To π-ισοδύναμο μοντέλο του BJT

Σχετικά έγγραφα
2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Απόκριση συχνότητας ενισχυτή CE (I)

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ηλεκτρονική. Ενότητα 8: Απόκριση κατά Συχνότητα των Ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

3 η ενότητα ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιμέλεια: Ομάδα Φυσικών της Ώθησης

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε

Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Σερρών Τμήμα Πληροφορικής & Επικοινωνιών Επικοινωνίες I

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Διαφορικοί Ενισχυτές

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Απόκριση Συχνότητας»

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

ΛΥΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΩΝ. = + + εφαρμόζονται στις. αποτελεί το χρήσιμο σήμα ενώ το σήμα συχνότητας ω

Τελεστικοί Ενισχυτές

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ

β) db έντασης = 20log οεισ δ) db έντασης = 10log οεισ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

Βασικές Λειτουργίες των TR

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

Το διπολικό τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 5

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

Προτεινόμενες Ασκήσεις στις Γενικές Μεθόδους Ανάλυσης Κυκλωμάτων

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

Α2. Α2.1 Α2.2 Α2.1 Α2.2 Μονάδες 10 Α3.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 4 Ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΛΥΜΕΝΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 1: Εισαγωγή. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ενισχυτές με Ανασύζευξη-Ανάδραση

Εισαγωγή στη Σχεδίαση RF Κυκλωμάτων

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΘΕΜΑΤΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΣΗΜΑΤΑ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ (ΚΙΙΙ)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΑΣΚΗΣΗ 206 ΑΠΛΟΠΟΙΗΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ - ΜΕΤΑΦΟΡΑ ΜΕΓΙΣΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013

Transcript:

Ενισχυτικές Διατάξεις To π-ισοδύναμο μοντέλο του BJT C μ : Χωρητικότητα ανάστροφα πολωμένης επαφής Β-C C π = C BE : Χωρητικότητα ορθά πολωμένης επαφής Β-Ε g m : Διαγωγιμότητα τρανζίστορ r b c : αντίσταση ανάστροφα πολωμένης επαφής Β-C r π : αντίσταση ορθά πολωμένης επαφής B-E r x = r b : αντίσταση περιοχής βάσης r o : αντίσταση εξόδου βαθμίδας Σχ..4 Ηλεκτρονικά ΙΙ, Χαριταντης Γ. H r b c ισούται με άρα λαμβάνει μια πολύ μεγάλη τιμή. Μπορούμε λοιπόν να την αγνοήσουμε και να καταλήξουμε στο ισοδύναμο μοντέλο Σχ..4 Ηλεκτρονικά ΙΙ, Χαριταντης Γ.

Ενισχυτικές Διατάξεις Συγκεντρωτικός πίνακας για π-ισοδύναμο C μ : Χωρητικότητα ανάστροφα πολωμένης επαφής Β-C C π = C BE : Χωρητικότητα ορθά πολωμένης επαφής Β-Ε C de : χωρητικότητα διάχυσης σε λειτουργία ασθενούς σήματος C je : Χωρητικότητα ένωσης Β-Ε (~C je ) C je : Χωρητικότητα ένωσης Β-E σε μηδενική τάση c : εσωτερικό δυναμικό ένωσης C-B (τυπικά.75) C μ : Χωρητικότητα ένωσης C-Β σε μηδενική τάση τ f = μέσος χρόνος διέλευσης βάσης (σε ορθή λειτουργία) m : συντελεστής διαβάθμισης ένωσης Ε-Β : Τάση Early T : θερμική τάση (~5m σε θερμοκρασία περιβάλλοντος) g m : Διαγωγιμότητα τρανζίστορ r b c : αντίσταση ανάστροφα πολωμένης επαφής Β-C r π : αντίσταση ορθά πολωμένης επαφής B-E r x = r b : αντίσταση περιοχής βάσης r o : αντίσταση εξόδου βαθμίδας f T : συχνότητα μοναδιαίας ενίσχυσης

Ενισχυτικές Διατάξεις 3 Θεώρημα Miller Αν είναι το κέρδος τάσης από τον κόμβο στον κόμβο, τότε η εμπέδηση (πλωτή) μπορεί να μετατραπεί σε δύο εμπεδήσεις (γειωμένες) and ως εξής (ισοδυναμία ρευμάτων) Σχ.3.7 Prof. Liu, UC Berkeley Σχ.3.7 Prof. Liu, UC Berkeley I I

Ενισχυτικές Διατάξεις 4 Πολλαπλασιασμός Miller Η εφαρμογή του θεωρήματος Miller μας επιτρέπει να μετατρέψουμε μια πλωτή (floating) χωρητικότητα μεταξύ εισόδου-εξόδου σε δύο γειωμένες χωρητικότητες (μία στην είσοδο και μία στην έξοδο). Η γειωμένη χωρητικότητα εισόδου είναι ΜΕΓΑΛΥΤΕΡΗ από την πλωτή χωρητικότητα (φαινόμενο ή πολλαπλασιασμός Miller). k jc j C jc j C Σχ.3.8 Prof. Liu, UC Berkeley

Ενισχυτικές Διατάξεις 5 Παράδειγμα Σχ.6.6 Μικροηλεκτρονικά κυκλώματα Sedra/Smith Σχ.6.6 Μικροηλεκτρονικά κυκλώματα Sedra/Smith Σχ.6.6 Μικροηλεκτρονικά κυκλώματα Sedra/Smith

Ενισχυτικές Διατάξεις 6 Τροποποιημένο κατά Miller π-ισοδύναμο π-ισοδύναμο μοντέλο Τροποποιημένο κατά Miller π-ισοδύναμο μοντέλο C π : χωρητικότητα ορθά πολωμένης επαφής B-E C μ : χωρητικότητα ανάστροφα πολωμένης επαφής B-C Σχ..6 Ηλεκτρονικά ΙΙ, Χαριταντης Γ. C C C g R ' eq ( m L) g R k ' m L b' e b' e b' e Ck Ceq, out C C k k g R ' m L R R // r ' L L o

Ενισχυτικές Διατάξεις 7 Το τρανζίστορ στις υψηλές συχνότητες Η ενίσχυση ρεύματος του τρανζίστορ περιορίζεται στις υψηλές συχνότητες λόγω της δράσης των παρασιτικών χωρητικοτήτων Σχ..6 Ηλεκτρονικά ΙΙ, Χαριταντης Γ.

Ενισχυτικές Διατάξεις 8 Το τρανζίστορ στις υψηλές συχνότητες Μέτρο ενίσχυσης ρεύματος (db): Διερεύνηση β(jω) 5 f Τ /. logω. ω β ω Τ

Ενισχυτικές Διατάξεις 9 Παράδειγμα Ένα npn τρανζίστορ λειτουργεί σε I c =.5m και CB =. Οι παράμετροι του είναι : β =, =5, τ =3ps, C je =f, C μ =3f, c =.75, m CBJ =.5 και r x =Ω. Σχεδιάστε το πλήρες υβριδικο-π μοντέλο του και καθορίστε τιμές για όλα τα στοιχεία του. Επίσης να βρείτε τη συχνότητα f T