ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

Σχετικά έγγραφα
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

Εργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI. Δρ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΣ ΚΥΡΙΑΚΗΣ-ΜΠΙΤΖΑΡΟΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI. Δρ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΣ ΚΥΡΙΑΚΗΣ-ΜΠΙΤΖΑΡΟΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ

ΑΣΚΗΣΗ 9η-10η ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΗ-ΛΟΓΙΚΗ ΜΟΝΑΔΑ ΕΝΟΣ ΨΗΦΙΟΥ (1-BIT ALU)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

Εργαστηριακή άσκηση. Σχεδίαση layout και προσομοίωση κυκλώματος με το πρόγραμμα MICROWIND

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 3 η Εργαστηριακή Άσκηση

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

Μικροηλεκτρονική - VLSI

ΗΜΥ 213 Εργαστήριο Οργάνωσης Η/Υ και Μικροεπεξεργαστών Εαρινό εξάμηνο Διδάσκων: Γιώργος Ζάγγουλος

ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ

Δ Ι Π Λ Ω Μ ΑΤ Ι Κ Η Ε Ρ ΓΑ Σ Ι Α

4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας

ΑΣΚΗΣΗ 7. ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C. C out

ΑΣΚΗΣΗ 1η ΤΟ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ ΣΧΕΔΙΑΣΗΣ QUARTUS II ΤΗΣ ALTERA

ΑΣΚΗΣΗ 9 ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ (COUNTERS)

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

V Vin $N PULSE 1.8V p 0.1p 1n 2n M M1 $N 0002 $N 0001 Vout $N 0002 MpTSMC180 + L=180n + W=720n + AD=0.324p + AS=0.

Σχεδίαση κυκλωμάτων ακολουθιακής λογικής

ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ

ΑΣΚΗΣΗ 4 η ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΜΕ ΧΡΗΣΗ Η/Υ (QUARTUS II ALTERA)

Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης. Πριν την εξοµοίωση Σχεδίαση. Εξοµοίωση CMOS VLSI κυκλωµάτων 2

ΑΣΚΗΣΗ-3: ΣΧΗΜΑΤΑ LISSAJOUS

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Σχεδίαση Ψηφιακών Συστημάτων. Ενότητα: ΚΑΤΑΧΩΡΗΤΕΣ - ΑΠΑΡΙΘΜΗΤΕΣ

ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΑΣΥΓΧΡΟΝΟΙ ΜΕΤΡΗΤΕΣ

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε λογικά δίκτυα πολλών σταδίων

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου-Εργαστήριο

10o ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ Στοιχεία Χωροθεσίας (Layout) CMOS

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων

ΑΣΚΗΣΗ 8 η -9 η ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΗΣ ΛΟΓΙΚΗΣ ΜΟΝΑΔΑΣ ΤΕΣΣΑΡΩΝ ΔΥΑΔΙΚΩΝ ΨΗΦΙΩΝ

Bλάβες, ελαττώματα και. Δημήτρης Νικολός, Τμήμα Μηχ. Ηλεκτρονικών Υπολογιστών και Πληροφορικής, Παν. Πατρών

Εργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino)

9. O Προσομοιωτής Κβαντικού Υπολογιστή QCS

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ Εισαγωγή Αντικείμενο πτυχιακής εργασίας.σελ Περιεχόμενα εγχειριδίου Αναφοράς Προγραμμάτων.. σελ. 3

Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ακολουθιακή Λογική 2

Προσομοίωση Μονοφασικού & Τριφασικού. μετασχηματιστής με την χρήση προγράμματος. εικονικού εργαστηρίου.

