DEMONSTRATOR STRUCTURI DE COMUTATOARE PENTRU 60GHZ
|
|
- Εκάτη Κωνσταντίνου
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 DEMONSTRATOR STRUCTURI DE COMUTATOARE PENTRU 6GHZ Domeniu de aplicabilitate/utilizare Persoana de contact: Dr. Ing. Dragoman Mircea Primele structuri de comutatoare pentru banda de 6GHz realizate. Acest tip de demonstratoare pot fi utilizate pentru realizarea de sisteme de comunicatii pentru unde milimetrice in banda de 6GHz. Fotografii optice si SEM ale demonstratorului de comutator pentru 6GHz. Procesul a fost pus la punct de cercetatorii romani si eleni (FORTH-IESL Heraklion), in cadrul laboratoarelor de la Heraklion, in cadrul proiectelor europene si cooperarilor interguvernamentale intre Romania si Grecia. Masuratorile de determinare a tensiunii de actuare a acestor structuri au aratat valori cuprinse intre 24 si 25V, foarte apropiate de cele asteptate in urma simularilor efectuate. Masuratorile in RF (realizate cu sprijinul LAAS-CNRS Toulouse) au aratat pierderi de insertie sub 1dB pe intregul interval masurat (2-65GHz), fiind de circa,75db la 6GHz, si o izolare mai buna de 45dB aproximativ 55dB la 6GHz. Rezultatele obtinute au fost in concordanta cu simularile realizate. Parametrul S21 pentru o structura de comutator, in starea on. Parametrul S11 pentru o structura de comutator, in starea off. Punerea la punct a acestei tehnologii, precum si a demonstratoarelor realizate, a crescut premisele realizarii (in cooperare cu alti parteneri din tara si din strainatate) a unor subsisteme pentru unde milimetrice utilizate in comunicatii si in monitorizarea mediului. Potentiali utilizatori sunt firmele care se ocupa de echipamente de telecomunicatii, unitati ale Ministerului Apararii, Ministerul Comunicatiilor. Produsele fiind foarte noi, chiar pentru piata mondiala exista sanse de a putea avea potentiali utilizatori si din afara tarii.
2 DEMONSTRATOR DE ANTENE MICROPRELUCRATE PENTRU 45GHz OBTINUTE PE SUBSTRAT DE SILICIU DE MARE REZISTIVITATE Persoana de contact: Dr. Alexandru Muller Acest tip de demonstratoare pot fi utilizate pentru realizarea de microsisteme de receptie fabricate in tehnologie de circuite integrate hibride, care sa nu necesite oscilator local de zgomot redus si nici filtre complexe de inalta frecventa, cost scazut (lucru important in cazul unei productii de serie mare), grad ridicat de integrare (conducand la dimensiuni reduse si circuite integrate compacte). Fotografie SEM a demonstratorului de antena Yagi-Uda realizata pe membrana de SiO 2 /Si 3 N 4 pe substrat de siliciu. return loss (db) Pentru realizarea acestui demonstrator a fost pus la punct un proces tehnologic original, proces propus pentru prima data pe plan mondial. Procesul a fost pus la punct de cercetatorii romani si francezi in cooperare cu LAAS Toulouse, in laboratoarelor de la LAAS in cadrul cooperarilor europene si interguvernamentale intre Romania si Franta. Valoarea minima a pierderilor de insertie este de aproximativ -18dB. Castigul maxim al demonstratoarelor de antene a fost de 8dBi si mai mare de 5dBi pe intregul interval masurat (35 45GHz). Exista o foarte buna corespondenta intre rezultatele simulate si cele experimentale (figurile de mai jos) Frequency (GHz) Compararea rezultatelor experimentale si simulate pentru pierderile de insertie Compararea rezultatelor experimentale si simulate ale castigului Rezultatul spectaculos al acestui proces original consta in obtinerea unei membrane pentru antenna Yagi Uda, marginita doar pe trei laturi de volumul de siliciu. Procesul permite obtinerea de performante maxime pentru caracteristica de radiatie asigurand in acelasi timp integritatea mecanica a structurii. Potentiali utilizatori sunt firmele care se ocupa de echipamente de telecomunicatii, unitati ale Ministerului Apararii, Ministerul Comunicatiilor. Produsele fiind foarte noi, chiar pentru piata mondiala exista sanse de a putea avea potentiali utilizatori si din afara tarii.
3 DEMONSTRATOARE FILTRE MICROPRELUCRATE PENTRU 38 SI 77GHZ REALIZATE PE MEMBRANE SEMICONDUCTORE PE SUBTRAT DE GAAS Persoana de contact: Dr. Alexandru Muller Domeniu de aplicabilitate: Primele demonstratoare de filtre realizate pe membrane semiconductoare realizate prin microprelucrarea mecanica a substratului GaAs. Fotografie SEM a structurii de filtru trece banda pentru 77GHz. DB(S[1,1]) S[1,1] measured (L) S[2,1] measured (R) Frequency (GHz) DB(S[2,1]) Pentru realizarea acestui demonstrator a fost pus la punct un proces tehnologic original, proces propus pentru prima data pe plan mondial. Procesul a fost pus la punct de cercetatorii romani si eleni (FORTH-IESL Heraklion), in cadrul laboratoarelor de la Heraklion, in cadrul proiectelor europene si cooperarilor interguvernamentale intre Romania si Grecia. Demonstratorele de filtre trece banda de 38GHz au aratat pierderi de insertie de 1,46dB, in timp ce pierderile prin reflexie maxime au fost de 34,2dB la 36,4GHz. Pentru demonstratorele de filtre trece banda de 38GHz masuratorile realizate au aratat pierderi de insertie de 1,87dB, in timp ce pierderile prin reflexie maxime au fost de 17,4dB la 74,8GHz. Rezultatele teoretice si experimentale au fost in buna concordanta, diferentele fiind mai mici de 3,4%. DB(S[1,1]) S[1,1] measured (L) S[2,1] measured (R) Frequency (GHz) DB(S[2,1]) Parametrii S masurati pentru filtrul trece banda de 38GHz. Parametrii S masurati pentru filtrul trece banda de 77GHz. Rezultatul spectaculos al acestui proces original consta in obtinerea unei membrane pentru antenna Yagi Uda, marginita doar pe trei laturi de volumul de siliciu. Ca urmare a rezultatelor obtinute echipa de lucru a fost nominalizata la Premiul Descartes 22, ajungand in finala de 1 proiecte din Europa (in toate domeniile) si cooptarea IMT-Bucuresti in reteaua de excelenta AMICOM finantata de Comunitatea Europeana proiect FP6. Potentiali utilizatori sunt firmele care se ocupa de echipamente de telecomunicatii, unitati ale Ministerului Apararii, Ministerul Comunicatiilor. Produsele fiind foarte noi, chiar pentru piata mondiala exista sanse de a putea avea potentiali utilizatori si din afara tarii.
4 DEMONSTRATOR MODUL INTEGRAT DE RECEPTIE MICROPRELUCRAT PENTRU FRECVENTA DE 38 GHZ Persoana de contact: Dr. Alexandru Muller Pentru prima data a fost integrat monolithic, pe aceeasi membrana subtire microprelucrata de GaAs o dioda Schottky planara cu o antena. Acest tip de demonstratoare pot fi utilizate in comunicatii si in monitorizarea mediului. Fotografie SEM a modulului receptor integrat microprelucrat pentru 38 GHz si detaliu din zona diodei Schottky. Pentru realizarea acestui demonstrator a fost pus la punct un proces tehnologic original, proces propus pentru prima data pe plan mondial. Procesul a fost pus la punct de cercetatorii romani si eleni (FORTH-IESL Heraklion), in cadrul laboratoarelor de la Heraklion, in cadrul proiectelor europene si cooperarilor interguvernamentale intre Romania si Grecia. Masuatorile in curent continuu efectuate on wafer pe dioda test au pus in evidenta urmatoarele caracteristici: I S =1x1-12 A, n = 1.3, φ B =.65V, R S = 2Ω. Valoarea estimate a capacitatii jonctiunii a fost C j = 13fF. La nivele mici de putere semnificativa pentru sensibilitate este sensibilitatea tangentiala Tangential Signal Sensitivity (TSS). Aceasta este nivelul de putere care mareste tensiunea continua la iesire astfel incat fluctuatiile zgomotului sa nu scada sub nivelul varfului de zgomot in absenta semnalului. Acesta este cu cca 4 db peste semnalului minim detectabil (MDS). 1 E-plane readiation pattern at 38 GHz (db) 5 H-plane radiation pattern at 38 GHz (db) [mv / mw] B 2 B 3 B 4 B Voltage sensitivity measured simulated angle (degree) Rezultatele simulate si experimentale pentru caracteristica de radiatie la 38 GHz in planul E measured simulated angle (degree) Rezultatele simulate si experimentale pentru caracteristica de radiatie la 38 GHz in planul H B B 1 2 ua 5 ua 1 ua 2 ua 5 ua frequency [GHz] Sensibilitatea in tensiune ca functie de frecventa 4 A fost dezvoltata o tehnologie foate noua, cu posibilitatea realizarii unor demonstratoare de circuite de microunde microprelucrate de ultima generatie. Potentiali utilizatori sunt firmele care se ocupa de echipamente de telecomunicatii, unitati ale Ministerului Apararii, Ministerul Comunicatiilor. Produsele fiind foarte noi, chiar pentru piata mondiala exista sanse de a putea avea potentiali utilizatori si din afara tarii.
