ΤΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΚΡΗΣΗ ΣΜΗΜΑ ΕΠΙΣΗΜΗ ΚΑΙ ΣΕΥΝΟΛΟΓΙΑ ΤΛΙΚΩΝ

Σχετικά έγγραφα
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ. Υλικά Ι. Ενότητα 8: Ηλεκτρικές Ιδιότητες. Δημήτρης Παπάζογλου Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Υλικών

ΤΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΔΛΛΟΝ ΠΑΝΔΠΙΣΗΜΙΟ ΚΡΗΣΗ ΣΜΗΜΑ ΔΠΙΣΗΜΗ ΚΑΙ ΣΔΥΝΟΛΟΓΙΑ ΤΛΙΚΧΝ

Τηλζφωνο: Ε-mail: Ώρες διδασκαλίας: 16:00 19:15 μμ

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΚΡΗΣΗ ΣΜΗΜΑ ΕΠΙΣΗΜΗ ΚΑΙ ΣΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΤΛΙΚΩΝ

ΤΕΙ ΧΑΛΚΙΔΑΣ ΣΤΕΦ ΤΜΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΑΕΡΟΣΚΑΦΩΝ Σημειώζειρ επγαζηηπίος «Αναλογικά Ηλεκηπονικά», Σςγγπαθέαρ: Χ. Λαμππόποςλορ, Έκδοζη 3η 20V 100K V OUT

Ηκηαγσγνί-Δίνδνη. Ν. Πεηξέιιεο Επ. Καζ. ΣΕΙ Λάξηζαο

Ηιεθηξηθό Ρεύκα Φπζηθή γ Γπκλαζίνπ αρηλίδεο πκεώλ

ΕΜΠΟΡΙΚΑ ΣΙΜΟΛΟΓΙΑ ΣΗ ΧΑΜΗΛΗ ΣΑΗ

ΤΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΚΡΗΣΗ ΣΜΗΜΑ ΕΠΙΣΗΜΗ ΚΑΙ ΣΕΥΝΟΛΟΓΙΑ ΤΛΙΚΧΝ

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ. Υλικά Ι. Ενότητα 7: Θερμικές Ιδιότητες. Δημήτρης Παπάζογλου Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Υλικών

Δσζμενές διαηαρατές και Ονομαζηικό-πραγμαηικό επιηόκιο

EL Eνωμένη στην πολυμορυία EL B8-0165/7. Τροπολογία. Salvatore Cicu, Lambert van Nistelrooij εμ νλόκαηνο ηεο Οκάδαο PPE

ΓΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ

Στοιχεία Φυςικήσ Ημιαγωγών (ΕΤΥ481)

Δ2) Να υπολογίσετε την ολική αντίσταση του εξωτερικού κυκλώματος.

ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ EΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ, ΔΙΟΔΟΣ Χ. Λαμππόποςλορ, Χειμεπινό εξάμηνο

2

x Θέση φορτίων σε m

Διαηιμήζεις για Αιολικά Πάρκα. Κώδικες 28, 78 και 84

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ/Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 08/09/2014

α. Να ππνινγίζεηε ηε γσληαθή ζπρλόηεηα ησλ ειεθηξηθώλ ηαιαληώζεσλ ηνπ θπθιώκαηνο.

ΠΟΛΤΜΕΡΙΜΟ - ΠΕΣΡΟΥΗΜΙΚΑ

Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Αθήνας Φυσική ΙΙ (Ε) Ενότητα 4:

A. Αιιάδνληαο ηε θνξά ηνπ ξεύκαηνο πνπ δηαξξέεη ηνλ αγωγό.

(γ) Να βξεζεί ε ρξνλνεμαξηώκελε πηζαλόηεηα κέηξεζεο ηεο ζεηηθήο ηδηνηηκήο ηνπ ηειεζηή W.

ΤΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΚΡΗΣΗ ΣΜΗΜΑ ΕΠΙΣΗΜΗ ΚΑΙ ΣΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΤΛΙΚΩΝ

Μονοψϊνιο. Αγνξά κε ιίγνπο αγνξαζηέο. Δύναμη μονοψωνίος Η ηθαλόηεηα πνπ έρεη ν αγνξαζηήο λα επεξεάζεη ηελ ηηκή ηνπ αγαζνύ.

