Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Σχετικά έγγραφα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 5

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 1

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 7

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 3

Πόλωση των Τρανζίστορ

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 6

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

Το διπολικό τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης


ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 8

του διπολικού τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Τελεστικοί Ενισχυτές

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

ΜΑΘΗΜΑ: Ηλεκτρονικά Ισχύος

και Ac είναι οι απολαβές διαφορικού και κοινού τρόπου του ενισχυτή αντίστοιχα.

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 3 Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ-ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Εργαστήριο Ηλεκτροτεχνικών Εφαρμογών

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

και συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Διαφορικοί Ενισχυτές

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙII. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 2

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρικές Μηχανές ΙΙ Εργαστήριο

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Transcript:

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015

Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons. Για εκπαιδευτικό υλικό, όπως εικόνες, που υπόκειται σε άλλου τύπου άδειας χρήσης, η άδεια χρήσης αναφέρεται ρητώς. Χρηματοδότηση Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό έχει αναπτυχθεί στα πλαίσια του εκπαιδευτικού έργου του διδάσκοντα. Το έργο «Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα στο Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης» έχει χρηματοδοτήσει μόνο τη αναδιαμόρφωση του εκπαιδευτικού υλικού. Το έργο υλοποιείται στο πλαίσιο του Επιχειρησιακού Προγράμματος «Εκπαίδευση και Δια Βίου Μάθηση» και συγχρηματοδοτείται από την Ευρωπαϊκή Ένωση (Ευρωπαϊκό Κοινωνικό Ταμείο) και από εθνικούς πόρους.

Ηλεκτρονική Ι Ασκήσεις Περιεχόμενα Άδειες Χρήσης... 2 Χρηματοδότηση... 2 Ενότητα 1η: Ασκήσεις διόδων... 4 Ενότητες 2, 3, 4, 8: Ασκήσεις μονοπολικών τρανζίστορ (ΜΟS)... 6 Ενότητες 5, 6, 7, 8: Ασκήσεις διπολικών τρανζίστορ... 9 3

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Ενότητα 1η: Ασκήσεις διόδων Εκφώνηση άσκησης 1: Στο κύκλωμα του σχήματος 1α οι δίοδοι έχουν χαρακτηριστική I-V όπως στο σχήμα 1β και είναι 1= 2= 3=10 kω, Vcc= 10V, Vee= 10V. Να σχεδιαστεί η συνάρτηση μεταφοράς Vοut= f(vin) καθώς και η Iin= f(vin) για τιμές 10V Vin 10V. Vcc Ι 1 D3 V1 1 D1 Σχήμα 1 Vin Ιin D4 V2 Ι 2 D2 2 Vee Ι 3 Vout 3 (α) i D ma 0 0,7 υ D V (β) Έστω ότι αρχικά η Vin είναι 0 V. Θεωρώντας ότι οι δίοδοι άγουν, η τάση V1 θα είναι 0.7 V ενώ η V2 θα είναι -0.7 V. H έξοδος επομένως θα είναι στα 0 V και το ρεύμα της 3 θα είναι μηδενικό. Το Ι1 θα είναι (10-0.7)/10 = 9.3 ma όπως και το ρεύμα Ι2 : (10-0.7)/10 = 9.3 ma. Έτσι προκύπτει ότι το ρεύμα Ιin = 0 ma. Για Vin = 1 V θα είναι V1 = 1.7 V, οπότε η Vout= 1 V και I3=0.1 ma. Η τάση V2 θα είναι 0.3 V. Το Ι1 θα είναι (10-1.7)/10 = 0.83 ma και το ρεύμα Ι2 : (10+0.3)/10 = 1.03 ma. Τώρα για τα ρεύματα ισχύει: Ιin + Ι1 = Ι2 + I3 Ιin = 1.03+0.1-0.83=0.3 ma. Παρατηρούμε ότι η έξοδος ακολουθεί την είσοδο, ενώ το ρεύμα που χρειάζεται η έξοδος προκύπτει προφανώς από την θετική τροφοδοσία. Το ρεύμα εισόδου πρακτικά καλύπτει την προκύπτουσα διαφορά μεταξύ Ι1 και Ι2 συν το ρεύμα εξόδου. Η λειτουργία αυτή μπορεί να συνεχιστεί για θετικές τιμές τάσης εισόδου που επιτρέπουν την ορθή λειτουργία και των 4 διόδων. Η μέγιστη τιμή τάσης εξόδου που να επιτρέπει την ορθή πόλωση της D1 στο κύκλωμα Vcc-1-D1-3-GND (GND=γείωση) είναι ίση με [(Vcc-0.7)/(10+10kΩ)]*3 = (9.3/20)10 =4.65 V. Άρα αυτή είναι και η μέγιστη τιμή τάσης εισόδου για την οποία η έξοδος ακολουθεί την είσοδο. Για μεγαλύτερες τιμές εισόδου οι δίοδοι D3 και D2 έχουν μηδενικό ρεύμα ή πολώνονται ανάστροφα, οπότε η έξοδος παραμένει στην τιμή των 4.65 V ανεξάρτητα από την τιμή εισόδου. Πρακτικά, το τμήμα κυκλώματος 1, D1, 3 γίνεται ανεξάρτητο από το Vin, D4, 2. 4

