Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής



Σχετικά έγγραφα
Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

Το Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τελεστικοί Ενισχυτές 2

AC λειτουργία Ισοδύναμα κυκλώματα μικρού σήματος του

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Γ. Τσιατούχας. 1. Δίθυρα Δίκτυα. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ανάλυση ικτύου ΙΙI

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

Γ. Τσιατούχας. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Εισαγωγή στη Θεωρία Κυκλωμάτων 2

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 1

3. Δίθυρα Δικτυώματα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ενίσχυση Κέρδους (Gain Boosting)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Κεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2

Ηλεκτρονικό Κύκλωµα. ΟΝόµος Kirchhoff για το Ρεύµα -KCL

Ηλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

Διαφορικοί Ενισχυτές

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Γ. Τσιατούχας. 1. Διαγράμματα Bode. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Φροντιστήρια ΙV

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Τελεστικοί Ενισχυτές»

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

Πόλωση των Τρανζίστορ

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

Εισαγωγή. Στο κεφάλαιο αυτό θα µελετηθεί ο τελεστικός ενισχυτής.

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΛΥΣΕΙΣ (ΕΠΙΛΕΓΜΕΝΩΝ) ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΘΕΩΡΙΑΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Ενισχυτές. Ενισχυτές. ΕνισχυτέςΓ. Τσιατούχας

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

Μοντέλα Διόδων i. Δίοδος Διακόπτης Δίοδος Πηγή. i=i(υ) i=i(υ) i i. i i. = 0 γιά. 0 γιά. Παρεμπόδισης

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

του διπολικού τρανζίστορ

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙII. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

1. Φάσμα συχνοτήτων 2. Πεδίο μιγαδ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς

Κεφάλαιο 4 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Λογικός Φόρτος 2

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

6. Τελεστικοί ενισχυτές

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Ανατροφοδότηση»

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 20/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 18/09/2013

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Transcript:

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Διαφορικός Ενισχτής MOS Κεφάλαιο 7 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το διαφορικό ζεύγος. Διαφορικό κέρδος κοινού σήματος 3. Τάση εκτροπής 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχτής LS Technoloy and Copuer rchecure Lab ιαφορικός Ενισχτής MOS

Το Διαφορικό Ζεύγος MOS (Ι) G Φόρτος Q () Q G Τα φορτία των δύο MOS τρανζίστορ είναι τέτοια ώστε να λειτοργούν στην περιοχή το κόρο. Με τα δύο τρανζίστορ τατόσημα μπορούμε να γράψομε: K K ( ) ( ) Διαφορικό Σήμα K( ) K ( ) K μnc ox ( W/L) K ιαφορικός Ενισχτής MOS 3 () Το Διαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ) G Λύνοντας το σύστημα εξισώσεων () και () : Q Q G K Ισχύει ότι: όταν και σνεπώς: K ( /) ( /K ) 0 τότε Σημείο πόλωσης ή ηρεμίας 0 0 K ( /) ( /K) όπο: ( ) ιαφορικός Ενισχτής MOS 4 (3) (4) Κοινό Σήμα

Το Διαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙΙ) (3), (4) / G Q Q G για μικρό διαφορικό σήμα, δηλ.: / << << ( ) / Ισχύει : K( ) προκύπτει: ιαφορικός Ενισχτής MOS 5.4.0 Το Διαφορικό Ζεύγος MOS (Ι) 0.6.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0. 0.5 0.4 0.3 0. 0. 0 0. 0.6.0.4 Θέτοντας : d d και d Για την περίπτωση όπο () και () 0, τότε από τις σχέσεις (3) θα ισχύει : ax ( ) ax ( ) ax ( ) ιαφορικός Ενισχτής MOS 6 3

Διαφορικό Ζεύγος με Φορτίο Αντίσταση (Ι) G O Q Q ~ ~ G Από την προηγούμενη ανάλση για το διαφορικό ζεύγος ισχύει ότι: όπο: Επιπλέον ισχύει ότι: d και d d και ιαφορικός Ενισχτής MOS 7 Διαφορικό Ζεύγος με Φορτίο Αντίσταση (ΙΙ) d ( /) d ( / ) G Q O Q ~ ~ G d d d Σνεπώς θα ισχύει: o d d ιαφορικός Ενισχτής MOS 8 4

Διαφορικό Ζεύγος με Φορτίο Αντίσταση (ΙΙΙ) Το κέρδος τάσης θα είναι: d ο d o Οι αντιστάσεις εισόδο και εξόδο θα είναι: Q Q n ou Ισοδύναμο Κύκλωμα Μικρού Σήματος ιαφορικός Ενισχτής MOS 9 Το Διαφορικό Σήμα o o o o Αν τότε ιαφορικός Ενισχτής MOS 0 5

Διαφορικό Κέρδος Κοινού Σήματος O / / Q Q G G Υπό την παροσία το κοινού σήματος G στο κύκλωμα ( 0) θα ισχύει: Τότε σε ατή την περίπτωση η διαφορική έξοδος κοινού σήματος O θα είναι: O Πο σημαίνει ότι το διαφορικό κέρδος κοινού σήματος είναι μηδέν. cd O G ιαφορικός Ενισχτής MOS 0 0 Τάση Εκτροπής (Ι) O Q Q Με γειωμένες τις εισόδος η τιμή της τάσης O είναι η λεγόμενη τάση εκτροπής (offse) εξόδο. ) Θεωρήστε ότι τα Q QQ είναι τέλεια ταιριασμένα ενώ οι και διαφέρον κατά Δ : τότε : O Η αντίστοιχη τάση εκτροπής εισόδο OS λαμβάνεται διαιρώντας τη O με το κέρδος τάσης : OS ιαφορικός Ενισχτής MOS 6