5 DEMONSTRATOR MODUL RECEPTIE HIBRID PENTRU FRECVENTA DE 38 GHZ, REALIZAT PRIN MICROPRELUCRARE DE VOLUM A SILICIULUI Persoana de contact: Dr. Alexandru Muller (alexm@imt.ro) Primul demonstrator de modul de receptie hibrid realizat la nivel mondial. Acest tip de demonstratoare pot fi utilizate pentru realizarea de noi arhitecturi de microsisteme pentru microunde si unde milimetrice. Fotografie a modulului de receptie hibrid pentru 38 GHz. Procesul a fost pus la punct de cercetatorii romani si italieni (ITC-IRST Trento), in cadrul laboratoarelor de la Trento, in cadrul proiectelor europene si cooperarilor interguvernamentale intre Romania si Italia. Modelul experimental al circuitului de receptie hibrid microprelucrat pe membrane dielectrice (SiO 2 /Si 3 N 4 /SiO 2 ) pe substrat de siliciu de inalta rezistivitate (>5Ωcm) se bazeaza pe principiul detectiei directe cu utilizarea unei diode Schottky, integrata pe aceeasi membrana microprelucrata mecanic cu o antena. Pierderile de conversie izotrope au o valoare constanta de aproximativ 1dB pentru frecventa intermediara intr-un domeniu mare de frecvente Conversion Losses (db) Fotografie SEM a modulului de receptie hibrid (detaliu) IF Frequency (GHz) Conversion Losses (db) RF Frequency (GHz) Modelul de radiatie al antenei utilizate Pierderile de conversie izotropice in functie de frecventa intermediara Pierderile de conversie izotropice in functie de frecventa Punerea la punct a acestei tehnologii, precum si a demonstratoarelor realizate, a crescut premisele realizarii (in cooperare cu alti parteneri din tara si din strainatate) a unor subsisteme pentru unde submilimetrice utilizate in comunicatii si in monitorizarea mediului. Unul dintre rezultatele realizarii acestor structuri a fost cooptarea IMT-Bucuresti in reteaua de excelenta AMICOM finantata de Comunitatea Europeana proiect FP6. Potentiali utilizatori sunt firmele care se ocupa de echipamente de telecomunicatii, unitati ale Ministerului Apararii, Ministerul Comunicatiilor. Produsele fiind foarte noi, chiar pentru piata mondiala exista sanse de a putea avea potentiali utilizatori si din afara tarii.
6 DISPOZITIV DE MICROMIXARE CU UNDE ACUSTICE DE SUPRAFATA Domeniu de aplicabilitate/utilizare: biologie si medicina, mai ales in experimentele de hibridizare in situ a AND; Principalele caracteristici: Frecventa de lucru: 9 MHz Aria utila pentru micromixare: mm2 Volumul de micromixare: 1 15 μl Structura activa a micromixerului pe suportul de sticla Persoana de contact: Dr. Ing. Gheorghe Ioan Sajin (gsajin@imt.ro) Micromixerul cu structura activa in pozitie de lucru Sample 2/ Elemente de noutate: a fost testata compatibilitatea intre substratul piezoelectric si un mediu biologic (o suspensie celulara). S-a dorit sa se testeze (1) daca ceramica piezoelectrica cu compozitia data poate influenta mediul biologic si (2) daca mediile biologice pot afecta structura superficiala a ceramicii (rugozitate, porozitate, etc.). S21 (db) Frequency (Hz) Curba de rezonanta a rezonatorului SAW Celule pulmonare de hamster crescute pe suprafata piezo-ceramica Inregistrare AFM a suprafetei piezo-ceramice dupa experimentele de biocompatibilitate Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: laboratoarele de chimie (in general) si laboratoarele de biochimie si bio-medicina (in particular).; Date despre proiect: Titlul: Dispozitive cu unde acustice de suprafata si de volum pentru aplicatii in biomedicina si monitorizarea poluarii mediului, Programul: Matnantech, Proiect 254(48)/24 26 Parteneri: INCDCE ICPE-CA; UMF Carol Davila Bucuresti, ICM Petru Poni Iasi
7 MICROTRADUCTOARE DE ACCELERATIE PENTRU APLICATII AUTO Domeniu de aplicabilitate/utilizare Dispozitivul a fost proiectat si realizat pentru a fi utilizat in industria de autovehicule. De asemenea, mai poate fi utilizat in aplicatii de detectie a miscarii, detectia vibratiilor, sau pentru orientare. Principalele caracteristici/descriere tehnologie Structura de senzor de acceleratie de 5g a fost realizata prin corodarea anizotropa in KOH, a unei plachete de siliciu cu grosimea de 46 microni, configurindu-se structura senzorului: masa inertiala suspendata de 4 punti avind 1x4x15 microni, pe care sunt plasate elementele de sesizare (piezorezistoarele difuzate). Caracteristici electrice: Nr. crt. Elemente de noutate: Parametru Simbol UM Valori limita Conditii de masura min max 1 Domeniu de operare Acc g Tensiunea de alimentare V B V Tensiunea de iesire V- O mv Sensibilitatea la iesire - mv / g V B = 12 V; Timp de raspuns t ms V B = 12 V; Temperatura de lucru T C Persoana de contact: Ing. Bogdan Firtat (bogdanf@imt.ro) Fotografie optica a structurii de traductor de acceleratie Aplicarea unui design original: corodarea unei cavitati pe fata structurii, ulterior umpluta, solutie ce a permis marirea sensibilitatii de 6 ori; Folosirea ca material de mascare a fetei/spatelui plachetei de Si in timpul corodarii anizotrope a unei solutii originale: sandwich-ul format dintr-un strat de crom depus prin sputtering, acoperit cu un strat de oxid de crom, ce rezista un timp nelimitat, are rezolutie de 1 ori mai buna ca la mascarea cu SiO2 si se depune/ indeparteaza foarte comod in comparatie cu straturile traditionale de mascare: Si3N4, SiC, sau oxinitrura de siliciu. Utilizarea pentru controlul adincimii a unei solutii originale: stoparea corodarii prin geometria mastii; Impunerea unui sistem de control dimensional: prin simpla inspectie la microscop a unor mire interdigitale, de tip pieptene, avind dinti si spatii egale; Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: Producatori de autovehicule; Principalii beneficiari ai transferului tehnologic: S.C. ROMES S.A. Bucuresti Microtraductorul de accelaratie Date despre proiect: Proiectul a fost finantat in cadrul programului PNCDI MATNANTECH, in perioada 21 24, fiind coordonat de IMT-Bucuresti si avand ca parteneri Universitatea din Pitesti si S.C. ROMES S.A., Bucuresti.
8 MICROSENZORI CHIMICI INTEGRATI PENTRU MONITORIZAREA MEDIULUI Domeniu de aplicabilitate/utilizare - Intreprinderi industriale, combinate chimice, monitorizarea mediului - Aparatura casnica, locuinte -Aparate portabile pentru domeniul minier, industria alimentara, etc. Principalele caracteristici/descriere tehnologie Realizarea unor microsenzori chimici de tip rezistiv si ISFET s-a facut utilizand tehnicile si tehnologiile de microprelucrare adaugate proceselor specifice circuitelor integrate. S-a avut in vedere definirea senzorului chemorezistiv rezistiv pe o membrana de siliciu pentru minimizarea pierderilor de caldura in substrat in cazul incalzirii substratului prin rezistenta. O versiune simplificata consta in utilizarea membranei de siliciu dopata cu bor ca element de incalzire, fara a mai folosi rezistenta difuzata sau depusa din polisiliciu. Deasupra elementului de incalzire izolat, sunt definiti fotolitografic electrozii interdigitali padurile necesare contactarii. Materialul pentru electrod este Cr-Au deoarece determina realizarea unui contact bun cu stratul senzitiv si nu se oxideaza in mediul de reactie. Filme din ftalocianina (Ft) cu grosimi diferite (4 nm pentru CuFt si NiFt; 2 nm pentru FeFt), obtinute prin evaporare in vid pe substratele electrozilor interdigitali, au fost folosite ca straturi senzitive in obtinerea de senzori pentru NO, NO2. S-au folosit de asemenea membrane polisiloxanice, membrane de tip polipirol, polianilina, filme de poli o-anisidina sau straturi de tip oxidic (WO3) Elemente de noutate: Persoana de contact: Dr. Carmen Moldovan (cmoldovan@imt.ro) S-a realizat setul de masti MPW (Multi Project Wafer) si modelul experimetal de senzori chemorezistivi si ISFET pe placheta intr-o tehnologie originala, compatibila IC; Integrarea stratului senzitiv de tip polimeric si oxidic cu fluxul de realizare al senzorilor chemorezistivi si ISFET; S-au folosit noi materiale polimerice conductive utilizate in obtinerea de membrane pentru senzori de gaze ca: membrane polisiloxanice, membrane de tip polipirol, polianilina, filme de ftalocianine, filme de poli o-anisidina sau cu strat de tip oxidic (WO3). Acesti senzori sunt rapizi, ieftini si au performante crescute (sensibilitate, selectivitate) si dimensiuni reduse. Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: Producatori de dispozitive care pot ingloba senzorul de gaze, in domeniul alimentar, minier, monitorizarea mediului Principalii beneficiari ai transferului tehnologic: S.C. ROMES S.A. Bucuresti Date despre proiect: Proiectul a fost finantat in cadrul programului PNCDI MATNANTECH, in perioada 21 24, fiind coordonat de IMT-Bucuresti si avand ca parteneri Institutul de Chimie Macromoleculara Petru Poni Iasi, - INCD pentru Fizica Materialelor si INCD in domeniul Geologiei,Geofizicii, Geochimiei si Teledetectiei, Bucuresti
9 ARIE DE MICROPELISTORI PENTRU DETECTIA GAZELOR COMBUSTIBILE Domeniu de aplicabilitate/utilizare Domeniile de utilizare ale dispozitivului includ intreprinderile industriale, combinatele chimice, rafinariile, dar poate fi folosit cu succes si inglobat in aparatura de uz casnic sau ca dispozitive portabile pentru domeniul minier. Principalele caracteristici/descriere tehnologie Microsenzorul calorimetric integrat este realizat folosind tehnologiile de microprelucrare de suprafata si volum a siliciului, asociate cu procesele de realizare a circuitelor integrate. Pentru a minimiza pierderea de caldura in substrat, senzorul a fost realizat pe o membrana suspendata de nitrura de siliciu. Pe membrana de nitrura se depune polisiliciul care se configureaza si formeaza heater-ul integrat. Pe oxidul de izolare a heater-ului se depun metalele cu rol catalitic. Metalul cu rol de catalizator poate fi diferit in functie de gazul care se doreste a fi detectat. De exemplu, se poate folosi Pt si Pd, pentru hidrogen si respectiv pentru metan. Partea de achizitie si prelucrare de date de la senzori este alcatuita din sistemul propriu-zis de achiziţie de date si din software-ul pentru conectarea la computer. Sistemul poate fi folosit ca un sistem distribuit, fiind bazat pe arhitectura TCP/IP pentru comunicarea datelor la distanta. De asemenea, poate fi utilizat cu ajutorul modemurilor GSM pentru trimiterea de mesaje scrise, atunci cand nu se poate implementa solutia transmiterii datelor prin TCP/IP, utilizand retea de calculatoare sau internetul (de exemplu la o instalatie dintr-o intreprindere). Elemente de noutate: Persoana de contact: Dr. Carmen Moldovan (cmoldovan@imt.ro) Elementele de noutate ale tehnologiei constau in realizarea in premiera a pelistorului pe o membrana suspendata, ceea ce minimizeaza pierderile de caldura prin substrat; integrarea stratului ceramic cu fluxul de realizare a micropelistorilor; realizarea miniaturizata a unei arii de micropelistori compatibile cu tehnologiile de circuite integrate; posibilitatea de achizitie si trimitere a datelor la distanta, folosind protocoale TCP/IP sau sistemul GSM. Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: Intreprinderi industriale, combinate chimice, rafinarii Utilizatori casnici Companii din domeniul minier Principalii beneficiari ai transferului tehnologic: S.C. ROMES S.A. Bucuresti S.C. IPEE S.A. Curtea de Arges Date despre proiect: Proiectul a fost finantat in cadrul programului PNCDI MATNANTECH, in perioada 22 25, fiind coordonat de IMT-Bucuresti si avand ca parteneri Universitatea Valahia din Targoviste, S.C. ROMES S.A.,Bucuresti, Institutul de Chimie-Fizica I.G. Murgulescu, S.C. IPEE Arges S.A., Curtea de Arges si Institutul De Cercetari pt Inteligenta Artificiala al Academiei Romane, Bucuresti.
