CMOS Technology for Computer Architects

Σχετικά έγγραφα
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων

Surface Mount Multilayer Chip Capacitors for Commodity Solutions

ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων

Main source: "Discrete-time systems and computer control" by Α. ΣΚΟΔΡΑΣ ΨΗΦΙΑΚΟΣ ΕΛΕΓΧΟΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 ΔΙΑΦΑΝΕΙΑ 1

ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων. Χειμερινό Εξάμηνο

Αρχιτεκτονική Σχεδίαση Ασαφούς Ελεγκτή σε VHDL και Υλοποίηση σε FPGA ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ

Multilayer Ceramic Chip Capacitors

Multilayer Ceramic Chip Capacitors

Applications. 100GΩ or 1000MΩ μf whichever is less. Rated Voltage Rated Voltage Rated Voltage

Volume of a Cuboid. Volume = length x breadth x height. V = l x b x h. The formula for the volume of a cuboid is

ΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΓΕΓΟΝΟΤΩΝ ΒΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΕΠΙΤΑΧΥΝΣΙΟΜΕΤΡΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ

SMD Power Inductor-VLH

Capacitors - Capacitance, Charge and Potential Difference

Smaller. 6.3 to 100 After 1 minute's application of rated voltage at 20 C, leakage current is. not more than 0.03CV or 4 (µa), whichever is greater.

EE434 ASIC & Digital Systems Arithmetic Circuits

Ενσωµατωµένα Υπολογιστικά Συστήµατα (Embedded Computer Systems)

(C) 2010 Pearson Education, Inc. All rights reserved.

CASE DIMENSIONS: 1.27±0.13 (0.050±0.005) A 2.54 (0.100) 1.27 (0.050) 1.27 (0.050) 1.27±0.13 (0.050±0.005) B 3.81 (0.150) 1.27 (0.050) 1.27 (0.

Metal Oxide Varistors (MOV) Data Sheet

SMD Power Inductor-VLH

ΚΥΠΡΙΑΚΟΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ CYPRUS COMPUTER SOCIETY 21 ος ΠΑΓΚΥΠΡΙΟΣ ΜΑΘΗΤΙΚΟΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Δεύτερος Γύρος - 30 Μαρτίου 2011

65W PWM Output LED Driver. IDLV-65 series. File Name:IDLV-65-SPEC

HORIZON QUANTUM. Logging

SMD Transient Voltage Suppressors

TIME SWITCHES AND TWILIGHT SWITCHES

Κύρια μνήμη. Μοντέλο λειτουργίας μνήμης. Ένα τυπικό υπολογιστικό σύστημα σήμερα. Οργάνωση Υπολογιστών (ΙI)

Τέτοιες λειτουργίες γίνονται διαμέσου του

Modbus basic setup notes for IO-Link AL1xxx Master Block

ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων

ANSWERSHEET (TOPIC = DIFFERENTIAL CALCULUS) COLLECTION #2. h 0 h h 0 h h 0 ( ) g k = g 0 + g 1 + g g 2009 =?

Instruction Execution Times

Phys460.nb Solution for the t-dependent Schrodinger s equation How did we find the solution? (not required)

Οργάνωση Υπολογιστών (ΙI)

Aluminum Electrolytic Capacitors (Large Can Type)

QUICKTRONIC PROFESSIONAL QTP5

Block Ciphers Modes. Ramki Thurimella

Dr. D. Dinev, Department of Structural Mechanics, UACEG

Physical DB Design. B-Trees Index files can become quite large for large main files Indices on index files are possible.

FP series Anti-Bend (Soft termination) capacitor series

Assalamu `alaikum wr. wb.

Technical Research Report, Earthquake Research Institute, the University of Tokyo, No. +-, pp. 0 +3,,**1. No ,**1

Πανεπιστήμιο Κρήτης, Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Άνοιξη HΥ463 - Συστήματα Ανάκτησης Πληροφοριών Information Retrieval (IR) Systems

MINIATURE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS. Characteristics. Leakage Current(MAX) I=Leakage Current(µA) C=Nominal Capacitance(µF) V=Rated Voltage(V)

Δίκτυα Επικοινωνιών ΙΙ: OSPF Configuration

Processor-Memory (DRAM) ιαφορά επίδοσης

Τελική Εξέταση, Απαντήσεις/Λύσεις

ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωµάτων

Εγκατάσταση λογισμικού και αναβάθμιση συσκευής Device software installation and software upgrade

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μηχανική Μάθηση Hypothesis Testing

Surface Mount Aluminum Electrolytic Capacitors

1000 VDC 1250 VDC 125 VAC 250 VAC J K 125 VAC, 250 VAC

Processor-Memory (DRAM) Διαφορά επίδοσης

HOMEWORK 4 = G. In order to plot the stress versus the stretch we define a normalized stretch:

the total number of electrons passing through the lamp.