Ηλεκτρονική Ι Ασκήσεις Για Vin = 4.65 V θα είναι: V1 = 5.35 V, V2 = 3.95 V, Ι1 = (10-5.35)/10 = 0.465 ma, Ι2 : (10+3.95)/10 = 1.395 ma, I3=0.465 ma, οπότε τo ρεύμα εισόδου είναι Ιin = 1.395+0.465-0.465=1.395mA. Για Vin = 10 V θα είναι: V1 = 5.35 V, V2 = 9.3 V, Ι1 = (10-5.35)/10 = 0.465 ma, Ι2 : (10+9.3)/10 = 1.93 ma, I3=0.465 ma, οπότε τώρα τo ρεύμα εισόδου είναι Ιin = Ι2 =1.93mA, αφού όπως είδαμε το τμήμα κυκλώματος 1, D1, 3 είναι ανεξάρτητο από το Vin, D4, 2. Για αρνητικές τιμές της Vin ισχύουν αντίστοιχοι αριθμητικοί υπολογισμοί, δεδομένου ότι τώρα η ελάχιστη αρνητική τιμή τάσης εισόδου για την οποία η έξοδος ακολουθεί την είσοδο είναι (από το κύκλωμα GND-3-D2-2-Vee): [(Vee+0.7)/(10+10kΩ)]*3 = (-9.3/20)10 = -4.65 V. Για μικρότερες τιμές εισόδου οι δίοδοι D1 και D4 έχουν μηδενικό ρεύμα ή πολώνονται ανάστροφα, οπότε η έξοδος παραμένει στην τιμή των -4.65 V, ανεξάρτητα από την τιμή εισόδου. Πρακτικά, το τμήμα του κυκλώματος 2, D2, 3 είναι τώρα ανεξάρτητο από το Vin, D3, 1. Μετά από την παραπάνω ανάλυση προκύπτουν τα ζητούμενα διαγράμματα Vοut= f(vin) και Iin= f(vin) για τιμές 10V Vin 10V. Εκφώνηση άσκησης 2: Στο κύκλωμα του σχήματος οι δίοδοι έχουν εκθετική χαρακτηριστική ρεύματος τάσης (id υd), n=2 και VD = 0.7 V περίπου. Επίσης είναι = 500 Ω και Vin= 8V. Να βρεθεί η επί τοις εκατό μεταβολή της ονομαστικής τιμής εξόδου Vo = 2.1 V όταν: 1) η τάση τροφοδοσίας μεταβάλλεται κατά 10%, ή 2) αν συνδεθεί αντίσταση φορτίου L= 2 kω στην έξοδο. Να σχολιαστεί η ακρίβεια των αποτελεσμάτων και η πιθανή βελτίωσή τους. 5