10 Dispozitiv pe siliciu pentru identificarea ADN-ului Domeniu de aplicabilitate/utilizare: medicina si biologie Principalele caracteristici Dispozitivul consta intr-un microreactoar din siliciu cu volumul de 8 nl, si sistem de incalzire ciclica rapida (rezistenta detipt) pentru amplificarea catenelor de ADN prin metoda PCR ;suprafata microreactoarelor a fost functionalizata prin metoda SAMs in scopul imobilizarii si hibridizarii materialului genetic. Microchip imagine microreactor Elemente de noutate - Dispozitivul permite citirea si analiza a materialului genetic direct in microreactor; - Miniaturizarea unui dispozitiv clasic ce implica reducerea costurilor, si a timpului de obtinere al rezultatelor analizelor genetice ce pot fi efectuate cu acest dispozitiv; Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei - Laboratoare de analize din spitale - Laboratore de cercetari genetice Persoana de contact: Fiz. Monica Simion (monicas@imt.ro) Detaliu rezistori Ti/Pt Imagine florescenta a materialului genetic pe suprafata microreactorului Beneficiarisicofinantator: Dexter com SRL Date despre proiect MICRO- CHIP PENTRU IDENTIFICAREA ADN-ULUI PROGRAMUL NATIONAL MATNANTECH - contract nr. 147(38)/23-25 Parteneri: Institutul Naţional de Cercetare - Dezvoltare pentru Microtehnologie Centrul de Biologie Moleculara, Universitatea Bucuresti Dextercom.SRL
11 Sistem Integrat de Microrezervoare pe Siliciu pentru Eliberarea Controlata a Medicamentelor Domeniu de aplicabilitate/utilizare: medicina si biologie Principalele caracteristici Dispozitivul consta intr-un sistem integrat pe siliciu, pentru eliberarea controlata electrochimic a medicamentelor; utilizind procese standard din tehnologia siliciului, s-a obtinut o retea de microrezervoare, cu volume si adresabilitate diferita in functie de aplicatia vizata, prevazute cu capac de aur. Circuitul electric proiectat determina eliberarea substante active incapsulate in microrezervoare, prin electrocorodarea capacului de aur, cu o cinetica / rata de eliberare cunoscuta. (a) (b) (c) Elemente de noutate (a) Persoana de contact: Dr. Mihaela Miu ( mihaelam@imt.ro) Imagini obtinute cu microscopul optic: Vedere de pe fata dispozitivului cu reteaua de microrezervoare; Imagine a circuitului electric realizat pentru controlarea procesului de eleiberare a medicamentelor; Detaliu al unui microrezervor dupa corodarea electrochimica a capacului de aur si eliberarea a medicamentelor Dispozitiv medical nou implatabil pe siliciu ce permite eliberare controlata a medicamentelor; Dispozitivele vor putea sa raspunda nevoilor medicilor, acoperind perioade lungi ale unor tratamente complexe; (b) (c) Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei Laboratoare de analize din spitale Medicii in tratamentele din spitale si ambulatorii Beneficiari Institutul Oncologic Al. I. Treistoreanu Bucuresti Date despre proiect Sistem Integrat de Microrezervoare pe Siliciu pentru Eliberarea Controlata a Medicamentelor Desire, Contract Nr: 165 (33) / <23-25> - PROGRAMUL NATIONAL MATNANTECH Parteneri: - Centrul de Nanotehnologie IMT Bucuresti - Institutul de Cercetari Chimico-Farmaceutice Bucuresti - Institutul Oncologic Al. I. Treistoreanu Bucuresti
12 SILICIU NANOSTRUCTURAT PENTRU APLICATII BIOMEDICALE Domeniu de aplicabilitate/utilizare: medicina si biologie Persoana de contact: Dr. Mihaela Miu ( Principalele caracteristici Dispozitiv medical nou implatabil pe siliciu ce permite eliberare controlata a medicamentelor. S-a dezvoltat o tehnologie de realizare a unui sistem cu eliberare controlata a medicamentelor bazat pe siliciu nanostructurat; (i) rezervoare cu membrana nanoporoasa cu rol de capac care sa permita difuzia; (ii) microrezervor nanoporos-monolit pentru eliberarea controlata a mineralelor distribuite in reteaua de pori sau in scheletul de siliciu. Tehnologia de obtinere a Siliciului poros se bazeaza peun proces de corodare electrochimica in solutie pe baza de HF; prin ajustarea parametrilor de proces (densitate de curent, timp, concentratie HF) se obtin structuri cu morfologia dorita. (a) Imagini SEM ale suprafetei (a) si respectiv sectiunii (b) unui strat de siliciu macroporos impregnat cu fier Elemente de noutate S-a realizat o tehnologie obtinere a siliciului poros biocomatibil. Prin impregnarea acestuia cu medicamente se obtin dispozitive implatabile biodegradabile pentru tratarea unor boli cronice ce necesita perioade lungi de tratament si in regin de administrarea constanta (b) Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei Laboratoare de analize din spitale Medicii in tratamentele din spitale si ambulatorii Beneficiari: Institutul de Cercetari Chimico-Farmaceutice Bucuresti Date despre proiect: Tehnologie de Obtinere a Membranelor de Siliciu Nanostructurat pentru un Microlaborator Farmaceutic- Programul National MATNANTECH - Contr. Nr.: 183 / Parteneri: Institutul Naţional de Cercetare - Dezvoltare pentru Microtehnologie Institutul de Cercetari Farmaceutice Bucuresti, Centrul de Chimie Organica Bucuresti
13 Microsistem pe siliciu pentru separarea fragmentelor de ADN Domeniu de aplicabilitate/utilizare Medicina Biologie Principalele caracteristici Elemente de noutate Persoane de contact: Dr. Sorin Nedelcu; Fiz. Florea Craciunoiu, ( floreac@imt.ro) - 2 microrezervoare, cu volumul de 1 nl fiecare - 23 microelectrozi metalici de 2 µm latime - microcanale de 5 si 1 µm latime si 5 µm adancime Microcip im agine SEM Detaliu microel ectrozi Imagin i de fluorescenta Microcip montat pe ambaza Miniaturizarea unui dispozitiv clasic ce implica reducerea costurilor, si a timpului de obtinere al rezultatelor analizelor genetice ce pot fi efectuate cu acest dispozitiv. Posibilitatea separarii unor fragmente de ADN cu lungimi de ordinul kpb Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei Laboratoare de analize din spitale Laboratoare de cercetari genetice Beneficiari: Laboratoare de cercetari genetice Laboratoare de analize din spitale Date despre proiect: MICROSISTEME PENTRU SEPARAREA MACROMOLECULELOR DE AND, PROGRAMUL NATIONAL MATNANTECH - contract nr. 253(48)/24 Parteneri: Institutul Naţional de Cercetare - Dezvoltare pentru Microtehnologie Institutul de Biochimie al Academiei Romane SC ROMES SA
14 MAGNETOTRANZISTOR BIPOLAR Domeniu de aplicabilitate/utilizare: industria energetica, electrica, industria de automobile Principalele caracteristici/descriere tehnologie: Sensibilitate ridicata fara a mai fi nevoie de amplificare Liniaritate buna si offset compensat Structura si layout magnetotranzistor Persoana de contact: Dr. Marioara Avram (marioaraa@imt.ro) Test ABg Substrat Test BBs Baza A A-Baza groasa B-Baza subtire Baza B Colector A A-Baza subtire B-Baza groasa Colector B B Test ABs Emitor Test BBg Sensibilitate relativă [/T] Sensibilitatea relativa Curent total Colector [ma] Vce=1V Vce=1.5V Vce=2V Elemente de noutate: Realizarea unui senzor cu semnal liniar si offset compensat cu sensibilitate relativa 2/mT Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: Industria de automobile Industria electrica si energetica Principalii beneficiari ai transferului tehnologic si cofinantator: ROMES S.A. Date despre proiect: MICROSENZOR DE CAMP MAGNETIC, Programul National RELANSIN - contract nr. 1258/21-23 Parteneri: IMT-Bucuresti- coordonator, ROMES S.A.
