανάκλασης του φωτός που προσπίπτει στις αυλακώσεις.

16 Ηλεκτρονική µικροσκοπία

17 Ηλεκτρονικό µικροσκόπιο σάρωσης

18 Αναλυτικά Χρησιµοποιεί µια λεπτή δέσµη ηλεκτρονίων (ενέργειας από 0 έως 5 kev), η οποία αφού περάσει από µια ακολουθία δυο ή τριών φακών εστίασης, οι οποίοι είναι συνδυασµένοι µε κατάλληλα διαφράγµατα, καταλήγει να έχει διάµετρο 2 10 nm, η ελάχιστη τιµή της οποίας περιορίζεται από ένα ελάχιστο αποδεκτό ρεύµα της δέσµης ανίχνευσης το οποίο δεν µπορεί να είναι χαµηλότερο από µερικά pα (10-12 Α), για λόγους εξασφάλισης ικανοποιητικού λόγου Σήµα/Θόρυβος. Στη συνέχεια, η λεπτή αυτή δέσµη κατευθύνεται, µε τη βοήθεια ενός πηνίου οδήγησης, έτσι ώστε να σαρώνει µε περιοδικό τρόπο την επιφάνεια του δείγµατος που εξετάζεται εκπέµποντας δευτερογενή ηλεκτρόνια, µε ενέργειες 2 έως 5 ev, όπως επίσης οπισθοσκεδαζόµενα ηλεκτρόνια τα οποία στη συνέχεια ανιχνεύονται. Ανάλογα µε την επιλογή του σήµατος που θα χρησιµοποιηθεί για την αναπαραγωγή της εικόνας αναδεικνύονται διαφορετικά χαρακτηριστικά του δείγµατος, δεδοµένου ότι τόσον η παραγωγή δευτερογενών ηλεκτρονίων όσο και ο συντελεστής οπισθοσκέδασης εξαρτώνται από τις τοπικές τιµές της γωνίας πρόσπτωσης, τον µέσο ατοµικό αριθµό και τον κρυσταλλογραφικό προσανατολισµό.

19 Προετοιµασία δείγµατος Να είναι στεγνά καθώς ο θάλαµος στον οποίο τοποθετείται το δείγµα είναι σε υπερύψηλο κενό, Να έχουν λεία και οµαλή επιφάνεια, Να έχουν µια ικανοποιητική κάλυψη µε µέταλλο σε περίπτωση που τα υλικά δεν είναι αγώγιµα διότι µπορεί να δηµιουργηθεί φόρτιση στην επιφάνεια των δειγµάτων και να µην είναι εφικτό να διακρίνουµε χαρακτηριστικά της µορφολογίας τους.

20 Θάλαµος

21 Παραδείγµατα

22 Πλεονεκτήµατα Έχει υψηλή ανάλυση µε αποτέλεσµα τα χαρακτηριστικά των δειγµάτων να µεγεθύνονται σε αρκετά υψηλά επίπεδα, Έχει µεγάλο βάθος εστίασης µε αποτέλεσµα να εστιάζεται το µεγαλύτερο µέρος του δείγµατος απευθείας.

23 Μειονεκτήµατα Υψηλό κόστος

24 Ηλεκτρονικό µικροσκόπιο διέλευσης Πηγή ηλεκτρονίων Φακοί ηλεκτρονίων Παράθυρο παρατήρησης