Έωρ και 28% η αύξηζη ηων ειζθοπών από ηο 2019!

ΕΙΑΓΩΓΗ ΣΟ ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΣΡΑΝΖΙΣΟΡ ΕΠΑΦΗ. ΜΕΡΟ Α: Απαραίτητεσ γνώςεισ

ΣΤΠΟΛΟΓΙΟ ΜΗΧΑΝΙΚΕΣ & ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΏΣΕΙΣ ΑΠΛΗ ΑΡΜΟΝΙΚΗ ΣΑΛΑΝΣΩΗ (Α.Α.Σ.)

Σρανηίςτορ Επίδραςθσ Πεδίου Field Effect Transistor MOS-FET, J-FET

ΔΡΔΤΝΑ ΔΠΙΥΔΙΡΗΜΑΣΙΚΟΣΗΣΑ Ν. ΡΔΘΤΜΝΗ - ΠΙΝΑΚΔ

Τκήκα Ηιεθηξνιόγσλ Μεραληθώλ θαη Μεραληθώλ Υπνινγηζηώλ Πνιπηερληθή Σρνιή Παλεπηζηήκην Κύπξνπ

Α.2 Η ελεξγόο έληαζε ελαιιαζζόµελνπ ξεύµαηνο πιάηνπο Θν είλαη: I ελ =10 2A Τν πιάηνο Θ ν ηεο έληαζεο ηζνύηαη µε:

Δξγαιεία Καηαζθεπέο 1 Σάμε Σ Δ.Κ.Φ.Δ. ΥΑΝΙΧΝ ΠΡΧΣΟΒΑΘΜΙΑ ΔΚΠΑΙΓΔΤΗ. ΔΝΟΣΗΣΑ 11 ε : ΦΧ ΔΡΓΑΛΔΙΑ ΚΑΣΑΚΔΤΔ. Καηαζθεπή 1: Φαθόο κε ζσιήλα.

ΗΜΙΑΓΩΓΑ ΥΛΙΚΑ: ΘΕΩΡΙΑ-ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 ΔΙΟΔΟΙ ΕΝΩΣΕΩΣ ΦΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ

1 Είζοδορ ζηο Σύζηημα ΣΔΕΔ ή BPMS

ΑΛΛΑΓΗ ΟΝΟΜΑΣΟ ΚΑΙ ΟΜΑΔΑ ΕΡΓΑΙΑ, ΚΟΙΝΟΥΡΗΣΟΙ ΦΑΚΕΛΟΙ ΚΑΙ ΕΚΣΤΠΩΣΕ ΣΑ WINDOWS XP

iii. iv. γηα ηελ νπνία ηζρύνπλ: f (1) 2 θαη

ύζηεκα ηξνθνδνζίαο θαπζίκνπ

ΘΕΜΑ. Μια ηλεκτρική πηγή µε ηλεκτρεγερτική δύναµη ε = 15 V, συνδέεται στα άκρα ενός συστήµατος

ΔΡΓΑΣΗΡΙΑΚΗ ΑΚΗΗ 9 η ΤΝΓΔΜΟΛΟΓΙΑ ΑΝΣΙΣΑΔΩΝ ΚΑΣΑ ΑΣΔΡΑ ΚΑΙ ΚΑΣΑ ΣΡΙΓΩΝΟ ΜΔ ΣΡΙΦΑΙΚΗ ΠΑΡΟΥΗ

Ένας λαμπτήρας (Λ), τον οποίο θεωρούμε σαν ωμικό αντιστάτη, έχει ενδείξεις κανονικής λειτουργίας 100 W και 100 V.

Τάξε Β Φςζηθή Γενηθήρ Παηδείαρ Τπάπεδα ζεμάηων Κεθ.2 ο ΘΔΜΑ Γ

Μέζνδνη ραξαθηεξηζκνύ πιηθώλ Δξγαζηεξηαθή άζθεζε 8: Μαγλεηηθέο Μεηξήζεηο Ηκεξνκελία δηεμαγσγήο: 26/5/2010

ΓΙΑΓΩΝΙΜΑ Β ΣΑΞΗ ΔΝΙΑΙΟΤ ΛΤΚΔΙΟΤ

Γιαγώνιζμα Χημείας Γ λσκείοσ 21/10/2012

Λεκηική έκθραζη, κριηική, οικειόηηηα και ηύπος δεζμού ζηις ζηενές διαπροζωπικές ζτέζεις