15 SENZOR HALL INTEGRAT Persoana de contact: Dr. Marioara Avram Domeniu de aplicabilitate/utilizare: industria energetica, electrica, industria de automobile Principalele caracteristici/descriere tehnologie: Microsenzorul Hall integrat: conţinepeacelaşi cip cu structura magnetorezistivă un generator de curent pentru polarizare şi circuite de amplificare şi prelucrare a semnalului si ofset compensat. Structura si layout microsenzor Hall Variatia ofsetului cu temperatura Offset (uv) Tensiune Hall (mv) Inductie magnetica (mt) Temperatura (C) Tensiunea Hall & inductia magnetica Elemente de noutate: Realizarea unui senzor cu semnal liniar si offset compensat cu sensibilitate 6mV/mT Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: Industria de automobile Industria electrica si energetica Principalii beneficiari ai transferului tehnologic: ROMES S.A. Date despre proiect: MICROSENZOR DE CAMP MAGNETIC, Programul National RELANSIN - contract nr. 144/2-23 Parteneri: IMT-Bucuresti- coordonator, ROMES S.A.
16 Microtehnologii pentru console multifunctionale, integrabile pe substrat de siliciu, destinate realizarii microsenzorilor si microactuatorilor Domeniu de aplicabilitate/utilizare: Persoana de contact: Dr. Raluca Muller Structurile de microconsole pot fi utilizate in realizarea de microsenzori si micro-actuatori cu aplicatii in diverse domenii: biomedical, biochimic (lab-on a chip) micromanipulare celule bio, microinstrumentatie. Principalele caracteristici/descriere tehnologie Structurile de microconsole se obtin prin tehnici de corodare anizotropa a silicului <1> si au o geometrie rectangulara cu dimensiuni cuprinse intre 2-8 µm latime si 1-25 µm lungime, pentru o grosime de aprox. 2 µm. Elemente de noutate Dezvoltarea unor tehnologii de microprelucrare ieftine si accesibile Miniaturizarea unor structuri 3D mecanice si integerarea lor pe substrat de siliciu Arie de microconsole Microconsola integrata cu o Punte Wheatstone Principalii beneficiari ai transferului tehnologic (eventual co-finantatorii) Rezultatele pot fi utilizate de beneficiari care au dotarea tehnologica necesara pentru producerea de asemenea dispozitive, spre exemplu: BANEASA SA, Microelectronica S.A., ROMES S.A., care a fost si cofinantator. Date despre proiect: Titlul proiectului: Microtehnologii pentru console multifunctionale, integrabile pe substrat de siliciu, destinate realizarii microsenzorilor si microactuatorilor, Programul MATNANTECH, S8; Tip proiect: PED, Contractul nr. 259(48)/24-26, Coordonator : INCD pentru Microtehnologie IMT Bucuresti Parteneri: INCD pentru Chimie si Petrochimie ICECHIM, ROMES S. A.
17 Procese tehnologice de obtinere si configurare straturi subtiri din materiale compozite polimerice si hibride pentru MOEMS si senzori Domeniu de aplicabilitate/utilizare: senzori, microfluidica, ecologie, medicina, comunicatii Descriere tehnologie: - Procese de preparare compozite polimerice si hibride cu proprietati controlate, de tip: TiO 2 -SiO 2, PVA-CuO, PVA-Fe 2 O 3, PMMA-TiO 2, PMMA-ZrO 2, PDMS-ZrO 2 prin metodele: sol-gel, polimerizare monomeri+nanoparticole, amestec; -Procese de obtinere/configurare straturi subtiri din materiale compozite: spinning, litografie, embosis- molding; - Caracterizare micofizica si structurala a materialelor compozite: spectrofotometrie, elipsometrie, AFM, SEM, proprietati senzitive; Elemente de noutate pentru tehnologie: Persoana de contact : Dr.Paula Obreja (paulao@imt.ro) Procese specializate in scopul obtinerii unor materiale noi cu proprietati electrice, optice (transmisie, absorbtie, indice de refractie, fluorescenta, fotosensibilitate) sau senzitive controlate; (exemplu : controlul indicelui de refractie in domenil 1,4-1,8, concomitent cu mentinerea coeficientului de transmisie la >85%) Coeficient de transmisie (%) TRANSMISIA PVA -dopat Lungimea de unda (nm) PVA+FeCl3+NH4)2Cr2O7 PVA+SiO2 PVA+CuO+CrO3 Indicele de refractie PVA(2) + (NH4)2Cr2O7 + CuO Lungimea de unda (nm) 5%Cr2O7 3% CuO 6% CuO Indice de refractie Indicele de refractie al PMMA+ZrO Lungimea de unda (nm) X-1 X-1 (UV) Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: IMT- Bucuresti, industria aeronautica (la disiparea sarcinii spatiale), IMM-uri care au ca obiect de activitate producerea de geamuri cu proprietati speciale; Principalii beneficiari ai transferului tehnologic: co-finantator: ICEPALV S.A. Bucuresti Date despre proiect: Tehnologii de realizare microstructuri pe baza de materiale compozite polimerice si hibride pentru MOEMS si senzori, contract Matnantech / S8 nr.252(48) / 24, Coordonator: IMT Bucuresti. Parteneri : - ICEPALV S.A. Bucuresti - Institutul de Chimie Fizica al Academiei I.G.Murgulescu Bucuresti
18 Fotodetector Metal - Semiconductor - Metal (MSM) pe baza de straturi subtiri transparente si conductive de ZnO Domeniu de aplicabilitate/utilizare: Structurile de tip MSM asigura detectia rapida a semnalului optic si sunt destinate modulelor de detectie pentru sistemele de comunicatie pe fibra optica sau prin aer si senzorilor optici prin integrare cu dispozitive microoptice cum sunt ghiduri optice si microoglinzi. Principalele caracteristici/descriere tehnologie (dupa caz) Structurile de fotodetector MSM au o geometrie rectangulara cu electrozi interdigitati cu latimea si distanta intre electrozii adiacenti de 6μm. Aria totala este de,143μm 2. Structurile MSM sunt montate pe ambaze de tip TO18 cu fereastra plana de sticla. Parametri opto-electrici - Domeniul spectral: λ 4 11 nm - Responsivitate de,22 A/W la 475nm - Tensiunea de strapungere: V BR >15V la I R =1μA - Tensiunea de golire totala: 5V - Curentul de intuneric: I d < 5 na la V R = 5V - Capacitatea: 2,6pF - Banda de frecvente la 3dB: > 1GHz Elemente de noutate Persoana de contact: Fiz. Elena Budianu, elenab@imt.ro Fotodetectorului de tip MSM incapsulat Detaliu - structura Elaborare procese tehnologice de obtinere straturi subtiri transparente si conductive de ZnO codopat cu Al si Sn, prin tehnica depunerii termice in vid; Aplicarea straturilor subtiri transparente si conductive, ca electrozi Schottky optic transparenti, la realizarea de structuri de fotodetectie de tip MSM. Dispozitivele de fotodetectie de tip MSM cu electrozi transparenti au o responsivitatea imbunatatita fata de structura clasica prin eliminarea umbririi ariei active. Principalii beneficiari ai transferului tehnologic (eventual co-finantatorii) Rezultatele cercetarii pot fi utilizate in intreprinderi care au dotarea tehnologica necesara pentru producerea de asemenea dispozitive, cum sunt : ROMES SA, BANEASA SA, Date despre proiect Titlul proiectului: Dezvoltarea de noi procese si microstructuri fotonice pe baza de straturi subtiri transparente si conductive pe substrat de compusi A III B V si Siliciu, Programul MATNANTECH, S7, Contractul nr. 248(47)/24-26
19 Microstructuri fotonice integrate pentru analize chimice si biologice Domeniu de aplicabilitate/utilizare Structurile de microstructuri fotonice integrate pe substrat de siliciu pot fi utilizate ca senzori optici pentru detectia unor specii chimice si biologice. Acesti senzori inteligenti, bazati pe prelucrarea semnalului optic, au aplicatii in domenii cum ar fi sanatatea, monitorizarea mediului, securitatea personala si a ambientului.. Principalele caracteristici/descriere tehnologie Detectia se realizeaza pe baza de camp evanescent, care permite o flexibilitate desebita in alegerea materialului utilzat ca strat traductor. Variatiile caracteristicilor optice datorate prezentei mediului exterior produc o modificare a indicelui de refractie, care se traduce printr-o modificare a caractersticilor de propagare ale radiatiei optice (faza si intensitate), detectate prin utilizarea unor fotodetectori integrati pe acelasi substrat de siliciu. Elemente de noutate: Miniaturizarea unor senzori clasici; utilizarea unor materiale noi (polimeri) in realizarea ghidurilor de unda optice si a interferometrelor Mach-Zehnder. Imagine SEM a biosenzorului interferometric Persoana de contact: Dr. Raluca Muller (ralucam@imt.ro) Propagarea luminii prin ghid Principalii beneficiari ai transferului tehnologic: Rezultatele pot fi utilizate de beneficiari care au dotarea tehnologica necesara pentru producerea de senzori in tehnologie microelectronica: BANEASA SA, Microelectronica S.A. ROMES S.A., care a fost si cofinantator, precum si de firme interesate de utilizarea senzorilor. Date despre proiect: Titlul proiectului:microstructuri fotonice integrate pentru analize chimice si biologice, Programul MATNANTECH, S8; Tip proiect: PED, Contractul nr. 144)/23-25, Coordonator: INCD pentru Microtehnologie IMT Bucuresti Parteneri: Institutul National de Cercetare-Dezvoltare pentru Stiinte Biologice Institutul National de Cercetare-Dezvoltare pentru Fizica Laserilor, Plasmei si Radiatiei Universitatea Valahia, Targoviste Societatea Comerciala ROMES SA
