Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

Σχετικά έγγραφα
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (5 η σειρά διαφανειών)

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 6ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)

.Λιούπης Μ.Στεφανιδάκης

.Λιούπης. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Ακεραιότητα Ψηφιακού Σήµατος 1

Ενότητα 3 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 1ο.. Λιούπης

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

10. Χαρακτηριστικά στοιχεία λογικών κυκλωμάτων

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (3 ο σειρά διαφανειών)

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

Εργασία στα πλαίσια του εργαστηρίου των Ευφυών Συστηµάτων Ελέγχου. Μελέτη και κατασκευή διάταξης ελέγχου ταχύτητας αυτοκινούµενου οχήµατος.

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr)

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

1) Ταχύτητα. (Χρόνος καθυστερήσεως της διαδόσεως propagation delay Tpd ). Σχήμα 11.1β Σχήμα 11.1γ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Κεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Φροντιστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ECL (Emitter Coupled Logic) Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα και Συστήματα 2008 ΚαθηγητήςΚωνσταντίνοςΕυσταθίου

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

1.1 Θεωρητική εισαγωγή

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ. ίοδος zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου Zener

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας

Κεφάλαιο Τρία: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

και συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του

HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ. e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ


Transcript:

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 3ο. Λιούπης

Χαρακτηριστική καµπύλη µεταφοράς τάσης TTL V out (volts) εγγυηµένη περιοχή V OH V OH(min) V OL(max) 2.4 Ηκαµπύλη µεταφοράς εξαρτάται από τη θερµοκρασία περιβάλλοντος µη επιτρεπόµενη περιοχή λειτουργίας εγγυηµένη περιοχή V OL 0.4 επιτρεπόµενη περιοχή V IL 0.8 2.0 V IL(max) V IH(min) V in (volts) επιτρεπόµενη περιοχή V IH

Οδηγητική ικανότητα πύλης TTL V CC =5V T3 V CC =5V R C4 130Ω T 4 Vo=LOW D ΙOL Ι OH V o =HIGH Ι ΙΗ Ι IL R B Μία πύλη TTL όταν η έξοδος βρίσκεται σε χαµηλή λογική στάθµη, καταβυθίζει (sink) ρεύµα από τις εισόδους των πυλών που οδηγεί, µέσω του Τ 3 το οποίο είναι σε κορεσµό όταν η έξοδος βρίσκεται σευψηλήλογικήστάθµη, παρέχει (source) ρεύµα προς τις εισόδους των πυλών που οδηγεί, µέσω των R C4, T 4 και D.

Χαρακτηριστική καµπύλη εξόδου V OL -I OL V OL (volts) τυπικό V OL έγκυρο V OL I OL (ma)

Χαρακτηριστική καµπύλη εξόδου V OH -I OH V OH (volts) τυπικό V OH έγκυρο V OH -I OH (ma)

Παράλληλη σύνδεση εισόδων N x Ι IH V in =HIGH Ι IL V in =LOW R B Όταν περισσότερες από µία είσοδοι του transistor πολλαπλού εκποµπού µιας πύλης TTL συνδέονται µαζί αν V in =HIGH, το συνολικό ρεύµα I IH είναι ανάλογο του αριθµού των εισόδων που είναι συνδεδεµένες µαζί (n I IH ) αν V in =LOW, το συνολικό ρεύµα I IL ρυθµίζεται από την αντίσταση R B και δεν εξαρτάται από τον αριθµό των εισόδων

Καθυστέρηση διάδοσης πύλης TTL Η καθυστέρηση διάδοσης του σήµατος από την είσοδο στην έξοδο προσδιορίζει την ταχύτητα λειτουργίας Για τα κυκλώµατα standard TTL η καθυστέρηση διάδοσης µετράται όταν το σήµα εισόδου και εξόδου έχει την τιµή 1.5V Ισχύει ότι t PLH >t PHL, διότι όταν V out =LOW, το Τ 3 εισέρχεται βαθιά στην περιοχή κορεσµού αργεί περισσότερο να επιστρέψει στην αποκοπή όταν γίνει V out =HIGH