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Vo Vin L H δυναμική αντίσταση της διόδου είναι: r d dv di D nv I D T όπου η θερμική τάση VT είναι 26 mv (για Τ= 300 0 Κ). Το ρεύμα ID θα είναι (8-2.1)/0.5= 11.8 ma και επομένως η δυναμική αντίσταση κάθε διόδου είναι: 52mV/11.8mA= 4.4 Ω. 1) Η μεταβολή της εξόδου ΔVo για μεταβολή της τάσης εισόδου ΔVin θα είναι: ΔVo= ΔVin (3rd / (3rd+)) = 0.1 (13.2/513.2) = 0.0026 ή 0.26% Δηλαδή για μεταβολή της τάσης τροφοδοσίας κατά 10%, η ονομαστική τιμή τάσης εξόδου Vo μεταβάλλεται κατά 0.26%. 2) Η μεταβολή της εξόδου ΔVo όταν συνδέεται φορτίο L= 2 kω στην έξοδο οφείλεται στην μείωση του ρεύματος πόλωσης των διόδων κατά το ρεύμα του φορτίου που είναι 2.1/2 =1.05 ma. Έτσι, είναι: ΔVo= 3rd *ΔΙD =13.2*1.05 = 13.86 mv, οπότε η επί τοις εκατό μεταβολή της ονομαστικής τιμής εξόδου Vo = 2.1 V θα είναι 13.86/2100= 0.0066 ή 0.66%. Σε κάθε περίπτωση έχει υποτεθεί ότι η δυναμική αντίσταση της διόδου παραμένει η ίδια μετά την εφαρμογή της μεταβολής. Αυτό βεβαίως δεν είναι απολύτως ακριβές και ακριβέστερες λύσεις μπορούν να βρεθούν με επανάληψη όλων των υπολογισμών για τις νέες τιμές δυναμικής αντίστασης μετά την εφαρμογή της μεταβολής. Ενότητες 2, 3, 4, 8: Ασκήσεις μονοπολικών τρανζίστορ (ΜΟS) Εκφώνηση άσκησης 1: Στο κύκλωμα του σχήματος τα τρανζίστορ έχουν k'n= 2.5k'p = 250μA/V 2, Vt = 0.6 V, VΑ = 10 V. Nα βρεθεί η τιμή του ρεύματος IEF και του λόγου (W/L)1 που επιτυγχάνει κέρδος τάσης 6

Ηλεκτρονική Ι Ασκήσεις -40 και αντίσταση εξόδου o=100 kω. Αν θεωρηθεί ότι τα τρανζίστορ Q2 και Q3 έχουν την ίδια τάση υπεροδήγησης με το Q1, να βρεθούν οι απαιτούμενοι λόγοι (W/L)2 και (W/L)3. Τα τρανζίστορ Q2 και Q3 του ενεργού φορτίου θεωρούνται ταιριασμένα. Από την αντίσταση εξόδου o=100 kω θα υπολογιστεί το ρεύμα ID1 = ID2. Ισχύει ότι: o= ro1//ro2 = (10/ ID1) // (10/ ID2) 10/ ID1=200 kω ID1= 0.05 ma = ID2. Επομένως και το IEF είναι IEF = 0.05 ma. Από το κέρδος -40 θα υπολογιστεί η διαγωγιμότητα gm του Q1: Αυ=- gm (ro1//ro2) gm1 = 40/100 = 0.4 ma/v. Στη συνέχεια θα υπολογιστεί η τάση υπεροδήγησης VOV1 και μετά ο λόγος (W/L)1. gm1 = 2 ID1/ VOV1 VOV1 = 0.1/ 0.4 = 0.25 V gm1 = k'n (W/L)1 VOV1 (W/L)1 = 0.4 /(0.25*0.25) = 6.4 Θεωρώντας ότι VOV2 = VOV3 = VOV1 = 0.25 V, θα είναι και gm1 = gm2 = gm3, οπότε προκύπτει: gm2 = k'p (W/L)1 VOV2 (W/L)2 = 0.4 /(0.1*0.25) = 16 και αφού είναι ταιριασμένα θα είναι και (W/L)3 = 16. Εκφώνηση άσκησης 2: α) Στον ενισχυτή του σχήματος το τρανζίστορ nmos έχει Vt = 0.5V, k = 2 ma/v 2 [k = k'(w/l) = μn Cox (W/L)] και VA= -20 V. Αγνοώντας το dc ρεύμα στην αντίσταση ανάδρασης και την επίδραση της ro, να βρεθεί η τάση VGS. Στη συνέχεια να βρεθεί το dc ρεύμα στην αντίσταση ανάδρασης και η τάση VDS και να επαληθευτεί αν καλώς αγνοήθηκε. β) Να βρεθεί το κέρδος τάσης υο/υi. Ποια είναι η μέγιστη τιμή της υο (ως πλάτος ημιτονικού σήματος) ώστε το τρανζίστορ να μένει στον κορεσμό; Ποια είναι η αντίστοιχη μέγιστη υi; 7