Παξάδεηγκα εθαξκνγήο ζπζηεκάησλ Α.Π.Ε. ζε μελνδνρεηαθή κνλάδα ζηελ Κξήηε

Φςζική Πποζαναηολιζμού Γ Λςκείος. Αζκήζειρ Ταλανηώζειρ 1 ο Φςλλάδιο

Να ζρεδηάζεηο ηξόπνπο ζύλδεζεο κηαο κπαηαξίαο θαη ελόο ιακπηήξα ώζηε ν ιακπηήξαο λα θσηνβνιεί.

Πνηα λνκίδεηο όηη ζα είλαη ε ζπλνιηθή αληίζηαζε κηαο ζπλδεζκνινγίαο δύν αληηζηαηώλ ζπλδεδεκέλεο ζε ζεηξά; Γηαηί;...

Ονομαηεπώνυμο: Μάθημα: Υλη: Δπιμέλεια διαγωνίζμαηος: Αξιολόγηζη :

ΟΡΟΣΗΜΟ. Μονάδες 4. Β) Να αιηιολογήζεηε ηην επιλογή ζαρ.

Στοιχεία Φυσικής Ημιαγωγών (ΕΤΥ481)

(άρθρο 8 Ν.1599/1986)

A.2 Σηελ θεξαία ελόο ξαδηνθσληθνύ δέθηε ΑΜ (κεζαία θύκαηα), νη ζπρλόηεηεο ησλ θπκάησλ πνπ εληζρύνληαη θπκαίλνληαη: α) από 500 Ηz έσο 1600 Ηz

ΕΙΑΓΩΓΗ ΣΗ ΘΕΩΡΙΑ ΗΜΑΣΩΝ & ΤΣΗΜΑΣΩΝ. ΜΕΣΑΥΗΜΑΣΙΜΟ Laplace

Φυσική Β Ενιαίου Λυκείου

Επιςτιμθσ Επιφανειϊν και Τεχνολογία Λεπτϊν Υμενίων. Π. Πατςαλάσ, Αναπλ. Κακθγθτισ

1. Οδηγίερ εγκαηάζηαζηρ και σπήζηρ έξςπνυν καπηών και τηθιακών πιζηοποιηηικών με σπήζη ηος λογιζμικού Μοzilla Thunderbird

ΚΕΦ. 2.3 ΑΠΟΛΤΣΗ ΣΘΜΗ ΠΡΑΓΜΑΣΘΚΟΤ ΑΡΘΘΜΟΤ

Άζκηζη Προζομοίωζης (μονάδα παραγωγής ενέργειας)

ΟΡΟΣΗΜΟ ΘΕΜΑ Β V(V) Αντλώντας πληροφορίες από το σχήμα μπορούμε να συμπεράνουμε ότι :

Βαζικά Ηλεκηπικά Μεγέθη

2.1 Ηλεκηρικές πηγές. 2.2 Ηλεκηρικό ρεύμα

α) ηε κεηαηόπηζε x όηαλ ην ζώκα έρεη κέγηζην ξπζκό κεηαβνιήο ζέζεο δ) ην κέγηζην ξπζκό κεηαβνιήο ηεο ηαρύηεηαο

Η οµαδοποίεζε ηυν δώυν

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΛΓΕΒΡΑ Α ΛΥΚΕΙΟΥ. 1. Να ιπζνύλ ηα ζπζηήκαηα. 1 0,3x 0,1y x 3 3x 4y 2 4x 2y ( x 1) 6( y 1) (i) (ii)

ΑΚΗΕΙ ΓΙΑ ΣΗΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗ ΙΙ (7)

ΔΝΓΔΙΚΣΙΚΔ ΛΤΔΙ ΣΑ ΜΑΘΗΜΑΣΙΚΑ ΠΡΟΑΝΑΣΟΛΙΜΟΤ 2017

ΜΑΘΗΜΑ / ΣΑΞΗ : ΦΤΙΚΗ Γ ΓΤΜΝΑΙΟΤ ΕΙΡΑ: Απαντιςεισ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 08/03/2015 ΕΠΙΜΕΛΕΙΑ ΔΙΑΓΩΝΙΜΑΣΟ:

Ονομαηεπώνυμο: Μάθημα: Υλη: Δπιμέλεια διαγωνίζμαηος: Αξιολόγηζη :

Μ Ε Θ Ο Δ Ο Λ Ο Γ Ι Α Ε Π Ι Λ Τ Η Α Κ Η Ε Ω Ν Σ Ι Η Λ Ε Κ Σ Ρ Ι Κ Ε Σ Α Λ Α Ν Σ Ω Ε Ι

ΧΗΜΕΙΑ ΘΕΜΑ: ΦΤΣΑ ΕΩΣΕΡΙΚΟΤ ΧΩΡΟΤ ΠΟΤ ΑΠΟΡΡΟΦΟΤΝ ΣΟΞΙΚΕ ΟΤΙΕ

Ενδεικτικά Θέματα Στατιστικής ΙΙ

ΘΕΜΑ. Μια ηλεκτρική πηγή µε ηλεκτρεγερτική δύναµη ε = 15 V, συνδέεται στα άκρα ενός συστήµατος

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΝΗΜΗ ΚΑΙ ΜΙΚΡΟΕΛΕΓΚΤΕΣ

ΔΡΓΑΣΗΡΙΑΚΗ ΑΚΗΗ 8 η ΑΠΟΚΡΙΗ ΚΤΚΛΩΜΑΣΩΝ ΔΝΑΛΛΑΟΜΔΝΟΤ ΡΔΤΜΑΣΟ RC, RL & RLC Δ ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΝΓΔΜΟΛΟΓΙΑ

Παπαγωγόρ Καμπύλερ Κόζηοςρ

ΔΙΑΔΡΑΣΙΚΕ ΠΡΟΟΜΟΙΩΕΙ ΦΤΙΚΗ ΓΤΜΝΑΙΟΤ

Ηλεκηπονικά Απσεία και Διεπαθέρ

ΜΑΘΗΜΑ / ΣΑΞΗ: ΦΤΙΚΗ / Α ΛΤΚΔΙΟΤ ΔΙΡΑ: ΗΜΔΡΟΜΗΝΙΑ: 24/02/2013 ΛΤΔΙ ΘΔΜΑ A

Δξγαιεία Καηαζθεπέο 1 Σάμε Δ Δ.Κ.Φ.Δ. ΥΑΝΗΩΝ ΠΡΩΣΟΒΑΘΜΗΑ ΔΚΠΑΗΓΔΤΖ. ΔΝΟΣΖΣΑ 2 ε : ΤΛΗΚΑ ΩΜΑΣΑ ΔΡΓΑΛΔΗΑ ΚΑΣΑΚΔΤΔ. Καηαζθεπή 1: Ογθνκεηξηθό δνρείν

KNX city ΔΞΤΠΝΟ ΓΟΜΙΚΟ ΤΣΗΜΑ: FLEXIBLE HOME. ΒΗΛΛΤ ΑΣΣΑΡΣ, Απσιηέκηυν Μησ., Msc Πολεοδομία-Υυποηαξία, ΔΜΠ

DIGI DS-700 EBR ΝΕΟ ΠΡΟΙΟΝ

Ανίσνεςζη ςπεπέκθπαζηρ mrna ηυν ογκογονιδίυν Ε6/Ε7 ηος ιού HPV με Κςηηαπομεηπία Ροήρ

Q Η ζσνάρηηζη μέζοσ κόζηοσς μας δίνει ηο κόζηος ανά μονάδα παραγωγής. Q Η ζσνάρηηζη μέζοσ κόζηοσς μας δίνει ηο ζηαθερό κόζηος ανά μονάδα παραγωγής

ΓΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ. Ύλη:Γςνάμειρ μεταξύ ηλεκτπικών φοπτίων

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si

Ανάπτυξη καινοτόμων οπτοηλεκτρονικών διατάξεων πολυμεροφσ-νανοδομών για εφαρμογζσ ςε οργανικά φωτοβολταϊκά και εκπομπή πεδίου