CHAPTER 12: PERIMETER, AREA, CIRCUMFERENCE, AND 12.1 INTRODUCTION TO GEOMETRIC 12.2 PERIMETER: SQUARES, RECTANGLES,

SIEMENS Squirrel Cage Induction Standard Three-phase Motors

ΚΥΠΡΙΑΚΗ ΕΤΑΙΡΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ CYPRUS COMPUTER SOCIETY ΠΑΓΚΥΠΡΙΟΣ ΜΑΘΗΤΙΚΟΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ 19/5/2007

NPI Unshielded Power Inductors

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ. Ψηφιακή Οικονομία. Διάλεξη 7η: Consumer Behavior Mαρίνα Μπιτσάκη Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών

Unshielded Power Inductor / PI Series

Αναερόβια Φυσική Κατάσταση

Πρόβλημα 1: Αναζήτηση Ελάχιστης/Μέγιστης Τιμής

UNIVERSITY OF CALIFORNIA. EECS 150 Fall ) You are implementing an 4:1 Multiplexer that has the following specifications:

ΚΥΠΡΙΑΚΗ ΕΤΑΙΡΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ CYPRUS COMPUTER SOCIETY ΠΑΓΚΥΠΡΙΟΣ ΜΑΘΗΤΙΚΟΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ 6/5/2006

ΔΙΑΚΡΙΤΟΣ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΣ FOURIER - Discrete Fourier Transform - DFT -

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΤΑΤΙΣΤΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ

Aluminum Electrolytic Capacitors

ΕΑΠ/ΠΛΗ22/ΑΘΗ.3. Έκτακτη ΟΣΣ 31/05/2014. Νίκος Δημητρίου.

ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων

Right Rear Door. Let's now finish the door hinge saga with the right rear door

Elements of Information Theory

Συστήματα Διαχείρισης Βάσεων Δεδομένων

3. Προσωπικός Ηλεκτρονικός Υπολογιστής (Personal Computer - PC)

UDZ Swirl diffuser. Product facts. Quick-selection. Swirl diffuser UDZ. Product code example:

Αρχιτεκτονική Υπολογιστών

Thin Film Chip Resistors

THICK FILM LEAD FREE CHIP RESISTORS

RECIPROCATING COMPRESSOR CALCULATION SHEET

B37631 K K 0 60

Ενσωματωμένα συστήματα, εφαρμογές τους και σχεδιασμός συστήματος σε ολοκληρωμένο κύκλωμα (system-on-chip)

Digital motor protection relays

LESSON 14 (ΜΑΘΗΜΑ ΔΕΚΑΤΕΣΣΕΡΑ) REF : 202/057/34-ADV. 18 February 2014

!!! )!)(!,!! )!! )! (!!)!

Chilisin Electronics Singapore Pte Ltd

ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων

[1] P Q. Fig. 3.1

k A = [k, k]( )[a 1, a 2 ] = [ka 1,ka 2 ] 4For the division of two intervals of confidence in R +

RF series Ultra High Q & Low ESR capacitor series

Problem Set 3: Solutions

Sampling Basics (1B) Young Won Lim 9/21/13

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ. ΕΠΛ342: Βάσεις Δεδομένων. Χειμερινό Εξάμηνο Φροντιστήριο 10 ΛΥΣΕΙΣ. Επερωτήσεις SQL

Ιεραρχία Μνήμης. Ιεραρχία μνήμης και τοπικότητα. Σκοπός της Ιεραρχίας Μνήμης. Κρυφές Μνήμες

Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Αρχιτεκτονική Υπολογιστών Κρυφές Μνήμες. (οργάνωση, λειτουργία και απόδοση)

ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΚΑΙ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΕΡΕΥΝΗΣΗ ΤΗΣ ΙΕΡΓΑΣΙΑΣ ΣΚΛΗΡΥΝΣΗΣ ΙΑ ΛΕΙΑΝΣΕΩΣ

GenX3 TM 300V IGBT IXGA42N30C3 IXGH42N30C3 IXGP42N30C3 V CES = 300V I C110. = 42A V CE(sat) 1.85V t fi typ. = 65ns

Αρχιτεκτονική υπολογιστών

Οργάνωση Ιεραρχίας Μνήμης - Caches

Οι απόψεις και τα συμπεράσματα που περιέχονται σε αυτό το έγγραφο, εκφράζουν τον συγγραφέα και δεν πρέπει να ερμηνευτεί ότι αντιπροσωπεύουν τις

A, B. Before installation of the foam parts (A,B,C,D) into the chambers we put silicone around. We insert the foam parts in depth shown on diagram.

Transcript:

CMOS Technology for Computer Architects Iakovos Mavroidis Giorgos Passas Manolis Katevenis Lecture 13: On chip SRAM Technology FORTH ICS / EURECCA & UoC GREECE

ABC A A E F A BCDAECF A AB C DE ABCDAECF A A DC D A AECF D A FAF A A A A A AECF C ABCDAECF D A FA D F A EC C F DA CDA A EEA C AB A D EECF AD A ED E FA EDC E A E FA E FA D A A D A ABCD A F EC C A

Sense Amplifiers role & consequences Sense amplifiers significantly speed up read access time sense 0-contents soon after bit-line discharge has started Sense amplifiers (SA) are large in size can fit only one SA per 8 columns (sometimes per 4 columns?) analog multiplexors before SA select columns to be read digital multiplexors after SA needed for narrow port widths result in large blocks being slower when port is too narrow Sense amplifiers consume significant energy when activated only activate the block when read data are actually needed power consumption is proportional to access frequency power consumption is proportional to number of amplifiers (increases with port width, or with bit capacity of SRAM) 2

area 2 mm /Mbit, 1-port 2 mm /Mbit, 2-port 6 6 4 4 2 2 0 2 8 32 128 512 block capacity (Kbits) 0 2 8 32 128 512 block capacity (Kbits) 16-bit 32-bit 64-bit 128-bit 3

comments on area Slightly old (2009); values are µm 2 /bit or mm 2 /Mbit Large blocks are more area efficient than small ones peripheral overhead (decoders, muxes, sense amplifiers) amortized over a larger core Port width costs a lot for small blocks more sense amplifiers large blocks need many SA s in any case Two-port area about 2 larger than one-port area large bit cell Two-port blocks: both ports are rd/wr not one wr- & one rd-port 4

power uw/mhz (typical), 1-port uw/mhz (typical), 2-port 60 50 40 30 20 10 60 50 40 30 20 10 4 16 64 256 block capacity (Kbits) 4 16 64 256 block capacity (Kbits) 16-bit 32-bit 64-bit 128-bit 5

comments on power Slightly old (2009); values are µw /M Hz Typical-case consumption: 1.2V, 25 C all cycles active, all address and data bits switching Consumption increases with block size due to increasing wordline and bit-line capacitance Consumption is dominated by port-width actually by the num. of SA s 2-port consumption is per-port 2-port consumption 2 1-port consumption 6

cycle time Cycle Time (ns) - worst case, 1-port 3.6 3.2 2.8 2.4 2.0 4 16 64 256 block capacity (Kbits) 16-bit 32-bit 64-bit 128-bit 7

comments on cycle time Slightly old (2009); values are ns Worst-case cycle time: 1.08V, 125 C blocks compiled for power Small is Fast: Small blocks are faster than large blocks bit-line (and word-line) capacitance increases with length For large blocks, narrow ports increase the read latency extra multiplexors after the sense amplifiers 8

65nm CMOS On-Chip SRAM Buffer Example 512-bits-wide example Width = 1 min-size packet = few cache lines=512 bits= = 4 blocks 128 bits/block One-port = 2048 packets 128 bits/pack = 256 Kb Area = 4 banks 128 Kb/bank 0.76 mm 2 /Mb = 0.4mm 2 Throughput = 512 bits 280 Maccesses/s = 145 Gb/s Power Consumption = 4 banks 53 µw/mhz 280 MHz = 60mW 9

Next Lecture 14 Iakovos