ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ"

Transcript

1 ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ 1

2 ΑΜΦΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΩΝ Δομή του αμφιπολικού τρανζίστορ επαφών Το αμφιπολικό (ή διπολικό) τρανζίστορ αποτελείται από τρία διαδοχικά εναλλασσόμενα στρώματα ημιαγωγικού υλικού (μονοκρυσταλλικό πυρίτιο) εμπλουτισμένα με προσμίξεις. Υπάρχουν δύο είδη τρανζίστορ ανάλογα με τη σειρά διαδοχής: Στο τρανζίστορ pnp η σειρά διαδοχής των στρωμάτων είναι: στρώμα τύπου p+ έντονα εμπλουτισμένο με αποδέκτες υψηλής συγκέντρωσης Ν aε, ονομαζόμενο εκπομπός (Ε), στρώμα τύπου n εμπλουτισμένο με δότες μικρότερης συγκέντρωσης Ν dβ η βάση (Β), στρώμα τύπου p εμπλουτισμένο με αποδέκτες χαμηλής συγκέντρωσης Ν α C ο συλλέκτης (C), Ν aε >Ν dβ >Ν a C Στο τρανζίστορ npn η σειρά διαδοχής των στρωμάτων είναι: στρώμα τύπου n + εκπομπός (Ε), στρώμα τύπου p η βάση (Β), στρώμα τύπου n ο συλλέκτης (C). Η συγκέντρωση προσμίξεων στα στρώματα είναι: Ν dε >Ν aβ >Ν d C O εκπομπός εκπέμπει φορείς ηλεκτρισμού (ηλεκτρόνια για τρανζίστορ npn ή οπές για τρανζίστορ pnp), η βάση είναι λεπτή (0,1-10μm) για να επιτρέπει τη διέλευση των φορέων προς το συλλέκτη, όπου συλλέγονται και αποτελεί περιοχή κατανάλωσης ισχύος και για αυτό έχει το μεγαλύτερο εύρος. Η τεχνολογία κατασκευής του τρανζίστορ pnp είναι πιο απλή από του npn. Το τρανζίστορ npn κυριαρχεί στις ηλεκτρονικές εφαρμογές λόγω των λειτουργικών πλεονεκτημάτων Εγκάρσια τομή αμφιπολικού τρανζίστορ επαφών p + np με συνήθεις τιμές για τις διάφορες παραμέτρους (μη ακριβής κλίμακα). ονομάζεται Επίπεδο επιταξιακό τρανζίστορ διπλής διάχυσης, γιατί έχει κατασκευαστεί με την επίπεδη τεχνολογία με διπλή διάχυση προσμίξεων για την υλοποίηση της βάσης (n) και του εκπομπού (p++) σε επιταξιακό ντοπαρισμένο στρώμα (p+), που είναι ο συλλέκτης). Το υπόστρωμα τύπου (p) χρησιμεύει σαν μηχανικό στήριγμα Η ενεργός περιοχή του τρανζίστορ καλύπτει μικρή περιοχή της συνολικής του λόγω των επιμεταλλώσεων και των απομονώσεων με SiO 2 2

3 Τρανζίστορ npn υψηλής ταχύτητας (C. C. SODINI) 3

4 Συμβολισμοί, ονοματολογία και πόλωση των διπολικών τρανζίστορ Σύμβολο και σχηματικά διαγράμματα τρανζίστορ npn και pnp (το βέλος βρίσκεται στην πλευρά του εκπομπού, και δείχνει τη συμβατική φορά του ρεύματος για κανονική λειτουργία του τρανζίστορ) -Τρεις ακροδέκτες: Εκπομπός (E), Βάση (B), Συλλέκτης (C) -Δύο επαφές: Eπαφή εκπομπού (επαφή εκπομπού-βάσης), Eπαφή συλλέκτη (επαφή συλλέκτηβάσης) -Τρία ρεύματα I E, I B, I C για τα οποία ισχύει ο νόμος του Κirchoff I E,+ I B +I C =0 Σε τρανζίστορ npn το ρεύμα οφείλεται κυρίως σε κίνηση ηλεκτρονίων, ενώ στο τρανζίστορ pnp οφείλεται κυρίως σε κίνηση οπών Η ροή των οπών και το ρεύμα (συμβατικό) είναι στην ίδια κατεύθυνση (πιο εύκολη κατανόηση μηχανισμών μεταφοράς φορτίου). Η ροή των ηλεκτρονίων και το ρεύμα (συμβατικό) είναι αντίθετης κατεύθυνσης Για τη συνδεσμολογία του τρανζίστορ σε κύκλωμα πρέπει ο ένας από τους τρεις ακροδέκτες να είναι κοινός στην είσοδο και στην έξοδο. Τρεις τρόποι συνδεσμολογίας: α) κοινής βάσης (common base CB), β) κοινού εκπομπού (common emitter CE), κοινού συλλέκτη (common collector, CC) (α) (β) (γ) 4

5 τρανζίστορ npn και pnp σε συνδεσμολογία κοινής βάσης Στο τρανζίστορ pnp το ρεύμα του εκπομπού Ι Ε εισέρχεται στον ακροδέκτη Ε του τρανζίστορ, ενώ εξέρχονται από τους ακροδέκτες Β και C τα ρεύματα βάσης Ι Β και συλλέκτη Ι C. Το αντίθετο ισχύει για το τρανζίστορ npn Συμβολισμοί τάσεων και δυναμικών Δυναμικό ακροδέκτη σε σχέση με το κοινό σημείο (γείωση): V E, V B, V C π.χ. V C : Δυναμικό συλλέκτη ως προς το κοινό σημείο Διαφορά δυναμικού μεταξύ δύο ακροδεκτών: π.χ.v BE : τάση μεταξύ βάσης-εκπομπού V CB : τάση μεταξύ συλλέκτη-βάσης 5

6 Αρχή λειτουργίας Ενεργειακά διαγράμματα τρανζίστορ pnp στην ενεργό περιοχή λειτουργίας Όταν η επαφή εκπομπού-βάσης είναι ορθά πολωμένη V EB >0 και η επαφή συλλέκτη βάσης είναι ανάστροφα πολωμένη V CB <0, το τρανζίστορ λειτουργεί στον ενεργό τρόπο (active mode ) γιατί ενεργεί σαν ενισχυτής ισχύος όπως θα δούμε παρακάτω Μηδενική τάση Ενεργός πόλωση Δράση τρανζίστορ 1. Εχουμε μείωση του δυναμικού qv EB λόγω της ορθής πόλωσης και αύξηση του δυναμικού qv CB λόγω της ανάστροφης πόλωσης 2.H ορθά πολωμένη επαφή Ε-Β εγχέει οπές στη βάση και ηλεκτρόνια στο εκπομπό (που αποτελούν τις συνιστώσες του ρεύματος εκπομπού Ι he, Ι ee αντίστοιχα 3. επειδή η βάση είναι πολύ λεπτή (δηλ. ουδέτερη περιοχή βάσης w << L h μήκος διάχυσης οπών (L h =(D h τ h ) 1/2 ), οι περισσότερες οπές που έχουν εγχυθεί στη βάση (φορείς μειοψηφίας) διαχέονται κατά μήκος της βάσης, εισέρχονται στην περιοχή άντλησης του συλλέκτη, όπου επιταχύνονται από το ισχυρό ηλεκτρικό πεδίο (ανάστροφα πολωμένη η επαφή C-Β) και συλλέγονται στο συλλέκτη (transistor effect) 4. Το ποσοστό οπών που επανασυνδέονται με τα ηλεκτρόνια της βάσης είναι μικρό γιατί αφενός το εύρος της βάσης είναι πολύ μικρό, επομένως ελάχιστοι φορείς θα προλάβουν να επανασυνδεθούν και αφετέρου η συγκέντρωση των ηλεκτρονίων στη βάση είναι μικρή λόγω της μικρής συγκέντρωσης σε προσμίξεις, πράγμα που επίσης περιορίζει την επανασύνδεση 5. Το ποσοστό ηλεκτρονίων που εγχέονται από τη βάση στον εκπομπό είναι πολύ μικρό εφόσον η συγκέντρωση προσμίξεων στη βάση είναι μικρότερη σε σχέση με τον εκπομπό (κατά δύο τάξεις μεγέθους τουλάχιστον). 6

7 Συγκεντρώσεις (κατανομή) των φορέων στον ενεργό τρόπο λειτουργίας τρανζίστορ pnp (V EB >0 και V CB <0) Συγκέντρωση των φορέων α) μειοψηφίας β) πλειοψηφίας Παρατήρηση Η συγκέντρωση των φορέων μειοψηφίας (που έχουν εγχυθεί) στις ακμές της περιοχής άντλησης εκατέρωθεν της ορθά πολωμένης επαφής εκπομπού δίνεται από τη σχέση διόδου επαφής pn, π.χ. qveb από την πλευρά του εκπομπού για x=-x e, =0 npe = npoe exp( ) kt qveb και στη πλευρά της βάσης για x=0, pn = pnoexp( ) kt Κατανομή συγκέντωσης φορέων μειοψηφίας στη βάση: Η κατανομή των εγχεόμενων οπών στην ουδέτερη περιοχή της βάσης είναι γραμμική συνάρτηση της θέσης x λόγω του μικρού πλάτους της, επειδή ένα πολύ μικρό ποσοστό των οπών εξαφανίζονται σε ανασύζευξη (επανασύνδεση) με ηλεκτρόνια βάσης, σταθερό ρεύμα διάχυσης οπών φθάνει στο συλλέκτη, με καλή προσέγγιση η κλίση συγκέντρωσης οπών είναι σταθερή (γραμμική μεταβολή) dp ( ) n x I E, p n (x)=ax dx Η κατανομή της συγκέντρωσης των ηλεκτρονίων στον εκπομπό n pe (στα όρια της περιοχής άντλησης,-x e =0) είναι εκθετική όπως σε μία επαφή pn ορθά πολωμένη 7