20 Tehnica avansata de caracterizare a dielectricilor utilizati in constructia microtraductoarelor capacitive Domeniu de aplicabilitate/utilizare: microtehnologii si microelectronica. Principalele caracteristici/descriere tehnologie t H t L tr t f T p Masurarea densitatii de sarcina electrica in dioxidul de siliciu pe placheta sau pe dipozitive finite in domeniul: C Determinarea distributiei dupa energie a starilor in banda interzisa in domeniul : ev-1cm-2 Aria minima de detectie pentru masuratori pe structura: 4μm2 Domeniul de sensibilitate privind grosimea probelor de oxid: 1 nm-1 μm V GH ΔV G V GL Elemente de noutate: DUT PICOAMPERMETRU Schema de principiu pentru masurarea sarcinilor in oxid Persoana de contact: Dr. Cecilia Codreanu (ceciliac@imt.ro) It/Itmax 1,2 1,8,6,4,2 masurat calculat -6-5,5-4,5-3,5-2,5-1,5 -,5,5 VGL[V] REGLARE TEMPERATURA GENERATOR DE IMPULSURI Instrumentate de masura comandate PC: Picoampermetru/Sursa de tensiune programabila Keithley model 6487; precizie 51/2 digiti, sensibilitate 1fA, interfata IEE488, software achizitie si prelucare date, interfata software LabView Generator de impulsuri modul PCI, model NI541; rezolutie 12 biti, frecventa maxima 1MHz,amplitudine maxima semnal +/- 5V, interfatare software LabView G S D Sub SURSA DE TENSIUNE PROGRAMABILA PICOAMPERMETRU Schema de principiu a montajului experimental realizat pentru implementarea metodei PC Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: firme si institutii cu activitati de microtehnologie si microelectronica / utilizatorii de dispozitive electronice, senzori si de microsisteme Principalii beneficiari ai transferului tehnologic: S.C. ROMES S.A. Bucuresti celelalte institutii partenere. Date despre proiect: Tehnica avansata de caracterizare a dielectricilor utilizati in constructia microtraductoarelor capacitive, Proiect Nr. 93(28) in Programul MATNANTECH, Parteneri: IMT-Bucuresti- coordonator, ROMES-SA- partener cofinantator, INFLPR, Universitatea Valahia Targoviste
21 Microstructuri canelare si nanofluide pentru microsisteme de racire Domeniu de aplicabilitate/utilizare: sisteme si microsisteme de racire pentru dispozitive din tehnologia informatiei, electronicii si microelectronicii, in industriile aeronautica, aerospatiala, de automobile, in aplicatii din chimie, biologie si medicina Principalele caracteristici/descriere tehnologie sistem de microcanale in Si <11> si <1>, de dimensiuni: 1cm/56mm/2mm nanofluide pe baza de nanoparticule de fier si fier incapsulat in oxid de fier in suspensie in apa deionizata si etilen glicol, cu conductivitate termica cu 4% mai mare decat cea a fluidelor de baza Diametru nanoparticule: 14 1nm Imagini obtinute la microscopul optic, ale microcanalelor corodate in Si <1> (stanga) si imagini obtinute la microscopul electronic, ale microcanalelor corodate in Si <11> (dreapta) Elemente de noutate: Persoana de contact: Dr. Cecilia Codreanu (ceciliac@imt.ro) Initial concentration=.1% 2h ultrasonic 1.15 vibrations Nanoparticles volume fraction [%] microsisteme de racire construite pe principiul microcanalelor corodate in plachete de siliciu cresterea considerabila a performantelor de transfer termic ale lichidelor de racire clasice, prin formarea de suspensii de nanoparticule, in concentratii foarte mici (sub 1%), ale unor materiale conductive termic keff/kwater keff/kbase liquid Ethylene glycol Nanoparticles volume fraction [%] Variatia conductivitatii termice relative a nanofluidului avand ca lichid de baza apa deionizata (stanga) si etilen glicolul (dreapta), in functie de concentratia de nanoparticule Imagini AFM pentru nanofluide bazate pe dispersii de nanoparticule de fier in apa deionizata (stanga) si in etilen glicol (dreapta). In centru: imagini TEM ale nanopulberilor pe baza de fier Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: Tehnologiile microelectronica, electronica si informatica pentru microsisteme de racire pe cip Industriile aeronautica, aerospatiala, de automobile pentru sisteme si lichide performante de racire Aplicatii din chimie, biologie si medicina Principalii beneficiari ai transferului tehnologic: Firme din industria microelectronica, electronica si informatica si alte institutii de profil Firme din industriile aeronautica, aerospatiala, de automobile si alte institutii de profil Firme si institutii de profil din chimie, biologie si medicina Date despre proiect: Microstructuri canelare si nanofluide pentru microsisteme de racire, obtinute cu tehnologii, plasma si laser, Proiect Nr. 149(39), Program MATNANTECH, Parteneri: IMT-Bucuresti- coordonator, INFLPR, Universitatea Valahia Targoviste
22 Biosenzor pentru detectia diuronului in mediu apos RO-BSD-1 Persoana de contact: Dr. Lucian Galateanu Domeniu de aplicabilitate/utilizare: Detectia diuronului in efluentii instalatiilor de epurare biologica a apelor uzate precum si in apele de suprafata Principalele caracteristici/descriere tehnologie: RO-BSD-1 este un biosenzor amperometric pentru detectia unor substante xenobiotice in mediu apos, bazat pe inhibitia procesului de fotosinteza la cianobacterii. Biosenzorul RO-BSD-1 este un produs de unica folosinta, intrucat reactia elementului biologic este modificata in cazul unor expuneri multiple la xenobiotice. Domeniul de detectie optim pentru concentratia de diuron este de,3 3 mg/l. In acest domeniu, sensibilitatea biosenzorului se situeaza in gama 14,5-17,5 %/mg/l. Pentru detectia diuronului in medii sintetice, precizia determinarilor este de +/- 1%. Pentru analiza efluentilor instalatiilor de epurare (unde diuronul este in amestec cu alti inhibitori), precizia de determinare a concentratiei de diuron se situeaza in gama +/- 15 %, fata de valoarea concentratiei de diuron obtinuta prin metode analitice. Aceasta precizie a determinarilor este considerata satisfacatoare pentru cerintele de exploatare a biosenzorilor. Elemente de noutate: realizarea unui traductor amperometric cu 3 microelectrozi, pe un cip de Si, prin tehnologiile microelectronicii; realizarea unui sistem de iluminare cu LED, pentru controlul procesului de fotosinteza; realizarea unui sistem de montaj-asamblare complex care asigura: realizarea conexiunii electrice a microelectrozilor cu circuitul exterior, formarea unei micro-celule electrochimice, care sa permita intrarea in contact a analitului cu microelectrozii traductorului precum si izolarea acestuia fata de ambaza si firele de conexiune interna, cuplajul optic intre dioda electroluminiscenta si microelectrozi. Cultivarea si selectarea materialului biologic; Optimizarea elementului de interfatare intre microelectrozi si materialul biologic. Biosenzor RO-BSD-1. Sectiune transversala. 1. Structura de Si cu microelectrozi; 2. Adeziv; 3. Placa metalica pentru pozitionarea cipului; 4. Ambaza TO-99; 5. Terminalul ambazei; 6. Trecere metal-sticla; 7. Fir de conexiune interna; 8. Rasina epoxidica; 9. Cipul LED; 1. Cilindru de teflon; 11. Electrolit. Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: Reteua nationala de statii de epurare a apelor uzate si Laboratoare de controlul calitatii apelor Principalii beneficiari ai transferului tehnologic si cofinantator: ROMES S.A., cofinantator al proiectului Date despre proiect: Titlu: Biosenzor pentru detectia unoer xenobiotice (diuron) in efluentii instalatiilor de epurare biologica a apelor uzate, Program: MATNANTECH, contract nr. 246 (47) / Parteneri: Institutul de Biologie Bucuresti, Institutul de Chimie Macromoleculara Petru Poni - Iasi, INCD pentru Ecologie Industriala, SC ROMES SA
23 Tehnologie pentru selectia de fiabilitate a structurilor semiconductoare prin imbatranire accelerata cu iradiere laser Domeniu de aplicabilitate/utilizare: Fabricatia dispozitivelor semiconductoare de putere, indeosebi dispozitive pentru aplicatii cu cerinte de fiabilitate speciale Descriere tehnologie: Fiabilitatea dispozitivelor semiconductoare realizate in tehnologia bipolara este afectata de formarea unor zone de supraincalzire locala ( hot spots ) la defectele microstructurale care introduc in banda interzisa a materialului semiconductor nivele energetice adanci (situate catre mijlocul benzii interzise). Asigurarea unei fiabilitati corespunzatoare pentru dispozitivele semiconductoare bipolare se realizeaza atat prin acuratete tehnologica (limitarea defectelor microstructurale) cat si prin selectia de fiabilitate a dispozitivelor. Tehnologia clasica pentru selectia dispozitivelor fiabile consta in imbatranirea accelerata a lotului de dispozitive finite, prin incercari accelerate electric si/sau termic. Aceasta tehnologie presupune costuri ridicate, legate atat de durata mare si consumurile mari de energie ale incercarilor cat si de faptul ca in procesul de selectie sunt eliminate dispozitive finite. Noul proces tehnologic introduce, in etapa de testare pe placheta a structurilor semiconductoare, o iradiere cu laser a zonei active a acestora. Prin aceasta, se realizeaza o excitare optica a tranzitiilor pe nivele adanci. Se obtine o accelerare a degradarii prin hot spots, factorii de accelerare fiind cu cateva ordine de marime mai mari decat in cazul accelerarii termice. Durata procesului de imbatranire accelerata scade de la zile-saptamani la cca 1 minut. Echipamentul de accelerare a tranzitiilor pe nivele adanci prin iradiere laser. Masa de incercare a echipamentului. a -obiectiv de focalizare a radiatiei laser; b -dispozitiv de prindere; c -sonde de polarizare electrica a structurilor semiconductoare; d -dispozitiv de marcare a structurilor defectate; e -placheta cu structuri procesate. Persoana de contact: Dr. Lucian Galateanu (luciang@imt.ro) Elemente de noutate: se realizeaza selectia de fiabilitate pe fluxul tehnologic, la nivelul structurilor semiconductoare (nu la finalul fluxului tehnologic, pe dispozitive incapsulate); s-a introdus o accelerare optica a generarii-recombinarii purtatorilor de sarcina, prin iradierea cu laser a structurilor semiconductoare polarizate electric. Pentru o lungime de unda asociata tranzitiilor purtatorilor de sarcina pe nivelele adanci, se obtine o accelerare selectiva a imbatranirii, care actioneaza numai la defectele structurale responsabile de formarea de "hot spots ; se obtin factori de accelerare cu cateva ordine de marime mai mari decat in cazul accelerarii termice, ceea ce conduce la scaderea semnificativa a duratei procesului de imbatranire accelerata. Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei: Fabricanti de dispozitive semiconductoare de putere si Laboratoare de fiabilitate pentru dispozitive semiconductoare Principalii beneficiari ai transferului tehnologic si cofinantator: ROMES S.A., cofinantator al proiectului Date despre proiect: Titlu: Accelerarea selectiva prin iradiere cu laser a imbatranirii dispozitivelor semiconductoare de putere, Program: MATNANTECH, contract nr. 6 / Parteneri: INCD-FLPR, Univ. Valahia-Targoviste, NCSR Demokritos - Atena, SC ROMES SA
