ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Σχετικά έγγραφα
ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

2 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Δίοδοι - Επαφή pn. 4 ο 5 ο 6 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Το διπολικό τρανζίστορ

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε λογικά δίκτυα πολλών σταδίων

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΨΗΦΙΑΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ.

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία

ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου Ι

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

V Vin $N PULSE 1.8V p 0.1p 1n 2n M M1 $N 0002 $N 0001 Vout $N 0002 MpTSMC180 + L=180n + W=720n + AD=0.324p + AS=0.

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο

«Εργαστήριο σε Θέματα Ηλεκτρικών Μετρήσεων»

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο


ΙΚΑΝΟΤΗΤΕΣ: 1. Αναγνωρίζει απλούς κωδικοποιητές - αποκωδικοποιητές.

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων

6.1 Θεωρητική εισαγωγή

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

2. Ο νόμος του Ohm. Σύμφωνα με το νόμο του Ohm, η τάση V στα άκρα ενός αγωγού με αντίσταση R που τον διαρρέει ρεύμα I δίνεται από τη σχέση: I R R I

Εργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο

1 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Δίοδοι-Επαφή pn

Φύλλο Εργασίας. Δραστηριότητα 1 Ανοίξτε το αρχείο DR01.html και δουλέψτε λίγο με την προσομοίωση του παλμογράφου για να εξοικειωθείτε.

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)

K15 Ψηφιακή Λογική Σχεδίαση 6: Λογικές πύλες και λογικά κυκλώματα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

ΑΣΚΗΣΗ 6 ΠΟΛΥΠΛΕΚΤΕΣ (MUX) ΑΠΟΠΛΕΚΤΕΣ (DEMUX)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου-Εργαστήριο

ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητες γνώσεις

ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

i Το τρανζίστορ αυτό είναι τύπου NMOS. Υπάρχει και το συμπληρωματικό PMOS. ; Τι συμβαίνει στο τρανζίστορ PMOS; Το τρανζίστορ MOS(FET)

Ηλεκτρικές Ταλαντώσεις: Εξαναγκασμένη Ηλεκτρική Ταλάντωση

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟΥ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ» ΓΙΑ ΤΙΣ ΑΝΑΓΚΕΣ ΤΗΣ ΤΕΧΝΙΚΗΣ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ.

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Πανελλήνιος Μαθητικός Διαγωνισμός για την επιλογή στην 10η Ευρωπαϊκή Ολυμπιάδα Επιστημών - EUSO 2012 Σάββατο 21 Ιανουαρίου 2012 ΦΥΣΙΚΗ

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2016

ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασμός Εαρινό Εξάμηνο Κυκλώματα CMOS. Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2016

Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

2η Α Σ Κ Η Σ Η ΕΛΕΓΧΟΣ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ D.C. ΚΙΝΗΤΗΡΑ ΑΝΟΙΚΤΟ ΣΥΣΤΗΜΑ

ΑΣΚΗΣΗ 8 ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΥ ΣΕ ΚΥΚΛΩΜΑ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΗΣ ΤΑΣΗΣ (AC)

Εργαστηριακή άσκηση. Σχεδίαση layout και προσομοίωση κυκλώματος με το πρόγραμμα MICROWIND

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΕΠΩΝΥΜΟ: ΟΝΟΜΑ: ΑΜ: ΕΠΩΝΥΜΟ: ΟΝΟΜΑ: ΑΜ: ΕΠΩΝΥΜΟ: ΟΝΟΜΑ: ΑΜ: 1 ΣΚΟΠΟΣ 1 2 ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΥΠΟΒΑΘΡΟ 1 3 ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ 7 4 ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ 7

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2009

ΑΝΟΡΘΩΤΙΚΗ ΔΙΑΤΑΞΗ ΓΕΦΥΡΑΣ

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας

2. ΑΝΟΡΘΩΤΙΚΗ ΔΙΑΤΑΞΗ ΓΕΦΥΡΑΣ

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ OR, NOR, XOR

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου-Εργαστήριο

ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟΥ

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

Transcript:

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία του ως διακόπτη. Για την τελευταία είναι που έχει κυριαρχήσει στην κατασκευή ψηφιακών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Α. ΧΑΡΑΞΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΚΑΜΠΥΛΩΝ Α1. Υλοποιήστε το κύκλωμα του Σχήματος 1. D I DS V GG R G V GS G S BS10 V DS V DD Σχήμα 1: Κύκλωμα για τη μελέτη τρανζίστορ MOS Α2. Ρυθμίστε την τάση του τροφοδοτικού V GG ώστε η τάση πύλης πηγής (V GS ) να πάρει την τιμή 2.2V. A3. Ρυθμίστε την τάση του τροφοδοτικού V DD ώστε η τάση V DS να πάρει την τιμή 0.1V και σημειώστε την τιμή του ρεύματος καναλιού που δείχνει το αμπερόμετρο. Επαναλάβετε τις μετρήσεις του ρεύματος για τις εξής τιμές της τάσης V DS : 0.2V, 0.4V, 0.5V, 0.V, 1V, 2V, 3V, 4V. Α4. Επαναλάβετε το προηγούμενο βήμα ρυθμίζοντας την τάση του τροφοδοτικού V GG ώστε η τάση πύλης πηγής (V GS ) να πάρει τις ακόλουθες τιμές: 2.4V, 2.V, 3V. A5. Χαράξτε σε κοινό σύστημα αξόνων το σμήνος των χαρακτηριστικών ρεύματος τάσης (I DS - V DS ). 1