8 Το τρανζίστορ npn στην ενεργό περιοχή λειτουργίας Ενεργειακά διαγράμματα και κατανομή συγκέντρωσης των φορέων μειοψηφίας α) Πόλωση τρανζίστορ npn σε σύνδεση κοινής βάσης στον ενεργό τρόπο λειτουργίας β) Κατανομή συγκέντρωσης φορέων μειοψηφίας γ) Ενεργειακά διαγράμματα Ρεύμα διάχυσης μέσω της βάσης -Το ρεύμα συλλέκτη Το ρεύμα στο τρανζίστορ καθορίζεται πρωταρχικά από τη μεταφορά των φορέων μειοψηφίας δια μέσου της περιοχής της βάσης. Το ρεύμα του συλλέκτη είναι ίσο με την πυκνότητα του ρεύματος διάχυσης των ηλεκτρονίων στη βάση πολλαπλασιαζόμενο με το εμβαδόν της επαφής βάσης.- εκπομπού Η διάχυση ηλεκτρονίων μέσω της βάσης καθορίζεται από την κατανομή της συγκέντρωσής τους στην ουδέτερη περιοχή της, εύρους w, η οποία είναι γραμμική. Η συγκέντρωση των ηλεκτρονίων στη βάση για x=0 (όρια της περιοχής άντλησης της επαφής εκπομπού-βάσης από την πλευρά της βάσης) είναι: qvbe VB n (0) = pb np0exp np0exp kt = E VT Η συγκέντρωση των ηλεκτρονίων στη βάση για x=w είναι σχεδόν μηδενική 8

9 Το ρεύμα διάχυσης των ηλεκτρονίων μέσω της βάσης είναι: dnpb( x) npb(0) 0 I diff = J nbdiff ABE = ABE qd e = ABE qd e = dx 0 w ABEqD en p0 V BE exp( ) w VT η ροή των ηλεκτρονίων είναι στην κατεύθυνση +x, ενώ το συμβατικό ρεύμα είναι στην κατεύθυνση x, έτσι έχουμε: I = I = I C diff s VBE exp( ), V T Το ρεύμα στον ακροδέκτη του συλλέκτη ελέγχεται από την τάση των δύο άλλων ακροδεκτών, βασική δράση του τρανζίστορ. Δηλαδή το ρεύμα του συλλέκτη είναι ανεξάρτητο της V CB, το τρανζίστορ δρα σαν πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση το ρεύμα κορεσμού του τρανζίστορ είναι I s A qd n = = w A qd n w. N 2 BE e P0 BE e i Όπου Ν aβ η συγκέντρωση προσμίξεων στη βάση. Η ευκινησία όπως και η σταθερά διάχυσης των ηλεκτρονίων είναι μεγαλύτερη από αυτή των οπών και άρα το τρανζίστορ npn θα άγει μεγαλύτερο ρεύμα από το τρανζίστορ pnp ab Το ρεύμα διάχυσης των οπών είναι το ρεύμα βάσης Ι Β το οποίο διασχίζει την επαφή εκπομπού: dpne ( x) V, όπου (0) exp( BE I B = J pediff ABE = ABEqD h pne = pno ) dx V ABEqDh p n0 V BE (exp ) 1 Lh VT T Το ρεύμα του εκπομπού Ι Ε = -(Ι Β +Ι C )=-(-J nbdiff +-J pediff )= qden poabe qdhpnoa BE VBE + exp( ) WB Lh VT O λόγος του ρεύματος συλλέκτη προς το ρεύμα του εκπομπού (dc ρεύματα) ορίζεται σαν κέρδος ρεύματος α F κοινής βάσης qden poabe I W C B af = = I qd E enpoabe qdhpnoa BE + WB Lh 9

10 Kέρδος ρεύματος α -κέρδος ρεύματος β τρανζίστορ για μεγάλα σήματα Το διπολικό τρανζίστορ χαρακτηρίζεται από δύο παραμέτρους για μεγάλα σήματα : κέρδος ρεύματος (ή ενίσχυση ρεύματος) α για σύνδεση κοινής βάσης και κέρδος ρεύματος β (ή ενίσχυση ρεύματος) για σύνδεση κοινού εκπομπού Το ρεύμα του εκπομπού Ι Ε στο τρανζίστορ pnp είναι ρεύμα οπών. Το ρεύμα του συλλέκτη είναι Ι C = αι Ε + Ι CB0, δηλαδή το άθροισμα του μεγαλύτερου ποσοστού ρεύματος εκπομπού, αι Ε και ενός μικρού ρεύματος Ι CB0 (που είναι το ανάστροφο ρεύμα κορεσμού του συλλέκτη με τον εκπομπό ανοικτό, ανεξάρτητο της τάσης V CB ) Σύμφωνα με τις φορές ρευμάτων για τον κόμβο του συλλέκτη ισχύει: I + ai I = 0 I = ai + I C E CBO C E CBO 1. κέρδος ρεύματος a για σύνδεση κοινής βάσης I + I I I a = = I I 0 C CBO C CBO E E (επειδή τα I C, Ι Ε έχουν αντίθετα πρόσημα και για τους δύο τύπους τρανζίστορ pnp και npn, το α ορίζεται ως θετικό πάντοτε) Δηλαδή η παράμετρος α είναι η αύξηση του ρεύματος συλλέκτη πάνω από την τιμή αποκοπής (στην αποκοπή I = I προς την αύξηση του ρεύματος εκπομπού πάνω από την τιμή C CBO ) I = 0) αποκοπής (στην αποκοπή E. Το άλφα λέγεται κέρδος ή ενίσχυση ρεύματος για μεγάλα σήματα στη συνδεσμολογία κοινής βάσης Αν θεωρηθεί αμελητέα η τιμή του ανάστροφου ρεύματος κορεσμού I CBO IC aie, ICBO 0 I C a = hfb I E παρατήρηση: τα ρεύματα στους ακροδέκτες του τρανζίστορ Ι Ε, Ι Β, Ι C θεωρούνται ότι είναι θετικά όταν η ροή (συμβατική) του φορτίου γίνεται προς το εσωτερικό του τρανζίστορ και αρνητικά όταν εξέρχονται από αυτό 10

11 Η παράμετρος h FB λέγεται κέρδος ή ενίσχυση ρεύματος DC, είναι περίπου ίση με το κέρδος ρεύματος για μεγάλα σήματα, α, και συχνά μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε υπολογισμούς το ένα μέγεθος αντί του άλλου. 2. κέρδος ρεύματος β για σύνδεση κοινού εκπομπού Θεωρώντας το τρανζίστορ σαν ένα κόμβο KCL: IE I I = 0 I = I I = (1 a) I I (1 a) I I CBO = C a a a a Ο λόγος ορίζεται ως ο συντελεστής β = (1 a ) (1 a) IC = β Ι Β + (β + 1) ΙC BO I Ι β= C CBO Ι Ι Β C B B E C E CBO CBO Στη σχέση αυτή το β εκφράζει το πηλίκο της αύξησης του ρεύματος συλλέκτη πάνω από την τιμή Ι CBO προς την αύξηση του ρεύματος βάσης πάνω απ' αυτή την τιμή. Η έκφραση αυτή προσδιορίζει το β σαν κέρδος ή ενίσχυση ρεύματος για μεγάλα σήματα. για τρανζίστορ πυριτίου το Ι CBO είναι αμελητέο, οπότε Ι C β =hfe I B Η παράμετρος h FE επειδή ορίζεται από το λόγο δυο τιμών ρεύματος πόλωσης, λέγεται κέρδος ή ενίσχυση ρεύματος DC, είναι περίπου ίση με την ενίσχυση ρεύματος β για μεγάλα σήματα και συχνά μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε υπολογισμούς το ένα μέγεθος αντί του άλλου. Η ενίσχυση ρεύματος DC εξαρτάται από το σημείο λειτουργίας του τρανζίστορ και κυρίως από το ρεύμα πόλωσης Ι C (όπως θα δούμε στη συνέχεια) Σχέση μεταξύ των παραμέτρων α και β: a β β = και a = (1 a) β + 1 -Τιμές του α μεταξύ 0,90-0,995, -Τιμές του β μεγαλύτερες του Οι παράμετροι α και β συμβολίζονται επίσης και με το α F, β F Υψηλής τεχνολογίας ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) BJTs: τιμές ρεύματος συλλέκτη 0,1-1 ma, τιμές β To κέρδος ρεύματος β ελέγχεται δύσκολα κατασκευαστικά, στόχος είναι ο σχεδιασμός IC μη ευαίσθητων σε μεταβολή 11