24 MICROCONCENTRATOARE OPTICE PENTRU CELULE SOLARE BAZATE PE MICROSTRUCTURAREA DE SUPRAFATA A SUBSTRATULUI Domeniu de aplicabilitate/utilizare Microconcentratoarele optice pentru celulele solare au fost realizate în scopul creşterii eficienţei celulelor fotovoltaice prin microstructurarea de suprafaţă a substratului. Principalele caracteristici 2µm 4µm Topografia unei retele hexagonale de alveole Elemente de noutate; 2µm Persoana de contact: Dr. Elena Manea ( elenam@imt.ro) Topografia constă în ferestre (goluri) uniform spaţiate în vârfurile unui triunghi echilater obţinându-se o reţea tip fagure. Brevet nr. 5 TCI / Texturizarea substratelor s-a realizat prin corodarea suprafeţei printr-un strat de mascare utilizand topografia reţea tip fagure, în scopul formării în urma corodării de pereţi semisferici. În momentul în care pereţii semisferici vecini se ating, se formează structuri hexagonale. Imaginea SEM pentru microconcentratoarele optice obtinute prin texturarea suprafetei de Si si a sticlei borosilicate Microconcentratoarele optice sunt definite ca o retea hexagonala de alveole care asigura o impachetare maxima a suprafetelor texturate. Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei Sunt destinate aplicatiilor care utilizeaza celule solare de inalta eficienta in aplicatiile medicale si farmaceutice ca substrat texturat (siliciu, sticla, polyimide) pentru studiul materialelor biologice. Beneficiar si cofinantator: ROMES S.A. Date despre proiect: PROGRAM MATNANTECH, Subprogramul S7, contract nr. 141/23-25 Parteneri: IMT Bucuresti, UVT, ROMES S.A.
25 MICROMATRICI SEMICONDUCTOARE CU EMISIE DE LUMINA ALBA PENTRU APLICATII IN Domeniu de aplicabilitate/utilizare SISTEME DE ILUMINAT INTERIOR - iluminat casnic si utilitar - iluminat in zone inchise- nave, submarine, avioane, autoturisme Principalele caracteristici Dispozitivul consta intr-o matrice cu geometrie variabila (la cererea beneficiarului/ functie de aplicatie) care emite in lumina alba. In vehiculele test realizate, structurile de LED sunt legate in serie (matrici cu 9 elemente si cu 2X17 elemente). Fosforul utilizat pentru obtinerea luminii albe este un granat de ytriu si aluminiu dopat cu ceriu. Elemente de noutate Persoana de contact: :dr. Ing. Ileana Cernica, ileanac@imt.ro; Chim. Veronica Schiopu, veronicas@imt.ro; Exemple de matrici cu 9 elemente - S-a obtinut un granat de ytriu si aluminiu dopat cu ceriu sinterizat la temperatura relativ scazuta (11 C), cu structura nanometrica ce este utilizat ca fosfor pentru obtinerea culorii albe a luminii - S-au proiectat si realizat matrici semiconductoare cu emisie de lumina alba cu geometrii variabile (9 elemente, 2x17 elemente) - S-a proiectat si este in curs de definitivare o tehnologie de asamblare pe substrat flexibil Intensity 'Y Wav elength (nm) Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei - Spitale (iluminat pentru timp de noapte) - Fabricanti de nave, autoutilitare (civile si militare) pentru iluminat in spatii inchise Beneficiarisicofinantatori: SC ROMES SA; IMT-Bucuresti Date despre proiect: Proiect finantat in cadrul programului: MATNANTECH,Subprogram S7, Tip Proiect PDT, Contract 241(47) / 24 26, Coordonator: IMT-Bucuresti Parteneri: S.C.ROMES S.A. Bucuresti Universitatea VALAHIA Târgoviste Universitatea Gh.Asachi - Iasi
26 NANOMATERIALE CU PROPRIETATI CONTROLATE PENTRU FINISAREA COMPOZITELOR LIGNO-CELULOZICE Domeniu de aplicabilitate/utilizare sol-gel aluminiu, sol-gel oxid de indiu si staniu (ITO)-aditiv in formularea lacurilor hidrodiluabile pentru imbunatatirea anumitor proprietati lacuri hidrodiluabile cu nanoparticule de alumina si ITO utilizate la finisarea compozitelor ligno-celulozice Principalele caracteristici Sol-gelurile baza obtinute sunt opalescente; timp de scurgere (secunde)- tixotrop; cu continut exclusiv de substante nevolatile. S-au obtinut urmatoarele produse: - lac hidrodiluabil cu nanoparticule de alumina; - lac hidrodiluabil cu nanoparticule de oxid de indium si staniu. Sol-gelurile de alumina, oxid de indiu si staniu (ITO) sunt folosite ca aditivi in sistemele de acoperire existente. Produsele nanometrice au fost adaugate pe formulari de lacuri hidrodiluabile in proportii de 2,5%. Lacurile hidrodiluabile depuse pe diferite substraturi composite lingo-celulozice determina o imbunatatire a rezistentei la zgariere/duritatii si antistaticitatii. Lac hidrodiluabil cu particule de alumina si respectiv oxid de indiu si staniu Persoana de contact: dr. Ing. Ileana Cernica, ileanac@imt.ro; Ing. Alina Ciuciumis alinaci@imt.ro Imagini SEM Fag acoperit cu lac hidrodiluabil cu alumina (a), ITO (b) Elemente de noutate dezvoltare de materiale nanostructurate aditivi in formularea lacurilor hidrodiluabile pentru imbunatatirea caracteristicilor de rezistenta la zgariere, hidrofobiei si antistatizarea suprafetelor finisate tehnici de compatibilizare in sistem a nanomaterialelor pentru obtinerea unui material de finisare a compozitelor ligno-celulozice fara continut de COV si cu proprietati imbunatatite (de mai sus) a b Potentiali utilizatori ai produsului/tehnologiei Producatori de mobilier Producatori de nave si autoturisme de lux (interioare/borduri din lemn) Beneficiarisicofinantatori SC Institutul National al Lemnului SA; IMT-Bucuresti Date despre proiect Proiect finantat in cadrul programului: MATNANTECH,Subprogram S1, Tip Proiect PDT, Contract 185(41) / Coordonator: IMT-Bucuresti Parteneri: SC Institutul National al Lemnului SA Institutul National de CD pentru Metale Neferoase si Rare (IMNR) Universitatea VALAHIA Târgoviste
CIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE. MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit
CIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DE MICROUNDE MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit CUPRINS 1. Avantajele si limitarile MMIC 2. Modelarea dispozitivelor active 3. Calculul timpului de viata al MMIC
Fig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].
Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie
1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB
1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul
V O. = v I v stabilizator
Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,
Curs 2 DIODE. CIRCUITE DR
Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu
10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea
5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE
5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.
Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate.
Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie p, q N. Fie funcţia f : D R p R q. Avem următoarele
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii
4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica
a. 11 % b. 12 % c. 13 % d. 14 %
1. Un motor termic funcţionează după ciclul termodinamic reprezentat în sistemul de coordonate V-T în figura alăturată. Motorul termic utilizează ca substanţă de lucru un mol de gaz ideal având exponentul
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,
Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent
Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului
Filme de TiO 2 nanostructurate prin anodizarea Ti in electrolit pe baza de fluorura pentru aplicatii la celule solare
Filme de io 2 nanostructurate prin anodizarea i in electrolit pe baza de fluorura pentru aplicatii la celule solare. Manea,.Obreja, M. Purica,V. Schiopu, F.omanescu M- Bucharest Lucrare finantata din Programul:
MICRO / NANOFOTONICA - materiale, procese,
Laboratorul de Micro si Nanofotonica din IMT Bucuresti Oferta de colaborare in domeniul: MICRO / NANOFOTONICA - materiale, procese, microstructuri pentru prelucrarea semnalului optic, cu aplicatii biomedicale,,
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia
Valori limită privind SO2, NOx şi emisiile de praf rezultate din operarea LPC în funcţie de diferite tipuri de combustibili
Anexa 2.6.2-1 SO2, NOx şi de praf rezultate din operarea LPC în funcţie de diferite tipuri de combustibili de bioxid de sulf combustibil solid (mg/nm 3 ), conţinut de O 2 de 6% în gazele de ardere, pentru
Problema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice
Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător
Izolaţii flexibile din hârtie de mică, micanite rigide.