B. ΤΟ MOSFET ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ B1. Υλοποιήστε το κύκλωμα του Σχήματος 2. B2. Συνδέστε στην είσοδο του κυκλώματος γεννήτρια συναρτήσεων που παράγει τετραγωνική παλμοσειρά με στάθμες 0 και 5Vdc και συχνότητα 1kHz. B3. Παρατηρήστε και καταγράψτε τις κυματομορφές V G και V out. B4. Επαναλάβετε το προηγούμενο βήμα για συχνότητες παλμών Hz, 100kHz και 1ΜΗz. B5. Εξηγήστε τη λειτουργία του κυκλώματος. R D =50Ω V in R G G V G D S BS10 V out 5V V DD Σχήμα 2: Κύκλωμα για τη μελέτη της λειτουργίας MOSFET ως διακόπτη 2

ΑΣΚΗΣΗ 2η: ΜΕΛΕΤΗ ΑΝΑΣΤΡΟΦΕΩΝ A. ΜΕΛΕΤΗ ΑΝΑΣΤΡΟΦΕΑ nmos A1. Υλοποιήστε το κύκλωμα του Σχήματος 3, χρησιμοποιώντας το ολοκληρωμένο CD400 (οι αριθμοί στο Σχήμα 3 υποδεικνύουν τους ακροδέκτες που πρέπει να χρησιμοποιηθούν). V DD =+5V R D 6 Ā A Σχήμα 3: Κύκλωμα αναστροφέα nmos Το ολοκληρωμένο CD400 περιέχει ζεύγη συμπληρωματικών τρανζίστορ MOS όπως υποδεικνύει το διάγραμμα του Σχήματος 4, όπου οι αριθμητικοί ενδείκτες αντιστοιχούν στην αρίθμηση των ακροδεκτών του. 14 2 11 13 1 6 3 10 12 5 4 9 Σχήμα 4: Δομή του ολοκληρωμένου CD400 3

A2. Εφαρμόζοντας κατάλληλες τιμές τάσης στην είσοδο του κυκλώματος επαληθεύσατε την ορθή του λειτουργία, λαμβάνοντας μετρήσεις της τάσης εξόδου με πολύμετρο. Καταγράψτε τις τιμές τάσης που αντιστοιχούν στις λογικές στάθμες H και L. A3. Τροφοδοτήστε την είσοδο του αναστροφέα με τετραγωνικούς παλμούς με μηδενική λογική στάθμη ίση με 0V, πλάτος 5V και συχνότητα 1kHz και παρατηρήστε την κυματομορφή εξόδου. Σχολιάστε. A4. Να υπολογίσετε τον χρόνο καθυστέρησης διάδοσης της πύλης. A5. Επαναλάβετε τα βήματα A3 και A4 για συχνότητα παλμών ίση με 100kHz. A5. Αυξάνοντας τη συχνότητα της παλμοσειράς εισόδου, να βρείτε τη μέγιστη συχνότητα για την οποία λειτουργεί σωστά το κύκλωμα. B. ΜΕΛΕΤΗ ΑΝΑΣΤΡΟΦΕΑ CMOS B1. Υλοποιήστε το κύκλωμα του Σχήματος 5, χρησιμοποιώντας το ολοκληρωμένο CD400 (οι αριθμοί υποδεικνύουν τους ακροδέκτες που πρέπει να χρησιμοποιηθούν). V DD =+5V 14 6 13 A Ā Σχήμα 5: Κύκλωμα αναστροφέα CMOS B2. Επαναλάβετε την πειραματική διαδικασία της προηγούμενης παραγράφου (A). B3. Προβείτε σε συγκρίσεις των αναστροφέων nmos και CMOS 4

Γ. ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΣΥΝΑΡΤΗΣΕΩΝ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ Γ1. Για τον αναστροφέα του Σχήματος 3, τροφοδοτήστε στην είσοδο τριγωνικό παλμό με ελάχιστη τάση 0V και μέγιστη τάση 5V. Γ2. Συνδέστε το πρώτο κανάλι του παλμογράφου στην είσοδο του αναστροφέα και το δεύτερο στην έξοδο. Γ3. Θέσατε τον παλμογράφο σε λειτουργία x-y και παρατηρήστε τη συνάρτηση μεταφοράς η οποία εμφανίζεται στην οθόνη. Γ4. Αντικαταστήστε τον αντιστάτη των Ω με έναν άλλο των 100kΩ. Πώς μεταβάλλεται η συνάρτηση μεταφοράς και γιατί; Γ5. Επαναλάβετε τα βήματα Γ1 έως και Γ3 για τον αναστροφέα του Σχήματος 5. ΑΣΚΗΣΗ 3η: ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΛΟΓΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ CMOS Σκοπός της άσκησης Σκοπός της άσκησης είναι η κατανόηση των βασικών αρχών στις οποίες βασίζεται η σχεδίαση ψηφιακών κυκλωμάτων CMOS (Complementary MOS), μιας οικογένειας η οποία είναι σήμερα η επικρατούσα στην κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων πολύ μεγάλης κλίμακας ολοκλήρωσης (VLSI). Α. ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΠΥΛΩΝ NAND/AND A1. Χρησιμοποιώντας τη μεθοδολογία που αναπτύχθηκε στο θεωρητικό μέρος του μαθήματος σχεδιάστε το κύκλωμα μιας πύλης NAND σε τεχνολογία CMOS και υλοποιήστε το κάνοντας χρήση του ολοκληρωμένου CD400. (Ως λογικές στάθμες να χρησιμοποιηθούν τα 0 και 5V). Α2. Επαληθεύσατε τον πίνακα αλήθειας της πύλης εφαρμόζοντας κατάλληλες τιμές τάσης στις εισόδους της και μετρώντας την τάση εξόδου. Α3. Επαναλάβετε την πιο πάνω διαδικασία για πύλη AND. Β. ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΠΥΛΩΝ NOR/OR Όμοια για πύλες NOR και OR. 5