12 ΑC ρεύματα στο τρανζίστορ Όταν εφαρμοστεί σε σειρά με τη DC τάση πόλωσης V BE και μία εναλλασσόμενη τάση το τρανζίστορ διαρρέεται από χρονικά μεταβαλλόμενα ρεύματα. Ισχύουν παρόμοιες σχέσεις: για τα ολικά ρεύματα σε συλλέκτη και εκπομπό θα έχουμε: IC ΔiC β dc = hfe =, β ac = hfe = vce = σταθ. I Δi i = ai + I B C E CB0 i = I + i = a( I + i ) + I C C C( AC) E E( AC) CB0 i i = ai C( AC) E( AC) C( AC) = βi Β ( AC) B Ενισχυτική δράση του τρανζίστορ -Ποιοτική ερμηνεία Όταν προστεθεί μία πηγή AC χαμηλού σήματος και μικρής συχνότητας στο ρεύμα ελέγχου της βάσης, i b, μπορούμε να πάρουμε πολύ μεγάλες μεταβολές στο AC ρεύμα του συλλέκτη i C για μικρές μεταβολές του AC ρεύματος της βάσης i b. Το χρονικά μεταβαλλόμενο ρεύμα του συλλέκτη θα είναι i c =h fe.i b Ετσι στο παράδειγμα το AC ρεύμα του συλλέκτη i C μεταβάλλεται περίπου κατά 5mΑ από την τιμή του DC I C, για μία μεταβολή του i b περίπου κατά 0,05mΑ από την τιμή του DC, VBB VBE VBB 5V IB = = = 0,1mA R R 50KΩ B B α) Τρανζίστορ σε σύνδεση κοινού εκπομπού στον ενεργό τρόπο λειτουργίας β) Το ασθενές εναλλασσόμενο ρεύμα της βάσης i b στο κύκλωμα εισόδου ενισχύεται β (h fe ) φορές από το τρανζίστορ και περνάει από την αντίσταση R L ως i c =h fe.i b στο κύκλωμα εξόδου. Αυτός ο τύπος της ενίσχυσης που ελέγχεται από το ρεύμα είναι τυπικός στα διπολικά τρανζίστορ και χρησιμοποιείται ευρέως στα κυκλώματα τρανζίστορ 12

13 Υπολογισμός ρευμάτων και τάσεων σε κύκλωμα τρανζίστορ σε σύνδεση κοινού εκπομπού R C R E I C R B V CB V CE V CC V BB I B V BE I E VBE( ON ) 0,7V V V = I R + V I = I I BB B B BE B C E = β. I B IC = a VCE = VCC ICRC V = V V CB CE BE BB V R B BE i = I exp( v / V ) i C s BE T C = β. i B 13

14 Συνιστώσες ρευμάτων του τρανζίστορ -Αναλυτικότερη περιγραφή Για την κατανόηση της εσωτερικής λειτουργίας του τρανζίστορ πρέπει να συσχετίσουμε τα ρεύματα στους ακροδέκτες με τις διάφορες συνιστώσες των ρευμάτων που οφείλονται στους μηχανισμούς διάχυσης, γένεσης και ανασύζεξης φορέων στις περιοχές του εκπομπού, βάσης και συλλέκτη, καθώς και στις περιοχές άντλησης των δύο επαφών του τρανζίστορ Ι he ρεύμα διάχυσης οπών (λογω έγχυσης οπών από τον εκπομπό στη βάση) Ι ee ρεύμα διάχυσης ηλεκτρονίων (λόγω έγχυσης ηλεκτρονίων από τη βάση στον εκπομπό) Ι hc ρεύμα διάχυσης οπών που φθάνει στον συλλέκτη, Ι he - Ι ee ρεύμα που τροφοδοτεί το κύκλωμα βάσης για να αναπληρώσει τα ηλεκτρόνια της βάσης που καταναλώνονται σε ανασύζευξη με τις εγχεόμενες οπές Ι r, oφείλεται στη ανασύζευξη ηλεκτρονίου-οπής στην περιοχή άντλησης της ορθά πολωμένης επαφής Ε-Β και Ι g, oφείλεται στη γένεση ηλεκτρονίου-οπής στην περιοχή άντλησης της ανάστροφα πολωμένης επαφής Β-C Ι eco, Ι hco, ρεύματα διάχυσης των φορέων μειοψηφίας (ανάστροφο ρεύμα κορεσμού) της ανάστροφα πολωμένης επαφής Β-C Οι συνιστώσες Ι g, Ι eco, Ι hco είναι πολύ μικρές και συνδυάζονται σε μία ολική συνιστώσα τη Ι CO, που είναι το ανάστροφο ρεύμα κορεσμού του συλλέκτη που παρατηρείται αν αφήσουμε ανοικτό το κύκλωμα του εκπομπού και διατηρήσουμε ανάστροφα πολωμένη την επαφή βάσης-συλλέκτη. Τα ρεύματα στους ακροδέκτες είναι: IE = IhE + IeE + I r IC = IhC + ICO I = I + ( I I ) + I I B ee he hc r CO 14

15 Υπολογισμός του κέρδους ρεύματος α Σε σχέση με τους διάφορους μηχανισμούς μέσα στο τρανζίστορ το κέρδος ρεύματος α F του τρανζίστορ είναι ένα μέτρο της απόδοσης της έγχυσης του εκπομπού (γ) και του παράγοντα μεταφοράς της βάσης α Τ (θεωρούμε ότι οι επαφές εκπομπού και συλλέκτη είναι ιδανικές, δηλαδή αμελητέα ρεύματα γένεσης-ανασύζευξης, συνθήκη ασθενούς έγχυσης φορέων), Το κέρδος ρεύματος α εκφράζεται από τη σχέση α=γα Τ γ ο συντελεστής απόδοσης του εκπομπού δίνεται από τη σχέση εγχεόμενο ρεύμα φορέων μειοψηφίας στη θέση x=0 της επαφής Ε-Β γ = ολικό ρεύμα στον ακροδέκτη εκπομπού Jh( x= 0) = J ( x= 0) + J ( x= x ) h e e Τα ρεύματα οπών J h(x=0) και ηλεκτρονίων J e (x= -xe) είναι ρεύματα διάχυσης και είναι ανάλογα της κλίσης συγκέντρωσης στη βάση και στον εκπομπό, αντίστοιχα. Στη βάση η κλίση εκτείνεται για απόσταση w και στον εκπομπό L ee (μήκος διάχυσης ηλεκτρονίων στον εκπομπό και είναι η μέση απόσταση που διανύει ένα ηλεκτρόνιο πριν να επανασυνδεθεί με φορείς πλειοψηφίας) kt LeE = Deτ e, και De = μe q D e και τ e είναι αντίστοιχα ο συντελεστής διάχυσης και ο χρόνος ζωής των ηλεκτρονίων στον εκπομπό. Μία πλήρης ανάλυση αποδεικνύει ότι η κλίση για τις οπές στη βάση είναι ανάλογη του p n0 /w και για τα ηλεκτρόνια στον εκπομπό του n pοε /L ee, οπότε 1 γ = npoe DeE Lh w 1 + (.. ).tanh( ) pno Dh LeE Lh Ο συντελεστής γ λαμβάνει υπόψη το ρεύμα διάχυσης ηλεκτρονίων στον εκπομπό, το οποίο δεν συμμετέχει στο ρεύμα του συλλέκτη. Ο παράγοντας μεταφοράς στη βάση α Τ : ρεύμα φορέων μειοψηφίας που φθάνουν στο συλλέκτη at = ρεύμα φορέων μειοψηφίας στη θέση x=0 που οφείλονται σε έγχυση από τον Ε Jh( x= w) = J ( x= 0) h Λαμβάνει υπόψη φαινόμενα ανασύζευξης της περίσσειας των φορέων μειοψηφίας με του φορείς πλειοψηφίας στη βάση 2 w at = 1 για w<0,1 L 0, h at > a T 2L h γ pn0 1 NaE 1 β = hfe = ( ).( ) ( ).( 1 γ n w N w ) poe db 15

16 Εξάρτηση του β από το Ι C Σύμφωνα με τη σχέση α=γα Τ το κέρδος ρεύματος α είναι ανεξάρτητο από την πυκνότητα ρεύματος στον ακροδέκτη του εκπομπού, γιατί θεωρήσαμε ότι οι επαφές εκπομπού και συλλέκτη του τρανζίστορ είναι ιδανικές. Στην πράξη όμως το κέρδος ρεύματος εξαρτάται από την τιμή του συνεχούς ρεύματος Ι Ε και τελικά από το Ι C 1. Για μικρό Ι C κυριαρχεί το ρεύμα γένεσης-ανασύζευξης στην περιοχή άντλησης της επαφής εκπομπού και επιφανειακές διαρροές 2. κυριαρχεί το χρήσιμο ρεύμα διάχυσης της περίσσειας των φορέων μειοψηφίας κατά μήκος της βάσης 3. Συνθήκη ισχυρής έγχυσης φορέων, η συγκέντρωση της εγχεόμενης περίσσειας των φορέων μειοψηφίας στη βάση πλησιάζει τη συγκέντρωση των φορέων πλειοψηφίας, οπότε οι εγχεόμενοι φορείς αυξάνουν στην ουσία τη συγκέντρωση των προσμίξεων στη βάση, προκαλείται μείωση του συντελεστή απόδοσης του εκπομπού γ, οπότε μειώνεται το κέρδος ρεύματος β. Η μείωση του β με την αύξηση του Ι C είναι γνωστή σαν φαινόμενο του Webster 16

17 ΠΕΡΙΟΧΕΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ NPN Κανονική ή ενεργός περιοχή (forward active):επαφή Β-Ε ορθά πολωμένη, επαφή Β-C ανάστροφα πολωμένη, το τρανζίστορ παρουσιάζει υψηλό κέρδος ρεύματος (καλός ενισχυτής), πολύ χρήσιμη περιοχή Κορεσμός (saturation): και οι δύο επαφές ορθά πολωμένες (V CE V CE(SAT =0,1 ή 0.2V ), και το τρανζίστορ φαίνεται σαν ένας κλειστός διακόπτης. Στη βάση του συσσωρεύονται φορείς μειοψηφίας, οπότε απαιτείται αρκετός χρόνος για να βγεί από τον κορεσμό To όριο μεταξύ περιοχής κορεσμού και ενεργούς περιοχής : V CE V CE(SAT) =0,1 ή 0.2V και Ι Β >0 Αντίστροφη περιοχή: επαφή Β-Ε ανάστροφα πολωμένη, επαφή Β-C ορθά πολωμένη, V BC =0,7V, V CE <0) το τρανζίστορ έχει μικρό κέρδος ρεύματος (κακός ενισχυτής), δεν είναι χρήσιμη περιοχή Αποκοπή (cut-off): =Αμελητέο ρεύμα, σχεδόν ανοικτό κύκλωμα (ανοικτός διακόπτης), χρήσιμη περιοχή 17

18 Eνεργός (forward active) ή κανονική περιοχή V BE >0, V BC <0 (V BE ON=0,7V) Κατανομές των φορέων μειοψηφίας Ο εκπομπός εγχέει ηλεκτρόνια στη βάση, ο συλλέκτης συλλέγει ηλεκτρόνια από τη βάση To ρεύμα εισέρχεται από το συλλέκτη, διασχίζει την στενή περιοχή της βάσης και εξέρχεται του εκπομπού. To ρεύμα I C έχει τη μορφή του ρεύματος μιας ιδανικής διόδου pn. Το I s είναι το ρεύμα κόρου της επαφής Ε-Β και είναι ανάλογο με την επιφάνεια της διατομής της ενεργού περιοχής της βάσης qvbe IC = IS exp( ) 1 kt Η βάση εγχέει οπές στον εκπομπό, που επανασυνδέονται με τα ηλεκτρόνια. Το ρεύμα βάσης διασχίζει την επαφή Ε-Β IS qvbe I B = exp( ) 1 β kt Ρεύμα εκπομπού F qvbe IS qvbe IS qvbe IE = IC IB = IS exp( ) 1 exp( ) 1 = exp( ) 1 kt β kt a kt Υψηλής τεχνολογίας IC BJTs: I C 0,1-1 ma, β β: δύσκολα ελέγχεται, σχεδιασμός τρανζίστορ με I C μη ευαίσθητων σε μεταβολή του β F F 18

19 Aντίστροφη (reverse) περιοχή V BE <0, V BC >0 (V BC ON=0,5V, V CE <0) Κατανομές των φορέων μειοψηφίας O συλλέκτης εγχέει ηλεκτρόνια στη βάση, ο εκπομπός συλλέγει ηλεκτρόνια από τη βάση To ρεύμα εισέρχεται από τον εκπομπό, διασχίζει την στενή περιοχή της βάσης και εξέρχεται του συλλέκτη. To I Ε έχει τη μορφή του ρεύματος μιας ιδανικής διόδου pn. Το I s είναι το ρεύμα κόρου της επαφής C-Β και είναι ανάλογο με την επιφάνεια της διατομής της ενεργού περιοχής της βάσης qvbc I = I exp( ) 1 I kt = E S R Η βάση εγχέει οπές στο συλλέκτη όπου επανασυνδέονται με τα ηλεκτρόνια. Το ρεύμα βάσης διασχίζει την επαφή C-Β IS qvbc I B = exp( ) 1 β kt R Ρεύμα συλλέκτη qvbc IS qvbc IC = IE IB = IS exp( ) 1 exp( ) 1 kt β kt R Mικρές τιμές για το κέρδος ρεύματος β R για αντίστροφη πόλωση Τυπικές τιμές του β R 0,1-5<<β F 19

20 Αποκοπή (cut-off) V BE <0, V BC <0 Κατανομές των φορέων μειοψηφίας Τα ρεύματα στους ακροδέκτες -Ι C, I E και Ι Β είναι όλα σταθερά και τυπικά είναι μικρότερα από το ρεύμα κορεσμού Ι s του τρανζίστορ. Is Is Is Is IC = IE = IB = βr βf βf β R Στην αποκοπή μόνο πολύ μικρά ρεύματα διαρροής εμφανίζονται στους ακροδέκτες, που συνήθως είναι αμελητέα ( A) και μπορούν να θεωρηθούν μηδενικά. Θεωρούμε ότι το τρανζίστορ είναι σε κατάσταση μη αγωγής (off). Η περιοχή αποκοπής αναπαριστά ένα ανοιχτό διακόπτη και συχνά χρησιμοποιείται σαν μία από τις δύο καταστάσεις που απαιτούνται στα λογικά κυκλώματα. 20

21 Κορεσμός (saturation) V BE >0, V BC >0, (V CE sat.=0,2v) Κατανομές των φορέων μειοψηφίας Η συγκέντρωση των ηλεκτρονίων είναι θετική σε όλα τα σημεία της βάσης γιατί και οι δύο επαφές εγχέουν ηλεκτρόνια στη βάση. Τα συνεχή ρεύματα στους ακροδέκτες αναλύονται σε δύο συνιστώσες, κανονική +αντίστροφη συνιστώσα, δηλ. αντιστοιχούν στην κανονική λειτουργία και στην αντίστροφη λειτουργία του τρανζίστορ qvbe qvbc IS qvbc I = C IS(exp exp ) exp( 1) kt kt kt I I B E = IS qvbe IS (exp 1) exp( 1) βf kt + qv BC βr kt IS qvbe qvbe qvbc = (exp 1) IS(exp exp ) β kt kt kt F β R Το πρόσημο των Ι C, Ι E εξαρτάται από το σχετικό μέγεθος των V BE, V BC β F, β R. Η διάταξη πλημμυρίζεται από φορείς μειοψηφίας, απαιτείται χρόνος για την κένωση αυτών Τα Ι C, Ι Β εξαρτώνται από το εξωτερικό κύκλωμα και όχι από την V CΕ (κορεσμός στα 0, 1-0,2V) 21

22 Χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου σε σύνδεση κοινής βάσης (τρανζίστορ pnp) Τα τέσσερα μεγέθη που καθορίζουν τη συμπεριφορά του τρανζίστορ είναι το ρεύμα εκπομπού Ι E, το ρεύμα συλλέκτη Ι C, η τάση εκπομπού - βάσης V EB, και η τάση συλλέκτη - βάσης V CB. Χαρακτηριστικές εισόδου I E =f(v EB ) για σταθερό V CB εκφράζουν την εξάρτηση της έντασης I Ε από την τάση V EΒ σε μια επαφή p-n ορθά πολωμένη, όπου η συγκέντρωση p n ( για χ=0) στη βάση αυξάνει εκθετικά με την τάση V EΒ (σχήμα α) H τάση αγωγής V EB (τάση κατωφλίου), κάτω της οποίας το ρεύμα Ι E είναι πολύ μικρό, είναι περίπου 0,7V για τρανζίστορ πυριτίου και 0,3V για τρανζίστορ γερμανίου. Oι χαρακτηριστικές εισόδου εξαρτώνται από την τάση V CB για δεδομένη V EB, λόγω του φαινόμενου Early. Φαινόμενο Early, οφείλεται στη διαμόρφωση του εύρους της βάσης w από την τάση της ανάστροφα πολωμένης επαφής C-B. Ειδικώτερα, ή αύξηση της V CB προκαλεί αύξηση της περιοχής άντλησης και ιδιαίτερα στην πλευρά της βάσης λόγω της μικρότερης συγκέντρωσης προσμίξεων. Μειώνεται το ενεργό εύρος της βάσης (σχήμα β επόμενης σελίδας), προκαλείται μια μικρή αύξηση στην κλίση συγκέντρωσης μειοψηφίας, και άρα μικρή αύξηση στο ρεύμα διάχυσης φορέων που είναι περίπου το ρεύμα εκπομπού. Χαρακτηριστικές εξόδου I C =f(v CB ) για σταθερό I E Αποκοπή Από το συλλέκτη δεν θα διέρχεται ρεύμα παρά μόνο το ελάχιστο ανάστροφο ρεύμα κόρου Ι CΒO, το οποίο είναι ένα από τα χαρακτηριστικά του κάθε τρανζίστορ και οι κατασκευαστές το δίνουν σαν ρεύμα μεταξύ συλλέκτη -βάσης όταν το κύκλωμα εκπομπού είναι ανοικτό (σχήμα στ). Ι CBO = Ι CO Ενεργός ή γραμμική περιοχή το ρεύμα που διαρρέει το συλλέκτη είναι I = ai + I C E CBO Η σχεδόν γραμμική εξάρτηση του ρεύματος εξόδου από το ρεύμα εισόδου σημαίνει τη λειτουργία του τρανζίστορ σαν γραμμική διάταξη μέσα σ' αυτή την περιοχή. Υπάρχει μια μικρή ανοδική κλίση στο Ι C από την τάση V CB, λόγω του φαινομένο Early.Σύμφωνα μ' αυτό το φαινόμενο η αύξηση της ανάστροφης τάσης της επαφής του συλλέκτη προκαλεί μικρή αύξηση του α άρα και του ρεύματος Ι C. 22