25 ιαδικασία µελέτης δείγµατος Ένα λεπτό δείγµα ακτινοβολείται από µια δέσµη ηλεκτρονίων οµοιόµορφης πυκνότητας ρεύµατος. Το δυναµικό επιτάχυνσης σε ένα τυπικό µικροσκόπιο είναι kv. Μικροσκόπια υψηλότερης διακριτικής ικανότητας λειτουργούν µε δυναµικά kv, ενώ τα µικροσκόπια υψηλής τάσης φτάνουν µέχρι τα 3 ΜV. Τα ηλεκτρόνια εκπέµπονται από µια κάθοδο, είτε µε θερµιονική εκποµπή, είτε µε εκποµπή τύπου Schottky, είτε µε εκποµπή πεδίου. Στη συνέχεια, µε τη βοήθεια συγκεντρωτικών µαγνητικών φακών, ελέγχεται η περιοχή που φωτίζεται καθώς και η εστίαση της δέσµης. Μετά το δείγµα τα ηλεκτρόνια οδηγούνται, µε τη βοήθεια συγκεντρωτικών φακών (επίσης µαγνητικού τύπου), σε µια φθορίζουσα οθόνη. Επειδή τα ηλεκτρόνια υφίστανται ισχυρή ελαστική και µη ελαστική σκέδαση από τα άτοµα του δείγµατος, για τούτο και το δείγµα πρέπει να είναι αρκούντως λεπτό, ανάλογα, βέβαια, και µε την πυκνότητα και τη στοιχειακή σύνθεση του (π.χ nm για ηλεκτρόνια 100 kv).

26 Αναλυτικά Στο επάνω µέρος µιας στήλης κενού, υπάρχει η πηγή των ηλεκτρονίων, το οποίο είναι ένα θερµαινόµενο νήµα βολφραµίου. Η εκπεµπόµενη δέσµη ηλεκτρονίων επιταχύνεται µε τη βοήθεια ηλεκτροδίων που βρίσκονται σε υψηλή τάση (kv MV). Ακολουθούν συνήθως δυο συγκεντρωτικοί φακοί µαγνητικού τύπου µε τη βοήθεια των οποίων εστιάζεται η δέσµη ηλεκτρονίων. Οι µαγνητικοί φακοί είναι ηλεκτροµαγνητικά πηνία τοποθετηµένα έτσι ώστε η δέσµη ηλεκτρονίων να περνά κατά µήκος του άξονα τους. Στη περιοχή των µαγνητικών φακών το κενό είναι της τάξης του 10-7 έως 10-4 mbar, έτσι ώστε να ελαχιστοποιούνται οι συγκρούσεις των ηλεκτρονίων µε τα µόρια του αέρα. Οι συγκεντρωτικοί φακοί προκαλούν εστίαση της δέσµης ηλεκτρονίων, σε µια περιοχή διαστάσεων ολίγων τετραγωνικών µικροµέτρων στο επίπεδο που βρίσκεται το αντικείµενο, Το δείγµα εισάγεται στον θάλαµο του µικροσκοπίου µέσω ειδικής θυρίδας που εξασφαλίζει τη διατήρηση του κενού, Τα ηλεκτρόνια διέρχονται από το δείγµα σε διαφορετικές γωνίες ανάλογα µε τα κρυσταλλικά επίπεδα της κάθε περιοχής του.

27 Προετοιµασία δείγµατος Λεία και οµαλή επιφάνεια, Μικρό πάχος δειγµάτων (<10-6 m) (εξασθένηση δέσµης), Προσεκτική προετοιµασία δειγµάτων (χηµικές ή ηλεκτρονικές µεθόδους).

28 Παραδείγµατα

29 Σύγκριση τεχνικών ηλεκτρονικής µικροσκοπίας Στην SEM µελετώνται τα οπισθοσκεδαζόµενα και τα δευτερογενή ηλεκτρόνια, ενώ στην ΤΕΜ το ποσό των ηλεκτρονίων που διαπερνούν το δείγµα πάνω στην οθόνη φθορισµού. Η SEM χρησιµοποιείται για τη µελέτη της επιφάνειας ή της ατοµικής σύστασης της. Στη περίπτωση αυτή χρειάζεται η επικάλυψη της επιφάνειας µε ένα µέταλλο όπως ο χρυσός, ενώ η TEM απαιτεί πολύ λεπτά δείγµατα (περίπου 70 nm πάχος) ή πολύ µικρές δοµές για την εύρεση της κρυσταλλογραφικής διεύθυνσης των δοµών και την µελέτη της επιφάνειας τους.