ΑΣΚΗΣΗ 7 FLIP - FLOP

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 4 η Εργαστηριακή Άσκηση

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 24/01/2012 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

ΑΣΚΗΣΗ 6. Μελέτη συντονισμού σε κύκλωμα R,L,C, σειράς

Αγιακάτσικας Παναγιώτης Επιμορφωτής Λαέρτη, Ζαχαριαδάκη Μαρία Επιμορφώτρια Λαέρτη,

Πράξεις με δυαδικούς αριθμούς

Εκτέλεση πράξεων. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά και Δυαδική Λογική. Πράξεις με δυαδικούς αριθμούς. Πράξεις με δυαδικούς αριθμούς

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Σχεδιασμός Αποκωδικοποιητή και υλοποίηση του στο Logisim και στο Quartus. Εισαγωγή στο Logisim

ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5

«Συγκριτής τάσης (με τελεστικό ενισχυτή)»

ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητε γνώσει

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

ΑΣΚΗΣΗ-3: Διαφορά φάσης

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

CADENCE. User Manual

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

Σωστή απάντηση το: Γ. Απάντηση

ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ ΚΑΤΑΧΩΡΗΤΕΣ ΟΛΙΣΘΗΤΕΣ

ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Το διπολικό τρανζίστορ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασμός Εαρινό Εξάμηνο Κυκλώματα CMOS. Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητες γνώσεις

1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου ΙΙ Γιώργος Σούλτης 167

Φύλλο εργασίας 1 Εισαγωγή στη Ρομποτική

ΟΡΓΑΝΑ & ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

Transcript:

ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 1. Εργαλεία εξομοίωσης, SPICE, αρχεία περιγραφής κυκλωμάτων (netlist) (Παρ. 3.4, σελ 152-155) 2. To transistor ως διακόπτης, πύλη διέλευσης. (Παρ 3.3.2 σελ. 137-143, Παρ. 6.2.1 σελ. 290-291 (εικ. 6.3), Παρ. 6.2.3 σελ. 337-338) ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΟ ΜΕΡΟΣ Α. Μεταβατική απόκριση του transistor ως διακόπτη. Για να εξομοιωθεί η χρονική απόκριση ενός κυκλώματος γίνεται χρήση του ενσωματωμένου εξομοιωτή (built-in simulator), ο οποίος όπως ειπώθηκε στην προηγούμενη άσκηση είναι βασισμένος στο SPICE. Επιλέγοντας το menu simulate από τη γραμμή των pull-down menus του MICROWIND μπορείτε να καθορίσετε τις παραμέτρους της εξομοίωσης. ΠΡΟΣΟΧΗ: Για να παίρνετε αξιόπιστα αποτελέσματα πρέπει να επιλέγετε πάντα εξομοίωση με χρήση του μοντέλου BSIM4 για τα τρανζίστορ. Από το menu Simulate --> Simulation parameters --> MOS Model απιλέξτε Advanced BSIM4. Για να εξομοιώσετε το κύκλωμά σας επιλέξτε το Run Simulation από τη μπάρα εργαλείων του Microwind. Για να γίνει εξομοίωση στο πεδίο του χρόνου και να εμφανιστούν οι σχετικές κυματομορφές πρέπει να δώσετε ονόματα στους κόμβους του κυκλώματος και να ορίσετε τις τροφοδοσίες (Vdd και Vss). Τα εργαλεία για την εκτέλεση των διαδικασιών αυτών βρίσκονται στην τρίτη γραμμή εργαλείων της παλέτας εργασίας. Αρχικά επιλέγετε την ιδιότητα που θέλετε να δώσετε σε έναν κόμβο και ακολούθως πρέπει να επιλέξετε με το αριστερό πλήκτρο του mouse τον κόμβο στον οποίο θέλετε να βάλετε τη συγκεκριμένη ιδιότητα. ΠΡΟΣΟΧΗ για να αποφεύγονται λάθη στην εξομοίωση όταν ορίζετε έναν κόμβο καλό είναι επιλέγετε ένα σημείο στο οποίο δεν υπάρχουν πολλαπλά επίπεδα του φυσικού σχεδιασμού. - Για την τάση τροφοδοσίας επιλέγετε το Vdd supply - Για τη γείωση επιλέγετε το Ground - Για να δώσετε όνομα σε έναν κόμβο ο οποίος θέλετε να εμφανίζεται στα αποτελέσματα της εξομοίωσης το Visible node - Για να δώσετε παλμούς εισόδου σε έναν κόμβο επιλέγετε, το Add a clock από την παλέτα και εμφανίζεται το παράθυρο του σχήματος 2.1 που σας παρέχει τη δυνατότητα να ορίσετε το όνομα του κόμβου και να επιλέξετε τους χρόνους και και το εύρος των παλμών. Το αν η κυματομορφή αυτή θα εμφανίζεται στην εξομοίωση καθορίζεται από το Visible in Simulation κάτω δεξιά. Με τα κουμπιά Slower και Faster διπλασιάζετε ή υποδιπλασιάζετε την περίοδο του σήματος χρονισμού ενώ το ~ Last Clock αντιστρέφει το σήμα χρονισμού διατηρώντας σταθερή την περίοδο. ΠΡΟΣΟΧΗ το Add a pulse χρησιμοποιείται όταν πρέπει να τοποθετηθεί ένας μόνο παλμός ενώ το Add a Clock για περιοδική παλμοσειρά. 10