ΓΗΑΓΩΛΗΠΚΑ ΠΡΝ ΚΑΘΖΚΑ ΔΞΗΙΝΓΖΠ ΑΟΣΔΠ ΝΗΘΝΛΝΚΗΘΖΠ ΘΔΩΟΗΑΠ

Απνηειέζκαηα Εξσηεκαηνινγίνπ 2o ηεηξάκελν

(ζηποθοπμή), (πςζμόρ

Φνξνινγηθέο ειαθξύλζεηο Γηεπθνιύλζεηο θνξνινγηθέο γηα ηελ αγνξά ζνκπώλ pellet) θαη μύινπ

ISO/IEC 27001:2005 Certificate No: IS Aegate Ltd 2011 All rights reserved

ΘΕΜΑ Δ Δ1) Μονάδες 6 Δ2) Μονάδες 5 Δ3) Μονάδες 7 Δ4) Μονάδες 7

Άζκηζη ζτέζης κόζηοσς-τρόνοσ (Cost Time trade off) Καηαζκεσαζηική ΑΔ

66. Ομογενής ράβδος ποσ περιζηρέθεηαι

Transcript:

ΤΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ Ι ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΚΡΗΣΗ ΣΜΗΜΑ ΕΠΙΣΗΜΗ ΚΑΙ ΣΕΥΝΟΛΟΓΙΑ ΤΛΙΚΩΝ

Άδειεσ Χριςθσ -Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται ςτθν άδεια χριςθσ Creative Commons και ειδικότερα Αναφορά - Μη εμπορική Χρήςη - Όχι Παράγωγο Έργο v. 3.0 (Attribution Non Commercial Non-derivatives) - Για εκπαιδευτικό υλικό, όπωσ εικόνεσ, που υπόκειται ςε άλλου τφπου άδειασ χριςθσ, θ άδεια χριςθσ αναφζρεται ρθτώσ.

8 Ηιεθηξηθέο Ιδηόηεηεο

Ννκόο ηνπ Ohm Η ηάζε είλαη αλάινγε ηεο έληαζεο ηνπ ξεύκαηνο. ηάζη Volt V I R ανηίζηαζη Ohm Ηλεκηπικό πεύμα Ampere A Ειδική ανηίζηαζη R A Ανεξάπηηηη από μήκορ και διαηομή Ohm m

πςκνόηηηα πεύμαηορ Amperem 2 J E Ένηαζη ηλεκηπικού πεδίος Volt m 1 Ειδική ηλεκηπική αγυγιμόηηηα Ohm m 1 1 Τππηθέο ηηκέο ζπληειεζηώλ εηδηθήο ειεθηξηθήο αγωγηκόηεηαο Μνλωηέο Ηκηαγωγνί Μέηαιια 10-20 έωο 10-10 10-6 έωο 10 4 ~ 10 7 ( Ohmm) 1 27 ηάμεηο κεγέζνπο!

Ηιεθηξηθή αγωγηκόηεηα αηνκηθή θιίκαθα V Σάζε (διαθοπά δςναμικού) E Ηιεθηξηθό πεδίν (Ένηαζη ηλεκηπικού πεδίος) Κίλεζε ειεθηξηθά θνξηηζκέλωλ ζωκαηηδίωλ Ηιεθηξόληα J Ιόληα Ηιεθηξηθό ξεύκα

Ελεξγεηαθό ράζκα Σσημαηικό διάγπαμμα ηηρ ενέπγειαρ ηλεκηπονίυν υρ ζςνάπηηζη ηηρ απόζηαζηρ μεηαξύ αηόμυν για ένα ζςζζυμάηυμα 6 αηόμυν

Ελεξγεηαθό ράζκα Σσημαηικό διάγπαμμα ηηρ ενέπγειαρ ηλεκηπονίυν υρ ζςνάπηηζη ηηρ απόζηαζηρ μεηαξύ αηόμυν για ένα ζηεπεό

Ηλεκηπονιακέρ δομέρ ζηεπεών ζηοςρ 0 ο Κ Μέηαιια 29Cu 12Mg Μνλωηέο Ηκηαγωγνί κενή κενή κενή κενή Ε F κενή σάζμα σάζμα σάζμα Ε F κενή ζςμπληπυμένη ζςμπληπυμένη ζςμπληπυμένη ζςμπληπυμένη 1 ηλεκηπόνιο ζθένοςρ 29 Cu: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 1 Αλληλοεπικάλςτη μιαρ κενήρ και μιαρ ζςμπληπυμένηρ 3s + 3p 12Mg: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 Ιονηικοί ή ιζσςποί ομοιοπολικοί δεζμοί. Ιζσςπόρ ενηοπιζμόρ ηυν ηλεκηπονίυν Αζθενείρ ομοιοπολικοί δεζμοί. Εύκολη θεπμική διέγεπζη ζηην ζώνη αγυγιμόηηηαρ