23 Κορεσμός Το ρεύμα συλλέκτη μηδενίζεται Ι C =0, όταν V CBsat 1V, η συγκέντρωση των οπών στη θέση x=0 είναι ίση με αυτή στη θέση x=w, δηλ. έχουμε μηδενική κλίση συγκέντρωσης στη βάση (σχήμα δ) Διάτρηση 1. Αν η V CB φθάσει τη χαρακτηριστική τιμή BV CB0, τάση διάτρησης με ανοικτό εκπομπό, το ρεύμα αυξάνει απότομα λόγω διάτρησης της επαφής συλλέκτη με το φαινόμενο χιονοστοιβάδας. 2. Αν το εύρος W της βάσης είναι πολύ μικρό, όταν αυξηθεί η V CB, οι επαφές συλλέκτη και εκπομπού θα έλθουν κοντά (θα βραχυκυκλώσουν), οπότε έχουμε το φαινόμενο της γρονθοδιάτρησης (punchthrough) Παρακάτω δίνονται η κατανομή της συγκέντρωσης των φορέων μειοψηφίας στη βάση για διάφορες συνθήκες λειτουργίας που ήδη περιγράψαμε. Κατανομή της συγκέντρωσης της περίσσειας των φορέων μειοψηφίας p n στην βάση (είναι η περιοχή από 0 έως W στα σχήματα) για διάφορες συνθήκες πόλωσης. α) κανονικές πολικότητες:v CB =σταθερή,v ΕB =μεταβλητή (εκθετική εξάρτηση της συγκέντρωσης p n από την ορθή τάση V ΕB στην θέση x= 0 )., β)κανονικές πολικότητες:v ΕB =σταθερή, V CB =μεταβλητή (διαμόρφωση του εύρους της βάσης w -φαινόμενο Εarly)., γ) V ΕB >0, V CB =0 δ) V ΕB >0, V CB >0 Ι C =0, V CB =1V (περιοχή κορεσμού), ε) ακροδέκτης εκπομπού ανοιχτός, ανάστροφο ρεύμα I CO = I CBO ακροδέκτης βάσης ανοιχτός, ανάστροφο ρεύμα I CO = I CBO Ι CEO = (β+1)i CBO στ) και οι δύο επαφές ανάστροφα πολωμένες (Περιοχή αποκοπής) 23

24 Χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου τρανζίστορ σε σύνδεση κοινού εκπομπού με παράμετρο το Ι Β Χαρακτηριστικές εισόδου I B =f(v BE ) για σταθερό V CE Το ρεύμα βάσης I B δίνεται από τη σχέση: I = I I = I ( I + ai ) = (1 a) I I B E C E CO E E CO Και αποτελείται από δύο συνιστώσες : 1. Το ρεύμα (1 ai ) E : οφείλεται στη ροή ηλεκτρονίων από τη βάση για να αναπληρώσουν τα ηλεκτρόνια που χάθηκαν εξαιτίας της ανασύζευξής τους με τις εγχεόμενες οπές και αυτά που έχουν έγχυθεί στον εκπομπό 2. το ανάστροφο ρεύμα κορεσμού I CO ή I CEO της επαφής συλλέκτη με τη βάση ανοικτή (Ι Β =0), και ορίζεται σαν I CO = Ι CB0 /1-α = β.ι CB0, όπου Ι CB0 το ρεύμα κορεσμού για σύνδεση κοινής βάσης με τον εκπομπό ανοικτό Χαρακτηριστικές εξόδου I C =f(v CE ) για σταθερό I B διακρίνονται οι περιοχές λειτουργίας: 1. περιοχή κόρου (saturation), οι δύο επαφές είναι ορθά πολωμένες 2. περιοχή αποκοπής (cut-off), οι δύο επαφές είναι ανάστροφα πολωμένες 3. ενεργός περιοχή γραμμικής λειτουργίας, η επαφή Ε-Β είναι ορθά πολωμένη, ενώ η επαφή C-B είναι ανάστροφα πολωμένη (V ΒE 0,7V για το πυρίτιο, 0,2-0,3V για το γερμάνιο) 24

25 Ενεργός ή γραμμική περιοχή Το ρεύμα του συλλέκτη είναι Ι C = βι Β + (β+1)ι CO Επειδή Ι B >> Ι CO, η παραπάνω σχέση μπορεί να γραφεί κατά προσέγγιση Ι C βι Β εκφράζει τη γραμμική εξάρτηση ανάμεσα σε είσοδο Ι Β και έξοδο Ι C. το ρεύμα Ι C δεν εξαρτάται από την τάση V CE, και επομένως αναμένεται οι καμπύλες Ι-V να είναι ευθείες οριζόντιες. Στην πραγματικότητα υπάρχει μια μικρή κλίση προς τα πάνω λόγω του φαινομένου Early : με την αύξηση της V CE αυξάνει το εύρος της περιοχής άντλησης της επαφής συλλέκτη από τη μεριά της βάσης, μειώνεται η ουδέτερη περιοχή της βάσης w, οπότε αυξάνει το ρεύμα Ι Ε και μειώνεται σε μικρό βαθμό το Ι Β, άρα αυξάνει το α, όπως το β και το Ι C Λόγω του φαινόμενου Εarly η αντίσταση εξόδου είναι μικρότερη από ότι στην σύνδεση κοινής βάσης. Περιοχή αποκοπής: Ι Β =0, Το ρεύμα συλλέκτη είναι πάρα πολύ μικρό, σχεδόν αμελητέο σε σχέση με τις τιμές των άλλων ρευμάτων. Οι κατασκευαστές δίνουν σαν χαρακτηριστικό του κάθε τρανζίστορ το ρεύμα μεταξύ συλλέκτη και εκπομπού όταν το κύκλωμα της βάσης είναι ανοικτό (Ι CEO ) Ι CEO = (β+1)i CBO Σε οποιαδήποτε τάση η αντίσταση που εμφανίζεται ανάμεσα στους ακροδέκτες C και Ε είναι πάρα πολύ μεγάλη γεγονός που καθιστά το τρανζίστορ ισοδύναμο με ανοιχτό διακόπτη.. Κορεσμός: Επαφές βάσης-εκπομπού και συλλέκτη βάσης ορθά πολωμένες για οποιαδήποτε τιμή της παραμέτρου Ι B, η τάση V CE διατηρείται περίπου σταθερή και άρα μπορεί να χρησιμοποιηθεί μια ενιαία τιμή, που λέγεται τάση κόρου V EC(SAT) που παίρνει τιμές 0.2V περίπου για το Si και 0.1V για το Ge. (V EC = V BΕ, ON V ΒC 0,2V, V BΕ, ON =0,7V) H αντίσταση εξόδου είναι πολύ μικρή και το τρανζίστορ δρα ως κλειστός διακόπτης Τα ρεύματα I B, I C εξαρτώνται από το εξωτερικό κύκλωμα Ταση διάτρησης Η τάση διάτρησης της ανάστροφα πολωμένης επαφής συλλέκτη κατά το φαινόμενο της χιονοστιβάδας είναι: wce BVCE0 = Emax. και έχει μικρότερη τιμή από την BV CB0. 2 Χρήση του τρανζίστορ Ενισχυτής: ενεργός περιοχή ή γραμμική Διακόπτης: το τρανζίστορ σαν διακόπτης που θα ελέγχεται από το ρεύμα Ι B εφ' όσον είναι δυνατό το τρανζίστορ να μετάγεται από την περιοχή κόρου στην περιοχή αποκοπής και αντίστροφα 25

26 Περιοχές λειτουργίας τρανζίστορ npn κοινού εκπομπού περιοχή Επαφή BE Επαφή BC Ρεύματα I B, I παρατηρήσεις ενεργή forward active ορθά πολωμένη ανάστροφα πολωμένη I C = β F I B β F :συντελεστής κέρδους ρεύματος αποκοπή (cutoff) κορεσμός saturation ανάστροφα πολωμένη ανάστροφα πολωμένη I B =0, I C =I CEO ορθά πολωμένη ορθά πολωμένη I C < β F I B I B I CS / β F = V CC -V CEs /β F I CEO :ανάστροφο ρεύμα κορεσμού συλλέκτη Τάση μεταξύ συλλέκτη και εκπομπού V CE 0,2V ή και χαμηλότερη αντίστροφη λειτουργία reversed mode ανάστροφα πολωμένη ορθά πολωμένη I E =β R I B β R :συντελεστής κέρδους αντίστροφης λειτουργίας β R<< β F Κυκλωματικό πρότυπο ισχυρού σήματος Εbers-Moll του ΒJT (Bipolar Junction Transistor) Το κυκλωματικό πρότυπο Εbers-Moll μοντελοποιεί το τρανζίστορ βάση της αρχής: μπορεί να θεωρηθεί ένα ζευγάρι από ιδανικές επαφές pn που αλληλεπιδρούν μεταξύ τους ισχύει και για τους τέσσερεις τρόπους λειτουργίας του τρανζίστορ οι εξισώσεις του χρησιμοποιούν το ρεύμα που διαρρέει κάθε μία από τις δύο διόδους (εκπομπού, συλλέκτη). Περιγράφουν δηλαδή τα ρεύματα Ι Ε, Ι C σε σχέση με τις τάσεις των διόδων του εκπομπού,v EB και του συλλέκτη V CB Εξισώσεις Εbers-Moll ( σύμβολα N και I: N Normal, I Inverted modes) qveb qvcb I = E I + EN I = EI IES(exp 1) arics(exp 1) kt kt qveb qvcb I = C I + CN I = CI afies(exp 1) ICS(exp 1) kt + kt Οι παραπάνω εξισώσεις Εbers-Moll ισχύουν για το τρανζίστορ επαφών pnp. Ισχύουν και για το τρανζίστορ npn αλλάζοντας στα ρεύματα τα πρόσημα Ι ES ανάστροφο ρεύμα κορεσμού της επαφής εκπομπού-βάσης όταν η επαφή συλλέκτη-βάσης είναι βραχυκυκλωμένη, α F κέρδος ρεύματος για σύνδεση κοινής βάσης στον ενεργό τρόπο λειτουργίας Ι CS ανάστροφο ρεύμα κορεσμού της επαφής συλλέκτη-βάσης όταν η επαφή εκπομπού-βάσης είναι βραχυκυκλωμένη, α R κέρδος ρεύματος για σύνδεση κοινής βάσης στον αντίστροφο τρόπο λειτουργίας τα ρεύματα I EI, ICI είναι αρνητικά γιατί αναφέρονται σε ροή οπών αντίθετη στις αρχικές συμβάσεις για τα ρεύματα Ι Ε, Ι C 26