Σχήμα 2.1 Το παράθυρο ορισμού σήματος χρονισμού (Add a Clock) 1. Σχεδιάστε ένα n-mos transistor με διαστάσεις W=0.24μm και L=0.12μm χρήση της γεννήτριας στοιχείων. 2. Δώστε τους παρακάτω παλμούς στους ακροδέκτες του transistor. 2.1. Στο drain το όνομα inp και ένα παλμό με διάρκεια low και high 475 psec και χρόνο και 25psec. Η περίοδος του παλμού είναι (475+25+475+25) psec = 1 nsec. 2.2 Στο gate το όνομα enable και παλμό με διάρκεια low και high 3.975 nsec και χρόνο και 25psec (περίοδος 8 nsec), 2.3. Στο source το όνομα out και visible in simulation. Στο σχήμα 2.2 φαίνεται το κύκλωμα με τα ονόματα των σημάτων. Με bold εμφανίζονται οι κόμβοι οι οποίοι οδηγούνται από παλμούς και με Italics οι κόμβοι οι οποίοι εμφανίζονται στις κυματομορφές στο παράθυρο της εξομοίωσης. 3. Επιβεβαιώστε ότι χρησιμοποιείτε το μοντέλο BSIM4 και εκτελέστε την εξομοίωση από το Run Simulation της γραμμής εργαλείων. Στην οθόνη σας θα εμφανιστεί το παράθυρο των αποτελεσμάτων της εξομοίωσης όπως φαίνεται στο σχήμα 2.3. Στη δεξιά πλευρά του παραθύρου υπάρχουν επιλογές για τη διαχείριση των αποτελεσμάτων. Πάνω δίνεται η δυνατότητα επιλογής των κόμβων μεταξύ των οποίων υπολογίζεται το delay που σημειώνεται πάνω στις κυματομορφές, Ακολούθως μπορεί να καθοριστεί το χρονικό παράθυρο για το οποίο δίνονται τα αποτελέσματα στην οθόνη και το βήμα που χρησιμοποιεί ο εξομοιωτής. Για να ενεργοποιηθεί οποιαδήποτε αλλαγή κάνετε πρέπει να πατήσετε το πλήκτρο RESET ή More. Επίσης δίνεται η δυνατότητα να σταματήσετε μία εξομοίωση η οποία απαιτεί μεγάλο χρόνο αν για παράδειγμα βάλετε πολύ μικρό βήμα στον εξομοιωτή. 11