Izolaţii flexibile din hârtie de mică, micanite rigide. HÂRTIE DE MICĂ MPM1(501), MPM2(501-2), 511... 84 MICABANDĂ FW-5438 B130ºC FW-5440-1 F155ºC... 85 MICABANDĂ FW-5441-1 F(155ºC) D608-1 B(130ºC)...
Aparate de măsurat. Măsurări electronice Rezumatul cursului 2. MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1
Aparate de măsurat Măsurări electronice Rezumatul cursului 2 MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1 1. Aparate cu instrument magnetoelectric 2. Ampermetre şi voltmetre 3. Ohmetre cu instrument magnetoelectric
(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.
Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă
Proiectarea filtrelor prin metoda pierderilor de inserţie
FITRE DE MIROUNDE Proiectarea filtrelor prin metoda pierderilor de inserţie P R Puterea disponibila de la sursa Puterea livrata sarcinii P inc P Γ ( ) Γ I lo P R ( ) ( ) M ( ) ( ) M N P R M N ( ) ( ) Tipuri
Examen. Site Sambata, S14, ora (? secretariat) barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate
Curs 12 2015/2016 Examen Sambata, S14, ora 10-11 (? secretariat) Site http://rf-opto.etti.tuiasi.ro barem minim 7 prezente lista bonus-uri acumulate min. 1pr. +1pr. Bonus T3 0.5p + X Curs 8-11 Caracteristica
5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2
5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării
MARCAREA REZISTOARELOR
1.2. MARCAREA REZISTOARELOR 1.2.1 MARCARE DIRECTĂ PRIN COD ALFANUMERIC. Acest cod este format din una sau mai multe cifre şi o literă. Litera poate fi plasată după grupul de cifre (situaţie în care valoarea
SIGURANŢE CILINDRICE
SIGURANŢE CILINDRICE SIGURANŢE CILINDRICE CH Curent nominal Caracteristici de declanşare 1-100A gg, am Aplicaţie: Siguranţele cilindrice reprezintă cea mai sigură protecţie a circuitelor electrice de control
Metode de caracterizare structurala in stiinta nanomaterialelor: aplicatii practice
Metode de caracterizare structurala in stiinta nanomaterialelor: aplicatii practice Utilizare de metode complementare de investigare structurala Proba investigata: SrTiO 3 sub forma de pulbere nanostructurata
RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:,
REZISTENTA MATERIALELOR 1. Ce este modulul de rezistenţă? Exemplificaţi pentru o secţiune dreptunghiulară, respectiv dublu T. RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii
11.2 CIRCUITE PENTRU FORMAREA IMPULSURILOR Metoda formării impulsurilor se bazează pe obţinerea unei succesiuni periodice de impulsuri, plecând de la semnale periodice de altă formă, de obicei sinusoidale.
Curs 4 Serii de numere reale
Curs 4 Serii de numere reale Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Criteriul rădăcinii sau Criteriul lui Cauchy Teoremă (Criteriul rădăcinii) Fie x n o serie cu termeni
5. FUNCŢII IMPLICITE. EXTREME CONDIŢIONATE.
5 Eerciţii reolvate 5 UNCŢII IMPLICITE EXTREME CONDIŢIONATE Eerciţiul 5 Să se determine şi dacă () este o funcţie definită implicit de ecuaţia ( + ) ( + ) + Soluţie ie ( ) ( + ) ( + ) + ( )R Evident este
DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE
DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE ABSTRACT. Materialul prezintă o modalitate de a afla distanţa dintre două drepte necoplanare folosind volumul tetraedrului. Lecţia se adresează clasei a VIII-a Data:
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii în tehnică
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii în tehnică Sisteme de încălzire a locuinţelor Scopul tuturor acestor sisteme, este de a compensa pierderile de căldură prin pereţii locuinţelor şi prin sistemul
Pioneering for You Prezentare WILO SE
Pioneering for You Prezentare WILO SE Gabriel CONSTANTIN, Director Vanzari Aplicatii Industriale, WILO Romania srl Eficienta industriala Procese industriale si logistica 1. Introducere 2. Wilo SE date
Curs 1 Şiruri de numere reale
Bibliografie G. Chiorescu, Analiză matematică. Teorie şi probleme. Calcul diferenţial, Editura PIM, Iaşi, 2006. R. Luca-Tudorache, Analiză matematică, Editura Tehnopress, Iaşi, 2005. M. Nicolescu, N. Roşculeţ,
Fig Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30].
Fig.3.43. Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30]. Fig.3.44. Dependenţa curentului de fugă de raportul U/U R. I 0 este curentul de fugă la tensiunea nominală
Planul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare
1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe
* * * 57, SE 6TM, SE 7TM, SE 8TM, SE 9TM, SC , SC , SC 15007, SC 15014, SC 15015, SC , SC
Console pentru LEA MT Cerinte Constructive Consolele sunt executate in conformitate cu proiectele S.C. Electrica S.A. * orice modificare se va face cu acordul S.C. Electrica S.A. * consolele au fost astfel
Circuite cu diode în conducţie permanentă
Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea
Erori si incertitudini de măsurare. Modele matematice Instrument: proiectare, fabricaţie, Interacţiune măsurand instrument:
Erori i incertitudini de măurare Sure: Modele matematice Intrument: proiectare, fabricaţie, Interacţiune măurandintrument: (tranfer informaţie tranfer energie) Influente externe: temperatura, preiune,
Curs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi"
Curs 14 Funcţii implicite Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie F : D R 2 R o funcţie de două variabile şi fie ecuaţia F (x, y) = 0. (1) Problemă În ce condiţii ecuaţia
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.
Propagarea Interferentei. Frecvente joase d << l/(2p) λ. d > l/(2p) λ d
1. Introducere Sunt discutate subiectele urmatoare: (i) mecanismele de cuplare si problemele asociate cuplajelor : cuplaje datorita conductiei (e.g. datorate surselor de putere), cuplaje capacitive si
REZULTATE Program Nucleu INGENIOS. 1. Tehnologie LIGA si transfer al acesteia in laborator. 2. Prototip magnet sextupolar FAIR
REZULTATE Program Nucleu INGENIOS 1. Tehnologie LIGA si transfer al acesteia in laborator 2. Prototip magnet sextupolar FAIR 1 3. Prototip sursa de alimentare magnet sextupolar FAIR 4. Proiect si prototip
Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 4. Măsurarea parametrilor mărimilor electrice
Laborator 4 Măsurarea parametrilor mărimilor electrice Obiective: o Semnalul sinusoidal, o Semnalul dreptunghiular, o Semnalul triunghiular, o Generarea diferitelor semnale folosind placa multifuncţională
Anexa nr. 3 la Certificatul de Acreditare nr. LI 648 din
Valabilă de la 14.04.2008 până la 14.04.2012 Laboratorul de Încercări şi Verificări Punct lucru CÂMPINA Câmpina, str. Nicolae Bălcescu nr. 35, cod poştal 105600 judeţul Prahova aparţinând de ELECTRICA
CIRCUITE LOGICE CU TB
CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune
2CP Electropompe centrifugale cu turbina dubla
2CP Electropompe centrifugale cu turbina dubla DOMENIUL DE UTILIZARE Capacitate de până la 450 l/min (27 m³/h) Inaltimea de pompare până la 112 m LIMITELE DE UTILIZARE Inaltimea de aspiratie manometrică
L2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR
L2. REGMUL DNAMC AL TRANZSTRULU BPLAR Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecvenţă joasă, fixă. Se determină principalii parametrii ai circuitului echivalent natural
VII.2. PROBLEME REZOLVATE
Teoria Circuitelor Electrice Aplicaţii V PROBEME REOVATE R7 În circuitul din fiura 7R se cunosc: R e t 0 sint [V] C C t 0 sint [A] Se cer: a rezolvarea circuitului cu metoda teoremelor Kirchhoff; rezolvarea
Exemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine
Capitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25
Capitolul ASAMBLAREA LAGĂRELOR LECŢIA 25 LAGĂRELE CU ALUNECARE!" 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.!" 25.2.Funcţionarea lagărelor cu alunecare.! 25.1.Caracteristici.Părţi componente.materiale.