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Αγνοώντας το dc ρεύμα στην αντίσταση ανάδρασης F θα ισχύει: ID= (1/2)kn(VOV) 2 (VOV) 2 = 2*0.2/2 = 0.2 V VOV = 0.45 V. VOV = VGS Vt VGS= 045 + 0.5 = 0.95 V. Άρα VGS= VG= 0.95 V Ιανάδρασης= 0.95/2000 = 0.48 μα << 200 μα, οπότε καλώς αγνοήθηκε. VDS= 0.48 μα * (3+2 MΩ) = 2.4 V. β) Θεωρώντας το π-ισοδύναμο μικρού σήματος με την αντίσταση ro, θα ισχύει στον κόμβο εξόδου: υο/ ro + gm υgs + (υο-υi)/f = 0 και υgs = υi οπότε λύνοντας ως προς τον λόγο υο/υi προκύπτει: υο/υi = (1/F gm) / (1/F+1/ ro) Είναι gm= 2 ID/ VOV gm= 2*0.2/0.45 = 0.89 ma/v και ro = VA/ID = 100 kω, οπότε: υο/υi = (1/3000 0.89) / (1/3000+1/ 100) = 86.1 V/V. VDSmin = VGS Vt = VOV = 0.45 V. Mε δεδομένο το VDS= 2.4 V, το μεγαλύτερο πλάτος σήματος στην έξοδο ώστε το τρανζίστορ να παραμένει στον κορεσμό είναι 2.4 0.45 = 1.95 V. Το αντίστοιχο πλάτος σήματος εισόδου είναι 1.95 / 86.1 = 0.023 V = 23 mv. Εκφώνηση άσκησης 3: Στο κύκλωμα του σχήματος είναι VDD= VSS= 5 V, Ib=0.48 ma, τα τρανζίστορ είναι ίδια και έχουν kp = 150μA/V 2, Vt = 0.8 V. Nα βρεθεί το σημείο λειτουργίας (VDS, VGS) του κάθε τρανζίστορ καθώς και η τάση εξόδου VOUT. 8

Ηλεκτρονική Ι Ασκήσεις Τα τρανζίστορ είναι τύπου p-mos πύκνωσης, οπότε πρέπει VDS< 0, VGS< 0 και Vt< 0. Το τρανζίστορ Q2 λειτουργεί στην περιοχή μετά τον κορεσμό, αφού έχει βραχυκυκλωμένη την εκροή με την πύλη και υπάρχει ρεύμα ΙD. (Είναι VDS= VGS, οπότε ισχύει υποχρεωτικά VDS < VGS Vt.) Από την σχέση ID= (1/2) kp (VGS2 Vt) 2 προκύπτει: VGS2 = Vt ± (2 ID / kp) = 0.8 ± (6.4). Αφού πρέπει VGS< 0, η αποδεκτή λύση είναι η VGS2= VDS2= 3.33 V. Για το τρανζίστορ Q1 ισχύει VGS1= 5 V, οπότε αν λειτουργεί στην περιοχή μετά τον κορεσμό, θα είναι ID1=(1/2) kp (VGS1 Vt) 2 = 1.323 ma, τιμή που δεν συμφωνεί με την τιμή Ib=0.48 ma. Άρα το Q1 είναι στην περιοχή πριν τον κορεσμό (τριοδική ή ωμική), οπότε ισχύει η σχέση: ID= kp [(VGS1 Vt) VDS1 (1/2)VDS1 2 ] που είναι δευτέρου βαθμού ως προς VDS1 και έχει λύσεις 7.55 και 0.85V. Η πρώτη απορρίπτεται, αφού σε σειρά με την VDS2= 3.33 V ξεπερνάει την τροφοδοσία (VDD VSS= 10 V). Έτσι το σημείο λειτουργίας του Q1 (VDS1, VGS1) είναι ( 0.85V, 5V). Η τάση VOUT είναι: VOUT = VDD VSD1 VSG2 = 5 0.85 3.33 = 0.82 V. Ενότητες 5, 6, 7, 8: Ασκήσεις διπολικών τρανζίστορ Εκφώνηση άσκησης 1: Στο κύκλωμα του σχήματος το τρανζίστορ είναι πυριτίου με n=1, VBE= 0.7 Volt, β= 40 ως 200, τιμές αντιστάσεων όπως δίνονται στο σχήμα, Vcc=9V και Cin, Cout. Για αυτή την διασπορά των τιμών του β να βρεθούν τα όρια μεταβολής τιμών των: ΙΕ, VE, VB, αντίστασης εισόδου in και κέρδους τάσης υο/υsig. 9