Καηανομή Fermi-Dirac Ελέξγεηα Fermi fu ( ) e 1 UE F kt 1 kt 0.026eV o ( T 300 K) Ε F : ζηα μέηαλλα η ςτηλόηεπη ζςμπληπυμένη καηάζηαζη ζηοςρ 0 ο Κ Μέηαιια Τ

Καηανομή Fermi-Dirac Ελέξγεηα Fermi fu ( ) e 1 UE F kt 1 kt 0.026eV o ( T 300 K) U = Ε F : πιθανόηηηα καηάλητηρ 50% Μνλωηέο, Ηκηαγωγνί Τ

Σππηθέο ηηκέο ελέξγεηαο Fermi Στοιχείο Ενζργεια Fermi E F (ev) Θερμοκραςία Fermi T F (10 4 K) Ταχφτθτα Fermi F (nm/fs) Cu 7.00 8.16 1.57 Ag 5.49 6.38 1.39 Al 11.7 13.6 2.03 Ga 10.4 12.1 1.92 In 8.63 10.0 1.74 Πθγι: Wikipedia T F E k F F 2E F m e

Μέηαιια Μνλωηέο - Ηκηαγωγνί Mόνο ηλεκηπόνια με ενέπγεια μεγαλύηεπη ηηρ ενέπγειαρ Fermi μποπούν να ζςμμεηέσοςν ζηην αγυγιμόηηηα

Επθηλεζία ειεθηξνλίωλ θοπά κίνηζηρ Σθέδαζε ειεθηξνλίωλ ιόγω αηειεηώλ ζην θξπζηαιιηθό πιέγκα Άηομα ππόζμιξηρ Πλεγμαηικά κενά Ε E d e Ένηαζη ηλεκηπικού πεδίος Volt m 1 Ένθεηα άηομα Διαηαπασέρ θυνόνια μέζη ηασύηηηα μεηαηόπιζηρ ms 1 Εςκινηζία ηλεκηπονίυν m Volt s 2 1 1 Απώιεηα θηλεηηθήο ελέξγεηαο

- Επθηλεζία ειεθηξνλίωλ / J E e n d d E e d Φοπηίο ηλεκηπονίος C n e e Ειδική ηλεκηπική αγυγιμόηηηα Ohm m 1 Πςκνόηηηα ηλεκηπονίυν m 3 Εςκινηζία ηλεκηπονίυν m Volt s 2 1 1

Εηδηθή αληίζηαζε κεηάιιωλ Καλόλαο Matthiessen Σςνολική ειδική ανηίζηαζη tot t i d 1 Επίδπαζη θεπμοκπαζίαρ Θεπμική ζςνειζθοπά Σςνειζθοπά πποζμίξευν Επίδπαζη ζςγκένηπυζηρ πποζμίξευν Σςνειζθοπά παπαμόπθυζηρ Επίδπαζη πλαζηικήρ παπαμόπθυζηρ t o T ζηαθεπέρ A c (1 c ) ζηαθεπά i i i V V Σςγκένηπυζη ζε κλάζμα αηόμυν i a a b b Αύξηζη ηηρ ειδικήρ ανηίζηαζηρ Ογκομεηπικά κλάζμαηα

Ηκηαγωγνί (ελεξγεηαθό ράζκα < 2eV) Ελδνγελείο (Intrinsic) Μνλνθξύζηαιινο Ππξηηίνπ Massimiliano Lincetto / Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0 Καζαξά πιηθά (IVA νκάδα) Si: 1.11 ev Ge: 0.67 ev Ελώζεηο III-V (IΙΙA, VA) GaAs: 1.42 ev GaP: 2.25 ev InSb: 0.17 ev Silicon Waffer / Wikimedia Commons/ Public Domain Ελώζεηο II-VI (IΙA, VIA) CdS: 2.40 ev ZnTe: 2.26 ev Clean room User: Duk/ Wikimedia Commons/Public Domain Μλήκε EPROM User: Zephyris / Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