27 Τα IES, IC S, af, αr εξαρτώνται από τους συντελεστές διάχυσης, τα μήκη διάχυσης, τις συγκεντρώσεις των φορέων μειοψηφίας στην κατάσταση ισορροπίας και από το εμβαδόν και το εύρος της ουδέτερης περιοχής της βάσης. Oι παραπάνω σχέσεις μπορούν να γραφτούν: qveb IE = IF arir, όπου IF = IES(exp 1) δίοδος με Ιs = IES kt qvcb IC = afif + IR, όπου IR = ICS(exp 1) δίοδος με Ι s = ICS kt Το μοντέλο Εbers-Moll έχει 4 παραμέτρους af, IES, ar, IC S που συνδέονται με τη σχέση αντιστρεπτότητας: ai = ai R CS F ES To σύστημα των εξισώσεων Εbers-Moll που περιγράφει τις στατικές χαρακτηριστικές ή χαρακτηριστικές ισχυρού σήματος του εξιδανικευμένου αμφιπολικού τρανζίστορ παραστάνεται με το βασικό κυκλωματικό πρότυπο που αποτελείται από δύο ιδανικές διόδους συνδεμένες σε αντίθεση και δύο εξαρτημένες γεννήτριες ρεύματος α) Βασικό Κυκλωματικό πρότυπο Εbers-Moll για το τρανζίστορ επαφών pnp, Εξήγηση προτύπου: Τα ρεύματα στους ακροδέκτες εκπομπού και συλλέκτη αναλύονται σε δύο συνιστώσες: 1). ρεύμα που περνάει από την πρώτη ιδανική δίοδο που οφείλεται στην έγχυση φορέων μειοψηφίας από την επαφή εκπομπού 2). ρεύμα που δίνει η πρώτη πηγή που οφείλεται στην έγχυση φορέων μειοψηφίας από την επαφή συλλέκτη και στη μεταφορά αυτών κατά μήκος της βάσης στην επαφή εκπομπού όπου συλλέγονται Είναι χρήσιμο συχνά να συνδέονται τα ρεύματα στον ακροδέκτη εκπομπού και στον ακροδέκτη συλλέκτη μεταξύ τους καθώς και με τα ανάστροφα ρεύματα κορεσμού Ι ΕΟ (με ανοικτό τον ακροδέκτη συλλέκτη), Ι CO (με ανοικτό τον ακροδέκτη εκπομπού). Οι εξισώσεις Εbers-Moll έχουν τη μορφή: EB IE = IEN + IEI = IEO(exp qv 1) aric kt qvcb IC = ICN + ICI = afie + ICO(exp 1) kt Τα ρεύματα I ES και I CS συνδέονται με τα I EO, I CO αντίστοιχα με τις παρακάτω σχέσεις 27

28 I ES I EO ICO = ICS = 1 aa 1 a a F R F R Κυκλωματικό πρότυπο Εbers-Moll για το τρανζίστορ επαφών pnp που περιλαμβάνει επιπλέον: τις αντιστάσεις σε σειρά που σχετίζονται με τις ουδέτερες περιοχές εκπομπού, βάσης και συλλέκτη τις χωρητικότητες που σχετίζονται με τις περιοχές άντλησης των επαφών εκπομπού και συλλέκτη μια επιπλέον γεννήτρια ρεύματος εξαιτίας του φαινόμενου του Early, εισάγει την τάση Early V A για να μοντελοποιήσει την αύξηση στο ρεύμα Ι C Απλοποιημένο Ebers-Moll στην περιοχή αποκοπής I = I a I = (1 a ) I E Es R Cs F Es I = I a I = (1 a ) I C Cs F Es R Cs Tα ανάστροφα ρεύματα κορεσμού I Es, ICs είναι μικρά και a R, a F είναι σχεδόν ίσα με τη μονάδα, τα ρεύματα αυτά είναι αμελητέα και η περιοχή αποκοπής προσεγγίζεται με την κατάσταση off ενός ιδανικού διακόπτη 28

29 Απλοποιημένο Ebers-Moll στην κανονική περιοχή Απλοποιημένο Ebers-Mollα) κοινής βάσης, β) κοινού εκπομπού α) σύνδεση κοινής βάσης EB IE = IES (exp qv 1) + aric S kt qveb IC = afies(exp 1) + ICS + afarics afarics = (1 afar) ICs af IE kt IC = ICO + afie I CO είναι το ανάστροφο ρεύμα κορεσμού του συλλέκτη όταν ο εκπομπός είναι ανοιχτός β) για σύνδεση κοινού εκπομπού παρόμοια προκύπτει EB I = I (exp qv 1) + a I kt E ES R C S I = β I β I C E CO 29

30 30

31 31

32 Χρόνος διάβασης της βάσης Για τη λειτουργία του τρανζίστορ σε ασθενές σήμα, ο χρόνος διάβασης της βάσης, η χρήσιμη συχνότητα λειτουργίας, η διακοπτική ταχύτητα και η χωρητικότητα αντίσταση της ενεργού περιοχής της βάσης είναι σημαντικές παράμετροι. Ο χρόνος διάβασης της βάσης αντιπροσωπεύει τη σταθερά χρόνου που συσχετίζεται με την αποθήκευση φορτίου Q στη βάση και ορίζεται ως Q v 1 vbe τ = όπου Q = qa W n exp = qa W n exp I V V W B B BE F B 0 BE B pb0 BE B pb0 C T 2 I = C qa BE DeBn pbo V BE exp W V B T Από τις παραπάνω σχέσεις προκύπτει ο χρόνος διάβασης T τ F 2 2 WB WB = = 2D 2V μ eb T e Ο χρόνος διάβασης θέτει ανώτατο όριο στη χρήσιμη συχνότητα λειτουργίας f t f t 1 2πτ F 1. Ένα τρανζίστορ npn είναι 2 μέχρι και 2,5 φορές ταχύτερο από το pnp για δεδομένη γεωμετρία και συγκέντρωση προσμίξεων. 2.Επιθυμητή η ελάττωση του W Β της βάσης όσο περισσότερο είναι δυνατό. Χωρητικότητα φόρτισης της βάσης ή Χωρητικότητα διάχυσης Για να μεταβληθεί η V BE όπως και το Ι C πρέπει να μεταβληθεί και το αποθηκευμένο φορτίο στη βάση. Η χωρητικότητα φόρτισης της βάσης (χωρητικότητα διάχυσης) στην ενεργό περιοχή λειτουργίας ορίζεται ως dq IC CDB = τ F dv V BE σημείο Q Διαγωγιμότητα (transconductance) T Είναι μία σημαντική παράμετρος που σχετίζει τις μεταβολές στο i C που προκαλούνται από τις μεταβολές στην v BE και ορίζεται ως g m di = dv C BE σημείο Q Για σημεία Q στην ενεργό περιοχή λειτουργίας χρησιμοποιώντας το ρεύμα του συλλέκτη προκύπτει: d v BE IC gm = Isexp( ) = dvbe VT V ί T σημε ο Q Η παραπάνω σχέση της διαγωγιμότητας δείχνει ότι είναι ανάλογη με το ρεύμα του συλλέκτη, οπότε αυτό χρησιμοποιείται στη σχεδίαση διπολικών κυκλωμάτων. Με βάση τη σχέση της διαγωγιμότητας η χωρητικότητα διάχυσης C DB ορίζεται ως C = g τ DB m 32

33 Το διπολικό τρανζίστορ επαφών ως διακόπτης Το τρανζίστορ μπορεί να λειτουργεί σαν ηλεκτρονικός διακόπτης και να επιτρέπει ή όχι τη ροή ρεύματος στο κύκλωμα εξόδου (φορτίο), όταν λειτουργεί εναλλακτικά στον κόρο (κατάσταση on) και στην αποκοπή (κατάσταση off). Ιδανικός διακόπτης: σε κατάσταση αποκοπής δεν επιτρέπει τη ροή ρεύματος σε κατάσταση αγωγής έχει μηδενική τάση στα άκρα του ο χρόνος μετάβασης μεταξύ των δύο καταστάσεων είναι μηδενικός Χαρακτηριστικά πραγματικών ηλεκτρονικών διακοπτών (διπολικά τρανζίστορ, τρανζίστορ MOSFET, Δίοδος pn κ.λ.π): 1.Ρεύμα διαρροής: ρεύμα που διαρρέει τον διακόπτη σε κατάσταση αποκοπής 2.Ταση αποκοπής: μέγιστη τάση που μπορεί να εφαρμοστεί στα άκρα του σε κατάσταση αποκοπής 3. Ρεύμα αγωγής: μέγιστο επιτρεπτό ρεύμα του διακόπτη σε κατάσταση αγωγής 4. Τάση αγωγής: Πτώση τάσης στα άκρα του διακόπτη σε κατάσταση αγωγής 5. χρόνος μετάβασης οι χρόνοι για τη μετάβαση του διακόπτη από την κατάσταση αγωγής στην κατάσταση αποκοπής και το αντίστροφο Πιο σημαντικές παράμετροι: κέρδος ρεύματος και χρόνος εναλλαγής του διακόπτη τρανζίστορ: είναι ο χρόνος μετάβασης από την κατάσταση on (κλειστός διακόπτης) στην κατάσταση off (ανοικτός διακόπτης) Το διπολικό τρανζίστορ σαν διακόπτης χρησιμοποιείται συνήθως σε σύνδεση κοινού εκπομπού. Παρακάτω δίνεται παράδειγμα λειτουργίας τρανζίστορ npn ως διακόπτη. Κύκλωμα npn τρανζίστορ διακόπτη σε σύνδεση κοινού εκπομπού όταν το Ι Β =0, το τρανζίστορ είναι σε αποκοπή και η LED (Light emitting diode) δεν φωτίζει. Αν δώσουμε κατάλληλη τάση στην είσοδο V IN, το τρανζίστορ λειτουργεί στην περιοχή κόρου και η LED ανάβει. Η τάση V CE στον κόρο είναι 0,2V. 33