Παράδειγµα Για µία πύλη standard TTL NAND (7400) τυπικές τιµές καθυστέρησης διάδοσης του σήµατος είναι t PHL =7ns και t PLH =11ns, µε τάση τροφοδοσίας V CC =5V, θερµοκρασία περιβάλλοντος T A =25 o C και χωρητικότητα φορτίου εξόδου C L =15pF. Για τον υπολογισµό µίας µέσης τιµής καθυστέρησης διάδοσης (t PD ) χρησιµοποιείται η σχέση: t PHL + t PLH 7 + 11 t PD = = = 9 ns 2 2 Αντίστοιχα η µέγιστη συχνότητα λειτουργίας της πύλης για ένα πλήρη 1 1 κύκλο L-H-L δίνεται από τη σχέση: f = = MHz MAX t + t 7 + 11 55 PHL PLH Όταν V CC καθυστέρηση διάδοσης Όταν C L καθυστέρηση διάδοσης Όταν T A t PD µικρές αποκλίσεις θετικές ή αρνητικές ανάλογα µε τις κατασκευαστικές παραµέτρους της πύλης

Κατανάλωση ισχύος πύλης TTL (1) Η στατική κατανάλωση ισχύος P (όσο οι έξοδοι διατηρούνται σταθερές) εξαρτάται από το ρεύµα τροφοδοσίας I CC και δίνεται από τον τύπο: P = V CC I Για κάθε ολοκληρωµένο δίνονται δύο τιµές ρεύµατος τροφοδοσίας, I CCH και I CCL, ανάλογα µε το αν η έξοδος είναι HIGH ή LOW αντίστοιχα. Το I CCH είναι 2-3 φορές µικρότερο από το I CCL π.χ. για µία NAND 7400 δίνονται I CCH(max) =8mA και I CCL(max) =22mA CC

Κατανάλωση ισχύος πύλης TTL (2) Αν οι έξοδοι εναλλάσσουν λογικές στάθµες, υπολογίζεται η µέση κατανάλωση ισχύος, χρησιµοποιώντας τη µέση τιµή τουi CC. Έτσι η µέση τιµή I CC(av) δίνεται από τα I CCH και I CCL από τον τύπο: I CC( av) = r I + (1 r) CCH I CCL r :ο λόγος του χρόνου κατά τον οποίο οι έξοδοι είναι HIGH προς το χρόνο κατά τον οποίο είναι LOW (duty cycle)

Κατανάλωση ισχύος πύλης TTL (3) Ηδυναµική κατανάλωση ισχύος οφείλεται στις αιχµές ρεύµατος που δηµιουργούνται κατά την αλλαγή κατάστασης των εξόδων. Είναι ανάλογη της συχνότητας λειτουργίας Μέχρι στο 1MHz υπερισχύει η στατική κατανάλωση ισχύος. Για µεγαλύτερες συχνότητες εµφανίζεται η δυναµική κατανάλωση ισχύος, η οποία πάνω από τα 10MHz υπερισχύει της στατικής, διπλασιάζοντας ή τριπλασιάζοντας τη συνολική.

Πύλη TTL AND Ίδια µε NAND µε µία επιπλέον βαθµίδα αντιστροφής Οι δίοδοι στις εισόδους προστατεύουν από αρνητικές αιχµές τάσης που προκαλούνται κατά την αλλαγή της στάθµης του σήµατος από HIGH σε LOW

Πύλη TTL NOR Τ 1Α Τ 1Β Τ 2Β Τ 2Α Αποτελείται από δύο παράλληλα τµήµατα, µε καθένα να περιλαµβάνει το βασικό κύκλωµα εισόδου και οδήγησης Αντίθετα, το κύκλωµα εξόδου totem-pole είναι κοινό.