riptografie şi Securitate
riptografie şi Securitate - Prelegerea 12 - Scheme de criptare CCA sigure Adela Georgescu, Ruxandra F. Olimid Facultatea de Matematică şi Informatică Universitatea din Bucureşti Cuprins 1. Schemă de criptare
a n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea
Serii Laurent Definitie. Se numeste serie Laurent o serie de forma Seria n= (z z 0 ) n regulata (tayloriana) = (z z n= 0 ) + n se numeste partea principala iar seria se numeste partea Sa presupunem ca,
Corectură. Motoare cu curent alternativ cu protecție contra exploziei EDR * _0616*
Tehnică de acționare \ Automatizări pentru acționări \ Integrare de sisteme \ Servicii *22509356_0616* Corectură Motoare cu curent alternativ cu protecție contra exploziei EDR..71 315 Ediția 06/2016 22509356/RO
CURSUL 4 METODE DE CONTROL NEDISTRUCTIV. PREZENTARE GENERALA
CURSUL 4 METODE DE CONTROL NEDISTRUCTIV. PREZENTARE GENERALA Termografia activa in infrarosu Aplicatii in evaluarea nedistructiva Metodele Lockin si Puls Introducere. NDE/NDT/NDI Holografia Radiografia
Circuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS
Circuite cu tranzistoare 1. Inversorul CMOS MOSFET-urile cu canal indus N si P sunt folosite la familia CMOS de circuite integrate numerice datorită următoarelor avantaje: asigură o creştere a densităţii
Capitolul 2 - HIDROCARBURI 2.5.ARENE
Capitolul 2 - HIDROCARBURI 2.5.ARENE TEST 2.5.2 I. Scrie cuvântul / cuvintele dintre paranteze care completează corect fiecare dintre afirmaţiile următoare. 1. Radicalul C 6 H 5 - se numeşte fenil. ( fenil/
Sisteme diferenţiale liniare de ordinul 1
1 Metoda eliminării 2 Cazul valorilor proprii reale Cazul valorilor proprii nereale 3 Catedra de Matematică 2011 Forma generală a unui sistem liniar Considerăm sistemul y 1 (x) = a 11y 1 (x) + a 12 y 2
LUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT
LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa
Studiu privind soluţii de climatizare eficiente energetic
Studiu privind soluţii de climatizare eficiente energetic Varianta iniţială O schemă constructivă posibilă, a unei centrale de tratare a aerului, este prezentată în figura alăturată. Baterie încălzire/răcire
1. PROPRIETĂȚILE FLUIDELOR
1. PROPRIETĂȚILE FLUIDELOR a) Să se exprime densitatea apei ρ = 1000 kg/m 3 în g/cm 3. g/cm 3. b) tiind că densitatea glicerinei la 20 C este 1258 kg/m 3 să se exprime în c) Să se exprime în kg/m 3 densitatea
V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile
Metode de Optimizare Curs V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile Propoziţie 7. (Fritz-John). Fie X o submulţime deschisă a lui R n, f:x R o funcţie de clasă C şi ϕ = (ϕ,ϕ
I X A B e ic rm te e m te is S
Sisteme termice BAXI Modele: De ce? Deoarece reprezinta o solutie completa care usureaza realizarea instalatiei si ofera garantia utilizarii unor echipamente de top. Adaptabilitate la nevoile clientilor
Capitolul 14. Asamblari prin pene
Capitolul 14 Asamblari prin pene T.14.1. Momentul de torsiune este transmis de la arbore la butuc prin intermediul unei pene paralele (figura 14.1). De care din cotele indicate depinde tensiunea superficiala
TERMOCUPLURI TEHNICE
TERMOCUPLURI TEHNICE Termocuplurile (în comandă se poate folosi prescurtarea TC") sunt traductoare de temperatură care transformă variaţia de temperatură a mediului măsurat, în variaţie de tensiune termoelectromotoare
Capitolul 4 Amplificatoare elementare
Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector
Microscopie optica. Masuratori cu microscopul optic
. Masuratori cu microscopul optic Tehnici de microscopie de transmisie Microscopie de baleiaj utilizand lasere Microscopie confocala Microscopie in camp apropiat Microscopie electronica Microscopie Microscopie
Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,
vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se
REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV
REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV I. OBIECTIVE a) Stabilirea dependenţei dintre tipul redresorului (monoalternanţă, bialternanţă) şi forma tensiunii redresate. b) Determinarea efectelor modificării
7. TEHNOLOGIA DIODELOR SEMICONDUCTOARE
7. TEHNOLOGIA DIODELOR SEMICONDUCTOARE Diodele semiconductoare au la bază o joncţiune p-n prevăzută cu contacte metalice ataşate la cele două zone. Acest ansamblu este introdus într-o capsulă din sticlă,
Esalonul Redus pe Linii (ERL). Subspatii.
Seminarul 1 Esalonul Redus pe Linii (ERL). Subspatii. 1.1 Breviar teoretic 1.1.1 Esalonul Redus pe Linii (ERL) Definitia 1. O matrice A L R mxn este in forma de Esalon Redus pe Linii (ERL), daca indeplineste
FENOMENE TRANZITORII Circuite RC şi RLC în regim nestaţionar
Pagina 1 FNOMN TANZITOII ircuite şi L în regim nestaţionar 1. Baze teoretice A) ircuit : Descărcarea condensatorului ând comutatorul este pe poziţia 1 (FIG. 1b), energia potenţială a câmpului electric
5.1. Noţiuni introductive
ursul 13 aitolul 5. Soluţii 5.1. oţiuni introductive Soluţiile = aestecuri oogene de două sau ai ulte substanţe / coonente, ale căror articule nu se ot seara rin filtrare sau centrifugare. oonente: - Mediul
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători
UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN TIMIŞOARA. Facultatea de Electronică şi Telecomunicaţii EXAMEN LICENŢĂ SPECIALIZAREA ELECTRONICĂ APLICATĂ
UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN TIMIŞOARA Facultatea de Electronică şi Telecomunicaţii EXAMEN LICENŢĂ SPECIALIZAREA ELECTRONICĂ APLICATĂ 2015-2016 UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN TIMIŞOARA Facultatea de Electronică
APLICAȚII CARACTERISTICI
APLICAȚII Calculatorul este un calculator cu două canale pentru măsurarea energiei termice din sistemele de încălzire și climatizare. Include funcțiile a două calculatoare. Se pot face 2 măsurători de
a. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)
Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului
Tranzistoare bipolare şi cu efect de câmp
apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine
Metode de interpolare bazate pe diferenţe divizate
Metode de interpolare bazate pe diferenţe divizate Radu Trîmbiţaş 4 octombrie 2005 1 Forma Newton a polinomului de interpolare Lagrange Algoritmul nostru se bazează pe forma Newton a polinomului de interpolare
2.2.1 Măsurători asupra semnalelor digitale
Lucrarea 2 Măsurători asupra semnalelor digitale 2.1 Obiective Lucrarea are ca obiectiv fixarea cunoştinţelor dobândite în lucrarea anterioară: Familiarizarea cu aparatele de laborator (generatorul de
Seminariile Capitolul X. Integrale Curbilinii: Serii Laurent şi Teorema Reziduurilor
Facultatea de Matematică Calcul Integral şi Elemente de Analiă Complexă, Semestrul I Lector dr. Lucian MATICIUC Seminariile 9 20 Capitolul X. Integrale Curbilinii: Serii Laurent şi Teorema Reiduurilor.
Laborator 5 INTERFEROMETRE
Laborator 5 INTERFEROMETRE Scopul lucrarii În lucrarea de fańă sunt prezentate unele aspecte legate de interferometrie. Se prezinta functionarea unui modulator optic ce lucreaza pe baza interferentei dintre
ANALIZE FIZICO-CHIMICE MATRICE APA. Tip analiza Tip proba Metoda de analiza/document de referinta/acreditare
ph Conductivitate Turbiditate Cloruri Determinarea clorului liber si total Indice permanganat Suma Ca+Mg, apa de suprafata, apa, apa grea, apa de suprafata, apa grea, apa de suprafata, apa grea, apa de
III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar seria modulelor divergentă.
III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. Definiţie. O serie a n se numeşte: i) absolut convergentă dacă seria modulelor a n este convergentă; ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar
Maşina sincronă. Probleme
Probleme de generator sincron 1) Un generator sincron trifazat pentru alimentare de rezervă, antrenat de un motor diesel, are p = 3 perechi de poli, tensiunea nominală (de linie) U n = 380V, puterea nominala
TRANSFORMATOARE MONOFAZATE DE SIGURANŢĂ ŞI ÎN CARCASĂ
TRANSFORMATOARE MONOFAZATE DE SIGURANŢĂ ŞI ÎN CARCASĂ Transformatoare de siguranţă Este un transformator destinat să alimenteze un circuit la maximum 50V (asigură siguranţă de funcţionare la tensiune foarte
Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic
Platformă de e-learning și curriculă e-content pentru învățământul superior tehnic Elemente de Electronică Analogică 35. Stabilizatoare de tensiune integrate STABILIZATOARE DE TENSIUNE INTEGRATE Stabilizatoarele
Lucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii)
ucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) A.Scopul lucrării - Verificarea experimentală a rezultatelor obţinute prin analiza circuitelor cu diode modelate liniar pe porţiuni ;.Scurt breviar teoretic
2. CONDENSATOARE 2.1. GENERALITĂŢI PRIVIND CONDENSATOARELE DEFINIŢIE UNITĂŢI DE MĂSURĂ PARAMETRII ELECTRICI SPECIFICI CONDENSATOARELOR SIMBOLURILE
2. CONDENSATOARE 2.1. GENERALITĂŢI PRIVIND CONDENSATOARELE DEFINIŢIE UNITĂŢI DE MĂSURĂ PARAMETRII ELECTRICI SPECIFICI CONDENSATOARELOR SIMBOLURILE CONDENSATOARELOR 2.2. MARCAREA CONDENSATOARELOR MARCARE
Polarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea
2. Sisteme de forţe concurente...1 Cuprins...1 Introducere Aspecte teoretice Aplicaţii rezolvate...3
SEMINAR 2 SISTEME DE FRŢE CNCURENTE CUPRINS 2. Sisteme de forţe concurente...1 Cuprins...1 Introducere...1 2.1. Aspecte teoretice...2 2.2. Aplicaţii rezolvate...3 2. Sisteme de forţe concurente În acest
i R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2
TABILIZATOAE DE TENINE ELECTONICĂ Lucrarea nr. 5 TABILIZATOAE DE TENINE 1. copurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare
Asupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 2006
Asupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 006 Mircea Lascu şi Cezar Lupu La cel de-al cincilea baraj de Juniori din data de 0 mai 006 a fost dată următoarea inegalitate: Fie x, y, z trei numere reale
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -
Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor X) functia f 1
Functii definitie proprietati grafic functii elementare A. Definitii proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi X si Y spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe X cu valori in Y daca fiecarui
Integrala nedefinită (primitive)
nedefinita nedefinită (primitive) nedefinita 2 nedefinita februarie 20 nedefinita.tabelul primitivelor Definiţia Fie f : J R, J R un interval. Funcţia F : J R se numeşte primitivă sau antiderivată a funcţiei
Difractia de electroni
Difractia de electroni 1 Principiul lucrari Verificarea experimentala a difractiei electronilor rapizi pe straturi de grafit policristalin: observarea inelelor de interferenta ce apar pe ecranul fluorescent.
a. 0,1; 0,1; 0,1; b. 1, ; 5, ; 8, ; c. 4,87; 6,15; 8,04; d. 7; 7; 7; e. 9,74; 12,30;1 6,08.
1. În argentometrie, metoda Mohr: a. foloseşte ca indicator cromatul de potasiu, care formeazǎ la punctul de echivalenţă un precipitat colorat roşu-cărămiziu; b. foloseşte ca indicator fluoresceina, care
Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor
Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi si spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe cu valori in daca fiecarui element