34 Μελέτη λειτουργίας του διακόπτης τρανζίστορ Στο κύκλωμα ενός pnp τρανζίστορ διακόπτη, εφαρμόζεται τετραγωνικός παλμός (σχήμα α), τότε το ρεύμα του συλλέκτη θα μεταβληθεί στην προσπάθεια να ακολουθήσει τη διέγερση που προκαλεί ο παλμός. α) Κύκλωμα pnp τρανζίστορ διακόπτη σε σύνδεση κοινού εκπομπού β) λειτουργία τρανζίστορ κατά μήκος της γραμμής φορτίου από την περιοχή αποκοπής (off) όπου και οι δυο επαφές είναι ανάστροφα πολωμένες μέχρι να φτάσει στον κορεσμό (οn) όπου και οι δυο επαφές είναι ορθά πολωμένες γραμμή φορτίου V EC =V CC -I C R L 1. Αρχικά το ρεύμα του συλλέκτη είναι πολύ μικρό γιατί και η επαφή εκπομπού και η επαφή συλλέκτη είναι ανάστροφα πολωμένες, το τρανζίστορ είναι σε αποκοπή ; I B =0, I C =0, V EB =0, αλλά V EC =V CC (υψηλή λογική στάθμη) 2. Αν το V EB αυξηθεί στα 0,6V η επαφή εκπομπού πολώνεται ορθά, το τρανζίστορ βρίσκεται στο όριο αγωγής και τα Ι Β, Ι C αρχίζουν να γίνονται μεγαλύτερα από το 0 3. όταν το V EB φθάσει στα 0,7V το τρανζίστορ εισέρχεται στην ενεργή περιοχή :Ic=β.I Β 4. Περαιτέρω αύξηση του V EB το τρανζίστορ βρίσκεται σε κορεσμό Xαρακτηριστικές διακόπτη-χρόνοι μετάβασης on-off Από τη στιγμή που η τάση παλμού από V L μεταπηδά σε V H μέχρι τη στιγμή που το i c V CC φθάσει το 10% της μέγιστης τιμής του ( icsat ), μεσολαβεί ένα χρονικό διάστημα που λέγεται R L χρόνος καθυστέρησης t d (delay time) και ο χρόνος που μεσολαβεί μέχρι το ρεύμα να φτάσει στο 90% της μέγιστης τιμής λέγεται χρόνος ανόδου t r (rise time). Οι δύο χρόνοι μαζί αποτελούν το χρόνο ανοίγματος (turn-on time), t on =t d +t r Από τη στιγμή που η τάση παλμού από V H μεταπηδά σε V L μεσολαβεί χρονικό διάστημα μέχρι το ρεύμα i c να αρχίσει να ελαττώνεται για να φθάσει στο 90% της μέγιστης τιμής. Ο χρόνος αυτός t s λέγεται χρόνος αποθήκευσης (storage time).tο χρονικό διάστημα που το ι c θα φτάσει στο 10% της μέγιστης τιμής λέγεται χρόνος καθόδου (fall time) t f. Oι χρόνοι αποθήκευσης και καθόδου μαζί αποτελούν το χρόνο διακοπής t off (turn-off time). 34

35 t d : χρόνος καθυστέρησης (delay time) οφείλεται στο χρόνο φόρτισης της χωρητικότητας της ανάστροφα πολωμένης επαφής Β-Ε από φορείς μειοψηφίας, στο χρόνο που χρειάζεται για να διαβούν οι φορείς την περιοχή της βάσης και στο χρόνο που χρειάζεται για να αυξηθεί το ι C στο 10% της μέγιστης τιμής του. Χρόνος ανόδου t r Για t d t t 1, το ρεύμα βάσης προμηθεύει φορτίο στη βάση που αυξάνει την τάση της επαφής από σχεδόν αποκοπή σε σχεδόν κορεσμό (V CB =0). Η κλίση της περίσσειας φορέων μειοψηφίας αυξάνει, οπότε αυξάνει το ρεύμα του συλλέκτη. Ο χρόνος on t r =t 1 (στο παραπάνω σχήμα) υπολογίζεται από τη σχέση που συνδέει το ι B με το ολικό φορτίο της περίσσειας φορέων μειοψηφίας στη βάσης Q B i B = dqb() t QB() t dqb() t QB() t IB, για t 0, I B. dt + τ dt = τ =cons h t Το φορτίο αυξάνει εκθετικά QB() t = IBτ h 1 exp( ), όπου QBmax = IBτ h τ h Ταυτόχρονα αυξάνει εκθετικά το i C σύμφωνα με τη σχέση QB () t I Bτ h t ic = = 1 exp( ) τ Β τβ τh h 35

36 2 w όπου τβ=, τβ είναι ο χρόνος διάβασης της βάσης από την οπή 2D h Θεωρούμε ότι η έναρξη κορεσμού είναι όταν V CB =0 και το φορτίο Q Β =Q s Επομένως ο χρόνος ανόδου είναι: 1 V V t = t = τ ln( ) με Q = τ =I. τ και Ι = CC s r 1 h s Β C Β B 1 Qs / I Bτ h RL Rs Για μικρό t r απαιτείται μικρός χρόνος ζωής τ h, μικρό Q s και μεγάλο Ι Β Για t 1 t t 2, το Q B >Q s, περιοχή κορεσμού (και οι δυο επαφές είναι ορθά πολωμένες το ρεύμα Ι C είναι σταθερό (ίδια κλίση συγκέντρωσης) χρόνος αποθήκευσης ή χρονική καθυστέρηση αποθήκευσης t s Για t 2, Ι Β = 0 το φορτίο Q B (t) μειώνεται εκθετικά ( )exp( t t2 Q ) B t2 τ h Το ρεύμα Ι C είναι σταθερό στην περιοχή κορεσμού μέχρι το Q B (t) να μειωθεί σε Q s,, οπότε V CB =0 Το τρανζίστορ μπαίνει στην ενεργό περιοχή και το Ι C μειώνεται εκθετικά: QB( t t2) QB( t2) t t ic exp( 2 = = ) τ Β τβ τh Ο χρόνος αποθήκευσης t s ορίζεται από τη χρονική στιγμή t2 Ι Β =0 και QB ( t2) = QBmax = IBτ μέχρι h t3, οπότε to QB( t t2 ) μειώνεται σε Q = I S C τ Β, το ρεύμα του συλλέκτη i c πέφτει στο 90%, QB ( t2 ) ts = t3 t2 = τhln QB( t2) = IBτh Qs t IBτ h IBτ h = τ ln = τ ln Qs ICτ Β s h h Ο χρόνος αποθήκευσης ή χρονική καθυστέρηση αποθήκευσης ts είναι η πιο σημαντική παράμετρος του χρόνου διακοπής (switching time) του τρανζίστορ Χρόνος καθόδου t f = (t 4 t 3 ) το I C μειώνεται εκθετικά από 90% στο 10% της μέγιστης τιμής του. Η επαφή Β-C είναι ανάστροφα πολωμένη αλλά συνεχίζεται η απομάκρυνση της περίσσειας των φορέων μειοψηφίας; Παρατηρήσεις 1. Χρόνος μετάβασης στην κατάσταση on: εξαρτάται από το πόσο γρήγορα μπορούμε να προσθέσουμε φορείς μειοψηφίας στη βάση, 2. Χρόνος μετάβασης στην κατάσταση off:εξαρτάται από το πόσο γρήγορα μπορούνε να απομακρυνθούνε οι φορείς μειοψηφίας από τη βάση με ανασύζευξη με τους φορείς πλειοψηφίας 3. Για τη μείωση του χρόνου ζωής τ h,, απαιτείται αύξηση του ρυθμού ανασύζευξης, δια μέσου ισχυρών κέντρων ανασύζευξης φορέων που υλοποιείται με την εισαγωγή στη βάση ατόμων χρυσού 36

37 37

38 38

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reatve ommons. Για εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ Rquird Txt: Microlctronic Dvics, Kith Lavr (5 th Chaptr) Τρανζίστορ Ανακαλύφθηκε το 1948 από τους William Shockly, John Bardn και Waltr Brattain στα εργαστήρια

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Δομή και λειτουργία του τρανζίστορ npn (και pnp). Ρεύμα Βάσης, Εκπομπού, Συλλέκτη. Περιοχές λειτουργίας του

Διαβάστε περισσότερα

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ 1 4. Τρανζίστορ επαφής 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ Το τρανζίστορ είναι ένας ημιαγωγός με προσμίξεις, που περιέχεται μεταξύ δύο ημιαγωγών από το ίδιο υλικο, αλλά με αντίθετου τύπου προσμίξεις. Έχουμε

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. Ρεύµατα στο τρανζίστορ επαφής

ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. Ρεύµατα στο τρανζίστορ επαφής ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Στο κεφάλαιο αυτό θα εξετάσουµε τη φυσική συµπεριφορά του διπολικού τρανζίστορ επαφής (Bipolar Junction Transistor) ή όπως θα το ονοµάζουµε απλά τρανζίστορ. Ο όρος διπολικό αφορά στο ότι

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 2 Το τρανζιστορ Ορισμός Το τρανζίστορ είναι μία διάταξη στερεάς κατάστασης φτιαγμένη από ημιαγώγιμο υλικό με ακροδέκτες σε τρία ή περισσότερα σημεία τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί. Relay Module PanosRCng Στην πορεία προς ένα μέλλον αυτοματισμών, όπου θα μπορούμε να ελέγχουμε τα πάντα μέσω του φιλόξενου περιβάλλοντος του προσωπικού μας υπολογιστή, ή θα μπορούμε να αναθέτουμε σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές Λειτουργίες των TR

Βασικές Λειτουργίες των TR Βασικές Λειτουργίες των TR Το TR για να λειτουργήσει απαιτεί να εφαρµοστούν σε αυτό τάσεις δυναµικά για να κινηθούν µέσα σε αυτά τα αντίστοιχα ρεύµατα. Τα δυναµικά που µπορούν να εφαρµοστούν σε αυτό είναι:

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-48) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ Κατά τη δηµιουργία µιας -n επαφής αρχικά υπάρχουν µόνο οπές στην -περιοχή και µόνο ηλεκτρόνια στην n-περιοχή. Οι οπές µε τα αρνητικά ιόντα της πρόσµιξης

Διαβάστε περισσότερα

Ορθή πόλωση της επαφής p n

Ορθή πόλωση της επαφής p n Δύο τρόποι πόλωσης της επαφής p n Ορθή πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ορθή πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος Ανάστροφη πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε

Διαβάστε περισσότερα

Ξεκινώντας από την εξίσωση Poisson για το δυναμικό V στο στατικό ηλεκτρικό πεδίο:

Ξεκινώντας από την εξίσωση Poisson για το δυναμικό V στο στατικό ηλεκτρικό πεδίο: 1 2. Διοδος p-n 2.1 Επαφή p-n Στο σχήμα 2.1 εικονίζονται δύο μέρη ενός ημιαγωγού με διαφορετικού τύπου αγωγιμότητες. Αριστερά ο ημιαγωγός είναι p-τύπου και δεξια n-τύπου. Και τα δύο μέρη είναι ηλεκτρικά

Διαβάστε περισσότερα

Το διπολικό τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ 2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6: Διπολικό τρανζίστορ (BJT) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου ontrol Systems Laboratory Δίοδοι Zener συνεχ. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου I V Z υ διατηρείται σταθερή για μία ευρεία περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται

Διαβάστε περισσότερα

6. Τελεστικοί ενισχυτές

6. Τελεστικοί ενισχυτές 6. Τελεστικοί ενισχυτές 6. Εισαγωγή Ο τελεστικός ενισχυτής (OP AMP) είναι ένας ενισχυτής με μεγάλη απολαβή στον οποίο προσαρτάται ανάδραση, ώστε να ελέγχεται η λειτουργία του. Χρησιμοποιείται για την πραγματοποίηση

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

Ορθή πόλωση της επαφής p n

Ορθή πόλωση της επαφής p n Δύο τρόποι πόλωσης της επαφής p n Ορθή πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ορθή πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος Ανάστροφη πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7: Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

«Ενισχυτές με διπολικό transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Βαθµίδες εξόδου Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Η τελική βαθµίδα εξόδου είναι αυτή που αποδίδει την ισχύ στο φορτίο

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο

Διαβάστε περισσότερα

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες 5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες 5. Περιοχή γραμμικής ενισχυτικής λειτουργίας του τρανζίστορ Στην προηγούμενη ενότητα μελετήσαμε την πόλωση του τρανζίστορ σε ένα σταθερό σημείο λειτουργίας,

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες Κεφάλαιο 3 Λογικές Πύλες 3.1 Βασικές λογικές πύλες Τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που εκτελούν τις βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole καλούνται λογικές πύλες.κάθε τέτοια πύλη δέχεται στην είσοδό της σήματα με

Διαβάστε περισσότερα

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ Δημήτριος Λαμπάκης ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 1 Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού Η εφεύρεση του τρανζίστορ υπήρξε αποτέλεσμα της προσπάθειας κατασκευής μιας

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2013 ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 013 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑΔΑ ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση BJT Η πόλωση τρανζίστορ όπως την έχετε γνωρίσει, υποφέρει από δύο βασικά μειονεκτήματα: Υπερβολική χρήση πηγών dc. Το γεγονός αυτό είναι ιδιαίτερα έντονο σε κυκλώματα πολυβάθμιων

Διαβάστε περισσότερα

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ημιαγωγοί Δίοδος Επαφής Κεφάλαιο 3 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας SI Techology ad Comuter Architecture ab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση 1. Φράγμα δυναμικού.

Διαβάστε περισσότερα

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Το σημείο ηρεμίας επιλέγεται σε μία τιμή πάνω από την αποκοπή (διαφέρει ανάλογα με το τρανζίστορ). Άρα χρειάζεται και επιπλέον ρυθμιστική

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Διατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα

Διατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Διατάξεις ημιαγωγών p n Άνοδος Κάθοδος Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Άνοδος Κάθοδος dpapageo@cc.uoi.gr http://pc64.materials.uoi.gr/dpapageo

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode)

Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Εισαγωγή Στην προηγούµενη εργαστηριακή άσκηση µελετήσαµε την δίοδο ανόρθωσης ένα στοιχείο που σχεδιάστηκε για να λειτουργεί ως µονόδροµος αγωγός.

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013 ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /09/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες Στον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, το τρανζίστορ πολώνεται με συμμετρικές πηγές τάσης V και V των V Για το τρανζίστορ δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 1. ΒΑΣΙΚΟΙ ΟΡΙΣΜΟΙ Κύκλωμα είναι ένα σύνολο ηλεκτρικών πηγών και άλλων στοιχείων που είναι συνδεμένα μεταξύ τους και διέρχεται ηλεκτρικό ρεύμα από

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική 1 3. Κυκλώματα διόδων 3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική Στην πράξη η δίοδος προσεγγίζεται με τμηματική γραμμικοποίηση, όπως στο σχήμα 3-1, όπου η δυναμική αντίσταση της διόδου

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 6: Η A λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Το μοντέλο μικρού σήματος του τρανζίστορ. Οι παράμετροι μικρού

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 2: Δίοδος pn Δρ Δημήτριος Λαμπάκης 1 Δίοδος pn Είναι μια μη γραμμική συσκευή Η γραφική παράσταση του ρεύματος σε σχέση με την τάση δεν είναι ευθεία γραμμή Η εξωτερική τάση

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενο της άσκησης

Περιεχόμενο της άσκησης Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη

Διαβάστε περισσότερα

ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)

ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT) Το τρανζίστορ επαφής, που αναφέρεται συχνά, απλώς σαν τρανζίστορ, ανακαλύφθηκε το 1948 στα εργαστήρια της Bell από τους J. Βardeen, W. Bratain και W. Shockley και

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Καθρέπτες ρεύματος, ενεργά φορτία και αναφορές τάσης ρεύματος» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των καθρεπτών ρεύματος και της χρήσης τους

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

1. Ρεύμα επιπρόσθετα

1. Ρεύμα επιπρόσθετα 1. Ρεύμα Ρεύμα είναι οποιαδήποτε κίνηση φορτίων μεταξύ δύο περιοχών. Για να διατηρηθεί σταθερή ροή φορτίου σε αγωγό πρέπει να ασκείται μια σταθερή δύναμη στα κινούμενα φορτία. r F r qe Η δύναμη αυτή δημιουργεί

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../. A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :

Διαβάστε περισσότερα

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ Δίοδος επαφής 1 http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ 2 Θέματα που θα καλυφθούν Ορθή πόλωση Forward bias Ανάστροφη πόλωση Reverse bias Κατάρρευση Breakdown Ενεργειακά

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 2ο. Λιούπης Transistor διπολικής επαφής (BJT) I B B C E I C Στα ψηφιακά κυκλώµατα χρησιµοποιείται κατά κύριο λόγο ως διακόπτης Στο σχήµαφαίνεταιένα τυπικό BJT τύπου NPN I B :

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος Ηλεκτρονικά Ισχύος Πρόκειται για στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά με συγκεκριμένες μη γραμμικές ηλεκτρικές ιδιότητες (ημιαγωγά στοιχεία) Τα κυριότερα από τα στοιχεία αυτά είναι: Η δίοδος Το thyristor

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών

Ανάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Στοιχεία Δύο Ακροδεκτών Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Αντιστάτης Πηγές τάσης και ρεύματος Πυκνωτής

Διαβάστε περισσότερα

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER 4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER Σκοπός του κεφαλαίου είναι να παρουσιάσει μερικές εφαρμογές του Μετασχηματισμού Fourier (ΜF). Ειδικότερα στο κεφάλαιο αυτό θα περιγραφούν έμμεσοι τρόποι

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ. ίοδος zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου Zener

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ. ίοδος zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου Zener 4. Ειδικές ίοδοι - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ ίοδος zener Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener Τάση Zener ( 100-400 V για µια απλή δίοδο) -V Άνοδος Ι -Ι Κάθοδος V Τάση zener V Z I Ζ 0,7V

Διαβάστε περισσότερα