Εμωγελείο (Extrinsic) Ηκηαγωγνί Πξνζκίμεηο ηύπνπ n Πξνζκίμεηο ηύπνπ p οπή

Εμωγελείο Ηκηαγωγνί Ηιεθηξηθή αγωγή ζε εκηαγωγνύο κε πξνζκίμεηο ηύπνπ n

Εμωγελείο Ηκηαγωγνί Ηιεθηξηθή αγωγή ζε εκηαγωγνύο κε πξνζκίμεηο ηύπνπ p Η οπή μποπεί να θευπηθεί υρ θεηικά θοπηιζμένο ζυμαηίδιο με θοπηίο + 1.6 10-19 C

Ηιεθηξηθή αγωγηκόηεηα ηλεκηπόνια οπέρ Ελδνγελείο n e p e e h h e, n p ne( ) e h h e Εμωγελείο Σύπνπ n (P, As, Sb) (VA) Σύπνπ p (B, Ga, Al) (IIIA) n p n p ne e pe h

- Ηιεθηξηθή αγωγηκόηεηα Επίδξαζε ηεο ζεξκνθξαζίαο Ελδνγελείο Ιζρπξή αύμεζε n, p κε ηελ αύμεζε ηεο ζεξκνθξαζίαο Αζζελήο κείωζε μ e, μ h κε ηελ αύμεζε ηεο ζεξκνθξαζίαο Eg ln C 2kT E ' g ln n ln p C 2kT

Επαθή p-n ρεκαηηθή απεηθόληζε κηαο επαθήο p-n en:user:thenoise/ Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

ρεκαηηθή απεηθόληζε θαηαλνκώλ θνξηίνπ (Q), έληαζεο ειεθηξηθνύ πεδίνπ (Ε), θαη δηαθνξάο δπλακηθνύ (V) ζε κηα επαθή p-n πνπ βξίζθεηαη ζε ζεξκηθή ηζνξξνπία κε κεδεληθή εμωηεξηθή ηάζε en:user:thenoise/ Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

Ηιεθηξηθή Δίνδνο Ηιεθηξηθό ζηνηρείν πνπ επηηξέπεη ηελ δηέιεπζε ξεύκαηνο κόλν ζε κηα δηεύζπλζε άλνδνο Σππηθή θαηαζθεπή p-n δηόδνπ γξαθηθή απεηθόληζε p-n δηόδνπ ζε ειεθηξηθό θύθιωκα θάζνδνο Λεπηνκέξεηα από ην εζωηεξηθό δηόδνπ User:Morcheeba / Wikimedia Commons, CC-BY-SA-2.5

Σππηθή θακπύιε ηάζεο-ξεύκαηνο γηα κηα ειεθηξηθή δίνδν User:Hldsc / Wikimedia Commons, CC-BY-SA-2.5

Μηθξνειεθηξνληθή Η επηζηήκε θαη ηερλνινγία θαηαζθεπήο νινθιεξωκέλωλ θπθιωκάηωλ Ελαπόζεζε (Deposition) Αθαίξεζε (Removal) Ληζνγξαθία (Lithography) Clean room User: Duk/ Wikimedia Commons/Public Domain Σξνπνπνίεζε ειεθηξηθώλ ηδηνηήηωλ (Modification of electrical properties ) Οινθιεξωκέλν θύθιωκα (τεςδοσπυμαηική απεικόνιζη) David Carron / Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

Ελαπόζεζε (Deposition) (PVD) physical vapour deposition (CVD) chemical vapour deposition PVD (ceramic powder introduced into the plasma flame, which vaporizes it and then condenses it to form the ceramic coating.) NASA/Wikimedia Commons/Public Domain CVD (DC plasma (violet), A heating element (red) provides the necessary substrate temperature.) User:Polyparadigm /Wikimedia Commons/Public Domain (MBE) molecular beam epitaxy MBE User:Vegar Ottesen / Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0 (ECD) electrochemical deposition (ADL) Atomic layer deposition

Σξνπνπνίεζε ειεθηξηθώλ ηδηνηήηωλ (Modification of electrical properties ) Εκθύηεπζε ηόληωλ (ion implantation) ρεκαηηθή απεηθόληζε δηάηαμεο εκθύηεπζεοελαπόζεζεο ηόληωλ κε δηαρωξηζηή κάδαο User:Dschwen/Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