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Από το κύκλωμα βάσης-εκπομπού προκύπτει: ΙΕ= (9 0.7) / [1+100/(β+1)] οπότε: Για β= 40 θα είναι ΙΕ= 8.3 / (1+100/41) = 2.41 ma, VE=1*2.41 = 2.41 V, VB=2.41+0.7 = 3.11V. Για β= 200 θα είναι ΙΕ= 8.3 / (1+100/201) = 5.54 ma, VE=1*5.54 = 5.54 V, VB=5.54 +0.7 = 6.24V. H αντίσταση εισόδου in είναι: in= 100kΩ // rin = 100kΩ // [(β+1) (rd + Ε //L )], όπου rd = nvt/ie και VT=25 mv. Για β= 40 θα είναι rd = nvt/ie =25/2.41 = 10.37 Ω, in= 100x10 3 Ω // [41 (10.37 + 500 )]= 17.3 kω. Για β= 200 θα είναι rd = nvt/ie =25/5.54= 4.51 Ω, in= 100x10 3 Ω // [41 (4.51 + 500 )]= 50.3 kω. Το κέρδος τάσης βαθμίδας κοινού συλλέκτη είναι Aυ (E // L) / [ rd + (E // L) ], οπότε λαμβάνοντας υπόψη και την προσαρμογή εισόδου, θα είναι: υο/υsig= [in / ( in+ sig )] [(E // L) / [ rd + (E // L) ]]. Για β= 40 θα είναι υο/υsig= [17.3/(17.3+10)][0.5/(0.01037+0.5)] = 0.621 V/V. Για β= 200 θα είναι υο/υsig= [50.3/(50.3+10)][0.5/(0.00451+0.5)] = 0.827 V/V. 10

Ηλεκτρονική Ι Ασκήσεις Εκφώνηση άσκησης 2: Στον ενισχυτή του σχήματος με c = 4.5 kω, L= 1 kω και E= 1 kω, να υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων 1 και 2 ώστε το τρανζίστορ να πολωθεί στο μέσο της ευθείας φορτίου στο εναλλασσόμενο (ΑC). Να υπολογιστεί επίσης το μέγιστο πλάτος του σήματος VS της γεννήτριας, ώστε να μην ψαλιδίζεται το σήμα Vout στην έξοδο, όταν η αντίσταση εξόδου της γεννήτριας είναι S= 300 Ω. Για το τρανζίστορ ισχύουν: n=2, VBE= 0.7 Volt, β= 100, rbb'=40 Ω, ICO 0, VCEsat= 0.1 Volt, VA= -90 V και είναι VCC= 15 Volt. Vcc =15 V Vin C 1 c C Vout s Vs 2 E C E L Για την πόλωση στο μέσο της ευθείας φόρτου στο εναλλασσόμενο (AC) επιλέγεται τιμή τάσης συλλέκτη VCQ με βάση την εξίσωση: όπου στο κύκλωμα αυτό είναι ac=c//l= 4.5//1= 0.82 kω και dc= C+E = 5.5 kω. Άρα: VCQ= 15(0.82+1)/(0.82+5.5) = 4.32 V. ΙCQ = (VCC - VCQ ) / C = (15 4.32)/ 4.5 = 2.373 ma. ΙΒQ = ICQ / β = 0.02373 ma V CQ V VΒQ = VBE + (ICQ + IBQ ) E = 0.7 + (2.373 + 0.02373) 1 = 3.097 V CC ac ac Επιλέγεται η 2 στα όρια: 10 E 2 20 E και έστω ότι λαμβάνεται 2= 15 kω, οπότε: I2 = VΒQ / 2 = 3.097/15 = 0.2 ma και 1 = (VCC - VBQ ) / (IB+I2) = (15 3.097)/ (0.02373+0.2) = 53.2 kω. E dc Για τον υπολογισμό του κέρδους υout /υs θα χρησιμοποιηθεί η σχέση: Αυ = -β (C/rin) (in / (in+s)) (L/(L+C//ro)) όπου rd = nvt/ie = 2*25/ 2.397 = 20.86 Ω (VT =25 mv), rin = rbb' + (β+1) rd = 40 + 101*20.86 = 2.147 kω, ro = 90/2.373 = 37.92 kω και in = rin // 1 // 2= 2.147 // 15// 53.2 = 1.814 kω. Άρα: 11

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Αυ = υout /υs = -100 (4.5/2.147) (1.814/2.114)(1/(1+4.5//37.92) = -35.8 V/V. H τάση πόλωσης VCEQ έχει επιλεγεί: V CEQ VCC ( 1 dc / ac) δηλαδή είναι 15/(1+5.5/0.82) = 1.95 V. Με δεδομένο ότι VCEsat= 0.1 V, η διακύμανση στην έξοδο μπορεί να είναι το πολύ 1.95-0.1 = 1.85 V, οπότε το αντίστοιχο πλάτος στην είσοδο (έξοδος γεννήτριας) μπορεί να είναι το πολύ 1.85/35.8 = 0.0517 V ή 51.7 mv. 12