O Q Q Τάση Εκτροπής (ΙΙ) Β) Θεωρήστε ότι οι και είναι τέλεια ταιριασμένες ενώ τα W/L των Q Q διαφέρον κατά Δ(W/L), δηλ.: W L τότε : W L σνεπώς: W L K K K K K Επιπλέον ισχύει: ενώ: O O W L W L και K K K και K K K K OS Ι W L ιαφορικός Ενισχτής MOS 3 Τάση Εκτροπής (ΙΙΙ) Σνεπώς η τάση εκτροπής εισόδο θα είναι : O OS O Q Q OS K K ιαφορικός Ενισχτής MOS 4 7

Τάση Εκτροπής (Ι) Γ) Θεωρήστεότιμόνοοιτάσειςκατωφλίο των τρανζίστορ δεν είναι ταιριασμένες κατά Δ : O και Q Q τότε : K K ( ) ( ) ( ) ( ) ιαφορικός Ενισχτής MOS 5 Τάση Εκτροπής () Γνωρίζοντας ότι Δ << ( ) απλοποιούμε σε: O Q Q Σνεπώς: K K ( ) ( ) ( ) Όπως στην προηγούμενη περίπτωση, η τάση εκτροπής εισόδο δίδεται διαιρώντας το ΔΙ με : OS ιαφορικός Ενισχτής MOS 6 8

Τάση Εκτροπής () Καθώς οι τρείς παράγοντες πο εξετάσαμε νωρίτερα είναι ανεξάρτητοι μεταξύ τος, μπορούν να επιδράσον τατόχρονα. Μια εκτίμηση της σνολικής τάσης εκτροπής O εισόδο έχει ως ακολούθως: Q Q K OS ( ) K Για την εξάλειψη της τάσης εκτροπής θα πρέπει οι δύο κλάδοι το διαφορικού ενισχτή να είναι απόλτα ταιριασμένοι! ιαφορικός Ενισχτής MOS 7 Ο CMOS Διαφορικός Ενισχτής (Ι) SG3 Q 3 Q 4 Q 3 Q 4 O Ι/ 0 Ι/ Ι/ O SG3 Q Q G G Q G G Q C Λειτοργία SS SS ιαφορικός Ενισχτής MOS 8 9

Ο CMOS Διαφορικός Ενισχτής (Ι) Q 3 Q 4 / / Q Q 0 O Για το ρεύμα σήματος ισχύει : όπο: Επιπλέον : (r //r ) o o o4 Το κέρδος τάσης ανοικτού κκλώματος θα είναι: Ισοδύναμο Κύκλωμα Μικρού Σήματος o ( r // r ) o o4 ιαφορικός Ενισχτής MOS 9 Ο CMOS Διαφορικός Ενισχτής (ΙΙ) Q 3 Q 4 / / Q Q 0 O Θέτοντας: r o r o4 r o ro / Το κέρδος τάσης ανοικτού κκλώματος θα είναι: ιαφορικός Ενισχτής MOS 0 0

Παράδειγμα (Ι) Q 3 Q 4 Ποιο το κέρδος τάσης το διαφορικού ενισχτή το σχήματος όταν: 5μΑ, W W 0μ, L L 6μ, μ n C ox 0μ/ και 0; O Q Q ιαφορικός Ενισχτής MOS Παράδειγμα (Ι) Q 3 Q 4 Για το κέρδος τάσης το διαφορικού ενισχτή ισχύει: r o o O Επιπρόσθετα για τη διαγωγιμότητα ισχύει: Q Q 4Kn / μ n C ox W/L / W όπο: K n μncox 00μ / L Σνεπώς: 4Kn 80 ιαφορικός Ενισχτής MOS

Τελεστικός Ενισχτής CMOS Δύο Σταδίων Q 8 Q 5 Q 7 ο Στάδιο: Διαφορικός ενισχτής CMOS με ενεργό φορτίο Ο ο Στάδιο: Ενισχτής CMOS με ενεργό φορτίο EF Q Q ο Στάδιο ο Στάδιο Κύκλωμα Πόλωσης Q 3 Q 4 Q 6 SS ιαφορικός Ενισχτής MOS 3 Κέρδος Τάσης Τελεστικού Ενισχτή CMOS ο Στάδιο: Διαφορικός ενισχτής CMOS με ενεργό φορτίο Κέρδος τάσης: (ro //ro 4) ο Στάδιο: Ενισχτής CMOS με ενεργό φορτίο Κέρδος τάσης: 6(ro6 //ro7 ) Σνεπώς, το κέρδος τάσης ανοικτού κκλώματος το τελεστικού ενισχτή CMOS δύο σταδίων είναι: 6 (ro //ro4 ) (ro6 //ro7 ) ιαφορικός Ενισχτής MOS 4