Αθαίξεζε (Removal) etching wet Χπήζη ςγπών διαλςηών dry Χπήζη πλάζμαηορ ρεκαηηθή απεηθόληζε αθαίξεζεο κε wet etching User:Mrneutrino / Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0 Εηθόλα SEM από ion etching (Si pillar ) User:Pgalajda/ Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

Ληζνγξαθία (Lithography) ρεκαηηθή απεηθόληζε θωηνιηζνγξαθηθήο δηαδηθαζίαο γηα θαηαζθεπή νινθιεξωκέλνπ θπθιώκαηνο User:Cmglee/ Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

Γραφικι απεικόνιςθ τθσ εξζλιξθσ ςτθν μείωςθ των διαςτάςεων ςτθν Μικροθλεκτρονικι User: Cmglee/ Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

Ινληηθά θεξακηθά Ηιεθηξηθή αγωγηκόηεηα Ηιεθηξνληαθή Ινληηθή tot el ionic ζθένορ i s e D i kt i Σςνη. διάσςζηρ

Σππηθέο ειεθηξηθέο ηδηόηεηεο Τιηθό Εηδηθή αληίζηαζε ξ (m) Εηδηθή ειεθηξηθή αγωγηκόηεηα ζ 1/(m) Άλζξαθαο (άκνξθνο) (5 ~ 8) 10-4 (1.25 ~ 2) 10 3 Γξαθίηεο (2.5 ~ 5) 10-6 (2 ~ 3) 10 5 Δηακάληη ~10 12 ~10-13 Κνηλό Γπαιί (0.1 ~ 1000)10 12 (0.001 ~ 10) 10-12 Εβνλίηεο >10 13 ~10-14 Teflon >10 16 <10-16 PET ~10 14 ~10-14 Πθγι: Wikipedia

Πνιπκεξή Τππηθά ηα πνιπκεξή έρνπλ ρακειή ειεθηξηθή αγωγηκόηεηα teflon 10 ( m) 17 1 Δοκιμαςτικό κατςαβίδι User:Haragayato/Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0 Μονωτικζσ ταινίεσ User:DMGualtieri/Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0 Σχθματικι απεικόνιςθ τομισ θλεκτρικοφ καλωδίου User:Tkgd2007/Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

Αγώγηκα πνιπκεξή! 1.510 ( m) 7 1 The Nobel Prize in Chemistry 2000 was awarded jointly to : Alan J. Heeger, Alan G. MacDiarmid and Hideki Shirakawa "for the discovery and development of conductive polymers". Πεπιζζόηεπερ Πληποθοπίερ: (http://www.nobelprize.org )

Αγώγηκα πνιπκεξή: Εθαξκνγέο Flexible display User:RDECOM/Wikimedia Commons, CC-BY-SA-1.0 Flexible display (e-paper) Windell Oskay /Wikimedia Commons, CC-BY-SA-2.0 Flexible organic LED (OLED) User:meharris/Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0 Flexible organic solar cell Armin Kübelbeck/Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0

Πωο ιεηηνπξγνύλ; ζπδεπγκέλνη δηπινί δεζκνί (conjugated double bonds) Σηοςρ ζςζεςγμένοςρ δεζμούρ, οι δεζμοί μεηαξύ ηυν αηόμυν ηος άνθπακα είναι εναλλάξ απλοί και διπλοί. Κάθε διπλόρ δεζμόρ πεπιέσει ένα ιζσςπά «ενηοπιζμένο» ζ ηποσιακό πος ζσημαηίζει ένα ιζσςπό δεζμό καθώρ και ένα αζθενέζηεπα «ενηοπιζμένο» π ηποσιακό. Υβριδιςμόσ τροχιακών ςτουσ δακτυλίουσ του βενηολίου User:Vladsinger/Wikimedia Commons, CC-BY-SA-3.0 Πξνζκίμεηο Φοπείρ θοπηίος (ηλεκηπόνια ή οπέρ) ππέπει να πποζηεθούν ζηο ςλικό. Η ύπαπξη ηοςρ επιηπέπει ηην μεηαθοπά θοπηίος ζηην μοπιακή αλςζίδα

Δομι Διαμαντιοφ ζ ηξνρηαθά Δομι Γραφίτθ ζ +π ηξνρηαθά Πολυακετυλζνιο ζ +π ηξνρηαθά