Σχήμα 2.3 Απόκριση nmos transistor σε τετραγωνικούς παλμούς χωρίς φορτίο. 4. Γιατί η έξοδος δεν παίρνει μέγιστη τιμή την τιμή της τάσης τροφοδοσίας (1,2V); 5. Τοποθετήστε έναν πυκνωτή 50 ff στην έξοδο χρησιμοποιώντας την επιλογή Add virtual capacitance από την παλέτα. Ο πυκνωτής έχει πάντα τον έναν ακροδέκτη του συνδεδεμένο στη γείωση (Ground). 6. Εκτελέστε την εξομοίωση του κυκλώματος χωρίς να αλλάξετε τους παλμούς εισόδου. Τα αποτελέσματα φαίνονται στο σχήμα 2.4. 7. Συμπληρώστε τον παρακάτω πίνακα για διαφορετικές τιμές του φορτίου. nmos W=0.24 μm και L=0.12 μm Φορτίο 2 6 10 12

Σχήμα 2.4. Απόκριση nmos transistor σε τετραγωνικούς παλμούς με φορτίο 50fF. 8. Για να γίνουν και πάλι τετραγωνικοί οι παλμοί στην έξοδο πρέπει να αυξήσετε το W του transistor περίπου πέντε φορές σε σχέση με το αρχικό (W=0,24 x 6 = 1,44 μm ή 24λ). Σχεδιάστε ένα transistor με τις νέες διαστάσεις τροποποιώντας το κύκλωμά σας με χρήση της εντολής move/strech, όπως φαίνεται στο επόμενο σχήμα. Παρατηρείστε ότι για να μειωθεί η αντίσταση των επαφών στο source και το drain χρησιμοποιήθηκαν πολλές επαφές ndiff/metal1. Σχήμα 2.5. NMOS transistor με W=24λ. 8. Ελέγξτε την ορθότητα του layout με τον Design Rule Checker και διορθώστε τα σφάλματα, αν υπάρχουν. 13

9. Εξομοιώστε το κύκλωμα βάζοντας φορτίο 50 ff ώστε να προκύψουν τα αποτελέσματα του σχήματος 2.6. Σχήμα 2.6. Απόκριση nmos transistor με W=24λ και φορτίο 50fF. 10. Συμπληρώστε τον παρακάτω πίνακα για διαφορετικές τιμές του φορτίου. nmos W=1.44 μm και L=0.12 μm Φορτίο 2 6 10 11. Επαναλάβατε τα παραπάνω βήματα 1 10 για ένα p-mos τρανζίστορ με αρχικές διαστάσεις W=0.72 μm και L=0.12 μm και συμπληρώστε τους παρακάτω πίνακες. ΠΡΟΣΟΧΗ: Για να γίνει σωστή εξομοίωση το πηγάδι τύπου n πρέπει να πολωθεί στην τάση τροφοδοσίας Vdd 14

Φορτίο 2 6 10 pmos W=0.72 μm και L=0.12 μm Φορτίο 2 6 pmos W=4.32 μm και L=0.12 μm 10 12. Τι παρατηρείτε στον παλμό ; Συγκρίνετέ τον με αυτόν του n-mos τρανζίστορ. ΕΡΓΑΣΙΑ ΓΙΑ ΤΟ ΣΠΙΤΙ 1. Σχεδιάστε και εξομοιώστε κύκλωμα το οποίο λειτουργεί ως διακόπτης και εμφανίζει στην έξοδό του τους παλμούς εισόδου χωρίς αλλοίωση του πλάτους και για τις δύο λογικές στάθμες Το κύκλωμα αυτό ονομάζεται πύλη διέλευσης (transmission gate). Αρχικά χρησιμοποιήστε μοναδιαίο nmos και pmos με τριπλάσιο πλάτος καναλιού. 2. Συμπληρώστε πίνακα ίδιο με αυτόν του εργαστηριακού μέρους της άσκησης για διαφορετικά φορτία από 0 έως 100 ff. 3. Τροποποιήστε το κύκλωμά σας ώστε με φορτίο 80 ff να παρουσιάζει καθυστέρηση μικρότερη από ή ίση με 15 psec και η διαφορά της καθυστέρησης μεταξύ ανοδικής και καθοδικής παρυφής να είναι το πολύ 10%. 4. Συμπληρώστε πίνακα ίδιο με αυτόν του εργαστηριακού μέρους της άσκησης για διαφορετικά φορτία από 0 έως 100 ff. 15