Πύλη TTL µε έξοδο ανοιχτού συλλέκτη Αντί για κλασσική έξοδο totem-pole έχει εξωτερική αντικατασταθεί το R PULLUP transistor ανύψωσης δυναµικού µε µία εξωτερική αντίσταση R PULLUP προς το V CC Επιτρέπεται η σύνδεση της πύλης σε σχήµατα καλωδιωµένης λογικής (wired-and)

Πύλη TTL µε έξοδο τριών καταστάσεων Τ 5 Τ 4 Τ 1 Τ 2 Τ 3 G=HIGH στην έξοδο περνάει η είσοδος Α G=LOW Τ 4,Τ 5 : σε αποκοπή & Τ 1 : στον κόρο Τ 2,Τ 3 : σε αποκοπή η έξοδος δεν οδηγείται ούτε στο V CC ούτε στο GND

Λογικές οικογένειες TTL Σειρά 74H µε σχεδόν διπλάσια ταχύτητα από τα standard TTL (74xx), αλλά και διπλάσια κατανάλωση ισχύος Σειρά 74L µε κατανάλωση ισχύος µόλις 10%, αλλά µόνο µε το25% της ταχύτητας των standard TTL Η διαφορά επιτυγχάνεται µε επιλογή µεγαλύτερων τιµών αντιστάσεων για µειωµένη κατανάλωση ισχύος επιλογή µικρότερων τιµών αντιστάσεων για αύξηση της ταχύτητας

Λογικές πύλες Schottky TTL (74S) Εισήχθησαν το 1970 Χρησιµοποιούν διόδους Schottky Τάση ορθής πόλωσης στα 0.4-0.5V Πιο γρήγορη απόκριση, γιατί δε διαθέτει χρόνο αποθήκευσης φορτίου (storage time) Χρησιµοποιούν transistor Schottky Μια δίοδος Schottky στην επαφή βάσης-συλλέκτη τα εµποδίζει να µπουν στην περιοχή κορεσµού Πολύ γρήγορες µεταβάσεις, λόγω της µη εισόδου σε κορεσµό

Κατασκευή Schottky transistor Schottky diode junction SiO 2 C E B Platinum n p base n collector p + substrate

Πύλη Schottky TTL Τ 5 Τ 4 µε κύκλωµα ενεργού pulldown Vout µε αντίσταση pulldown Vin Τ 6

Λογικές πύλες LS TTL (74LS) Low-power Schottky, εισήχθησαν το 1975 Αντικατέστησαν το transistor πολλαπλών εκποµπών µε διακριτές διόδους, διότι Η τεχνολογία κατασκευής 6µm επέτρεψε την κατασκευή διόδων µε µικρότερες διαστάσεις από το transistor πολλαπλών εκποµπών µείωση παρασιτικών χωρητικοτήτων αύξηση ταχύτητας λειτουργίας Αφού το transistor οδήγησης τύπου Schottky δεν εισέρχεται ποτέ στον κόρο, δεν απαιτείται πλέον γρήγορη αποµάκρυνση του φορτίου της βάσης

Πύλη LS TTL D 1 D2 D 3 D 4 Οι πύλες LS TTL είχαν ίδια ταχύτητα λειτουργίας µε τις standard TTL, αλλά µόλις το 1/5 της κατανάλωσης ισχύος ιδανικές για σχεδιάσεις συστηµάτων ειδικού σκοπού

Προηγµένες πύλες TTL Εµφανίστηκαν τη δεκαετία του 80 και βελτίωναν τις επιδόσεις µε πρόσθετα κυκλώµατα και 3µm τεχνολογία κατασκευής 74AS (advanced Schottky): εξέλιξη της 74S 74ALS (advanced low-power Schottky): εξέλιξη της 74LS, το χαµηλότερο γινόµενο καθυστέρησης-ισχύος, βελτιωµένη ικανότητα οδήγησης 74F (fast TTL): επιδόσεις και κατανάλωση ισχύος µεταξύ των 74AS και 74ALS

Τυπικά χαρακτηριστικά µεγέθη τωνδιαφόρωνοικογενειώνttl οικογένεια TTL 74 L H LS S ALS AS F καθυστέρηση διάδοσης(ns) C L =15pF 9 33 6 9.5 3 4 1.7 2.5 κατανάλωση ισχύος (mw) ανά πύλη 10 1 23 2 20 1.2 8 4 fanout 10 20 10 20 20 20 40 10